JP2008130486A - Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display having the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display having the same Download PDF

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JP2008130486A JP2006316882A JP2006316882A JP2008130486A JP 2008130486 A JP2008130486 A JP 2008130486A JP 2006316882 A JP2006316882 A JP 2006316882A JP 2006316882 A JP2006316882 A JP 2006316882A JP 2008130486 A JP2008130486 A JP 2008130486A
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信貴 水野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent device having improved visibility under outdoor daylight, by restraining the reflection factor of the outdoor daylight, without lowering the luminous efficiency. <P>SOLUTION: In the organic electroluminescent element, an organic luminous layer is clamped by a first electrode, positioned at the side of a light extracting surface and a second electrode, positioned on a side opposite to the light extracting surface, and a polarizing plate is provided outside the first electrode. In the organic electroluminescent element, the second electrode has a half-transparent metal layer, a transparent conductive layer, and a reflection metal layer, successively starting from the side of the organic luminous layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は有機化合物を用いた発光素子である有機EL素子および有機EL表示装置の技術分野に属する。   The present invention belongs to the technical field of organic EL elements and organic EL display devices which are light-emitting elements using organic compounds.

有機EL素子(有機発光素子、有機エレクトロルミネッセンス素子)は、有機発光層を一対の電極によって挟持して成る積層構造である。両電極間に駆動電圧を印加すると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が注入され、注入された正孔と電子とが有機発光層で再結合し、発光する構成とされている。ここで有機発光層とは、発光層以外にも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった有機層も含むことにする。   An organic EL element (an organic light emitting element or an organic electroluminescent element) has a laminated structure in which an organic light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes. When a drive voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode, and the injected holes and electrons are recombined in the organic light emitting layer to emit light. Here, the organic light emitting layer includes organic layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and a hole transport layer in addition to the light emitting layer.

一般的な有機EL素子は発光効率を高めるために、光取り出し面側に位置する電極を透明電極とし、光取り出し面とは反対側に位置する電極を金属から成る反射電極とすることが多い。   In general organic EL elements, in order to increase luminous efficiency, an electrode located on the light extraction surface side is often a transparent electrode, and an electrode located on the opposite side of the light extraction surface is often a reflective electrode made of metal.

しかし、反射電極を有する有機EL素子は外光の反射によるコントラストの低下という問題がある。   However, an organic EL element having a reflective electrode has a problem of a decrease in contrast due to reflection of external light.

そこで、特許文献1では光取り出し面側の外側に偏光板を設けることで外光の反射を防止している。偏光板の具体例としては、特許文献2にあるような、直線偏光板と1/4波長板との組み合わせから成る円偏光板がある。   Therefore, in Patent Document 1, reflection of external light is prevented by providing a polarizing plate outside the light extraction surface side. As a specific example of the polarizing plate, there is a circularly polarizing plate composed of a combination of a linear polarizing plate and a quarter wavelength plate as disclosed in Patent Document 2.

円偏光板は以下の通り作用する。有機EL素子に入射する光は、直線偏光板に入射する際、直線偏光板の偏光軸に合致する直線偏光のみが透過する。この直線偏光板は1/4波長板の影響を受けることで円偏光となる。よって、円偏光板を通過した光は円偏光となって有機EL素子内部に入るが、反射電極で反射する際に回転方向が逆の円偏光となる。反射した光は入射時とは逆の円偏光となって再度1/4波長板に入射する。そして、1/4波長板により直線偏光に変換された反射光は直線偏光板の偏光軸に合致していないため、直線偏光板により吸収される。このため、外光下での表示画像のコントラストが改善される。   The circularly polarizing plate functions as follows. When the light entering the organic EL element enters the linear polarizing plate, only the linearly polarized light that matches the polarization axis of the linear polarizing plate is transmitted. This linearly polarizing plate becomes circularly polarized light by being influenced by the quarter wavelength plate. Therefore, the light that has passed through the circularly polarizing plate becomes circularly polarized light and enters the organic EL element, but becomes circularly polarized light having a reverse rotation direction when reflected by the reflective electrode. The reflected light becomes circularly polarized light opposite to the incident light and enters the quarter-wave plate again. And since the reflected light converted into the linearly polarized light by the quarter wavelength plate does not coincide with the polarization axis of the linearly polarizing plate, it is absorbed by the linearly polarizing plate. For this reason, the contrast of the display image under external light is improved.

しかし、円偏光板を有する有機EL素子は発光層から射出する光の約半分が円偏光板で吸収されるため、発光効率が落ちるという問題がある。   However, the organic EL element having a circularly polarizing plate has a problem that the light emission efficiency is lowered because about half of the light emitted from the light emitting layer is absorbed by the circularly polarizing plate.

そこで、特許文献3では円偏光板の透過率や偏光効率を特定波長帯ごとに異ならせることで、発光効率を向上させている。   Therefore, in Patent Document 3, the light emission efficiency is improved by varying the transmittance and polarization efficiency of the circularly polarizing plate for each specific wavelength band.

特許第2761453号公報Japanese Patent No. 2761453 特開平9−127885号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-127858 特開2005−332815号公報JP 2005-332815 A

しかしながら、円偏光板は視感度の高い波長555nm周辺の外光反射を特に防止する構成になっているため波長555nmから離れる程、反射率が大きくなる。可視光は一般的に380nm〜780nmあたりの波長帯域であるため、円偏光板を用いるだけでは可視光全体の反射率を低くすることが難しく、青波長帯域である450nm前後、もしくは、赤波長帯域である600nm前後においての反射率が比較的高い。そのため、円偏光板を有する有機EL素子に外光が入射した場合、青みがかる、もしくは、赤みがかるという問題がある。   However, since the circularly polarizing plate is configured to particularly prevent external light reflection around the wavelength 555 nm having high visibility, the reflectance increases as the distance from the wavelength 555 nm increases. Since visible light is generally in the wavelength band around 380 nm to 780 nm, it is difficult to reduce the reflectance of the entire visible light only by using a circularly polarizing plate, and the blue wavelength band is around 450 nm, or the red wavelength band. The reflectance at around 600 nm is relatively high. Therefore, when external light is incident on the organic EL element having a circularly polarizing plate, there is a problem that it is bluish or reddish.

