JP3546992B2 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光素子に関し、特に電流狭窄型の半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開昭６０−１４５６７７号公報には、従来の電流狭窄型の半導体発光素子が開示されている。以下上記公報に示される半導体発光素子を説明する。
【０００３】
図９は、従来の半導体発光素子の構成を示す。半導体発光素子９０は、基板１５と、基板１５上に形成され基板１５を露出する穴９６Ｈを有するＮ型ブロック層９６と、Ｎ型ブロック層９６および基板１５の露出面上に形成されたＰ型クラッド層５と、Ｐ型クラッド層５上に形成され光を発光する活性領域１０を有しているＰ型活性層４と、Ｐ型活性層４上に形成されたＮ型クラッド層３と、Ｎ型クラッド層３上に形成されたＮ型ウィンドウ層２と、活性領域１０に対して基板１５と反対側に形成され活性領域１０から発光した光を取り出す光取り出し穴１Ｈを有するＮ側電極１と、基板１５に対して活性領域１０と反対側に形成されたＰ側電極７とを備えている。
【０００４】
従来の半導体発光素子９０の動作を説明する。Ｐ側電極７から注入された電流は、基板１５から穴９６Ｈの中央部を通ってＰ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３、Ｎ型ウィンドウ層２を経てＮ側電極１へ流れる。Ｎ型ブロック層９６とＰ型クラッド層５との間は逆バイアスになっているため、基板１５からＮ型ブロック層９６へは電流は流れない。Ｎ型ブロック層９６は電流狭窄層として機能する。半導体発光素子９０では、専ら穴９６Ｈが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【０００５】
半導体発光素子９０では、穴９６Ｈ付近に存在する活性領域１０で再結合発光が生じる。活性領域１０で発光した光１２、１３および１４は、基板１５が不透明であるため、活性領域１０に対して基板１５と反対側に形成された穴１Ｈから放射する。
【０００６】
図１０は、従来の半導体発光素子９０の製造方法を示す。図１０（Ａ）を参照して、基板１５が準備される。図１０（Ｂ）を参照して、基板１５上の全面にＮ型ブロック層９６をエピタキシャル成長させる。図１０（Ｃ）を参照して、Ｎ型ブロック層９６に対してエッチングを行って基板１５に達する円形の穴９６Ｈを形成する。
【０００７】
図１０（Ｄ）を参照して、Ｎ型ブロック層９６が形成された基板１５上にＰ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３、Ｎ型ウィンドウ層２を順次にエピタキシャル成長させる。図１０（Ｅ）を参照して、Ｎ側電極１とＰ側電極７とを蒸着する。Ｎ型ブロック層９６に形成された穴９６Ｈの真上に位置するＮ側電極１の部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１Ｈを形成すると、半導体発光素子９０の製造が完了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
再び図９を参照して、従来の半導体発光素子９０では、活性領域１０から発光した光１２および１４は広がって穴１Ｈから放射する。活性領域１０から発光した光の指向性を確保するため、穴１Ｈから広がって放射する光１２および１４をレンズ等の光学系を用いて集光させようとすると、レンズ等の光学系の負担が増大するという課題が生じる。
【０００９】
また従来の半導体発光素子９０では、Ｎ型ブロック層９６は電流狭窄層として機能するため、電流は、穴９６Ｈが形成されている中央部のみに集中して流れる。中央部のみに集中して電流が流れると、活性領域１０での発光による発熱が大きくなる。また中央部で発光しているため、発光による熱が逃げ難い。この結果、発光により熱抵抗が増大し、活性領域１０での発光効率が低下するという課題が生じる。
【００１０】
本発明の目的は、レンズ等の光学系の負担を軽減しつつ、発光した光の良好な指向性を確保することができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成され、該基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層と、該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成されたＰ型クラッド層と、該Ｐ型クラッド層上に形成され、光を発光する活性領域を該Ｎ型ブロック層の穴内に有しているＰ型活性層と、該Ｐ型活性層上に形成されたＮ型クラッド層と、該活性領域に対して該基板と反対側に形成され、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極と、該基板に対して該活性領域と反対側に形成されたＰ側電極とを備えている半導体発光素子であって、該活性領域と該Ｎ側電極との間における該Ｎ型クラッド層上において、該活性領域の上方に設けられたウィンドウ層を取り囲んで形成され、該活性領域から発光して該ウィンドウ層内に進入した光を反射して、該ウィンドウ層を通って該Ｎ側電極の光取り出し穴に集光させる反射層とを備え、該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、該放熱部は、該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有し、該露出面が形成されるように前記Ｐ型クラッド層が該Ｎ型ブロック層上に積層されて、該Ｐ型クラッド層上に該Ｐ型活性層が、該Ｐ型活性層上に該Ｎ型クラッド層が、該Ｎ型クラッド層上に該ウィンドウ層および反射層が、該ウィンドウ層および反射層上に該Ｎ側電極がそれぞれ積層されており、これにより上記目的が達成される。
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層を該基板上に形成する第１工程と、その後、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成する第２工程と、その後、光を発光する活性領域を有しているＰ型活性層を、該Ｎ型ブロック層の穴内に該活性領域が位置するように、該Ｐ型クラッド層上に形成するとともに、該Ｐ型活性層上にＮ型クラッド層を形成する第３工程と、その後、該活性領域に対して該基板と反対側であるＮ型クラッド層上に、該活性領域の上方にウィンドウ層を形成するとともに、該活性領域から発光した光を反射して集光させる反射層を該ウィンドウ層を取り囲んで形成する第４工程と、その後、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極を該活性領域に対して該基板と反対側である該反射層および該ウィンドウ層上に形成する第５工程と、前記第４工程の後に、Ｐ側電極を該基板に対して該活性領域と反対側に形成する第６工程とを包含しており、該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、該第２工程および該第３工程は、該放熱部が該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有しているように、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層上および該基板の露出面上に形成し、該Ｐ型活性層を該Ｐ型クラッド層上に、該Ｎ型クラッド層を該Ｐ型活性層上に、該ウィンドウ層および反射層を該Ｎ型クラッド層上に、該Ｎ側電極を該ウィンドウ層および反射層上に、それぞれ形成し、これにより上記目的が達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す。半導体発光素子１１０は、基板１５Ａと、基板１５Ａ上に形成され基板１５Ａを露出する穴６ＡＨを有するＮ型ブロック層６Ａと、Ｎ型ブロック層６Ａおよび基板１５Ａの露出面上に形成されたＰ型クラッド層５Ａと、Ｐ型クラッド層５Ａ上に形成され光を発光する活性領域１０Ａを有しているＰ型活性層４Ａと、Ｐ型活性層４Ａ上に形成されたＮ型クラッド層３Ａと、Ｎ型クラッド層３Ａ上に形成されたＮ型ウィンドウ層２Ａと、活性領域１０Ａに対して基板１５Ａと反対側に形成され活性領域１０Ａから発光した光を取り出す光取り出し穴１ＡＨを有するＮ側電極１Ａと、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成され活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９と、基板１５Ａに対して活性領域１０Ａと反対側に形成されたＰ側電極７Ａとを備えている。反射層９は、高アルミ混晶比の材質で形成されている。
【００１９】
半導体発光素子１１０の動作を説明する。図９を参照して前述した従来の半導体発光素子９０の場合と同様に、Ｐ側電極７Ａから注入された電流は、基板１５Ａから穴６ＡＨの中央部を通ってＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３Ａ、Ｎ型ウィンドウ層２Ａを経てＮ側電極１Ａへ流れる。Ｎ型ブロック層６ＡとＰ型クラッド層５Ａとの間は逆バイアスになっているため、基板１５ＡからＮ型ブロック層６Ａへは電流は流れない。Ｎ型ブロック層６Ａは電流狭窄層として機能する。半導体発光素子１１０では、専ら穴６ＡＨが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【００２０】
活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光するように穴１ＡＨから放射する。活性領域１０Ａで発光した光１３は、穴１ＡＨから放射する。
【００２１】
図２および図３は、実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の製造方法を示す。図４は、半導体発光素子１１０の製造方法のフローチャートを示す。
【００２２】
図２、図３および図４を参照して、基板１５Ａが準備される（図２（Ａ））。基板１５Ａ上の全面にＤＢＲ反射層８およびＮ型ブロック層６Ａをエピタキシャル成長させる（図２（Ｂ））。Ｎ型ブロック層６Ａに対してエッチングを行ってＤＢＲ反射層８に達する円形の穴６ＡＨを形成する（図２（Ｃ）、図４：Ｓ４１）。
【００２３】
ＤＢＲ反射層８およびＮ型ブロック層６Ａが形成された基板１５Ａ上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを順次にエピタキシャル成長させる（図２（Ｄ）、図４：Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４）。Ｎ型ウィンドウ層２ＡＰに対してエッチングを行ってＮ型ウィンドウ層２Ａを形成する（図２（Ｅ）、図４：Ｓ４５）。
【００２４】
Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａ上に反射層９Ｐをエピタキシャル成長させる（図３（Ａ））。反射層９Ｐに対してエッチングを行って反射層９を形成し（図３（Ｂ）、図４：Ｓ４６）、Ｎ側電極１ＡとＰ側電極７Ａとを蒸着する（図４：Ｓ４７、Ｓ４８）。Ｎ型ブロック層６Ａに形成された穴６ＡＨの真上に位置するＮ側電極１Ａの部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１ＡＨを形成する。
【００２５】
以上のように実施の形態１に係る半導体発光素子１１０によれば、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に、活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９を設けているので、活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光する。この結果、半導体発光素子１１０自体の集光性が向上し、レンズ系等の光学系の負担を軽減することができる。
【００２６】
なお、活性領域１０Ａを有するＰ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３Ａおよび反射層９の順に積層された構成の半導体発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。反射層９は、活性領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成されていればよい。
【００２７】
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２に係る半導体発光素子１２０の構成を示す。図１で前述した実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらについての詳細な説明は省略する。
【００２８】
半導体発光素子１２０は、基板１５Ｂと、基板１５Ｂ上に形成され基板１５Ｂを露出する穴６ＢＨを有するＮ型ブロック層６Ｂと、Ｎ型ブロック層６Ｂおよび基板１５Ｂの露出面上に形成されたＰ型クラッド層５Ａと、Ｐ型クラッド層５Ａ上に形成され光を発光する活性領域１０Ａを有しているＰ型活性層４Ａと、Ｐ型活性層４Ａ上に形成されたＮ型クラッド層３Ａと、Ｎ型クラッド層３Ａ上に形成されたＮ型ウィンドウ層２Ａと、活性領域１０Ａに対して基板１５Ｂと反対側に形成され活性領域１０Ａから発光した光を取り出す光取り出し穴１ＡＨを有するＮ側電極１Ａと、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成され活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９と、基板１５Ｂに対して活性領域１０Ａと反対側に形成されたＰ側電極７Ｂとを備えている。
【００２９】
Ｎ型ブロック層６Ｂは、活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部６ＢＲを有している。放熱部６ＢＲは、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面Ｓ１および露出面Ｓ２を有している。露出面Ｓ１および露出面Ｓ２は、ハーフダイシング等により形成される。
【００３０】
放熱部６ＢＲは、露出面Ｓ１では水平方向にＴ３＝１０μｍ以上露出しており、露出面Ｓ２では厚み方向にＴ１＝１．０μｍ以上露出している。
【００３１】
半導体発光素子１２０の動作を説明する。図１を参照して前述した実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の場合と同様に、Ｐ側電極７Ｂから注入された電流は、基板１５Ｂから穴６ＢＨの中央部を通ってＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａを経てＮ側電極１Ａへ流れる。Ｎ型ブロック層６ＢとＰ型クラッド層５Ａとの間は逆バイアスになっているため、基板１５ＢからＮ型ブロック層６Ｂへは電流は流れない。Ｎ型ブロック層６Ｂは電流狭窄層として機能する。半導体発光素子１２０では、専ら穴６ＢＨが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【００３２】
活性領域１０Ａで発生した熱は、矢印１１で示すように放熱部６ＢＲに形成された露出面Ｓ１、Ｓ２を介して放熱する。露出面Ｓ１、Ｓ２は、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積を有している。Ｎ型ブロック層６Ｂは、その厚みＴ１が図９に示す従来の半導体発光素子９０に形成されたＮ型ブロック層６の厚みＴ２よりも厚くなるように形成されているので、放熱効果はより一層高まる。
【００３３】
実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の場合と同様に、活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光する。
【００３４】
図６および図７は、実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す。図８は、実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートを示す。
【００３５】
図６、図７および図８を参照して、基板１５Ｂが準備される（図６（Ａ））。基板１５Ｂ上の全面にＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂをエピタキシャル成長させる（図６（Ｂ））。Ｎ型ブロック層６Ｂに対してエッチングを行ってＤＢＲ反射層８Ｂに達する円形の穴６ＢＨを形成する（図６（Ｃ）、図８：Ｓ８１）。
【００３６】
ＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂが形成された基板１５Ｂ上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを順次にエピタキシャル成長させる（図６（Ｄ）、図８：Ｓ８２、Ｓ８３、Ｓ８４）。
【００３７】
Ｐ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａは、露出面Ｓ１が露出するようにＰＮ型ブロック層６Ｂの一部の上に形成される。
【００３８】
Ｎ型ウィンドウ層２ＡＰに対してエッチングを行ってＮ型ウィンドウ層２Ａを形成する（図６（Ｅ）、図８：Ｓ８５）。
【００３９】
Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａ上に反射層９Ｐをエピタキシャル成長させる（図７（Ａ））。反射層９Ｐに対してエッチングを行って反射層９を形成し（図７（Ｂ）、図８：Ｓ８６）、Ｎ側電極１ＡとＰ側電極７Ｂとを蒸着する（図８：Ｓ８７、Ｓ８８）。Ｎ型ブロック層６Ｂに形成された穴６ＢＨの真上に位置するＮ側電極１Ａの部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１ＡＨを形成する。
【００４０】
以上のように実施の形態２に係る半導体発光素子１２０によれば、Ｎ型ブロック層６Ｂは活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部６ＢＲを有しており、放熱部６ＢＲは活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面Ｓ１、Ｓ２を有している。活性領域１０Ａで発生した熱は放熱部６ＢＲに形成された露出面Ｓ１、Ｓ２を介して放熱する。
【００４１】
