JP3578187B2 - エバネッセントエリプソセンサー - Google Patents
エバネッセントエリプソセンサー Download PDFInfo
- Publication number
- JP3578187B2 JP3578187B2 JP14169896A JP14169896A JP3578187B2 JP 3578187 B2 JP3578187 B2 JP 3578187B2 JP 14169896 A JP14169896 A JP 14169896A JP 14169896 A JP14169896 A JP 14169896A JP 3578187 B2 JP3578187 B2 JP 3578187B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- prism
- light beam
- evanescent
- polarization state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリズムに入射させた光ビームを該プリズムと試料との界面で全反射させ、この全反射による光ビームの偏光状態の変化を検出して、試料中の物質を分析するエバネッセントエリプソセンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
第1媒質中を進行する光ビームが、該第1媒質とそれよりも低屈折率の第2媒質との界面で全反射するとき、第2媒質側にエバネッセント波と呼ばれる光が漏れ出ることが知られている。上記界面に光ビームを入射させた際には、全反射の前と後とで光の電場は位相が変化し、そしてそれはp成分(反射界面に垂直)とs成分(反射界面に平行)とで異なる変化をする。そしてこの偏光状態の変化は、上記エバネッセント波と相互作用する第2媒質に応じた固有のものとなる。
【0003】
従来より、この現象を利用して、例えばPHYSICAL REVIEW LETTERS Vol.57,No.24,15 December 1986 pp.3065 〜3068に記載されているように、試料とプリズムとの界面で光ビームを全反射させる構成に、位相差の変化つまり偏光状態の変化を検出する技術(エリプソメトリー)を適用して、試料中の物質を分析するエバネッセントエリプソセンサーが公知となっている。このエバネッセントエリプソセンサーは、上記第1媒質としてプリズムを用い、その一面に上記第2媒質としての試料を密着させておき、それらの界面で光ビームを全反射させ、この全反射による偏光状態の変化を検出して、試料中の物質の物性や総量を測定するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来のエバネッセントエリプソセンサーにおいては、試料液に微量含まれる物質を分析する際に、分析対象物質の検出感度が低く、またその分析に長い時間を要するという問題が認められる。
【0005】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、試料液中の物質を短時間で、かつ高感度で分析可能なエバネッセントエリプソセンサーを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明によるエバネッセントエリプソセンサーは、請求項1に記載の通り、
第1のプリズムと、
この第1のプリズムの一面に形成されて、試料液に接触させられる第1の透明電極と、
所定の偏光状態とした第1の光ビームを、試料液と第1の透明電極との界面で全反射するように、第1のプリズム側から入射させる第1のビーム照射系と、
上記第1の光ビームの、上記全反射による偏光状態の変化を検出する手段と、
第2のプリズムと、
上記第1の透明電極との間に試料液を挟んで該第1の透明電極に対面する状態に配置して、上記第2のプリズムの一面に形成された第2の透明電極と、
所定の偏光状態とした第2の光ビームを、試料液と第2の透明電極との界面で全反射するように、第2のプリズム側から入射させる第2のビーム照射系と、
上記第2の光ビームの、上記全反射による偏光状態の変化を検出する手段と、
上記第2の透明電極と上記第1の透明電極との間に直流電圧を印加する手段とからなることを特徴とするものである。
【0008】
【発明の効果】
本発明のエバネッセントエリプソセンサーは、間に試料液を挟んだ第1、第2の透明電極の間に直流電圧が印加される構成となっているので、試料液中で電荷を持っている分析対象物質を透明電極に電着させることができる。なお電圧印加の極性は、分析対象物質が陽イオンであるか陰イオンであるか等に応じて選択しておけばよい。
【0009】
この電着により、試料液の透明電極に接する部分では分析対象物質の濃度が高くなるので、分析対象物質を高感度で分析可能となる。特に抗原・抗体反応を利用して試料液中の物質を検出する場合、つまり例えば透明電極上に抗原(あるいは抗体)を固定し、それに特異的に吸着する試料液中の抗体(あるいは抗原)を検出するような場合は、分析対象物質の濃度が高くなることにより、質量作用の法則によってこの反応も促進されるので、高感度かつ短時間での分析が可能となる。
【0010】
なお、プリズムの一面に形成された電圧印加用の電極は透明電極であるので、この電極が形成されていない従来装置におけるのと同様にエバネッセント波が試料液中に漏れ出す。したがって、試料分析はこの電極に妨げられることなく行なわれ得る。
【0011】
上記透明電極とプリズムは、光ビームを全反射させるために試料液よりも高屈折率の材料から形成する必要があり、そしてプリズムと電極との界面での反射、電極膜中での多重反射干渉を防ぐという点から、透明電極とプリズムは屈折率が互いに等しい材料から形成されるのが望ましい。
【0012】
また本発明によるエバネッセントエリプソセンサーは、第1の透明電極に対面する対向電極を透明電極(第2の透明電極)とした上で、この対向電極に対してもプリズム、ビーム照射系および偏光状態の変化を検出する手段を設けて、該対向電極側でも試料分析を行なえるようにしたので、試料液中で生の電荷を持っている物質と、負の電荷を持っている物質の双方を同時に分析可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明に対する参考例であるエバネッセントエリプソセンサーの側面形状を示すものである。
【0014】
図示されるようにこのエバネッセントエリプソセンサーは、断面三角形のプリズム10と、このプリズム10の一面(図中の上面)に形成されて、試料液11に接触させられる透明電極12と、1本の光ビーム13を発生させるレーザー光源14と、この光源14から出射した光ビーム13の偏光状態を制御する偏光子15およびλ/4板16と、プリズム10と透明電極12との界面10aで全反射した光ビーム13の光路に配された検光子17と、この検光子17を通過した光ビーム13の強度を検出する光検出手段18とを備えている。
