JP3553513B2 - Automotive electronic circuit devices - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車用の電子回路装置のパッケージ構造に係り、例えば自動車のエンジンルーム、トランスミッション等に装着され、エンジン、自動変速機等の制御を行う電子回路装置などに好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば、自動車の自動変速機の制御を電子回路で行う方式は広く採用されている。その電子回路の実装構造は各種ある。トランスミッション直付けの電子回路装置では、水、油等の浸入で電子回路がダメージを受けないように、装着場所の選定し、また、それらが浸入しないような構造がとられている。
【0003】
その構造の一例として、金属のベースに電子回路基板を装着し、このベースとカバーを抵抗溶接、レーザ溶接する等して電子回路装置内部を気密的に封止するとともに、窒素等の不活性ガスを封入する、いわゆるハーメチックシール構造が知られている。
【0004】
この構造では、電子回路の入出力端子をベースに設けたスルーホールを通して外部に引き出し、スルーホールは、絶縁抵抗の高いガラスで封止される。したがって、ベース、ガラス、端子の線膨張係数を最適に選定する必要がある。すなわち数100℃〜1000℃の高温でガラスを融解し、常温に戻したときに前記三者の部品間で、お互いに残留圧縮応力が作用するようにする必要があるためである。
【0005】
これらの材質は限定され、例えば封止材料にソーダ・バリウムガラスを用いたとき、ベース材質としては鋼板、端子は鉄ニッケル合金(鉄50%−ニッケル50%)の組み合わせとなる。
【0006】
このため▲1▼高温での酸化防止が必要で、ベースは溶融温度の高いニッケルメッキ等が必要となる。▲2▼また前記溶接ではカバーの組み合わせ材質が限定され、ベースと同じ鋼板が使用される。電子回路に発熱素子が多い場合には、放熱し易くするためベース材質としてはアルミ、銅等が好適であるが、上記したように鋼板を使用せざるを得ず、鋼板では放熱性が悪い。
【0007】
▲3▼さらには抵抗溶接ではベースとカバーとの電気的接触抵抗が均一となるよう、両者の平面度精度を高くする必要がある等、コストアップ要因がある。
【0008】
▲4▼レーザ溶接では、前記ベースに施したニッケルメッキの厚さのばらつきが溶接に影響し、溶接部分のビードが露出する。それによる錆発生を防止するための保護コーティングが必要である。▲5▼外観では確実に溶接の良否判定を行うことが難しく、気密性を確認するためにはヘリウムガスを用いたチェック法、不活性液体中に入れて気泡の発生有無をチェックするバブルリークチェック法等が必要であった。
【0009】
上記した諸々の点を改善するために、電子回路素子を搭載した回路基板を熱伝導のよい材質で製作したベースに接着し、このベースの片面を露出しつつ、回路基板及びベースをエポキシ樹脂(モールド樹脂)で封止するパッケージ技術が提案されている。
【0010】
しかしながら、この場合、例えば電子回路素子としてシリコンチップを使用し、回路基板として前記シリコンチップに近似した線膨張係数を有するガラス・セラミック基板を用い、これらの部材をエポキシ樹脂で封止する構造においては、次のような課題があった。
【0011】
すなわち、前記回路基板やベースを埋設するエポキシ樹脂のモールド工程(トランスファモールド工程)時に、そのモールド樹脂(エポキシ樹脂)を硬化工程を経て型から取出した後の冷却中に、エポキシ樹脂の硬化収縮と前記基板やベースに対する線膨張係数差とによって、エポキシ樹脂と基板やベースとの境界面で剥離、または樹脂クラックが生じる。
【0012】
これは、モールド成形時におけるエポキシ樹脂等価線膨張係数(エポキシ樹脂等価線膨張係数は、そのモールド樹脂が型から取り出されて室温に冷却されるまでの成形温度時の樹脂の化学的収縮と、成形温度〜ガラス転移温度Tgまでの線膨張係数α1と、ガラス転移温度Tg〜室温までの線膨張係数α2とを合成したものであり、常温の線膨張係数に比べて約4倍の値である)がベースのそれより大きく、かつ基板の線膨張係数もベースよりさらに小さいため、基板に密着したエポキシ樹脂の収縮応力によって基板とベースとが反り、密着されていないエポキシ樹脂の部分、または密着力の弱い部分に引張り応力が働き、境界面で剥離が発生するものである。
【0013】
この剥離をなくすために、例えばベースの端面部分に密着性のよい皮膜処理を形成すると、境界面付近のエポキシ樹脂にクラックが発生してしまう問題があった。
【0014】
その対策として、硬化収縮が少なく、かつ線膨張係数の小さいエポキシ樹脂を使用する、あるいは前記ベースの端面に線膨張係数差を吸収する柔軟な樹脂コーティング処理を施す、等が考えられる。しかしながらいずれもコストアップが避けられず、安価な構造が望まれていた。
【0015】
なお、従来の公知技術には、例えば特開平7−240493号公報のように半導体素子をリードフレームに搭載してこれらの部品をモールド樹脂中に埋設してパッケージ化したものや、特開平1−205556号公報のようにICチップとそのマウント部材および放熱板をパッケージ化したものがある。これらの従来技術は、電子回路基板やそのベースまでをもモールド樹脂でパッケージしようとするものではない。ICパッケージや半導体素子よりもはるかに面積の大きい電子回路基板やベースまでも一つのモールド樹脂で実装してしまうという技術は、新たな試みである。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
そして、その新たな実装技術を実現するにあたって、上記したように回路基板やベースの面積の大きさ故にそれを包むエポキシ樹脂(モールド樹脂)の収縮応力が大きくなり、それにより回路基板やエポキシ樹脂間の境界面で剥離が発生するといった課題が新たに生じた。
【0017】
本発明の目的は、上記したような新たな実装技術、すなわち電子回路基板やそのリードフレーム(ベース)までをもモールド樹脂によりパッケージ化する場合に、上記課題を低コストでしようとするものである。そして、放熱性、防水性に優れ、しかも熱応力によるモールド樹脂と回路基板,ベースとの剥離やクラックのない、安価な自動車用電子回路装置を提供しようとするものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、基本的には次のように構成する。
【0019】
すなわち、本発明は、電子回路素子を載置した回路基板からなる電子回路と、前記電子回路を搭載するリードフレームと、前記リードフレームの一部に設けられたフランジ部と、リードとを備え、前記電子回路とリードとが電気的に接続され、このリード及び前記フランジの一部を除いて前記回路基板,リードフレーム,リード,フランジが一括してモールド樹脂に埋設され、かつ前記リードフレームの中央付近の上面に前記回路基板より小面積で該回路基板の中央部を支持する突起が形成され、前記突起に前記回路基板の中央部裏面が接着される基板支持構造をなしている。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を図1〜図15に示す。
図1は本実施例に係る自動車用電子回路装置(コントロールユニット)1の平面図、図2及び図3はその見る方向を変えた一部断面側面図である。
【0021】
フランジ部2cを有するリードフレーム2に、回路素子5および回路基板6からなる電子回路4が搭載されている。この搭載は、回路基板6をリードフレーム2上に接着することで行われる。その接着態様については後述する。
【0022】
2aはリードフレーム2の一部を切り離して形成されたリード(端子)である。リード2aと外部の接続対象物(図示せず)を電気的に接続する場合には、リード2aが外部対象物のハーネス・コネクタ、またはハーネス端子に溶接等で接続される。