特に、特定波長帯の透過率を上げた円偏光板の場合、その特定波長帯の反射率も上がるため、コントラストが落ちる、特定波長帯の色味が出るという問題がある
円偏光板表面における反射を防止するために、円偏光板表面にARコートを施す手法もあるが、ARコートも視感度の高い波長555nmの反射率を中心に抑える設計になっているため、上記と同様な問題を抱える。
In particular, in the case of a circularly polarizing plate with increased transmittance in a specific wavelength band, the reflectance of the specific wavelength band also increases, so there is a problem that the contrast is lowered and the color of the specific wavelength band appears. In order to prevent this, there is a method of applying an AR coating to the surface of the circularly polarizing plate. However, since the AR coating is designed to suppress the reflectance at a wavelength of 555 nm with high visibility, it has the same problem as described above. .

本発明はこのような問題点を解決すべく、偏光板を有する有機EL素子および有機EL表示装置において、発光効率をできるだけ落とさずに、外光の反射率を抑えることで、外光下での視認性を高めることを目的とする。   In order to solve such problems, the present invention provides an organic EL element and an organic EL display device having a polarizing plate, and reduces the reflectance of outside light without reducing the luminous efficiency as much as possible. The purpose is to improve visibility.

上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項1に記載した発明に係る有機EL素子は、
光取り出し面側に位置する第1電極と、光取り出し面と反対側に位置する第2電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第1電極の外側に偏光板が設けられた有機EL素子において、
第2電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする。
As means for solving the problems of the background art, the organic EL element according to the invention described in claim 1 is:
An organic EL layer in which an organic light emitting layer is sandwiched between a first electrode located on the light extraction surface side and a second electrode located on the opposite side of the light extraction surface, and a polarizing plate is provided outside the first electrode In the element
The second electrode is characterized by having a semi-transmissive metal layer, a transparent conductive layer, and a reflective metal layer in order from the organic light emitting layer side.

本発明によれば、偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の外光反射率を小さくすることができる。これにより外光下でも良好な視認性を得ることのできる有機EL素子、および有機EL表示装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to reduce the external light reflectance in a wavelength band that cannot be prevented by the polarizing plate alone. Accordingly, it is possible to provide an organic EL element and an organic EL display device that can obtain good visibility even under external light.

光取り出し面側に位置する第1電極と、前記光取り出し面と反対側に位置する第2電極とで挟持されて成り、前記第1電極の外側に偏光板が設けられた有機EL素子および同有機EL素子を有する有機EL表示装置である。   An organic EL element that is sandwiched between a first electrode located on the light extraction surface side and a second electrode located on the opposite side of the light extraction surface, and in which a polarizing plate is provided outside the first electrode, and the same An organic EL display device having an organic EL element.

本発明に係る有機EL素子および同有機EL素子を有する有機EL表示装置は、偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の外光反射率を下げるために、第2電極を有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層の3層で構成している。半透過金属層で反射する光と反射金属層で反射する光がお互い打ち消しあうよう、半透過金属層、透明導電層、反射金属層の膜厚を調整する。そのため、前記偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の入射光は第2電極内で減衰され、良好に外光反射率を小さくすることができる。   The organic EL element according to the present invention and the organic EL display device having the organic EL element are arranged in order from the organic light emitting layer side in order to reduce the external light reflectance in the wavelength band that cannot be prevented by the polarizing plate alone. It consists of three layers, a semi-transmissive metal layer, a transparent conductive layer, and a reflective metal layer. The film thicknesses of the semi-transmissive metal layer, the transparent conductive layer, and the reflective metal layer are adjusted so that the light reflected by the semi-transmissive metal layer and the light reflected by the reflective metal layer cancel each other. Therefore, incident light in a wavelength band that cannot be prevented only by the polarizing plate is attenuated in the second electrode, and the external light reflectance can be satisfactorily reduced.

特に、第2電極の反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離が、<数1>を満たすように設定すると、より良好に入射光を減衰することができる。具体的には消光したい光の波長λにおいて、2つの反射光の位相が反転しており強度が等しいことが理想的である。強度の調整を半透過金属層の膜厚で行い、位相の調整を反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離で行う。従って、半透過金属層の膜厚および光学的距離を適切に設定することが重要である。   In particular, when the optical distance between the reflective metal layer and the semi-transmissive metal layer of the second electrode is set so as to satisfy <Equation 1>, incident light can be attenuated more satisfactorily. Specifically, it is ideal that the phases of the two reflected lights are reversed and the intensities are equal at the wavelength λ of the light to be quenched. The intensity is adjusted by the film thickness of the semi-transmissive metal layer, and the phase is adjusted by the optical distance between the reflective metal layer and the semi-transmissive metal layer. Therefore, it is important to appropriately set the film thickness and optical distance of the semi-transmissive metal layer.

Figure 2008130486
(mは1以上の整数)
Figure 2008130486
(M is an integer of 1 or more)

但し、前記半透過金属層と前記透明導電層界面における反射光の位相シフトおよび前記金属反射層と前記透明導電層界面での反射光の位相シフトの合計をΦ、前記反射金属層と前記半透過金属層との間の光学的距離をL、消光したい光の波長をλとする。   However, the sum of the phase shift of the reflected light at the interface between the semi-transmissive metal layer and the transparent conductive layer and the phase shift of the reflected light at the interface between the metal reflective layer and the transparent conductive layer is Φ, and the reflective metal layer and the semi-transmissive layer Let L be the optical distance to the metal layer and λ be the wavelength of the light to be quenched.

