JP3548095B2 - Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP3548095B2 JP3548095B2 JP2000203022A JP2000203022A JP3548095B2 JP 3548095 B2 JP3548095 B2 JP 3548095B2 JP 2000203022 A JP2000203022 A JP 2000203022A JP 2000203022 A JP2000203022 A JP 2000203022A JP 3548095 B2 JP3548095 B2 JP 3548095B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- injection
- wafer
- dispersion head
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置等の半導体製造装置に係り、特にプロセスガスをウェハに噴射するガス噴射装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップの生産性効率を向上させるため、ウェハの大口径化や、設計ルールの細密化は更に加速する傾向にある。それに伴って、半導体製造装置のプロセス反応室(以下、反応室と称する)等の構造も適宜改良する必要がある。
ガスの化学反応によって薄膜を形成するCVD(Chemical Vapor Deposition)装置においても、ディスパージョンヘッドやシャワーヘッドのようなガス噴射装置や、ウェハ面内を均一な温度に保ちながらウェハを支持するサセプタ若しくはESC(Electrostatic Chuck)等が改良されている。
【0003】
図7は、従来の常圧CVD装置における反応室の内部構造を示した図である。
図7に示す反応室1において、ディスパージョンヘッド200は、サセプタ4によって支持されたウェハ3に対して、プロセスガス(以下、ガスと称する)を噴射する(図中の矢印に対応する)ためのガス噴射装置である。そして、ディスパージョンヘッド200からウェハ3にガスが噴射されることによって、ウェハ3上に所望の薄膜が形成される。
また、ディスパージョンヘッド200は、構成板210を複数張り合わせることによって製造されている。詳細には、異なる種類のガスを噴射する2種類の構成板210a,210bを交互に複数張り合わせている。また、図中のディスパージョンヘッド200の左端は、終端板22により終端されている。
【0004】
図8は、図7に示した構成板210(210a)を説明するための斜視図である。また、図9は、図8に示した構成板210(210a)の正面図である。
図8及び図9に示すように、構成板210は、アルミニウム等を主原料とする平板に、複数のガス導入口211、バッファ212、複数のオリフィス213等が、掘り込んで形成されたものである。また、図中の214は、上記構成板210及び終端板22(図7参照)を張り合わせるためのネジ穴である。
また、図8,9に示すディスパージョンヘッド200の左右方向は、図7に示すディスパージョンヘッド200の手前−奥行き方向に対応している。
また、ガス導入口211は、異なるガスラインに接続されたガス導入口211a,211bからなる(後述)。両図中の構成板210aにおいては、バッファ212が、ガス導入口211aと繋がっている。すなわち、ガス導入口211aからバッファ212にガスが導入される。
【0005】
次に、図10を参照して、ガスの噴射について説明する。
図10は、従来のディスパージョンヘッド200の構成板210(210a)におけるガスの噴射について説明するための断面図である。
図10において、先ず、ガスライン−1(Gas line−1)に接続された複数のガス導入口211(211a)から、バッファ212にガスが導入される。
【0006】
また、図示しない構成板210b(図7参照)においては、ガスライン−2(Gas line−2)に接続された複数のガス導入口211bからバッファ212にガスが導入される。
【0007】
そして、各構成板210a,210bのそれぞれのバッファ212において、上記ガス導入口211(211a,211b)から導入されたガスの圧力が一定に保たれる。
次に、上記各構成板210a,210bにおいて、複数のオリフィス213から、上記ガスが所定の圧力・流量で均一に噴射される。
このようにして、ディスパージョンヘッド200からウェハ3に対して、ガスが平面的に噴射される(図7参照)。
【0008】
