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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に関し、更に具体的には、有機EL素子を利用したディスプレイに好適な表示素子の改良に関するものである。
【0002】
【背景技術】
有機EL素子は、一般的に、有機EL発光層を電極で挟んだ積層構造となっており、一方の電極はAlなどの金属であり、他方の電極はITO(Indium Tin Oxide)などによる光透過性の透明電極となっている。有機EL発光層から出力された光は、もちろん透明電極側から直接出力されるものもあるが、金属電極側に出力された光は、金属電極で反射されて透明電極側に出力される。このような有機EL素子を利用した表示装置では、外光から透明電極を介して有機EL発光層に侵入する光も金属電極側で反射され、透明電極側から出力されるようになる。すなわち、有機EL発光層による本来の映像を形成する光に外光も加わるようになる。このため、外光が存在する状況下,例えば日中などでは画像のコントラストが低下してしまう。
【0003】
このようなコントラストの低下を改善する従来技術としては、特開平9−127885号公報に開示された表示素子がある。これは、表示装置の発光面側に直線偏光板と1/4波長板を組み合わせた円偏光手段を設けた構成となっている。外部より入射光の円偏光方向と、表示装置側で反射された円偏光方向が反対方向になるため、外光は円偏光手段によって遮断されるようになる。また、特開2000−315582号公報には、金属電極であるカソード電極と有機EL発光層との間に可視光吸収層を設けるようにした有機EL素子が記載されている。
【0004】
更に、単純にR(赤),G(緑),B(青)の各色透過のカラーフィルタを各R,G,Bの発光画素上に組み合わせ配置することで、発光色以外の外光反射を抑えることはできる。しかしこの方法では、R,G,Bの本来の発光色に対する外光反射は低減されない。このため、コントラストはやはり低下することになる。このような従来技術として、特開2000−3786号に開示された有機EL表示装置がある。これによれば、光透過率の主ピークの波長が490〜530nmのGのカラーフィルタがGの有機発光層に配置される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のような背景技術には次のような不都合がある。
▲1▼特開平9−127885号公報の表示素子では、外光反射に対する抑制効果は大きいものの、本来の有機EL発光層からの光に対する透過率も低下し、輝度は50%以下になってしまう。
▲2▼特開2000−315582号公報の有機EL素子では、有機EL発光層の光も光吸収層によって吸収されてしまうため、やはり輝度が50%以下に低下してしまう。
▲3▼R,G,Bの光の透過フィルタをそれぞれR,G,Bの画素に適用する背景技術は、有力な方法ではあるものの、外光反射率が30%程度あり、その低減効果が十分とはいえない。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、本来の画像の輝度の低下を招くことなく、外光によるコントラストの低下を大幅に改善することができる表示装置および表示装置のコントラスト低下防止方法を提供することにある。
【0007】
本発明による表示装置は、R(赤),G(緑)及びB(青)の各画素が一定の順序で配列された表示装置であって、R,G,Bのうちから選択された一つの色の光を吸収するフィルタを、他の選択しなかった色の画素の光出力側あるいは外光入射側に配置すると共に、各色画素領域に対応して光共振器を設け、光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成したものである。
【0008】
主要な形態の一つは、前記フィルタがGの光の吸収フィルタであり、これをR及びBの画素の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする。他の形態は、前記R,G,Bの各画素が、反射層と透明層の間に有機EL層を挟んだ構造を有し、前記フィルタを前記透明層の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする。更に他の形態は、前記R,G,Bの各画素が、反射層と半透明反射層の間に有機EL層を挟んだ構造を有し、前記フィルタを前記半透明反射層の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする。
【0009】
本発明による表示装置のコントラスト低下防止方法は、R(赤),G(緑),B(青)の各画素が一定の順序で配列された表示装置のコントラスト低下防止方法であって、R,G,Bのうちの最も視感反射率の高い色を選択し、選択された色以外の色の画素の光出力側あるいは外光入射側にはそれぞれ該当する色の透過フィルタを配置すると共に、各色画素領域に対応して光共振器を設け、光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成し、前記選択された色の画素の光出力側あるいは外光入射側には前記透過フィルタを配置しないことにより、外光によるコントラストの低下を防止するものである。
【0010】
本発明による表示装置では、R,G,Bのうちから選択された一つの色の光を吸収するフィルタが、他の選択しなかった色の画素の光出力側あるいは外光入射側に配置されていると共に、各色画素領域に対応して光共振器が設けられ、光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成されているため、輝度が低下することなく、外光による特定の色の反射が抑制され、全体としてのコントラストが向上する。特に, 選択する色を肉眼による視感反射率の高いG(緑)に設定することにより,よりコントラストが向上する。
また、本発明による表示装置のコントラスト低下防止方法では、R,G,Bのうちの最も視感反射率の高い色を選択し、前記選択された色以外の色の画素の光出力側あるいは外光入射側にはそれぞれ該当する色の透過フィルタを配置すると共に、各色画素領域に対応して光共振器を設け、光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成し、選択された色の画素の光出力側あるいは外光入射側には前記透過フィルタを配置しないので、これにより外光によるコントラストの低下が防止される。
【0011】
【発明の実施の形態】
<実施形態1>……最初に、本発明の実施形態1について詳細に説明する。表示装置は、図1(A)に示すように、R,G,Bの各発光画素が一定の順序で2次元配列された構成となっている。図示の例では、X方向にR,G,B,……の順序の繰り返し配列となっており、Y方向には同一色の発光画素の連続となっている。そして、X方向に連続する発光画素R,G,Bの組合せによって、画像画素Pを構成している。本実施形態においては、Gの発光画素を除くR及びBの発光画素の画像表示側(光出力側ないし外光入射側)に、それぞれG吸収フィルタFGが設けられた構成となっている。
【0012】
RもしくはBの発光画素の積層構造を示すと、図2のようになる。同図において、ガラス基板10上には、まず、Pt,Au,Cr,Wなどによってアノード電極を兼ねた反射層12が積層形成される。次に、この反射層12上に、m−MTDATA,2−TNATAなどによってバッファ層14が積層され、更にその上に、α−NPDなどによってホール輸送層16が積層形成される。このホール輸送層16上には、Alq3などによって電子輸送層を兼ねた発光層18が積層される。これらバッファ層14,ホール輸送層16,発光層18によって有機EL層20が構成されている。