<実施形態1>
本発明に係る有機EL素子の実施形態を図面に基いて説明する。
<Embodiment 1>
An embodiment of an organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明による有機EL素子に関する概略部分拡大断面図を示している。ここで説明する有機EL素子はTFT基板側から光を取り出すボトムエミッション方式である。   FIG. 1 is a schematic partial enlarged sectional view of an organic EL device according to the present invention. The organic EL element described here is a bottom emission type in which light is extracted from the TFT substrate side.

図1に示す有機EL素子は、TFT駆動回路が形成された基板1上に、コンタクトホールが設けられた平坦化膜(図示省略)が形成されている。この平坦化膜上に陽極(第1電極)として透明アノード電極2、有機発光層として正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、陰極(第2電極)として反射カソード電極11が順次形成されている。そして、光取り出し面側の基板1の表面(即ち、第1電極の外側)には偏光板14が設けられており、同偏光板14は直線偏光板12と1/4波長板13とから成る多層構造(円偏光板)とされている。   In the organic EL element shown in FIG. 1, a planarizing film (not shown) provided with a contact hole is formed on a substrate 1 on which a TFT drive circuit is formed. On this flattened film, a transparent anode electrode 2 as an anode (first electrode), a hole injection layer 3 as an organic light emitting layer, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, a cathode ( A reflective cathode electrode 11 is sequentially formed as a second electrode. A polarizing plate 14 is provided on the surface of the substrate 1 on the light extraction surface side (that is, outside the first electrode). The polarizing plate 14 includes a linear polarizing plate 12 and a quarter wavelength plate 13. It has a multilayer structure (circularly polarizing plate).

この有機EL素子は、反射カソード電極11が、半透過金属層8、透明導電層9、金属層10を順次積層した構成であることを特徴としている。   This organic EL element is characterized in that the reflective cathode electrode 11 has a structure in which a semi-transmissive metal layer 8, a transparent conductive layer 9, and a metal layer 10 are sequentially laminated.

ここで、波長400nmの光の反射率を落とすために反射カソード電極11の構成を、
半透過金属層8;Ag 45nm
透明導電層9;ITO 60nm
金属層10;Al 100nm
とする。半透過金属層8と透明導電層9の間の反射光位相シフトおよび透明導電層9と金属層10の間の反射光位相シフトの合計はほぼ4π/5である。従って数1をm=1において成立させるにはL=120となる。光学距離Lは透明導電層9の屈折率と膜厚の積になる。波長400nmにおける透明導電層9の屈折率は2〜2.1前後のため、膜厚は60nmとした。位相シフトおよび反射率の計算等はフレネル係数を用いた光学計算から求められる。
Here, in order to reduce the reflectance of light having a wavelength of 400 nm, the configuration of the reflective cathode electrode 11 is
Semi-transmissive metal layer 8; Ag 45 nm
Transparent conductive layer 9; ITO 60nm
Metal layer 10; Al 100 nm
And The sum of the reflected light phase shift between the semi-transmissive metal layer 8 and the transparent conductive layer 9 and the reflected light phase shift between the transparent conductive layer 9 and the metal layer 10 is approximately 4π / 5. Therefore, L = 120 in order to establish Equation 1 at m = 1. The optical distance L is the product of the refractive index and the film thickness of the transparent conductive layer 9. Since the refractive index of the transparent conductive layer 9 at a wavelength of 400 nm is around 2 to 2.1, the film thickness was set to 60 nm. The calculation of the phase shift and the reflectance is obtained from the optical calculation using the Fresnel coefficient.

上記構成の有機EL素子における有機発光層(n=1.7)から反射カソード電極11に入射した光の反射率を図2に示している。波長400nmでの反射率が47%と低くなっている一方、有機EL素子の発光波長に対応する450〜650nmの波長帯域での反射率は85%以上と高くなっており、高効率な有機EL素子となっていることが分かる。   FIG. 2 shows the reflectance of light incident on the reflective cathode electrode 11 from the organic light emitting layer (n = 1.7) in the organic EL element having the above configuration. While the reflectance at a wavelength of 400 nm is as low as 47%, the reflectance in the wavelength band of 450 to 650 nm corresponding to the emission wavelength of the organic EL element is as high as 85% or more, and a highly efficient organic EL It turns out that it is an element.

なお、有機発光層の各層に用いる材料は従来から知られている有機EL材料を用いることができる。   In addition, the organic EL material known conventionally can be used for the material used for each layer of an organic light emitting layer.

透明アノード電極2の材料としては、正孔の注入を効率よく行うため、仕事関数が大きい材料が好適であり、例えばITO又はIZOなどの透明導電材料が用いられる。   As the material of the transparent anode electrode 2, a material having a large work function is suitable for efficiently injecting holes, and for example, a transparent conductive material such as ITO or IZO is used.

反射カソード電極11の材料としては、電子の注入を効率よく行うため、仕事関数が小さい材料が好適である。金属層8に用いる材料の具体例としては、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、銀、金等の金属、あるいはこれら金属を含む合金が用いられる。   As a material of the reflective cathode electrode 11, a material having a small work function is preferable in order to efficiently inject electrons. Specific examples of the material used for the metal layer 8 include metals such as aluminum, calcium, magnesium, silver, and gold, or alloys containing these metals.

成膜方法に関しては有機材料、電極材料共に従来から知られている手法が用いられ、特に制限されるものではない。   Regarding the film forming method, conventionally known methods are used for both the organic material and the electrode material, and there is no particular limitation.

<比較例1>
比較例1として、反射カソード電極が膜厚100nmのAgで形成されている以外は、実施形態1と同様な有機EL素子を考える。
<Comparative Example 1>
As Comparative Example 1, an organic EL element similar to that of Embodiment 1 is considered except that the reflective cathode electrode is formed of Ag having a thickness of 100 nm.

比較例1における有機発光層(n=1.7)から反射カソード電極であるAgに入射した光の反射率を図2に示しているが、400〜500nmの波長帯域における反射率が上記実施形態1よりも高いことが分かる。   FIG. 2 shows the reflectance of light incident on Ag, which is a reflective cathode electrode, from the organic light emitting layer (n = 1.7) in Comparative Example 1, but the reflectance in the wavelength band of 400 to 500 nm is the above embodiment. It can be seen that it is higher than 1.

また、実施形態1、比較例1の有機EL素子における45度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図3に示している。実施形態1は比較例1よりも400〜500nmの波長帯域における反射率が小さくなっているため、可視光全体の反射率平均も小さくなる。よって実施形態1の有機EL素子は比較例1の有機EL素子に較べて、外光下でも良好な視認性を得ることができる。   FIG. 3 shows a comparison of specular reflection characteristics at an incident angle of 45 degrees in the organic EL elements of Embodiment 1 and Comparative Example 1. Since Embodiment 1 has a smaller reflectance in the wavelength band of 400 to 500 nm than Comparative Example 1, the average reflectance of the entire visible light is also smaller. Therefore, compared with the organic EL element of Comparative Example 1, the organic EL element of Embodiment 1 can obtain good visibility even under external light.

<実施形態2>
図4は本発明による有機EL表示装置に関する概略部分拡大断面図を示している。ここで説明する有機EL表示装置はガラス板(封止部材)側から光を取り出すトップエミッッション方式である。
<Embodiment 2>
FIG. 4 shows a schematic partial enlarged sectional view of the organic EL display device according to the present invention. The organic EL display device described here is a top emission type in which light is extracted from the glass plate (sealing member) side.

図4に示す有機EL表示装置は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の発光色を呈する有機EL素子212R、212G、212Bを有する。なお、本実施形態では、各色の有機EL素子212R、212G、212Bを本発明に係る有機EL素子で構成したが、少なくとも青色の発光色を呈する有機EL素子212Bを本発明に係る有機EL素子で構成すればよい。   The organic EL display device illustrated in FIG. 4 includes organic EL elements 212R, 212G, and 212B that emit red (R), green (G), and blue (B) emission colors. In the present embodiment, the organic EL elements 212R, 212G, and 212B of the respective colors are configured by the organic EL elements according to the present invention. However, the organic EL element 212B that exhibits at least a blue emission color is the organic EL element according to the present invention. What is necessary is just to comprise.

具体的に云うと、TFT駆動回路が形成された基板21上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜(図示省略)が形成されている。この平坦化膜上に、陽極(第2電極)として反射アノード電極26、有機発光層として正孔輸送層27、発光層28R(28G、28B)、電子輸送層29、電子注入層210、陰極(第1電極)として透明カソード電極211、保護層213が形成されている。そして、透明カソード電極211の外側には青透過偏光板217が形成されており、同青透過偏光板217は1/4波長板215と直線偏光板216とから成る多層構造(円偏光板)とされている。ちなみに、青透過円偏光板とは、通常の円偏光板に較べて青波長領域での透過率が高いものをいう。   More specifically, a planarization film (not shown) provided with contact holes is formed on the substrate 21 on which the TFT drive circuit is formed. On this flattened film, a reflective anode 26 as an anode (second electrode), a hole transport layer 27 as an organic light emitting layer, a light emitting layer 28R (28G, 28B), an electron transport layer 29, an electron injection layer 210, a cathode ( A transparent cathode electrode 211 and a protective layer 213 are formed as a first electrode). A blue transmissive polarizing plate 217 is formed outside the transparent cathode electrode 211. The blue transmissive polarizing plate 217 has a multilayer structure (circular polarizing plate) including a quarter-wave plate 215 and a linear polarizing plate 216. Has been. Incidentally, a blue transmissive circularly polarizing plate is one having a higher transmittance in the blue wavelength region than a normal circularly polarizing plate.

この有機EL表示装置は、反射アノード電極26が金属層22、透明導電層23、半透過金属層24、透明導電層25を順次積層した構成であることを特徴としている。なお、本実施形態の反射アノード電極26は、正孔注入性の観点から透明導電層25を形成している。   This organic EL display device is characterized in that the reflective anode 26 has a structure in which a metal layer 22, a transparent conductive layer 23, a semi-transmissive metal layer 24, and a transparent conductive layer 25 are sequentially laminated. In addition, the reflective anode electrode 26 of this embodiment forms the transparent conductive layer 25 from a viewpoint of hole injection property.

ここで、反射アノード電極26の構成を、
金属層22;Al 100nm
透明導電層23;ITO 60nm
半透過金属層24;Ag 40nm
透明導電層25;IZO 20nm
とする。このとき、正孔の注入効率を上げるために有機発光層と接するアノード材料にはIZOを用いる。透明導電層23の膜厚は実施例1と同様にして求めた。
Here, the configuration of the reflective anode electrode 26 is
Metal layer 22; Al 100 nm
Transparent conductive layer 23; ITO 60nm
Semi-transmissive metal layer 24; Ag 40 nm
Transparent conductive layer 25; IZO 20 nm
And At this time, IZO is used as the anode material in contact with the organic light emitting layer in order to increase the hole injection efficiency. The film thickness of the transparent conductive layer 23 was determined in the same manner as in Example 1.

上記構成の有機EL素子における有機発光層(n=1.7)から反射アノード電極26に入射した光の反射率を図5に示している。波長400nmでの反射率が20%と低くなっている一方、450〜650nmの波長帯域での反射率は75%以上になっており、高効率な有機EL表示装置となっていることが分かる。   FIG. 5 shows the reflectance of light incident on the reflective anode electrode 26 from the organic light emitting layer (n = 1.7) in the organic EL element having the above configuration. While the reflectance at a wavelength of 400 nm is as low as 20%, the reflectance at a wavelength band of 450 to 650 nm is 75% or more, which indicates that the organic EL display device is highly efficient.

<比較例2>
比較例2として、反射アノード電極が膜厚100nmのAgと膜厚20nmのIZOとから成り、有機発光層、透明カソード電極、保護層は実施形態2と同様の有機EL表示装置を考える。
<Comparative example 2>
As Comparative Example 2, an organic EL display device in which the reflective anode electrode is made of Ag having a thickness of 100 nm and IZO having a thickness of 20 nm, and the organic light emitting layer, the transparent cathode electrode, and the protective layer are the same as in the second embodiment is considered.