【0023】
電子回路4とリード2aとは、熱圧着,超音波等のワイヤボンディング法でアルミ細線8を介して電気的に接続されている。
【0024】
電子回路4をリードフレーム2上に搭載し、電子回路4とリード2aとを接続した後、これらの部品(回路素子5,回路基板6,リードフレーム2,リード2a)を一括してモールド樹脂(以下、封止樹脂と称する)3中にリード2aの一部やフランジ2cの一部を除いて埋設する。
【0025】
封止樹脂3は、トランスファモールド成形によって製作する。トランスファモールド成形は、一般に封止樹脂としてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用する方法で、粉末を圧縮成形したタブレット状のエポキシ樹脂を、型内で所定の温度、圧力を印加することにより融解および固化させるものである。LSI(大規模集積回路)等のチップのパッケージとして広く採用されている。
【0026】
封止樹脂3は、とくに低線膨張係数の樹脂とし、内部部品を全体的に包む。また、樹脂3は、内部部品との密着力を常に保持するため、また、はんだ付け部や半導体チップと基板との細線ワイヤボンディング接続部等に熱応力によっての剥れ及び断線が生じないようにするため、最適な物性値が選定される。
【0027】
自動車用の電子回路装置は、使用時の熱応力繰返しにより、樹脂3とリード2a,リードフレーム2とのそれぞれの密着界面からの水,油等の浸入が懸念される。その点については、リード2aおよびリードフレーム2と封止樹脂3との線膨張係数差を極力小さくし、それら部材間での熱応力を低減したり、リード2aおよびリードフレーム2に特殊な表面処理(例えばアルミキレート処理)を施し、樹脂と部材との境界部分で共有結合させる手法により解決可能である。
【0028】
リード2aおよびリードフレーム2は熱伝導の良い銅、または銅系の合金材が選定される。回路基板6はセラミック、ガラス・セラミック、エポキシ・ガラス板等、適宜の材質が選定され、所定の回路パターンが形成されている。
【0029】
図4は本実施例に係る電子回路装置の要部断面図であり、図3に対応するものである。
【0030】
図4に示すように、リードフレーム2の中央付近の上面には、回路基板6より小面積で該回路基板6の中央部のみを支持する突起7が形成され、突起7に回路基板6の中央部裏面が接着される基板支持構造をなしている。
【0031】
回路基板6には、図示されない配線パターンが形成され、また、基板上に回路素子5とボンディングパッド9がはんだ接続されている。
【0032】
リードフレーム2には、中央付近に回路基板6の中央を接着剤10を介して支持する突起7を設けるほかに、基板6の四隅を支持する突起11が配設されている。これらの突起7及び11は、リードフレーム2をプレス加工することで形成される。
【0033】
実施例では、突起11を4個設けているが、回路基板6の大きさ、形状、回路パターンのレイアウト等により、任意の個数を選定できる。この突起11を設けないと、中央付近のみの接着領域では、基板6の平面度誤差やリードフレーム2と平面と突起7の上面との平行度誤差等により、基板6が傾いて接着されてしまうことになる。
【0034】
ボンディングパッド9とリード2aには、熱圧着,超音波等のワイヤボンディング法によりアルミの細線8が接続されている。
【0035】
リードフレーム2の具体的仕様を例示すれば、それは熱伝導率の高いリン青銅の板を選定して、プレス加工し、図4を参照すれば、厚さ(t)は0.64mm、突起7の外径(d)は5mm、高さ(h)1.44mmである。線膨張係数は、17.5ppmである。また、突起7の存在により形成された回路基板6・リードフレーム2間の間隙(g)は、0.8mmである。ちなみに、封止樹脂3に混入される充填剤の平均粒径は、30μm(0.03mm)である。したがって、この隙間には充填剤を含む封止樹脂3が充分に流入可能な空間を確保している。
【0036】
図5は、従来一般的とされた方式により回路基板6をリードフレーム2に接着した構造の、有限要素法による解析用2次元数値モデルである。Oは、基板6およびリードフレーム2の中心位置である。
【0037】
従来は一般的に回路基板6の裏面全体をリードフレーム2に接着剤10を用いて接着する構造がとられていた。この接着構造で回路基板6全体を封止樹脂3中に埋設してしまうと、接着剤10の硬化時に微小な気泡が多数接着剤中に残り、トランスファモールド工程の熱により気泡が膨張して潰れ、リードフレーム2や回路基板6の接着部と封止樹脂3との密着界面付近で界面剥離する問題が発生しやすかった。
【0038】
特に封止樹脂3の硬化後、パッケージ(モールド樹脂)3を型から取出して常温まで冷却する過程において、エポキシ樹脂等価線膨張係数がリードフレーム2のそれより大きく、かつ回路基板6の線膨張係数もリードフレームよりさらに小さいため、基板に密着したエポキシ樹脂の収縮応力が基板6やリードフレーム2に作用し、これが上記気泡の膨張と相俟って、エポキシ樹脂と基板,リードフレームの密着力の弱い部分に引張り応力が働き、境界面で剥離が発生する。
【0039】
特に基板6と封止樹脂3との線膨張係数差による熱応力(剥離せん断応力)集中が、形状の急変する基板6の四隅付近に生じ、この部分で剥離が発生するものである。この部分で剥離が起きると、使用時の温度変化により更に剥離が進展する。剥離が遂には封止樹脂3のクラック、そして回路素子5の電気的接続部であるはんだ付け部、ワイヤボンディング部の断線に至る。
【0040】
ここで、基板と樹脂との界面剥離メカニズムについてより詳細に説明する。
【0041】
トランスファモールド成形された封止樹脂3とリードフレーム2とは一体化されているが、電子部品5、基板6、リード2a等との材料物性値の組み合わせ、とくに線膨張係数の差により、封止樹脂3には反りが生じる。
【0042】
この反りは、図4の例では、封止樹脂3を型から取出して冷却したとき、下側が凸方向に発生する。その理由は、一般にエポキシ樹脂の融解温度は150〜200℃、ガラス転移温度Tgは150℃前後であり、型内で硬化する際の収縮があることと、融解温度〜Tg間の線膨張係数がTg以下に比べて大きく(約4倍)、エポキシ樹脂等価線膨張係数が基板6の線膨張係数より大きいためである。
【0043】
例えば基板6がガラス・セラミックで、その線膨張係数を5.2ppm、リードフレーム2の線膨張係数を17.5ppm、封止樹脂3のみかけの線膨張係数(すなわち、前記収縮率と、溶解温度〜ガラス転移温度Tg間の線膨張係数と、ガラス転移温度Tg〜室温までの線膨張係数とを合成したエポキシ樹脂等価線膨張係数)を30ppmとすると、それぞれの線膨張係数差により、封止樹脂3に大きな収縮応力が生じる。また、基板6の上面には回路素子5を搭載するスペースが必要なため、基板6の位置は封止樹脂3の高さ方向において中央或いはそれより下側に配置される。このため樹脂3の厚さは、基板上部の方が下部より厚く、その結果、樹脂3の収縮による引張り力も基板6の上部の方が大きくなり、下側が凸となる。それによって基板6とリードフレーム2は、密着したまま下側に凸となるものである。
【0044】
このような反りにより、基板6と封止樹脂3との線膨張係数差による熱応力(剥離せん断応力)集中が基板6の四隅付近に生じるものである。
【0045】
なお、封止樹脂3の厚さの上下比率、寸法形状等が異なるときには、反りは下側に凹となる場合もある。
【0046】
したがって、本構造においては接着界面の剥離が発生、進展しない構造とすることが非常に重要な課題である。
【0047】
基板6の材質は、回路素子5の大部分を占めるシリコンチップに近い線膨張係数を有したもので、かつ封止樹脂3との線膨張係数差が少ないものが好ましく、回路規模が大きくなると、小型化するには多層の回路基板が好ましく、例えば積層ガラス・セラミック基板、もしくはセラミック基板が好適である。しかしながら前記接着構造では、既述したように基板の部分的な剥離を防止することが困難であった。
