JP3544080B2 - 油中水型乳化化粧料 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、角質層の水分保持機能を高めることができ、肌荒れ改善効果に優れた油中水型乳化化粧料に関する。
【0002】
【従来の技術】
荒れ肌、乾燥肌、老化肌等の皮膚トラブルは、角質層の水分量が低下することが原因と考えられている。これらのトラブルを改善するためには、アミド結合を有する化合物、例えば細胞間脂質、特にスフィンゴ脂質が有効であることが知られており、これらの化合物を化粧料等に配合して、角質層の水分保持機能を高め、肌荒れを改善又は予防することが図られている。
【0003】
しかしながら、アミド結合を有する化合物は、油中水型乳化化粧料等の化粧料に安定に配合することが困難であり、十分な肌荒れ改善効果を得ることはできなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、角質層の水分保持機能を高めることができ、肌荒れ改善効果に優れた化粧料を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
かかる実情において、本発明者らは鋭意研究を行った結果、特定のアミド化合物とHLB8以下の非イオン性界面活性剤を組合せて用いれば、アミド化合物が安定に配合され、角質層の水分保持機能を高め、肌荒れを改善する効果に優れた油中水型乳化化粧料が得られることを見出し、本発明を完成した。
【0006】
すなわち、本発明は、次の成分(A)及び(B):
(A)次の一般式(1)
【化2】
Figure 0003544080
(式中、R1及びR2は同一又は異なって炭素数1〜40のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示し、R3炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基又は単結合を示し、R4は水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただし、R3が単結合のときはR4は水素原子である。)
で表わされ、融点が0〜50℃のアミド化合物、
(B)HLB8未満の非イオン性界面活性剤
を含有することを特徴とする油中水型乳化化粧料を提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明で用いられる成分(A)のアミド化合物は、融点が0〜50℃、好ましくは10〜40℃のものである。この範囲外のものでは、組成物中に安定に配合することができない。
なお、本発明において、融点は、JIS−K7121−1987−9−9.1(2)に従って測定した補外融点開始温度で示した。
【0008】
このようなアミド化合物としては、例えば、次の一般式(1)〜(3)
【0009】
【化4】
Figure 0003544080
【0010】
(式中、R及びRは同一又は異なって炭素数1〜40のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示し、Rは炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基又は単結合を示し、Rは水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただし、Rが単結合のときはRは水素原子である。)
【0011】
【化5】
Figure 0003544080
【0012】
(式中、R及びRは前記と同じ意味を示し、R3aは炭素数3〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基を示し、R4aは炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基を示す。)
【0013】
【化6】
Figure 0003544080
【0014】
(式中、R、R及びRは前記と同じ意味を示し、R4bは水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−エポキシプロピルオキシ基を示す。ただし、Rが単結合のときR4bは水素原子である。)
で表わされるアミド誘導体などが挙げられる。
【0015】
これらのうち、アミド誘導体(1)において、R及びRは同一又は異なって炭素数1〜40の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示す。R及びRとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ヘンエイコシル、ドコシル、ノナコシル、トリアコンチル、イソステアリル、イソヘプタデシル、2−エチルヘキシル、1−エチルヘプチル、8−ヘプタデシル、8−ヘプタデセニル、8,11−ヘプタデカジエニル、2−ヘプチルウンデシル、9−オクタデセニル、1−ヒドロキシノニル、1−ヒドロキシペンタデシル、2−ヒドロキシペンタデシル、15−ヒドロキシペンタデシル、11−ヒドロキシヘプタデシル及び11−ヒドロキシ−8−ヘプタデセニル等が挙げられる。
【0016】
としては炭素数8〜26の直鎖又は分岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばオクチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル、トリアコンチル、イソステアリル、2−エチルヘキシル、2−ヘプチルウンデシル及び9−オクタデセニル等が挙げられる。Rとして特に好ましい炭化水素基は炭素数12〜22の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、例えばドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル及びメチル分岐イソステアリル基等が挙げられる。
【0017】
としては炭素数9〜25の直鎖又は分岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばノニル、ウンデシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘプタデシル、ヘンエイコシル、ノナコシル、イソヘプタデシル、1−エチルヘプチル、8−ヘプタデシル、8−ヘプタデセニル、8,11−ヘプタデカジエニル、1−ヒドロキシノニル、1−ヒドロキシペンタデシル、2−ヒドロキシペンタデシル、15−ヒドロキシペンタデシル、11−ヒドロキシヘプタデシル及び11−ヒドロキシ−8−ヘプタデセニル等が挙げられる。Rとして特に好ましい炭化水素基は炭素数11〜21の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、例えばウンデシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘプタデシル、ヘンエイコシル及びメチル分岐イソヘプタデシル基等が挙げられる。
【0018】
は炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基又は単結合を示し、アルキレン基としては例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、1−メチルエチレン、1−メチルトリメチレン、2−メチルトリメチレン、1,1−ジメチルエチレン、1−エチルエチレン、1−メチルテトラメチレン、2−エチルトリメチレン等が挙げられる。Rとしては炭素数1〜6の直鎖のアルキレン基が好ましく、このうちメチレン、エチレン及びトリメチレンが特に好ましい。
【0019】
は水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示し、アルコキシ基としては例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、1−メチルエトキシ及び2−エチルヘキシルオキシ等が挙げられる。Rとしては水素原子、炭素数1〜8のアルコキシ基及び2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基が好ましく、このうち水素原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、1−メチルエトキシ、2−エチルヘキシルオキシ及び2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基が特に好ましい。
【0020】
アミド誘導体(1)としては、特に一般式中のR、R、R及びRがそれぞれ上述の特に好ましい範囲の基である場合を組合わせた化合物が好ましい。
【0021】
また、アミド誘導体(2)において、R及びRは上記と同様の意味を示し、同様の基が好ましい。また、R3aとしてはアミド誘導体(1)のRにおいて例示したアルキレン基からメチレン及びエチレンを除いた基が挙げられる。R3aとしては炭素数3〜6の直鎖のアルキレン基が好ましく、このうちトリメチレンが特に好ましい。R4aのアルコキシ基としては、アミド誘導体(1)のRと同様の基が挙げられ、同様の基が好ましい。
【0022】
また、アミド誘導体(3)において、R、R及びRは上記と同様の意味を示し、R4bは水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−エポキシプロピルオキシ基を示す。R、R及びRとして具体的には、アミド誘導体(1)と同様の基が挙げられ、同様の基が好ましい。R4bの炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基としては、アミド誘導体(1)のRと同様の基が挙げられ、水素原子、Rと同様のアルコキシ基及び2,3−エポキシプロピルオキシ基が好ましい。
【0023】
これらのアミド誘導体(1)〜(3)のうち、特に、一般式(1)で表わされるものが好ましい。
【0024】
アミド誘導体(1)は、例えば次の製造法1又は製造法2によって得ることができる。
【0025】
【化7】
Figure 0003544080
【0026】
【化8】
Figure 0003544080
【0027】
(式中、R、R及びRは前記と同様の意味を示し、R4fは水素原子又は炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基を示す。ただし、Rが単結合のときはR4fは水素原子である。R、R、R10及びR11は炭素数1〜8の直鎖又は分岐鎖の飽和若しくは不飽和の炭化水素基を示すが、好ましくは炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で、特に好ましくはメチル基である。Rは水素原子、アルカリ金属原子又はCOR基を示し、R及びR12はハロゲン原子、メシレート基、トシレート基等の脱離基を示す。Rとしては、入手の容易さ等の点から塩素原子及び臭素原子、特に塩素原子が好ましく、R12としては、入手の容易さ等の点からメシレート基及びトシレート基が好ましい。)
【0028】
【化9】
Figure 0003544080
【0029】
【化10】
Figure 0003544080
【0030】
(式中、R、R、R〜R12は上記と同様の意味を示し、R3gは炭素数1〜6の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を示す。)
【0031】
製造法1及び製造法2の各工程の反応条件は次のとおりである。
【0032】
工程1)
グリシジルエーテル(7)とアミン(8F)又は(8G)を、無溶媒で、あるいは水又はメタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、室温〜150℃で反応させることにより、アミノアルコール誘導体(4F)又は(4G)を製造することができる。
【0033】
工程2)
アミノアルコール誘導体(4F)又は(4G)に、脂肪酸エステル(9)好ましくは脂肪酸メチルエステル、脂肪酸エチルエステル等の脂肪酸低級アルキルエステルを、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコラート等の塩基性触媒の存在下、常圧〜0.01mmHgの減圧下に室温〜150℃で反応させることにより、アミド誘導体(2F)又は(2G)を製造することができる。この際、塩基性触媒の使用量はアミノアルコール誘導体(4F)又は(4G)に対して0.01〜0.2当量が好ましく、また反応により生じるアルコールを系外に除去しながら行うと、反応が速く進行するので好ましい。
【0034】
工程3)
アミド誘導体(2F)又は(2G)はまた、アミノアルコール誘導体(4F)又は(4G)に脂肪酸クロライド(10)を、無溶媒であるいはクロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、ピリジン、トリエチルアミン等の第三級アミン等の塩基の存在下又は無存在下、室温〜100℃で反応させてアミド−エステル誘導体(11F)又は(11G)に変換後、
【0035】
工程4)
そのエステル基を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコラート等の塩基性条件下等で、選択的に加水分解することによっても製造することができる。
【0036】
工程5)
アミド誘導体(2F)又は(2G)に1〜20当量のエポキシド(12)、好ましくはエピクロルヒドリンを、無溶媒であるいは水又はテトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、1〜10当量の水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩の存在下、室温〜150℃で反応させることによりアミド誘導体(3F)又は(3G)を製造することができる。この際、テトラブチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、ビステトラオキシエチレンステアリルメチルアンモニウムクロライド等の第四級アンモニウム塩やラウリルジメチルカルボキシアンモニウムベタイン等のベタイン等の相間移動触媒の存在下で反応を行うことが収率の面等で好ましい。
【0037】
工程6)
アミド誘導体(3F)又は(3G)を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩等の塩基性条件下又は硫酸、塩酸等の鉱酸、三フッ化ホウ素、四塩化スズ等のルイス酸、酢酸、テトラデカン酸、ヘキサデカン酸等のカルボン酸、p−トルエンスルホン酸等のスルホン酸等の酸性条件下、あるいは塩基−酸混合条件下で、室温〜300℃で水和することにより、アミド誘導体(1F)又は(1G)を製造することができる。
【0038】
工程7)
アミド誘導体(1F)又は(1G)はまた、アミド誘導体(3F)又は(3G)にカルボン酸誘導体(13)、好ましくは酢酸等の低級脂肪酸、酢酸ナトリウム等の低級脂肪酸アルカリ金属塩、無水酢酸等の低級脂肪酸無水物を単独あるいは組合わせて、トリエチルアミン等の第三級アミン等の塩基性触媒の存在下又は無存在下で、反応させて、エステル−アミド誘導体(14F)又は(14G)に変換後、
【0039】
工程8)
そのエステル基を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコラート等の塩基性条件下等で、選択的に加水分解することによっても製造することができる。
【0040】
工程9)
アミド誘導体(1F)又は(1G)はまた、アミド誘導体(3F)又は(3G)にカルボニル化合物(15)、好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等の低級脂肪族ケトンを、硫酸、塩酸、リン酸等の鉱酸、酢酸等のカルボン酸、三フッ化ホウ素、四塩化スズ等のルイス酸等の酸触媒の存在下に反応させて、1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16F)又は(16G)に変換後、
【0041】
工程10)
硫酸、塩酸、リン酸等の鉱酸、酢酸等のカルボン酸、p−トルエンスルホン酸等のスルホン酸等の酸性条件下等で脱ケタール化することによっても製造することができる。
【0042】
工程11)
1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16F)又は(16G)はまた、アミド誘導体(2F)又は(2G)にグリセロール誘導体(17)を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物等の塩基の存在下で、無溶媒であるいはN,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、反応させることによっても製造することができる。
【0043】
このようにして得られるアミド誘導体(1)は、公知の方法により精製することができる。本発明においては、アミド誘導体(1)を純度100%に精製した精製物でも、特に精製を行わずに中間体や反応副生成物を含んだ純度70〜100%の混合物でも、効果、性能に優れ、かつ安全性にも問題がなく使用することができる。また、アミド誘導体(1)には水和物に代表される溶媒和物も含まれる。
【0044】
製造法1によって得られるアミド誘導体(1)としては、例えば次のものが挙げられる。
【0045】
【化11】
Figure 0003544080
【0046】
【化12】
Figure 0003544080
【0047】
製造法2によって得られるアミド誘導体(1)としては、例えば次のものが挙げられる。
【0048】
【化13】
Figure 0003544080
【0049】
成分(A)のアミド化合物としては、特に総炭素数30以上のN−置換アミド化合物が好ましい。
また、アミド化合物は、結合水を1重量%以上、特に5重量%以上保持できるものがより好ましい。ここで結合水の含有率は、まず、室温で試料に水を添加し、均一相を維持できる最大添加量を測定して結合水量とし、次に試料の総重量に対する結合水の総重量を百分率で示した値とし、次式に従って求めることができる。
【0050】
【数1】
Figure 0003544080
【0051】
成分(A)のアミド化合物は、1種又は2種以上を組合せて用いることができ、全組成中に0.02〜20重量%配合するのが好ましく、特に0.02〜10重量%、更に0.02〜5重量%配合すると、安定性の点でより好ましい。
【0052】
本発明で用いられる成分(B)の非イオン性界面活性剤は、HLB8未満、好ましくはHLB5以下のものである。HLB8以上のものでは、優れた乳化安定性が得られない。
なお、HLBとは親水性−親油性のバランス(Hydrophile−Lypophile Balance)を示す指標であり、本発明においては小田・寺村らによる次式を用いて算出した値を用いている。
【0053】
【数2】
Figure 0003544080
【0054】
成分(B)の非イオン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油等のポリオキシエチレンヒマシ油又は硬化ヒマシ油誘導体;ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンテトラオレエート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル;ポリオキシエチレングリセリルモノイソステアレート、ポリオキシエチレングリセリルトリイソステアレート等のポリオキシエチレングリコールの脂肪酸エステル;ポリオキシエチレンオクチルドデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのポリオキシエチレン付加型界面活性剤の他、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどが挙げられる。
【0055】
これらの非イオン性界面活性剤のうち、特にポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタンが好ましい。
【0056】
成分(B)の界面活性剤は、1種又は2種以上を組合せて用いることができ、全組成中に0.0002〜10重量%配合するのが好ましく、特に0.0002〜5重量%、更に0.0002〜3重量%配合すると、安全性の点からも好ましい。
【0057】
また、成分(A)と成分(B)の重量比は、(A):(B)=1:0.01〜1:10、特に1:0.4〜1:5であるのが、安定性の点でより好ましい。
【0058】
本発明の油中水型乳化化粧料には、前記成分のほか、通常の化粧料に用いられる成分、例えばエタノール、グリセリン、ソルビトール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール等の水溶性アルコール類、水溶性高分子、酸、塩基、塩類、香料、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤、美白剤、血行促進剤、ビタミン、金属キレート剤、皮脂抑制剤、粉体、収斂剤、皮膚柔軟剤、前記以外の界面活性剤、油剤などを、本発明の効果を損なわない範囲で適宜選択して用いることができる。
【0059】
本発明の油中水型乳化化粧料は、通常の方法に従って製造することができ、種々の形態、例えばクリーム、化粧乳液、ファンデーション、皮膚洗浄剤等の皮膚化粧料などとすることができる。
【0060】
【発明の効果】
本発明の油中水型乳化化粧料は、配合性及び配合安定性が良好なアミド化合物が安定に配合されており、乳化安定性に優れるとともに、角質層の水分保持機能を高めることができ、肌荒れを改善・予防する効果に優れたものである。
【0061】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、製造例1〜10においては、アミド誘導体(1)を前記製造法1に従って製造した。
【0062】
製造例1
攪拌装置、滴下ロート、窒素導入管及び蒸留装置を備えた2リットル5口フラスコに、3−メトキシプロピルアミン743.2g(8.34mol)及びエタノール150mlを仕込み、窒素雰囲気下で80℃に加熱攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリシジルエーテル165.9g(0.56mol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80℃で12時間攪拌した後、エタノール及び過剰の3−メトキシプロピルアミンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、アミノアルコール誘導体(4a)196.5g(収率91%対ヘキサデシルグリシジルエーテル)を得た(工程1)。
【0063】
【化14】
Figure 0003544080
【0064】
得られたアミノアルコール誘導体(4a)の物性は次のとおりである。
【0065】
白色固体
融点;53℃
IR(νneat,cm−1);3340,2930,2855,1470,1310,1120,1065,955,900,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,26H),1.45〜1.85(m,6H),2.57〜2.76(m,4H),3.32(s,3H),3.38〜3.48(m,6H),3.77〜3.89(m,1H).
