JP3576657B2 - 反射型液晶表示素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、反射型液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子（以下ＬＣＤと略称）は、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、投影形ＴＶ、小型ＴＶ等に広く利用されている。
【０００３】
近年、バックライト不要の反射型ＬＣＤが注目されている。反射型ＬＣＤは、ＯＡ機器等の表示においてバックライトを必要としないため、消費電力の低減が実現でき、携帯用に適している。反射型ＬＣＤは、外光の光を利用しているため、ＬＣＤ自体の反射率が高くないと実用上問題となる。
【０００４】
反射型ＬＣＤを、ＬＣＤ自体の反射率の観点から分類すると、偏光板を２枚用いる表示モード、１枚用いる表示モード、用いない表示モードの３つに分類できる。
【０００５】
偏光板を２枚用いる表示モードとしては、例えば図１に示すＴＮ型ＬＣＤがある。このＴＮ型ＬＣＤでは、上下基板１，２は透明電極３，４をそれぞれ有しており、これら基板間に液晶組成物層５を挟持している。上下基板１，２外面に偏光板６ａ，６ｂが貼付され、下基板２側の偏光板６ｂ外面に、拡散反射板７が貼付されている。このＴＮ型ＬＣＤの光路Ｌは、偏光板を４回、基板を４回通過する。これらの透過率のうち、偏光板の透過率は１回分の通過では、原理的に５０％以下であり、実数は４０数％である。他の偏光板や基板においてもそれ自身の吸収があるので、反射率は著しく低い。
【０００６】
偏光板を１枚用いる表示モードとしては、例えば図２に示す偏光板６のみをもつ偏光板１枚モードＥＣＢ型ＬＣＤがある。前記図１のＴＮ型ＬＣＤと比較して、光路は、偏光板を２回、基板も２回しか通過しない。なお、以下、各図において同符号の部分は同様部分を示す。前記ＴＮ型ＬＣＤと同様、偏光板の透過率は少なくとも１回分は、原理的に５０％以下であり、実際は４０数％である。しかしながら光路は、偏光板２回分、基板２回分の光吸収を削減できることから、前記ＴＮ型ＬＣＤよりは、若干反射率が高い。
【０００７】
これらと比較して偏光板を用いない表示モードは、例えば図３に示すゲストホスト液晶の液晶組成物層５ａをもつ高分子ポリマーＰＣ−ＧＨ型ＬＣＤ、図４に示すゲストホスト液晶組成物層５ｂをもつＧＨ−ＨＯＭＯ型ＬＣＤ、および図５に示す２層のゲストホスト液晶組成物層５ｂを共通基板８を介して重ねた２層型ＧＨ−ＨＯＭＯ型ＬＣＤ等がある。
【０００８】
図３〜５に示すいずれの方式も偏光板を用いないので、前記した偏光板を用いる表示モードのように透過率が少なくとも１回の透過分は、透過率が原理的に５０％以下であり実際は４０数％である偏光板を用いない分、明るくなる。また、前記偏光板１枚モードのＥＣＢ型ＬＣＤと同様に、反射板をセル内面に設ければ、基板２回分の光吸収を削減することができる。従って、前記偏光板を用いる表示モードと比較して、反射率が著しく高くなる。
【０００９】
また、図６に示す反射型ＬＣＤは、図４に示すＧＨ−ＨＯＭＯ型ＬＣＤの反射板７と液晶セルの間に４分の１波長板９を挿入したものであり、液晶セルを通過した入射光が、４分の１波長板９を透過し、反射板７で反射され、再び４分の１波長板９を透過することによって、位相を２分の１波長ずらされ、再び液晶セルに入射する機能を得るものである。
【００１０】
この構造は図５に示す２層型ＧＨ−ＨＯＭＯ型ＬＣＤと同様の光制御が１層の液晶層、１層の液晶セルで得られるものである。
【００１１】
さて、これら反射型ＬＣＤはディスプレーであり、一般的には電極を用いて液晶層に電圧を印加する、若しくは電流を流す、磁界を印加するなどして表示を行っている。電極を用いるので、必ず絶縁領域（電極のないところ）が必要となる。特に、種々の文字や絵、映像などのパターンを表示する素子の場合、マトリクス状に電極を形成する。マトリクス状に電極を形成した場合、一般的には前記液晶層に電圧を印加する等の目的とした電極以外に配線も必要となる。マトリクスに電極を形成しない場合でもパターンがある程度複雑な場合（例えば、電卓、時計等に応用されている７セグメント表示）は配線が必要となる。このようにＬＣＤは液晶層に電圧を印加する等の目的とした電極及び絶縁領域（電極のないところ）及び場合によっては配線の３つの領域から形成されている。
【００１２】
本明細書では、液晶層に電圧を印加する等の目的とした電極により液晶が応答し光反射層が変調する領域を変調部と称し、それ以外の領域を非変調部と称し、この非変調部のうち、前記絶縁領域をスペース部と称し、前記配線の設けられた領域を配線部と称することとする。
【００１３】
ちなみに透過型ＬＣＤにおいては、前記非変調部に遮光層を設けることが多い。この遮光層はマトリクス表示素子の場合、一般的にブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれる。この遮光層は表示のコントラスト比特性を向上させる目的で設けられているものである。ＬＣＤの表示モードを表示制御の観点から分類すると（透過型、反射型に限らず）、電圧等を印加していない状態で明状態を得るノーマリーホワイトモード（ＮＷモードと称す）と、逆に電圧等を印加した状態で明状態で得るノーマリーブラックモード（ＮＢモードと称す）とに大別できる。
【００１４】
ＮＷモードの場合、前記非変調部は変調部の状態に拘らず、大略、常時明状態となる。よって、前記遮光層を設けない場合、全体（変調部と非変調部）として、暗状態の輝度は、前記遮光層を設けた場合より高い。よってコントラスト比（明状態の輝度／暗状態の輝度）は遮光層を設けることによって向上する。ＮＢモードの場合、前記非変調部は変調部の状態に拘らず、大略、常時暗状態となる。よって、ＮＷモードと比較すれば、全体（変調部と非変調部）としての暗状態の輝度は暗くなる。しかしながら、一般に知られるＮＢモードの暗状態は十分暗い表示が得られていない。このため、遮光層を設けることによって、非変調部の輝度を確実にゼロにし、高いコントラストを得ているのである。
【００１５】
しかしながら、この遮光層を設けることは、全体の表示輝度（明るさ）を低下させることとなる。これは欠点となるが、透過型ＬＣＤの場合、バックライトを用いているので、このバックライトの輝度を向上させることにより、表示輝度（明るさ）を保つことができる。このように、コントラストを得るために遮光層を設けることが多いわけである。
【００１６】
これに対し、反射型ＬＣＤでは、用いる光が外光であり、ディスプレー側では、入射光量を制御できない。したがって、前記遮光層を反射型に適用すると、表示輝度を著しく低下させてしまうため、一般的には用いられていない（駆動素子としてのＴＦＴは光により影響されるので、その影響を防止する目的で、非変調部のうち必要な部分にだけ遮光層を設けることがある。）。そもそも、反射型ＬＣＤの場合、用いる光は外光であり、ディスプレー側では入射光量を制御できないから、最も重要視される特性は明るさ（輝度）とされている。これらのことから、一般的な従来の反射型ＬＣＤは、非変調部に遮光層を設けていない。
【００１７】
しかしながら、遮光層がなくても、従来の反射型ＬＣＤの表示輝度は十分な値が得られていない。ＮＷモードの場合、非変調部は大略常時明状態となるため、全体の表示輝度はある程度得られるが、反射型ＬＣＤは、いずれも暗状態を得るために偏光板や染料を用いており、実際には明状態に対してもある程度の光吸収が避けられない。よって結果的には十分な明るさは得られない。ＮＢモードの場合は、非変調部は大略常時暗状態となるため、全体の表示輝度は当然暗い。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の反射型液晶表示素子は、ディスプレーとして用いる場合、非変調部においても反射率が低く、特にノーマリーブラックモードの場合、その影響は著しく、全体の表示輝度を著しく低下させていた。
【００１９】
本発明の目的は、ノーマリーブラックモード、ノーマリーホワイトモードに関することなく、全体の反射率を高くする新規な反射型液晶表示素子を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明（請求項１）は、観察される側に配置され、一方の主面に第１の電極が形成された第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の電極が形成された主面に対向して配置され、その対向主面に第２の電極を有する第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶組成物層と、
前記第１の電極に対応する領域であって、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧により前記液晶組成物が応答し、入射する光の反射量を変調する変調部と、
この変調部以外の領域である非変調部と、
前記第１の基板の前記第１の電極が形成された主面に形成された光拡散層と、
前記光拡散層上の、前記非変調部に対応する領域の少なくとも一部に形成された第１の反射層と
を具備する反射型液晶表示素子を提供する。
【００２５】
以下、本発明の液晶表示素子の構成及び作用について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同符号の部分は、同様の部分を示す。
【００２６】
本発明の第１の態様に係る液晶表示素子は、非変調部の一部又は全部の領域に、白色反射層を設けたことを特徴とする。
【００２７】
かかる特徴を有する本発明の第１の態様に係る液晶表示素子の具体的態様としては、以下のものが挙げられる。
【００２８】
（１）白色反射層は、第１の基板の前記第１の電極が形成されている主面に形成されている反射型液晶表示素子。
【００２９】
（２）白色反射層が、白色顔料を分散したレジスト材料からなる反射型液晶表示素子。
【００３０】
（３）（２）において、白色顔料が、ＴｉＯ_２ を主成分としたものからなる反射型液晶表示素子。
【００３１】
（４）第１及び第２の基板の少なくとも一方はカラーフィルターを有しており、このカラーフィルターの着色層以外の部分に対応する、基板の電極が形成されている主面の側に、白色反射層が設けられている反射型液晶表示素子。
【００３２】
（５）液晶組成物が、２色性染料を含有する反射型液晶表示素子。
【００３３】
（６）液晶組成物が、黒色染料を含有する正の誘電異方性を示すネマティック液晶であり、前記第１及び第２の基板間においてホモジニアス分子配列しており、前記第２の基板の側に、４分の１波長板及び第２の反射板が配置されている反射型液晶表示素子。
【００３４】
（７）白色反射層が、第１及び第２の基板の間隙を制御する基板間隙材を兼ねることを特徴とする反射型液晶表示素子。
【００３５】
図７は、非変調部の一部または全部の領域に前記白色反射層を設けた液晶セル構造を説明したものである。すなわち、観測側の上基板１１は内面に白色反射層２０とストライプ状透明電極１３を有し、対向基板である下基板１２は、面上にＭＩＭスイッチング素子１８をもつ画素電極１４を多数配列している。両基板の電極側の面には配向膜１６，１７が形成され、基板間に液晶層１５が挟持されている。さらに下基板１２の外面に拡散反射板３０が貼付されて、反射型液晶表示素子１０が構成される。
【００３６】
電極領域は、印加電圧により液晶が応答し、光反射量を変調する領域であり、変調部Ａを構成する。その他の部分は光反射量を制御できない領域であり、非変調部Ｂを構成する。この非変調部Ｂは、電極間の間隙であるスペース部２１と電極１３を動作させる配線部２２の占める領域である。白色反射層２０がこの非変調部Ｂの上基板内面のストライプ状電極１３間に設けられる。
【００３７】
白色反射層２０は、例えばＭｇＯを主成分とした白色顔料であり、いわゆる完全拡散反射に近い反射特性を示すものが望ましい。完全拡散反射とは、入射光Ｌｉの入射角度によらず、反射光Ｌｒが種々の角度に均等に反射する反射特性のことを言い、環境（入射光の方位別隔たり）によらず、どのような角度においても高輝度を得る反射特性のことを言う。つまり、本発明の液晶表示素子の非変調部の一部または全部の領域に用いる白色反射層は従来の反射型ＬＣＤの非変調部（遮光層を設けるか、何も設けない（配線や液晶層がその領域を占める））より、高い反射率を得ることとなる。
