JP3539234B2 - Polysilane composition for forming metal pattern coating and metal pattern forming method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属パターンの形成に用いる被膜形成用ポリシラン組成物及びこれを使用した金属パターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
金属パターンを形成させた基板は、プリント配線基板、センサー用櫛形電極基板等、多彩な応用が行われている。こうした基板上への金属の形成方法は、CVD法をはじめとする気相法やメッキ法に代表される湿式法で行われているが、パターン化は、通常レジスト材料を使用し、露光、現像工程を含んだ煩雑な工程を用いて行われている。
【0003】
こうした煩雑さを解消するために、新しい金属パターンを形成する手法がWhitesideらにより既に提唱されている。これは、パラジウムコロイドの分散液に凸凹を有するゴム材料を浸漬し、次いでこのゴム材料を基板に押しつけることで凸部のパラジウムコロイドを基板に転写し、この基板を無電解メッキ液に浸漬することで、パラジウムコロイドのある部分のみに金属を析出させることで金属パターンを形成するものである(Langmuir 1996,12,1375−1380)。
ところが、この方法では、パラジウムコロイドが非常に不安定で、コロイドを安定化させるためにテトラアンモニウムハライドのような界面活性剤を添加しているものの、印章法、インクジェット法、平板印刷法を行おうとした場合、凝集・沈殿してしまい、均一な金属パターンが得られず、また、基板と金属の密着性も十分に得られないという欠点を持っていた。
【0004】
一方、ポリシランは、炭素に比べてそのケイ素の持つ金属性、特異な電子非局在性による紫外線吸収特性、高い耐熱性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から非常に興味深いポリマーであり、様々な極微細なパターンを高精度で形成するフォトレジストの開発を目的として、ポリシランを用いた研究が活発に行われていた(例えば、特開平6−291273号、特開平7−114188号公報)。また、本発明者らは、ポリシランがパラジウム塩の溶液と接触すると、パラジウムコロイドを生成させることができ、紫外線を照射するとポリシロキサンに変換できることを利用したパターン形成方法を見出した。そして、ポリシラン薄膜のこうした特性とパラジウムコロイドを触媒とした無電解メッキを組み合わせることで金属パターンを形成できることを報告している(特開平10−326957号公報)。しかしながら、光照射、露光を行うという工程は必要であった。
【0005】
本発明は、こうした欠点を克服し、光照射、露光を行うことなく、従来より行われている印章法、インクジェット法、平板印刷法という簡単な工程で金属パターンを基板上に形成する方法及びこれに用いる金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ポリシランにカーボンファンクショナルシラン(CFシラン)を配合した組成物によって得られる被膜が、パラジウム塩を非常に容易に捕捉し、無電解メッキ膜を確実にしかも密着よく形成させることができ、また上記被膜の膜強度も高いこと、更にこのポリシラン組成物を用いることにより、印章法、インクジェット法、平板印刷法により容易にポリシランのパターン被膜を形成することができ、このパターン被膜上にパラジウム等の触媒金属核を形成し、無電解メッキ液に浸漬することで、露光、現像工程を用いない安価で簡便な工程によって金属パターンを形成できることを知見し、本発明をなすに至った。
【0007】
従って、本発明は、印章法、インクジェット法又は平板印刷法により基板上のポリシラン組成物のパターン被膜を形成し、このパターン被膜上に無電解メッキの触媒金属核を付着させ、次いで無電解メッキ液に浸漬して、上記パターン被膜上に無電解メッキ膜を析出させる金属パターン形成方法に使用する前記ポリシラン組成物であって、ポリシランと下記式(2)
Y−(CH2)n−SiRa(OR)3-a (2)
(式中、Yはアミノ官能基、Rは置換もしくは非置換の一価炭化水素基、nは0〜3の整数、aは0又は1である。)
で示されるカーボンファンクショナルシランとこれらを溶解する溶媒とを含有することを特徴とする金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物、及び、上記ポリシラン組成物を用いて印章法、インクジェット法又は平板印刷法により基板上に上記ポリシラン組成物のパターン被膜を形成した後、このパターン被膜上に無電解メッキの触媒金属核を付着させ、次いで無電解メッキ液に浸漬して、上記パターン被膜上に無電解メッキ膜を析出させることを特徴とする金属パターン形成方法を提供する。
【0008】
以下、本発明につき更に詳しく説明すると、本発明に係る金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物は、ポリシランと、カーボンファンクショナルシラン(CFシラン)と、これらを溶解する溶媒を含有する。
【0009】
ここで、ポリシランとしては、被膜を形成可能なものであればよいが、特に下記式(1)で示されるものが好適に用いられる。
【0010】
(R1 mR2 nXpSi)q (1)
(式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基、XはR1又はアルコキシ基もしくはハロゲン原子を示し、mは0.1≦m≦2、nは0≦n≦1、pは0≦p≦0.5で、1≦m+n+p≦2.5を満足する数、qは4≦q≦100,000の整数である。)