このように従来は電流を遮断するためにのみ用いられていたＮ型ブロック層６Ｂに、発生した熱を放熱させるヒートシンクの役割を果たさせることができる。
【００４２】
この結果、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【００４３】
なおＮ型ブロック層６Ｂの一部の上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４ＡおよびＮ型クラッド層３Ａが形成されている構成の半導体発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。Ｎ型ブロック層６Ｂは、活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部を有しており、放熱部は、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有していればよい。例えば、Ｎ型ブロック層６Ｂの全面にＰ型クラッド層、Ｐ型活性層およびＮ型クラッド層が形成されており露出面Ｓ１が形成されていなくても、露出面Ｓ２が好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積を有していればよい。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レンズ等の光学系の負担を軽減しつつ、発光した光の良好な指向性を確保することができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【００４５】
また本発明によれば、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５Ａを準備する工程を示す図である。
（Ｂ）ＤＢＲ反射層８ＡおよびＮ型ブロック層６Ａを形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層６Ａに円形の穴６ＡＨを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｐ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ型ウィンドウ層２Ａを形成する工程を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）反射層９Ｐを形成する工程を示す図である。
（Ｂ）反射層９Ｐにエッチングを行って反射層９を形成する工程を示す図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートである。
【図５】実施の形態２に係る半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５Ｂを準備する工程を示す図である。
（Ｂ）ＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂを形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層６Ｂに円形の穴６ＢＨを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｎ型ブロック層６Ｂの一部の上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ型ウィンドウ層２Ａを形成する工程を示す図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）反射層９Ｐを形成する工程を示す図である。
（Ｂ）反射層９Ｐにエッチングを行って反射層９を形成する工程を示す図である。
【図８】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートである。
【図９】従来の半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５を準備する工程を示す図である。
（Ｂ）Ｎ型ブロック層９６を形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層９６に円形の穴９６Ｈを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｐ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３およびＮ型ウィンドウ層２を形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ側電極１とＰ側電極７とを蒸着する工程を示す図である。
【符号の説明】
１Ａ Ｎ側電極
１ＡＨ 光取り出し穴
５Ａ Ｐ型クラッド層
６Ａ Ｎ型ブロック層
６ＡＨ 穴
９ 反射層
１０Ａ 活性化領域
１５Ａ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光素子に関し、特に電流狭窄型の半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開昭６０−１４５６７７号公報には、従来の電流狭窄型の半導体発光素子が開示されている。以下上記公報に示される半導体発光素子を説明する。
【０００３】
図９は、従来の半導体発光素子の構成を示す。半導体発光素子９０は、基板１５と、基板１５上に形成され基板１５を露出する穴９６Ｈを有するＮ型ブロック層９６と、Ｎ型ブロック層９６および基板１５の露出面上に形成されたＰ型クラッド層５と、Ｐ型クラッド層５上に形成され光を発光する活性領域１０を有しているＰ型活性層４と、Ｐ型活性層４上に形成されたＮ型クラッド層３と、Ｎ型クラッド層３上に形成されたＮ型ウィンドウ層２と、活性領域１０に対して基板１５と反対側に形成され活性領域１０から発光した光を取り出す光取り出し穴１Ｈを有するＮ側電極１と、基板１５に対して活性領域１０と反対側に形成されたＰ側電極７とを備えている。
【０００４】