【００３８】
前述したように、反射型ＬＣＤに最も要求される性能は、明るさ、つまり反射率である。従来、透過型ＬＣＤにおいては、コントラスト比特性を高めるために、非変調部には遮光層を設けるといったことを行っているが、反射型ＬＣＤにおいて、この非変調部に対し、明るさ、つまり反射率特性を高めるような策は取られていなかった。このため、変調部と非変調部を合わせた全体の反射率は、低かった。
【００３９】
これに対し、本発明では前記非変調部に反射率の著しく高い白色反射層を設けており、非変調部では、変調部の状態に拘らず、常に高い反射を得る。よって、全体の反射率は、前記白色反射層を設けない場合と比較して著しく向上する。
【００４０】
白色反射層は、前述したように従来の反射型ＬＣＤの非変調部より高い反射率を得るように層厚や配置を構成すれば、前述した効果が得られる。例えば、図８に示すように、比較的表示パターンの大きい７セグメント２３からなるキャラクター表示に応用する場合、非変調部Ｂの観察側基板１１の外面に十分な完全拡散反射特性が得られる層厚で白色反射層２０を設ければ良い。しかしながら、表示パターンが基板１１の板厚より、微細な高精細パターンであるものにおいては、基板厚による視差を防ぐために、図７に示すように基板内面に白色反射層２０を設けることが望ましい。
【００４１】
前述したように、本発明の効果は従来の反射型ＬＣＤの非変調部より高い反射率を得るように白色反射層の層厚や配置を構成すれば、層厚に関わりなく得られるものであるので、層厚は液晶層厚（基板間隙）に及ぶ必要はなく、前記白色反射層を基板作成工程にて一方の基板に形成する製造方法とする場合、液晶層での光吸収を避けるために観察側の基板内面に設けた方が良い。特に液晶層にて光吸収量の多い染料添加型反射型ＬＣＤにおいては、前記構成とする効果が大きく、中でも電圧無印加時に暗状態を示すＮＢモードでは、液晶層での光吸収量が極めて高いので、その効果は大である。
【００４２】
また、本発明をマトリクス型ＬＣＤに応用する場合、前記非変調部Ｂには、必然的に配線が設けられることとなる。ここに配線とは、変調部に電圧等を印加するためにセル外部と変調部の電極を接続するために設けられた導電体である。例えば単純マトリクス構造の電極構成の場合、図９に示すように、一画素を構成する領域２４内の電極パターンのうち、上下電極１３，１４の交差部（変調部Ａ）以外の導電体領域１３_１ ，１４_１ のことを指す。
【００４３】
前述した全体の反射率を最も向上させるには、前記白色反射層は、平面的に見て、表示領域内の非変調部Ｂ全域に設ければ良いこととなる。
【００４４】
しかしながら、図１０に示すような、ＭＩＭ素子１８付きマトリクス基板１１を用いる場合、一般的には配線２２には遮光性のある導電物（例えばＡｌ）を用いる。このように配線に遮光性のある材料を用い、この基板に白色反射層２０を表示領域内の非変調部Ｂ全域に機能するように設けるためには、前記配線の下層に白色反射層を設けなければならない。
【００４５】
しかしながら、前記配線の下層に設けるには、白色反射層２０の上に配線層２２を形成する必要があり、配線のパターン形成工程において、白色反射層材料への耐性が求められる。したがって、マトリクス型ＬＣＤにおいては、実用的に図１０に示すように、表示領域内の非変調部Ｂ（画素電極１３以外の領域）の内、配線部２２以外の領域すなわちスペース部２１にのみ、前記白色反射層２０を設けた構造とすると、配線のパターン形成工程での白色反射層材料への耐性を必要としなくなる。
【００４６】
また、本発明に用いる白色反射層は、強い拡散反射が得られるものであれば、効果が得られることは言うまでもない。こうした、強い拡散反射が得られる材料としては、アルミナ（酸化アルミニウム）、前述したＭｇＯ（酸化マグネシウム）等が適用できるが、特に材料として白色顔料を分散したレジスト材料を用いれば、前記白色反射層のパターン形成工程において、前記白色反射層材料そのものを露光、現像するだけで形成できる。したがって、別途レジスト材料を用いて露光、現像したのちに、エッチングを必要とする材料に比べ、工程が簡略化できる。この白色顔料に用いる材料としては、分散性の点でＴｉＯ_２ が特に優れる。本発明の白色反射層に白色顔料を分散したレジスト材料を用いる場合も、同様にＴｉＯ_２ が特に優れる。
【００４７】
また、カラーフィルターを用いてカラー表示を行う反射型ＬＣＤに本発明を適用する場合、変調部とほぼ同形の着色層を形成し、この着色層以外の領域に前記白色反射層を設ければ、前記着色層の層厚により生じる表面段差を、前記白色反射層で解消することが可能となる。また、白色反射層を白色顔料を分散したレジスト材料にて形成する場合、前記着色層自体をフォトマスクとして裏面露光によりパターニングすることも可能となる。また、着色層以外の領域に白色反射層を設けることにより、前述した全体の反射率を向上させる効果の他、非変調部の色付きを防止できる効果も得られる。
【００４８】
本発明の第１の態様の効果は、種々の反射型ＬＣＤにおいて得られるが、特に、液晶層に染料が添加されている方式（液晶材料に染料を添加することから一般的にゲストホスト（ＧＨ）型ＬＣＤと呼ばれる）に応用すれば、その効果は大きい。液晶層に染料が添加されている方式は、液晶層での光吸収度合いが、染料が添加されている分、高いからである。
【００４９】
前述したように図３、４にも示した従来のＧＨ型ＬＣＤは、１層の液晶層（１枚のセル）で、高いコントラスト比が得られ、且つ液晶層１層で表示を得る機能をもっているので、変調部の反射率も高い。よって、染料として黒色の染料を用い、４分の１波長板として可視光波長全域に対して、各波長の４分の１波長の位相差が得られる４分の１波長板（例えば異なる２種の材料からなる延伸フィルムを光軸をずらして積層し、それぞれの位相差の波長依存性をくみあわせて、すべての波長に対し４分の１波長の位相差が得られるようにすればいい。）を用いれば、変調部では極めて高いコントラスト比と反射率が得られる。
【００５０】
この表示モードの場合、非変調部は、変調部の状態に拘らず、常時、暗状態である。つまり、ＮＢモードである。よって、本発明のように非変調部に白色反射層を設けると、全体の反射率は著しく向上する。
【００５１】
図１０に示す本発明の構成は、観察側の基板１１としてＭＩＭ素子付きドットマトリクス基板を用い、配線部、変調部以外の領域、つまりスペース部２１全域に白色反射層２０を設けているが、この白色反射層２０付き基板１１を図１１（ａ）〜図１２（ｃ）に示す製法で作成する。
【００５２】
工程（Ｉ） 観測側基板１１の一表面にＭＩＭ素子１８および配線２２を形成する（図１１（ａ））。
【００５３】
工程（ＩＩ） スパッタリング法によりインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）膜１３ａを基板表面に成膜する。このＩＴＯ膜１３ａ上にレジスト膜２５ａを塗布により被着する（図１１（ｂ））。
【００５４】
工程（ＩＩＩ ） レジスト膜２５ａをマスクパターン２６を介して紫外線ＵＶで露光し、後工程で画素電極１３となるＩＴＯ膜上のレジスト膜２３のみを残して現像する（図１１（ｃ））。
【００５５】
工程（ＩＶ） 次にレジスト膜２５をマスクとしてＩＴＯ膜１３ａをエッチングして画素電極部分のみからなる電極パターンを形成する（図１２（ａ））。
【００５６】
工程（Ｖ） 基板全面にＴｉＯ_２ を混入したレジスト膜２０ａを塗布により被着する（図１２（ｂ））。
【００５７】
工程（ＶＩ） 画素電極１３上のレジスト膜２５を剥離し、同時に画素電極上に塗布されたＴｉＯ_２ を混入したレジスト膜２０ａを取り除く。この結果、画素電極１３上を除く領域すなわち非変調部Ｂに白色反射層２０が形成される（図１２（ｃ））。
【００５８】
このように、配線２２や、画素電極１３のパターン形成は、フォトリソグラフィーにておこなっており、用いているレジストはポジ型（紫外線が照射された領域のみが現像工程で除去されるタイプのレジスト）である。図１１（ａ）〜１２（ｃ）に示す製法の特徴は、配線部、変調部のパターン形成工程に用いたレジストを剥離せず、この上に、白色反射層の材料を塗布し、しかる後、前記配線部、変調部のパターン形成工程に用いたレジストを剥離することにより、前記配線部、変調部のパターン形成工程に用いたレジスト上の白色反射層のみを前記レジストと同時に剥離することにより、配線部、変調部以外の領域に前記白色反射層をパターン形成することができる。
【００５９】
以上のように他のパターン形成工程に用いたレジストを剥離せずその上に膜形成を行い、前記レジストを剥離することによりその上に形成した膜のパターン形成を行うことを、一般的にはリフトオフ法と呼ばれている。本発明の第１の態様に係る液晶表示素子において、この方法を用いて前記白色反射層を形成すれば、白色反射層のパターン形成のための現像、露光工程が必要なくなるため、安い製造コストにて製造できるようになる。また、前記白色反射層のパターンと変調部、配線部との合わせ精度も十分に得られる。これは、個々に現像、露光工程をおこなっていないからである。このリフトオフ法は変調部以外の全域に白色反射層のパターン形成を行う場合や、カラーフィルターの着色層以外の領域にパターン形成を行う場合であっても、変調部やカラーフィルターの着色層がポジ型レジストを用いたフォトリソグラフィー法にて行うものであれば、同様の作用、効果が得られる。
【００６０】
また、図１３に示すように、本発明に用いる白色反射層２０をセル内面に形成し、前記白色反射層の層厚を所望の液晶組成物１５の層厚とすれば、前記白色反射層は基板間隙材の機能を得る。この場合、基板間隙材としていわゆる粒状スペーサーを基板全域に散布する方式と比較して、工程が簡略化できる上、変調部への影響が防止できる。
【００６１】
以上、本発明の第１の態様に係る液晶表示装置の作用について、構成の一例等を用いて説明してきたが、本発明の第１の態様の作用、効果はこれらの一例にとらわれることがなく、本発明の第１の態様の特徴を得る構成、材料、製法であれば、同様の作用、効果が得られることは言うまでもない。例えば、用いる基板としては、ＴＦＴ素子の付いたドットマトリクス基板でも、同様の作用、効果が得られる。また、白色反射層は多少色みがかっていても、変調部の明状態の反射率または従来技術の非変調部より高い反射率を得るものであれば、一定の効果が得られることは本発明の作用から明白である。本発明の第１の態様は、従来技術として代表的に説明した種々の型の液晶表示素子に適用することができるものである。
【００６２】
以上説明したように、非変調部に白色の反射層、つまり拡散反射層を設けることにより、素子の反射率及びコントラスト比は向上するが、拡散反射層を分離して、光拡散層と反射層とに分離したのが、第２及び第３の態様である。これらの態様では、コントラスト比が更に向上し、視角特性も向上する。
【００６３】
このうち、観察側（第１の）基板に光拡散層を設け、対向側（第２の）基板に鏡面反射層を設けたのが、第２の態様であり、観察側（第１の）基板に光拡散層と鏡面反射層を設けたのが、第３の態様である。
【００６４】
本発明の第２の態様に係るＧＨ型液晶表示素子において、液晶組成物は、２色性黒色系染料を含有する誘電率異方性を有するネマティック液晶であるが、この液晶分子が、暗状態を得るとき、反射層または反射板により反射し、１／４波長位相差板により直線偏光となった光を吸収する検光子としての機能を果たすので、明暗のコントラストの高い表示が得られる。また、液晶セルの表示観察側に光拡散板が配置されるとともに、表示観察側から見て後方に光散乱性のない鏡面反射層または反射板が配置されているので、表示画面への背景の写り込みが大幅に低減される。
【００６５】
また、液晶層と光拡散板との間に偏光板を１枚だけ配置する場合、２枚の偏光板が使用された従来の液晶表示素子に比べて、光の利用効率が高く、明るい表示画面が得られるうえに、反射板として光散乱性のない鏡面反射層または鏡面反射板が用いられているので、液晶セル内で偏光の乱れが生じず、コントラストの高い表示が実現される。また、液晶セルの表示観察側に光拡散板が配置されているので、画面への背景の写り込みが大幅に低減され、視角依存性のない表示が得られる。
【００６６】