上記R1,R2の一価炭化水素基としては、置換又は非置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族又は脂環式炭化水素基としては、炭素数が1〜12、特に1〜8のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、シクロアルキル基などが挙げられる。また、芳香族炭化水素基としては、炭素数が6〜14、特に6〜10のものが好ましく、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基やベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基などが挙げられる。更に、置換炭化水素基としては、上記非置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基等で置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、p−ジメチルアミノフェニル基、m−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【0011】
XはR1と同様の基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜4のもの、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が好適であり、特に塩素原子、メトキシ基、エトキシ基が好適に用いられる。なお、このXは、ポリシラン膜の基板に対する剥離を防止し、密着性を改善する作用を有する基である。
【0012】
mは0.1≦m≦2、好ましくは0.5≦m≦2、nは0≦n≦1、好ましくは0.5≦n≦1、pは0≦p≦0.5、好ましくは0≦p≦0.2で、かつ1≦m+n+p≦2.5、好ましくは1.5≦m+n+p≦2.5を満足する数である。qは4≦q≦100,000、好ましくは10≦q≦10,000の範囲の整数である。
【0013】
一方、CFシランとしては、特に下記式(2)で示されるものが好適に用いられる。
【0014】
Y−(CH2)n−SiRa(OR)3-a (2)
(式中、Yはビニル官能基、エポキシ官能基、アミノ官能基、メルカプト官能基、メタクリロキシ官能基、アクリロキシ官能基等の官能基、Rは置換もしくは非置換の一価炭化水素基、nは0〜3の整数、aは0又は1である。)
ここで、Rは上記R1,R2と同様の一価炭化水素基を挙げることができるが、特に炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。なお、ビニル官能基としては、CH2=CH−等が挙げられ、エポキシ官能基としてはγ−グリシドキシ基、3,4−エポキシシクロヘキシル基等が挙げられ、アミノ官能基としてはNH2−、NH2CH2CH2NH−等が挙げられ、メルカプト官能基としてはメルカプト基、メタクリロキシ官能基、アクリロキシ官能基としてはメタクリロキシ基、アクリロキシ基等が挙げられる。
【0015】
より具体的には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどを挙げることができるが、これらの中でアミノ基含有アルコキシシランが好ましい。
【0016】
添加量は、ポリシラン100重量部に対し、0.01〜200重量部用いることができる。少なすぎると接着性が不十分であり、多すぎると成膜性が悪くなり、逆に接着性の低下をもたらすおそれがある。より望ましくは、0.1〜10重量部用いる。
【0017】
こうしたCFシランの添加は、膜強度が向上すると共に、この膜に接触させたパラジウム塩を非常に容易に捕捉して、これにより無電解メッキにより形成した銅等の金属と基板との接着性が向上した膜形成が可能である。
【0018】
上記ポリシラン、CFシランは、通常適当な有機溶媒に溶解させられる。この溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、エチルセルソルブ、メチルセルソルブ等のアルコキシエタノール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、PGMEA等のエーテルエステル系溶媒が好適に用いられる。添加量は、ケイ素成分(ポリシランとCFシランの和)100重量部に対し、10〜10,000重量部用いることができる。
【0019】
なお、本発明の組成物には、必要に応じて、ヒュームドシリカのような無機粉体やテトラエトキシシランのようなアルコキシシラン等を添加することができる。
【0020】
本発明の金属パターン形成方法は、上記ポリシラン組成物を用いて下記工程により行う。
工程(1):印章法、インクジェット法又は平板印刷法により、基板表面にポリシランパターンを形成させる工程。
工程(2):この基板をパラジウム塩等の触媒金属塩の溶液中に浸漬させた後、無電解メッキ液に浸漬し、金属を析出させる工程。
【0021】
更に、必要に応じて、工程(1)及び/又は工程(2)の基板を、紫外線照射や加熱することにより、金属と基板との接着性をより向上させ、接着性の優れた金属パターンを形成した基板を製造することができる。
【0022】
基板は、ガラス、セラミック、プラスチックのような絶縁体、シリコンのような半導体、銅のような導体のものが用いられうる。特に、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂というような樹脂、プラスチックが好適に用いられる。
【0023】
印章法、インクジェット法、平板印刷法は、従来、印刷法と呼ばれており、基板表面にポリシランパターン被膜を形成させる工程で、次のような特徴がある。
【0024】