従来の半導体発光素子９０の動作を説明する。Ｐ側電極７から注入された電流は、基板１５から穴９６Ｈの中央部を通ってＰ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３、Ｎ型ウィンドウ層２を経てＮ側電極１へ流れる。Ｎ型ブロック層９６とＰ型クラッド層５との間は逆バイアスになっているため、基板１５からＮ型ブロック層９６へは電流は流れない。Ｎ型ブロック層９６は電流狭窄層として機能する。半導体発光素子９０では、専ら穴９６Ｈが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【０００５】
半導体発光素子９０では、穴９６Ｈ付近に存在する活性領域１０で再結合発光が生じる。活性領域１０で発光した光１２、１３および１４は、基板１５が不透明であるため、活性領域１０に対して基板１５と反対側に形成された穴１Ｈから放射する。
【０００６】
図１０は、従来の半導体発光素子９０の製造方法を示す。図１０（Ａ）を参照して、基板１５が準備される。図１０（Ｂ）を参照して、基板１５上の全面にＮ型ブロック層９６をエピタキシャル成長させる。図１０（Ｃ）を参照して、Ｎ型ブロック層９６に対してエッチングを行って基板１５に達する円形の穴９６Ｈを形成する。
【０００７】
図１０（Ｄ）を参照して、Ｎ型ブロック層９６が形成された基板１５上にＰ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３、Ｎ型ウィンドウ層２を順次にエピタキシャル成長させる。図１０（Ｅ）を参照して、Ｎ側電極１とＰ側電極７とを蒸着する。Ｎ型ブロック層９６に形成された穴９６Ｈの真上に位置するＮ側電極１の部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１Ｈを形成すると、半導体発光素子９０の製造が完了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
再び図９を参照して、従来の半導体発光素子９０では、活性領域１０から発光した光１２および１４は広がって穴１Ｈから放射する。活性領域１０から発光した光の指向性を確保するため、穴１Ｈから広がって放射する光１２および１４をレンズ等の光学系を用いて集光させようとすると、レンズ等の光学系の負担が増大するという課題が生じる。
【０００９】
また従来の半導体発光素子９０では、Ｎ型ブロック層９６は電流狭窄層として機能するため、電流は、穴９６Ｈが形成されている中央部のみに集中して流れる。中央部のみに集中して電流が流れると、活性領域１０での発光による発熱が大きくなる。また中央部で発光しているため、発光による熱が逃げ難い。この結果、発光により熱抵抗が増大し、活性領域１０での発光効率が低下するという課題が生じる。
【００１０】
本発明の目的は、レンズ等の光学系の負担を軽減しつつ、発光した光の良好な指向性を確保することができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成され、該基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層と、該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成されたＰ型クラッド層と、該Ｐ型クラッド層上に形成され、光を発光する活性領域を該Ｎ型ブロック層の穴内に有しているＰ型活性層と、該Ｐ型活性層上に形成されたＮ型クラッド層と、該活性領域に対して該基板と反対側に形成され、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極と、該基板に対して該活性領域と反対側に形成されたＰ側電極とを備えている半導体発光素子であって、該活性領域と該Ｎ側電極との間における該Ｎ型クラッド層上において、該活性領域の上方に設けられたウィンドウ層を取り囲んで形成され、該活性領域から発光して該ウィンドウ層内に進入した光を反射して、該ウィンドウ層を通って該Ｎ側電極の光取り出し穴に集光させる反射層とを備え、該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、該放熱部は、該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有し、該露出面が形成されるように前記Ｐ型クラッド層が該Ｎ型ブロック層上に積層されて、該Ｐ型クラッド層上に該Ｐ型活性層が、該Ｐ型活性層上に該Ｎ型クラッド層が、該Ｎ型クラッド層上に該ウィンドウ層および反射層が、該ウィンドウ層および反射層上に該Ｎ側電極がそれぞれ積層されており、これにより上記目的が達成される。
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層を該基板上に形成する第１工程と、その後、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成する第２工程と、その後、光を発光する活性領域を有しているＰ型活性層を、該Ｎ型ブロック層の穴内に該活性領域が位置するように、該Ｐ型クラッド層上に形成するとともに、該Ｐ型活性層上にＮ型クラッド層を形成する第３工程と、その後、該活性領域に対して該基板と反対側であるＮ型クラッド層上に、該活性領域の上方にウィンドウ層を形成するとともに、該活性領域から発光した光を反射して集光させる反射層を該ウィンドウ層を取り囲んで形成する第４工程と、その後、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極を該活性領域に対して該基板と反対側である該反射層および該ウィンドウ層上に形成する第５工程と、前記第４工程の後に、Ｐ側電極を該基板に対して該活性領域と反対側に形成する第６工程とを包含しており、該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、該第２工程および該第３工程は、該放熱部が該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有しているように、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層上および該基板の露出面上に形成し、該Ｐ型活性層を該Ｐ型クラッド層上に、該Ｎ型クラッド層を該Ｐ型活性層上に、該ウィンドウ層および反射層を該Ｎ型クラッド層上に、該Ｎ側電極を該ウィンドウ層および反射層上に、それぞれ形成し、これにより上記目的が達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す。半導体発光素子１１０は、基板１５Ａと、基板１５Ａ上に形成され基板１５Ａを露出する穴６ＡＨを有するＮ型ブロック層６Ａと、Ｎ型ブロック層６Ａおよび基板１５Ａの露出面上に形成されたＰ型クラッド層５Ａと、Ｐ型クラッド層５Ａ上に形成され光を発光する活性領域１０Ａを有しているＰ型活性層４Ａと、Ｐ型活性層４Ａ上に形成されたＮ型クラッド層３Ａと、Ｎ型クラッド層３Ａ上に形成されたＮ型ウィンドウ層２Ａと、活性領域１０Ａに対して基板１５Ａと反対側に形成され活性領域１０Ａから発光した光を取り出す光取り出し穴１ＡＨを有するＮ側電極１Ａと、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成され活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９と、基板１５Ａに対して活性領域１０Ａと反対側に形成されたＰ側電極７Ａとを備えている。反射層９は、高アルミ混晶比の材質で形成されている。
【００１９】
半導体発光素子１１０の動作を説明する。図９を参照して前述した従来の半導体発光素子９０の場合と同様に、Ｐ側電極７Ａから注入された電流は、基板１５Ａから穴６ＡＨの中央部を通ってＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３Ａ、Ｎ型ウィンドウ層２Ａを経てＮ側電極１Ａへ流れる。Ｎ型ブロック層６ＡとＰ型クラッド層５Ａとの間は逆バイアスになっているため、基板１５ＡからＮ型ブロック層６Ａへは電流は流れない。Ｎ型ブロック層６Ａは電流狭窄層として機能する。半導体発光素子１１０では、専ら穴６ＡＨが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【００２０】
活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光するように穴１ＡＨから放射する。活性領域１０Ａで発光した光１３は、穴１ＡＨから放射する。
【００２１】
図２および図３は、実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の製造方法を示す。図４は、半導体発光素子１１０の製造方法のフローチャートを示す。
【００２２】
図２、図３および図４を参照して、基板１５Ａが準備される（図２（Ａ））。基板１５Ａ上の全面にＤＢＲ反射層８およびＮ型ブロック層６Ａをエピタキシャル成長させる（図２（Ｂ））。Ｎ型ブロック層６Ａに対してエッチングを行ってＤＢＲ反射層８に達する円形の穴６ＡＨを形成する（図２（Ｃ）、図４：Ｓ４１）。
【００２３】
ＤＢＲ反射層８およびＮ型ブロック層６Ａが形成された基板１５Ａ上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを順次にエピタキシャル成長させる（図２（Ｄ）、図４：Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４）。Ｎ型ウィンドウ層２ＡＰに対してエッチングを行ってＮ型ウィンドウ層２Ａを形成する（図２（Ｅ）、図４：Ｓ４５）。
【００２４】
Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａ上に反射層９Ｐをエピタキシャル成長させる（図３（Ａ））。反射層９Ｐに対してエッチングを行って反射層９を形成し（図３（Ｂ）、図４：Ｓ４６）、Ｎ側電極１ＡとＰ側電極７Ａとを蒸着する（図４：Ｓ４７、Ｓ４８）。Ｎ型ブロック層６Ａに形成された穴６ＡＨの真上に位置するＮ側電極１Ａの部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１ＡＨを形成する。
【００２５】
以上のように実施の形態１に係る半導体発光素子１１０によれば、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に、活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９を設けているので、活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光する。この結果、半導体発光素子１１０自体の集光性が向上し、レンズ系等の光学系の負担を軽減することができる。
【００２６】
なお、活性領域１０Ａを有するＰ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３Ａおよび反射層９の順に積層された構成の半導体発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。反射層９は、活性領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成されていればよい。
【００２７】
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２に係る半導体発光素子１２０の構成を示す。図１で前述した実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらについての詳細な説明は省略する。
【００２８】
半導体発光素子１２０は、基板１５Ｂと、基板１５Ｂ上に形成され基板１５Ｂを露出する穴６ＢＨを有するＮ型ブロック層６Ｂと、Ｎ型ブロック層６Ｂおよび基板１５Ｂの露出面上に形成されたＰ型クラッド層５Ａと、Ｐ型クラッド層５Ａ上に形成され光を発光する活性領域１０Ａを有しているＰ型活性層４Ａと、Ｐ型活性層４Ａ上に形成されたＮ型クラッド層３Ａと、Ｎ型クラッド層３Ａ上に形成されたＮ型ウィンドウ層２Ａと、活性領域１０Ａに対して基板１５Ｂと反対側に形成され活性領域１０Ａから発光した光を取り出す光取り出し穴１ＡＨを有するＮ側電極１Ａと、活性化領域１０ＡとＮ側電極１Ａとの間に形成され活性領域１０Ａから発光した光を反射して集光させる反射層９と、基板１５Ｂに対して活性領域１０Ａと反対側に形成されたＰ側電極７Ｂとを備えている。
【００２９】
Ｎ型ブロック層６Ｂは、活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部６ＢＲを有している。放熱部６ＢＲは、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面Ｓ１および露出面Ｓ２を有している。露出面Ｓ１および露出面Ｓ２は、ハーフダイシング等により形成される。
【００３０】
放熱部６ＢＲは、露出面Ｓ１では水平方向にＴ３＝１０μｍ以上露出しており、露出面Ｓ２では厚み方向にＴ１＝１．０μｍ以上露出している。
【００３１】
半導体発光素子１２０の動作を説明する。図１を参照して前述した実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の場合と同様に、Ｐ側電極７Ｂから注入された電流は、基板１５Ｂから穴６ＢＨの中央部を通ってＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａを経てＮ側電極１Ａへ流れる。Ｎ型ブロック層６ＢとＰ型クラッド層５Ａとの間は逆バイアスになっているため、基板１５ＢからＮ型ブロック層６Ｂへは電流は流れない。Ｎ型ブロック層６Ｂは電流狭窄層として機能する。半導体発光素子１２０では、専ら穴６ＢＨが形成されている中央部のみが電流経路となる。
【００３２】
活性領域１０Ａで発生した熱は、矢印１１で示すように放熱部６ＢＲに形成された露出面Ｓ１、Ｓ２を介して放熱する。露出面Ｓ１、Ｓ２は、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積を有している。Ｎ型ブロック層６Ｂは、その厚みＴ１が図９に示す従来の半導体発光素子９０に形成されたＮ型ブロック層６の厚みＴ２よりも厚くなるように形成されているので、放熱効果はより一層高まる。
【００３３】
実施の形態１に係る半導体発光素子１１０の場合と同様に、活性領域１０Ａで発光した広がろうとする光１２Ａおよび１４Ａは、反射層９により反射して、光の進行方向の中央へ集光する。
【００３４】
図６および図７は、実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す。図８は、実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートを示す。
【００３５】
図６、図７および図８を参照して、基板１５Ｂが準備される（図６（Ａ））。基板１５Ｂ上の全面にＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂをエピタキシャル成長させる（図６（Ｂ））。Ｎ型ブロック層６Ｂに対してエッチングを行ってＤＢＲ反射層８Ｂに達する円形の穴６ＢＨを形成する（図６（Ｃ）、図８：Ｓ８１）。
【００３６】
ＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂが形成された基板１５Ｂ上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを順次にエピタキシャル成長させる（図６（Ｄ）、図８：Ｓ８２、Ｓ８３、Ｓ８４）。
【００３７】
Ｐ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａは、露出面Ｓ１が露出するようにＰＮ型ブロック層６Ｂの一部の上に形成される。
【００３８】
Ｎ型ウィンドウ層２ＡＰに対してエッチングを行ってＮ型ウィンドウ層２Ａを形成する（図６（Ｅ）、図８：Ｓ８５）。
【００３９】
Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２Ａ上に反射層９Ｐをエピタキシャル成長させる（図７（Ａ））。反射層９Ｐに対してエッチングを行って反射層９を形成し（図７（Ｂ）、図８：Ｓ８６）、Ｎ側電極１ＡとＰ側電極７Ｂとを蒸着する（図８：Ｓ８７、Ｓ８８）。Ｎ型ブロック層６Ｂに形成された穴６ＢＨの真上に位置するＮ側電極１Ａの部分を丸くエッチングして除去し、光取り出し窓である穴１ＡＨを形成する。
【００４０】
以上のように実施の形態２に係る半導体発光素子１２０によれば、Ｎ型ブロック層６Ｂは活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部６ＢＲを有しており、放熱部６ＢＲは活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面Ｓ１、Ｓ２を有している。活性領域１０Ａで発生した熱は放熱部６ＢＲに形成された露出面Ｓ１、Ｓ２を介して放熱する。
【００４１】
このように従来は電流を遮断するためにのみ用いられていたＮ型ブロック層６Ｂに、発生した熱を放熱させるヒートシンクの役割を果たさせることができる。
【００４２】
この結果、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【００４３】
なおＮ型ブロック層６Ｂの一部の上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４ＡおよびＮ型クラッド層３Ａが形成されている構成の半導体発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。Ｎ型ブロック層６Ｂは、活性領域１０Ａで発生した熱を放熱する放熱部を有しており、放熱部は、活性領域１０Ａで発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有していればよい。例えば、Ｎ型ブロック層６Ｂの全面にＰ型クラッド層、Ｐ型活性層およびＮ型クラッド層が形成されており露出面Ｓ１が形成されていなくても、露出面Ｓ２が好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積を有していればよい。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レンズ等の光学系の負担を軽減しつつ、発光した光の良好な指向性を確保することができる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【００４５】
また本発明によれば、中央部のみに集中して電流が流れる場合であっても、発光による熱抵抗を低減でき、発光効率の良好な半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５Ａを準備する工程を示す図である。
（Ｂ）ＤＢＲ反射層８ＡおよびＮ型ブロック層６Ａを形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層６Ａに円形の穴６ＡＨを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｐ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ型ウィンドウ層２Ａを形成する工程を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）反射層９Ｐを形成する工程を示す図である。
（Ｂ）反射層９Ｐにエッチングを行って反射層９を形成する工程を示す図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートである。
【図５】実施の形態２に係る半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５Ｂを準備する工程を示す図である。
（Ｂ）ＤＢＲ反射層８ＢおよびＮ型ブロック層６Ｂを形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層６Ｂに円形の穴６ＢＨを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｎ型ブロック層６Ｂの一部の上にＰ型クラッド層５Ａ、Ｐ型活性層４Ａ、Ｎ型クラッド層３ＡおよびＮ型ウィンドウ層２ＡＰを形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ型ウィンドウ層２Ａを形成する工程を示す図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）反射層９Ｐを形成する工程を示す図である。
（Ｂ）反射層９Ｐにエッチングを行って反射層９を形成する工程を示す図である。
【図８】実施の形態２に係る半導体発光素子の製造方法のフローチャートである。
【図９】従来の半導体発光素子の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体発光素子の製造方法を示す断面図である。
（Ａ）基板１５を準備する工程を示す図である。
（Ｂ）Ｎ型ブロック層９６を形成する工程を示す図である。
（Ｃ）Ｎ型ブロック層９６に円形の穴９６Ｈを形成する工程を示す図である。
（Ｄ）Ｐ型クラッド層５、Ｐ型活性層４、Ｎ型クラッド層３およびＮ型ウィンドウ層２を形成する工程を示す図である。
（Ｅ）Ｎ側電極１とＰ側電極７とを蒸着する工程を示す図である。
【符号の説明】
１Ａ Ｎ側電極
１ＡＨ 光取り出し穴
５Ａ Ｐ型クラッド層
６Ａ Ｎ型ブロック層
６ＡＨ 穴
９ 反射層
１０Ａ 活性化領域
１５Ａ 基板
Claims (2)
- 基板と、
該基板上に形成され、該基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層と、
該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成されたＰ型クラッド層と、
該Ｐ型クラッド層上に形成され、光を発光する活性領域を該Ｎ型ブロック層の穴内に有しているＰ型活性層と、
該Ｐ型活性層上に形成されたＮ型クラッド層と、
該活性領域に対して該基板と反対側に形成され、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極と、
該基板に対して該活性領域と反対側に形成されたＰ側電極と
を備えている半導体発光素子であって、
該活性領域と該Ｎ側電極との間における該Ｎ型クラッド層上において、該活性領域の上方に設けられたウィンドウ層を取り囲んで形成され、該活性領域から発光して該ウィンドウ層内に進入した光を反射して、該ウィンドウ層を通って該Ｎ側電極の光取り出し穴に集光させる反射層とを備え、
該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、
該放熱部は、該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有し、該露出面が形成されるように前記Ｐ型クラッド層が該Ｎ型ブロック層上に積層されて、該Ｐ型クラッド層上に該Ｐ型活性層が、該Ｐ型活性層上に該Ｎ型クラッド層が、該Ｎ型クラッド層上に該ウィンドウ層および反射層が、該ウィンドウ層および反射層上に該Ｎ側電極がそれぞれ積層されている、半導体発光素子。 - 基板を露出する穴を有するＮ型ブロック層を該基板上に形成する第１工程と、
その後、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層および該基板の露出面上に形成する第２工程と、
その後、光を発光する活性領域を有しているＰ型活性層を、該Ｎ型ブロック層の穴内に該活性領域が位置するように、該Ｐ型クラッド層上に形成するとともに、該Ｐ型活性層上にＮ型クラッド層を形成する第３工程と、
その後、該活性領域に対して該基板と反対側であるＮ型クラッド層上に、該活性領域の上方にウィンドウ層を形成するとともに、該活性領域から発光した光を反射して集光させる反射層を該ウィンドウ層を取り囲んで形成する第４工程と、
その後、該活性領域から発光した光を取り出す光取り出し穴を有するＮ側電極を該活性領域に対して該基板と反対側である該反射層および該ウィンドウ層上に形成する第５工程と、
前記第４工程の後に、Ｐ側電極を該基板に対して該活性領域と反対側に形成する第６工程と
を包含しており、
該Ｎ型ブロック層は、該活性領域で発生した熱を放熱する放熱部を有しており、
該第２工程および該第３工程は、該放熱部が該活性領域で発生した熱により好ましくない熱抵抗が発生しない程度に十分広い面積の露出面を有しているように、Ｐ型クラッド層を該Ｎ型ブロック層上および該基板の露出面上に形成し、該Ｐ型活性層を該Ｐ型クラッド層上に、該Ｎ型クラッド層を該Ｐ型活性層上に、該ウィンドウ層および反射層を該Ｎ型クラッド層上に、該Ｎ側電極を該ウィンドウ層および反射層上に、それぞれ形成する、半導体発光素子の製造方法。
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