更に、偏光板と液晶層（液晶セル）との間または液晶層と鏡面反射層等との間に、位相差板が配置さした場合には、位相差板のリタデーション値を液晶セルのそれと適切に組合わせることにより、白黒表示を実現することができる。
【００６７】
次に、本発明の第２及び第３の態様に係る液晶表示装置の具体的態様としては、以下のものが挙げられる。
【００６８】
（１）第２の基板のいずれかの主面に形成された第２の反射層を更に具備する反射型液晶表示素子。
【００６９】
（２）（１）において、第２の反射層は、第２の基板の第２の電極が形成されている主面の少なくとも一部に形成されている反射型液晶表示素子。
【００７０】
（３）（２）において、第２の反射層は、第２の電極が兼ねている反射型液晶表示素子。
【００７１】
（４）（１）において、第２の反射層は、第２の電極上に形成されている反射型液晶表示素子。
【００７２】
（５）（１）において、第２の反射層は、第２の基板の第２の電極が形成されている主面とは反対側の主面の少なくとも一部に形成されている反射型液晶表示素子。
【００７３】
（６）（１）において、第２の反射層は、Ａｌ又はＡｇを主成分として含む反射型液晶表示素子。
【００７４】
（７）第１及び第２の基板のいずれか一方の電極が形成されている側に、カラ−フィルタ−を具備する反射型液晶表示素子。
【００７５】
（８）前記カラ−フィルタ−は、前記光拡散層上に配置され、前記反射層は前記カラ−フィルタ−上に配置されている反射型液晶表示素子。
【００７６】
（９）光拡散層は、屈折率の異なる第１及び第２の透明屈折率媒体からなる反射型液晶表示素子。
【００７７】
（１０）（９）において、第１の透明屈折率媒体は、ポリスチレン、ＳｉＯ_２ 、及びポリイミドからなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、前記第２の透明屈折率媒体は、前記第１の透明屈折率媒体の溶媒であるアクリル系材料を主成分として含有する反射型液晶表示素子。
【００７８】
（１１）（９）において、第１及び第２の透明屈折率媒体は、前記液晶組成物の平均屈折率±１０％の範囲内の屈折率を有する反射型液晶表示素子。
【００７９】
（１２）（１１）において、第１の透明屈折率媒体は、前記液晶組成物の常光屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有し、第２の透明屈折率媒体は、液晶組成物の異常屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有する反射型液晶表示素子。
【００８０】
（１３）（１１）において、光拡散層は、第１及び第２の透明屈折率媒体を略平面的に配置してなる回折格子である反射型液晶表示素子。
【００８１】
（１４）（１３）において、回折格子は、第１及び第２の透明屈折率媒体をチェック状に配置してなる反射型液晶表示素子。
【００８２】
（１５）（１１）において、第１の透明屈折率媒体は、ポリスチレン、ＳｉＯ_２ 、及びポリイミドからなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、液晶組成物の常光屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有し、第２の透明屈折率媒体は、ＩＴＯ及び窒化珪素からなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、第２の透明屈折率媒体の屈折率と第１の透明屈折率媒体との差δｎと光拡散層の層厚Ｄを乗じた値δｎＤが０．１μｍ〜０．４μｍであり、光拡散層は、第１及び第２の透明屈折率媒体を平面的にチェック状に配置してなる回折格子である反射型液晶表示素子。
【００８３】
（１６）（１）において、第２の反射層は、Ａｌ又はＡｇを主成分として含み、光拡散層は、２種類の透明な屈折率媒体からなる反射型液晶表示素子。
【００８４】
（１７）液晶組成物は、二色性染料を含有する反射型液晶表示素子。
【００８５】
（１８）液晶組成物が、黒色染料を含有する正の誘電異方性を示すネマティック液晶であり、第１及び第２の基板間においてホモジニアス分子配列しており、第２の基板の側に、４分の１波長板及び第２の反射板が配置されている反射型液晶表示素子。
【００８６】
（１９）（１７）において、４分の１波長板及び第２の反射板は、第２の基板の第２の電極が形成されている主面の側に配置されている反射型液晶表示素子。（２０）液晶組成物は、光反射機能を有し、第１の反射層を兼ねる反射型液晶表示素子。
【００８７】
（２１）（２０）において、液晶組成物は、高分子分散型液晶組成物である反射型液晶表示素子。
【００８８】
（２２）（２１）において、高分子分散型液晶組成物は、エマルジョン型高分子分散型液晶組成物である反射型液晶表示素子。
【００８９】
（２３）薄膜タランジスタ及び薄膜ダイオ−ドのいずれか一方を有するアクティブマトリックス型液晶表示素子である反射型液晶表示素子。
【００９０】
（２４）（２３）において、第１の反射層は、薄膜タランジスタ及び薄膜ダイオ−ドのいずれか一方の配線機能を有する反射型液晶表示素子。
【００９１】
（２５）第２の基板の第２の電極が形成されている主面とは反対側には、凹面鏡反射レンズからなる反射板が配置されている反射型液晶表示素子。
【００９２】
次に、本発明の第２及び第３の態様の原理について説明する。
【００９３】
光拡散層は、入射した光を拡散させるためのものである。入射した光を拡散させるためには、図３５に示すように２種類以上の屈折率媒体を３次元的に配置し、媒体間の屈折率の差によって光を折り曲げればよい。この３次元的な配置構成を多方位（ランダム）にすればするほど、拡散性は高まる。また、媒体間の屈折率差がおおきいほど、光はおおきく折り曲がるので、拡散性が高まる。拡散性が高いほど、液晶表示素子の視角特性は高まる。但し、明るさは平均化されるので、一方位から観察した場合の明るさは、低下する場合がある。
【００９４】
このように、２種以上の屈折率媒体を３次元的に配置し、媒体間の屈折率差によって光を折り曲げる光拡散方法（屈折効果）を実行する例としては、主成分がポリスチレン、ＳｉＯｘ、ポリイミド、ＩＴＯ、ＳｉＮｘ等からなる微粒子を、屈折率の異なる媒体（例えばアクリル樹脂）に分散させる手法がある。また、他の例としては、ＰＤＬＣ等の高分子ポリマーに液晶を分散させる手法がある。
【００９５】
一方、光を拡散させる別の手法として、２種類以上の屈折率媒体を２次元的に配置し、媒体間で光の回折現象を発生させる方法がある。例えば、図３６に示すように、２種の媒体間で位相が１ピッチずれるように層厚と媒体の屈折率を制御すれば、回折格子効果により光は拡散する。
【００９６】
この回折格子効果による拡散については、平面的（２次元的）な屈折率分布形状により光の拡散方位が決定される。分布が２次元的に多方位であるほど、拡散方位は多方位となる。よって、図３７（ａ）〜（ｃ）に示すような、３角形、４角形を最小構成単位としたチェック状の配置が好ましい。具体的な例としては、前述した２種以上の屈折率媒体を３次元的に配置し、媒体間の屈折率差によって光を折り曲げる光拡散方法と同様に部材をパターン形成し、これと屈折率の異なる媒体を膜として、その上に形成すればよい。
【００９７】
これら光拡散層は、光を拡散させる機能を得ればよいもので、この拡散層で光が反射するとコントラスト比が低下してしまう。液晶層による表示の制御に関係なく光が反射すると、黒表示の輝度が上がってしまい、結果的にコントラスト比が低下するためである。従って、光拡散層を設計するには、反射が極力生じないよう設計するのが好ましい。
【００９８】
図３８、図３９は、前述した２種の光拡散方法における光反射作用を説明したものである。図３８は屈折効果によるのもである。図３９は回折効果によるものである。光の反射作用は、いずれの場合も屈折率の異なる媒体間の屈折率が大きい程、大きくなる。
【００９９】
前記光拡散層は、観察基板の内外に配置されることとなる。観察基板の内側（液晶層側）に配置した方が、光制御層（液晶層）との距離が近くなるので表示のボケ（にじみ）がなくなるので好ましい。この場合、前記屈折率の異なる媒体間の一つとして液晶層と光拡散層間が生じ得る。反射を低減するためには双方の屈折率差が小さいほどよい。
【０１００】
ところで、図３８にしめす屈折効果による光拡散方法では、３次元的に２種類の屈折率媒体を分散させ、屈折率差により光を拡散させている。このことは、前述した反射成分の度合いが屈折率差に依るものであることから、この方式は、光拡散性と反射成分の度合い（＝コントラスト比）がトレードオフになることを意味する。
【０１０１】
これに対し、図３９に示す回折効果による光拡散方法は、光入射方向に屈折率差を設ける必要がないので、光拡散性と反射成分の度合いは直接関連性がない。よって、回折効果による光拡散方法のほうが、より好ましい光拡散層となる。
【０１０２】
前述した光反射作用は光拡散層と他の部材、つまり液晶層や配向膜、基板との間でも発生する。ここでの光反射作用も小さい方が好ましい。前述したように、光反射作用は、双方の屈折率が異なる程大となるので、光拡散層と他の部材の屈折率差は小さいほどよい。光拡散層は、２種類以上の屈折率媒体からなり、拡散効果を得るためには屈折率を必要とする。必要な屈折率差の値については後述するが、最も好ましいのは、光拡散層と隣接する部材（液晶層や配向膜、基板）が光拡散層の２種の屈折率媒体の屈折率の平均率に等しくなった時である。
【０１０３】
なお、図３８に示す屈折率効果による光拡散方法によると、観察基板の内側（液晶層側）に配置した構成では、光拡散層と他の部材（＝液晶層）の屈折率差は、我々の実刑結果では液晶組成物の平均屈折率の±１０％以内にしないと反射成分が高くなりすぎることがわかった。
【０１０４】
図３９に示す回折効果による光拡散方法を用いる場合、その光拡散性は、次式（１）により決定される。Ｉの値が大きい程、光拡散性が高まる。
【０１０５】
Ｉ〜ｓｉｎ^２ （π・δｎ・Ｄ／λ）………………（１）
Ｉ：光拡散性。
【０１０６】
δｎ：光拡散層（回折格子層）の２層の屈折率媒体の屈折率差
Ｄ：光拡散層（回折格子層）の層厚
λ：入射光波長
入射する光、必要な光は可視光全域である。従って、δｎ・Ｄの設定は、可視光中心波長に合わせた設計にすればよい。λを５５０ｎｍに設定すれば、式（１）の値が２５％以上となる（このことは入射光の２５％以上が拡散することを意味する）δｎ・Ｄの値は、０．１μｍ乃至０．４μｍとなる。本発明者らは、δｎ・Ｄがこの範囲の値となれば、反射層が鏡面反射を得る反射層であっても、光拡散機能が十分であることを実験により確認した。
【０１０７】
なお、反射層が拡散反射の場合、より光拡散機能は高くなるので、δｎ・Ｄがこの範囲の値であれば光拡散機能が十分となるのは明らかである。
【０１０８】
また回折格子を形成する際、一方の屈折率媒体を透明な導電物とすれば、媒体自身を電極に用いることができる。具体例としては、ＩＴＯ、ＳｎＯｘなどである。
【０１０９】
こうした光拡散層と反射層を分離した構成とした場合、図３９に示すように、非変調部の少なくとも一領域の、光拡散層と液晶層の間に反射層を設ければ、前述した白色の反射層を非変調部の少なくとも一領域に設けた構成と同等の効果を得ることができる。この場合、前述した光拡散層と反射層を分離した構成の効果も同時に得られるので、双方の効果を得ることができる。
【０１１０】
以下、本発明の種々の実施例について、図面を用いて詳細に説明する。
【０１１１】
実施例１
図１４乃至図１７に、本実施例の液晶表示素子を示す。
【０１１２】
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、一方の観察側の上基板１１に、ＭＩＭ素子１８をもつ電極１３のパターンを作成した。図１４（ａ）は一画素の電極形状を示しており、一画素は縦横１８０μｍ×１８０μｍの寸法を有している。図１４（ｂ）は上基板１１の有効表示領域の形状を示しており、各画素がマトリクス状に配列される。５７．６ｍｍ×８６．４ｍｍ内に画素数４８０×３２０が配列される。
【０１１３】
図１５に示すように、観察側の上基板１１にはＭＩＭ素子１８と配線２２および透明電極１３が形成され、透明電極１３を除く領域、非変調部Ｂの位置に白色反射層２０が形成される。
【０１１４】