【0066】
攪拌装置、滴下ロート、窒素導入管及び蒸留装置を備えた1リットル5口フラスコに、溶融した上記(工程1)で得た化合物(4a)61.3g(158.1mmol)及びナトリウムメトキシド28%メタノール溶液1.53g(7.91mmol)を仕込み、窒素雰囲気下60℃で30分間攪拌した。次に、同条件下でこれにテトラデカン酸メチル38.3g(158.1mmol)を1時間かけて滴下した。滴下終了後、更に減圧下(80〜10Torr)60℃で5時間攪拌し、反応を完結させた。反応混合物を冷却後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、アミド誘導体(2a)88.7g(収率94%)を得た(工程2)。
【0067】
【化15】
Figure 0003544080
【0068】
得られたアミド誘導体(2a)の物性は次のとおりである。
【0069】
白色固体
融点;48℃
IR(νneat,cm−1);3440,2930,2860,1650,1625,1470,1225,1210,1110,950,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.3Hz,6H),1.15〜1.95(m,53H),2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.29〜3.55(m,10H),3.33(s,3H),3.85〜3.95(m,1H).
【0070】
攪拌装置、窒素導入管及び蒸留装置を備えた1リットル5口フラスコに、上記(工程2)で得た化合物(2a)94.5g(158.0mmol)、テトラブチルアンモニウムブロマイド1.53g(4.74mmol)、エピクロルヒドリン32.2g(347.6mmol)、水酸化ナトリウム12.6g(315.0mmol)及びトルエン66mlを仕込み、窒素雰囲気下45℃で10時間攪拌した。得られた反応混合物を70℃にて水で3回洗浄後、トルエン及び過剰のエピクロルヒドリンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、アミド誘導体(3a)94.9g(収率92%)を得た(工程5)。
【0071】
【化16】
Figure 0003544080
【0072】
得られたアミド誘導体(3a)の物性は次のとおりである。
【0073】
白色固体
融点;38〜39℃
IR(νneat,cm−1);2930,2855,1650,1470,1425,1380,1210,1120,905,840,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.0Hz,6H),1.10〜1.45(m,46H),1.45〜1.90(m,6H),2.25〜2.48(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.02〜3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0074】
攪拌装置を備えた100ミリリットルオートクレーブに、上記(工程5)で得た化合物(3a)71.3g(109.0mmol)、水11.78g(654.1mmol)、水酸化ナトリウム0.087g(2.18mmol)及びテトラデカン酸0.87g(4.36mmol)を仕込み、密閉系にて160℃で6時間攪拌した。反応混合物を冷却後、80℃にて2%食塩水で2回洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的とするアミド誘導体(1a)68.3g(収率93%)を得た(工程6)。
【0075】
【化17】
Figure 0003544080
【0076】
得られたアミド誘導体(1a)の物性は次のとおりである。
【0077】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1630,1470,1420,1380,1305,1210,1120,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.15〜1.44(m,46H),1.44〜1.95(m,8H),2.25〜2.45(m,2H),3.20〜3.90(m,16H),3.33(s,3H).
【0078】
攪拌装置、窒素導入管及び蒸留装置を備えた500ミリリットル4口フラスコに、上記(工程5)で得た化合物(3a)31.0g(47.4mmol)、水11.9g(663.7mmol)、酢酸ナトリウム13.6g(165.9mmol)及び酢酸104.9g(1746.8mmol)を仕込み、窒素雰囲気下70℃で19時間攪拌した。過剰の酢酸を減圧下加熱留去し、エステル−アミド誘導体(14a−1)、(14a−2)及び(14a−3)を含む混合物を得た(工程7)。
【0079】
【化18】
Figure 0003544080
【0080】
次に、これらのエステル−アミド誘導体を含む混合物をフラスコから取り出すことなく、これに48%水酸化ナトリウム水溶液59.3g(711.2mmol)、水18g及びブタノール200mlを加え、80℃で3時間攪拌した。ブタノールを減圧下に加熱留去し、残渣をトルエン250mlに希釈後、70℃にて水で2回洗浄した。トルエンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的とするアミド誘導体(1a)22.3g(収率70%)を得た(工程8)。
【0081】
製造例2
攪拌装置、滴下ロート、窒素導入管及び蒸留装置を備えた10リットル5口フラスコに、3−メトキシプロピルアミン4680g(52.5mol)及びエタノール900gを仕込み、窒素雰囲気下で80℃に加熱攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリシジルエーテル1045g(3.50mol)を3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80℃で1時間攪拌した後、エタノール及び過剰の3−メトキシプロピルアミンを減圧下に加熱留去し、アミノアルコール誘導体(4a)を主成分とする生成物を得た(工程1)。
【0082】
上記(工程1)で得た、10リットル5口フラスコ中の化合物(2a)を主成分とする生成物に、水酸化カリウム9.82g(0.175mol)を加え、窒素吹き込み下、減圧下(60〜10Torr)80℃で生成してくる水を留去しながら3時間攪拌した。次に、同条件下で攪拌しながら、これにテトラデカン酸メチル882.3g(3.64mol)を3時間かけて滴下した。この際、生成してくるメタノールを留去した。滴下終了後、更に窒素吹き込み下、減圧下(60〜10Torr)60〜45℃で生成してくるメタノールを留去しながら10時間攪拌して反応を完結させ、アミド誘導体(2a)を主成分とする生成物を得た(工程2)。
【0083】
上記(工程2)で得た、10リットル5口フラスコ中の化合物(2a)を主成分とする生成物に、テトラブチルアンモニウムブロマイド33.9g(0.105mol)、エピクロルヒドリン712.5g(7.70mol)及びトルエン21