比較例2における有機発光層(n=1.7)からの反射アノード電極に入射した光の反射率を図5に示しているが、400〜500nmの波長帯域における反射率が実施形態2よりも高いことが分かる。   FIG. 5 shows the reflectance of light incident on the reflective anode electrode from the organic light emitting layer (n = 1.7) in Comparative Example 2, but the reflectance in the wavelength band of 400 to 500 nm is higher than that in the second embodiment. I understand that it is expensive.

また、実施形態2、比較例2の有機EL表示装置における45度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図6に示している。実施形態2では青波長帯域での透過率が高い青透過円偏光板を用いているため、通常の円偏光板よりも青波長帯域での反射が大きくなっている。この時の反射光のCIE色度座標は実施形態2が(0.24、0.24)、比較例2が(0.23、0.22)であった。つまり、実施形態2では、青透過円偏光板を用いた場合の反射光の青色味が改善されているのが分かる。   FIG. 6 shows a comparison of specular reflection characteristics at an incident angle of 45 degrees in the organic EL display device of Embodiment 2 and Comparative Example 2. In Embodiment 2, since a blue transmissive circularly polarizing plate having a high transmittance in the blue wavelength band is used, reflection in the blue wavelength band is larger than that of a normal circularly polarizing plate. The CIE chromaticity coordinates of the reflected light at this time were (0.24, 0.24) in the second embodiment and (0.23, 0.22) in the second comparative example. That is, in Embodiment 2, it turns out that the blue color of the reflected light at the time of using a blue transmissive circularly-polarizing plate is improved.

しかも、実施形態2は比較例2よりも400〜500nmの波長帯域における反射率が小さくなっているため、視感反射率(Y刺激値)も小さい。よって実施形態2の有機EL表示装置は比較例2の有機EL表示装置に較べて、外光下でも良好な視認性を得ることができる。   Moreover, since the reflectance in the wavelength band of 400 to 500 nm is smaller in the second embodiment than in the second comparative example, the luminous reflectance (Y stimulus value) is also smaller. Therefore, the organic EL display device of Embodiment 2 can obtain better visibility even under external light than the organic EL display device of Comparative Example 2.

<実施形態3>
本発明による実施形態3として、実施形態2と同様な構成であるが、反射アノード電極における各層の膜厚が異なる有機EL表示装置を示す(図示省略)。
<Embodiment 3>
As Embodiment 3 of the present invention, an organic EL display device having the same configuration as that of Embodiment 2 but having a different thickness of each layer in the reflective anode electrode is shown (not shown).

上記実施形態2と同様にして、光取り出し面とは反対側に位置する反射アノード電極26が金属層22、透明導電層23、半透過金属層24、透明導電層25を順次積層した構成とされている。   As in the second embodiment, the reflective anode 26 located on the side opposite to the light extraction surface is configured by sequentially laminating the metal layer 22, the transparent conductive layer 23, the semi-transmissive metal layer 24, and the transparent conductive layer 25. ing.

ここで、各層の膜厚を、
金属層22;Al 100nm
透明導電層23;ITO 70nm
半透過金属層24;Ag 15nm
とする。青波長帯における反射率を抑えるために、波長450nm前後を消光波長とする。半透過金属層24と透明導電層23の間の反射光位相シフトおよび透明導電層23と金属層22の間の反射光位相シフトの合計はほぼ11π/15である。従って数1をm=1において成立させるにはL=142.5となる。波長450nmにおける透明導電層23の屈折率は2〜2.1前後のため、膜厚は70nmとした。
Here, the film thickness of each layer is
Metal layer 22; Al 100 nm
Transparent conductive layer 23; ITO 70nm
Transflective metal layer 24; Ag 15 nm
And In order to suppress the reflectance in the blue wavelength band, the wavelength around 450 nm is set as the extinction wavelength. The sum of the reflected light phase shift between the semi-transmissive metal layer 24 and the transparent conductive layer 23 and the reflected light phase shift between the transparent conductive layer 23 and the metal layer 22 is approximately 11π / 15. Therefore, L = 142.5 in order to establish Equation 1 at m = 1. Since the refractive index of the transparent conductive layer 23 at a wavelength of 450 nm is around 2 to 2.1, the film thickness was set to 70 nm.

上記構成の有機EL表示装置における有機発光層(n=1.7)から反射カソード電極11に入射した光の反射率を図7に示している。実施形態3は青透過円偏光板を用いた時の青色味を完全に消す構成としているため、青波長帯における反射率が抑えられている。実施形態1,2に較べて、本実施形態は反射率の低い領域が広帯域化している。これは半透過金属層の膜厚が薄いために、半透過金属層での反射率が低くなっているためである。   FIG. 7 shows the reflectance of light incident on the reflective cathode electrode 11 from the organic light emitting layer (n = 1.7) in the organic EL display device having the above configuration. Since Embodiment 3 is configured to completely eliminate the blue color when using a blue transmissive circularly polarizing plate, the reflectance in the blue wavelength band is suppressed. Compared with the first and second embodiments, this embodiment has a wide band in a region with low reflectivity. This is because the transmissivity of the semi-transmissive metal layer is low because the thickness of the semi-transmissive metal layer is thin.

また、実施形態3、比較例2の有機EL表示装置における45度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図8に示している。この時の反射光のCIE色度座標は実施形態3が(0.33,0.35)、比較例2が(0.23,0.22)であった。よって、実施形態3では青透過円偏光板を用いた場合の反射光の青色味が完全に消えており、視感反射率(Y刺激値)も比較例2に比べて小さい。従って、実施形態3の有機EL表示装置は外光下でも良好な視認性を得ることができる。   FIG. 8 shows a comparison of regular reflection characteristics at an incident angle of 45 degrees in the organic EL display device of Embodiment 3 and Comparative Example 2. The CIE chromaticity coordinates of the reflected light at this time were (0.33, 0.35) in Embodiment 3 and (0.23, 0.22) in Comparative Example 2. Therefore, in Embodiment 3, the blueness of the reflected light when the blue transmissive circularly polarizing plate is used is completely eliminated, and the luminous reflectance (Y stimulus value) is also smaller than that of Comparative Example 2. Therefore, the organic EL display device of Embodiment 3 can obtain good visibility even under external light.