一方、対向側の下基板１２には複数のストライプ状透明電極１４が前記画素電極に対応させて平行にならべて形成される。これら電極１３，１４上に配向膜１６，１７が被着され、液晶組成物層１５が基板間に挟持される。
【０１１５】
本実施例に係る液晶表示装置は、次のようにして製造される。
【０１１６】
即ち、まず、図１４（ａ）に示す上基板１１上に表面を酸化させた第１のＴａ層１８ａ（表面に膜厚１０００オングストロームのＴａＯ_２ 膜が設けられている）を図示するようなパターンで形成し、しかる後、第２のＴａ層２２（膜厚１０００Ａ）を図示するように一部が第１のＴａ膜１８ａにかかる配線パターンの形に形成した。
【０１１７】
その後、基板全面にＩＴＯを２０００Ａの膜厚に成膜し、レジスト材料としてポジ型のレジスト材料（ＯＦＰＲ−５０００、（株）東京応化製）を全面に塗布し、６０℃で３０分の仮焼成を施した後、画素電極パターンが形成できるようにマスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、図１４（ａ）の参照数字１３で示すＩＴＯ膜の上にのみレジストパタ−ンが被覆した構成とした。
【０１１８】
次に、このレジストパタ−ンをマスクとして用いて、塩酸・硝酸水溶液（混合比塩酸１０・硝酸１・水１０）によりＩＴＯのエッチングを行った。しかる後、前記レジストパタ−ンを剥離せずに、図１４（ｂ）の基板に示す有効表示領域１１ａ全面にＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液：（株）日本合成ゴム製）を膜厚２０００Ａとなるように印刷し、１００℃で３０分仮焼成した後、図１４Ａに示すＩＴＯ膜１３の上にのみ被覆したレジストをＳＴ１０溶液（（株）東京応化製）にて剥離した。
【０１１９】
その結果、ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料膜のうち、ＩＴＯ膜１３上のレジストの上にある部分はレジストとともに除去され、それ以外の領域にのみレジスト材料膜のパターンが形成できた。次いで、前記ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料を完全に硬化させる目的で、基板を１８０℃にて３０分焼成し、基板裏面から見て、有効表示領域内の画素電極（図１４ＡのＩＴＯ膜１３）およびＭＩＭ１８、配線部２２以外の領域すなわち非変調部Ｂの一部に、本発明の第１の態様の特徴である白色反射層２０を形成できた。
【０１２０】
また、対向する基板１２として図１４（ｃ）及び１４（ｄ）に示すＩＴＯストライプパターン電極１４を形成した基板を作成した。ここで、図１４（ｃ）は，一画素に該当するパターン形状を示しており、図１４（ｄ）は、有効表示領域１２ａの形状を示している。
【０１２１】
こうして得られた２枚の基板の有効表示領域に、配向剤（ＡＬ−１０５１、（株）日本合成ゴム製）を印刷、焼成して配向膜１６，１７を形成し、これら配向膜１６，１７を前記ＩＴＯストライプパターンと平行であり、且つ対向する基板同士で向きが１８０°逆となる方向にラビングした。
【０１２２】
次いで、観察側基板に粒径５μｍの基板間隙材（ミクロパールＳＰ、（株）積水ファインケミカル製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、対向基板の有効表示領域周辺に５ｍｍ幅の開口部を設けた周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。ここで用いたシール材料は、１液性エポキシ樹脂（ＸＮ−２１、三井東圧化学（株）製）である。
【０１２３】
次に、前記２枚の基板１１，１２を電極１３，１４面が対向するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得た。しかる後、前記空セルに液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料ＺＬＩ−２２９３（（株）メルクジャパン製）１５１に黒色の染料ＬＡ１０３／４（（株）三菱化成製）１５２を２．０ｗｔ％添加したものを減圧注入法にて注入し、液晶組成物層１５とした。
【０１２４】
その後、前記周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂ＵＶ−１０００（（株）ソニーケミカル製）にて封止し、本実施例の液晶表示素子に用いる液晶セルを得た。しかる後、図１５に示すように、基板１２に４分の１波長板３１、反射板３０を張り合わせ、本実施例の液晶表示素子を得た。ここで用いた反射板３０は、Ａｌ蒸着タイプの拡散反射板であるＭタイプ拡散反射板（（株）日東電工製）であり、４分の１波長板３１は、積層タイプの全波長域４分の１波長板（（株）日東電工製）であり、それぞれ糊付きのものを用いた。
【０１２５】
本実施例の液晶表示素子の構造は、観察側基板１１のスペース部に白色反射層２０を有し、その材料はＴｉＯ_２ からなる白色顔料のレジスト材料を用いている。その製造方法は、画素ＩＴＯ電極のパターン形成工程に用いたレジストパターンを利用したリフトオフ法によるものである。
【０１２６】
また、液晶表示モードとしては、染料を添加した液晶組成物を用いたＧＨ型のものであり、且つ４分の１波長板を加えた図１６（ａ）及び１６（ｂ）に示す構成の表示モードである。即ち、電圧無印加状態では、図１６（ａ）に示すように，非偏光の入射光Ｌｉは液晶組成物層１５を通過して直線偏光となり、４分の１波長板３１で円偏光となって，反射板３０に至り，円偏光のまま反射され、再び４分の１波長板３１を通過するが，このときの直線偏光の方向が入射時にたいして９０°回転するため、液晶組成物層１５に遮られ，反射光Ｌｒは遮断される。一方、電圧印加時は、図１６（ｂ）に示すように、入射光Ｌｉの非偏光光は、液晶組成物層１５を通過して直線偏光となり、４分の１波長板３１で円偏光となって，反射板３０に至り，円偏光のまま反射され、再び４分の１波長板３１を通過するのは電圧無印加状態と同様であるが、４分の１波長板３１を通過した反射光Ｌｒは、液晶組成物層１５をそのまま通過する。
【０１２７】
さて、以上により得られた本実施例の液晶表示素子の反射率およびコントラスト比を図１７に示す測定装置で測定した。測定は、サンプルの中央から法線方向の位置に距離３０ｃｍに輝度計４０を配置し、ほぼ同じ高さに前記法線方向と３０°の角度をなす方向に図示するように赤緑青３波長に発光する高演色形蛍光灯４１，４２を２灯、配置して、サンプル４３部分の照度が５８０ルクスとなるようにして、標準拡散板（ＭｇＯ板）の輝度を測定し、この輝度を反射率１００％とし、サンプルの反射率およびコントラストを測定した。
【０１２８】
その結果を、後に示す他の実施例と合わせて下表に示す。
【０１２９】
【表１】

【０１３０】
液晶層への印加電圧が４ＶとなるようＭＩＭ素子を用いて全面（全画素）に電圧を印加した場合の反射率は、８０％と極めて高い値であり、また、液晶層への印加電圧が０Ｖと４ＶとなるようＭＩＭ素子を用いて全面（全画素）に電圧を印加してコントラスト比を測定したところ、上記表に示すように、８：１と極めて高い値であった。
【０１３１】
比較例１
実施例１において白色反射層の無い構造の液晶表示素子を作成した。構造上は白色反射層を設けないこと以外同一とし、材料、製法も実施例１同様にして作成した。実施例１同様にして反射率及びコントラスト比を測定したところ、反射率は６０％と実施例１と比較して著しく低い値であった。また、コントラスト比も９：１であり、実施例１の本発明の液晶表示素子は白色反射層を設けても十分な値を得ていることがわかった。
【０１３２】
実施例２
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、一方の下基板１２に図１８（ａ）、１８（ｂ）に示すようなＭＩＭ素子１８付き基板を作成した。図１８（ａ）は，一画素の電極形状を示し、１８０μｍ×１８０μｍの一画素領域にイエロー用の電極１４Ｙ、マゼンタ用の電極１４Ｍ、シアン用の電極１４Ｃが配置される。図１８（ｂ）は有効表示領域１２ｂの形状を示している。画素数は４８０（×３）×３２０である。この基板１２は観察側基板の対向基板として用いる。本実施例では、いずれのパターンもリフトオフ法は用いず、各々レジストを剥離することにより形成した。
【０１３３】
次いで、観察側基板１１として、図１８（ｃ）、１８（ｄ）に示すカラーフィルター付き基板を作成した。図１８（ｃ）、１８（ｄ）に示すようなイエロー２７Ｙ、マゼンタ２７Ｍ、シアン２７Ｃの３着色層からなるカラーフィルター２７付き基板を用い、この基板全面にＩＴＯ膜を膜厚２０００Ａにて成膜した。カラーフィルターの膜厚はいずれも１８０００Ａである。
【０１３４】
次に、レジスト材料としてポジ型のレジスト材料（ＯＦＰＲ−５０００、（株）東京応化製）を全面に塗布し、６０℃、３０分の仮焼成を施した後、図１８（ｃ）に図示する形状のＩＴＯ膜１３にパターン形成できるようにマスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、図１８（ｃ）に示すＩＴＯ膜１３の上をのみ被覆したレジストパタ−ンを形成した後、このレジストパタ−ンをマスクとして用いて、塩酸・硝酸水溶液（混合比塩酸１０・硝酸１・水１０）でエッチングを行った。
【０１３５】
その後、図１８（ｄ）に示す有効表示領域全面にＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液、（株）日本合成ゴム製）を、膜厚２００００Ａと成るように印刷し、１００℃で３０分仮焼成した後、前記図１８（ｃ）のＩＴＯ膜１３の上にのみ被覆したレジストパタ−ンをＳＴ１０溶液（（株）東京応化製）にて剥離した。その結果、ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料のうち、ＩＴＯ膜１３の上にある部分はレジストともに除去され、それ以外の領域にのみレジスト材料膜のパターンが形成できた。
【０１３６】
次いで、前記ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料を完全に硬化させる目的で基板を１８０℃にて３０分焼成し、基板裏面から見て、有効表示領域内のカラーフィルターの着色部以外の領域に本発明の第１の態様の特徴である白色反射層２０を形成できた。
【０１３７】
この基板の有効表示領域では、白色反射層の膜厚もカラーフィルターの着色部の膜厚（カラーフィルターの膜厚＋ＩＴＯの膜厚）もともに２００００Ａであり、表面の段差は生じていない。このように、本実施例では、白色反射層はカラーフィルターの着色部とそれ以外の領域間の段差を解消する構成となっている。
【０１３８】
こうして得られた２枚の基板を図１９のように実施例１と同様の材料、製法にてセル化し、実施例１と同様の、材料、製法にて４分の１波長板３１、反射板３０を貼付し、液晶表示素子を得た。
【０１３９】
こうして得られた本実施例の液晶表示素子の反射率およびコントラスト比を実施例１同様の方法にて測定したところ、反射率は、カラーフィルターでの吸収があるにも拘らず５０％と極めて高い値であり、また、コントラスト比を測定したところ、５：１と極めて高い値であった。
【０１４０】
比較例２
実施例２において白色反射層の無い構造の液晶表示素子を作成した。構造上は白色反射層を設けないこと以外同一とし、材料、製法も実施例２同様にして作成した。実施例１同様にして反射率及びコントラスト比を測定したところ、反射率は２５％と実施例２と比較して著しく低い値であった。また、コントラスト比も６：１であり、実施例２の本発明の液晶表示素子は、白色反射層を設けても十分な値を得ていることがわかった。
【０１４１】
（実施例３）
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、一方の基板１１に図２０（ａ）、２０（ｂ）に示すようなＴＦＴ１８付き基板を作成した。図２０（ａ）は一画素の電極形状を示し、図２０（ｂ）は有効表示領域の形状を示す。一画素は１８０μｍ×１８０μｍ、画素数は４８０×３２０である。この基板１１は観察側基板として用いる。
【０１４２】