【0048】
本実施例では、上記問題について次のようにして対処し得る。以下、本発明による界面剥離防止メカニズムを図6を参照して説明する。
【0049】
図6は本発明の接着構造の、有限要素法による解析用2次元数値モデルを示す。
図5と同じくOは、基板6およびリードフレーム2の中心位置である。
【0050】
本発明では、回路基板6及びリードフレーム2全体を封止樹脂3で包み込むが、リードフレーム2は、回路基板6のうち熱応力が非常に小さい中央付近の一部のみを突起7を介して接着する。したがって、接着剤10の硬化時に微小な気泡が多数接着剤中に残り、トランスファモールド工程の熱により気泡が膨張しても、それは熱応力の小さい個所で生じているもので問題がなく、また、封止樹脂3は、リードフレーム2・基板6間にも介在することで基板下側と基板上側の肉厚のバランスがとれ、それにより基板6の四隅付近の樹脂による熱応力集中を緩和し、これらが相俟って、封止樹脂3と基板6の四隅との剥離ひいては封止樹脂3のクラック発生をなくすことができる。
【0051】
図7は、図5の従来構造と図6の本実施例に係る構造において、基板6の接着部の剥離せん断応力を、有限要素法を用いてシミュレーション解析した結果の比較図であり、基板6と接着剤10との夫々の界面A−A’,B−B’のせん断応力分布を比較したものである。
【0052】
図7における横軸の原点(y=0)は、点A、Bに対応している。これらの応力は原点に近づくに従い増加する分布を示しているため、点A,Bを起点として界面の剥離を引き起こそうとする作用を持つが、本実施例の構造では、常に従来構造の応力より著しく小さいことが分かる。
【0053】
本実施例では、上記のような効果を奏するほかに、次のような効果も奏し得る。
【0054】
すなわち、回路機能によっては高発熱素子が使用されるが、回路素子5のうち高発熱素子については、図4に示すように基板中央すなわち突起7がある位置に相当する箇所に配置すれば、突起7を介しての放熱効果も高めることができる。
【0055】
なお、電子回路4で発生する熱の一部は、基板6に実装された回路素子5の表面から封止樹脂3の熱伝導で上部に放熱され、他の一部は、基板6の下側封止樹脂3を介し、リードフレーム2の平面方向にフランジ部2cを経由して、フランジと結合される外部の相手部材(電子回路装置の取付け位置)に逃げる。
【0056】
さらに、図15に示すように、突起7の上部に、基板6を介して回路素子5の高発熱素子を配置するほかに、基板6のうち突起7上の箇所を熱伝導の良い部材、いわゆるサーマルビア20を貫通して設け、このサーマルビアを介して高発熱素子5と突起7とを接触させ、リードフレーム2に熱が伝導するようにすれば、回路素子5の温度上昇を低減することができる。
【0057】
図8は、リード2を切り離す前のリードフレーム2の詳細を示すものである。
【0058】
回路搭載部2′、リード2a、ボンディング部2b、フランジ部2c、孔部2d、つなぎ部2e、フレーム部2f、切り欠き2g、突起11をプレス成形する。
【0059】
アルミの細線8をワイヤボンディング接続するための表面部分(ボンディングパッド)2bには、表面が酸化されないようにニッケルメッキ、銀メッキ等が部分的に施される。フランジ部2cは相手部材に固定するためのもの、孔2dは組立時の治具を位置決めするために設けたものである。
【0060】
切り欠き2gは方向性を決めるもので、製作誤差で生じるトランスファモールド成形時の型合わせ誤差を少なくする目的で設けている。また、この型に図11で示すサブアッセンブリをセットする際、逆方向にならないようにする目的も兼ねている。この切り欠き2gは、リードフレーム2が対称形状の場合、表裏が識別できる任意の形状、位置を選定すればよい。
【0061】
なお、つなぎ部2eとフレーム部2fとフランジ部2cとで閉ループ構成となっている理由は、この部分をトランスファモールド成形型で上下間を締め付けることにより、型内でエポキシ樹脂が融解して液状になった際でも、この閉ループ部により液状樹脂が外側に洩れないようにするためである。
【0062】
嵌合するリード2aの幅とモールド型との間には、製作誤差による隙間ができるため、この部分で液状のエポキシ樹脂が外部に洩れるが、閉ループ構成となっていることにより、そのループ内で硬化後に薄いバリとして残り、そしてこのバリは後工程で除去される。
【0063】
図9は、電子回路4を構成した基板6をリードフレーム2に載置し、この電子回路4を基板6介して突起7に接着したサブアッセンブリ状態を示すものである。
【0064】
接着剤10は、熱伝導の良いエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の材質で、突起7の上部に塗布した後、基板6を載置する。基板6は、接着剤10の硬化の加熱工程で液状化した際、自重で突起7の端面に接する。接着剤10は、基板6とボス7とが隙間なく結合できるよう、最適な粘度を有したものが選定される。
【0065】
図10は前記サブアッセンブリの平面図、図11はその断面図で、ワイヤボンディング作業する治具の状態を示す図である。
【0066】
前記接着作業が終了した後、リードフレーム2のリード2aの上下部を上治具12、下治具13で挟み込むとともに、基板6の下部を吸着治具14で真空吸着し、サブアッセンブリが動かないように保持する。そしてアルミ細線8を熱圧着、超音波等のワイヤボンディング法により電子回路4とリード2aとを電気的に接続する。
【0067】
ワイヤボンディング作業が終了した後、図10の点線で示す部分の封止樹脂3でトランスファモールド成形する。この成形後、リードフレーム2のつなぎ部2e、フレーム部2fを切断し、複数の独立したリード2aを形成するとともに、フランジ部2cを所定の形状に窓抜き加工、および折り曲げ加工することにより、コントロールユニット1が完成する。
【0068】
図12は、本実施例に係る電子回路装置を外部の相手部材に装着する構造を示す部分平面図、図13はその断面図、図14はその部分断面図である。
【0069】
本実施例では、一例として電子回路装置を自動車のトランスミッションに取り付けるものを例示しており、電子回路装置1を取り付ける場合には、以下に述べるようにブラケットでフランジ部2cを押えて固定する。
【0070】
15は第一のブラケット、16は第二のブラケット、17は座金、18はボルトである。第一のブラケット15には、図示していないセンサ、コネクタ、ワイヤハーネス等の部品が搭載される。第一のブラケット15の一部に舌片15aを複数設け、第二のブラケット16の小孔16aに挿入して先端部を折り曲げ、両者を一体化している。
【0071】
フランジ部2cは、第一,第二のブラケット15,16間に挟まれる。ボルト18はフランジ部2cを回避して、ブラケット15,16を通して締め付けられる。これによって、フランジ部2cはブラケット15,16により挟持され、座金17、第二のブラケット16、第一のブラケット15とともに相手部材、例えばトランミッションのボディに共締めされる形となる。
【0072】
このような取り付け構造によれば、次のような点を改善できる。
【0073】
すなわち、フランジ部2cにボルト固定用の孔を設ける構造では、フランジ部2cの面積をその分大きくしなければならず、それによってリードフレーム2の外側を大きくする必要があり、トランスファモールド成形で製品を一度に多数個取りする場合に、その取り数が少なくなる欠点がある。最小限のフランジ大きさとし、後述するように、これをブラケットで固定する方式により、この欠点をなくすことができる。
【0074】
さらに、既述したように封止樹脂3は、モールド成形時に熱収縮応力により下側などの凸状態になることもある。相手部材が平面状態のとき、例えば下側に凸状態で封止樹脂3の下面が直接この面に接したまま、リードフレーム2のフランジ部2cを固定すると、封止樹脂3の中央部が相手部材に拘束される。それにより、封止樹脂3の反りを矯正するような形となるため、封止樹脂3とリードフレーム2との接着界面に過大な応力が働き、両者間が剥離する恐れがある。