上述したように、構成板210に形成された複数のオリフィス213によって、ウェハ面内にガスが均一に噴射される。このため、構成板210におけるオリフィス213等の加工精度(寸法精度)が悪い場合には、ウェハ面内に均一にガスを噴射できず、ウェハ上に形成された薄膜の膜厚のウェハ面内均一性が悪くなる可能性があった。
【0009】
そこで、ディスパージョンヘッド200から均一にガスを噴射させるために、従来より、上記構成板210を多数製造して、それらの中からオリフィス213等の寸法精度(加工精度)のよい構成板210を選択して、選択した構成板210を張り合わせることによりディスパージョンヘッド200を製造している。
このため、構成板210の形状は量産可能な四角形(図8参照)に制約され、この構成板210を複数張り合わせてなるディスパージョンヘッド200の形状は直方体に制約される。
【0010】
図11及び図12は、従来のディスパージョンヘッド200を用いてウェハ3にガスを噴射する場合の、ディスパージョンヘッド200と、それに対向するウェハ3との位置関係を示した図である。ここで、両図は、ウェハ3からディスパージョンヘッド200を見た図である(図7参照)。
【0011】
図11に示すように、ディスパージョンヘッド200とウェハ3とは断面形状が大きく異なるため、ディスパージョンヘッド200の4辺近傍に対向する位置にウェハ3は存在しない。従って、ディスパージョンヘッド200の4辺近傍の構成板210(オリフィス213)から噴射されたガスは、ウェハ3の面内に噴射されない。
【0012】
また、図12に示すように、図11に示したウェハよりも小口径のウェハ3に対してガスを噴射する場合は、ウェハ3とディスパージョンヘッド200の形状差がさらに大きくなる。従って、ディスパージョンヘッド200の構成板210(オリフィス213)から噴射されたガスのうち、ウェハ3の面内に噴射されないガスの量がさらに多くなる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
このように、製造上の理由によって、ディスパージョンヘッド200とウェハ3とは断面形状が異なるため、例えばディスパージョンヘッド200の4辺近傍のように、対向位置にウェハ3が存在しない構成板210(オリフィス213)から噴射されたガスはウェハ上の成膜に寄与しない。
そして、この成膜に寄与しないガスは、ウェハ3を支持するサセプタ4(図7参照)や、反応室1の側壁11(図7参照)等に、膜もしくは粉状の副生成物となって付着する。
【0014】
この付着物は、パーティクルの大きな要因となるため、反応室1のクリーニング周期が短くなり、装置の稼働率が低くなってしまう問題があった。
さらに、ディスパージョンヘッド200から成膜に寄与しないガスが多量に噴射されるため、半導体装置の製造コストを増大させてしまう問題があった。
【0015】
これらの問題は、大口径ウェハに対応する大型のディスパージョンヘッドを使用して、小口径ウェハの成膜処理、すなわち小口径のウェハに対してガスを噴射する際には特に顕著である。
【0016】
また、上述したような問題は、ウェハ3の口径に対応するディスパージョンヘッドを製造すれば解決できる。すなわち、オリフィスの数が異なる複数の種類の構成板210を製造し、それらを張り合わせてディスパージョンヘッドを製造し、ガス噴射範囲をウェハ面内に制限する方法である。
しかし、この方法では、複数の種類の構成板を製造する必要があるため、多額の製造コストがかかってしまう。また、製造する構成板210の種類を増やすと、それに伴って保管費等の維持コストが増加してしまう。
また、処理ウェハの口径が異なると、ディスパージョンヘッドを交換しなければならないため、装置の稼動率が低くなる問題があった。
【0017】
本発明は、上記従来の課題を解決するため、プロセスガスの噴射範囲を制限可能な半導体製造装置用のガス噴射装置を実現することを目的とする。また、複数のウェハ口径に対応させてプロセスガスの噴射範囲を制限可能な半導体製造装置用のガス噴射装置を実現することも目的とする。
【0018】
【課題を解決する為の手段】
本発明にかかる半導体製造装置用のガス噴射装置は、ウェハに対して平面的にガスを噴射する噴射部と、
前記噴射部に着脱可能に取り付けられ、前記噴射部によってガスが噴射される範囲を所定の範囲に制限する噴射制限部材とを備えることを特徴とするものである。
【0019】
本発明にかかる半導体製造装置用のガス噴射装置において、前記噴射部は、ガス導入口と、前記ガス導入口から導入されたガスの圧力を一定に保つバッファと、前記バッファからガスを噴射する複数の噴射口とを備え、前記噴射制限部材は、所定の範囲以外にガスを噴射する噴射口を封止することが好適である。
【0020】
本発明にかかる半導体製造装置用のガス噴射装置において、前記噴射部は、前記複数の噴射口を有する構成板を短冊状に備え、前期噴射制限部材は、前記構成板毎に噴射口を封止することが好適である。
【0021】
本発明にかかる半導体製造装置用のガス噴射装置において、前記噴射制限部材によって制限される所定の範囲は、ウェハの形状に略等しいことが好適である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態による常圧CVD装置における反応室の内部構造を説明するための図である。
図1に示す反応室1において、ディスパージョンヘッド2は、サセプタ4によって支持されたウェハ3に対して、プロセスガス(以下、ガスと称する)を噴射する(図中の矢印に対応する)ためのガス噴射装置である。また、同図において、11は反応室1の側壁を示す。
【0024】
ここで、上記ディスパージョンヘッド2は、構成板21を短冊状に複数張り合わせることによって製造されている。詳細には、異なる種類のガスを噴射する2種類の構成板21a,21bを、交互に複数張り合わせている。
また、図中のディスパージョンヘッド2の左端は、終端板22により終端されている。ここで、終端板22は、アルミニウム等を主原料とする平板である。
また、対向位置にウェハ3がない構成板21(オリフィス)に封止板215を取り付けることより、ガスの噴射範囲を制限している(後述)。
【0025】
図2は、図1に示した構成板21(21a)を説明するための斜視図である。また、図3は、図2に示した構成板21(21a)の正面図である。
【0026】
図2及び図3において、構成板21(21a)は、アルミニウム等を主原料とする平板に、噴射部20が掘り込んで形成されたものである。また、構成板21は、噴射制限部材215としての封止板を備えている(後述)。また、構成板21には、上記構成板21を張り合わせるためのネジ穴214が形成されている。
【0027】
ここで、上記噴射部20は、複数のガス導入口211と、バッファ212と、複数の噴射口213としてのオリフィスと、によって構成されている。
すなわち、アルミニウム等を主原料とする平板に、複数のガス導入口211と、バッファ212と、複数のオリフィス(噴射口)213と、が掘り込んで形成されている。
【0028】
ガス導入口211は、ガス導入口211aと、ガス導入口211bとからなり、各ガス導入口211a,211bは、それぞれ異なるガスラインに接続されている。
例えば、ガス導入口211aは、シラン系ガス(SiH4)を供給するガスライン−1(Gas line−1)に接続され、ガス導入口211bは、酸素系ガス(O2,O3)を供給するガスライン−2(Gas line−2)に接続される(図4参照)。
【0029】
また、図2及び図3に示す構成板21aにおいては、ガス導入口211aの上部が掘り込まれることにより、ガス導入口211aとバッファ212が繋がっている。このため、ガス導入口211aからバッファ212に上記シラン系ガスが導入され、導入されたシラン系ガスがオリフィス213から噴射される。
また、ガス導入口211bの上部は掘り込まれていないため、ガス導入口211bとバッファ212が繋がっていない。このため、ガス導入口211bからバッファ212に、酸素系ガスが導入されない。
すなわち、バッファ212において、シラン系ガスと酸素系ガスとを混合させない。
【0030】
また、図1に示す構成板21bは、上記構成板21aとは反対に、ガス導入口211bの上部が掘り込まれており、且つガス導入口211aの上部が掘り込まれていない(図示省略)。なお、その他の形状については、上記構成板21aと同一である。
このため、ガス導入口211bから上記酸素系ガスがバッファ212に導入され、導入された酸素系ガスがオリフィス213から噴射される。そして、上記シラン系ガスはバッファ212に導入されない。
以下の実施の形態においては、上記構成板21として、上記構成板21aについて説明することとし、構成板21bについては説明を省略ないし簡略化する。
【0031】
バッファ212は、ガス導入口211から導入されたガスの圧力を一定に保つためのものである。
【0032】
オリフィス213は、バッファ212に導入されたガスを、所定の圧力および流量で噴射するためのものである。また、構成板21に形成された複数のオリフィス213から均一にガスが噴射される。
従って、噴射部20は、ウェハ3(図1参照)に対して平面的にガスを噴射する。
【0033】
上記ディスパージョンヘッド2は、従来のディスパージョンヘッド200と概略同一である。
詳細は後述するが、本発明の特徴は、ディスパージョンヘッド2の構成板21に、ガスの噴射範囲を所定の範囲に制限するための封止板215を備えたことである。
【0034】
次に、上記封止板215について説明する。
図2または図3に示すように、封止板215は、構成板21に形成された複数のオリフィス213のうち、ガスを噴射させないオリフィス213を塞ぐためのものである。すなわち、封止板215でオリフィス213を塞ぐことによって、噴射部20のガス噴射範囲が、所定の範囲に制限される。
【0035】
また、上記封止板215の端部には、断面が半円状である凸部215aが形成されている。また、オリフィス213のガス噴射側には、上記凸部215aの外形にほぼ等しく、且つ断面が半球状である凹部216が形成されている。
そして、凸部215aを凹部216に嵌め込むことによって、封止板215が構成板21に着脱可能に取り付けられる。なお、取り付けられた封止板215を、ネジ等によって構成板21に固定してもよい。
【0036】
上記ガス噴射装置であるディスパージョンヘッド2について要約すると、噴射部20は、ウェハ3に対して平面的にガスを噴射し、噴射制限部材215は、噴射部20によってガスが噴射される範囲を所定の範囲に制限する。
また、噴射部20を構成するバッファ212は、ガス導入口211から導入されたガスの圧力を一定に保ち、噴射口213は、バッファ212に蓄えられたガスを噴射する。ここで、上記噴射制限部材215は、所定の範囲以外にガスを噴射する噴射口213を封止する。
【0037】
次に、図4を参照して、ガスの噴射について説明する。
図4は、本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッド2の構成板21におけるガスの噴射について説明するための断面図である。
【0038】
図4に示す構成板21(21a)において、先ず、ガスライン−1(Gas line−1)に接続された複数のガス導入口211(211a)から、バッファ212にガスが導入される。また、図1に示した構成板21bにおいては、ガスライン−2(Gas line−2)に接続された複数のガス導入口211bから、バッファ212にガスが導入される(以後の説明は省略)。
そして、バッファ212において、上記ガス導入口211(211a)から導入されたガスの圧力が一定に保たれる。
次に、封止板215によって封止されたオリフィス213以外の複数のオリフィス213から、上記ガスが所定の圧力・流量で均一に噴射される。
これにより、ディスパージョンヘッド2からウェハ3に対して、ガスが平面的に噴射される(図1参照)。さらに、封止板215により、ディスパージョンヘッド2からのガス噴射範囲が、所定の範囲に制限される(詳細は後述)。
【0039】
次に、図5及び図6を参照して、ディスパージョンヘッド2からウェハ3にガスを噴射する際の、ガス噴射範囲の制限について説明する。
図5及び図6は、本発明を適用したディスパージョンヘッド2を用いてウェハ3にガスを噴射する場合の、ディスパージョンヘッド2と、それに対向するウェハ3との位置関係を示した図である。
ここで、両図は、ともにウェハ3からディスパージョンヘッド2を見た図であり(図1参照)、図2においてはディスパージョンヘッド2の構成板21の上方から見た図である。
【0040】
図5において、2はディスパージョンヘッド、3はウェハ(大口径)を示している。ディスパージョンヘッド2は、上述したように、複数の構成板21を短冊状に備えたものである。詳細には、接続されたガスラインの異なる2種類の構成板21a,21bが、交互に張り合わされたものである。また、ディスパージョンヘッド2の左端は、終端板22により終端されている。
【0041】
また、上記ディスパージョンヘッド2を構成する各構成板21(21a,21b)は、図5に示すように、ガスを噴射させないオリフィス213(図3参照)を封止するための封止板215を備えている。
すなわち、上記各構成板21において、その対向位置にウェハ3が存在しないオリフィス213は、封止板215により封止されている。
このため、各構成板21において、封止板215のサイズは異なる。具体的には、ディスパージョンヘッド2の左右両端近傍の構成板21ほど、その対向位置にウェハ3が存在しないオリフィス213が多いため、これらのオリフィス213を封止する封止板215のサイズも大きくなる。
従って、各構成板21に設けられた封止板215によって対向位置にウェハ3が存在しないオリフィス213からはガスが噴射されないため、ディスパージョンヘッド2のガス噴射範囲は、概略ウェハ3面内に制限される。
【0042】
このように、ディスパージョンヘッド2の噴射部20(図2参照)から噴射されるガスの噴射範囲が、封止板215によって所定の範囲に制限されている。
なお、図2では、所定の範囲を概略ウェハ面内としているが、封止板215の大きさを変えることによって、上記所定の範囲を、ウェハよりも広い範囲あるいは狭い範囲とすることができる。