印章法は、凹凸のパターンを持つゴム板をポリシラン組成物に浸漬し、このゴム板を基板上に押し当てることにより、凸部のケイ素成分(ポリシランとCFシラン)を基板上に転写する方法である。印刷部数の面では劣るものの、曲面にも金属パターンを形成できる優れた方法である。
【0025】
インクジェット法は、液体吐出孔から記録信号に応じたピコリットルオーダーのポリシラン組成物液滴を基板に向けて吐出させパターンを形成させるもので、微細なパターン形成に優れた方法である。
【0026】
平板印刷法は、支持体上に画線部と非画線部とが平面上で構成されている版である。印刷版表面にポリシラン組成物を与えると親油性の画線部のみにケイ素成分(ポリシランとCFシラン)が付着する。作業性、経済性、印刷部数の面から優れた方法である。
【0027】
こうした方法により、ケイ素成分(ポリシランとCFシラン)のパターンを形成した後、しばらく乾燥雰囲気下で静置するとか、減圧下で40〜150℃程度の温度に放置することにより乾燥することが効果的である。溶液の濃度としては、0.1〜50重量%が好適に用いられ、これにより、0.01〜100μmの範囲の膜厚のケイ素成分(ポリシランとCFシラン)のパターンを形成することができる。
【0028】
次に、この基板を、パラジウム塩、銀塩等の触媒金属塩の溶液中に浸漬させた後、無電解メッキ液に浸漬する工程を行う。
【0029】
パラジウム塩としては、Pd2+を含んでなるもので、通常Pd−Z2の形で表し得る。Zは、CI,Br,Iのようなハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレート、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等が用いられる。パラジウム塩の例としては、PdCl2、PdBr2、PdI2、Pd(OCOCH3)2、Pd(OCOCH3)2、PdSO4、Pd(NO3)2、PdO等が好適に用いられる。また溶液としての安定性を増すために、塩酸や塩化ナトリウムのようなハロゲン化物を添加してよい。
【0030】
こうした溶液には、このパラジウム塩をよく溶解させ、ケイ素成分のパターンを溶解、破壊しない溶媒が用いられる。このようなものとして、水、或いはアセトン、メチルエチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル類、メタノール、エタノールのようなアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドのような非プロトン性極性溶媒、その他、ニトロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。特に、水が好適に用いうる。
【0031】
こうした溶液に基板を1秒〜10分程度浸漬して、水で洗浄後、乾燥することで、ポリシランパターンの表面にパラジウム塩がパラジウム粒子に還元された基板を得ることができる。また、必要に応じて40〜200℃の温度で熱処理することにより、ポリシラン表面でのパラジウムヘの還元が促進される。乾燥温度は、通常10〜200℃、常圧又は減圧で行う。
【0032】
次いでこの基板を無電解メッキ液中に浸漬し、パラジウムを触媒として金属膜を形成させる。
【0033】
無電解メッキ液としては、例えば銅、ニッケル、パラジウム、金、白金、ロジウム等の金属イオンを含んでなるものが好適に用いられる。この無電解メッキ液は、通常水溶性金属塩に次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウム等の錯化剤などを配合して調製される。無電解メッキ液は市販されており、安価に入手することができる。
【0034】
無電解メッキ液との接触条件は、15〜120℃、特に25〜85℃で1分〜16時間、特に10〜60分間接触させることが好適であり、目的によっても相違するが、厚さ0.01〜100μm、特に0.1〜20μmのメッキ被膜を形成することが実用的である。
【0035】
なお、無電解メッキ後、必要に応じ、加熱することにより金属と基板との接着性を向上させうる。例えば、アルゴンのような不活性雰囲気下や真空系で60〜300℃、処理時間は1分〜24時間が好適である。これにより、無電解メッキにより形成された金属は、より高い導電性と硬度を持ち、かつ基板との良好な密着性を持つことになる。
【0036】
上記の金属パターンの形成方法によれば、安価で簡便な工程により、基板の種類を選ばず、金属と基板の接着性に優れた金属パターンを形成することができる。これにより、各種プリント基板、フレキシブルスイッチ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用保護膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐体、フラットディスプレイパネル等に応用可能な有用な金属パターンの形成方法として、電気、電子、通信分野に広く用いうる。
【0037】
【実施例】
以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【0038】
[合成例]ポリシランの製造方法
フェニルハイドロジェンポリシランについては、以下の方法によった。
【0039】
アルゴン置換したフラスコ内にビス(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコノセンにメチルリチウムのジエチルエーテル溶液を添加することで、系内で触媒であるビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコノセンを調製した。これに、フェニルシランを触媒の50倍モル添加し、100℃で24時間加熱撹拌を行った。この後、モレキュラーシーブスを添加濾過することにより、触媒を除去した。これにより、ほぼ定量的に重量平均分子量2,600のフェニルハイドロジェンポリシランの固体を得た。
【0040】
[実施例及び比較例]
ポリシラン(合成例で製造したフェニルハイドロジェンポリシラン、以下PPHSと略す)0.8g、CFシランとしてN−β−(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン8mg(ポリシラン100重量部に対し1重量部)をトルエン9.2gに溶解させた。ガラス繊維入りエポキシ樹脂板上にこのポリシラン組成物を印章法、インクジェット法又は平板印刷法により塗布し、シラン成分のパターンを形成し、2mmHg/50℃で乾燥させた(工程1)。
【0041】
次に、塩化パラジウムの3%水溶液を作成し、上記基板を1分浸漬し、水洗した。次いで、これを無電解メッキ液(硫酸ニッケル20g、次亜リン酸ナトリウム10g、酢酸ナトリウム30g、水1000g)に、80℃で10分浸漬するという工程により、ニッケル金属パターンを形成させた。純水で洗浄後、60℃で5分乾燥し、最後に窒素中で150℃で0.5時間高温処理することで、ニッケルによるパターンを形成したガラス繊維入りエポキシ樹脂基板を得た(工程2)。
【0042】
この基板のニッケル部の導電率は、1×104S/cm、基板部の導電率は1×10-9S/cmであり、パターンの微細度は、印章法では100μm、インクジェット法では10μm、平板印刷法では20μmであった。この基板とニッケルの接着性を剥離テープを用いて行ったところ、全く剥離は見られなかった。
【0043】
一方、比較例として、CFシランを入れないで、同様な操作を行った。剥離テープテストによる基板とニッケルの接着で一部剥離が見られた。また、ポリシランを入れないで、同様な操作を行ったところ、基板にニッケルの析出はほとんど見られなかった。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、印章法、インクジェット法、平板印刷法という露光、現像工程のいらない安価で簡便な工程により、密着よく金属パターンを形成することができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a polysilane composition for forming a coating film used for forming a metal pattern and a metal pattern forming method using the same.
[0002]
Problems to be solved by the prior art and the invention
A variety of applications are performed on substrates on which metal patterns are formed, such as printed wiring boards and comb-shaped electrode substrates for sensors. Such a method of forming a metal on a substrate is performed by a wet method typified by a vapor phase method such as a CVD method or a plating method, but patterning is usually performed by using a resist material, and exposing and developing. It is performed using complicated steps including steps.
[0003]
To solve such complications, Whiteside et al. Have already proposed a technique for forming a new metal pattern. This involves immersing a rubber material having irregularities in a dispersion of colloidal palladium, and then pressing the rubber material against a substrate to transfer the colloidal palladium to the substrate, and immersing the substrate in an electroless plating solution. A metal pattern is formed by depositing a metal only in a certain portion of the palladium colloid (Langmuir 1996, 12, 1375-1380).
However, in this method, the palladium colloid is very unstable, and a surfactant such as tetraammonium halide is added to stabilize the colloid. In this case, there is a drawback that coagulation / precipitation occurs, a uniform metal pattern cannot be obtained, and sufficient adhesion between the substrate and the metal cannot be obtained.
[0004]
Polysilane, on the other hand, is a very interesting polymer because of its metallic properties compared to carbon, its ultraviolet absorption properties due to its unique electron delocalization, high heat resistance and flexibility, and good thin film formation properties. For the purpose of developing a photoresist capable of forming an extremely fine pattern with high precision, researches using polysilane have been actively conducted (for example, JP-A-6-291273 and JP-A-7-114188). In addition, the present inventors have found a pattern forming method utilizing the fact that when a polysilane comes in contact with a solution of a palladium salt, a palladium colloid can be generated, and when irradiated with ultraviolet light, it can be converted into a polysiloxane. It is reported that a metal pattern can be formed by combining such characteristics of a polysilane thin film and electroless plating using a palladium colloid as a catalyst (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-326957). However, a step of performing light irradiation and exposure was necessary.
[0005]
The present invention overcomes these drawbacks and provides a method of forming a metal pattern on a substrate by a simple process such as a stamping method, an ink-jet method, and a flat-plate printing method without performing light irradiation and exposure. It is an object of the present invention to provide a polysilane composition for forming a film for a metal pattern used for the above.
[0006]
Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention
The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, a coating obtained by mixing a polyfunctional silane and a carbon functional silane (CF silane) captures a palladium salt very easily. The electroplating film can be formed reliably and with good adhesion, and the film strength of the film is high. Furthermore, by using this polysilane composition, the pattern of polysilane can be easily formed by a stamping method, an ink jet method, and a flat printing method. A film can be formed, and a catalytic metal nucleus such as palladium is formed on this pattern film and immersed in an electroless plating solution to form a metal pattern by an inexpensive and simple process without using exposure and development processes. The inventors have found that they can do this, and have accomplished the present invention.
[0007]
Therefore, the present invention provides a pattern coating of a polysilane composition on a substrate by a stamping method, an ink jet method or a lithographic printing method, depositing a catalytic metal nucleus of electroless plating on the pattern coating, and then applying an electroless plating solution. The polysilane composition used in the metal pattern forming method for immersing the polysilane in an electroless plating film on the pattern coating, wherein the polysilane and the following formula (2)
Y- (CH 2) n -SiR a (OR) 3-a (2)
(In the formula, Y is an amino functional group, R is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, n is an integer of 0 to 3, and a is 0 or 1.)
A polysilane composition for forming a metal pattern film, comprising a carbon functional silane represented by and a solvent dissolving the same, and a stamping method, an inkjet method, or a lithographic printing method using the polysilane composition. After forming a pattern coating of the polysilane composition on the substrate by the above, a catalytic metal nucleus for electroless plating is adhered on the pattern coating, and then immersed in an electroless plating solution to perform electroless plating on the pattern coating. Provided is a metal pattern forming method characterized by depositing a film.
[0008]
Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The polysilane composition for forming a film for a metal pattern according to the present invention contains polysilane, carbon functional silane (CF silane), and a solvent dissolving them.
[0009]
Here, the polysilane may be any as long as it can form a film, and in particular, a material represented by the following formula (1) is preferably used.
[0010]
(R 1 m R 2 n X p Si) q (1)
(Wherein, R 1 and R 2 are each a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, X is R 1 or an alkoxy group or a halogen atom, m is 0.1 ≦ m ≦ 2, and n is 0 ≦ n ≦ 1, p is 0 ≦ p ≦ 0.5, and a number satisfying 1 ≦ m + n + p ≦ 2.5, and q is an integer of 4 ≦ q ≦ 100,000.)
Examples of the monovalent hydrocarbon group of R 1 and R 2 include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, and aromatic hydrocarbon group. As the aliphatic or alicyclic hydrocarbon group, those having 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 to 8 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopentyl group, Examples thereof include an alkyl group such as a cyclohexyl group, and a cycloalkyl group. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 14 carbon atoms, particularly preferably 6 to 10 carbon atoms. Examples thereof include an aryl group such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group and a naphthyl group, a benzyl group, and a phenylethyl group. Aralkyl groups and the like. Further, as the substituted hydrocarbon group, part or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group may be a halogen atom, an alkoxy group, an amino group, an amino group. Those substituted with an alkyl group and the like, for example, a monofluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a p-dimethylaminophenyl group, an m-dimethylaminophenyl group and the like can be mentioned.
[0011]
X is the same group as R 1 , an alkoxy group or a halogen atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom. And the like are particularly preferable, and a chlorine atom, a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferably used. Note that X is a group having an effect of preventing the polysilane film from peeling off the substrate and improving the adhesion.