【0015】
また、上記透明電極12と適当な間隔をおいて対面するように対向電極19が配設されている。この対向電極19は、図中上下方向に中心軸が延びる筒状の保持部材20に保持されており、透明電極12と対向電極19との間の空間は、周囲をこの保持部材20によって閉じられる状態となる。そして透明電極12と対向電極19にはそれぞれ、直流電源21の正極、負極が接続されている。
【0016】
レーザー光源14、偏光子15およびλ/4板16からなるビーム照射系は、光ビーム13が上記界面10aに全反射角以上の入射角で入射するように配置されている。また偏光子15およびλ/4板16は光ビーム13を、界面10aで全反射後に直線偏光となるような楕円偏光とする。また検光子17は光軸周りに回転されるようになっている。
【0017】
以下、上記構成のエバネッセントエリプソセンサーによる試料分析について説明する。透明電極12と対向電極19との間の空間には、陰イオン化した分析対象物質30を含む試料液11が満たされる。また直流電源21により、透明電極12と対向電極19との間に直流電圧が印加される。そして、上述のような楕円偏光とされた光ビーム13が、透明電極12に向けて照射される。この透明電極12とプリズム10との界面10aで全反射した光ビーム13は、光検出手段18によって検出される。
【0018】
上記のように光ビーム13が界面10aで全反射するとき、入射光と反射光とでは、そのp偏光成分(界面10aに平行な振動面を有する偏光成分)とs偏光成分(界面10aに垂直な振動面を有する偏光成分)との位相差が異なる。この全反射による位相差の変化つまり偏光状態の変化は、前述した通り、透明電極12に付着している分析対象物質30の物性および総量を反映したものとなる。そこで、光検出手段18の出力Sが最小となるように検光子17を回転させ、そのときの回転角から、全反射による偏光状態の変化、つまりは分析対象物質30の物性および総量を求めることができる。
【0019】
また、上述のように直流電源21に接続された透明電極12と対向電極19との間に直流電圧が印加されるので、試料液11中で陰イオン化している分析対象物質30は透明電極12に電着する。そこで、試料液11の透明電極12に接する部分では分析対象物質30の濃度が高くなり、該分析対象物質30を高感度で短時間内に分析可能となる。このように陰イオン化する分析対象物質30としては、例えば水酸化ナトリウムに溶解しているヒト血清トランスフェリン等が挙げられる。
【0020】
なお、前述した抗原・抗体反応を利用して試料液11中の物質30を検出する際等は、光ビーム13の偏光状態の変化を、抗原・抗体反応が進む中で時間を追ってリアルタイムで観測したい場合がある。本装置によれば、上述の通り分析対象物質30を短時間内に検出可能であるから、このようなリアルタイムの観測も短時間内に済ますことができる。
【0021】
以上の実施形態においては、光ビーム13の全反射による偏光状態の変化を、回転する検光子17と光検出手段18とによって検出しているが、この偏光状態の変化はその他の公知の手法、例えばPEM(photoelastic modulator)を用いる方法等によって検出することも可能である。
【0022】
次に図2を参照して、本発明の一つの実施形態について説明する。なおこの図2において、図1中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重複した説明は省略する。
【0023】
この図2のエバネッセントエリプソセンサーは図1のものと比べると、基本的に、第2のプリズム40、第2の光ビーム43を発生させる第2の光源44、第2の偏光子45、第2のλ/4板46、第2の検光子47および第2の光検出手段48が付加された点が異なるものである。またこの場合、対向電極19としては、特に透明電極が用いられている。
【0024】
上述の付加された要素は、透明電極からなる対向電極19を前記透明電極12と同様に利用して、もう1つ別のエバネッセントエリプソセンサーを構成する。つまり、これら第2のプリズム40、第2の光源44、第2の偏光子45、第2のλ/4板46、第2の検光子47および第2の光検出手段48は、それぞれプリズム10、光源14、偏光子15、λ/4板16、検光子17および光検出手段18と同様の作用を果たす。この図2のエバネッセントエリプソセンサーにおいて、試料液11中で陰イオン化している物質30の分析は前述と同様にしてなされる。本装置ではそれに加えて、試料液11中で陽イオン化している分析対象物質31が対向電極19に電着する。そこで、上記第2のプリズム40、第2の光源44、第2の偏光子45、第2のλ/4板46、第2の検光子47および第2の光検出手段48により、上記物質31の分析が同様になされ得る。
【0025】
そしてこの場合、試料液11の対向電極19に接する部分では分析対象物質31の濃度が高くなり、該分析対象物質31を高感度で短時間内に分析可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に対する参考例であるエバネッセントエリプソセンサーの側面図
【図2】本発明の一実施形態であるエバネッセントエリプソセンサーの側面図
Claims (1)
- 第1のプリズムと、
この第1のプリズムの一面に形成されて、試料液に接触させられる第1の透明電極と、
所定の偏光状態とした第1の光ビームを、前記試料液と第1の透明電極との界面で全反射するように、第1のプリズム側から入射させる第1のビーム照射系と、
前記第1の光ビームの、前記全反射による偏光状態の変化を検出する手段と、
第2のプリズムと、
前記第1の透明電極との間に試料液を挟んで該第1の透明電極に対面する状態に配置して、前記第2のプリズムの一面に形成された第2の透明電極と、
所定の偏光状態とした第2の光ビームを、前記試料液と第2の透明電極との界面で全反射するように、第2のプリズム側から入射させる第2のビーム照射系と、
前記第2の光ビームの、前記全反射による偏光状態の変化を検出する手段と、
前記第2の透明電極と前記第1の透明電極との間に直流電圧を印加する手段とからなるエバネッセントエリプソセンサー。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169896A JP3578187B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | エバネッセントエリプソセンサー |