00gを加え、窒素吹き込み下、減圧下(150〜50Torr)45℃で攪拌しながら48%水酸化ナトリウム水溶液1750.0g(21.0mol)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に同条件下で10時間攪拌して反応を完結させた。反応混合物を、70℃にて水で4回洗浄後、トルエン及び過剰のエピクロルヒドリンを減圧下に加熱留去し、アミド誘導体(3a)を主成分とする生成物を得た(工程5)。
【0084】
上記(工程5)で得た、10リットル5口フラスコ中の化合物(3a)を主成分とする生成物に、水378.2g(21.0mol)、48%水酸化ナトリウム水溶液5.83g(0.070mol)及びテトラデカン酸32.0g(0.14mol)を加え窒素雰囲気下、100℃で2.5日間攪拌した。反応混合物を80℃にて2%食塩水で3回洗浄した後、減圧下に加熱脱水し、目的とする化合物(1a)を主成分とする生成物2261.5gを得た(工程6)。この生成物は、化合物(1a)を70%含有しており、他に下記式で示す中間体及び反応副生成物等が含有されていた。
【0085】
【化19】
Figure 0003544080
【0086】
【化20】
Figure 0003544080
【0087】
製造例3
製造例1の工程2において、テトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程1及び2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2b)を得た(工程1及び2)。
【0088】
【化21】
Figure 0003544080
【0089】
得られたアミド誘導体(2b)の物性は次のとおりである。
【0090】
白色固体
融点;55℃
IR(νneat,cm−1);3430,2930,2855,1620,1470,1205,1110,950,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.26〜1.89(m,57H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.29〜3.52(m,10H),3.33(s,3H),3.88〜3.95(m,1H).
【0091】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2b)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3b)を得た(工程5)。
【0092】
【化22】
Figure 0003544080
【0093】
得られたアミド誘導体(3b)の物性は次のとおりである。
【0094】
白色固体
融点;44〜45℃
IR(νneat,cm−1);2930,2860,1650,1470,1425,1380,1210,1120,910,845,755,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,50H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜1.90(m,2H),2.25〜2.48(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1H),3.18〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0095】
製造例1の工程6において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3b)を、更にテトラデカン酸の代わりにヘキサデカン酸を用いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1b)を得た(工程6)。
【0096】
【化23】
Figure 0003544080
【0097】
得られたアミド誘導体(1b)の物性は次のとおりである。
【0098】
白色固体
融点;33℃
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1650,1630,1470,1420,1380,1305,1210,1120,1080.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,50H),1.45〜1.95(m,7H),2.25〜2.55(m,3H),3.20〜3.92(m,16H),3.33(s,3H).
【0099】
攪拌装置及び窒素導入管を備えた500ミリリットル4口フラスコに、上記(工程5)で得た化合物(3b)34.1g(50.0mmol)、無水酢酸25.5g(250.0mmol)及びトリエチルアミン25.3g(250.0mmol)を仕込み、窒素雰囲気下100℃で10時間攪拌した。反応混合物を加熱下、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、エステル−アミド誘導体(14b)34.9g(収率89%)を得た(工程7)。
【0100】
【化24】
Figure 0003544080
【0101】
得られたエステル−アミド誘導体(14b)の物性は次のとおりである。
【0102】
褐色透明液体
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.26〜1.83(m,56H),2.03〜2.20(m,6H),2.33(t,J=7.1Hz,2H),3.12〜4.35(m,15H),3.32(s,3H),5.04〜5.43(m,1H).
【0103】
攪拌装置及び窒素導入管を備えた200ミリリットル4口フラスコに、上記(工程7)で得た化合物(14b)33.9g(43.2mmol)、ナトリウムメトキシド28%メタノール溶液0.42g(2.16mmol)及びメタノール200mlを仕込み、窒素雰囲気下、室温で3.5時間攪拌した。反応混合物を加熱下、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的とするアミド誘導体(1b)16.0g(収率53%)を得た(工程8)。
【0104】
攪拌装置及び窒素導入管を備えた3リットル4口フラスコに、上記(工程2)で得た化合物(2b)45.2g(72.0mmol)、水素化ナトリウム2.86g(119.2mmol)及びトルエン800mlを仕込み、窒素雰囲気下55℃で30分間攪拌した。次に、これに1,2−イソプロピリデンジオキシ−3−トシルオキシプロパン34.8g(121.5mmol)を加え、100℃で18時間攪拌した。反応混合物を、氷冷下、2−プロパノール20mlを加えて未反応の水素化ナトリウムを不活性化した後、加熱下、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16b)51.0g(収率96%)を得た(工程11)。
【0105】
【化25】
Figure 0003544080
【0106】
得られた1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16b)の物性は次のとおりである。
【0107】
無色透明液体
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.20〜1.90(m,62H),2.36(t,J=7.0Hz,2H),3.30〜4.25(m,19H).