まず、図１４（ａ）に示すと同様に、基板１１上にＴＦＴスイッチング素子１８を形成し、しかる後、基板全面にＩＴＯ膜を膜厚２０００Ａにて成膜し、レジスト材料としてポジ型のレジスト材料：ＯＦＰＲ−５０００（（株）東京応化製）を全面に塗布し、６０℃３０分の仮焼成を施した後、図示する正方形形状にパターン形成できるようにマスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、電極として残すＩＴＯ膜１３の上にのみレジストパタ−ンが被覆した構成とした。
【０１４３】
次に、このレジストパタ−ンをマスクとして用いて、塩酸・硝酸水溶液（混合比塩酸１０・硝酸１・水１０）でＩＴＯのエッチングを行った。しかる後、前記レジストパタ−ンを剥離せずに、図２０（ｂ）に示す基板１１の有効表示領域１１ｃ全面にＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液：（株）日本合成ゴム製）を膜厚２０００Ａと成るように印刷し、１００℃で３０分仮焼成した後、前記図２０ＡのＩＴＯ膜１３の上にのみ被覆したレジストパタ−ンをＳＴ１０溶液（（株）東京応化製）にて剥離した。
【０１４４】
その結果、前記ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料膜のうち、ＩＴＯ膜１３上のレジストの上にある部分はレジストとともに除去され、それ以外の領域にのみレジスト材料膜のパターンを形成できた。次いで、前記ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料を完全に硬化させる目的で、基板を１８０℃にて３０分焼成し、基板裏面から見て、有効表示領域内の画素電極（図２０（ａ）のＩＴＯ膜１３）および配線部（ゲート線、信号線）２２、ＴＦＴ素子１８以外のスペース領域に本発明の第１の態様の特徴である白色反射層２０を形成できた。
【０１４５】
更に、対向基板としてＩＴＯベタ電極を有する基板（図示せず）を用い、配向膜としてＡＬ−１０５１（（株）日本合成ゴム製）を有効表示領域に印刷、焼成し、対向する基板同士で向きが１８０°逆となる方向にラピングして、しかる後、観察側基板に基板間隙材として粒径８μｍのミクロパールＳＰ（（株）積水ファインケミカル製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、対向基板の有効表示領域周辺に５ｍｍ幅の開口部を設けた周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。ここで用いたシール材料は１液性エポキシ樹脂であるＸＮ−２１（三井東圧化学（株）製）である。
【０１４６】
次に、前記２枚の基板を電極面が対向するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得た。しかる後、前記空セルに液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料（ＺＬＩ−２２９３、（株）メルクジャパン製）に、カイラル材（Ｓ１０１１、（株）メルクジャパン製）を２ｗｔ％と、黒色の染料（ＬＡ１０３／４、（株）三菱化成製）を２．０ｗｔ％添加したものを減圧注入法にて注入し、前記周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂ＵＶ−１０００（（株）ソニーケミカル製）にて封止し、本実施例の液晶表示素子に用いる液晶セルを得た。
【０１４７】
本実施例にて作成した液晶表示素子は、ＰＣ−ＧＨ型ＬＣＤであり、用いた液晶材料のヘリカルピッチは１．４μｍに設定（前記カイラル材の添加量で制御）してある。ヘリカルピッチが液晶層厚（設定８μｍ）より、十分に短いため、螺旋軸は法線方向からずれ、電圧を印加していない状態では実用的に染料分子の方位がランダムとなり、十分な光吸収効果（暗状態を得る効果）が得られる。
【０１４８】
こうして得られた液晶セルの対向基板外面に実施例１同様、Ｍタイプ拡散反射板（（株）日東電工製）を貼り、本実施例の液晶表示素子を得た。
【０１４９】
この液晶表示素子の反射率及びコントラスト比を実施例１同様の方法にて測定したところ、液晶層への印加電圧が１４ＶとなるようＴＦＴ素子を用いて全面（全画素）に電圧を印加して反射率は８０％と極めて高い値であり、また、液晶層への印加電圧が０Ｖと１４ＶとなるようＴＦＴ素子を用いて全面（全画素）に電圧を印加してコントラスト比を測定したところ、９：１と極めて高い値であった。ここで、コントラスト比が実施例１より、さらに高くなったのは、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いていることによるもので、本発明の作用とは無関係である。
【０１５０】
（実施例４）
実施例３において、白色反射層を形成する白色顔料に用いる顔料として、ＭｇＯを用いたことを除いて、実施例３と同じ材料、製法、構成にて本実施例に係る液晶表示素子を作成した。
【０１５１】
この液晶表示素子について、実施例３に係る液晶表示素子と同様、駆動電圧１４Ｖで、反射率およびコントラスト比を実施例１に記載したのと同様の方法により測定したところ、反射率は７８％と、実施例３と比べても極めて高い値であり、コントラスト比を測定したところ、９：１と極めて高い値であった。
【０１５２】
（比較例３）
実施例３において、白色反射層の無い構造の液晶表示素子を作成した。構造上は白色反射層を設けないこと以外、実施例３と同一とし、材料、製法も実施例３と同様にして作成した。実施例１と同様にして反射率及びコントラスト比を測定したところ、反射率は６０％と実施例３、４と比較して著しく低い値であった。また、コントラスト比も１０：１であり、実施例３、４の本発明の液晶表示素子は、白色反射層を設けても十分な値を得ていることがわかった。
【０１５３】
（実施例５）
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、一方の基板に図２０（ａ）、２０（ｂ）に示すようなＴＦＴ素子付き基板を作成した。図２０（ａ）は一画素の電極形状を示し、図２０（ｂ）は有効表示領域の形状を示す。画素数は４８０×３２０である。この基板は観察側基板の対向基板として用いる。また、観察側基板として、白色反射層をパターン形成し、その上にＩＴＯベタ電極を形成した基板を作成した。
【０１５４】
この観察側基板は、まず、基板上にアルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）を膜厚１０００Ａにて蒸着成膜し、しかる後、これをフォトリソグラフィー法にて対向基板のスペース部および配線の位置する非変調部領域に形成されるようにパターニングし、しかる後、アルミナ膜を形成した基板全面にＩＴＯを成膜することにより得ている。
【０１５５】
こうして得られた２枚の基板を用い、実施例３、４同様の材料、製法、構造にて本発明の液晶表示素子を得た。
【０１５６】
本実施例は実施例３、４と比較して、パターン形成を従来のフォトリソグラフィー法により得ている点が異なる。これは白色反射層を観察側基板に設け、（例えば素子の実装上の制約により）ＴＦＴ基板を対向基板とする必要がある場合に取り得る実施例である。パターン形成に従来のフォトリソグラフィー法が必要となる反面、非変調部全域に前記白色反射層を設けることが容易になり、その分高い反射率を得ることができる。
【０１５７】
実施例３と同様、駆動電圧１４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を実施例１同様の方法にて測定したところ、反射率は８５％と実施例３、４以上に極めて高い値であり、コントラスト比を測定したところ、９：１と極めて高い値であった。
【０１５８】
（実施例６）
２枚の０．７ｍｍ厚のガラス基板１１，１２を用い、図２１（ａ）にセグメント電極パターン１４を形成した対向基板１２、図２１（ｂ）にＩＴＯ膜の電極パターン１３を形成した観察側基板１１を示す。これら基板の電極面に、図２２に示すように配向膜１６，１７として、ＡＬ−１０５１（（株）日本合成ゴム製）を有効表示領域に印刷、焼成し、図２１（ａ），２１（ｂ）に図示する矢印方向ｒ１、ｒ２（互いに対向する基板間で向きが１８０°逆となる方向）にラビングして、しかる後、観察側基板１１に基板間隙材として粒径２．５μｍの間隙剤（ミクロパールＳＰ、（株）積水ファインケミカル製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、対向基板１２の有効表示領域周辺に５ｍｍ幅の開口部を設けた周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。ここで用いたシール材料２８は１液性エポキシ樹脂（ＸＮ−２１、三井東圧化学（株）製）である。
【０１５９】
しかる後、図２１（ｃ）に示すように、前記２枚の基板１１，１２を電極面が対向するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得た。次に、前記空セルに液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料（ＺＬＩ−２２９３、（株）メルクジャパン製）を液晶組成物１５として減圧注入法にて注入し、前記周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂（ＵＶ−１０００、（株）ソニーケミカル製）にて封止し、本実施例の液晶表示素子に用いる液晶セルを得た。しかる後、図２２に示す構造となるよう、偏光板３２としてＬＬＣ２９８−１８ＳＦ（（株）サンリッツ製）を、観察側基板１１外面に前記ラビング方向と４５°の角度をなす方向に吸収軸が来るように張り付け、反射板３０としてＭタイプ拡散反射液（（株）日東電工製）を対向基板１２外面に張り付け、しかる後、前記偏光板３２表面に、ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液：（株）日本合成ゴム製）をセグメント電極が見える開口窓を形成して膜厚２０００Ａとなるように印刷し、７０℃で１２０分焼成し、平面的にみて非変調部である領域で、断面的に見て前記偏光板表面に白色反射層２０を形成し、本実施例の液晶表示素子を得た。
【０１６０】
本実施例は画素単位の表示パターンではないため、変調部と非変調部を一つの表示単位とみなして観察することはできないので、変調部と非変調部を合わせたコントラスト比は議論の価値がない。よって、本実施例では、実施例１と同様の方法にて反射率のみを測定した。電圧を印加しない状態では、反射率５０％と偏光板を用いているにも拘らず極めて高い値であった。また、５Ｖの電圧を印加して変調部を暗状態としたところ、極めて視認性の良い表示であった。
【０１６１】
（比較例４）
実施例６において、偏光板上の白色反射層を設けないことを除いて、実施例６と同様の液晶表示素子を、実施例６と同様の条件、製法にて作成した。実施例６同様に反射率を評価したところ、電圧を印加しない状態では、反射率３５％と実施例６に係る液晶表示素子より著しく低い値であった。
【０１６２】
（実施例７）
図２３に、本実施例に係る液晶表示素子を示す。
【０１６３】
実施例１に用いた２枚の電極付き基板１１，１２を用いた。観察側基板１１の電極１３周囲には白色反射層２０を有している。電極１３，１４面に配向膜（ＡＬ−１０５１、（株）日本合成ゴム製）１６，１７を有効表示領域に印刷、焼成し、２枚の基板１１，１２を電極面が対向するよう重ね合わせたときラビング方向が９０°の角度をなすようにラビングして、しかる後、観察側基板に基板間隙材として粒径４．５μｍのミクロパールＳＰ（（株）積水ファインケミカル製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、対向基板の有効表示領域周辺に５ｍｍ幅の開口部を設けた周辺シールパターンを、スクリーン印刷法にて形成した。
【０１６４】
ここで用いたシール材料は、１液性エポキシ樹脂ＸＮ−２１（三井東圧化学（株）製）である。
【０１６５】
その後、前記２枚の基板を電極面が対向するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成し、本発明の液晶表示素子に用いる空セルを得た。次いで、前記空セルに液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料ＺＬＩ−２２９３（（株）メルクジャパン製）を減圧注入法にて注入し、液晶組成物層１５を形成し、前記周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂（ＵＶ−１０００、（株）ソニーケミカル製）にて封止し、本実施例の液晶表示素子に用いる液晶セルを得た。