【0043】
また、図6に示すウェハ3は、図5に示したウェハ3よりも小口径のものである。この場合も、図5において説明したように、ディスパージョンヘッド2の各構成板21において、その対向位置にウェハ3が存在しないオリフィス(図示省略)に封止板215をそれぞれ取り付けて、ガスの噴射範囲を概略ウェハ面内に制限している。
このように、同一のディスパージョンヘッド2において、封止板215の大きさを変えるだけで、異なる口径のウェハに対応している。
【0044】
以上説明したように、本実施の形態では、ディスパージョンヘッド2の構成板21(21a,21b)において、ガスを噴射させないオリフィス213を封止板215で封止することによって、ガスの噴射範囲を所定の範囲に制限した。
ここで、対向位置にウェハ3が存在しないオリフィス213を封止することにより、ガス噴射範囲を概略ウェハ面内に制限できる。
従って、不要なガスの噴射を抑制できるため、反応室1の側壁11やサセプタ4(図1参照)に付着する副生成物が減少する。このため、反応室1やサセプタ4のクリーニング周期が長くなり、装置の稼働率が向上する。
また、ウェハ3上の成膜に寄与しない不必要なガス噴射を抑えることができるため、半導体装置の製造コストを低減できる。
【0045】
また、封止板215は着脱可能であり、封止板215のサイズを変えることによって、ウェハ口径に対応させてガス噴射範囲を制限できる。
従って、処理ウェハの口径が異なる場合においても、共通のディスパージョンヘッド2を使用できるため、設備投資額を抑えることができる。
【0046】
なお、本実施の形態では、常圧CVD装置で使用されるディスパージョンヘッド2について説明したが、上記ディスパージョンヘッド2は、その他のCVD装置または気相成長装置においても使用できる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、噴射制限部材によりガス噴射範囲を所定の範囲に制限できる。これにより、不要なガスの噴射を抑えることができる。
【0048】
また、本発明によれば、ガス噴射範囲を概略ウェハ面内に制限できる。
【0049】
また、本発明によれば、噴射制限部材の大きさを変えることによって、異なる口径のウェハに対応させてガス噴射範囲を制限できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による常圧CVD装置における反応室の内部構造を示す図である。
【図2】本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッドを構成する構成板を説明するための斜視図である。
【図3】本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッドを構成する構成板を説明するための断面図である。
【図4】本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッドの構成板におけるガスの噴射を示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッドと、それに対向するウェハ(大口径)の位置関係を示す図である。
【図6】本発明の実施の形態によるディスパージョンヘッドと、それに対向するウェハ(小口径)の位置関係を示す図である。
【図7】従来の常圧CVD装置における反応室の内部構造を示す図である。
【図8】従来のディスパージョンヘッドを構成する構成板を説明するための斜視図である。
【図9】従来のディスパージョンヘッドを構成する構成板を説明するための断面図である。
【図10】従来のディスパージョンヘッドの構成板におけるガスの噴射を示す断面図である。
【図11】従来のディスパージョンヘッドと、それに対向するウェハ(大口径)の位置関係を示す図である。
【図12】従来のディスパージョンヘッドと、それに対向するウェハ(小口径)の位置関係を示す図である。
【符号の説明】
1 反応室、2 ガス噴射装置(ディスパージョンヘッド)、3 ウェハ、4サセプタ、11 側壁、20 噴射部、21 構成板、22 終端板、211 ガス導入口、212 バッファ、213 噴射口(オリフィス)、214 ネジ穴、215 噴射制限部材(封止板)、215a 凸部、216 凹部。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, and more particularly to a gas injection apparatus that injects a process gas to a wafer.