【0108】
攪拌装置及び窒素導入管を備えた2リットル4口フラスコに、上記(工程11)で得た化合物(16b)51.0g(68.9mmol)、トシル酸−一水和物0.50g(2.63mmol)及びメタノール500mlを仕込み、窒素雰囲気下室温で12時間攪拌した。反応混合物を加熱下、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的とするアミド誘導体(1b)41.0g(収率85%)を得た(工程10)。
【0109】
製造例4
製造例1の工程2において、テトラデカン酸メチルの代わりにドデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程1及び工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2c)を得た(工程1及び2)。
【0110】
【化26】
Figure 0003544080
【0111】
得られたアミド誘導体(2c)の物性は次のとおりである。
【0112】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);3435,2930,2855,1620,1470,1220,1110,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.20〜1.90(m,49H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.25〜3.52(m,10H),3.33(s,3H),3.88〜3.95(m,1H).
【0113】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに、上記(工程2)で得た化合物(2c)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3c)を得た(工程5)。
【0114】
【化27】
Figure 0003544080
【0115】
得られたアミド誘導体(3c)の物性は次のとおりである。
【0116】
淡黄色液体
IR(νneat,cm−1);2940,2875,1750,1650,1470,1380,1210,1120,910,845.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,42H),1.45〜1.75(m,4H),1.75〜1.90(m,2H),2.25〜2.50(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1H),3.18〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0117】
製造例1の工程7において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3c)を用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1c)を得た(工程7及び8)。
【0118】
【化28】
Figure 0003544080
【0119】
得られたアミド誘導体(1c)の物性は次のとおりである。
【0120】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);3430,2930,2860,1650,1630,1470,1380,1260,1210,1115,1080,795,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,42H),1.45〜1.97(m,8H),2.25〜2.45(m,2H),3.15〜3.92(m,16H),3.33(s,3H).
【0121】
製造例5
製造例1の工程2において、テトラデカン酸メチルの代わりに花王(株)製ルナックP−70(テトラデカン酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸の重量比3:70:27の混合物)を加熱還流下、硫酸触媒の存在下にメタノールと反応させることにより製造したルナックP−70のメチルエステルを用いた以外は、製造例1の工程1及び工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2d)を得た(工程1及び2)。
【0122】
【化29】
Figure 0003544080
【0123】
得られたアミド誘導体(2d)の物性は次のとおりである。
【0124】
白色固体
融点;50℃
IR(νneat,cm−1);3430,2930,2860,1620,1470,1205,1110,950,720.
【0125】
製造例3の工程11において、化合物(2b)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2d)を用いて反応を行い、得られた1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16d)を精製することなく次の工程10の反応を行った以外は、製造例3の工程11及び10と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1d)を得た(工程11及び10)。
【0126】
【化30】
Figure 0003544080
【0127】
得られたアミド誘導体(1d)の物性は次のとおりである。
【0128】
白色固体
融点;32℃
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1650,1630,1470,1380,1210,1120,1080,720.
【0129】
製造例6
製造例1の工程1において、ヘキサデシルグリシジルエーテルの代わりにオクタデシルグリシジルエーテルを用いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、アミノアルコール誘導体(4e)を得た(工程1)。
【0130】
【化31】
Figure 0003544080
【0131】
得られたアミノアルコール誘導体(4e)の物性は次のとおりである。
【0132】
白色固体
融点;57〜58℃
IR(νneat, cm−1);3340,2930,2855,1470,1120,960,900,840,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,30H),1.45〜1.85(m,6H),2.55〜2.75(m,4H),3.32(s,3H),3.35〜3.50(m,6H),3.77〜3.89(m,1H).
【0133】
製造例1の工程2において、化合物(4a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4e)を用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2e)を得た(工程2)。
【0134】
【化32】
Figure 0003544080
【0135】
得られたアミド誘導体(2e)の物性は次のとおりである。
【0136】
白色固体
融点;49℃
IR(νneat,cm−1);3440,2930,2860,1650,1625,1470,1225,1210,1110,950,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.3Hz,6H),1.15〜1.95(m,57H),2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.30〜3.55(m,10H),3.33(s,3H),3.85〜3.95(m,1H).
【0137】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2e)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3e)を得た(工程5)。
【0138】
【化33】
Figure 0003544080
【0139】
得られたアミド誘導体(3e)の物性は次のとおりである。
【0140】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);2930,2860,1650,1425,1380,1260,1210,1120,910,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.0Hz,6H),1.10〜1.45(m,50H),1.45〜1.90(m,6H),2.25〜2.50(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.01〜3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0141】
製造例1の工程7において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3e)を用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1e)を得た(工程7及び8)。
【0142】
【化34】
Figure 0003544080
【0143】
得られたアミド誘導体(1e)の物性は次のとおりである。
【0144】
白色固体
融点;23℃
IR(νneat,cm−1);3425,2930,2860,1650,1630,1470,1380,1220,1210,1120,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.17〜1.45(m,49H),1.45〜1.92(m,8H),2.22〜2.45(m,2H),3.20〜3.90(m,17H),3.33(s,3H).
【0145】
製造例7
製造例1の工程2において、化合物(4a)の代わりに製造例6の工程1で得た化合物(4e)を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2f)を得た(工程1及び2)。
【0146】
【化35】
Figure 0003544080
【0147】
得られたアミド誘導体(2f)の物性は次のとおりである。
【0148】
白色固体
融点;54〜55℃
IR(νneat,cm−1);3430,2930,2855,1620,1470,1220,1205,1110,950,885,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.25〜1.95(m,61H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.29〜3.52(m,10H),3.33(s,3H),3.88〜3.95(m,1H).
【0149】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに化合物(2f)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3f)を得た(工程5)。
【0150】
【化36】
Figure 0003544080
【0151】
得られたアミド誘導体(3f)の物性は次のとおりである。
【0152】
白色固体融点;45〜47℃IR(νneat,cm−1);2930,2860,1650,1470,1425,1380,1210,1120,910,845,755,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,54H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜1.90(m,2H),2.25〜2.48(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1H),3.18〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0153】
製造例1の工程7において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3f)を用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1f)を得た(工程7及び8)。
【0154】
【化37】
Figure 0003544080
【0155】
得られたアミド誘導体(1f)の物性は次のとおりである。
【0156】
白色固体
融点;35℃
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1650,1630,1470,1420,1380,1305,1210,1120,1080.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,54H),1.45〜1.95(m,7H),2.25〜2.55(m,3H),3.20〜3.95(m,16H),3.33(s,3H).
【0157】
製造例8
製造例1の工程1において、ヘキサデシルグリシジルエーテルの代わりにテトラデシルグリシジルエーテルを用いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、アミノアルコール誘導体(4g)を得た(工程1)。
【0158】
【化38】
Figure 0003544080
【0159】
得られたアミノアルコール誘導体(4g)の物性は次のとおりである。
【0160】
白色固体
融点;47℃
IR(νneat,cm−1);3340,2930,2855,1470,1310,1120,1065,995,900,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,26H),1.45〜1.85(m,6H),2.57〜2.75(m,4H),3.32(s,3H),3.38〜3.48(m,6H),3.75〜3.88(m,1H).
【0161】
製造例1の工程2において、化合物(4a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4g)を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2g)を得た(工程2)。
【0162】
【化39】
Figure 0003544080
【0163】
得られたアミド誘導体(2g)の物性は次のとおりである。
【0164】
白色固体
融点;47℃
IR(νneat,cm−1);3440,2930,2855,1620,1470,1205,1110,950,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.26〜1.89(m,52H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.29〜3.52(m,11H),3.33(s,3H),3.88〜3.95(m,1H).
【0165】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに、上記(工程2)で得た化合物(2g)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3g)を得た(工程5)。
【0166】
【化40】
Figure 0003544080
【0167】
得られたアミド誘導体(3g)の物性は次のとおりである。
【0168】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);2930,2860,1650,1470,1425,1380,1210,1120,910,845,755,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,46H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜1.90(m,2H),2.25〜2.50(m,2H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1H),3.18〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0169】
製造例1の工程7において、化合物(3a)の代わりに、上記(工程5)で得た化合物(3g)を用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1g)を得た(工程7及び8)。
【0170】
【化41】
Figure 0003544080
【0171】
得られたアミド誘導体(1g)の物性は次のとおりである。
【0172】
白色固体
融点;27℃
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1650,1630,1470,1420,1380,1305,1210,1120,1080,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,45H),1.45〜1.93(m,7H),2.20〜2.60(m,3H),3.20〜3.90(m,17H),3.33(s,3H).
【0173】
製造例9
製造例1の工程1において、3−メトキシプロピルアミンの代わりに2−メトキシエチルアミンを用いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、アミノアルコール誘導体(4h)を得た(工程1)。
【0174】
【化42】
Figure 0003544080
【0175】
得られたアミノアルコール誘導体(4h)の物性は次のとおりである。
【0176】
白色固体
融点;54〜55℃
IR(νneat,cm−1);3430,2920,2855,1470,1120,1065,900,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.3Hz,3H),1.25〜1.70(m,30H),2.57〜2.76(m,4H),3.32(s,3H),3.38〜3.48(m,6H),3.77〜3.89(m,1H).
【0177】
製造例1の工程2において、化合物(4a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4h)を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2h)を得た(工程2)。
【0178】
【化43】
Figure 0003544080
【0179】
得られたアミド誘導体(2h)の物性は次のとおりである。
【0180】
白色固体
融点;51〜52℃
IR(νneat,cm−1);3420,2920,2855,1620,1470,1110,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.87(t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.70(m,55H),2.25〜2.50(m,2H),3.20〜4.00(m,11H),3.34(s,3H).
【0181】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2h)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3h)を得た(工程5)。
【0182】
【化44】
Figure 0003544080
【0183】
得られたアミド誘導体(3h)の物性は次のとおりである。
【0184】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);2930,2855,1650,1470,1420,1380,1310,1250,1190,1120,910,850,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.13〜1.45(m,50H),1.45〜1.70(m,4H),2.30〜2.50(m,2H),2.50〜2.70(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13H),3.32(s,3H).
【0185】
製造例1の工程6において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3h)を用いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1h)を得た(工程6)。
【0186】
【化45】
Figure 0003544080
【0187】
得られたアミド誘導体(1h)の物性は次のとおりである。
【0188】
白色固体
融点;31〜32℃
IR(νneat,cm−1);3450,2930,2860,1630,1470,1380,1300,1190,1160,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.75(m,54H),2.20〜2.45(m,3H),3.20〜3.90(m,17H),3.33(s,3H).