【0013】
次に、この有機EL層20上には、Mg:Ag(MgとAgの合金)などによってカソード電極を兼ねた半透明反射層22が積層形成されている。この半透明反射層22上には、ITOなどによって形成された透明導電膜24を介して、SiNなどによるパッシベーション膜26が積層形成されている。このパッシベーション膜26上に、上述したG吸収フィルタFGが配置されている。
【0014】
以上の各層の好ましい膜厚を示すと、
▲1▼反射層12……100〜300nm,
▲2▼バッファ層14……15〜300nm,
▲3▼ホール輸送層16……15〜100nm,
▲4▼発光層18……15〜100nm,
▲5▼半透明反射層22……5〜50nm,
▲6▼透明導電膜24……30〜1000nm,
▲7▼パッシベーション膜26……500〜10000nm,
である。
【0015】
次に、このような発光画素の作用を説明すると、有機EL層20の発光層18から発せられた光のうち、一部は矢印F1で示すように半透明反射層22を透過し、更には透明導電膜24,パッシベーション膜26を透過してG吸収フィルタFGに入射する。しかし、発光層18から発せられた光の一部は、矢印F2で示すように、半透明反射層22と反射層12によってそれぞれ反射される。すなわち、半透明反射層22と反射層12によって光共振器構造が構成されており、これによって光が多重干渉を起こす。これは、一種の狭帯域フィルタとして作用し、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少して、色純度が向上するようになる。
【0016】
なお、このためには、狭帯域フィルタのピーク波長と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長を一致させるようにする。すなわち、反射層12と半透明反射層22との間の光学的距離をL(有機EL層20の光学的膜厚)が、前記半透明反射層22と反射層12との間で生じる反射光の位相シフトをΦ(rad),有機EL層20で発光する光のうちの取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとするとき、
2L/λ+Φ/(2π)=m(mは整数) ……(1)
の条件を満たすようにする。なお、この数式(1)中,L及びλは単位が共通すればよいが、例えば「nm」を単位とする。実際には、前記数式(1)を満たす範囲であって、かつ、前記光共振器の光学的距離Lが正の最小値となるように設定する。
【0017】
このような条件は、一般的にいう光の透過率を最大にする条件に一致する。逆に、外から入射する光の反射に関しては最少にする条件である。ここで、外光に着目すると、G吸収フィルタFGがない場合における発光画素の外光反射率R(λ)は、図3に示すようになる。図中、R,G,Bのグラフは、R,G,B各発光画素における外光反射率を示す。上述したように、光共振器は、外光反射を最少とする条件となっている。その様子は、図3に示すとおりであり、例えばBの発光画素は、Bの外光反射(450〜500nm付近)が最少となっている。RやGの発光画素についても図示の通りである。
【0018】
一方、肉眼の感度を表す視感度曲線y(λ)は、図4に示すようになっており、G付近がピークとなっている。従って、肉眼には、図3に示す外光反射率R(λ)に図4の視感度曲線y(λ)を掛け合わせた図5に示すグラフのように観察されることになる。この図5を参照すると、発光ピーク波長での外光反射率は、数%程度と非常に低く押さえられている。例えば、Bの発光画素のBの外光反射率は、ほぼ0%となっている。RやGの発光画素についても図示のとおりである。しかし、矢印F5(波長550nm)で示すように、Rの発光画素におけるGの外光反射率は0.6となっており、Bの発光画素におけるGの外光反射率は0.4程度となっており、いずれもかなり大きな値となっている。
【0019】
これに対し、本実施形態では、図1に示したように、R及びBの発光画素上にG吸収フィルタFGが設けられている。このG吸収フィルタFGの透過特性T(λ)は、例えば図6に示すように設定されている。すなわち、肉眼の視感度(図4参照)の高いGの光の波長域の透過率が最少になっており、それ以外のRやBの光の透過率が最大となっている。別言すれば、Gの光はほぼ吸収し、RやBの光はほぼ透過する特性となっている。
【0020】
外光は、このような特性のG吸収フィルタFGを、発光画素に対する入射及び出射においてそれぞれ通過する。このため、G吸収フィルタFGをR及びBの発光画素に配置したときの外光反射率Rt(λ)は、前記図3に示した外光反射率R(λ)に、図6に示したG吸収フィルタFGの透過特性T(λ)を2回掛け合わせた
Rt(λ)=T(λ)×R(λ)×T(λ) ………(2)
で与えられる。これをグラフで示すと図7のようになり、各色の発光画素のG帯域における外光反射率を非常に低く押えることができる。
【0021】
更に、上述したように、肉眼の視感度曲線y(λ)は図4に示したようになっている。従って、この視感度曲線y(λ)を考慮した本実施形態の外光反射率Re(λ)は、
Re(λ)=Rt(λ)×y(λ) ……(3)
で与えられ、これをグラフで示すと図8のようになる。
【0022】
このG吸収フィルタを適用した本実施形態の外光反射率(図8)と、G吸収フィルタを使用しない場合の外光反射率(図5)を比較すると、まず、Gの発光画素のグラフは同一である。次に、R及びBの発光画素のグラフを比較すると、いずれも図8の方が可視全域に渡って非常に低い外光反射率となっている。特に、波長550nm付近のGの波長域において大幅に低下しており、外光の反射が非常に効果的に抑制されている。
【0023】
次に、可視全域にわたって視感度曲線y(λ)を積分した値に対する外光反射率を積分した値の割合は、視感反射率となり、図9のようになる。同図において、まず本実施形態のG吸収フィルタ有りの場合は、上述した数式(3)の外光反射率Re(λ)を積分した値の視感度積分値に対する割合であり、同図に示すように、R発光画素……3.6,G発光画素……15.9,B発光画素……8.2,平均……9.2となっている。これに対し、図5に示したG吸収フィルタなしの場合は、R発光画素……47.5,G発光画素……15.9,B発光画素……32.0,平均……31.8である。このように、G吸収フィルタがある場合は、ない場合と比べて、平均で1/3以下の視感反射率になっている。なお、G発光画素の視感反射率は、G吸収フィルタが設けられないので、同一の値である。
【0024】
一方、有機EL層20による本来の発光に対する透過率は、図6に示したG吸収フィルタFGの透過特性T(λ)で与えられる。このため、本来の光の取り出し効率の低下は少なく、表示画像の輝度の低下は最小限に押えられる。従って、本実施形態によれば、表示輝度の低下を招くことなく、外光下でのコントラストを従来に比べて大幅に改善することができる。
【0025】
次に、図9に示すように、R,G,Bの各発光画素にR,G,Bの各光の透過フィルタをそれぞれ設けた3色カラーフィルタの場合の視感反射率は、図9に示すように、R発光画素……5.1,G発光画素……5.5,B発光画素……1.3,平均……4.0となっており、本実施形態よりも更に低い視感反射率となっている。しかし、この3色カラーフィルタを使用する手法は、フィルタとして使用する材料が3種類となるとともに、パターニングも3回行う必要があり、コストが非常に高くなってしまう。これに対し、本実施形態は、G吸収フィルタFG用の材料1種類のみでよく、パターニングも1回のみであり、生産効率の向上,製造コストの低減を図ることができる。