EP97107066A EP0805347A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001540A EP1650547B1 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001542A EP1650549A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001543A EP1650550B1 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
EP06001541A EP1650548A3 (en) | 1996-04-30 | 1997-04-29 | Surface plasmon sensor |
US08/841,620 US5907408A (en) | 1996-04-30 | 1997-04-30 | Surface plasmon sensor |
US09/069,119 US5917608A (en) | 1996-04-30 | 1998-04-29 | Surface plasmon sensor |
US09/069,118 US5856873A (en) | 1996-04-30 | 1998-04-29 | Ellipso sensor using a prism |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169896A JP3578187B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | エバネッセントエリプソセンサー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09325113A JPH09325113A (ja) | 1997-12-16 |
JP3578187B2 true JP3578187B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=15298135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14169896A Expired - Fee Related JP3578187B2 (ja) | 1996-04-30 | 1996-06-04 | エバネッセントエリプソセンサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3578187B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1482300A4 (en) * | 2002-03-06 | 2007-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CONCENTRATION MEASURING DEVICE |
JP2003270131A (ja) | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 特定成分の濃度測定方法 |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP14169896A patent/JP3578187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09325113A (ja) | 1997-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0067921B1 (en) | A method for determining bioactive substances | |
US5907408A (en) | Surface plasmon sensor | |
US5926284A (en) | Surface plasmon sensor | |
US5491556A (en) | Analytical device with variable angle of incidence | |
JPH052181B2 (ja) | ||
JP2008500536A (ja) | 寄生反射を低減する光呼掛け装置および寄生反射を除去する方法 | |
JP2002357543A (ja) | 分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法 | |
US4799796A (en) | Method and apparatus for measuring immunological reaction with the aid of phase-modulation of light | |
JP3578187B2 (ja) | エバネッセントエリプソセンサー | |
CN107356560B (zh) | 全反射式斜入射光反射差扫描成像装置及其使用方法 | |
JPH07502815A (ja) | 光散乱を利用した分析装置 | |
JP3693750B2 (ja) | 電気泳動センサー | |
JPH11160199A (ja) | 液晶初期配向角測定法及び液晶初期配向角測定装置 | |
JP3578188B2 (ja) | 表面プラズモンセンサー | |
JP3363743B2 (ja) | 光学的異方性測定装置及びそれを用いた光学的異方性測定方法 | |
JPH09257701A (ja) | 表面プラズモン共鳴センサ | |
JP2002357542A (ja) | 分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法 | |
Fattinger et al. | The difference interferometer: a highly sensitive optical probe for molecular surface-coverage detection | |
JP3734125B2 (ja) | 微生物数測定装置 | |
JP2002357537A (ja) | 分析素子の製造方法及び分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法 | |
JP2004294355A (ja) | 濃度測定装置 | |
JPH05203564A (ja) | 偏光解析装置における光学系および試料支持体 | |
JPH10307104A (ja) | Sprセンサ | |
US8529837B2 (en) | System and method for detecting specific binding reactions using magnetic labels | |
JP3290684B2 (ja) | 偏光解析装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |