JP3539060B2 - ガス識別方法 - Google Patents
ガス識別方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスの種類を識別
することのできるガス識別方法に関する。
することのできるガス識別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】様々な産業分野や家庭などにおいて、可
燃性ガス・有毒ガスの漏れ検出、自動制御、環境計測な
どのために、ガスや臭いを選択性よく検出できるガスセ
ンサの要求が高まっている。そして従来、半導体素子の
電気抵抗がガスとの接触により変化することを利用した
半導体ガスセンサが、素子の構造が単純である上に、信
号増幅のための特別の回路も必要としないため、使い易
く安価なガスセンサとして広く用いられている。その動
作原理は、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）
などのｎ型半導体の活性部に水素や炭化水素などの電子
供与性の還元気体が吸着した場合には、電子密度が増加
して導電率が増大し、また酸素などの電子吸引性気体が
吸着した場合には、電子密度が減少し導電率が低下する
現象を利用するものである。さらに、前記半導体にＰｔ
（白金）、Ｐｄ（パラジウム）などの貴金属を触媒とし
て添加し、被検ガスを活性化し、ガス検出感度を向上あ
るいは制御する方法もしばしば用いられている。
燃性ガス・有毒ガスの漏れ検出、自動制御、環境計測な
どのために、ガスや臭いを選択性よく検出できるガスセ
ンサの要求が高まっている。そして従来、半導体素子の
電気抵抗がガスとの接触により変化することを利用した
半導体ガスセンサが、素子の構造が単純である上に、信
号増幅のための特別の回路も必要としないため、使い易
く安価なガスセンサとして広く用いられている。その動
作原理は、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）
などのｎ型半導体の活性部に水素や炭化水素などの電子
供与性の還元気体が吸着した場合には、電子密度が増加
して導電率が増大し、また酸素などの電子吸引性気体が
吸着した場合には、電子密度が減少し導電率が低下する
現象を利用するものである。さらに、前記半導体にＰｔ
（白金）、Ｐｄ（パラジウム）などの貴金属を触媒とし
て添加し、被検ガスを活性化し、ガス検出感度を向上あ
るいは制御する方法もしばしば用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのような半導
体ガスセンサにおいて、特定のガスのみに対して感度を
有するセンサ材料はほとんどなく、１つのセンサ材料
は、特性は異なるものの種々のガスに対して導電率の変
化を示すのが普通である。すなわち、このような半導体
ガスセンサにおいては、吸着および反応をするガスであ
れば、原理的には全てのガスに応答するので、異なるガ
スであっても類似した抵抗の変化を引き起こし、ガスの
種別を識別することは実質的に困難であった。特定の被
検ガスを検出するために、動作温度などの条件の最適
化、種々の異種成分の添加、および、検出素子表面への
組成の異なる層の形成などを行い、その被検ガスに対す
る感度のみを向上させるようにする試みも行われている
が、その感度の向上は十分ではない。また、ニューラル
ネットワークなどの信号処理技術を応用し、複数のセン
サ素子の出力パタンの学習によりガスを識別するシステ
ムも考案されているが、構成が複雑であるという問題が
ある。
体ガスセンサにおいて、特定のガスのみに対して感度を
有するセンサ材料はほとんどなく、１つのセンサ材料
は、特性は異なるものの種々のガスに対して導電率の変
化を示すのが普通である。すなわち、このような半導体
ガスセンサにおいては、吸着および反応をするガスであ
れば、原理的には全てのガスに応答するので、異なるガ
スであっても類似した抵抗の変化を引き起こし、ガスの
種別を識別することは実質的に困難であった。特定の被
検ガスを検出するために、動作温度などの条件の最適
化、種々の異種成分の添加、および、検出素子表面への
組成の異なる層の形成などを行い、その被検ガスに対す
る感度のみを向上させるようにする試みも行われている
が、その感度の向上は十分ではない。また、ニューラル
ネットワークなどの信号処理技術を応用し、複数のセン
サ素子の出力パタンの学習によりガスを識別するシステ
ムも考案されているが、構成が複雑であるという問題が
ある。
【０００４】したがって、本発明の目的は、簡単な処理
によりガスの種類を識別することのできるガス識別方法