【0026】
なお、本実施形態の変形例として、図1(B)や(C)に示すものがある。まず、図1(B)の例は、GとBの発光画素にR吸収フィルタFRを設けた例である。この場合は、前記図5の外光反射率のグラフのうち、Rの光の波長域の反射率が低減されるようになる。図1(C)の例は、RとGの発光画素にB吸収フィルタFBを設けた例である。この場合は、前記図5の外光反射率のグラフのうち、Bの光の波長域の反射率が低減されるようになる。
【0027】
<実施形態2>……次に、図10を参照して本発明の実施形態2について説明する。上述した実施形態1と同様もしくは対応する構成要素には同一の符号を用いる。本実施形態は、前記実施形態とは逆に基板側から光を取り出す構造としたもので、基板10側から、透明導電膜24,Crなどによる半透明反射層50,バッファ層14,ホール輸送層16,発光層18,Alなどによる反射層52の順に積層されている。すなわち、基板側が半透明の反射層50の構成となっている。G吸収フィルタFGは、更に基板10上に配置されている。
【0028】
有機EL層20の発光層18から発せられた光のうち、一部は矢印F11で示すように半透明反射層50を透過し、更には透明導電膜24,基板10を透過してG吸収フィルタFGに入射する。しかし、発光層18から発せられた光の一部は、矢印F12で示すように、半透明反射層50と反射層52によってそれぞれ反射される。すなわち、半透明反射層50と反射層52によって光共振器構造が構成されており、これによって光が多重干渉を起こす。いずれにしても、基板10から出力された光は、G吸収フィルタFGを介して外部に出力される。本実施形態2によっても、上述した実施形態1と同様の効果を得ることができる。
【0029】
<実施形態3>……次に、図11を参照して実施形態3を説明する。まず、図11(A)の例は、G吸収フィルタFGをパッシベーション膜26上に設けた例である。同図(B)の例は、G吸収フィルタFGを透明導電膜24とパッシベーション膜26の間に形成した例である。いずれも、上述した実施形態1と比較して、G吸収フィルタFGの位置が異なるのみである。次に、実施形態1の発光層18が電子輸送層を兼ねた構成となっているのに対し、同図(C)の例は、それらを分離し、発光層18Aと電子輸送層18Bが形成されている。
【0030】
以上の例は、いずれも反射層と半透明反射層を備えており、それらによって光共振器構造が構成されている。これに対し、図11(D)の例は、半透明反射層がなく、有機EL層20から出力された光が矢印F1で示すように直接G吸収フィルタFGに入射するか、もしくは、矢印F3で示すように反射層12で反射されてG吸収フィルタFGに入射する光共振器のない構成となっている。本発明は、このような反射電極(反射層12)と透明電極(透明導電膜24)を用いる一般的な有機EL素子の場合にも適用可能である。この場合、例えば、特開平6−132081号公報にあるようなバンドパスフィルタを用いて色度を向上させるようにした有機EL素子があるが、本例のようにG吸収フィルタをR及びBの発光画素に関して用いれば、同様の効果を得ることができる。本例によれば、特開平6−132081号公報の有機EL素子と比較して、材料の種類とパターニング回数を減らすことができるという利点がある。
【0031】
<実施形態4>……次に、図1(D)を参照して実施形態4を説明する。この例は、R,G,Bの各発光画素のうち、Rの発光画素上にはR透過フィルタERを設け、Bの発光画素上にはB透過フィルタEBを設けた例である。別言すれば、R,G,B3色カラーフィルタを用いた背景技術のうち、Gの光のフィルタを除いた例である。上述したG吸収フィルタは、別言すれば、R及びBの光の透過フィルタであると考えることができる。一方、図9に示したように、Rの発光画素にRの光の透過フィルタを適用した場合の視感反射率は5.1と低く、Bの発光画素にBの光の透過フィルタを適用した場合の視感反射率は1.3と非常に低い。
【0032】
そこで、図1(D)のように、R,Bの各発光画素にR,Bの光の透過フィルタER,EBをそれぞれ設けることで、図9に示すように、視感反射率が、R……5.1,G……15.9,B……1.3となり、平均でも7.4となって、前記実施形態よりも優れた結果が得られるようになる。
【0033】
<他の実施形態>……本発明には数多くの実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。例えば、次のようなものも含まれる。
(1)前記実施形態では、有機ELディスプレイに本発明を適用した例であるが、R,G,Bの各画素はどのようなタイプであってもよい。例えば、液晶ディスプレイ,プラズマディスプレイなど、各種の画素マトリクス型ディスプレイに本発明は適用可能である。また、有機EL素子についても各種の構成や材料が公知であり、それらのいずれに適用してもよい。
(2)上述した各部の材料や膜厚も一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次のような効果がある。
(1)外光に対するフィルタとして、R,G,Bのうちの一色のみを使用するため、材料の種類や生産時におけるパターニングの回数が低減される。
(2)Gの光の吸収フィルタをR及びBの画素の光出力側あるいは外光入射側に設けることとしたので、コントラストが大幅に向上するとともに、材料の種類や生産時におけるパターニングの回数が低減されて生産性が向上する。
(3)特に画素として光共振器を有する有機EL素子を使用することとしたので、輝度の低下を招くことがない。
(4)R及びBの画素の光出力側あるいは外光入射側にR及びBの光の透過フィルタをそれぞれ配置することとしたので、外光が良好にそれらに吸収され、コントラストが大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる実施形態における発光画素とフィルタとの重なり具合を示す平面図である。
【図2】発光画素の積層構造の一例を示す主要断面図である。
【図3】前記実施形態におけるG吸収フィルタのない場合の外光反射率を示すグラフである。
【図4】肉眼の視感度曲線を示すグラフである。
【図5】視感度を考慮した前記実施形態の外光反射率を示すグラフである。
【図6】前記実施形態におけるG吸収フィルタの透過率を示すグラフである。
【図7】前記実施形態におけるG吸収フィルタを考慮した外光反射率を示すグラフである。
【図8】前記図7に図4の視感度を考慮した外光反射率を示すグラフである。
【図9】R,G,B各発光画素におけるフィルタの有無と視感反射率との関係を示す図である。
【図10】本発明の実施形態2の主要積層構造を示す断面図である。
【図11】本発明の実施形態3の主要積層構造を示す断面図である。
【符号の説明】
10…基板
12…反射層
14…バッファ層
16…ホール輸送層
18,18A…発光層
18B…電子輸送層
20…有機EL層
22…半透明反射層
24…透明導電膜
26…パッシベーション膜
50…半透明反射層
52…反射層
FB…B光吸収フィルタ
FG…G光吸収フィルタ
FR…R光吸収フィルタ
ER…R光透過フィルタ
EB…B光透過フィルタ
L…光学的距離
P…画像画素
R,G,B…発光画素
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a display device, and more specifically, to improvement of a display element suitable for a display using an organic EL element.