【０１６６】
次に、偏光板（ＬＬＣ２９８−１８ＳＦ、（株）サンリッツ製）３２，３３を２枚の基板外面に、吸収軸が前記ラビング方向と平行となるように張り付け、反射板３０としてＭタイプ拡散反射板（（株）日東電工製）を対向基板の偏光板外側に張り付け、本実施例の液晶表示素子を得た。
【０１６７】
実施例１と同様、駆動電圧４Ｖにて、反射率およびコントラスト比を、実施例１と同様の方法にて測定したところ、偏光板を２枚も用いているにも拘らず、反射率は４０％と極めて高い値であり、コントラスト比を測定したところ、１３：１と極めて高い値であった。
【０１６８】
（比較例５）
実施例７において、セル内面の白色反射層を設けないことを除いて、実施例７と同様の液晶表示素子を、実施例７と同様の条件、製法にて作成した。実施例７と同様、駆動電圧４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を、実施例１と同様の方法にて測定したところ、反射率は３０％と実施例７に係る液晶表示素子より著しく低い値であり、コントラスト比を測定したところ、１５：１であり、実施例７の本発明の液晶表示素子は、白色反射層を設けても十分な値を得ていることがわかった。
【０１６９】
（実施例８）
図２４に示すように、０．７ｍｍ厚のガラス基板１１，１２を２枚用い、一方の基板１２に図１４（ａ），（ｂ）に示すようなＭＩＭ素子付き基板を作成した。この基板１２は、図１４（ａ）の基板と異なり，観察側基板の対向基板として用いる。
【０１７０】
すなわち、本実施例は図１４に示す実施例１の構成で、セルの逆の面を観察側とするものである。
【０１７１】
観察側基板１１として、図１４（ｃ）、１４（ｄ）に示すＩＴＯストライプパターン電極基板を作成した。本実施例では、いずれのパターンもリフトオフ法は用いず、各々レジストを剥離しておこなった。次いで、図１４（ｃ），１４（ｄ）に示すＩＴＯストライプパターン電極基板表面に，図１４（ｄ）に示す有効表示領域全面にＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液：（株）日本合成ゴム製）を膜厚２０００Ａと成るように印刷し、６０℃３０分の仮焼成を施した後、対向基板１２の画素電極１４（図１４（ａ）のＩＴＯ膜１３）以外の領域が対向する図１４（ｃ）の観察基板の該当領域にパターン形成できるよう（すなわち非変調部Ｂにのみパターン形成できるよう）マスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、観察側基板の非変調部全域に、本発明の白色反射層２０を形成した。
【０１７２】
こうして得られた２枚の基板を用い、実施例１と同様の材料、製法にて液晶セルを作成し、図２４に示すような構成となるように実施例１と同様の４分の１波長板３１、反射板３０を対向基板１２外面に貼付し、本実施例の液晶表示素子を得た。
【０１７３】
本実施例は、白色反射層２０のパターン形成にリフトオフ法を用いず、フォトリソグラフィー法を用いていることにおいて、実施例１と相違する。製造プロセスは増加するが、白色反射層を非変調部全域に容易に設けることができ、さらなる反射率の向上が期待できるものである。
【０１７４】
また、実施例１と同様、駆動電圧４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を実施例１と同様の方法にて測定したところ、反射率は８５％と実施例１に係る液晶表示素子が示す以上に極めて高い値であり、コントラスト比を測定したところ、７：１と極めて高い値であった。
【０１７５】
（実施例９）
実施例５に用いた観察側基板を用い、対向基板として図２５（ａ），２５（ｂ）に示すようなＴＦＴ素子付き基板１２を作成した。
【０１７６】
まず、ガラス基板１２の上にゲート配線２２ａ、信号線配線２２ｂ、ＴＦＴ素子１８を形成し、しかる後基板全面にＡｌを２０００Ａの膜厚にて成膜し、表面を陽極酸化法にて酸化してアルミナ層を形成した後、図示の方形形状の画素電極１４となるように、Ａｌ導電層３４およびアルミナ層３５をエッチングする。このようにして画素電極１４ａがＡｌ導電層３４の上にアルミナ層３５が形成された構造を有する拡散反射板の機能を持つ対向基板を得た。
【０１７７】
こうして得られた２枚の基板を用い、実施例５と同様の材料、製法にて液晶セルを作成し、反射板等を貼らないで本実施例の液晶表示素子を得た。本実施例は本発明を反射板の機能をセル内面の画素電極に設けた構造の液晶セルに適用した例であり、画素電極に反射板の機能を設ける手間がかかるものの、光路は、基板を１枚しか通過しないで反射板で反射できることから、反射板を対向基板外面に張り付ける他の構成より、反射率の向上を達成することができるものである。
【０１７８】
実施例５と同様、駆動電圧１４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を実施例１と同様の方法にて測定したところ、反射率は９０％と実施例５以上に極めて高い値であり、コントラスト比を測定したところ、１０：１と極めて高い値であった。
【０１７９】
（比較例６）
セル内面の白色反射層を設けないことを除いて、実施例９と同様の液晶表示素子を、実施例９と同様の条件、製法にて作成した。実施例９と同様、駆動電圧１４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を、実施例１と同様の方法にて測定したところ、反射率は７０％と実施例９に係る液晶表示素子より著しく低い値であり、コントラスト比を測定したところ、１１：１であり、実施例９の本発明の液晶表示素子は、白色反射層を設けても十分な値を得ていることがわかった。
【０１８０】
（実施例１０）
図２６（ａ）は対向基板１２、２６（ｂ）は観測側基板１１、２６（ｃ）はセル断面をそれぞれ示す。対向基板１２は、ＭＩＭ素子１８を有するＩＴＯ画素電極１４をマトリクス配列したもので、上下に配列された画素電極１４間には行方向に延長された配線２２があり、全面を配向膜１７で被覆されている。
【０１８１】
観察側基板１１は、ＩＴＯからなり、列方向に延長された複数のストライプ電極１３を有し、各ストライプ電極１３を隔てる間隙に白色反射層２０が形成される。この白色反射層２０は、基板間隙材を兼ねており、液晶組成物１５の層厚をきめる厚さを有している。さらに、この上に基板全面にわたり配向膜１６が被着される。
【０１８２】
白色反射層２０の形成は、ストライプ電極１３を形成した基板１１の上に、ＴｉＯ_２ を分散したレジスト材料（ＴｉＯ_２ 分散液：（株）日本合成ゴム製）を膜厚５μｍとなるように印刷し、６０℃３０分の仮焼成を施した後、図２６（ｂ）に示す、部分的に切れた棒状パターン形状となるようマスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、１５０℃１２０分の焼成を行い、観察側基板の非変調部の一部に基板間隙材の機能を有する本発明の白色反射層２０を形成した。
【０１８３】
こうして得られた２枚の基板を用い、実施例１と同様の材料、製法にて液晶セルを作成し、図２６（ｃ）に示すような構成となるように，実施例１と同様の４分の１波長板３１、反射板３０を対向基板外面に張り付け、本実施例の液晶表示素子を得た。
【０１８４】
実施例１と同様、駆動電圧４Ｖにて、反射率及びコントラスト比を実施例１と同様の方法にて測定したところ、反射率は４５％と高い値であり、コントラスト比を測定したところ、６：１と極めて高い値であった。
【０１８５】
また、液晶層厚を干渉膜厚計で測定したところ、セル全面のバラツキは±０．０５μｍと殆ど均一なセル厚となっていることがわかった。
【０１８６】
以上説明した、本発明の第１の態様にかかる液晶表示素子は、暗状態において非変調部が白色反射層になっていることにより、変調部の暗さ、黒さは際立って見え、さらに明状態においても非変調部が白色反射層となっていることにより、明るさが向上し、実際に見た目に感じられるコントラスト比が顕著に高く、明るい反射型液晶表示素子が得られる。
【０１８７】
以下、本発明の第２の態様に係る実施例について説明する。
【０１８８】
（実施例１１）
図２７に示すように、厚さ０．７ｍｍのガラス基板５１上にＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子５２を形成し、画素数が４８０×３２０のＭＩＭ素子付き下基板を作製した。また、厚さ０．７ｍｍのガラス基板５３上にＩＴＯストライプパターン電極５４を形成し、ＩＴＯ透明電極付き上基板を作製した。
【０１８９】
次いで、こうして得られた上下基板５１，５３の電極形成面に、それぞれポリイミド材（商品名ＡＬ−１０５１、（株）日本合成ゴム社製）を塗布、焼成して配向膜５５を形成し、ラビング処理を行った後、上基板にスペーサ（間隙材）として粒径８μｍのミクロパールＳＰ（（株）積水ファインケミカル社製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、次いで、下基板の周辺に５ｍｍ幅の開口部を除いて、１液性エポキシ樹脂（商品名ＸＮ−２１、三井東圧化学（株）社製）からなる周辺シールパターンをスクリーン印刷により形成した。
【０１９０】
そして、これらの基板を各電極形成面が対向するようにして重ね合わせ、基板間隙が間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成した後、この空セル内に、正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料（商品名ＺＬＩ−４８０１−１００、（株）メルクジャパン社製）に２色性の黒色染料（商品名ＬＡ１０３／４、（株）三菱化成社製）を２．０ｗｔ％添加したものを減圧注入法により注入し、周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂（商品名ＵＶ−１０００、（株）ソニーケミカル社製）により封止して基板間で液晶層５６を挟持し、液晶セル５７を作製した。
【０１９１】
次いでこうして得られた液晶セル５７の下面に、積層タイプの全波長域１／４波長位相差板（（株）日東電工社製）５８と、ガラス基板表面に常温でＡｌを３００ｎｍの厚さに蒸着した鏡面反射板５９を順に貼着した。一方、ガラス基板６０の表面にスプレー法によりＳｎＯ_２ を凹凸状に被膜した後、その上にこれよりも屈折率の低いＳｎＯ_２ の層６１をスパッタリングにより形成することにより、拡散効果を有すると同時に入射光の減衰を防止する光拡散板６２を形成した。そして、この光拡散板６２を前記液晶セル５７の上に設置し、液晶表示素子を作製した。
【０１９２】
図２８（ａ）及び２８（ｂ）は、こうして得られた本実施例の液晶表示素子の動作を説明するものである。電圧無印加の暗状態では、図２８（ａ）に示すように、非偏光入射光Ｌｉが、液晶層５６を通過することにより一方向直線偏光となり、次いで１／４波長位相差板５８を通過して円偏光となり、鏡面反射板５９で反射された後、再び１／４波長位相差板５８を通過することにより、最初の直線偏光に対して偏光方向が９０°ずれた直線偏光となる。そのため、再び液晶層５６を通過するときに、この直線偏光がゲスト染料（黒色染料）により吸収され、反射光として出射されない。
【０１９３】
一方、図２８（ｂ）に示すように、電圧が印加された明状態では、液晶層５６のゲスト染料分子を含む液晶分子配列が、基板の法線方向に平行となるため、基板の法線方向に入射された入射光Ｌｉは、偏光されず、１／４波長位相差板５８をそのまま通過して、鏡面反射板５９で反射される。そのため、再び液晶層５６を通過する際に、染料分子により吸収されることなく、反射光Ｌｒとして出射される。ここで、このまま反射光Ｌｒが出射すると、液晶表示素子の輝度は基板の法線方向にのみ高くなってしまうが、表面が凹凸状に形成された光拡散板６２を通過することにより、反射光Ｌｒが拡散されるので、視角依存性が無く、明るい表示が得られる。
【０１９４】