[0012]
m is 0.1 ≦ m ≦ 2, preferably 0.5 ≦ m ≦ 2, n is 0 ≦ n ≦ 1, preferably 0.5 ≦ n ≦ 1, and p is 0 ≦ p ≦ 0.5, preferably It is a number satisfying 0 ≦ p ≦ 0.2 and 1 ≦ m + n + p ≦ 2.5, preferably 1.5 ≦ m + n + p ≦ 2.5. q is an integer in the range of 4 ≦ q ≦ 100,000, preferably 10 ≦ q ≦ 10,000.
[0013]
On the other hand, as the CF silane, a compound represented by the following formula (2) is particularly preferably used.
[0014]
Y- (CH 2) n -SiR a (OR) 3-a (2)
Wherein Y is a functional group such as a vinyl functional group, an epoxy functional group, an amino functional group, a mercapto functional group, a methacryloxy functional group, an acryloxy functional group, R is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and n is 0. And an integer a to 3 and a is 0 or 1.)
Here, R can be the same monovalent hydrocarbon group as R 1 and R 2 described above, and is particularly preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Incidentally, as the vinyl functional group, CH 2 CHCH— and the like can be mentioned, as the epoxy functional group, a γ-glycidoxy group, a 3,4-epoxycyclohexyl group, and the like can be mentioned. As the amino functional group, NH 2 —, NH 2 2 CH 2 CH 2 NH— and the like. Examples of the mercapto functional group include a mercapto group and a methacryloxy functional group, and examples of the acryloxy functional group include a methacryloxy group and an acryloxy group.
[0015]
More specifically, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) γ -Aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, and the like. Amino group-containing alkoxysilanes are preferred.
[0016]
The addition amount can be 0.01 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the polysilane. If the amount is too small, the adhesiveness is insufficient. If the amount is too large, the film formability is deteriorated, and conversely, the adhesiveness may be reduced. More preferably, 0.1 to 10 parts by weight is used.
[0017]
The addition of CF silane improves the strength of the film, and also very easily captures the palladium salt in contact with the film, thereby improving the adhesion between the metal such as copper formed by electroless plating and the substrate. Improved film formation is possible.
[0018]
The above polysilane and CF silane are usually dissolved in an appropriate organic solvent. Examples of the solvent include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; ether solvents such as tetrahydrofuran and dibutyl ether; alcohol solvents such as methanol and ethanol; and alkoxy solvents such as ethyl cellsolve and methylcellsolve. Ethanol solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate and ethyl lactate, and ether ester solvents such as PGMEA are preferably used. The addition amount can be 10 to 10,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicon component (the sum of polysilane and CF silane).
[0019]
In addition, an inorganic powder such as fumed silica, an alkoxysilane such as tetraethoxysilane, or the like can be added to the composition of the present invention as needed.
[0020]
The method for forming a metal pattern of the present invention is performed by the following steps using the above-mentioned polysilane composition.
Step (1): a step of forming a polysilane pattern on the substrate surface by a stamping method, an ink jet method, or a flat plate printing method.
Step (2): a step of immersing the substrate in a solution of a catalytic metal salt such as a palladium salt and then immersing the substrate in an electroless plating solution to deposit a metal.
[0021]
Further, if necessary, the substrate in step (1) and / or step (2) is irradiated with ultraviolet light or heated to further improve the adhesion between the metal and the substrate, thereby forming a metal pattern having excellent adhesion. The formed substrate can be manufactured.
[0022]
As the substrate, an insulator such as glass, ceramic, or plastic, a semiconductor such as silicon, or a conductor such as copper can be used. In particular, resins and plastics such as phenol resins, polyester resins, epoxy resins, polyimide resins, and bismaleimide triazine resins are preferably used.
[0023]
The stamping method, the ink-jet method, and the flat-plate printing method are conventionally called printing methods, and are steps of forming a polysilane pattern film on a substrate surface, and have the following features.
[0024]
The stamping method is a method in which a rubber plate having an uneven pattern is immersed in a polysilane composition, and this rubber plate is pressed onto a substrate to transfer silicon components (polysilane and CF silane) on the projection to the substrate. is there. Although it is inferior in terms of the number of prints, it is an excellent method for forming a metal pattern on a curved surface.
[0025]
The ink jet method discharges a polysilane composition droplet in the order of picoliters corresponding to a recording signal from a liquid discharge hole toward a substrate to form a pattern, and is an excellent method for forming a fine pattern.