[0002]
[Background Art]
An organic EL element generally has a laminated structure in which an organic EL light emitting layer is sandwiched between electrodes. One electrode is a metal such as Al, and the other electrode is light transmission by ITO (Indium Tin Oxide) or the like. Transparent electrode. Of course, light output from the organic EL light emitting layer is directly output from the transparent electrode side, but light output to the metal electrode side is reflected by the metal electrode and output to the transparent electrode side. In a display device using such an organic EL element, light that enters the organic EL light emitting layer from external light via the transparent electrode is also reflected on the metal electrode side and output from the transparent electrode side. That is, external light is added to the light that forms the original image by the organic EL light emitting layer. For this reason, the contrast of an image is reduced in the presence of external light, for example, in the daytime.
[0003]
As a conventional technique for improving such a decrease in contrast, there is a display element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-127885. This has a configuration in which a circularly polarizing means combining a linear polarizing plate and a quarter-wave plate is provided on the light emitting surface side of the display device. Since the circular polarization direction of the incident light from the outside and the circular polarization direction reflected on the display device side are opposite, the external light is blocked by the circular polarization means. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-315558 describes an organic EL device in which a visible light absorbing layer is provided between a cathode electrode, which is a metal electrode, and an organic EL light emitting layer.
[0004]
Furthermore, by simply arranging color filters of R (red), G (green), and B (blue) transmission on the R, G, and B light-emitting pixels, reflection of external light other than light-emitting colors can be reduced. It can be suppressed . However, this method does not reduce external light reflection for the original emission colors of R, G, and B. For this reason, the contrast will still decrease. As such a conventional technique, there is an organic EL display device disclosed in JP-A-2000-3786. According to this, a G color filter having a main peak wavelength of light transmittance of 490 to 530 nm is disposed in the G organic light emitting layer.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above background art has the following disadvantages.
{Circle around (1)} In the display device of JP-A-9-127885, although the effect of suppressing external light reflection is great, the transmittance of light from the original organic EL light emitting layer is also reduced, and the luminance is reduced to 50% or less. .
{Circle around (2)} In the organic EL device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-315558, since the light of the organic EL light emitting layer is also absorbed by the light absorbing layer, the brightness is also reduced to 50% or less.
(3) The background art of applying the R, G, and B light transmission filters to the R, G, and B pixels, respectively, is an effective method, but the external light reflectance is about 30%, and the reduction effect is small. Not enough.
[0006]
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a display device and a display device which can significantly reduce a decrease in contrast due to external light without causing a decrease in luminance of an original image. An object of the present invention is to provide a method for preventing a decrease in contrast.
[0007]
The display device according to the present invention is a display device in which R (red), G (green), and B (blue) pixels are arranged in a predetermined order, and one of R, G, and B is selected. A filter that absorbs light of one color is arranged on the light output side or the outside light incident side of the other unselected color pixel, and an optical resonator is provided corresponding to each color pixel area. The configuration is such that the reflectance of the color is minimized.
[0008]
One of the main modes is characterized in that the filter is an absorption filter for G light , which is arranged on the light output side or the outside light incidence side of the R and B pixels. In another embodiment, each of the R, G, and B pixels has a structure in which an organic EL layer is sandwiched between a reflective layer and a transparent layer, and the filter is connected to the light output side or the external light incident side of the transparent layer. It is characterized by being arranged in. In still another embodiment, each of the R, G, and B pixels has a structure in which an organic EL layer is sandwiched between a reflective layer and a translucent reflective layer, and the filter is connected to the light output side of the translucent reflective layer. Alternatively, it is characterized in that it is arranged on the outside light incident side.
[0009]
The method for preventing a decrease in contrast of a display device according to the present invention is a method for preventing a decrease in contrast of a display device in which R (red), G (green), and B (blue) pixels are arranged in a predetermined order. A color having the highest luminous reflectance among G and B is selected, and a transmission filter of a corresponding color is arranged on a light output side or an external light incidence side of a pixel of a color other than the selected color , An optical resonator is provided corresponding to each color pixel area, the optical resonator is configured so that the reflectance of the color is minimized, and the optical output side or the external light incident side of the pixel of the selected color is By not arranging a transmission filter, a reduction in contrast due to external light is prevented.
[0010]
In the display device according to the present invention, the filter that absorbs light of one color selected from R, G, and B is disposed on the light output side or the external light incident side of the other unselected color pixels. And an optical resonator is provided corresponding to each color pixel area, and the optical resonator is configured so that the reflectance of the color is minimized. Is suppressed, and the overall contrast is improved. In particular, by setting the selected color to G (green) having a high luminous reflectance by the naked eye, the contrast is further improved.
Further, in the method for preventing a decrease in contrast of a display device according to the present invention, a color having the highest luminous reflectance among R, G, and B is selected, and a light output side or outside of a pixel of a color other than the selected color is selected. On the light incident side, a transmission filter of the corresponding color is arranged , and an optical resonator is provided corresponding to each color pixel area, and the optical resonator is configured so that the reflectance of the color is minimized and selected. Since the transmission filter is not disposed on the light output side or the outside light incidence side of the pixel of the different color, a decrease in contrast due to outside light is prevented.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First Embodiment First, a first embodiment of the present invention will be described in detail. As shown in FIG. 1A, the display device has a configuration in which R, G, and B light-emitting pixels are two-dimensionally arranged in a fixed order. In the illustrated example, the pixels are arranged in a repetition order of R, G, B,... In the X direction, and light-emitting pixels of the same color are continuous in the Y direction. Then, an image pixel P is formed by a combination of the light-emitting pixels R, G, and B that are continuous in the X direction. In the present embodiment, the G light absorbing filters FG are provided on the image display side (light output side or external light incident side) of the R and B light emitting pixels excluding the G light emitting pixel.
[0012]
FIG. 2 shows a stacked structure of the R or B light emitting pixel. Referring to FIG. 1, a reflective layer 12 also serving as an anode electrode is formed on a glass substrate 10 by using Pt, Au, Cr, W, or the like. Next, a buffer layer 14 is laminated on the reflective layer 12 by m-MTDATA, 2-TNATA or the like, and a hole transport layer 16 is further laminated thereon by α-NPD or the like. On the hole transport layer 16, a light emitting layer 18 also serving as an electron transport layer is laminated by Alq3 or the like. The organic EL layer 20 is composed of the buffer layer 14, the hole transport layer 16, and the light emitting layer 18.