次に、このような動作により光制御する本実施例の液晶表示素子について、反射率およびコントラスト比を、標準拡散板（ＭｇＯ板）の輝度を反射率１００％として常法により測定した。液晶層５６への印加電圧が４Ｖとなるように、全表示画素のＭＩＭ素子に電圧を印加したところ、反射率が８６％と極めて高い値が得られた。また、液晶層５６への印加電圧が０Ｖと４Ｖとなるように、ＭＩＭ素子を用いて全画素に電圧を印加してコントラスト比を測定したところ、２０：１と極めて高い値であった。
【０１９５】
さらに、本実施例の液晶表示素子に、１ライン置きに白黒を反転させたストライプパターンと、３０画素×３０画素の正方形形状を黒表示させたパターンと、逆に前記正方形形状を白表示させたパターンの３種のパターンを表示させ、これを正面から観察したところ、視差は殆ど気にならない程度のものであった。
【０１９６】
（実施例１２）
図２９に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス基板６３上にＡｌを３００ｎｍの厚さに蒸着した後、線幅３００μｍ、線間１０μｍ、ライン長さ２４０ｍｍ、ライン数４８０本になるようにストライプ状にパターニングし、鏡面反射板を兼ねた電極（走査電極）６４を形成した。また、厚さ１．１ｍｍのガラス基板６５上にＩＴＯ被膜を形成し、線幅３００μｍ、線間１０μｍ、ライン長さ１５０ｍｍ、ライン数６４０本でストライプ状にパターニングし、ＩＴＯからなる透明電極（信号電極）６６を形成した。
【０１９７】
次いで、Ａｌからなる電極６４が形成された第１の基板（下基板）とＩＴＯ透明電極６６が形成された第２の基板（上基板）の電極形成面に、それぞれ一塩基性クロム錯体を塗布して配向膜６７を形成し、ラビング処理を行った後、これらの基板をＡｌ電極６４とＩＴＯ透明電極６６とが互いに直交するように対向させ、実施例１１と同様にしてシール部６８とスペーサ６９をそれぞれ設けるとともに、上下基板間に液晶組成物を挟持して液晶層７０（厚さｄ ３．４μｍ）とし、駆動液晶セル７１を作製した。
【０１９８】
ここで、第１および第２基板のラビングは、矢印ａおよびａ′で示すように平行かつ反対向きに施し、液晶層７０の液晶分子は基板表面においてプレチルト角約８９°の垂直配向となっているようにした。また、基板間に挟持される液晶として、負の誘電異方性を示すＺＬＩ−２５８５（（株）メルクジャパン社製）を使用した。この液晶のΔｎ（屈折率異方性）は波長５５０ｎｍで０．０３９であり、液晶セル７１における液晶層２０のΔｎと層厚ｄを乗じたリタデーション値は、０．１３２μｍ（１３２ｎｍ）である。なお、波長５５０ｎｍは、色感度的に目立つものを波長の代表的数値として挙げたものである。
【０１９９】
次いで、こうして得られた液晶セル７１の上に、図３０に示すように、偏光板７２を、その吸収軸ｂがラビング方向ａ、ａ′に対して４５°をなすように配置した。一方、ガラス基板の表面にスプレー法によりＳｎＯ_２ を凹凸状に被膜した後、その上にこれよりも屈折率の低いＳｎＯ_２ の層をスパッタリングにより形成することにより、拡散効果を有すると同時に入射光の減衰を防止する光拡散板７３を形成した。そして、この光拡散板７３を前記偏光板７２の上に設置し、液晶表示素子を作製した。
【０２００】
このようにして得られた液晶表示素子を１／２４０ｄｕｔｙマルチプレクス駆動したところ、電圧無印加時には液晶セル７１のリタデーションがほぼ０となることから白表示、電圧印加時には液晶セル７１のリタデーションがほぼ１／４波長となることから黒表示となり、コントラスト比が１０対１、反射率が３０％と視認性に優れた液晶表示素子が実現できた。
【０２０１】
（実施例１３）
液晶層７０として、（株）メルクジャパン社製の液晶ＺＬＩ−４８５０を用いる以外は実施例１２と同様な構成で、駆動液晶セル７１を作製した。この液晶のΔｎは波長５５０ｎｍで０．２０８、液晶層７０の厚さｄは４．２μｍであり、液晶セル７１の液晶のΔｎと層厚ｄを乗じたリタデーション値は、０．８７４μｍ（８７４ｎｍ）である。
【０２０２】
次いで、こうして得られた液晶セル７１の上に、位相差板７４と偏光板７２とを図３１に示すような配置で組み合わせた。すなわち、液晶セル７１の上に、ポリカーボネイトを延伸してなるリタデーション値が１２５ｎｍ（１／４波長）の位相差板７４を、延伸軸ｃがラビング方向ａ、ａ′に対して直交するように配置し、さらにそのうえに、実施例１２で使用したと同じ偏光板７２と光拡散板７３を順に設置して、液晶表示素子を作製した。
【０２０３】
このようにして得られた液晶表示素子を１／２４０ｄｕｔｙマルチプレクス駆動したところ、電圧無印加時には位相差板７４と液晶セル７１のリタデーションの差がほぼ１／４波長となることから黒表示、電圧印加時に位相差板７４と液晶セル７１のリタデーションの差がほぼ３／２波長となることから白表示となる。そして、コントラスト比が１３対１と実施例１２に比べてより大きく、反射率が２８％と視認性に優れた液晶表示素子が得られた。
【０２０４】
（実施例１４）
位相差板７４のリタデーション値を２５０ｎｍとした以外は、実施例１３と同様の構成で液晶表示素子を作製した。
【０２０５】
このようにして得られた液晶表示素子を１／２４０ｄｕｔｙマルチプレクス駆動したところ、電圧無印加状態で位相差板７４と駆動液晶セル７１とのリタデーションの差がほぼ１／２波長となることから白表示、電圧印加状態で位相差板７４と液晶セル７１とのリタデーションの差が５／４波長となることから黒表示となり、コントラスト比が１０対１、反射率が３５％と視認性に優れた液晶表示素子が得られた。
【０２０６】
なお、以上の実施例では、光拡散板として、ガラス基板上にＳｎＯ_２ の凹凸被膜を形成したものを用いたが、入射光の減衰がなくかつ拡散効果の得られるものであれば、それ以外にも使用することができる。すなわち、エッチングにより表面を粗面化したガラス板等を好適に用いることができる。
【０２０７】
また、実施例１２〜１４においては、反射板を兼ねたＡｌ電極を走査電極とし、ＩＴＯ透明電極を信号電極としてマルチプレクス駆動を行ったが、電極構成を反対にしても良い。さらにこれらの実施例では、垂直配列させたＥＣＢモードの液晶セルを用いたが、水平配列のＥＣＢモード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶セル等を使用しても、同様の効果を達成することができる。また、駆動方式としてＭＩＭやＴＦＴ（薄膜トランジスタ）からなるスイッチング素子を用いた液晶表示素子や、カラーフィルタを用いたカラー液晶表示素子においても、本発明の構成を採ることにより同様の効果を上げることができる。
【０２０８】
以上の説明から明らかなように、本発明の第２の態様によれば、反射率およびコントラスト比が高く視認性に優れた反射型の液晶表示素子を実現することができる。
【０２０９】
以下、本発明の第３の態様に係る実施例について詳細に説明する。
【０２１０】
実施例１５
図３２〜３４、及び実施例１の説明で参照した図１４（ａ）〜１４（ｄ）、図１５（ａ）〜図１７を参照して、本実施例の液晶表示素子を示す。
【０２１１】
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、一方の観察側の上基板１１に、ＳｉＯ_Ｘ 層１９を６００ｎｍの厚さに蒸着し、図３２に示すパタ−ンＡの形状にパタ−ニングし、その上に、図１４（ａ）及び１４（ｂ）に示すように、ＭＩＭ素子１８をもつ電極１３のパターンを作成した。図１４（ａ）は一画素の電極形状を示しており、一画素は縦横１８０μｍ×１８０μｍの寸法を有している。図１４（ｂ）は上基板１１の有効表示領域の形状を示しており、各画素がマトリクス状に配列される。５７．６ｍｍ×８６．４ｍｍ内に画素数４８０×３２０が配列される。
【０２１２】
図３３に示すように、観察側の上基板１１にはＭＩＭ素子１８と配線２２および透明電極１３が形成される。図３４に示すように、ＳｉＯ_Ｘ 層１９とＩＴＯ層１３は、二次元的に分布している。それぞれの屈折率は、ＳｉＯ_Ｘ が１．５０、ＩＴＯが１．９０であり、屈折率差δｎは、０．４０である。双方の層厚Ｄは、６００ｎｍであるので、δｎＤは、０．２４μｍとなり、この部分が回折格子となり、光拡散層として作用する。
【０２１３】
また、ＩＴＯ層は画素電極であり、必須のものである。前述したように、ＩＴＯの屈折率は１．９０と高く、他の層との界面で不要の反射を生ずる（例えば、ガラス基板、配向膜は、屈折率が１．９０であり、屈折率差が大きいため、界面反射を生じ易い。しかし、本実施例では、ＩＴＯ層の表面は凹凸状であるので、前記反射成分は拡散され、表示のコントラストへの影響は、従来よりも低減される。
【０２１４】
一方、対向側の下基板１２には、複数のストライプ状透明電極１４が、前記画素電極に対応させて平行にならべて形成される。これら電極１３，１４上に配向膜１６，１７が被着され、液晶組成物層１５が基板間に挟持される。
【０２１５】
本実施例に係る液晶表示装置は、次のようにして製造される。
【０２１６】
即ち、まず、図１４（ａ）に示す上基板１１上に表面を酸化させた第１のＴａ層１８ａ（表面に膜厚１００ｎｍのＴａＯ_２ 膜が設けられている）を図示するようなパターンで形成し、しかる後、第２のＴａ層２２（膜厚１００ｎｍ）を図示するように一部が第１のＴａ膜１８ａにかかる配線パターンの形に形成した。
【０２１７】
その後、基板全面にＩＴＯを２００ｎｍの膜厚に成膜し、レジスト材料としてポジ型のレジスト材料（ＯＦＰＲ−５０００、（株）東京応化製）を全面に塗布し、６０℃で３０分の仮焼成を施した後、画素電極パターンが形成できるようにマスクを用いて露光し、ＮＭＤ３溶液（（株）東京応化製）で現像し、図１４（ａ）の参照数字１３で示すＩＴＯ膜の上にのみレジストパタ−ンが被覆した構成とした。
【０２１８】
次に、このレジストパタ−ンをマスクとして用いて、塩酸・硝酸水溶液（混合比塩酸１０・硝酸１・水１０）によりＩＴＯのエッチングを行った。しかる後、前記レジストパタ−ンを剥離した。
【０２１９】
また、対向する基板１２として図１４（ｃ）及び１４（ｄ）に示すＩＴＯストライプパターン電極１４を形成した基板を作成した。ここで、図１４（ｃ）は，一画素に該当するパターン形状を示しており、図１４（ｄ）は、有効表示領域１２ａの形状を示している。
【０２２０】
こうして得られた２枚の基板の有効表示領域に、配向剤（ＡＬ−１０５１、（株）日本合成ゴム製）を印刷、焼成して配向膜１６，１７を形成し、これら配向膜１６，１７を前記ＩＴＯストライプパターンと平行であり、且つ対向する基板同士で向きが１８０°逆となる方向にラピングした。
【０２２１】
次いで、観察側基板に粒径５μｍの基板間隙材（ミクロパールＳＰ、（株）積水ファインケミカル製）を散布密度１００／ｍｍ^２ にて散布し、対向基板の有効表示領域周辺に５ｍｍ幅の開口部を設けた周辺シールパターンをスクリーン印刷法にて形成した。ここで用いたシール材料は、１液性エポキシ樹脂（ＸＮ−２１、三井東圧化学（株）製）である。
【０２２２】
次に、前記２枚の基板１１，１２を電極１３，１４面が対向するようにして重ね合わせて、基板間隙が前記基板間隙材の粒径と等しくなるよう加圧しながら１８０℃で２時間焼成し、本実施例の液晶表示素子に用いる空セルを得た。しかる後、前記空セルに液晶材料として正の誘電異方性を示すネマティック液晶材料ＺＬＩ−２２９３（（株）メルクジャパン製）１５ａに黒色の染料ＬＡ１０３／４（（株）三菱化成製）１５ｂを２．０ｗｔ％添加したものを減圧注入法にて注入し、液晶組成物層１５とした。
【０２２３】
その後、前記周辺シールパターンの開口部を紫外線硬化樹脂ＵＶ−１０００（（株）ソニーケミカル製）にて封止し、本実施例の液晶表示素子に用いる液晶セルを得た。しかる後、図３３に示すように、基板１２に４分の１波長板３１、反射板３０を張り合わせ、本実施例の液晶表示素子を得た。ここで用いた反射板３０は、Ａｌ蒸着タイプの鏡面反射板である（（株）日東電工製）。４分の１波長板３１は、積層タイプの全波長域４分の１波長板（（株）日東電工製）であり、それぞれ糊付きのものを用いた。
【０２２４】
