JP3570515B2 - 多孔質絶縁膜の形成方法および装置並びにその形成方法を用いて製造した電子デバイス - Google Patents
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Description
また、本発明は、低誘電率の絶縁膜を容易に形成できるようにすることを目的としている。
さらに、本発明は、絶縁膜の表面を容易に平坦化できるようにすることを目的としている。
いわゆる凍結乾燥により形成した多孔質絶縁膜は、空孔率が非常に高く、多孔質絶縁膜が薄い場合、膜の一側と他側との間で通気性を有する場合が多い。このため、多孔質絶縁膜が空気中の水分子の付着により導通したり、絶縁性能が低下する。そこで、焼成工程後に、気密処理をして硬化させた多孔質凝固膜(多孔質絶縁膜)の通気性を遮断する。これにより、多孔質絶縁膜の絶縁性能の劣化を防ぐことができる。具体的には、フラッシュ法やレーザなどによって多孔質絶縁膜の表面を瞬間的に高温に晒し、表層部を溶融して表層部の空孔を塞ぐ。
さらに、本発明に係る多孔質絶縁膜の形成方法は、絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布工程と、前記ワークに塗布した前記溶液中の溶媒の一部を除去する工程と、前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成工程と、前記凝固膜に含まれる前記溶媒を除去して多孔膜にする乾燥工程と、前記乾燥工程により得た多孔膜を硬化する焼成工程と、硬化させた前記多孔質凝固膜の通気性を除去する気密処理をする工程と、を有することを特徴としている。このようになっている本発明は、溶媒の一部を除去したのちに凍結乾燥するため、絶縁膜の膜厚の調整を行なえ、気密処理をすることによって、薄い多孔膜であっても絶縁抵抗の大きな絶縁膜が得られる。
前記溶液塗布工程は、前記ワークの表面の凹凸部を覆って前記溶液を塗布し、塗布膜の表面を平坦にすることが望ましい。溶液は、ワークの表面の凹凸を覆って塗布され、溶媒の融点以下に冷却されると、塗布されたときの形状を保持した状態でゲル状などの固相(固体状)になる。そこで、固相の材料を溶媒の融点以下に保持して乾燥すると、ワークの表面に凹凸が存在している場合であっても、表面が平坦な多孔質の絶縁膜を容易に得ることができる。したがって、この多孔質膜を焼成して硬化することにより、表面が平坦な絶縁膜とすることができる。このため、絶縁膜の表面を平坦化するためにCMP法による研磨などを必要とせず、工程の簡素化が図れ、表面が平坦な絶縁膜を形成するための時間を短くすることができる。
図1は、本発明に係る多孔質絶縁膜形成装置の概略構成図である。図1において、多孔質絶縁膜形成装置10は、溶液塗布部20を有する。溶液塗布部20は、塗布液槽24を備えている。塗布液槽24は、二酸化ケイ素の微粉末やアルコキシド系化合物などの絶縁材原料を溶解した溶液22を貯留している。この塗布液槽24内の溶液22は、塗布ノズルであるキャピラリー26によって、半導体基板やガラス基板などのワーク1に塗布される。
Claims (11)
- 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布工程と、
前記ワークに塗布した前記溶液中の溶媒の一部を除去する工程と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成工程と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を除去して多孔膜にする乾燥工程と、
前記乾燥工程により得た多孔膜を硬化する焼成工程と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布工程と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成工程と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を除去して多孔膜にする乾燥工程と、
前記乾燥工程により得た多孔膜を硬化する焼成工程と、
硬化させた前記多孔質凝固膜の通気性を除去する気密処理をする工程と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布工程と、
前記ワークに塗布した前記溶液中の溶媒の一部を除去する工程と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成工程と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を除去して多孔膜にする乾燥工程と、
前記乾燥工程により得た多孔膜を硬化する焼成工程と、
硬化させた前記多孔質凝固膜の通気性を除去する気密処理をする工程と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の多孔質絶縁膜の形成方法において、
前記溶液塗布工程は、前記ワークの表面の凹凸部を覆って前記溶液を塗布し、塗布膜の表面を平坦にすることを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多孔質絶縁膜の形成方法において、
前記乾燥工程は、減圧下で行なうことを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の多孔質絶縁膜の形成方法において、
前記ワークへの前記溶液の塗布は、スリットコートにより行なうことを特徴とする多孔質絶縁膜の形成方法。 - 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布部と、
前記ワークに塗布した前記溶液中の溶媒の一部を除去する溶媒除去部と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成部と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を減圧して除去し、多孔膜にする真空乾燥部と、
前記真空乾燥部で得た多孔膜を硬化する焼成部と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜形成装置。 - 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布部と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成部と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を減圧して除去し、多孔膜にする真空乾燥部と、
前記真空乾燥部で得た多孔膜を硬化する焼成部と、
硬化させた前記多孔質凝固膜の通気性を除去する気密処理部と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜形成装置。 - 絶縁材原料を溶解させた溶液をワークに塗布する溶液塗布部と、
前記ワークに塗布した前記溶液中の溶媒の一部を除去する溶媒除去部と、
前記ワークに塗布した前記溶液に含まれる溶媒の融点以下に前記溶液を冷却して凝固膜を形成する凝固膜形成部と、
前記凝固膜に含まれる前記溶媒を減圧して除去し、多孔膜にする真空乾燥部と、
前記真空乾燥部で得た多孔膜を硬化する焼成部と、
硬化させた前記多孔質凝固膜の通気性を除去する気密処理部と、
を有することを特徴とする多孔質絶縁膜形成装置。 - 請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の多孔質絶縁膜形成装置において、
前記凝固膜形成部は、前記真空乾燥部の減圧室内に設けてあることを特徴とする多孔質絶縁膜形成装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の多孔質絶縁膜の形成方法により形成した多孔質絶縁膜を備えたことを特徴とする電子デバイス。
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