[0002]
[Prior art]
In order to improve the productivity of semiconductor chips, increasing the diameter of wafers and reducing design rules tend to be further accelerated. Accordingly, it is necessary to appropriately improve the structure of a process reaction chamber (hereinafter, referred to as a reaction chamber) of a semiconductor manufacturing apparatus.
Also in a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus for forming a thin film by a chemical reaction of gas, a gas injection apparatus such as a dispersion head or a shower head, a susceptor or an ESC for supporting a wafer while maintaining a uniform temperature in a wafer surface. (Electrostatic Chuck) and the like have been improved.
[0003]
FIG. 7 is a diagram showing the internal structure of a reaction chamber in a conventional atmospheric pressure CVD apparatus.
In the
Further, the
[0004]
FIG. 8 is a perspective view for explaining the component plate 210 (210a) shown in FIG. FIG. 9 is a front view of the component plate 210 (210a) shown in FIG.
As shown in FIGS. 8 and 9, the
The horizontal direction of the
The
[0005]
Next, gas injection will be described with reference to FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining gas injection on the component plate 210 (210a) of the
In FIG. 10, first, a gas is introduced into the
[0006]
In a
[0007]
Then, in each
Next, in each of the
In this manner, gas is ejected from the
[0008]
As described above, the plurality of
[0009]
Therefore, in order to uniformly inject gas from the
For this reason, the shape of the
[0010]
FIG. 11 and FIG. 12 are views showing the positional relationship between the
[0011]
As shown in FIG. 11, since the
[0012]
Further, as shown in FIG. 12, when the gas is jetted to the
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the cross-sectional shape of the
The gas that does not contribute to the film formation becomes a film or a powdery by-product on the
[0014]
Since this deposit becomes a major factor of particles, there is a problem that the cleaning cycle of the
Furthermore, since a large amount of gas that does not contribute to film formation is injected from the
[0015]
These problems are particularly conspicuous when a large-sized dispersion head corresponding to a large-diameter wafer is used to form a film on a small-diameter wafer, that is, when a gas is injected to a small-diameter wafer.
[0016]
Further, the above-described problem can be solved by manufacturing a dispersion head corresponding to the diameter of the
However, in this method, since a plurality of types of component plates need to be manufactured, a large manufacturing cost is required. Further, when the types of the
Further, if the diameter of the processed wafer is different, the dispersion head must be replaced, which causes a problem that the operation rate of the apparatus is reduced.
[0017]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas injection apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus capable of limiting the injection range of a process gas in order to solve the above-mentioned conventional problems. It is another object of the present invention to realize a gas injection device for a semiconductor manufacturing apparatus capable of limiting a process gas injection range corresponding to a plurality of wafer diameters.
[0018]
[Means for solving the problem]
A gas injection device for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is an injection unit that injects a gas onto a wafer in a plane,
An ejection limiting member that is detachably attached to the ejection unit and limits a range in which gas is ejected by the ejection unit to a predetermined range.