【0075】
前記した構造によれば、ブラケット15がスペーサとしての機能もなすことで、相手部材と封止樹脂3下面との間に隙間を設け、リードフレーム2の最外形付近に設けたフランジ部2cのみを押えるようにできる。したがって、上記したような過大な応力は回避でき剥離の不具合は生じない。また、第一のブラケット15と第二のブラケット16により、リードフレーム2のフランジ部2cを挟み、舌片15aを折り曲げて一体化したため、相手部材に装着する際、取扱いが容易となる利点も有する。
【0076】
【発明の効果】
本発明によれば、電子回路装置において、リードフレームの中央付近に突起を設け、この突起に電子回路基板を接着する構造としたため、基板と封止樹脂との界面剥離やクラック発生を防止できる。そのため、電子回路基板やそのリードフレームまでをもモールド樹脂によりパッケージ化することを低コストで実現できた。さらに、放熱性、防水性に優れに優れた自動車用電子回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る自動車用電子回路装置の一部を断面して示す平面図。
【図2】その縦断面図。
【図3】その横断面図。
【図4】本実施例の要部断面図。
【図5】基板をリードフレームに接着する構造の2次元数値モデル。
【図6】本発明の基板、リードフレーム接着構造の2次元数値モデル。
【図7】従来構造と本発明構造において、基板接着部の剥離せん断応力を、有限要素法を用いてシミュレーション解析した結果を示す説明図。
【図8】リードフレームの詳細を示す平面図。
【図9】電子回路を構成した基板をリードフレームに接着したサブアッセンブリ状態を示す断面図。
【図10】上記サブアッセンブリの平面図。
【図11】上記サブアッセンブリをワイヤボンディング作業する状態を示す図。
【図12】上記電子回路装置を外部の相手部材に装着する構造を示す部分平面図。
【図13】その側面断面図。
【図14】その部分断面図。
【図15】本発明の他の実施例を示す要部断面図。
【符号の説明】
1…コントロールユニット(電子回路装置)、2…リードフレーム、2a…リード、2c…フランジ部、3…封止樹脂、4…電子回路、6…基板、7…突起。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a package structure of an electronic circuit device for a vehicle, and is suitable for an electronic circuit device mounted on, for example, an engine room or a transmission of a vehicle and controlling an engine, an automatic transmission, and the like.
[0002]
[Prior art]
For example, a method of controlling an automatic transmission of an automobile by an electronic circuit has been widely adopted. There are various mounting structures of the electronic circuit. In an electronic circuit device directly mounted on the transmission, a mounting place is selected so that the electronic circuit is not damaged by intrusion of water, oil, or the like, and a structure is adopted so that they do not enter.
[0003]
As an example of the structure, an electronic circuit board is mounted on a metal base, the base and the cover are hermetically sealed by resistance welding, laser welding, etc., and an inert gas such as nitrogen is sealed. A so-called hermetic seal structure is known.
[0004]
In this structure, the input / output terminals of the electronic circuit are drawn out through through holes provided in the base, and the through holes are sealed with glass having a high insulation resistance. Therefore, it is necessary to optimally select the linear expansion coefficients of the base, the glass, and the terminal. That is, it is necessary to melt the glass at a high temperature of several 100 ° C. to 1000 ° C. and to cause the residual compressive stress to act between the three components when the temperature is returned to the normal temperature.
[0005]
These materials are limited. For example, when soda-barium glass is used as a sealing material, the base material is a steel plate, and the terminals are a combination of an iron-nickel alloy (iron 50% -nickel 50%).
[0006]
Therefore, (1) it is necessary to prevent oxidation at a high temperature, and the base needs nickel plating or the like having a high melting temperature. {Circle around (2)} In the above welding, the combination material of the cover is limited, and the same steel plate as the base is used. When there are many heat generating elements in the electronic circuit, aluminum, copper, or the like is preferable as the base material to facilitate heat dissipation. However, as described above, a steel sheet has to be used, and the heat dissipation property of the steel sheet is poor.