[0013]
Next, on the organic EL layer 20, a translucent reflective layer 22 also serving as a cathode electrode is formed by lamination using Mg: Ag (an alloy of Mg and Ag). A passivation film 26 made of SiN or the like is formed on the translucent reflective layer 22 via a transparent conductive film 24 made of ITO or the like. On the passivation film 26, the above-mentioned G light absorption filter FG is arranged.
[0014]
When the preferred thickness of each of the above layers is shown,
{Circle around (1)} Reflecting layer 12: 100 to 300 nm,
{Circle around (2)} Buffer layer 14: 15 to 300 nm;
(3) Hole transport layer 16: 15 to 100 nm,
{Circle around (4)} Light-emitting layer 18: 15 to 100 nm;
{Circle over (5)} Translucent reflective layer 22: 5 to 50 nm,
{Circle around (6)} Transparent conductive film 24: 30 to 1000 nm;
{Circle around (7)} Passivation film 26: 500-10000 nm,
It is.
[0015]
Next, the operation of such a light-emitting pixel will be described. Of the light emitted from the light-emitting layer 18 of the organic EL layer 20, part of the light passes through the translucent reflective layer 22 as shown by an arrow F1, and furthermore, The light passes through the transparent conductive film 24 and the passivation film 26 and enters the G light absorption filter FG. However, a part of the light emitted from the light emitting layer 18 is reflected by the translucent reflective layer 22 and the reflective layer 12, respectively, as indicated by the arrow F2. That is, an optical resonator structure is formed by the translucent reflective layer 22 and the reflective layer 12, whereby light causes multiple interference. This acts as a kind of narrow band filter, and the half width of the spectrum of the extracted light is reduced, so that the color purity is improved.
[0016]
For this purpose, the peak wavelength of the narrow-band filter is made to coincide with the peak wavelength of the spectrum of the light to be extracted. That is, the optical distance between the reflective layer 12 and the translucent reflective layer 22 is L (the optical film thickness of the organic EL layer 20), and the reflected light generated between the translucent reflective layer 22 and the reflective layer 12 Is Φ (rad), and λ is the peak wavelength of the spectrum of the light to be taken out of the light emitted from the organic EL layer 20.
2L / λ + Φ / (2π) = m (m is an integer) (1)
To satisfy the conditions. In this equation (1), L and λ may have the same unit, for example, “nm”. Actually, it is set so as to be within the range satisfying the expression (1) and the optical distance L of the optical resonator becomes a positive minimum value.
[0017]
Such a condition corresponds to a condition for generally maximizing the light transmittance. Conversely, it is a condition for minimizing the reflection of light incident from the outside. Here, paying attention to the external light, the external light reflectance R (λ) of the luminescent pixel when there is no G light absorption filter FG is as shown in FIG. In the figure, the graphs of R, G, and B show the external light reflectance in each of the R, G, and B light emitting pixels. As described above, the optical resonator has a condition that minimizes external light reflection. This state is as shown in FIG. 3. For example, in the case of the luminescent pixel of B, reflection of external light of B (around 450 to 500 nm) is minimized. The R and G light emitting pixels are also as illustrated.
[0018]
On the other hand, the visibility curve y (λ) representing the sensitivity of the naked eye is as shown in FIG. Therefore, to the naked eye, the external light reflectance R (λ) shown in FIG. 3 is multiplied by the visibility curve y (λ) shown in FIG. 4, as shown in a graph shown in FIG. Referring to FIG. 5, the external light reflectance at the emission peak wavelength is suppressed to a very low value of about several percent. For example, the external light reflectance of B of the B light emitting pixel is substantially 0%. The R and G light emitting pixels are also as illustrated. However, as shown by an arrow F5 (wavelength 550 nm), the external light reflectance of G in the R light emitting pixel is 0.6, and the external light reflectance of G in the B light emitting pixel is about 0.4. , Which are all quite large values.
[0019]
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the G light absorbing filter FG is provided on the R and B light emitting pixels. The transmission characteristic T (λ) of the G light absorption filter FG is set, for example, as shown in FIG. That is, the transmittance in the wavelength region of G light having high visibility to the naked eye (see FIG. 4) is minimized, and the transmittance of other R and B lights is maximized. In other words, G light is almost absorbed, and R and B light is almost transmitted.
[0020]
The external light passes through the G light absorption filter FG having such characteristics when entering and exiting the luminescent pixel. For this reason, the external light reflectance Rt (λ) when the G light absorbing filter FG is arranged in the R and B light emitting pixels is the same as the external light reflectance R (λ) shown in FIG. Rt (λ) = T (λ) × R (λ) × T (λ) obtained by multiplying the transmission characteristic T (λ) of the G light absorbing filter FG twice (2)
Given by This is shown in a graph in FIG. 7, and the external light reflectance in the G band of the light emitting pixel of each color can be kept very low.
[0021]
Further, as described above, the visibility curve y (λ) of the naked eye is as shown in FIG. Accordingly, the external light reflectance Re (λ) of the present embodiment in consideration of the visibility curve y (λ) is:
Re (λ) = Rt (λ) × y (λ) (3)
This is shown in a graph in FIG.
[0022]
And external light reflectance of the present embodiment applying the G light absorbing filter (Fig. 8), compared external light reflectance when not using the G light absorbing filter (Fig. 5), first, the light emission pixels of G The graphs are identical. Next, comparing the graphs of the R and B luminescent pixels, FIG. 8 shows that the external light reflectance is much lower over the entire visible region. In particular, the wavelength significantly decreases in the wavelength region of G near the wavelength of 550 nm, and the reflection of external light is suppressed very effectively.
[0023]
Next, the ratio of the value obtained by integrating the external light reflectance to the value obtained by integrating the luminosity curve y (λ) over the entire visible region is the luminous reflectance, as shown in FIG. In the figure, first, when the G light absorption filter of the present embodiment is used, the ratio of the value obtained by integrating the external light reflectance Re (λ) of the above-described equation (3) to the luminosity integral value is shown. As shown, R emission pixels... 3.6, G emission pixels... 15.9, B emission pixels... 8.2, average. On the other hand, in the case without the G light absorption filter shown in FIG. 5, R light emitting pixels 47.5, G light emitting pixels 15.9, B light emitting pixels 32.0, average 31. 8 As described above, the luminous reflectance when the G light absorption filter is provided is 1/3 or less on average compared to the case where the G light absorption filter is not provided. Note that the luminous reflectance of the G light emitting pixel is the same value because the G light absorbing filter is not provided.
[0024]
On the other hand, the transmittance of the organic EL layer 20 for the original light emission is given by the transmission characteristic T (λ) of the G light absorption filter FG shown in FIG. For this reason, the reduction in the original light extraction efficiency is small, and the reduction in the brightness of the display image is minimized. Therefore, according to the present embodiment, the contrast under external light can be significantly improved as compared with the related art without causing a decrease in display luminance.