を提供することにある。
によりガスの種類を識別することのできるガス識別方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、半導体ガスセンサに所定の波形を印加した時に、緩
和現象が生じ、この緩和現象の状態が被検ガスの種類に
より異なることに着目し、この緩和現象の状態の違いを
検出して、被検ガスの種類を識別するようにした。
に、半導体ガスセンサに所定の波形を印加した時に、緩
和現象が生じ、この緩和現象の状態が被検ガスの種類に
より異なることに着目し、この緩和現象の状態の違いを
検出して、被検ガスの種類を識別するようにした。
【０００６】したがって、本発明のガス識別方法は、被
検ガスと接触する半導体ガスセンサに、立ち上がり時に
被検ガスの種類に応じて異なる緩和現象を生じさせる方
形波状の電圧または電流を少なくとも１波印加し、方形
波状の電圧または電流の立ち上がり時における半導体ガ
スセンサの検出信号を測定し、測定した半導体ガスセン
サの検出信号をフーリエ変換し、フーリエ変換により得
られたスペクトルの値を、被検ガスの種類に応じた緩和
現象に基づく応答波形をフーリエ変換して予め得られた
スペクトルの標準値と比較して、前記被検ガスを識別す
る。これらの識別時には、予め識別対象の各ガスに対し
て応答波形およびそのフーリエ変換により得られたスペ
クトルを標準値として検出しておき、被検ガスから得ら
れた応答波形およびフーリエ変換スペクトルの値を前記
標準値と比較することにより識別ガスの特定を行う。
検ガスと接触する半導体ガスセンサに、立ち上がり時に
被検ガスの種類に応じて異なる緩和現象を生じさせる方
形波状の電圧または電流を少なくとも１波印加し、方形
波状の電圧または電流の立ち上がり時における半導体ガ
スセンサの検出信号を測定し、測定した半導体ガスセン
サの検出信号をフーリエ変換し、フーリエ変換により得
られたスペクトルの値を、被検ガスの種類に応じた緩和
現象に基づく応答波形をフーリエ変換して予め得られた
スペクトルの標準値と比較して、前記被検ガスを識別す
る。これらの識別時には、予め識別対象の各ガスに対し
て応答波形およびそのフーリエ変換により得られたスペ
クトルを標準値として検出しておき、被検ガスから得ら
れた応答波形およびフーリエ変換スペクトルの値を前記
標準値と比較することにより識別ガスの特定を行う。
【０００７】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態
本発明のガス識別方法の第１の実施の形態について、図
１〜図５を参照して説明する。まず、第１の実施の形態
で用いるガスセンサについて説明する。図１は、第１の
実施の形態で使用するガスセンサの構成を示す図であ
る。図１に示すように、半導体ガスセンサ１０は、石英
ガラス基板１１上に、Ｐｔを用いた櫛形電極１２ａ，１
２ｂを形成し、さらにこの上に酸化スズ薄膜１３を形成
し、その酸化スズ薄膜１３の表面にＰｄを酸化スズに対
して１％担持したものである。なお、この酸化スズ薄膜
１３は、テトラメチルスズを原料としてプラズマＣＶＤ
法で形成されている。また、櫛形電極１２ａ，１２ｂに
は、リード線１４ａ，１４ｂが形成されている。
１〜図５を参照して説明する。まず、第１の実施の形態
で用いるガスセンサについて説明する。図１は、第１の
実施の形態で使用するガスセンサの構成を示す図であ
る。図１に示すように、半導体ガスセンサ１０は、石英
ガラス基板１１上に、Ｐｔを用いた櫛形電極１２ａ，１
２ｂを形成し、さらにこの上に酸化スズ薄膜１３を形成
し、その酸化スズ薄膜１３の表面にＰｄを酸化スズに対
して１％担持したものである。なお、この酸化スズ薄膜
１３は、テトラメチルスズを原料としてプラズマＣＶＤ
法で形成されている。また、櫛形電極１２ａ，１２ｂに
は、リード線１４ａ，１４ｂが形成されている。
【０００８】次に、第１の実施の形態のガス識別方法に
ついて説明する。図２は、第１の実施の形態のガス識別
方法の手順を示す図である。まず、半導体ガスセンサ１
０をガスの識別ができる状態に設定する（ステップＳ
１）。具体的には、たとえば半導体ガスセンサ１０を管
状マントルヒータ内に設置し、４００℃に保持する。次
に、この管状マントルヒータ内に、被検ガスを所定の流
量で流す（ステップＳ２）。次に、この半導体ガスセン
サ１０に所定の電圧を印加し（ステップＳ３）、その応
答波形を測定する（ステップＳ４）。第１の実施の形態
においては、ステップＳ３において、半導体ガスセンサ
１０に周波数２０ｋＨｚ、振幅５００ｍＶｐ−ｐ（オフ
セットバイアス２５０ｍＶ）の方形波電圧を印加する。
そして、その応答波形をフーリエ変換してスペクトルを
算出し（ステップＳ５）、このスペクトルのピーク値を
予め定めた各ガスの標準ピーク値と比較し、被検ガスの
種類を識別する（ステップＳ６）。
ついて説明する。図２は、第１の実施の形態のガス識別
方法の手順を示す図である。まず、半導体ガスセンサ１
０をガスの識別ができる状態に設定する（ステップＳ
１）。具体的には、たとえば半導体ガスセンサ１０を管
状マントルヒータ内に設置し、４００℃に保持する。次
に、この管状マントルヒータ内に、被検ガスを所定の流
量で流す（ステップＳ２）。次に、この半導体ガスセン
サ１０に所定の電圧を印加し（ステップＳ３）、その応
答波形を測定する（ステップＳ４）。第１の実施の形態
においては、ステップＳ３において、半導体ガスセンサ
１０に周波数２０ｋＨｚ、振幅５００ｍＶｐ−ｐ（オフ
セットバイアス２５０ｍＶ）の方形波電圧を印加する。
そして、その応答波形をフーリエ変換してスペクトルを
算出し（ステップＳ５）、このスペクトルのピーク値を
予め定めた各ガスの標準ピーク値と比較し、被検ガスの
種類を識別する（ステップＳ６）。
【０００９】次に、前記ガス識別方法を実際に３種類の
ガスについて適用した場合の、応答波形およびスペクト
ルのピーク値について説明する。まず、乾燥空気を１０
０[cc/min]で管状マントルヒータ内を流した時の応答波
形を図３に示す。また、第１の被検ガスである２−メチ
ル−２−ブテン５００[ppm] （空気希釈）、および、第
２の被検ガスであるイソブタン４５０[ppm] （空気希
釈）を、乾燥空気と同様に各々１００[cc/min]で管状マ
ントルヒータ内を流した時の応答波形を図４に示す。図
４においては、波形ａが２−メチル−２−ブテンの応答
波形、波形ｂがイソブタンの応答波形である。
ガスについて適用した場合の、応答波形およびスペクト
ルのピーク値について説明する。まず、乾燥空気を１０
０[cc/min]で管状マントルヒータ内を流した時の応答波
形を図３に示す。また、第１の被検ガスである２−メチ
ル−２−ブテン５００[ppm] （空気希釈）、および、第
２の被検ガスであるイソブタン４５０[ppm] （空気希
釈）を、乾燥空気と同様に各々１００[cc/min]で管状マ
ントルヒータ内を流した時の応答波形を図４に示す。図
４においては、波形ａが２−メチル−２−ブテンの応答
波形、波形ｂがイソブタンの応答波形である。
【００１０】さらに、図３および図４に示したこれら３
種類のガスによる応答波形をフーリエ変換して得られた
スペクトルについて図５を参照して説明する。図５は、
これら３種類のガスの応答波形をフーリエ変換して得ら
れたスペクトルの虚数部を模式的に示す図であり、ａが
２−メチル−２−ブテンのスペクトル、ｂがイソブタン
のスペクトル、ｃが乾燥空気のスペクトルを示す。図５
に示すように、２−メチル−２−ブテンのスペクトルの
ピーク値は２．５１×１０5 Ｈｚ、イソブタンのスペク
トルのピーク値は１．３８×１０5 Ｈｚ、乾燥空気のス
ペクトルのピーク値は１．４５×１０4 Ｈｚとなった。
また、スペクトルの変化は実数部でも起こり、ガスの種
類によってその変化は異なった。
種類のガスによる応答波形をフーリエ変換して得られた
スペクトルについて図５を参照して説明する。図５は、
これら３種類のガスの応答波形をフーリエ変換して得ら
れたスペクトルの虚数部を模式的に示す図であり、ａが
２−メチル−２−ブテンのスペクトル、ｂがイソブタン
のスペクトル、ｃが乾燥空気のスペクトルを示す。図５
に示すように、２−メチル−２−ブテンのスペクトルの
ピーク値は２．５１×１０5 Ｈｚ、イソブタンのスペク
トルのピーク値は１．３８×１０5 Ｈｚ、乾燥空気のス
ペクトルのピーク値は１．４５×１０4 Ｈｚとなった。
また、スペクトルの変化は実数部でも起こり、ガスの種
類によってその変化は異なった。
【００１１】このように、第１の実施の形態のガス識別
方法においては、被検ガスに対して所定の電圧を印加
し、これに対する応答を観測し、さらにこの応答波形を
フーリエ変換してスペクトルを求めそのピーク値を求め
ることにより、被検ガスの種類を識別することができ
る。
方法においては、被検ガスに対して所定の電圧を印加
し、これに対する応答を観測し、さらにこの応答波形を
フーリエ変換してスペクトルを求めそのピーク値を求め
ることにより、被検ガスの種類を識別することができ
る。
【００１２】第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態として、第１の実施の形態と
同様の方法により、純空気、第１の被検ガスである２−
メチル−２−ブテン５００[ppm] （空気希釈）、およ
び、第２の被検ガスであるメタノール５００[ppm] （空
気希釈）の３種類のガスを識別をする場合について、図
６〜図８を参照して説明する。
同様の方法により、純空気、第１の被検ガスである２−
メチル−２−ブテン５００[ppm] （空気希釈）、およ
び、第２の被検ガスであるメタノール５００[ppm] （空
気希釈）の３種類のガスを識別をする場合について、図
６〜図８を参照して説明する。
【００１３】図６は、第２の実施の形態で使用するガス
センサの構成を示す図である。図６に示すように、半導
体ガスセンサ２０は、第１の実施の形態で使用した半導
体ガスセンサ１０と同様に、石英ガラス基板２１上に、
Ｐｔを用いた一対の電極２２ａ，２２ｂが形成され、さ
らにこの上に酸化スズ薄膜２３が成膜されて構成され
る。また、電極２２ａ，２２ｂには、銀ペーストにより
金リード線１４ａ，１４ｂが設けられている。このよう
な半導体ガスセンサ２０を用いて、第２の実施の形態に
おいても図２を参照して説明したのと同様の方法によ
り、ガスの識別を行う。すなわち、半導体ガスセンサ２
０を管状マントルヒータ内に設置し、この管状マントル
ヒータ内に被検ガスを所定の流量で流し、半導体ガスセ
ンサ２０に所定の電圧を印加し、その応答波形を測定す
る。そして、その応答波形をフーリエ変換してスペクト
ルを算出し、このスペクトルのピーク値を予め定めた各
ガスの標準ピーク値と比較し、被検ガスの種類を識別す
る。
センサの構成を示す図である。図６に示すように、半導
体ガスセンサ２０は、第１の実施の形態で使用した半導
体ガスセンサ１０と同様に、石英ガラス基板２１上に、
Ｐｔを用いた一対の電極２２ａ，２２ｂが形成され、さ
らにこの上に酸化スズ薄膜２３が成膜されて構成され
る。また、電極２２ａ，２２ｂには、銀ペーストにより
金リード線１４ａ，１４ｂが設けられている。このよう
な半導体ガスセンサ２０を用いて、第２の実施の形態に
おいても図２を参照して説明したのと同様の方法によ
り、ガスの識別を行う。すなわち、半導体ガスセンサ２
０を管状マントルヒータ内に設置し、この管状マントル
ヒータ内に被検ガスを所定の流量で流し、半導体ガスセ
ンサ２０に所定の電圧を印加し、その応答波形を測定す
る。そして、その応答波形をフーリエ変換してスペクト
ルを算出し、このスペクトルのピーク値を予め定めた各
ガスの標準ピーク値と比較し、被検ガスの種類を識別す
る。
【００１４】管状マントルヒータを３５０℃に保持し、
半導体ガスセンサ２０には周波数５００Ｈｚ、振幅１Ｖ
ｐ−ｐ（オフセットバイアス０．５Ｖ）の方形波電圧を
印加して、前記３種類のガスを、１００[cc/min]で管状
マントルヒータ内を流した時の応答波形を図７に、この
応答波形をフーリエ変換して得られたスペクトルを図８
に示す。図７および図８において、ｄが２−メチル−２
−ブテンの応答波形およびスペクトル、ｅがメタノール
の応答波形およびスペクトル、ｆが純空気の応答波形お
よびスペクトルである。図８に示すように、２−メチル
−２−ブテンのスペクトルのピーク値は７．９４×１０
4 Ｈｚ、メタノールのスペクトルのピーク値は１．５８
×１０4 Ｈｚ、純空気のスペクトルのピーク値は１．５
８×１０3 Ｈｚとなった。このように、スペクトルの虚
数部の変化はガスの種類によって歴然であり、これによ
り被検ガスの種類を特定することができる。
半導体ガスセンサ２０には周波数５００Ｈｚ、振幅１Ｖ
ｐ−ｐ（オフセットバイアス０．５Ｖ）の方形波電圧を
印加して、前記３種類のガスを、１００[cc/min]で管状
マントルヒータ内を流した時の応答波形を図７に、この
応答波形をフーリエ変換して得られたスペクトルを図８
に示す。図７および図８において、ｄが２−メチル−２
−ブテンの応答波形およびスペクトル、ｅがメタノール
の応答波形およびスペクトル、ｆが純空気の応答波形お
よびスペクトルである。図８に示すように、２−メチル
−２−ブテンのスペクトルのピーク値は７．９４×１０
4 Ｈｚ、メタノールのスペクトルのピーク値は１．５８
×１０4 Ｈｚ、純空気のスペクトルのピーク値は１．５
８×１０3 Ｈｚとなった。このように、スペクトルの虚
数部の変化はガスの種類によって歴然であり、これによ
り被検ガスの種類を特定することができる。
【００１５】以上説明したように、第１および第２の実
施の形態のガス識別方法においては、被検ガスに対して
所定の電圧を印加し、これに対する応答を観測し、さら
にこの応答波形をフーリエ変換してスペクトルを求めそ
のピーク値を求めることにより、被検ガスの種類を識別
することができる。したがって、従来と同様の非常に簡
単な構成の半導体ガスセンサと、簡単な信号処理回路を
用いることにより、被検ガスの種類を特定することがで
きる。
施の形態のガス識別方法においては、被検ガスに対して
所定の電圧を印加し、これに対する応答を観測し、さら
にこの応答波形をフーリエ変換してスペクトルを求めそ
のピーク値を求めることにより、被検ガスの種類を識別
することができる。したがって、従来と同様の非常に簡
単な構成の半導体ガスセンサと、簡単な信号処理回路を
用いることにより、被検ガスの種類を特定することがで
きる。
【００１６】なお、本発明のガス識別方法は本実施の形
態に限られるものではなく種々の改変が可能である。ま
ず、本実施の形態においては、半導体ガスセンサからの
応答波形をフーリエ変換し、そのスペクトルのピーク値
に基づいて被検ガスの種類を特定するようにしていた。
しかし、そのフーリエ変換して得られたスペクトルの、
たとえば実数部、虚数部の周波数に対する広がり方など
の、そのスペクトルの他の特徴に着目して被検ガスの種
類を区別するようにしてもよい。また、図３および図
４、図７に示すように、被検ガスの種類により応答波形
が既に異なっているのであるから、この応答波形を比較
して被検ガスの種類を特定するようにしてもよい。ま
た、本実施の形態においては、半導体ガスセンサに方形
波を印加してその応答波形に基づいてガスを識別した
が、半導体ガスセンサに印加する電圧は、三角波や正弦
波などでもよい。
態に限られるものではなく種々の改変が可能である。ま
ず、本実施の形態においては、半導体ガスセンサからの
応答波形をフーリエ変換し、そのスペクトルのピーク値
に基づいて被検ガスの種類を特定するようにしていた。
しかし、そのフーリエ変換して得られたスペクトルの、
たとえば実数部、虚数部の周波数に対する広がり方など
の、そのスペクトルの他の特徴に着目して被検ガスの種
類を区別するようにしてもよい。また、図３および図
４、図７に示すように、被検ガスの種類により応答波形
が既に異なっているのであるから、この応答波形を比較
して被検ガスの種類を特定するようにしてもよい。ま
た、本実施の形態においては、半導体ガスセンサに方形
波を印加してその応答波形に基づいてガスを識別した
が、半導体ガスセンサに印加する電圧は、三角波や正弦
波などでもよい。
【００１７】また、本実施の形態の半導体ガスセンサ１
０においては、応答電圧をフーリエ変換していたが、応
答電流をフーリエ変換してもよい。また、本実施の形態
においては、第１の実施の形態において被検ガスとして
２−メチル−２−ブテンとイソブタン、第２の実施の形
態において被検ガスとして２−メチル−２−ブテンとメ
タノールについてその具体的スペクトルなどを用いて説
明したが、本発明はこれらのガスの識別に限られるもの
ではない。識別対象のガスの応答波形またはスペクトル
を求めておくことにより、任意のガスの識別が可能であ
る。
０においては、応答電圧をフーリエ変換していたが、応
答電流をフーリエ変換してもよい。また、本実施の形態
においては、第１の実施の形態において被検ガスとして
２−メチル−２−ブテンとイソブタン、第２の実施の形
態において被検ガスとして２−メチル−２−ブテンとメ
タノールについてその具体的スペクトルなどを用いて説
明したが、本発明はこれらのガスの識別に限られるもの
ではない。識別対象のガスの応答波形またはスペクトル
を求めておくことにより、任意のガスの識別が可能であ
る。
【００１８】
【発明の効果】したがって、本発明のガス識別方法によ
れば、これまでの半導体ガスセンサに所定の波形の電圧
を印加し、この応答波形を観察するのみで被検ガスの種
類を識別できるので、簡単な構成で、簡単な信号処理に
より被検ガスの種類を識別することができる。また、そ
の応答波形をフーリエ変換し、そのスペクトルに基づい
て被検ガスを識別する本発明のガス識別方法によれば、
そのスペクトルを予め検出した各ガスの標準スペクトル
と比較するのみでガスを識別することができるので、よ
り簡単に被検ガスの種類を特定することができる。
れば、これまでの半導体ガスセンサに所定の波形の電圧
を印加し、この応答波形を観察するのみで被検ガスの種
類を識別できるので、簡単な構成で、簡単な信号処理に
より被検ガスの種類を識別することができる。また、そ
の応答波形をフーリエ変換し、そのスペクトルに基づい
て被検ガスを識別する本発明のガス識別方法によれば、
そのスペクトルを予め検出した各ガスの標準スペクトル
と比較するのみでガスを識別することができるので、よ
り簡単に被検ガスの種類を特定することができる。
【図１】本発明のガス識別方法の第１の実施の形態で使
用するガスセンサの構成を示す図である。