[0007]
{Circle around (3)} Further, in resistance welding, there is a cost increase factor such as the need to increase the flatness accuracy of the base and the cover so that the electrical contact resistance between the base and the cover becomes uniform.
[0008]
{Circle around (4)} In laser welding, variations in the thickness of the nickel plating applied to the base affect the welding, and the beads at the welded portions are exposed. A protective coating is required to prevent rust from occurring. (5) It is difficult to reliably determine the quality of welding on the external appearance. To check airtightness, check method using helium gas. Bubble leak check to check presence of air bubbles in inert liquid. A law was required.
[0009]
In order to improve the above points, a circuit board on which electronic circuit elements are mounted is adhered to a base made of a material having good heat conductivity, and one side of the base is exposed, and the circuit board and the base are epoxy resin ( Packaging technology for sealing with a mold resin) has been proposed.
[0010]
However, in this case, for example, in a structure in which a silicon chip is used as an electronic circuit element, a glass / ceramic substrate having a linear expansion coefficient similar to that of the silicon chip is used as a circuit board, and these members are sealed with epoxy resin. However, there were the following problems.
[0011]
In other words, during the molding step (transfer molding step) of the epoxy resin for embedding the circuit board and the base, during the cooling after removing the molding resin (epoxy resin) from the mold through the curing step, the curing shrinkage of the epoxy resin causes Separation or resin cracking occurs at the boundary between the epoxy resin and the substrate or base due to the difference in linear expansion coefficient between the substrate and the base.
[0012]
This is because the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient at the time of molding (the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient is the chemical shrinkage of the resin at the molding temperature until the molding resin is removed from the mold and cooled to room temperature. (The linear expansion coefficient α1 from the temperature to the glass transition temperature Tg and the linear expansion coefficient α2 from the glass transition temperature Tg to room temperature are synthesized, which is about four times the linear expansion coefficient at room temperature.) Is larger than that of the base, and the coefficient of linear expansion of the substrate is even smaller than that of the base. Tensile stress acts on the weak part, and peeling occurs at the boundary surface.
[0013]
For example, if a film treatment with good adhesion is formed on the end face of the base to eliminate the peeling, there is a problem that the epoxy resin near the boundary surface cracks.
[0014]
As a countermeasure, it is conceivable to use an epoxy resin having a small curing shrinkage and a small linear expansion coefficient, or to apply a flexible resin coating treatment for absorbing the difference in the linear expansion coefficient to the end face of the base. However, cost increases are unavoidable in any case, and an inexpensive structure has been desired.
[0015]
Conventionally known techniques include, for example, a method in which a semiconductor element is mounted on a lead frame and these components are buried in a mold resin and packaged, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-240493, As disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 205556, there is a package in which an IC chip, its mounting member, and a heat sink are packaged. These prior arts do not attempt to package an electronic circuit board or its base with a mold resin. A technique of mounting even an electronic circuit board or a base having a much larger area than an IC package or a semiconductor element with one mold resin is a new attempt.
[0016]
[Problems to be solved by the invention]
In realizing the new mounting technology, the shrinkage stress of the epoxy resin (mold resin) surrounding the circuit board and the base increases due to the large area of the circuit board and the base as described above. A new problem arises in that peeling occurs at the boundary surface.
[0017]
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems at a low cost when a new mounting technology as described above, that is, when an electronic circuit board and its lead frame (base) are also packaged with a mold resin. . An object of the present invention is to provide an inexpensive electronic circuit device for a vehicle which has excellent heat dissipation and waterproofness, and is free from peeling or cracking of a mold resin and a circuit board or a base due to thermal stress.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is basically configured as follows to achieve the above object.
[0019]
That is, the present invention includes an electronic circuit including a circuit board on which an electronic circuit element is mounted, a lead frame on which the electronic circuit is mounted, a flange provided on a part of the lead frame, and a lead. The electronic circuit and the lead are electrically connected, and the circuit board, the lead frame, the lead, and the flange are collectively embedded in the molding resin except for a part of the lead and the flange, and the center of the lead frame is provided. A projection supporting the center of the circuit board with a smaller area than the circuit board is formed on the upper surface in the vicinity, and the substrate has a substrate supporting structure in which the back of the center of the circuit board is bonded to the projection.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention is shown in FIGS.
FIG. 1 is a plan view of an electronic circuit device (control unit) 1 for a vehicle according to the present embodiment, and FIGS. 2 and 3 are partially sectional side views in different directions.
[0021]
An electronic circuit 4 including a circuit element 5 and a circuit board 6 is mounted on a lead frame 2 having a flange 2c. This mounting is performed by bonding the circuit board 6 on the lead frame 2. The bonding mode will be described later.
[0022]
2a is a lead (terminal) formed by cutting off a part of the lead frame 2. When electrically connecting the lead 2a and an external connection object (not shown), the lead 2a is connected to a harness connector or a harness terminal of the external object by welding or the like.
[0023]
The electronic circuit 4 and the lead 2a are electrically connected via the aluminum wire 8 by a wire bonding method such as thermocompression bonding or ultrasonic wave.
[0024]
After mounting the electronic circuit 4 on the lead frame 2 and connecting the electronic circuit 4 and the lead 2a, these components (circuit element 5, circuit board 6, lead frame 2, and lead 2a) are collectively molded resin ( It is buried in the sealing resin 3 except for a part of the lead 2a and a part of the flange 2c.
[0025]
The sealing resin 3 is manufactured by transfer molding. Transfer molding is a method in which a thermosetting resin such as an epoxy resin is generally used as a sealing resin.A tablet-like epoxy resin obtained by compressing and molding a powder is melted by applying a predetermined temperature and pressure in a mold. And to solidify. It is widely used as a package for a chip such as an LSI (Large Scale Integrated Circuit).
[0026]
The sealing resin 3 is a resin having a particularly low coefficient of linear expansion, and wraps the internal components as a whole. In addition, the resin 3 always keeps the adhesive force with the internal components, and prevents peeling and disconnection due to thermal stress in the soldering portion or the thin wire bonding connection portion between the semiconductor chip and the substrate. Therefore, the optimum physical property value is selected.
[0027]
In an electronic circuit device for an automobile, there is a concern that water, oil, or the like may enter from the respective contact interfaces between the resin 3 and the leads 2a and the lead frame 2 due to repetition of thermal stress during use. Regarding this point, the difference in the coefficient of linear expansion between the lead 2a and the lead frame 2 and the sealing resin 3 is reduced as much as possible to reduce the thermal stress between those members, and the special surface treatment for the lead 2a and the lead frame 2. (For example, an aluminum chelate treatment) and a covalent bond at the boundary between the resin and the member can be solved.
