JP3545797B2 - Ecrエッチング装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
この発明は「ECRエッチング装置」に関する。
【0002】
【従来の技術】
超LSIの微細回路のパターニング等に用いられるECRエッチング装置は、所謂「ドライエッチング」を行うための装置の1種であり、「反応室」内に「エッチング対象物」を保持させ、反応のための「反応ガス」を導入し、マイクロ波放電や高周波電磁界を利用して、エッチングを行うものであり、反応ガス種の選択により、広範なエッチング対象物への適用が可能である。
【0003】
エッチング対象物は、通常、基板と呼ばれる被エッチング物の表面に、エッチングすべきパターンを持ったパターン物質が形成され、パターン物質と基板が選択的に、又は共にエッチングされることにより、パターン物質の有する平面形状あるいは表面形状が基板の表面に「彫り写さ」れる。
【0004】
パターン物質と基板が共にエッチングされる場合には、パターン物質に対するエッチング速度と基板のエッチング速度の比である「選択比」は、エッチングの品質を決める重要な因子である。選択比が狂うと、エッチングにより基板に彫り写された形状が意図したものとならない。逆に、エッチング中に選択比を意図的に変化させることにより、パターン物質の表面形状を変形させた状態で、基板に彫り写すことができる。
【0005】
基板材料とパターン物質のエッチング速度の比である選択比:Sは、基板の材料、パターン物質、反応ガスが決まった状態では、選択比:Sは、反応ガスの導入量:A、エッチング対象物の温度:B、反応室内の圧力:C、マイクロ波実効電力(マイクロ波放電電流のパワー):D、高周波実効電力(高周波電磁界のパワー):Eの関数として、
S=f(A,B,C,D,E)
として与えられ、この関数形は実験的に知ることができる。
【0006】
従来、選択比の設定は、パラメータ:A,B,C,D,Eを、上記の関数:S=f(A,B,C,D,E)により決定し、決定されたパラメータ:A=a,B=b,C=c,D=d,E=eが、実現するように、反応ガスの導入量、エッチング対象物の温度、反応室内の圧力、マイクロ波実効電力、高周波実効電力を、手動で設定し、時間ごとに調整しつつエッチングを行っていた。
【0007】
このため、何らかの事情で、エッチング中に反応室内で上記条件が変化し、その結果、選択比が変動した場合、その事実はエッチングの結果を検査するまで分からず、このためエッチング結果に対する制御が難しく、「歩留まり」が低いという問題があった。
【0008】
また、エッチング対象物の温度の影響の重大さにも拘らず、エッチング対象物の温度変動に対する有効な対策は、従来、全く講じられていなかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は上述の事情に鑑みてなされたものであって、エッチング対象物の温度を容易に制御できるECRエッチング装置の提供を目的とする。
【0010】
この発明はまた、反応ガスの量、エッチング対象物の温度、反応室内の圧力、マイクロ波実効電力、高周波実効電力を容易に制御でき、選択比等のエッチング条件を容易に制御可能なECRエッチング装置の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明の「ECRエッチング装置」は、ECRエッチングを行うための装置である。ECRエッチング装置は、冷却手段と、温度検出手段と、制御手段とを有する。
【0012】
「冷却手段」は、反応室内において、エッチング対象物を保持する保持部を通じて、エッチング対象物を冷却する装置である。
「温度検出手段」は、保持部に保持されたエッチング対象物の温度を検出する手段である。
【0013】
この発明のECRエッチング装置は、上記ECRエッチング装置の構成において、反応室内に導入する反応ガスの流入量を検出・調整するマスフローコントローラと、マイクロ波発生装置と、高周波発生装置と、コンダクタンスバルブとを、制御手段がプログラム制御する。
【0014】
「マイクロ波発生装置」は、周知の如く、ECRエッチング装置に無極放電であるマイクロ波放電(プラズマ放電)を発生させるため装置である。
「高周波発生装置」は、周知の如く、エッチング対象物の表面にイオンシース(電解)を発生させ、マイクロ波放電で発生されたイオンを加速・活性化し、エッチング対象物に垂直に衝突させるための高周波電磁界を発生する装置である。
【0015】
「コンダクタンスバルブ」は反応室からの排気流量を調整することにより、反応室内の圧力を調整するバルブである。
【0016】
従って、ECRエッチング装置は、上記パラメータ:A〜Eをプログラム制御するものであり、このため、マスフローコントローラは「検出量」を、マイクロ波発生装置と高周波発生装置は、それぞれの「実効電力」を、それぞれ、制御手段に入力するようになっており、反応室内の圧力を検出する圧力計も、その「検出値」を制御手段に入力するようになっている。
【0017】
「制御手段」は、コンピュータもしくは専用のCPUで構成され、入力される情報(パラメータ:A〜E)を、予めプログラムされた制御内容に従って処理し、これらパラメータを調整することにより所望のエッチング条件を実現する。
ECRエッチング装置は、上記A〜Eの関数:S=f(A,B,C,D,E)により、基板の材料、パターン物質、反応ガスに応じて定まる選択比:Sを、温度検出手段が検出する温度:Bの変化に応じ、制御手段により、温度:Bを、上記選択比を維持できる温度範囲内にプログラム制御し、また制御手段により、A、B、C、D、Eをプログラム制御で別の選択比となるように設定しなおして選択比の制御を行う構成とすることも考えられる。
この発明のECRエッチング装置は、上記A〜Eの関数として、基板の材料、パターン物質、反応ガスに応じて定まるエッチング条件の変動を、温度検出手段が検出する温度:Bの変化に応じ、制御手段により、温度:Bとともに上記A、C、D、Eの1以上を変化させることにより、設定条件に戻すように制御することを特徴とする。
【0018】
【作用】
例えば、超LSIの微細回路のパターニングには、エッチングパラメータの正確な制御が必要である。中でも、ウエハー即ちエッチング対象物の温度は、アンダーカットやテーパーのエッチング等、エッチング形状や選択比の制御に重要な因子であることが分かっている。即ち、エッチングは「表面現象」であるため、エッチング対象物の表面温度が吸着物等、表面の状態を大きく変え、エッチングに極めて広範且つ重大な影響を及ぼすのである。
【0019】
前記パラメータ:A〜Eのうち、エッチング対象物の温度:B以外の、A(反応ガスの導入量)、C(反応室内の圧力)、D(マイクロ波実効電力)、E(高周波実効電力)は、一旦設定すれば比較的安定しているが、エッチング対象物の温度:Bは、エッチングの進行に伴い変動し易い。ECRエッチングにおいて、エッチング対象物の温度は、主として、エネルギー粒子の衝突による「プラズマ加熱」により、一般に、エッチング時間の経過とともに上昇する傾向がある。
【0020】
そこで、この発明のECRエッチング装置では、エッチング対象物の温度を検出し、検出温度に応じて、冷却手段を制御し、エッチング対象物の温度変動を補正して、温度変動にともなうエッチング条件の変動を補正するのである。
【0021】
選択比等のエッチング条件は、前述の通り、パラメータ:A〜Eの関数として定まるから、例えば、エッチング対象物の温度:Bが初期の設定値:B0から変動したとき、エッチング条件を当初の設定条件に戻すには、前術の如く、温度:B自体を、当初の設定温度に戻してもよいが、この発明のように、温度:B以外の、パラメータA,C,D,Eのうちの1以上を変化させることによっても、当初のエッチング条件へ戻すことが可能である。勿論、パラメータ:A,C,D,Eの一つ以上の制御とともに、温度:Bの制御も行う。
【0022】
温度:Bを制御するために、冷却手段を制御しても、制御の結果が温度:Bに現れるのには、少なくとも10秒オーダーの時間がかかるが、A(反応ガスの導入量)、C(反応室内の圧力)、D(マイクロ波実効電力)、E(高周波実効電力)は、何れも、極めて短時間で調整することができるので、これらパラメータによる制御を併用することにより、エッチング条件を「きめ細」かく制御することができるのである。
【0023】
また、パラメータ:A,C,D,Eを一定に制御したままで、温度:Bのみの調整でエッチング条件を変化させる場合、変化できる領域が制限されるが、温度:Bと、他のパラメータとの組合せでエッチング条件を変化させることにより、広い領域でエッチング条件を変化させることが可能になる。
【0024】
【実施例】
以下、具体的な実施例を説明する。
図1は、この発明の1実施例を説明するための図である。図1(a)において、符号10は「反応室」を示し、符号12は、反応室10内に導入する反応ガスを封入したガスボンベを示す。ガスボンベ12は、レギュレータ14と、符号16で示す「マスフローコントローラ」を介して反応室10に連結されている。マスフローコントローラ16は、反応ガスの流量を検出・調整する機能を持ち、コントローラー内に記された「ニ」は、反応ガスの流量の検出値を表す。
【0025】
また、符号18で示す「マイクロ波発生装置」は、マグネトロンで2.45GHzのマイクロ波を発生し、発生したマイクロ波を矩形,円形の導波管を介して図示されない放電管(通常は石英製)に真空封止されている放電室に導入して、「マイクロ波放電」を発生させるようになっている。
【0026】
マイクロ波放電で発生した荷電粒子(イオン)は、符号20で示す「高周波発生装置」と、符号60で示す「永久磁石」とにより反応室内へ導かれ、エッチング対象物10に対し垂直方向に、プラズマを作用させることができるようになっている。
【0027】
マイクロ波発生装置18内に記された「イ」及び、高周波発生装置20内に記された「ロ」は、これらの装置18,20の「パワー」、即ち、「実効電力」を表している。反応室10内の圧力は、圧力計22により検出され、圧力計22内に記された「リ」は検出された「圧力」を表している。
【0028】
符号0で示す「エッチング対象物」は、反応室10内において、符号24で示す「保持部」により保持される。保持部24は箱状であって、内部に冷却媒体である「エタノールまたは液体窒素」を循環させるパイプを有している。このパイプは、「冷却手段」である冷却装置28に繋がり、冷却装置28により、冷却媒体がパイプ内に循環させられる。なお、保持部24の箱体の内部には、エッチング対象物と上記パイプとの間の熱伝導率を高めて冷却効果を上げるために、ヘリウム等のガスが導入されている。
【0029】
冷却装置28内に記された「ヘ」は、冷却装置28の「パワー」である。
符号26で示す「温度検出手段」は、保持部24に保持されたエッチング対象物0の温度を検出するようになっており、「ト」は、検出された「温度」を示している。符号30で示す「コンダクタンスバルブ」は、排気ポンプ32による反応室10内からの排気流量を調整するバルブで、「ハ」は、調整された「排気流量」を表している。
【0030】
図1(b)は、コンピュータにより具体化された制御手段50と、その入・出力関係を示している。
制御手段50には、マスフローコントローラ16が検出する反応ガスの流量の検出値「ニ」、マイクロ波発生装置18のマイクロ波実効電力「イ」、高周波発生装置20の高周波実効電力「ロ」、圧力計22の検出した圧力「リ」、温度検出手段26が検出したエッチング対象物0の温度「ト」の、各出力「OUT」が入力される。
【0031】
制御手段50は設定されているプログラムに従い、上記各入力の入力量に応じて、目的とする形状を実現するために設定された各設定値に、各パラメータを近付けるための制御用の出力値「イ」、「ロ」、「ハ」、「ニ」、「ヘ」の各出力「IN」を出力する。
【0032】
出力「イ」、「ロ」は、それぞれマイクロ波発生装置18、高周波発生装置20の実効電力を、制御手段50が演算した最適値に、自動的に調整・設定する。出力「ハ」、「ニ」は、それぞれコンダクタンスバルブ30の排気量と、マスフローコントローラ16における反応ガスの流量を調整・設定し、これにより反応室10内の圧力が最適値に調整される。出力「ヘ」は、冷却装置28のパワーを調整する。このようにして、前記パラメータ:A〜Eが調整され、所望のエッチング条件が実現される。
【0033】
最後に、具体的な例を挙げる。
エッチング対象物として、図2(a)に示す如きものを用意した。エッチング対象物は、石英の基板100を被エッチング物とし、その表面にフォトレジスト200をパターン物質としてパターンを形成したものである。
【0034】
即ち、石英の基板100の平滑な表面に、東京応化工業製のポジ型フォトレジスト:OFPR800(商品名)をスピンコートし、プリベークして、所定の厚さのフォトレジスト層とし、次いで、直径:0.25mmの黒円形状をアレイ配列したマスクをフォトレジスト層の表面に密着させて露光を行い、現像により上記黒円形状に対応する円柱状のフォトレジストのアレイを基板100上に得、その後、フォトレジストを加熱して、フォトレジストの熱流動によりフォトレジスト表面を球面化させた。
【0035】
このようにして、図2(a)に示すような、凸球面形状を持ったフォトレジストのアレイとして、パターン物質200が得られた。
この、パターン物質200の表面形状をECRエッチングにより、基板100に彫り写すのであるが。ECRエッチングプロセスにおける選択比を、図3に示すように制御した。即ち、エッチング開始から、時間:T1までは、選択比:1でエッチングを行い、その後、エッチングが終了する時間:T2までは、選択比:0.5でエッチングを行うのである。
【0036】
反応ガスとしては、O2,CHF3、Arを用いた。
図4に、エッチングプロセスのフロー図を示す。
先ず、選択比が1となるようにパラメータ:A〜Eを設定し、時間:tを0に設定してECRエッチングを行う。このエッチングを時間:tがT1になるまで実行し、その間、選択比:1を維持するようにパラメータ:A〜Eを制御する。
【0037】
時間:tがT1になったら、選択比が0.5となるように、パラメータ:A〜Eの設定し直しを行う。その後、選択比:0.5を維持するように制御を行いつつエッチングを行い、時間:t=T2でエッチングを終了する。
【0038】
図5には、パラメータ:A〜Eの設定と、パラメータ:A〜Eの維持に関するフロー図を示す。スタート後の、「パラメータ:A〜Eの設定」は、選択比:1または0.5に応じて実行する。図に示すフローは、最後の時間が「T1」となっているところから明らかなように、選択比を1として、時間t=0からT1までエッチングを行う工程における制御フローを示すものである。
【0039】
パラメータ:A〜Eが設定されたら、エッチングが行われるが、パラメータのうち、温度:Bを除く、他のパラメータ:A,C,D,Eは、設定された設定値を維持するように制御される。
【0040】
温度:Bは、選択比:1を維持出来る温度範囲「b1≧B≧b2」の範囲内に制御され、検出された温度:Bが上限値:b1以上となったら、冷却装置28のパワーを増大させて冷却を強め、下限値:b2以下になったら、冷却装置28のパワーを弱めて、冷却を弱める。
【0041】
図2に於ける(b)は、選択比:1で、時間:t=T1までエッチングを行った状態である。基板100とフォトレジストのパターン物質200のエッチング速度が等しいので、図のように、パターン物質200の凸球面形状の裾野近傍の部分が正確に基板100に彫り写されている。
【0042】
エッチング後半(時間:T1〜T2)の制御フローは、図5における、スタート後の第2ステップにおける時刻設定:「t=0」を「t=T1」に代え、終了前の判断ステップの時間判断「t=T1」を、「t≧T2」に代えたものとなる。勿論、温度範囲「b1≧B≧b2」の上・下限値:b1,b2は、制御手段により、選択比:0.5を維持できる範囲に決定される。
【0043】
図2(c)は、図2(b)の状態から選択比を0.5に落し、時間:t=T2までエッチングを行った状態を示している。パターン物質200のエッチング速度:1に対して、基板100のエッチング速度が1/2に落ちるため、パターン物質200がエッチングされるのが相対的に速くなり、エッチング終了後に基板100に彫り写された形状は、当初(図2(a))におけるパターン物質200の表面形状である「凸球面形状」の、頂部近傍を「ひしゃげさせた」ような形状になっている。このような「非球面形状」は、屈折面として用いた場合に、空間周波数の高い部分をカットする光学的性質を持つので、図2(c)に示す光学デバイスは「ロウパスフィルタ」の性質を持ったマイクロレンズアレイとして使用できる。
【0044】
なお、上記実施例において、選択比を終始一定に保つような場合、一端設定したパラメータ:A,C,D,Eを固定し、温度:Bのみを制御することによっても良好なエッチングを実現できる。
【0045】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、新規なECRエッチング装置を提供できる。この発明のECRエッチング装置は、上記の如き構成となっているので、エッチング条件を所望の条件に制御しつつ、良好なECRエッチングを実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例を説明するための図である。
【図2】上記実施例装置によるエッチングの1例を説明するための図である。
【図3】上記エッチングにおける選択比の制御を説明するための図である。
【図4】図3のエッチングの手順を示すフロー図である。
【図5】図3のエッチングの制御を示すフロー図である。
【符号の説明】
10 反応室
16 マスフローコントローラ
18 マイクロ波発生装置
20 高周波発生装置
22 圧力計
24 保持部
26 温度検出手段
28 冷却装置(冷却手段)
【産業上の利用分野】
この発明は「ECRエッチング装置」に関する。
【0002】
【従来の技術】
超LSIの微細回路のパターニング等に用いられるECRエッチング装置は、所謂「ドライエッチング」を行うための装置の1種であり、「反応室」内に「エッチング対象物」を保持させ、反応のための「反応ガス」を導入し、マイクロ波放電や高周波電磁界を利用して、エッチングを行うものであり、反応ガス種の選択により、広範なエッチング対象物への適用が可能である。
【0003】
エッチング対象物は、通常、基板と呼ばれる被エッチング物の表面に、エッチングすべきパターンを持ったパターン物質が形成され、パターン物質と基板が選択的に、又は共にエッチングされることにより、パターン物質の有する平面形状あるいは表面形状が基板の表面に「彫り写さ」れる。
【0004】
パターン物質と基板が共にエッチングされる場合には、パターン物質に対するエッチング速度と基板のエッチング速度の比である「選択比」は、エッチングの品質を決める重要な因子である。選択比が狂うと、エッチングにより基板に彫り写された形状が意図したものとならない。逆に、エッチング中に選択比を意図的に変化させることにより、パターン物質の表面形状を変形させた状態で、基板に彫り写すことができる。
【0005】
基板材料とパターン物質のエッチング速度の比である選択比:Sは、基板の材料、パターン物質、反応ガスが決まった状態では、選択比:Sは、反応ガスの導入量:A、エッチング対象物の温度:B、反応室内の圧力:C、マイクロ波実効電力(マイクロ波放電電流のパワー):D、高周波実効電力(高周波電磁界のパワー):Eの関数として、
S=f(A,B,C,D,E)
として与えられ、この関数形は実験的に知ることができる。
【0006】
従来、選択比の設定は、パラメータ:A,B,C,D,Eを、上記の関数:S=f(A,B,C,D,E)により決定し、決定されたパラメータ:A=a,B=b,C=c,D=d,E=eが、実現するように、反応ガスの導入量、エッチング対象物の温度、反応室内の圧力、マイクロ波実効電力、高周波実効電力を、手動で設定し、時間ごとに調整しつつエッチングを行っていた。
【0007】
このため、何らかの事情で、エッチング中に反応室内で上記条件が変化し、その結果、選択比が変動した場合、その事実はエッチングの結果を検査するまで分からず、このためエッチング結果に対する制御が難しく、「歩留まり」が低いという問題があった。
【0008】
また、エッチング対象物の温度の影響の重大さにも拘らず、エッチング対象物の温度変動に対する有効な対策は、従来、全く講じられていなかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は上述の事情に鑑みてなされたものであって、エッチング対象物の温度を容易に制御できるECRエッチング装置の提供を目的とする。
【0010】
この発明はまた、反応ガスの量、エッチング対象物の温度、反応室内の圧力、マイクロ波実効電力、高周波実効電力を容易に制御でき、選択比等のエッチング条件を容易に制御可能なECRエッチング装置の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明の「ECRエッチング装置」は、ECRエッチングを行うための装置である。ECRエッチング装置は、冷却手段と、温度検出手段と、制御手段とを有する。
【0012】
「冷却手段」は、反応室内において、エッチング対象物を保持する保持部を通じて、エッチング対象物を冷却する装置である。
「温度検出手段」は、保持部に保持されたエッチング対象物の温度を検出する手段である。
【0013】
この発明のECRエッチング装置は、上記ECRエッチング装置の構成において、反応室内に導入する反応ガスの流入量を検出・調整するマスフローコントローラと、マイクロ波発生装置と、高周波発生装置と、コンダクタンスバルブとを、制御手段がプログラム制御する。
【0014】
「マイクロ波発生装置」は、周知の如く、ECRエッチング装置に無極放電であるマイクロ波放電(プラズマ放電)を発生させるため装置である。
「高周波発生装置」は、周知の如く、エッチング対象物の表面にイオンシース(電解)を発生させ、マイクロ波放電で発生されたイオンを加速・活性化し、エッチング対象物に垂直に衝突させるための高周波電磁界を発生する装置である。
【0015】
「コンダクタンスバルブ」は反応室からの排気流量を調整することにより、反応室内の圧力を調整するバルブである。
【0016】
従って、ECRエッチング装置は、上記パラメータ:A〜Eをプログラム制御するものであり、このため、マスフローコントローラは「検出量」を、マイクロ波発生装置と高周波発生装置は、それぞれの「実効電力」を、それぞれ、制御手段に入力するようになっており、反応室内の圧力を検出する圧力計も、その「検出値」を制御手段に入力するようになっている。
【0017】
「制御手段」は、コンピュータもしくは専用のCPUで構成され、入力される情報(パラメータ:A〜E)を、予めプログラムされた制御内容に従って処理し、これらパラメータを調整することにより所望のエッチング条件を実現する。
ECRエッチング装置は、上記A〜Eの関数:S=f(A,B,C,D,E)により、基板の材料、パターン物質、反応ガスに応じて定まる選択比:Sを、温度検出手段が検出する温度:Bの変化に応じ、制御手段により、温度:Bを、上記選択比を維持できる温度範囲内にプログラム制御し、また制御手段により、A、B、C、D、Eをプログラム制御で別の選択比となるように設定しなおして選択比の制御を行う構成とすることも考えられる。
この発明のECRエッチング装置は、上記A〜Eの関数として、基板の材料、パターン物質、反応ガスに応じて定まるエッチング条件の変動を、温度検出手段が検出する温度:Bの変化に応じ、制御手段により、温度:Bとともに上記A、C、D、Eの1以上を変化させることにより、設定条件に戻すように制御することを特徴とする。
【0018】
【作用】
例えば、超LSIの微細回路のパターニングには、エッチングパラメータの正確な制御が必要である。中でも、ウエハー即ちエッチング対象物の温度は、アンダーカットやテーパーのエッチング等、エッチング形状や選択比の制御に重要な因子であることが分かっている。即ち、エッチングは「表面現象」であるため、エッチング対象物の表面温度が吸着物等、表面の状態を大きく変え、エッチングに極めて広範且つ重大な影響を及ぼすのである。
【0019】
前記パラメータ:A〜Eのうち、エッチング対象物の温度:B以外の、A(反応ガスの導入量)、C(反応室内の圧力)、D(マイクロ波実効電力)、E(高周波実効電力)は、一旦設定すれば比較的安定しているが、エッチング対象物の温度:Bは、エッチングの進行に伴い変動し易い。ECRエッチングにおいて、エッチング対象物の温度は、主として、エネルギー粒子の衝突による「プラズマ加熱」により、一般に、エッチング時間の経過とともに上昇する傾向がある。
【0020】
そこで、この発明のECRエッチング装置では、エッチング対象物の温度を検出し、検出温度に応じて、冷却手段を制御し、エッチング対象物の温度変動を補正して、温度変動にともなうエッチング条件の変動を補正するのである。
【0021】
選択比等のエッチング条件は、前述の通り、パラメータ:A〜Eの関数として定まるから、例えば、エッチング対象物の温度:Bが初期の設定値:B0から変動したとき、エッチング条件を当初の設定条件に戻すには、前術の如く、温度:B自体を、当初の設定温度に戻してもよいが、この発明のように、温度:B以外の、パラメータA,C,D,Eのうちの1以上を変化させることによっても、当初のエッチング条件へ戻すことが可能である。勿論、パラメータ:A,C,D,Eの一つ以上の制御とともに、温度:Bの制御も行う。
【0022】
温度:Bを制御するために、冷却手段を制御しても、制御の結果が温度:Bに現れるのには、少なくとも10秒オーダーの時間がかかるが、A(反応ガスの導入量)、C(反応室内の圧力)、D(マイクロ波実効電力)、E(高周波実効電力)は、何れも、極めて短時間で調整することができるので、これらパラメータによる制御を併用することにより、エッチング条件を「きめ細」かく制御することができるのである。
【0023】
また、パラメータ:A,C,D,Eを一定に制御したままで、温度:Bのみの調整でエッチング条件を変化させる場合、変化できる領域が制限されるが、温度:Bと、他のパラメータとの組合せでエッチング条件を変化させることにより、広い領域でエッチング条件を変化させることが可能になる。
【0024】
【実施例】
以下、具体的な実施例を説明する。
図1は、この発明の1実施例を説明するための図である。図1(a)において、符号10は「反応室」を示し、符号12は、反応室10内に導入する反応ガスを封入したガスボンベを示す。ガスボンベ12は、レギュレータ14と、符号16で示す「マスフローコントローラ」を介して反応室10に連結されている。マスフローコントローラ16は、反応ガスの流量を検出・調整する機能を持ち、コントローラー内に記された「ニ」は、反応ガスの流量の検出値を表す。
【0025】
また、符号18で示す「マイクロ波発生装置」は、マグネトロンで2.45GHzのマイクロ波を発生し、発生したマイクロ波を矩形,円形の導波管を介して図示されない放電管(通常は石英製)に真空封止されている放電室に導入して、「マイクロ波放電」を発生させるようになっている。
【0026】
マイクロ波放電で発生した荷電粒子(イオン)は、符号20で示す「高周波発生装置」と、符号60で示す「永久磁石」とにより反応室内へ導かれ、エッチング対象物10に対し垂直方向に、プラズマを作用させることができるようになっている。
【0027】
マイクロ波発生装置18内に記された「イ」及び、高周波発生装置20内に記された「ロ」は、これらの装置18,20の「パワー」、即ち、「実効電力」を表している。反応室10内の圧力は、圧力計22により検出され、圧力計22内に記された「リ」は検出された「圧力」を表している。
【0028】
符号0で示す「エッチング対象物」は、反応室10内において、符号24で示す「保持部」により保持される。保持部24は箱状であって、内部に冷却媒体である「エタノールまたは液体窒素」を循環させるパイプを有している。このパイプは、「冷却手段」である冷却装置28に繋がり、冷却装置28により、冷却媒体がパイプ内に循環させられる。なお、保持部24の箱体の内部には、エッチング対象物と上記パイプとの間の熱伝導率を高めて冷却効果を上げるために、ヘリウム等のガスが導入されている。
【0029】
冷却装置28内に記された「ヘ」は、冷却装置28の「パワー」である。
符号26で示す「温度検出手段」は、保持部24に保持されたエッチング対象物0の温度を検出するようになっており、「ト」は、検出された「温度」を示している。符号30で示す「コンダクタンスバルブ」は、排気ポンプ32による反応室10内からの排気流量を調整するバルブで、「ハ」は、調整された「排気流量」を表している。
【0030】
図1(b)は、コンピュータにより具体化された制御手段50と、その入・出力関係を示している。
制御手段50には、マスフローコントローラ16が検出する反応ガスの流量の検出値「ニ」、マイクロ波発生装置18のマイクロ波実効電力「イ」、高周波発生装置20の高周波実効電力「ロ」、圧力計22の検出した圧力「リ」、温度検出手段26が検出したエッチング対象物0の温度「ト」の、各出力「OUT」が入力される。
【0031】
制御手段50は設定されているプログラムに従い、上記各入力の入力量に応じて、目的とする形状を実現するために設定された各設定値に、各パラメータを近付けるための制御用の出力値「イ」、「ロ」、「ハ」、「ニ」、「ヘ」の各出力「IN」を出力する。
【0032】
出力「イ」、「ロ」は、それぞれマイクロ波発生装置18、高周波発生装置20の実効電力を、制御手段50が演算した最適値に、自動的に調整・設定する。出力「ハ」、「ニ」は、それぞれコンダクタンスバルブ30の排気量と、マスフローコントローラ16における反応ガスの流量を調整・設定し、これにより反応室10内の圧力が最適値に調整される。出力「ヘ」は、冷却装置28のパワーを調整する。このようにして、前記パラメータ:A〜Eが調整され、所望のエッチング条件が実現される。
【0033】
最後に、具体的な例を挙げる。
エッチング対象物として、図2(a)に示す如きものを用意した。エッチング対象物は、石英の基板100を被エッチング物とし、その表面にフォトレジスト200をパターン物質としてパターンを形成したものである。
【0034】
即ち、石英の基板100の平滑な表面に、東京応化工業製のポジ型フォトレジスト:OFPR800(商品名)をスピンコートし、プリベークして、所定の厚さのフォトレジスト層とし、次いで、直径:0.25mmの黒円形状をアレイ配列したマスクをフォトレジスト層の表面に密着させて露光を行い、現像により上記黒円形状に対応する円柱状のフォトレジストのアレイを基板100上に得、その後、フォトレジストを加熱して、フォトレジストの熱流動によりフォトレジスト表面を球面化させた。
【0035】
このようにして、図2(a)に示すような、凸球面形状を持ったフォトレジストのアレイとして、パターン物質200が得られた。
この、パターン物質200の表面形状をECRエッチングにより、基板100に彫り写すのであるが。ECRエッチングプロセスにおける選択比を、図3に示すように制御した。即ち、エッチング開始から、時間:T1までは、選択比:1でエッチングを行い、その後、エッチングが終了する時間:T2までは、選択比:0.5でエッチングを行うのである。
【0036】
反応ガスとしては、O2,CHF3、Arを用いた。
図4に、エッチングプロセスのフロー図を示す。
先ず、選択比が1となるようにパラメータ:A〜Eを設定し、時間:tを0に設定してECRエッチングを行う。このエッチングを時間:tがT1になるまで実行し、その間、選択比:1を維持するようにパラメータ:A〜Eを制御する。
【0037】
時間:tがT1になったら、選択比が0.5となるように、パラメータ:A〜Eの設定し直しを行う。その後、選択比:0.5を維持するように制御を行いつつエッチングを行い、時間:t=T2でエッチングを終了する。
【0038】
図5には、パラメータ:A〜Eの設定と、パラメータ:A〜Eの維持に関するフロー図を示す。スタート後の、「パラメータ:A〜Eの設定」は、選択比:1または0.5に応じて実行する。図に示すフローは、最後の時間が「T1」となっているところから明らかなように、選択比を1として、時間t=0からT1までエッチングを行う工程における制御フローを示すものである。
【0039】
パラメータ:A〜Eが設定されたら、エッチングが行われるが、パラメータのうち、温度:Bを除く、他のパラメータ:A,C,D,Eは、設定された設定値を維持するように制御される。
【0040】
温度:Bは、選択比:1を維持出来る温度範囲「b1≧B≧b2」の範囲内に制御され、検出された温度:Bが上限値:b1以上となったら、冷却装置28のパワーを増大させて冷却を強め、下限値:b2以下になったら、冷却装置28のパワーを弱めて、冷却を弱める。
【0041】
図2に於ける(b)は、選択比:1で、時間:t=T1までエッチングを行った状態である。基板100とフォトレジストのパターン物質200のエッチング速度が等しいので、図のように、パターン物質200の凸球面形状の裾野近傍の部分が正確に基板100に彫り写されている。
【0042】
エッチング後半(時間:T1〜T2)の制御フローは、図5における、スタート後の第2ステップにおける時刻設定:「t=0」を「t=T1」に代え、終了前の判断ステップの時間判断「t=T1」を、「t≧T2」に代えたものとなる。勿論、温度範囲「b1≧B≧b2」の上・下限値:b1,b2は、制御手段により、選択比:0.5を維持できる範囲に決定される。
【0043】
図2(c)は、図2(b)の状態から選択比を0.5に落し、時間:t=T2までエッチングを行った状態を示している。パターン物質200のエッチング速度:1に対して、基板100のエッチング速度が1/2に落ちるため、パターン物質200がエッチングされるのが相対的に速くなり、エッチング終了後に基板100に彫り写された形状は、当初(図2(a))におけるパターン物質200の表面形状である「凸球面形状」の、頂部近傍を「ひしゃげさせた」ような形状になっている。このような「非球面形状」は、屈折面として用いた場合に、空間周波数の高い部分をカットする光学的性質を持つので、図2(c)に示す光学デバイスは「ロウパスフィルタ」の性質を持ったマイクロレンズアレイとして使用できる。
【0044】
なお、上記実施例において、選択比を終始一定に保つような場合、一端設定したパラメータ:A,C,D,Eを固定し、温度:Bのみを制御することによっても良好なエッチングを実現できる。
【0045】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、新規なECRエッチング装置を提供できる。この発明のECRエッチング装置は、上記の如き構成となっているので、エッチング条件を所望の条件に制御しつつ、良好なECRエッチングを実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例を説明するための図である。
【図2】上記実施例装置によるエッチングの1例を説明するための図である。
【図3】上記エッチングにおける選択比の制御を説明するための図である。
【図4】図3のエッチングの手順を示すフロー図である。
【図5】図3のエッチングの制御を示すフロー図である。
【符号の説明】
10 反応室
16 マスフローコントローラ
18 マイクロ波発生装置
20 高周波発生装置
22 圧力計
24 保持部
26 温度検出手段
28 冷却装置(冷却手段)
Claims (1)
- ECRエッチングを行うための装置であって、
反応室内において、エッチング対象物を保持する保持部を通じて、上記エッチング対象物を冷却する冷却手段と、
上記保持部に保持されたエッチング対象物の温度を検出する温度検出手段と、上記反応室内に導入する反応ガスの流入量を検出・調整するマスフローコントローラと、
マイクロ波発生装置と、
高周波発生装置と、
コンダクタンスバルブと、
制御手段とを有し、
反応ガスの導入量:A、エッチング対象物の温度:B、反応室内の圧力:C、マイクロ波実効電力(マイクロ波放電電流のパワー):D、高周波実効電力(高周波電磁界のパワー):Eの関数として、基板の材料、パターン物質、反応ガスに応じて定まるエッチング条件の変動を、
上記温度検出手段が検出する温度:Bの変化に応じ、上記制御手段により、温度:Bとともに上記A、C、D、Eの1以上を変化させることにより、設定条件に戻すように制御することを特徴とするECRエッチング装置。
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