用するガスセンサの構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態のガス識別方法の手順を示
す図である。
す図である。
【図３】第１の実施の形態のガス識別方法を乾燥空気に
対して適用した場合の応答波形を示す図である。
対して適用した場合の応答波形を示す図である。
【図４】第１の実施の形態のガス識別方法を２−メチル
−２−ブテンおよびイソブタンに対して適用した場合の
応答波形を示す図である。
−２−ブテンおよびイソブタンに対して適用した場合の
応答波形を示す図である。
【図５】図３および図４に示したこれら３種類のガスに
よる応答波形をフーリエ変換して得られたスペクトルを
示す図である。
よる応答波形をフーリエ変換して得られたスペクトルを
示す図である。
【図６】本発明のガス識別方法の第２の実施の形態で使
用するガスセンサの構成を示す図である。
用するガスセンサの構成を示す図である。
【図７】第２の実施の形態のガス識別方法を２−メチル
−２−ブテン、メタノール、純空気に対して適用した場
合の応答波形を示す図である。
−２−ブテン、メタノール、純空気に対して適用した場
合の応答波形を示す図である。
【図８】図７に示した３種類のガスによる応答波形をフ
ーリエ変換して得られたスペクトルを示す図である。
ーリエ変換して得られたスペクトルを示す図である。
１０，２０…半導体ガスセンサ
１１，２１…石英ガラス基板
１２，２２…櫛形電極
１３，２３…酸化スズ薄膜
１４，２４…リード線
Claims (1)
- 【請求項１】被検ガスと接触する半導体ガスセンサに、
立ち上がり時に被検ガスの種類に応じて異なる緩和現象
を生じさせる方形波状の電圧または電流を少なくとも１
波印加し、前記方形波状の電圧または電流の立ち上がり時における
前記半導体ガスセンサの検出信号を測定し、 測定した前記半導体ガスセンサの検出信号をフーリエ変
換し、 前記フーリエ変換により得られたスペクトルの値を、被
検ガスの種類に応じた緩和現象に基づく応答波形をフー
リエ変換して予め得られたスペクトルの標準値と比較し
て、 前記被検ガスを識別するガス識別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548696A JP3539060B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | ガス識別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548696A JP3539060B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | ガス識別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09292356A JPH09292356A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3539060B2 true JP3539060B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=14408929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10548696A Expired - Fee Related JP3539060B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | ガス識別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3539060B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145258A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Yazaki Corp | ガス分析装置 |
| JP2010256268A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yazaki Corp | ガス分析装置 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP10548696A patent/JP3539060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09292356A (ja) | 1997-11-11 |
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