以上、実施形態により本発明を説明し、比較例を挙げながら本発明の効果を示した。ただし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では光取り出し面側の電極を透明電極としてきたが、金属薄膜を光取り出し面側の電極に用いてもよい。   As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments, and the effects of the present invention have been shown while giving comparative examples. However, the present invention is not limited to the above embodiment. In the above embodiment, the light extraction surface side electrode is a transparent electrode, but a metal thin film may be used as the light extraction surface side electrode.

また、本発明は複数の金属層と複数の透明導電層を順次積層した構成でも同様な効果を得ることができる。偏光板に関しては、1/4波長板と直線偏光板からなる円偏光板を用いて説明したが、偏光板が1/4波長板と直線偏光板との組み合わせに制限されるわけではない。実際、実施形態2および実施形態3では青の波長帯域である400〜500nmでの透過率が通常の円偏光板よりも大きい、青透過円偏光板を用いている。但し、400〜500nmの波長帯域における透過率の極大値が50%以上で、500〜600nmの波長帯域における透過率の極小値が50%未満の円偏光板を青透過円偏光板とした。図9に透過率特性を示しているが、青透過円偏光板の400〜500nmの波長帯域における透過率の極大値は50%以上であるが、通常の円偏光板は50%未満である。   Further, the present invention can obtain the same effect even in a configuration in which a plurality of metal layers and a plurality of transparent conductive layers are sequentially laminated. The polarizing plate has been described using a circularly polarizing plate composed of a quarter-wave plate and a linear polarizing plate, but the polarizing plate is not limited to a combination of a quarter-wave plate and a linear polarizing plate. Actually, in the second and third embodiments, a blue transmissive circularly polarizing plate is used, which has a higher transmittance in a blue wavelength band of 400 to 500 nm than a normal circularly polarizing plate. However, a circularly polarizing plate having a maximum transmittance of 50% or more in the wavelength band of 400 to 500 nm and a minimum transmittance of less than 50% in the wavelength band of 500 to 600 nm was defined as a blue transmitting circularly polarizing plate. Although the transmittance characteristics are shown in FIG. 9, the maximum value of the transmittance in the wavelength band of 400 to 500 nm of the blue transmissive circularly polarizing plate is 50% or more, but the normal circularly polarizing plate is less than 50%.

更に、複数の有機EL素子が積層されたマルチフォトン構成や多段階積層構成に対しても本発明は実施可能である。   Furthermore, the present invention can be implemented for a multi-photon configuration in which a plurality of organic EL elements are stacked or a multi-step stacked configuration.

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.

<実施例1>
実施形態1と同様のボトムエミッション方式の青色有機EL素子を以下に示す方法で作成した。
<Example 1>
A bottom emission type blue organic EL element similar to that of Embodiment 1 was prepared by the following method.

TFT駆動回路が形成された基板1上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜(図示省略)を形成した。この上に透明アノード電極2としてIZOをスパッタリング法により60nmの膜厚で形成しパターニングした。次に、アクリル樹脂により素子分離膜(図示省略)を形成し陽極付き基板を作成した。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥させた。   A planarizing film (not shown) provided with contact holes was formed on the substrate 1 on which the TFT drive circuit was formed. On this, IZO was formed as a transparent anode electrode 2 with a film thickness of 60 nm by sputtering and patterned. Next, an element separation film (not shown) was formed from an acrylic resin to prepare a substrate with an anode. This was ultrasonically washed with isopropyl alcohol (IPA), then boiled and dried.

さらに、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成した。   Further, after UV / ozone cleaning, an organic compound was formed by vacuum deposition.

すなわち、正孔注入層3として、Cu配位のフタロシニアン(以下、CuPc)を10nmの膜厚で形成した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secであった。 That is, as the hole injection layer 3, Cu-coordinated phthalocyanine (hereinafter referred to as CuPc) was formed to a thickness of 10 nm. The degree of vacuum at this time was 1 × 10 −4 Pa, and the deposition rate was 0.2 nm / sec.

正孔輸送層4として、α−NPDを20nmの膜厚で形成した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secであった。 As the hole transport layer 4, α-NPD was formed to a thickness of 20 nm. The degree of vacuum at this time was 1 × 10 −4 Pa, and the deposition rate was 0.2 nm / sec.

発光層5として、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneとを共蒸着(重量比90:10)して20nmの膜厚で形成した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secであった。 The light emitting layer 5 was formed with a film thickness of 20 nm by co-evaporating Balq and a light emitting compound Perylene as a host (weight ratio 90:10). The degree of vacuum at this time was 1 × 10 −4 Pa, and the deposition rate was 0.2 nm / sec.

電子輸送層6として、バソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件であった。 As the electron transport layer 6, bathophenanthroline (Bphen) was formed with a film thickness of 10 nm by a vacuum deposition method. The degree of vacuum during vapor deposition was 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate was 0.2 nm / sec.

電子注入層7として、BphenとCs2CO3とを共蒸着(重量比90:10)して30nmの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は3×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件であった。 As the electron injection layer 7, Bphen and Cs 2 CO 3 were co-evaporated (weight ratio 90:10) to form a film thickness of 30 nm. The degree of vacuum during vapor deposition was 3 × 10 −4 Pa, and the film formation rate was 0.2 nm / sec.