[0028]
For the lead 2a and the lead frame 2, copper or a copper-based alloy material having good heat conductivity is selected. The circuit board 6 is made of an appropriate material such as ceramic, glass-ceramic, epoxy-glass plate, etc., and has a predetermined circuit pattern.
[0029]
FIG. 4 is a sectional view of a main part of the electronic circuit device according to the present embodiment, and corresponds to FIG.
[0030]
As shown in FIG. 4, a protrusion 7 having a smaller area than the circuit board 6 and supporting only the central portion of the circuit board 6 is formed on the upper surface near the center of the lead frame 2. It has a substrate support structure to which the back surface is bonded.
[0031]
A circuit pattern (not shown) is formed on the circuit board 6, and the circuit elements 5 and the bonding pads 9 are soldered on the board.
[0032]
The lead frame 2 is provided with a protrusion 7 near the center for supporting the center of the circuit board 6 via an adhesive 10, and a protrusion 11 for supporting the four corners of the board 6. These projections 7 and 11 are formed by pressing the lead frame 2.
[0033]
In the embodiment, four projections 11 are provided, but an arbitrary number can be selected according to the size and shape of the circuit board 6, the layout of the circuit pattern, and the like. If the protrusions 11 are not provided, the substrate 6 is inclined and adhered in the adhesion region near the center only due to the flatness error of the substrate 6 or the parallelism error between the lead frame 2 and the flat surface and the upper surface of the protrusion 7. Will be.
[0034]
The thin aluminum wire 8 is connected to the bonding pad 9 and the lead 2a by a wire bonding method such as thermocompression bonding or ultrasonic waves.
[0035]
As an example of the specific specifications of the lead frame 2, a phosphor bronze plate having a high thermal conductivity is selected and pressed, and as shown in FIG. Has an outer diameter (d) of 5 mm and a height (h) of 1.44 mm. The coefficient of linear expansion is 17.5 ppm. The gap (g) between the circuit board 6 and the lead frame 2 formed by the presence of the protrusion 7 is 0.8 mm. Incidentally, the average particle size of the filler mixed in the sealing resin 3 is 30 μm (0.03 mm). Therefore, a space in which the sealing resin 3 containing the filler can sufficiently flow is secured in this gap.
[0036]
FIG. 5 is a two-dimensional numerical model for analysis by a finite element method, which has a structure in which a circuit board 6 is bonded to a lead frame 2 by a conventionally general method. O is the center position of the substrate 6 and the lead frame 2.
[0037]
Conventionally, generally, the entire back surface of the circuit board 6 is bonded to the lead frame 2 by using an adhesive 10. If the entire circuit board 6 is buried in the sealing resin 3 with this bonding structure, many fine bubbles remain in the adhesive when the adhesive 10 is cured, and the bubbles expand and collapse due to the heat of the transfer molding process. In addition, the problem of interface peeling near the adhesion interface between the bonding portion of the lead frame 2 or the circuit board 6 and the sealing resin 3 is likely to occur.
[0038]
In particular, in the process of removing the package (mold resin) 3 from the mold after cooling the sealing resin 3 and cooling it to room temperature, the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient is larger than that of the lead frame 2 and the linear expansion coefficient of the circuit board 6. Is smaller than the lead frame, the contraction stress of the epoxy resin adhered to the substrate acts on the substrate 6 and the lead frame 2, and this, together with the expansion of the air bubbles, reduces the adhesion between the epoxy resin and the substrate and the lead frame. Tensile stress acts on the weak part, and peeling occurs at the interface.
[0039]
In particular, thermal stress (peeling shear stress) concentration due to a difference in linear expansion coefficient between the substrate 6 and the sealing resin 3 occurs near the four corners of the substrate 6 where the shape changes rapidly, and peeling occurs at these portions. When peeling occurs in this portion, the peeling further progresses due to a temperature change during use. The peeling eventually leads to cracks in the sealing resin 3 and breaks in the soldering portions and wire bonding portions, which are the electrical connection portions of the circuit element 5.
[0040]
Here, the interface peeling mechanism between the substrate and the resin will be described in more detail.
[0041]
Although the encapsulation resin 3 and the lead frame 2 formed by transfer molding are integrated, the encapsulation is caused by a combination of physical property values of the electronic component 5, the substrate 6, the lead 2a, and the like, particularly, a difference in linear expansion coefficient. The resin 3 is warped.
[0042]
In the example shown in FIG. 4, when the sealing resin 3 is removed from the mold and cooled, the lower side is generated in a convex direction. The reason is that the melting temperature of an epoxy resin is generally 150 to 200 ° C., the glass transition temperature Tg is around 150 ° C., and there is shrinkage during curing in a mold, and the linear expansion coefficient between the melting temperature and Tg is low. This is because the epoxy resin equivalent linear expansion coefficient is larger than the Tg or less (about 4 times) and is larger than the linear expansion coefficient of the substrate 6.
[0043]
For example, the substrate 6 is a glass ceramic, the linear expansion coefficient of which is 5.2 ppm, the linear expansion coefficient of the lead frame 2 is 17.5 ppm, and the apparent linear expansion coefficient of the sealing resin 3 (that is, the shrinkage ratio and the melting temperature). When the linear expansion coefficient between the glass transition temperature Tg and the linear expansion coefficient between the glass transition temperature Tg and the room temperature is equal to 30 ppm, the difference between the linear expansion coefficients is 30 ppm. 3 has a large contraction stress. In addition, since a space for mounting the circuit element 5 is required on the upper surface of the substrate 6, the position of the substrate 6 is located at the center or lower side in the height direction of the sealing resin 3. For this reason, the thickness of the resin 3 is thicker in the upper portion of the substrate than in the lower portion. As a result, the tensile force due to the shrinkage of the resin 3 is larger in the upper portion of the substrate 6 and the lower portion is convex. As a result, the substrate 6 and the lead frame 2 are projected downward while being in close contact with each other.
[0044]
Due to such a warp, thermal stress (peeling shear stress) concentration due to a difference in linear expansion coefficient between the substrate 6 and the sealing resin 3 occurs near the four corners of the substrate 6.
[0045]
In addition, when the thickness ratio of the sealing resin 3 is different from the top / bottom ratio, the dimensional shape, and the like, the warp may be concave on the lower side.
[0046]
Therefore, in the present structure, it is a very important issue to make the structure in which the peeling of the bonding interface does not occur or progress.
[0047]
The material of the substrate 6 is preferably a material having a linear expansion coefficient close to that of a silicon chip occupying most of the circuit element 5 and having a small linear expansion coefficient difference from the sealing resin 3. For miniaturization, a multilayer circuit board is preferable, and for example, a laminated glass / ceramic substrate or a ceramic substrate is preferable. However, in the bonding structure, as described above, it was difficult to prevent partial peeling of the substrate.