[0026]
The lithographic printing method is a printing plate in which an image portion and a non-image portion are formed on a plane on a support. When the polysilane composition is applied to the printing plate surface, the silicon component (polysilane and CF silane) adheres only to the lipophilic image area. This method is excellent in terms of workability, economy, and number of copies.
[0027]
After the pattern of the silicon component (polysilane and CF silane) is formed by such a method, it is effective to leave it for a while in a dry atmosphere or leave it at a temperature of about 40 to 150 ° C. under reduced pressure for drying. It is. The concentration of the solution is preferably 0.1 to 50% by weight, whereby a pattern of a silicon component (polysilane and CF silane) having a thickness in the range of 0.01 to 100 μm can be formed.
[0028]
Next, a step of immersing the substrate in a solution of a catalytic metal salt such as a palladium salt or a silver salt and then immersing the substrate in an electroless plating solution is performed.
[0029]
The palladium salt contains Pd 2+ and can usually be represented in the form of Pd-Z 2 . As Z, halogen such as CI, Br, I, acetate, trifluoroacetate, acetylacetonate, carbonate, perchlorate, nitrate, sulfate, oxide and the like are used. PdCl 2 , PdBr 2 , PdI 2 , Pd (OCOCH 3 ) 2 , Pd (OCOCH 3 ) 2 , PdSO 4 , Pd (NO 3 ) 2 , PdO, etc. are preferably used as examples of the palladium salt. Further, a halide such as hydrochloric acid or sodium chloride may be added to increase the stability as a solution.
[0030]
For such a solution, a solvent that dissolves the palladium salt well and does not dissolve or destroy the pattern of the silicon component is used. Such substances include water or acetone, ketones such as methyl ethyl ketone, esters such as ethyl acetate, alcohols such as methanol and ethanol, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and hexamethylphosphoric triamide. Examples include aprotic polar solvents, nitromethane, and acetonitrile. In particular, water can be suitably used.
[0031]
The substrate in which the palladium salt is reduced to palladium particles on the surface of the polysilane pattern can be obtained by immersing the substrate in such a solution for about 1 second to 10 minutes, washing with water, and drying. Further, if necessary, a heat treatment at a temperature of 40 to 200 ° C. promotes reduction of palladium on the polysilane surface. The drying temperature is usually 10 to 200 ° C. and normal pressure or reduced pressure.
[0032]
Next, the substrate is immersed in an electroless plating solution to form a metal film using palladium as a catalyst.
[0033]
As the electroless plating solution, a solution containing metal ions such as copper, nickel, palladium, gold, platinum, and rhodium is preferably used. This electroless plating solution is usually prepared by adding a reducing agent such as sodium hypophosphite, hydrazine, sodium borohydride and dimethylamine borane to a water-soluble metal salt, and a complexing agent such as sodium acetate, phenylenediamine and sodium potassium tartrate. It is prepared by blending. Electroless plating solutions are commercially available and can be obtained at low cost.
[0034]
The contact condition with the electroless plating solution is preferably 15 to 120 ° C., particularly 25 to 85 ° C., for 1 minute to 16 hours, particularly 10 to 60 minutes. It is practical to form a plating film having a thickness of 0.01 to 100 μm, particularly 0.1 to 20 μm.
[0035]
After the electroless plating, if necessary, the adhesiveness between the metal and the substrate can be improved by heating. For example, the treatment is preferably performed at 60 to 300 ° C. in an inert atmosphere such as argon or in a vacuum system, and the treatment time is 1 minute to 24 hours. Thereby, the metal formed by the electroless plating has higher conductivity and hardness, and has good adhesion to the substrate.
[0036]
According to the above-described method for forming a metal pattern, a metal pattern having excellent adhesion between a metal and a substrate can be formed by an inexpensive and simple process, regardless of the type of substrate. As a result, useful metal patterns applicable to various printed circuit boards, flexible switches, battery electrodes, solar cells, sensors, antistatic protective films, electromagnetic shielding housings, integrated circuits, motor housings, flat display panels, etc. Can be widely used in the electric, electronic, and communication fields.
[0037]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Synthesis Examples, Examples, and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
[0038]
[Synthesis Example] Polysilane production method The following method was used for phenyl hydrogen polysilane.
[0039]
Bis (cyclopentadienyl) dichlorozirconocene was added to a diethyl ether solution of methyllithium in a flask purged with argon to prepare bis (cyclopentadienyl) dimethylzirconocene as a catalyst in the system. To this, phenylsilane was added at 50 times the molar amount of the catalyst, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 24 hours. Thereafter, molecular sieves were added and the mixture was filtered to remove the catalyst. As a result, a phenylhydrogenpolysilane solid having a weight average molecular weight of 2,600 was obtained almost quantitatively.
[0040]
[Examples and Comparative Examples]
0.8 g of polysilane (phenylhydrogenpolysilane produced in the synthesis example, hereinafter abbreviated as PPHS), 8 mg of N-β- (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane as CF silane (1 part by weight per 100 parts by weight of polysilane) ) Was dissolved in 9.2 g of toluene. This polysilane composition was applied on a glass fiber-containing epoxy resin plate by a stamping method, an ink jet method or a flat plate printing method to form a silane component pattern, and dried at 2 mmHg / 50 ° C. (Step 1).
[0041]
Next, a 3% aqueous solution of palladium chloride was prepared, the substrate was immersed for 1 minute, and washed with water. Next, this was immersed in an electroless plating solution (nickel sulfate 20 g, sodium hypophosphite 10 g, sodium acetate 30 g, water 1000 g) at 80 ° C. for 10 minutes to form a nickel metal pattern. After washing with pure water, drying was performed at 60 ° C. for 5 minutes, and finally, high-temperature treatment was performed at 150 ° C. for 0.5 hour in nitrogen to obtain a glass fiber-containing epoxy resin substrate on which a pattern of nickel was formed (Step 2). ).
[0042]
The conductivity of the nickel portion of this substrate is 1 × 10 4 S / cm, the conductivity of the substrate portion is 1 × 10 −9 S / cm, and the fineness of the pattern is 100 μm by the stamping method and 10 μm by the inkjet method. And 20 μm in the lithographic printing method. When the adhesion between the substrate and nickel was measured using a peeling tape, no peeling was observed.
[0043]
On the other hand, as a comparative example, the same operation was performed without adding CF silane. Partial peeling was observed due to the adhesion between the substrate and the nickel by the peeling tape test. Further, when the same operation was performed without adding polysilane, deposition of nickel was hardly observed on the substrate.
[0044]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a metal pattern can be formed with good adhesion by the inexpensive and simple process which does not require the exposure and development processes, such as a stamping method, an inkjet method, and a lithographic printing method.
Claims (3)
Y−(CH2)n−SiRa(OR)3-a (2)
(式中、Yはアミノ官能基、Rは置換もしくは非置換の一価炭化水素基、nは0〜3の整数、aは0又は1である。)
で示されるカーボンファンクショナルシランとこれらを溶解する溶媒とを含有することを特徴とする金属パターン用被膜形成用ポリシラン組成物。A pattern film of the polysilane composition on the substrate is formed by a stamping method, an ink jet method or a flat plate printing method, a catalytic metal nucleus of electroless plating is attached on the pattern film, and then dipped in an electroless plating solution, The polysilane composition for use in a method for forming a metal pattern for depositing an electroless plating film on a pattern film, wherein the polysilane and the following formula (2)
Y- (CH 2) n -SiR a (OR) 3-a (2)
(In the formula, Y is an amino functional group, R is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, n is an integer of 0 to 3, and a is 0 or 1.)
A polysilane composition for forming a coating for a metal pattern, comprising: a carbon functional silane represented by the formula: and a solvent dissolving the same.
(R1 mR2 nXpSi)q (1)
(式中、R1及びR2はそれぞれ水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基、XはR1又はアルコキシ基もしくはハロゲン原子を示し、mは0.1≦m≦2、nは0≦n≦1、pは0≦p≦0.5で、1≦m+n+p≦2.5を満足する数、qは4≦q≦100,000の整数である。)
で示されるものである請求項1記載のポリシラン組成物。Polysilane has the following formula (1)
(R 1 m R 2 n X p Si) q (1)
(Wherein, R 1 and R 2 are each a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, X is R 1 or an alkoxy group or a halogen atom, m is 0.1 ≦ m ≦ 2, and n is 0 ≦ n ≦ 1, p is 0 ≦ p ≦ 0.5, and a number satisfying 1 ≦ m + n + p ≦ 2.5, and q is an integer of 4 ≦ q ≦ 100,000.)
The polysilane composition according to claim 1, which is represented by:
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