さて、以上により得られた本実施例の液晶表示素子の反射率およびコントラスト比を図１７に示す測定装置で測定した。測定は、サンプルの中央から法線方向の位置に距離３０ｃｍに輝度計４０を配置し、ほぼ同じ高さに前記法線方向と３０°の角度をなす方向に図示するように赤緑青３波長に発光する高演色形蛍光灯４１，４２を２灯、配置して、サンプル４３部分の照度が５８０ルクスとなるようにして、標準拡散板（ＭｇＯ板）の輝度を測定し、この輝度を反射率１００％とし、サンプルの反射率およびコントラストを測定した。
【０２２５】
その結果、反射率８０％、コントラスト比２０：１であった。
【０２２６】
実施例１６
０．７ｍｍ厚のガラス基板を２枚用い、一方の観察側の上基板１１に、ＳｉＯ_Ｘ 層１９を６００ｎｍの厚さに蒸着し、図３２に示すパタ−ンＡの形状にパタ−ニングし、その上に、ＳｉＮ_Ｘ 層を６００ｎｍの厚さに蒸着した。このＳｉＮ_Ｘ 層は除去せずに、この上に、図１４（ａ）及び１４（ｂ）に示すように、ＭＩＭ素子１８をもつ電極１３のパターンを作成した。
【０２２７】
図１４（ａ）は一画素の電極形状を示しており、一画素は縦横１８０μｍ×１８０μｍの寸法を有している。図１４（ｂ）は上基板１１の有効表示領域の形状を示しており、各画素がマトリクス状に配列される。５７．６ｍｍ×８６．４ｍｍ内に画素数４８０×３２０が配列される。
【０２２８】
図３３に示すように、観察側の上基板１１にはＭＩＭ素子１８と配線２２および透明電極１３が形成される。図３４に示すように、ＳｉＯ_Ｘ 層１９とＩＴＯ層１３は、二次元的に分布している。それぞれの屈折率は、ＳｉＯ_Ｘ が１．５０、ＳｉＮ_Ｘ が２．１０であり、屈折率差δｎは、０．６０である。双方の層厚Ｄは、６００ｎｍであるので、δｎＤは、０．３６μｍとなり、この部分が回折格子となり、光拡散層として作用する。
【０２２９】
更に、光拡散層の上（観察面からみた場合、奥の方）には、ＭＩＭの配線としてＴａのパタ−ンが形成されており、これが前述した白色の反射層と同等の効果が得られるようになっている。
【０２３０】
以下、実施例１５と同様にして、本実施例に係る液晶表示素子を得た。この液晶表示素子について、実施例１５と同様にして評価したところ、反射率８５％、コントラスト比２０：１であった。
【０２３１】
以上の説明から明らかなように、本発明の第３の態様によれば、明るく、コントラスト比が高い、優れた反射型の液晶表示素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の偏光板２枚を具備する反射型ＴＮ−ＬＣＤを示す断面図。
【図２】従来の偏光板１枚を具備する反射型ＥＣＢ−ＬＣＤを示す断面図。
【図３】従来の反射型ＧＨ−ＰＣ−ＬＣＤを示す断面図。
【図４】従来の反射型ＧＨ−ＨＯＭＯ−ＬＣＤを示す断面図。
【図５】従来の２層型反射型ＧＨ−ＨＯＭＯ−ＬＣＤを示す断面図。
【図６】従来の４分の１波長板を用いた反射型ＧＨ−ＨＯＭＯ−ＬＣＤを示す断面図。
【図７】本発明の液晶表示素子の一例を示す断面図。
【図８】本発明の液晶表示素子の他の例を示す平面図。
【図９】本発明の液晶表示素子の変調部と非変調部の一例を示す平面図。
【図１０】本発明の液晶表示素子の他の例を示す平面図。
【図１１】本発明の液晶表示素子の製造工程を示す断面図。
【図１２】本発明の液晶表示素子の製造工程を示す断面図。
【図１３】本発明の液晶表示素子の他の例を示す断面図。
【図１４】本発明の実施例１に係る基板の電極構造を示す平面図。
【図１５】本発明の実施例１に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図１６】本発明の実施例の液晶表示素子の表示原理を説明する図。
【図１７】液晶表示素子の反射率の測定系を示す図。
【図１８】本発明の実施例２に用いた基板の電極構造およびカラーフィルターの平面構造を示す平面図。
【図１９】本発明の実施例２に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図２０】本発明の実施例３に用いた基板を示す平面図。
【図２１】本発明の実施例６に用いた基板の電極を示す平面図。
【図２２】本発明の実施例６に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図２３】本発明の実施例７に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図２４】本発明の実施例８に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図２５】本発明の実施例９に用いた基板の電極の平面図及び断面図。
【図２６】本発明の実施例１０に用いた基板の電極の平面図及び液晶表示素子の断面図。
【図２７】本発明の実施例１１に係る液晶表示素子を示す断面図。
【図２８】実施例１１の液晶表示素子の動作を説明する図。
【図２９】本発明の液晶表示素子の実施例１２〜１４に使用する液晶セルの断面図。
【図３０】実施例１２に係る液晶表示素子の構成を概略的に示す図。
【図３１】実施例１３および１４に係る液晶表示素子の構成を概略的に示す図。
【図３２】実施例１５に係る液晶表示素子のＳｉＯ_Ｘ 層のパタ−ンの形状を示す図。
【図３３】実施例１５に係る液晶表示素子を示す図。
【図３４】実施例１５に係る液晶表示素子におけるＳｉＯ_Ｘ 層とＩＴＯ層とが二次元的に分布して回折格子を構成している光拡散層を示す断面図。
【図３５】２種の屈折率媒体を３次元的に配置した光拡散層を示す断面図。
【図３６】２種の屈折率媒体を２次元的に配置した光拡散層の回折現象示す図。
【図３７】２種の屈折率媒体の種々の分布形状を示す図。
【図３８】２種の屈折率媒体を３次元的に配置した光拡散層の光反射現象を示す図。
【図３９】２種の屈折率媒体を２次元的に配置した光拡散層の光反射現象を示す図。
【図４０】光拡散層と反射層を分離した液晶表示素子の構成を示す断面図。
【符号の説明】
１，１１…上基板、２，１２…下基板、３，１３…透明電極、４，１４…画素電極、５，１５…液晶組成物、１６，１７…配向膜、１８…ＭＩＭスイッチング素子、２０…白色反射層、２２…配線、３０…反射板、３１…４分の１波長板、Ａ…変調部、Ｂ…非変調部。

Claims (25)

1. 観察される側に配置され、一方の主面に第１の電極が形成された第１の基板と、
   前記第１の基板の前記第１の電極が形成された主面に対向して配置され、その対向主面に第２の電極を有する第２の基板と、
   前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶組成物層と、
   前記第１の電極に対応する領域であって、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧により前記液晶組成物が応答し、入射する光の反射量を変調する変調部と、
   この変調部以外の領域である非変調部と、
   前記第１の基板の前記第１の電極が形成された主面に形成された光拡散層と、 前記光拡散層上の、前記非変調部に対応する領域の少なくとも一部に形成された第１の反射層と
   を具備する反射型液晶表示素子。
2. 前記第２の基板のいずれかの主面に形成された第２の反射層を更に具備する請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
3. 前記第２の反射層は、前記第２の基板の前記第２の電極が形成されている主面の少なくとも一部に形成されている請求項２に記載の反射型液晶表示素子。
4. 前記第２の反射層は、前記第２の電極が兼ねている請求項３に記載の反射型液晶表示素子。
5. 前記第２の反射層は、前記第２の電極上に形成されている請求項３に記載の反射型液晶表示素子。
6. 前記第２の反射層は、前記第２の基板の前記第２の電極が形成されている主面とは反対側の主面の少なくとも一部に形成されている請求項２に記載の反射型液晶表示素子。
7. 前記第２の反射層は、Ａｌ又はＡｇを主成分として含む請求項２に記載の反射型液晶表示素子。
8. 前記第１及び第２の基板のいずれか一方の電極が形成されている側に、カラ−フィルタ−を具備する請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
9. 前記カラ−フィルタ−は、前記光拡散層上に配置され、前記反射層は前記カラ−フィルタ−上に配置されている請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
10. 前記光拡散層は、屈折率の異なる第１及び第２の透明屈折率媒体からなる請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
11. 前記第１の透明屈折率媒体は、ポリスチレン、ＳｉＯ₂ 、及びポリイミドからなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、前記第２の透明屈折率媒体は、前記第１の透明屈折率媒体の溶媒であるアクリル系材料を主成分として含有する請求項１０に記載の反射型液晶表示素子。
12. 前記及び第２の透明屈折率媒体は、前記液晶組成物の平均屈折率±１０％の範囲内の屈折率を有する請求項１０に記載の反射型液晶表示素子。
13. 前記第１の透明屈折率媒体は、前記液晶組成物の常光屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有し、前記第２の透明屈折率媒体は、前記液晶組成物の異常屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有する請求項１２に記載の反射型液晶表示素子。
14. 前記光拡散層は、前記第１及び第２の透明屈折率媒体を略平面的に配置してなる回折格子である請求項１２に記載の反射型液晶表示素子。
15. 前記回折格子は、前記第１及び第２の透明屈折率媒体をチェック状に配置してなる請求項１４に記載の反射型液晶表示素子。
16. 前記第１の透明屈折率媒体は、ポリスチレン、ＳｉＯ₂ 、及びポリイミドからなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、前記液晶組成物の常光屈折率とほぼ等しいか又は近似する屈折率を有し、前記第２の透明屈折率媒体は、ＩＴＯ及び窒化珪素からなる群から選ばれた材料を主成分として含有し、前記第２の透明屈折率媒体の屈折率と前記第１の透明屈折率媒体との差δｎと前記光拡散層の層厚Ｄを乗じた値δｎＤが０．１μｍ〜０．４μｍであり、前記光拡散層は、前記第１及び第２の透明屈折率媒体を平面的にチェック状に配置してなる回折格子である請求項１２に記載の反射型液晶表示素子。
17. 前記第２の反射層は、Ａｌ又はＡｇを主成分として含み、前記光拡散層は、２種類の透明な屈折率媒体からなる請求項２に記載の反射型液晶表示素子。
18. 前記液晶組成物は、二色性染料を含有する請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
19. 前記４分の１波長板及び第２の反射板は、前記第２の基板の前記第２の電極が形成されている主面の側に配置されている請求項１８に記載の反射型液晶表示素子。
20. 前記液晶組成物は、光反射機能を有し、前記第１の反射層を兼ねる請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
21. 前記液晶組成物は、高分子分散型液晶組成物である請求項２０に記載の反射型液晶表示素子。
22. 前記高分子分散型液晶組成物は、エマルジョン型高分子分散型液晶組成物である請求項２１に記載の反射型液晶表示素子。
23. 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオ−ドのいずれか一方を有するアクティブマトリックス型液晶表示素子である請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
24. 前記第１の反射層は、前記薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオ−ドのいずれか一方の配線機能を有する請求項２３に記載の反射型液晶表示素子。
25. 前記第２の基板の前記第２の電極が形成されている主面とは反対側には、凹面鏡反射レンズからなる反射板が配置されている請求項１に記載の反射型液晶表示素子。

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