[0025]
Next, as shown in FIG. 9, the luminous reflectance in the case of a three-color filter in which R, G, and B light emitting pixels are respectively provided with R, G, and B light transmission filters is shown in FIG. As shown in the figure, R emission pixels... 5.1, G emission pixels... 5.5, B emission pixels... 1.3, average... 4.0, which are even lower than this embodiment. It is the luminous reflectance. However, the method of using the three-color filter requires three types of materials to be used as the filters and also requires three times of patterning, resulting in a very high cost. On the other hand, in the present embodiment, only one type of material for the G light absorbing filter FG is required, and patterning is performed only once, so that it is possible to improve production efficiency and reduce manufacturing cost.
[0026]
In addition, as a modified example of the present embodiment, there is an example shown in FIGS. First, the example of FIG. 1B is an example in which R light absorbing filters FR are provided for G and B light emitting pixels. In this case, the reflectance in the wavelength region of the R light in the graph of the external light reflectance in FIG. 5 is reduced. The example in FIG. 1C is an example in which B light absorbing filters FB are provided for R and G light emitting pixels. In this case, the reflectance in the wavelength range of the B light in the graph of the external light reflectance in FIG. 5 is reduced.
[0027]
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same reference numerals are used for the same or corresponding components as in the first embodiment. In the present embodiment, light is extracted from the substrate side, which is opposite to the above embodiment. The transparent conductive film 24, the translucent reflection layer 50 of Cr or the like, the buffer layer 14, the hole transport layer 16, a light emitting layer 18, and a reflective layer 52 of Al or the like are stacked in this order. That is, the substrate side has a translucent reflective layer 50 configuration. The G light absorption filter FG is further disposed on the substrate 10.
[0028]
Part of the light emitted from the light emitting layer 18 of the organic EL layer 20 is transmitted through the translucent reflective layer 50 as shown by the arrow F11, and further transmitted through the transparent conductive film 24 and the substrate 10 to absorb G light. The light enters the filter FG. However, part of the light emitted from the light emitting layer 18 is reflected by the translucent reflective layer 50 and the reflective layer 52, respectively, as indicated by the arrow F12. That is, an optical resonator structure is formed by the translucent reflection layer 50 and the reflection layer 52, which causes multiple interference of light. In any case, the light output from the substrate 10 is output to the outside via the G light absorption filter FG. According to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
[0029]
Third Embodiment Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. First, the example of FIG. 11A is an example in which the G light absorption filter FG is provided on the passivation film 26. The example of FIG. 3B is an example in which a G light absorption filter FG is formed between the transparent conductive film 24 and the passivation film 26. In each case, only the position of the G light absorption filter FG is different from that of the first embodiment. Next, while the light emitting layer 18 of the first embodiment has a structure also serving as an electron transport layer, the example of FIG. 2C separates them, and the light emitting layer 18A and the electron transport layer 18B are formed. Have been.
[0030]
Each of the above examples includes a reflective layer and a translucent reflective layer, and these constitute an optical resonator structure. On the other hand, in the example of FIG. 11D, there is no translucent reflective layer, and the light output from the organic EL layer 20 directly enters the G light absorbing filter FG as shown by the arrow F1, or As shown by F3, there is no optical resonator that is reflected by the reflection layer 12 and enters the G light absorption filter FG. The present invention is also applicable to a general organic EL device using such a reflective electrode (reflective layer 12) and a transparent electrode (transparent conductive film 24). In this case, for example, there are organic EL elements so as to improve the chromaticity by using a band-pass filter as in Japanese Patent Laid-Open No. 6-132081, the G light absorbing filter as in the present example R and B The same effect can be obtained by using the above-mentioned luminescent pixels. According to this example, there is an advantage that the type of material and the number of times of patterning can be reduced as compared with the organic EL device disclosed in JP-A-6-132081.
[0031]
Embodiment 4 Next, Embodiment 4 will be described with reference to FIG. In this example, among the R, G, and B light emitting pixels, an R light transmitting filter ER is provided on an R light emitting pixel, and a B light transmitting filter EB is provided on a B light emitting pixel. In other words, this is an example in which the G light filter is excluded from the background art using the R, G, and B color filters. In other words, the G light absorption filter described above can be considered as a transmission filter for R and B light . On the other hand, as shown in FIG. 9, the luminous reflectance when the R light transmitting filter is applied to the R light emitting pixel is as low as 5.1, and the B light transmitting filter is applied to the B light emitting pixel. In this case, the luminous reflectance is very low at 1.3.
[0032]
Therefore, as shown in FIG. 1 (D), R, R to each light emitting pixel of the B, B of the transmission filter ER light, EB and by providing each, as shown in FIG. 9, the luminous reflectance, R ... 5.1, G... 15.9, B... 1.3, and the average is 7.4, so that a result superior to the above embodiment can be obtained.
[0033]
<Other Embodiments> The present invention has many embodiments, and various modifications can be made based on the above disclosure. For example, the following is also included.
(1) In the above embodiment, the present invention is applied to an organic EL display. However, the R, G, and B pixels may be of any type. For example, the present invention is applicable to various pixel matrix displays such as a liquid crystal display and a plasma display. Further, various configurations and materials also the organic EL devices are known, may be applied to any of them.
(2) The materials and film thicknesses of the above-described portions are also examples, and may be changed as needed.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, the present invention has the following effects.
(1) Since only one of R, G, and B is used as a filter for external light, the type of material and the number of times of patterning during production are reduced.
(2) Since the G light absorption filter is provided on the light output side or the outside light incidence side of the R and B pixels, the contrast is greatly improved, and the type of material and the number of times of patterning during production are reduced. It is reduced and productivity is improved.
(3) In particular, since the organic EL element having the optical resonator is used as the pixel, the luminance does not decrease.
(4) Since R and B light transmission filters are arranged on the light output side or the outside light incidence side of the R and B pixels, the outside light is well absorbed by them and the contrast is greatly improved. I do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an overlapping state of a luminescent pixel and a filter in an embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is a main cross-sectional view illustrating an example of a stacked structure of a light-emitting pixel.
FIG. 3 is a graph showing external light reflectance in a case where there is no G light absorption filter in the embodiment.
FIG. 4 is a graph showing a visibility curve of the naked eye.
FIG. 5 is a graph showing an external light reflectance of the embodiment in consideration of visibility.
FIG. 6 is a graph showing the transmittance of the G light absorbing filter in the embodiment.
FIG. 7 is a graph showing external light reflectance in consideration of a G light absorption filter in the embodiment.