半透過金属層8として、銀(Ag)を45nmの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は、0.2nm/secの条件であった。そして、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明導電層9としてITOの透明電極を60nmの膜厚で形成した。さらに金属層10として、Alを100nmの膜厚で形成し、反射カノード電極11とした。 As the semi-transmissive metal layer 8, silver (Ag) was formed with a film thickness of 45 nm. The degree of vacuum during vapor deposition was 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate was 0.2 nm / sec. And it moved to the sputtering device without breaking the vacuum, and an ITO transparent electrode with a film thickness of 60 nm was formed as the transparent conductive layer 9. Further, as the metal layer 10, Al was formed with a film thickness of 100 nm to form a reflective canode electrode 11.

金属缶(図示省略)封止を行った後に、光取り出し面側の基板1の表面に円偏光板14を貼り付け所望の有機EL素子を得た。   After sealing a metal can (not shown), a circularly polarizing plate 14 was attached to the surface of the substrate 1 on the light extraction surface side to obtain a desired organic EL element.

<実施例2>
実施形態2と同様のトップエミッション方式のRGB有機EL素子を有する有機EL表示装置を以下に示す方法で作成した。
<Example 2>
An organic EL display device having a top emission type RGB organic EL element similar to that of Embodiment 2 was produced by the method described below.

TFT駆動回路が形成された基板21上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜(図示省略)を形成した。   A planarizing film (not shown) provided with contact holes was formed on the substrate 21 on which the TFT drive circuit was formed.

この上に金属層22として、Alをスパッタリング法にて100nmの膜厚で形成しパターニングした。透明導電層23として、ITOをスパッタリング法にて50nmの膜厚で形成しパターニングした。半透過金属層24として、Agをスパッタリング法にて35nmの膜厚で形成し、さらに透明導電層25として、IZOをスパッタリング法にて20nmの膜厚で形成してパターニングすることで、反射アノード電極26を形成した。   On this, Al was formed with a film thickness of 100 nm by sputtering as the metal layer 22 and patterned. As the transparent conductive layer 23, ITO was formed by sputtering to a thickness of 50 nm and patterned. As the semi-transmissive metal layer 24, Ag is formed with a film thickness of 35 nm by a sputtering method, and further, as the transparent conductive layer 25, IZO is formed with a film thickness of 20 nm by a sputtering method and patterned, so that a reflective anode electrode is formed. 26 was formed.

次に、アクリル樹脂により素子分離膜(図示省略)を形成し陽極付き基板を作成した。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥させた。   Next, an element separation film (not shown) was formed from an acrylic resin to prepare a substrate with an anode. This was ultrasonically washed with isopropyl alcohol (IPA), then boiled and dried.

さらに、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成した。   Further, after UV / ozone cleaning, an organic compound was formed by vacuum deposition.

すなわち、共通の正孔輸送層27として、α−NPDを25nmの膜厚で形成した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secであった。 That is, α-NPD was formed as a common hole transport layer 27 with a film thickness of 25 nm. The degree of vacuum at this time was 1 × 10 −4 Pa, and the deposition rate was 0.2 nm / sec.

発光層28として、シャドーマスクを用いて、RGBそれぞれの発光層を形成した。   As the light emitting layer 28, RGB light emitting layers were formed using a shadow mask.

Rの発光層28Rとしては、ホストとしてAlq3と、
発光性化合物DCM [4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran]と、
を共蒸着(重量比99:1)して50nmの膜厚で形成した。
As the R light emitting layer 28R, Alq3 as a host,
Luminescent compound DCM [4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6 (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran],
Were co-evaporated (weight ratio 99: 1) to form a film with a thickness of 50 nm.

Gの発光層28Gとしては、ホストとしてAlq3と、発光性化合物クマリン6とを共蒸着(重量比99:1)して35nmの膜厚で形成した。   The G light-emitting layer 28G was formed to have a film thickness of 35 nm by co-evaporating Alq3 as a host and the light-emitting compound coumarin 6 (weight ratio 99: 1).

Bの発光層28Bとしては、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneとを共蒸着(重量比90:10)して20nmの膜厚で形成した。   The B light-emitting layer 28B was formed to a thickness of 20 nm by co-evaporating Balq and a light-emitting compound Perylene as a host (weight ratio 90:10).

この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secであった。 The degree of vacuum at this time was 1 × 10 −4 Pa, and the deposition rate was 0.2 nm / sec.

共通の電子輸送層29として、バソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件であった。 As the common electron transport layer 29, bathophenanthroline (Bphen) was formed to a thickness of 10 nm by a vacuum deposition method. The degree of vacuum during vapor deposition was 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate was 0.2 nm / sec.

共通の電子注入層210として、BphenとCs2CO3とを共蒸着(重量比90:10)して20nmの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は3×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件であった。 As a common electron injection layer 210, Bphen and Cs 2 CO 3 were co-evaporated (weight ratio 90:10) and formed to a thickness of 20 nm. The degree of vacuum during vapor deposition was 3 × 10 −4 Pa, and the film formation rate was 0.2 nm / sec.

そして、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明カソード電極211としてIZOを60nmの膜厚で形成した。さらに保護膜213として、窒化酸化シリコンを700nmの膜厚で形成した。   And it moved to the sputtering device without breaking the vacuum, and IZO was formed with a film thickness of 60 nm as the transparent cathode electrode 211. Further, as the protective film 213, silicon nitride oxide was formed with a thickness of 700 nm.

続いて、保護層213まで形成した基板をスパッタ装置より取り出し、前記保護層213上に厚さ500umのアクリル樹脂(図示省略)を、さらに前記のアクリル樹脂層の上に厚さ700umのガラス板214をそれぞれ張り合わせた。   Subsequently, the substrate formed up to the protective layer 213 is taken out from the sputtering apparatus, an acrylic resin (not shown) having a thickness of 500 μm is formed on the protective layer 213, and a glass plate 214 having a thickness of 700 μm is further formed on the acrylic resin layer. Were pasted together.

そして前記ガラス板214上に青透過円偏光板217を貼り付け、所望の有機EL表示装置を得た。   Then, a blue transmissive circularly polarizing plate 217 was attached on the glass plate 214 to obtain a desired organic EL display device.