【0189】
製造例3の工程11において、化合物(2b)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2h)を用いた以外は、製造例3の工程11と同様に反応を行い、1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16h)を得た(工程11)。
【0190】
【化46】
Figure 0003544080
【0191】
得られた1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16h)の物性は次のとおりである。
【0192】
無色透明液体
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.70(m,54H),1.34(s,3H),1.40(s,3H),2.36(t,J=7.0Hz,2H),3.25〜4.30(m,19H).
【0193】
製造例3の工程10において、化合物(16b)の代わりに上記(工程11)で得た化合物(16h)を用いた以外は、製造例3の工程11と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1h)を得た(工程10)。
【0194】
製造例10
製造例1の工程1において、3−メトキシプロピルアミンの代わりにエチルアミンを用いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、アミノアルコール誘導体(4i)を得た(工程1)。
【0195】
【化47】
Figure 0003544080
【0196】
得られたアミノアルコール誘導体(4i)の物性は次のとおりである。
【0197】
白色固体
融点;60〜61℃
IR(νneat,cm−1);3400,2930,2855,1470,1310,1110,955,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.4Hz,3H),1.11(t,J=7.2Hz,3H),1.15〜1.70(m,30H),2.55〜2.80(m,4H),3.35〜3.53(m,4H),3.79〜3.93(m,1H).
【0198】
製造例1の工程2において、化合物(4a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4i)を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2i)を得た(工程2)。
【0199】
【化48】
Figure 0003544080
【0200】
得られたアミド誘導体(2i)の物性は次のとおりである。
【0201】
白色固体
融点;56℃
IR(νneat,cm−1);3410,2930,2860,1625,1470,1380,1305,1245,1210,1110,950,855,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(t,J=6.4Hz,6H),1.15〜1.75(m,57H),2.34(t,J=7.6Hz,2H),3.30〜3.55(m,9H),3.85〜4.00(m,1H).
【0202】
製造例1の工程5において、化合物(2a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2i)を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3i)を得た(工程5)。
【0203】
【化49】
Figure 0003544080
【0204】
得られたアミド誘導体(3i)の物性は次のとおりである。
【0205】
無色透明液体
IR(νneat,cm−1);2930,2855,1650,1470,1425,1380,1210,1120,905,840,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.10〜1.75(m,57H),2.25〜2.50(m,2H),2.50〜2.70(m,1H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜4.00(m,12H).
【0206】
製造例1の工程6において、化合物(3a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3i)を用いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1i)を得た(工程6)。
【0207】
【化50】
Figure 0003544080
【0208】
得られたアミド誘導体(1i)の物性は次のとおりである。
【0209】
白色固体
融点;35〜36℃
IR(νneat,cm−1);3445,2930,2860,1630,1470,1420,1380,1305,1210,1120,720.
H−NMR(CDCl,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H),1.13〜1.75(m,57H),2.31(t,J=7.5Hz,2H),3.20〜3.90(m,16H).
【0210】
実施例1
表1〜表5に示す組成の化粧料を製造し、安定性及び肌荒れ改善効果について評価した。結果を表1〜表5に示す。
なお、表中に示した融点は、セイコー電子工業株式会社製の示差走査熱量計(DSC)を用い、試料の約1mgをDSCセル(5μl )に入れ、走査温度−10〜200℃、昇温速度2℃/分で測定し、JIS−K7121−1987−9−9.1(2)の補外融点開始温度を融点として示した。
【0211】
(製法)
成分1〜21までを加熱・溶解し、これに同温度に加温した成分22〜29を滴下し、室温まで冷却して化粧料を得た。
【0212】
(評価方法)
(1)安定性:
化粧料を40℃、湿度75%で1週間保存した後の状態を目視で観察した。製造直後と比べて外観、性状の変化がみられないものは良好とし、明らかな変化が見られたものは不良と判断した。
【0213】
(2)肌荒れ改善効果:
冬期に頬部に肌荒れを起こしている20〜50歳の女性10名を被験者とし、左右の頬に異なる化粧料を2週間塗布する。2週間の塗布が終了した翌日に皮膚コンダクタンスを測定した。すなわち、37℃の温水にて洗顔後、温度20℃、湿度40%の部屋で20分間安静にした後、角質層の水分含有量を皮膚コンダクタンスメータ(IBS社製)にて測定した。コンダクタンス値が20未満では皮膚は肌荒れしており、効果が低く、また、値20以上では効果が高いとして評価した。
【0214】
【表1】
Figure 0003544080
【0215】
【表2】
Figure 0003544080
【0216】
【表3】
Figure 0003544080
【0217】
【表4】
Figure 0003544080
【0218】
【表5】
Figure 0003544080
【0219】
表1〜表5の結果から明らかなように、本発明の化粧料はいずれも、安定性及び肌荒れ改善効果ともに優れたものであった。

Claims (4)

  1. 次の成分(A)及び(B):
    (A)次の一般式(1)
    Figure 0003544080
    (式中、R1及びR2は同一又は異なって炭素数1〜40のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示し、R3炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基又は単結合を示し、R4は水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただし、R3が単結合のときはR4は水素原子である。)
    で表わされ、融点が0〜50℃のアミド化合物、
    (B)HLB8未満の非イオン性界面活性剤
    を含有することを特徴とする油中水型乳化化粧料。
  2. 成分(A)が、結合水を1重量%以上保持できるアミド化合物である請求項1記載の油中水型乳化化粧料。
  3. 成分(A)を0.02〜20重量%含有する請求項1又は2記載の油中水型乳化化粧料。
  4. 成分(A)及び(B)の重量比が、(A):(B)=1:0.01〜1:10である請求項1〜3のいずれか1項記載の油中水型乳化化粧料。
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