8 is a graph showing the external light reflectance in FIG. 7 in consideration of the visibility shown in FIG.
FIG. 9 is a diagram illustrating the relationship between the presence or absence of a filter and luminous reflectance in each of R, G, and B light emitting pixels.
FIG. 10 is a sectional view showing a main laminated structure according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view showing a main laminated structure according to a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate 12 ... Reflection layer 14 ... Buffer layer 16 ... Hole transport layers 18 and 18A ... Emitting layer 18B ... Electron transport layer 20 ... Organic EL layer 22 ... Semi-transparent reflective layer 24 ... Transparent conductive film 26 ... Passivation film 50 ... Semi- Transparent reflective layer 52 Reflective layer FB B light absorbing filter FG G light absorbing filter FR R light absorbing filter ER R light transmitting filter EB B light transmitting filter L Optical distance P Image pixels R, G, B: Light emitting pixel

Claims (13)

R(赤),G(緑)及びB(青)の各画素が一定の順序で配列された表示装置であって、
前記R,G,Bのうちから選択された一つの色の光を吸収するフィルタを、他の選択しなかった色の画素の光出力側あるいは外光入射側に配置すると共に、各色画素領域に対応して光共振器を設け、前記光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成したことを特徴とする表示装置。
A display device in which R (red), G (green), and B (blue) pixels are arranged in a certain order,
A filter that absorbs light of one color selected from the above R, G, and B is disposed on the light output side or outside light incident side of the other unselected color pixels, and is provided in each color pixel area. A display device , wherein an optical resonator is provided correspondingly, and the optical resonator is configured such that the reflectance of the color is minimized .
前記フィルタがGの光の吸収フィルタであり、これをR及びBの画素の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする請求項1記載の表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the filter is an absorption filter for G light, and is disposed on the light output side or the outside light incidence side of the R and B pixels. 前記R,G,Bの各画素が、反射層と透明層の間に有機EL層を挟んだ構造を有し、前記フィルタを前記透明層の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする請求項2記載の表示装置。Each of the R, G, and B pixels has a structure in which an organic EL layer is sandwiched between a reflective layer and a transparent layer, and the filter is arranged on the light output side or the external light incident side of the transparent layer. The display device according to claim 2, wherein: 前記R,G,Bの各画素が、反射層と半透明反射層の間に有機EL層を挟んだ構造を有し、前記フィルタを前記半透明反射層の光出力側あるいは外光入射側に配置したことを特徴とする請求項2記載の表示装置。Each of the R, G, and B pixels has a structure in which an organic EL layer is interposed between a reflective layer and a translucent reflective layer, and the filter is disposed on the light output side or the external light incident side of the translucent reflective layer. The display device according to claim 2, wherein the display device is arranged. 前記反射層と前記半透明反射層とが、当該画素で取り出したい光を取り出すための光共振器を構成することを特徴とする請求項4記載の表示装置。The display device according to claim 4, wherein the reflection layer and the translucent reflection layer form an optical resonator for extracting light desired to be extracted by the pixel. 前記光共振器中で生ずる反射光の位相シフトをΦ(rad) ,前記反射層と半透明反射層の間の光学的距離をL(nm),取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλ(nm) としたとき、各々の値が、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たすように設計されていることを特徴とする請求項5記載の表示装置。
The phase shift of the reflected light generated in the optical resonator is Φ (rad), the optical distance between the reflective layer and the translucent reflective layer is L (nm), and the peak wavelength of the light spectrum to be extracted is λ (nm). ) And each value is
2L / λ + Φ / 2π = m (m is an integer)
6. The display device according to claim 5, wherein the display device is designed to satisfy the following condition.
前記光共振器の光学的距離Lが正の最小値となるように設定されたことを特徴とする請求項6記載の表示装置。7. The display device according to claim 6, wherein the optical distance L of the optical resonator is set to be a positive minimum value. R(赤),G(緑),B(青)の各画素が一定の順序で配列された表示装置のコントラスト低下防止方法であって、
前記R,G,Bのうちの最も視感反射率の高い色を選択し、前記選択された色以外の色の画素の光出力側あるいは外光入射側にはそれぞれ該当する色の透過フィルタを配置するすると共に、各色画素領域に対応して光共振器を設け、前記光共振器が当該色の反射率が最小となるように構成し、前記選択された色の画素の光出力側あるいは外光入射側には前記透過フィルタを配置しないことにより、外光によるコントラストの低下を防止することを特徴とする表示装置のコントラスト低下防止方法。
A method for preventing a decrease in contrast of a display device in which R (red), G (green), and B (blue) pixels are arranged in a predetermined order,
A color having the highest luminous reflectance among the R, G, and B is selected, and a transmission filter of a corresponding color is provided on the light output side or outside light incidence side of a pixel other than the selected color. In addition to the arrangement, an optical resonator is provided corresponding to each color pixel region, the optical resonator is configured so that the reflectance of the color is minimized, and the light output side or outside of the pixel of the selected color is provided. A method for preventing a decrease in contrast of a display device, wherein a decrease in contrast due to external light is prevented by disposing the transmission filter on a light incident side.
前記Rの画素の光出力側あるいは外光入射側にRの光の透過フィルタを配置すると共に、前記Bの画素の光出力側あるいは外光入射側にBの光の透過フィルタを配置し、前記Gの画素の光出力側あるいは外光入射側にはフィルタを配置しないことを特徴とする請求項8記載の表示装置のコントラスト低下防止方法。An R light transmission filter is disposed on the light output side or the external light incident side of the R pixel, and a B light transmission filter is disposed on the light output side or the external light incident side of the B pixel. 9. The method according to claim 8, wherein no filter is arranged on the light output side or the outside light incidence side of the G pixel. 前記R,G,Bの各画素が、反射層と半透明反射層の間に有機EL層を挟んだ構造を有し、前記透過フィルタを前記半透明反射層の光出力側あるいは外光入射側に配置することを特徴とする請求項9記載の表示装置のコントラスト低下防止方法。Each of the R, G, and B pixels has a structure in which an organic EL layer is sandwiched between a reflective layer and a translucent reflective layer. 10. The method according to claim 9, wherein the contrast is reduced. 前記反射層と前記半透明反射層とで、当該画素で取り出したい光を取り出すための光共振器を構成することを特徴とする請求項10記載の表示装置のコントラスト低下防止方法。11. The method according to claim 10, wherein the reflection layer and the translucent reflection layer constitute an optical resonator for extracting light desired to be extracted from the pixel. 前記光共振器中で生ずる反射光の位相シフトをΦ(rad) ,前記反射層と半透明反射層の間の光学的距離をL(nm),取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλ(nm) としたとき、各々の値が、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たすように設計することを特徴とする請求項11記載の表示装置のコントラスト低下防止方法。
The phase shift of the reflected light generated in the optical resonator is Φ (rad), the optical distance between the reflective layer and the translucent reflective layer is L (nm), and the peak wavelength of the light spectrum to be extracted is λ (nm). ) And each value is
2L / λ + Φ / 2π = m (m is an integer)