[0048]
In this embodiment, the above problem can be dealt with as follows. Hereinafter, the mechanism for preventing interfacial peeling according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0049]
FIG. 6 shows a two-dimensional numerical model for analysis of the adhesive structure of the present invention by the finite element method.
O is the center position of the substrate 6 and the lead frame 2 as in FIG.
[0050]
In the present invention, the entire circuit board 6 and the lead frame 2 are wrapped with the sealing resin 3, but the lead frame 2 is bonded via the protrusion 7 to only a part of the circuit board 6 near the center where the thermal stress is very small. I do. Therefore, many microscopic bubbles remain in the adhesive when the adhesive 10 is cured, and even if the bubbles expand due to the heat of the transfer molding process, they are generated at a place where the thermal stress is small, and there is no problem. The sealing resin 3 is also interposed between the lead frame 2 and the substrate 6 so as to balance the thicknesses of the lower side of the substrate and the upper side of the substrate, thereby reducing the concentration of thermal stress due to the resin near the four corners of the substrate 6, Together, it is possible to eliminate the peeling of the sealing resin 3 from the four corners of the substrate 6 and the occurrence of cracks in the sealing resin 3.
[0051]
FIG. 7 is a comparison diagram of the results of a simulation analysis of the peeling shear stress at the bonding portion of the substrate 6 using the finite element method in the conventional structure of FIG. 5 and the structure according to the present embodiment of FIG. The comparison of the shear stress distributions at the respective interfaces AA ′ and BB ′ between the adhesive and the adhesive 10.
[0052]
The origin (y = 0) on the horizontal axis in FIG. 7 corresponds to points A and B. Since these stresses show a distribution that increases as approaching the origin, they have an effect of causing separation of the interface starting from points A and B. However, the structure of this embodiment always has the stress of the conventional structure. It can be seen that it is significantly smaller.
[0053]
In the present embodiment, in addition to the above effects, the following effects can also be obtained.
[0054]
That is, although a high heat generating element is used depending on the circuit function, the high heat generating element among the circuit elements 5 may be arranged at a position corresponding to the center of the substrate, that is, a position corresponding to the position where the protrusion 7 is located as shown in FIG. The heat radiation effect via the radiator 7 can also be enhanced.
[0055]
Part of the heat generated in the electronic circuit 4 is radiated upward from the surface of the circuit element 5 mounted on the substrate 6 by heat conduction of the sealing resin 3, and another part is disposed on the lower side of the substrate 6. Through the sealing resin 3, in the plane direction of the lead frame 2, via the flange 2 c, the lead escapes to an external counterpart member (the mounting position of the electronic circuit device) connected to the flange.
[0056]
Further, as shown in FIG. 15, in addition to disposing the high heat-generating element of the circuit element 5 above the protrusion 7 via the substrate 6, a portion of the substrate 6 on the protrusion 7 having good heat conduction, a so-called By providing the thermal via 20 so as to penetrate therethrough, making the high heat generating element 5 and the projection 7 contact with each other via this thermal via to conduct heat to the lead frame 2, the temperature rise of the circuit element 5 can be reduced. Can be.
[0057]
FIG. 8 shows details of the lead frame 2 before the leads 2 are separated.
[0058]
The circuit mounting part 2 ', the lead 2a, the bonding part 2b, the flange part 2c, the hole part 2d, the connecting part 2e, the frame part 2f, the notch 2g, and the projection 11 are press-formed.
[0059]
The surface portion (bonding pad) 2b for connecting the aluminum thin wire 8 by wire bonding is partially plated with nickel plating, silver plating or the like so that the surface is not oxidized. The flange portion 2c is provided for fixing to a mating member, and the hole 2d is provided for positioning a jig during assembly.
[0060]
The notch 2g determines the directionality and is provided for the purpose of reducing a mold alignment error at the time of transfer molding, which is caused by a manufacturing error. Further, when the sub-assembly shown in FIG. 11 is set in this mold, it also has the purpose of preventing the sub-assembly from being reversed. When the lead frame 2 has a symmetrical shape, an arbitrary shape and position where the front and back can be identified may be selected as the notch 2g.
[0061]
The reason why the connecting portion 2e, the frame portion 2f, and the flange portion 2c form a closed loop is that the epoxy resin is melted in the mold and becomes liquid by tightening the upper and lower portions of the portion with a transfer mold. This is to prevent the liquid resin from leaking to the outside due to the closed loop portion even in the case of becoming.
[0062]
Since there is a gap between the width of the lead 2a to be fitted and the mold due to a manufacturing error, the liquid epoxy resin leaks to the outside at this portion. It remains as a thin burr after curing, and this burr is removed in a later step.
[0063]
FIG. 9 shows a sub-assembly state in which the substrate 6 constituting the electronic circuit 4 is mounted on the lead frame 2 and the electronic circuit 4 is adhered to the projection 7 via the substrate 6.
[0064]
The adhesive 10 is made of a material such as an epoxy resin or an acrylic resin having good heat conductivity, and is applied to the upper portion of the projection 7 and then the substrate 6 is placed. When the substrate 6 is liquefied in the heating step of curing the adhesive 10, the substrate 6 comes into contact with the end surface of the projection 7 by its own weight. The adhesive 10 having an optimum viscosity is selected so that the substrate 6 and the boss 7 can be bonded together without any gap.
[0065]
FIG. 10 is a plan view of the sub-assembly, and FIG. 11 is a sectional view of the sub-assembly, showing a state of a jig for performing a wire bonding operation.
[0066]
After the bonding operation is completed, the upper and lower portions of the leads 2a of the lead frame 2 are sandwiched between the upper jig 12 and the lower jig 13, and the lower portion of the substrate 6 is vacuum-sucked by the suction jig 14, so that the sub-assembly does not move. So to hold. Then, the electronic circuit 4 and the lead 2a are electrically connected to each other by a wire bonding method such as thermocompression bonding and ultrasonic waves.
[0067]
After the wire bonding operation is completed, transfer molding is performed using the sealing resin 3 in the portion indicated by the dotted line in FIG. After this molding, the connecting portion 2e and the frame portion 2f of the lead frame 2 are cut to form a plurality of independent leads 2a, and the flange portion 2c is windowed and bent into a predetermined shape to control. Unit 1 is completed.
[0068]
12 is a partial plan view showing a structure in which the electronic circuit device according to the present embodiment is mounted on an external counterpart member, FIG. 13 is a sectional view thereof, and FIG. 14 is a partial sectional view thereof.
[0069]
In the present embodiment, an example in which the electronic circuit device is mounted on a transmission of an automobile is illustrated as an example. When the electronic circuit device 1 is mounted, the flange portion 2c is pressed and fixed by a bracket as described below.
[0070]
15 is a first bracket, 16 is a second bracket, 17 is a washer, and 18 is a bolt. Components such as a sensor, a connector, and a wire harness (not shown) are mounted on the first bracket 15. A plurality of tongue pieces 15 a are provided in a part of the first bracket 15, inserted into the small holes 16 a of the second bracket 16, and the distal ends are bent to integrate them.
[0071]
The flange portion 2c is sandwiched between the first and second brackets 15, 16. The bolt 18 is fastened through the brackets 15 and 16 while avoiding the flange 2c. As a result, the flange portion 2c is sandwiched between the brackets 15, 16, and is fastened together with the washer 17, the second bracket 16, and the first bracket 15 to a mating member, for example, a transmission body.
[0072]
According to such a mounting structure, the following points can be improved.
[0073]
That is, in the structure in which the holes for fixing the bolts are provided in the flange portion 2c, the area of the flange portion 2c must be increased accordingly, and the outside of the lead frame 2 needs to be enlarged. There is a disadvantage in that when a large number of pieces are taken at one time, the number of pieces to be taken is reduced. This disadvantage can be eliminated by using a minimum flange size and fixing it with a bracket as described later.
[0074]
Further, as described above, the sealing resin 3 may be in a convex state such as a lower side due to heat shrinkage stress during molding. When the mating member is in a flat state, for example, when the flange portion 2c of the lead frame 2 is fixed while the lower surface of the sealing resin 3 is directly in contact with this surface in a downwardly convex state, the center portion of the sealing resin 3 is mated. Be restrained by the member. As a result, the warp of the sealing resin 3 is corrected, so that an excessive stress acts on the bonding interface between the sealing resin 3 and the lead frame 2, and there is a possibility that the two are separated.
[0075]
According to the above-described structure, the bracket 15 also functions as a spacer, so that a gap is provided between the mating member and the lower surface of the sealing resin 3, and only the flange portion 2 c provided near the outermost shape of the lead frame 2 is provided. Can be pressed. Therefore, the excessive stress as described above can be avoided and the problem of peeling does not occur. In addition, since the flange portion 2c of the lead frame 2 is sandwiched between the first bracket 15 and the second bracket 16 and the tongue piece 15a is bent and integrated, there is also an advantage that handling is easy when mounting to a mating member. .
[0076]
【The invention's effect】
According to the present invention, in the electronic circuit device, the projection is provided near the center of the lead frame, and the electronic circuit board is bonded to the projection. Therefore, the separation of the interface between the substrate and the sealing resin and the occurrence of cracks can be prevented. Therefore, the electronic circuit board and its lead frame can be packaged with the mold resin at low cost. Further, it is possible to provide an electronic circuit device for an automobile which is excellent in heat dissipation and waterproofness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a cross section of a part of an electronic circuit device for a vehicle according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view thereof.
FIG. 3 is a cross-sectional view thereof.
FIG. 4 is a sectional view of a main part of the embodiment.
FIG. 5 is a two-dimensional numerical model of a structure in which a substrate is bonded to a lead frame.
FIG. 6 is a two-dimensional numerical model of the substrate / lead frame bonding structure of the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram showing the results of a simulation analysis of the peeling shear stress of the substrate bonding portion using the finite element method in the conventional structure and the structure of the present invention.
FIG. 8 is a plan view showing details of a lead frame.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a sub-assembly state in which a substrate constituting an electronic circuit is bonded to a lead frame.
FIG. 10 is a plan view of the sub-assembly.
FIG. 11 is a view showing a state in which the sub-assembly is subjected to a wire bonding operation.
FIG. 12 is a partial plan view showing a structure for mounting the electronic circuit device on an external partner member.
FIG. 13 is a side sectional view thereof.
FIG. 14 is a partial sectional view thereof.
FIG. 15 is a sectional view of a main part showing another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Control unit (electronic circuit device), 2 ... Lead frame, 2a ... Lead, 2c ... Flange part, 3 ... Sealing resin, 4 ... Electronic circuit, 6 ... Substrate, 7 ... Projection.

Claims (6)

電子回路素子を載置した回路基板からなる電子回路と、前記電子回路を搭載するリードフレームと、前記リードフレームの一部に設けられたフランジ部と、リードとを備え、前記電子回路とリードとが電気的に接続され、このリード及び前記フランジの一部を除いて前記回路基板,リードフレーム,リード,フランジが一括してモールド樹脂に埋設され、かつ前記リードフレームの中央付近の上面に前記回路基板より小面積で該回路基板の中央部を支持する突起が形成され、前記突起に前記回路基板の中央部裏面が接着される基板支持構造をなしていることを特徴とする自動車用電子回路装置。An electronic circuit comprising a circuit board on which an electronic circuit element is mounted, a lead frame on which the electronic circuit is mounted, a flange provided on a part of the lead frame, and a lead, wherein the electronic circuit and the lead The circuit board, the lead frame, the lead, and the flange are collectively embedded in the molding resin except for the lead and a part of the flange, and the circuit is mounted on the upper surface near the center of the lead frame. An electronic circuit device for an automobile, wherein a projection supporting a central portion of the circuit board is formed in an area smaller than that of the substrate, and the projection has a substrate supporting structure in which a rear surface of the central portion of the circuit board is bonded to the projection. . 前記突起は、前記リードフレームをプレスして形成されている請求項1記載の自動車用電子回路装置。The electronic circuit device for a vehicle according to claim 1, wherein the protrusion is formed by pressing the lead frame. 前記リードフレームには、中央部の突起の他に前記回路基板の隅部を支える突起が形成されている請求項1又は2記載の自動車用電子回路装置。The electronic circuit device for a vehicle according to claim 1, wherein the lead frame has a projection that supports a corner of the circuit board, in addition to the projection at the center. 前記フランジ部の前記モールド樹脂より突出した部分を介して自動車用電子回路装置が所定の場所に取り付けられ、かつ前記リードフレーム及びそのフランジ部を介して電子回路の熱が外部取付け位置に熱伝導できる構造にしてある請求項1から3のいずれか1項記載の自動車用電子回路装置。An automotive electronic circuit device is mounted at a predetermined location via a portion of the flange portion projecting from the mold resin, and heat of the electronic circuit can be conducted to an external mounting position via the lead frame and the flange portion. 4. The electronic circuit device for a vehicle according to claim 1, wherein the electronic circuit device has a structure. 前記回路基板は、ガラス・セラミック或いはセラミックを主体とした材質である請求項1から4のいずれか1項記載の自動車用電子回路装置。The electronic circuit device for an automobile according to any one of claims 1 to 4, wherein the circuit board is made of glass-ceramic or a material mainly composed of ceramic. 前記回路基板は、多層の回路基板である請求項1から5のいずれか1項記載の自動車用電子回路装置。The electronic circuit device for a vehicle according to any one of claims 1 to 5, wherein the circuit board is a multilayer circuit board.
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