<実施例3>
実施形態3と略同様のトップエミッション方式のRGB有機EL素子を有する有機EL表示装置を作成した。
<Example 3>
An organic EL display device having an RGB organic EL element of the top emission type substantially the same as that of Embodiment 3 was produced.

本実施例は実施例2と同様な構造をしているため、作成手順も同様である。但し、反射アノード電極26を、透明導電層23としてITOを70nmの膜厚で、半透過金属層24としてAgを15nmの膜厚で形成した。透明導電層23及び半透過金属層24の膜厚が異なることを除けば、作成方法、材料、膜厚は実施例2と同様にすることで、所望の有機EL表示装置を得た。   Since the present embodiment has the same structure as that of the second embodiment, the creation procedure is the same. However, the reflective anode 26 was formed with a thickness of 70 nm as the transparent conductive layer 23 and with a thickness of 15 nm as the semi-transmissive metal layer 24. Except that the film thicknesses of the transparent conductive layer 23 and the semi-transmissive metal layer 24 are different, the production method, material, and film thickness are the same as those in Example 2 to obtain a desired organic EL display device.

本発明に係る有機EL素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the organic EL element which concerns on this invention. 実施形態1と比較例1との電極反射率の比較図である。It is a comparison figure of the electrode reflectance of Embodiment 1 and comparative example 1. 実施形態1と比較例1との正反射特性の比較図である。It is a comparison figure of the regular reflection characteristic of Embodiment 1 and the comparative example 1. FIG. 本発明に係る有機EL表示装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display device according to the present invention. 実施形態2と比較例2との電極反射率の比較図である。It is a comparison figure of the electrode reflectance of Embodiment 2 and comparative example 2. 実施形態2と比較例2との正反射特性の比較図である。It is a comparison figure of the regular reflection characteristic of Embodiment 2 and the comparative example 2. FIG. 実施形態3と比較例2との電極反射率の比較図である。It is a comparison figure of the electrode reflectance of Embodiment 3 and comparative example 2. 実施形態3と比較例2との正反射特性の比較図である。It is a comparison figure of the regular reflection characteristic of Embodiment 3 and the comparative example 2. FIG. 円偏光板の透過率の比較図である。It is a comparison figure of the transmittance | permeability of a circularly-polarizing plate.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 透明アノード電極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 半透過金属層
9 透明導電層
10 金属層
11 反射カソード電極
12 直線偏光板
13 1/4波長板
14 円偏光板
21 基板
22 金属層
23 透明導電層
24 半透過金属層
25 透明導電層
26 反射アノード電極
27 正孔輸送層
28 発光層
29 電子輸送層
210 電子注入層
211 透明カソード電極
212 有機EL素子
213 保護層
214 ガラス板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Transparent anode electrode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Electron transport layer 7 Electron injection layer 8 Transflective metal layer 9 Transparent conductive layer 10 Metal layer 11 Reflective cathode electrode 12 Linearly polarizing plate 13 1 / Four-wavelength plate 14 Circularly polarizing plate 21 Substrate 22 Metal layer 23 Transparent conductive layer 24 Transflective metal layer 25 Transparent conductive layer 26 Reflective anode electrode 27 Hole transport layer 28 Light emitting layer 29 Electron transport layer 210 Electron injection layer 211 Transparent cathode electrode 212 Organic EL element 213 Protective layer 214 Glass plate

Claims (5)

光取り出し面側に位置する第1電極と、光取り出し面と反対側に位置する第2電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第1電極の外側に偏光板が設けられた有機EL素子において、
第2電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする、有機EL素子。
An organic EL layer in which an organic light emitting layer is sandwiched between a first electrode located on the light extraction surface side and a second electrode located on the opposite side of the light extraction surface, and a polarizing plate is provided outside the first electrode In the element
The second electrode is configured to include a semi-transmissive metal layer, a transparent conductive layer, and a reflective metal layer in order from the organic light emitting layer side.
反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離は、
Figure 2008130486
(mは1以上の整数)
(但し、前記半透過金属層と前記透明導電層界面における反射光の位相シフトおよび前記金属反射層と前記透明導電層界面での反射光の位相シフトの合計をΦ、前記反射金属層と前記半透過金属層との間の光学的距離をL、消光したい光の波長をλとする。)
を満たすように設定されていることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL素子。
The optical distance between the reflective metal layer and the transflective metal layer is
Figure 2008130486
(M is an integer of 1 or more)
(However, the sum of the phase shift of the reflected light at the interface between the semitransparent metal layer and the transparent conductive layer and the phase shift of the reflected light at the interface between the metal reflective layer and the transparent conductive layer is Φ, (The optical distance between the transparent metal layer is L, and the wavelength of light to be quenched is λ.)
The organic EL element according to claim 1, wherein the organic EL element is set so as to satisfy.
偏光板は多層構造からなることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the polarizing plate has a multilayer structure. 偏光板は1/4波長板と直線偏光板からなることを特徴とする、請求項3に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 3, wherein the polarizing plate comprises a ¼ wavelength plate and a linear polarizing plate. 複数個の有機EL素子を有し、二色以上の発光色を呈する有機EL表示装置において、
選択された発光色を呈する有機EL素子は、光取り出し面側に位置する第1電極と、光取り出し面と反対側に位置する第2電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第1電極の外側に偏光板が設けられていること、
前記有機EL素子の第2電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする、有機EL表示装置。
In an organic EL display device having a plurality of organic EL elements and exhibiting two or more emission colors,
The organic EL element exhibiting the selected emission color is formed by sandwiching an organic light emitting layer between a first electrode located on the light extraction surface side and a second electrode located on the opposite side of the light extraction surface. A polarizing plate is provided outside the electrode;
The organic EL display device, wherein the second electrode of the organic EL element includes a semi-transmissive metal layer, a transparent conductive layer, and a reflective metal layer in order from the organic light emitting layer side.
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