12. The method according to claim 11, wherein the display device is designed to satisfy the following condition.
前記光共振器の光学的距離Lが正の最小値となるように設定することを特徴とする請求項12記載の表示装置のコントラスト低下防止方法。13. The method according to claim 12, wherein the optical distance L of the optical resonator is set to be a positive minimum value.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011070717A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 シャープ株式会社 Method of abrading foreign objects on surface of workpiece and device for abrading foreign object
US8033675B2 (en) 2009-10-27 2011-10-11 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic device

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4371297B2 (en) * 2002-10-02 2009-11-25 パイオニア株式会社 Organic EL display
KR100907479B1 (en) 2002-12-31 2009-07-13 삼성전자주식회사 Color filter substrate and liquid crystal display having the same
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US20040140757A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Microcavity OLED devices
US20040149984A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved emission
CN100403573C (en) * 2003-02-19 2008-07-16 友达光电股份有限公司 Organic LED
JP2005011572A (en) * 2003-06-17 2005-01-13 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, its manufacturing method, and electronic apparatus
TW595257B (en) * 2003-06-27 2004-06-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic electro-luminescent device and method of manufacturing the same
US6905788B2 (en) * 2003-09-12 2005-06-14 Eastman Kodak Company Stabilized OLED device
JP4428979B2 (en) * 2003-09-30 2010-03-10 三洋電機株式会社 Organic EL panel
JP4547599B2 (en) 2003-10-15 2010-09-22 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Image display device
US7595775B2 (en) * 2003-12-19 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device with reverse biasing circuit
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7019331B2 (en) 2004-01-22 2006-03-28 Eastman Kodak Company Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element
EP1722604A1 (en) 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device
US7180238B2 (en) * 2004-04-08 2007-02-20 Eastman Kodak Company Oled microcavity subpixels and color filter elements
KR100704258B1 (en) 2004-06-02 2007-04-06 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Organic el device and electronic apparatus
US7023013B2 (en) * 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
US7208863B2 (en) * 2004-07-09 2007-04-24 Eastman Kodak Company Light emitting devices with patterned angular color dependency
JP4239983B2 (en) * 2004-07-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 Organic EL device
JP4804289B2 (en) 2005-09-29 2011-11-02 キヤノン株式会社 Display device
JP4654207B2 (en) 2006-03-30 2011-03-16 キヤノン株式会社 Display device
JP2008108706A (en) 2006-09-28 2008-05-08 Canon Inc Display device
KR100829753B1 (en) 2007-03-02 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
KR101427579B1 (en) * 2007-10-02 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
JP5256909B2 (en) * 2007-10-31 2013-08-07 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device
JP2009205928A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Fuji Electric Holdings Co Ltd Resonant cavity color conversion el device and organic el display device using the same
JP5029596B2 (en) * 2008-12-26 2012-09-19 セイコーエプソン株式会社 Organic EL devices, electronic devices
JP5173871B2 (en) * 2009-01-29 2013-04-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic EL display
WO2010143232A1 (en) 2009-06-11 2010-12-16 パイオニア株式会社 Light emitting element and display device
CN104851986B (en) * 2009-06-11 2017-04-12 日本先锋公司 Light-emitting element and display device
JP2011060604A (en) * 2009-09-10 2011-03-24 Fujifilm Corp Organic electroluminescence device and display device
EP2485567B1 (en) 2009-11-10 2013-05-29 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display apparatus
KR101821739B1 (en) 2011-08-25 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
JP5485965B2 (en) * 2011-10-25 2014-05-07 パイオニア株式会社 Light emitting element
JP2014238478A (en) * 2013-06-07 2014-12-18 日東電工株式会社 Liquid crystal display device
CN105097874B (en) 2015-06-01 2019-02-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 A kind of OLED display device and preparation method thereof, display device
JP6227697B2 (en) * 2016-04-11 2017-11-08 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescent device and display device
CN107505767A (en) 2017-10-16 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 Light transformational structure, backlight module, color membrane substrates and display device
US20220045133A1 (en) * 2020-08-05 2022-02-10 Joled Inc. Display panel and display device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299092A (en) * 1987-05-29 1988-12-06 Ricoh Co Ltd Thin film electroluminescent panel
JP2781492B2 (en) * 1992-04-01 1998-07-30 シャープ株式会社 Color electroluminescence display device
JPH06132081A (en) 1992-10-14 1994-05-13 Konica Corp Organic electroluminescence element
JP2846571B2 (en) * 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 Organic electroluminescence device
KR0151202B1 (en) * 1994-08-11 1998-10-01 구자홍 The structure of fluorescent layer in the color crt
JPH09127995A (en) 1995-10-26 1997-05-16 Sony Corp Signal decoding method and signal decoder
JPH09127885A (en) 1995-10-30 1997-05-16 Sony Corp Display element
JPH09274991A (en) * 1996-04-08 1997-10-21 Fuji Electric Co Ltd Multi-color light emission electroluminescence device
JPH1027550A (en) * 1996-05-09 1998-01-27 Pioneer Electron Corp Plasma display panel
JPH10112389A (en) * 1996-10-08 1998-04-28 Idemitsu Kosan Co Ltd Multi-color luminescent device
US6072450A (en) * 1996-11-28 2000-06-06 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
JPH10162958A (en) * 1996-11-28 1998-06-19 Casio Comput Co Ltd El element
JP3828980B2 (en) * 1997-03-13 2006-10-04 出光興産株式会社 Display element
US5932968A (en) * 1997-11-19 1999-08-03 General Electric Company Plasma display configuration
KR100247269B1 (en) * 1997-12-31 2000-03-15 윤종용 Liquid crystal display
US6084347A (en) * 1998-03-27 2000-07-04 Motorola, Inc. Multicolored organic electroluminescent display
JP4276308B2 (en) 1998-06-12 2009-06-10 出光興産株式会社 Organic EL display device
JP2000315582A (en) 1999-05-06 2000-11-14 Denso Corp Organic el element
US7102282B1 (en) * 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8033675B2 (en) 2009-10-27 2011-10-11 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic device
WO2011070717A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 シャープ株式会社 Method of abrading foreign objects on surface of workpiece and device for abrading foreign object

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Publication number Publication date
KR100855659B1 (en) 2008-09-03
KR20020096893A (en) 2002-12-31
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SG103348A1 (en) 2004-04-29
US7045949B2 (en) 2006-05-16

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