[0019]
Oite the gas injection equipment for semiconductor production apparatuses according to the present invention, the injection unit includes a gas inlet, and a buffer to maintain the pressure of the introduced gas from the gas inlet to the constant, the gas from the buffer It is preferable that a plurality of injection ports for injecting is provided, and the injection restricting member seals the injection port for injecting a gas out of a predetermined range.
[0020]
Oite the gas injection equipment for semiconductor production apparatuses according to the present invention, the injection unit includes a structure plate having a plurality of injection openings in a strip shape, early injection limiting member, the injection port for each of the formation plate Is preferably sealed.
[0021]
Oite the gas injection equipment for semiconductor production apparatuses according to the present invention, the predetermined range limited by the injection limiting member is suitably substantially equal to the shape of the wafer.
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram for explaining an internal structure of a reaction chamber in a normal pressure CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
In the
[0024]
Here, the
The left end of the
Further, the gas injection range is limited by attaching the sealing
[0025]
FIG. 2 is a perspective view for explaining the component plate 21 (21a) shown in FIG. FIG. 3 is a front view of the component plate 21 (21a) shown in FIG.
[0026]
2 and 3, the component plate 21 (21a) is formed by digging the
[0027]
Here, the
That is, a plurality of
[0028]
The
For example,
[0029]
In the
Further, since the upper part of the
That is, in the
[0030]
The
Therefore, the oxygen-based gas is introduced into the
In the following embodiments, the
[0031]
The
[0032]
The
Accordingly, the
[0033]
The
Although the details will be described later, a feature of the present invention is that the
[0034]
Next, the sealing
As shown in FIG. 2 or FIG. 3, the sealing
[0035]
At the end of the sealing
Then, the sealing
[0036]
To summarize the
The
[0037]
Next, gas injection will be described with reference to FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining gas injection on the
[0038]
In the component plate 21 (21a) shown in FIG. 4, first, gas is introduced into the
Then, in the
Next, the gas is uniformly injected at a predetermined pressure and flow rate from a plurality of
Thereby, the gas is ejected from the
[0039]
Next, with reference to FIG. 5 and FIG. 6, a description will be given of the limitation of the gas injection range when injecting gas from the
FIGS. 5 and 6 are views showing the positional relationship between the
Here, both figures are views of the
[0040]
In FIG. 5,
[0041]
Further, as shown in FIG. 5, each component plate 21 (21a, 21b) constituting the
That is, in each of the
For this reason, the size of the sealing
Accordingly, since the gas is not injected from the
[0042]
As described above, the injection range of the gas injected from the injection unit 20 (see FIG. 2) of the
In FIG. 2, the predetermined range is substantially within the wafer plane. However, by changing the size of the sealing
[0043]
The
As described above, in the
[0044]
As described above, in the present embodiment, the gas injection range is reduced by sealing the
Here, by sealing the
Therefore, since unnecessary gas injection can be suppressed, by-products adhering to the
Further, unnecessary gas injection that does not contribute to film formation on the
[0045]
Further, the sealing
Therefore, even when the diameters of the processed wafers are different, the
[0046]
In this embodiment, the
[0047]
【The invention's effect】
According to the present invention, the gas injection range can be limited to a predetermined range by the injection limiting member. Thus, unnecessary gas injection can be suppressed.
[0048]
Further , according to the present invention, the gas injection range can be limited to approximately within the wafer plane.
[0049]
Further , according to the present invention, by changing the size of the ejection restricting member, the gas ejection range can be restricted in correspondence with wafers having different diameters.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an internal structure of a reaction chamber in an atmospheric pressure CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view for explaining a component plate constituting the dispersion head according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a component plate constituting the dispersion head according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing gas injection on a component plate of the dispersion head according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a positional relationship between a dispersion head according to an embodiment of the present invention and a wafer (large diameter) opposed thereto.
FIG. 6 is a diagram showing a positional relationship between a dispersion head according to an embodiment of the present invention and a wafer (small diameter) opposed thereto.
FIG. 7 is a diagram showing an internal structure of a reaction chamber in a conventional atmospheric pressure CVD apparatus.
FIG. 8 is a perspective view for explaining a component plate constituting a conventional dispersion head.
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a component plate constituting a conventional dispersion head.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing gas injection from a component plate of a conventional dispersion head.
FIG. 11 is a view showing a positional relationship between a conventional dispersion head and a wafer (large diameter) opposed thereto.
FIG. 12 is a diagram showing a positional relationship between a conventional dispersion head and a wafer (small diameter) opposed thereto.
[Explanation of symbols]
1 reaction chamber, 2 gas injection device (dispersion head), 3 wafers, 4 susceptors, 11 side walls, 20 injection units, 21 component plates, 22 end plates, 211 gas introduction ports, 212 buffers, 213 injection ports (orifices), 214 screw hole, 215 injection restricting member (sealing plate), 215a convex portion, 216 concave portion.
Claims (4)
前記噴射部に着脱可能に取り付けられ、前記噴射部によってガスが噴射される範囲を所定の範囲に制限する噴射制限部材とを備えることを特徴とする半導体製造装置用のガス噴射装置。An injection unit that injects gas into the wafer in a plane,
A gas injection device for a semiconductor manufacturing apparatus , comprising: an ejection restricting member that is detachably attached to the ejection unit and that limits a range in which gas is ejected by the ejection unit to a predetermined range.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203022A JP3548095B2 (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment |
KR1020000054763A KR20020004782A (en) | 2000-07-05 | 2000-09-19 | Gas Injecting Device for Semiconductor Manufacturing Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203022A JP3548095B2 (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002025996A JP2002025996A (en) | 2002-01-25 |
JP3548095B2 true JP3548095B2 (en) | 2004-07-28 |
Family
ID=18700471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000203022A Expired - Fee Related JP3548095B2 (en) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3548095B2 (en) |
KR (1) | KR20020004782A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4753644B2 (en) * | 2005-07-05 | 2011-08-24 | 積水化学工業株式会社 | Atmospheric pressure CVD method and apparatus |
JP2007324529A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | Gas inlet apparatus, manufacturing method therefor, and processing apparatus |
CN108531886B (en) * | 2017-03-01 | 2020-09-25 | 广东众元半导体科技有限公司 | Detachable chemical vapor deposition spray set |
-
2000
- 2000-07-05 JP JP2000203022A patent/JP3548095B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-19 KR KR1020000054763A patent/KR20020004782A/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020004782A (en) | 2002-01-16 |
JP2002025996A (en) | 2002-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI662640B (en) | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit | |
TW202131426A (en) | Substrate support plate, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
JP6134522B2 (en) | Vapor growth apparatus and vapor growth method | |
TW202105556A (en) | Substrate processing device | |
JP4430003B2 (en) | High density plasma chemical vapor deposition system | |
JP2014535001A (en) | Gas delivery and distribution for homogeneous processes in a linear large area plasma reactor. | |
JP2005507159A5 (en) | ||
JP2004214669A (en) | Reaction container for thin film deposition | |
US20050092245A1 (en) | Plasma chemical vapor deposition apparatus having an improved nozzle configuration | |
JP2020061549A (en) | Substrate processing apparatus | |
JPH1064831A (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
KR20130074413A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP3548095B2 (en) | Gas injection equipment for semiconductor manufacturing equipment | |
JPS615515A (en) | Chemical vapor growth apparatus | |
JP2004006551A (en) | Device and method for treating substrate | |
TWI502096B (en) | Reaction device and manufacture method for chemical vapor deposition | |
KR101452834B1 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
KR101084311B1 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
KR101464644B1 (en) | Semiconductor Apparatus of Furnace Type and Cluster Apparatus | |
TWI809280B (en) | Double-station processor and plasma treatment equipment to achieve uniform exhaust | |
JP2004296659A (en) | Substrate treating apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
TWI838594B (en) | Substrate processing apparatus | |
CN220450288U (en) | Film processing apparatus | |
KR102208609B1 (en) | Shower head for chemical vapor deposition and depositing apparatus using the same | |
US20230374662A1 (en) | Substrate processing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |