JP3537670B2 - Semiconductor chip manufacturing method and dicing tape - Google Patents
Semiconductor chip manufacturing method and dicing tapeInfo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
- Y02P80/30—Reducing waste in manufacturing processes; Calculations of released waste quantities
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップの
製造方法と、その製造方法で使用するダイシングテープ
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor chip and a dicing tape used in the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体チップの製造方法の工程フ
ローを図６に基づいて説明する。まず、図６（ａ）のウ
ェハマウント工程において、配線パターンが形成された
半導体ウェハ２５を、基材２３上に紫外線感応型粘着材
２４を設けたダイシングテープ２２にマウントし、さら
に半導体ウェハ２５がマウントされたダイシングテープ
２２を保持するフラットリング２１を貼り付ける。2. Description of the Related Art A process flow of a conventional method for manufacturing a semiconductor chip will be described with reference to FIG. First, in the wafer mounting step of FIG. 6A, the semiconductor wafer 25 on which the wiring pattern is formed is mounted on the dicing tape 22 provided with the ultraviolet-sensitive adhesive 24 on the base material 23, and the semiconductor wafer 25 is further mounted. The flat ring 21 holding the mounted dicing tape 22 is attached.
【０００３】次に、図６（ｂ）のダイシング工程におい
て、半導体ウェハ２５をダイシングソー２６で所定のチ
ップサイズに分割する。次に、図６（ｃ）の紫外線照射
工程において、ダイシングした後のチップをピックアッ
プできるように、粘着材２４を所定の粘着力にするため
に紫外線２７（波長３００〜４００ｎｍ）を照射する。Next, in a dicing process shown in FIG. 6B, the semiconductor wafer 25 is divided into a predetermined chip size by a dicing saw 26. Next, in the ultraviolet irradiation step of FIG. 6C, the adhesive material 24 is irradiated with ultraviolet light 27 (wavelength 300 to 400 nm) so that the adhesive 24 has a predetermined adhesive strength so that the chip after dicing can be picked up.
【０００４】次に、図６（ｄ）のエキスパンド工程にお
いて、チップをピックアップする際に隣接したチップと
干渉しないよう、エキスパンドリング２８にてチップと
チップの間隔を拡げる。次に、図６（ｅ）のピックアッ
プ工程において、予め良否判定された複数の良品チップ
２５ｂの裏面のみを突き上げピン３０でダイシングテー
プ２２越しに突き上げ、コレット２９でピックアップす
る。Next, in the expanding step shown in FIG. 6D, the interval between the chips is increased by an expanding ring 28 so as not to interfere with adjacent chips when picking up the chips. Next, in the pickup step of FIG. 6E, only the back surfaces of the plurality of non-defective chips 25 b that have been determined in advance are pushed up through the dicing tape 22 with the push-up pins 30 and picked up by the collet 29.
【０００５】最後に、図６（ｆ）の分別回収工程におい
て、取り残された複数の不良チップ２５ａおよびダイシ
ングテープ２２と、フラットリング２１とを分離回収
し、フラットリング２１は再利用し、不良チップ２５ａ
およびダイシングテープ２２は廃棄，埋立て処理する。Finally, in the sorting and collecting step shown in FIG. 6 (f), the flat ring 21 is separated and collected from the plurality of leftover defective chips 25a and the dicing tape 22, and the flat ring 21 is reused. 25a
The dicing tape 22 is discarded and landfilled.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体チップの製造方法では、分別回収工程において、ダ
イシングテープ２２と不良チップ２５ａを分別せず、そ
のまま産業廃棄物として埋め立て処分していた。例え
ば、図７（ａ）に示すように配線パターンが形成された
半導体ウェハ２５をダイシングし、良品チップ２５ｂを
ピックアップすると、図７（ｂ）に示すように不良チッ
プ２５ａのみがダイシングテープ２２上に取り残され
る。この不良チップ２５ａは半導体ウェハの周辺部に多
く存在し、チップの形状もまちまちであるため良品チッ
プ２５ｂのようにピックアップしてダイシングテープ２
２の粘着材層から剥離させ分離回収することは困難であ
り、例え不良チップ２５ａをダイシングテープ２２より
除去できたとしてもチップを分割するときや、ピックア
ップするときに発生したチップの破片がダイシングテー
プ２２上に残留し、ダイシングテープ２２と不良チップ
２５ａを完全に分別回収することが不可能であった。However, in the conventional semiconductor chip manufacturing method, the dicing tape 22 and the defective chip 25a are not separated in the sorting and collecting step, but are landfilled as industrial waste. For example, when a semiconductor wafer 25 on which a wiring pattern is formed is diced as shown in FIG. 7A and non-defective chips 25b are picked up, only defective chips 25a are placed on the dicing tape 22 as shown in FIG. 7B. Left behind. Many of the defective chips 25a are present in the peripheral portion of the semiconductor wafer, and the shapes of the chips are varied.
It is difficult to separate and collect the chips by separating from the dicing tape 22 even if the defective chips 25a can be removed from the dicing tape 22. Thus, the dicing tape 22 and the defective chip 25a could not be completely separated and collected.
【０００７】近年、省エネ，環境問題等で、産業廃棄物
の削減が非常に重要となって来ており、ダイシングテー
プと不良チップを分離回収し、分離回収されたダイシン
グテープを再資源化することで、半導体製造における廃
棄物を削減することが望まれている。この発明の半導体
チップの製造方法とダイシングテープは、ダイシングテ
ープと不良チップを分離回収し、分離回収されたダイシ
ングテープを再資源化することで、半導体製造における
廃棄物を削減することを目的とする。In recent years, it has become very important to reduce industrial waste due to energy saving, environmental problems, and the like. Therefore, dicing tape and defective chips are separated and collected, and the separated and collected dicing tape is recycled. Therefore, it is desired to reduce waste in semiconductor manufacturing. A method for manufacturing a semiconductor chip and a dicing tape according to the present invention have an object to separate and collect a dicing tape and a defective chip and to recycle the separated and collected dicing tape to reduce waste in semiconductor manufacturing. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体チ
ップの製造方法は、基材上に紫外線照射または加熱によ
って粘着力が低下する粘着材層を設けてなるダイシング
テープに半導体ウェハをマウントし、半導体ウェハを所
定のチップサイズに分割し、紫外線照射または加熱によ
って粘着材層の粘着力を低下させ、ダイシングテープ上
の良品チップをピックアップし、再度紫外線照射または
加熱することによって粘着材層の粘着力をさらに低下さ
せダイシングテープ上に取り残された不良チップをダイ
シングテープから剥離し、ダイシングテープと不良チッ
プを分別回収するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: mounting a semiconductor wafer on a dicing tape provided with an adhesive layer whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation or heating on a substrate. The semiconductor wafer is divided into predetermined chip sizes, the adhesive strength of the adhesive layer is reduced by irradiating or heating with ultraviolet light, the non-defective chips on the dicing tape are picked up, and the adhesive on the adhesive layer is irradiated or heated again. The force is further reduced, and the defective chips left on the dicing tape are separated from the dicing tape, and the dicing tape and the defective chips are separated and collected.
【０００９】チップ剥離工程では、例えば、ダイシング
テープを上下反転させ、不良チップが自重で落下して剥
離可能なように粘着材層の粘着力を低下させる。ダイシ
ングテープとしては、例えば、粘着材層が一定の照度で
照射される光量を累積させることで粘着力が低下する紫
外線感応型粘着材からなるものを使用する。In the chip peeling step, for example, the dicing tape is turned upside down, and the adhesive force of the adhesive layer is reduced so that the defective chip falls under its own weight and can be peeled off. As the dicing tape, for example, a tape made of an ultraviolet-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by accumulating the amount of light irradiated to the adhesive layer at a constant illuminance is used.
【００１０】請求項１ないし請求項３記載の半導体チッ
プの製造方法とダイシングテープによると、良品チップ
をピックアップした後、紫外線照射または加熱によって
粘着材層の粘着力をさらに低下させることによって、ダ
イシングテープ上の不良チップを完全に剥離することが
でき、ダイシングテープと不良チップの分別回収が行え
る。According to the method for manufacturing a semiconductor chip and the dicing tape according to the first to third aspects, a dicing tape is obtained by picking up a good chip, and further irradiating or heating ultraviolet rays to reduce the adhesive force of the adhesive layer. The upper defective chip can be completely peeled off, and the dicing tape and the defective chip can be separated and collected.
【００１１】請求項４記載の半導体チップの製造方法
は、基材上に紫外線照射または加熱によって粘着力が低
下する裏面側と表面側の２層の粘着材からなる粘着材層
を設けてなるダイシングテープに半導体ウェハをマウン
トし、半導体ウェハを所定のチップサイズに分割し、紫
外線照射または加熱によって表面側の粘着材とチップと
の接着力が裏面側の粘着材と基材との接着力ならびに裏
面側と表面側の粘着材どうしの接着力より小さくなるよ
うに粘着材層の粘着力を低下させ、ダイシングテープ上
の良品チップをピックアップし、再度紫外線照射または
加熱することによって裏面側の粘着材と基材との接着力
が表面側の粘着材とチップとの接着力ならびに裏面側と
表面側の粘着材どうしの接着力より小さくなるように粘
着材層の粘着力をさらに低下させダイシングテープ上に
取り残された不良チップを粘着材層と共にダイシングテ
ープから剥離し、ダイシングテープと不良チップを分別
回収するものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor chip, wherein a dicing method is provided in which a base material is provided with an adhesive material layer comprising two adhesive materials, a back surface side and a front surface side, whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation or heating. The semiconductor wafer is mounted on the tape, the semiconductor wafer is divided into predetermined chip sizes, and the adhesive strength between the adhesive on the front side and the chip is increased by ultraviolet irradiation or heating. Decrease the adhesive strength of the adhesive layer so that it is smaller than the adhesive strength between the adhesives on the side and the front side, pick up a good chip on the dicing tape, and again irradiate ultraviolet rays or heat, and Adjust the adhesive strength of the adhesive layer so that the adhesive strength to the substrate is smaller than the adhesive strength between the adhesive on the front side and the chip and the adhesive strength between the adhesive on the back side and the adhesive on the front side. Peeled from the dicing tape defective chips left on the dicing tape is decreased with adhesive layer, it is to sort and collect a dicing tape and defective chips.
【００１２】チップ剥離工程は、例えば、ダイシングテ
ープを上下反転させ、不良チップが粘着材層と共に自重
で落下して剥離可能なように粘着材層の粘着力を低下さ
せる。ダイシングテープとしては、例えば、表面側およ
び裏面側の粘着材がそれぞれ一定の照度で照射される光
量を累積させることで粘着力が低下する紫外線感応型粘
着材からなるものを使用する。In the chip peeling step, for example, the dicing tape is turned upside down, and the adhesive force of the adhesive layer is reduced so that the defective chip falls under its own weight together with the adhesive layer and can be peeled off. As the dicing tape, for example, a tape made of an ultraviolet-sensitive adhesive material whose adhesive force is reduced by accumulating the amount of light irradiated on the front surface side and the back surface side at a constant illuminance is used.
【００１３】あるいは、表面側の粘着材が一定の照度で
照射される光量を累積させることで粘着力が低下する紫
外線感応型粘着材からなり、裏面側の粘着材が加熱によ
って粘着力が低下する熱感応型粘着材からなるものを使
用する。請求項４ないし請求項７記載の半導体チップの
製造方法とダイシングテープによると、良品チップをピ
ックアップした後、紫外線照射または加熱によって基材
に接着する裏面側の粘着材の粘着力を低下させることに
よって、ダイシングテープ上の不良チップを粘着材層と
共に完全に剥離することができ、ダイシングテープと不
良チップの分別回収が行える。Alternatively, the adhesive on the front side is made of an ultraviolet-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by accumulating the amount of light irradiated at a constant illuminance, and the adhesive on the back side is reduced in adhesive strength by heating. Use a heat-sensitive adhesive. According to the method for manufacturing a semiconductor chip and the dicing tape according to claim 4, after picking up a good chip, the adhesive force of the adhesive material on the back surface side to be adhered to the substrate by ultraviolet irradiation or heating is reduced. In addition, the defective chip on the dicing tape can be completely peeled off together with the adhesive layer, and the dicing tape and the defective chip can be separated and collected.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】第１の実施の形態
この発明の第１の実施の形態を図１ないし図３に基づい
て説明する。図１および図２に半導体チップの製造方法
の工程フローを示す。まず、図１（ａ）のウェハマウン
ト工程において、基材３上に紫外線照射によって粘着力
が低下する紫外線感応型の粘着材を含む粘着材層４を設
けたダイシングテープ２に半導体ウェハ５をマウント
し、半導体ウェハ５がマウントされたダイシングテープ
２を保持するフラットリング１を貼り付ける。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 show a process flow of a method for manufacturing a semiconductor chip. First, in the wafer mounting step of FIG. 1A, a semiconductor wafer 5 is mounted on a dicing tape 2 provided with an adhesive layer 4 including an ultraviolet-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation on a substrate 3. Then, the flat ring 1 holding the dicing tape 2 on which the semiconductor wafer 5 is mounted is attached.
【００１５】次に、図１（ｂ）のダイシング工程におい
て、半導体ウェハ５をダイシングソー６にて所定のチッ
プサイズに分割する。次に、図１（ｃ）の紫外線照射工
程において、ダイシングした後のチップをピックアップ
できるように、粘着材層４を所定の粘着力に低下させる
ため紫外線７（波長３００〜４００ｎｍ）を照射する。Next, in a dicing step shown in FIG. 1B, the semiconductor wafer 5 is divided into predetermined chip sizes by a dicing saw 6. Next, in the ultraviolet irradiation step of FIG. 1C, ultraviolet rays 7 (wavelength: 300 to 400 nm) are applied to lower the adhesive layer 4 to a predetermined adhesive strength so that the chip after dicing can be picked up.
【００１６】次に、図１（ｄ）のエキスパンド工程にお
いて、チップをピックアップする際に隣接したチップと
干渉しないよう、エキスパンドリング８にてチップとチ
ップの間隔を拡げる。次に、図１（ｅ）のピックアップ
工程において、予め良否判定された複数の良品チップ５
ｂの裏面のみを突き上げピン１０でダイシングテープ２
越しに突き上げ、コレット９でピックアップする。Next, in the expanding step of FIG. 1D, the distance between the chips is increased by the expanding ring 8 so as not to interfere with adjacent chips when picking up the chips. Next, in the pickup step of FIG. 1E, a plurality of non-defective chips
b) Dicing tape 2
Push up and pick up with collet 9.
【００１７】次に、図２（ａ）のチップ剥離工程におい
て、取り残された複数の不良チップ５ａをダイシングテ
ープ２から剥離する。最後に、図２（ｂ）の分別回収工
程において、使用済みのフラットリング１，ダイシング
テープ２，不良チップ５ａを回収する。なお、基材３の
厚みは５０〜１２０μｍの範囲が適当であり、紫外線７
を問題なく透過でき、かつエキスパンド時にダイシング
テープ２に掛かる張力に耐えられる厚みであれば、特に
上記の値に限定されるものではない。Next, in the chip peeling step shown in FIG. 2A, the plurality of remaining defective chips 5a are peeled from the dicing tape 2. Finally, in the sorting and collecting step of FIG. 2B, the used flat ring 1, dicing tape 2, and defective chip 5a are collected. The thickness of the substrate 3 is suitably in the range of 50 to 120 μm.
Is not particularly limited to the above value as long as the thickness can be transmitted without any problem and can withstand the tension applied to the dicing tape 2 during expansion.
【００１８】また、粘着材層４の厚みは１０〜５０μｍ
の範囲が適当であり、粘着材層４が薄すぎると基材３の
厚みのバラツキも含め粘着材層４が安定して確保でき
ず、厚過ぎるとダイシング時にチップが不安定なためチ
ップ飛びなどが発生する。また、基材３の色は、後で再
資源化することを考慮し、無色透明もしくは乳白色が好
ましい。基材３の材質は、一般的にはポリ塩化ビニール
系（ＰＶＣ）やポリオレフィン系（ＰＯ）等が使用され
るが、分別回収後の再資源化を考慮し、好ましくはポリ
オレフィン系（ＰＯ）やポリエチレン（ＰＥ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を使用する方が良
い。The thickness of the adhesive layer 4 is 10 to 50 μm.
If the pressure-sensitive adhesive layer 4 is too thin, the pressure-sensitive adhesive layer 4 cannot be stably secured, including variations in the thickness of the base material 3. If the pressure-sensitive adhesive layer 4 is too thick, the chips will be unstable during dicing, resulting in chip flying. Occurs. The color of the base material 3 is preferably colorless and transparent or milky white in consideration of recycling later. As the material of the base material 3, polyvinyl chloride (PVC), polyolefin (PO), or the like is generally used, and in consideration of recycling after separation and collection, polyolefin (PO) or the like is preferably used. It is better to use polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET) or the like.
【００１９】さらに、粘着材層４は、例えば紫外線照射
により反応硬化する化合物を、ゴム系粘着材やアクリル
系粘着材等に付与したものを使用すればよい。図３は、
図２（ａ）のチップ剥離工程を詳細に説明したものであ
る。まず、図３（ａ）に示すように、粘着材層４として
紫外線感応型粘着材４ａを設けたダイシングテープ２の
良品チップ５ｂをピックアップした後、取り残された不
良チップ５ａをダイシングテープ２から分離するため、
ダイシングテープ２を上下反転させ、ダイシングテープ
２の不良チップ５ａの裏面側から２回目の紫外線７′を
照射し、粘着材４ａの粘着力をさらに低下させる。紫外
線照射後、図３（ｂ）に示すように、ダイシングテープ
２のチップが貼り付いている側の反対方向からローラー
１１を回転させながらなぞり、ダイシングテープ２に貼
り付いている不良チップ５ａを自重によって落下させて
剥離する。このときローラー１１に振動を与えても良
い。不良チップ５ａを剥離させた後、ダイシングテープ
２と不良チップ５ａを分別回収し、ダイシングテープ２
を再資源化する。Further, as the adhesive layer 4, for example, a compound obtained by applying a compound which reacts and cures by irradiation with ultraviolet rays to a rubber-based adhesive or an acrylic-based adhesive may be used. FIG.
FIG. 2A is a diagram illustrating in detail a chip peeling step of FIG. First, as shown in FIG. 3A, after picking up good chips 5b of the dicing tape 2 provided with the ultraviolet-sensitive adhesive 4a as the adhesive layer 4, the remaining defective chips 5a are separated from the dicing tape 2. To do
The dicing tape 2 is turned upside down, and a second ultraviolet ray 7 ′ is irradiated from the back surface side of the defective chip 5 a of the dicing tape 2 to further reduce the adhesive force of the adhesive 4 a. After the ultraviolet irradiation, as shown in FIG. 3B, the dicing tape 2 traces the defective chip 5a attached to the dicing tape 2 by its own weight while rotating the roller 11 from the side opposite to the side where the chip is attached. To separate it. At this time, the roller 11 may be vibrated. After the defective chips 5a are peeled off, the dicing tape 2 and the defective chips 5a are separated and collected.
To recycle.
【００２０】粘着材４ａの粘着力は、照射する紫外線の
照度（ｍＷ／ｃｍ2 ）を一定にし光量（ｍＪ／ｃｍ2 ）
を累積させることで変化させてもよく、あるいは照射す
る照度（ｍＷ／ｃｍ2 ）を変えてもよい。例えば、８０
〜１５０（ｍＷ／ｃｍ2 ）の照度で照射時間は１〜６０
秒の範囲で反応することが望ましい。チップとダイシン
グテープ２の粘着力は、２５ｍｍ幅のＳＵＳ材にダイシ
ングテープ２を貼り付け、テープが剥離する荷重を測定
する方法で表すと、紫外線照射以前であるダイシング工
程までは１００〜１０００ｇｆ／２５ｍｍ、１回目の紫
外線照射で１０〜８０ｇｆ／２５ｍｍ、２回目の紫外線
照射で０〜１０ｇｆ／２５ｍｍに粘着力が低下すればよ
い。粘着力の範囲は、例えばチップサイズやダイシング
テープ２と接するチップ裏面の処理（表面粗さ、めっき
処理）などによって適宜決定する。The adhesive strength of the adhesive material 4a is determined by keeping the illuminance (mW / cm 2 ) of the irradiated ultraviolet light constant and the light amount (mJ / cm 2 ).
May be changed by accumulating or the illuminance (mW / cm 2 ) for irradiation may be changed. For example, 80
~150 (mW / cm 2) illumination with the irradiation time of 1 to 60
It is desirable to react in the range of seconds. The adhesive strength between the chip and the dicing tape 2 can be expressed by a method of measuring the load to which the tape is peeled by sticking the dicing tape 2 to a SUS material having a width of 25 mm and measuring 100 to 1000 gf / 25 mm until the dicing step before ultraviolet irradiation. The adhesive strength may be reduced to 10 to 80 gf / 25 mm by the first ultraviolet irradiation and to 0 to 10 gf / 25 mm by the second ultraviolet irradiation. The range of the adhesive strength is appropriately determined depending on, for example, the chip size and the treatment (surface roughness, plating treatment) of the chip back surface in contact with the dicing tape 2.
【００２１】このように構成された半導体チップの製造
方法とダイシングテープによると、良品チップ５ｂをピ
ックアップした後、紫外線照射によって粘着材４ａの粘
着力をさらに低下させることによって、ダイシングテー
プ２上の不良チップ５ａを完全に剥離することができ、
ダイシングテープ２と不良チップ５ａの分別回収が行
え、分離回収されたダイシングテープ２を再資源化する
ことで、半導体製造における廃棄物を削減することがで
きる。According to the semiconductor chip manufacturing method and the dicing tape thus configured, the defective chip 5b is picked up, and then the adhesive force of the adhesive material 4a is further reduced by irradiating the ultraviolet rays, so that the defect on the dicing tape 2 is reduced. The chip 5a can be completely peeled off,
The dicing tape 2 and the defective chip 5a can be separated and collected, and the separated and collected dicing tape 2 can be recycled to reduce waste in semiconductor manufacturing.
【００２２】なお、第１の実施の形態では、紫外線照射
によって粘着力が低下する紫外線感応型の粘着材層４を
設けたものであったが、加熱によって粘着力が低下する
熱感応型の粘着材層を設け、１回目の加熱によって良品
チップ５ｂをピックアップし、２回目の加熱によって不
良チップ５ａを剥離するようにしてもよい。この場合、
粘着材層４は、例えば加熱により反応硬化する化合物
を、ゴム系粘着材やアクリル系粘着材等に付与したもの
を使用すればよい。In the first embodiment, the UV-sensitive adhesive layer 4 whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays is provided, but the heat-sensitive adhesive layer whose adhesive strength is reduced by heating is provided. It is also possible to provide a material layer and pick up the good chip 5b by the first heating and peel off the defective chip 5a by the second heating. in this case,
As the pressure-sensitive adhesive layer 4, for example, a material obtained by applying a compound that reacts and cures by heating to a rubber-based pressure-sensitive adhesive or an acrylic pressure-sensitive adhesive may be used.
【００２３】第２の実施の形態
この発明の第２の実施の形態を図４に基づいて説明す
る。なお、半導体チップの製造方法の工程フローは、図
１および図２に示した例と同様である。図４は、半導体
チップの製造方法の一部であって、使用済みダイシング
テープ２より不良チップ５ａを剥離するチップ剥離工程
の説明図である。Second Embodiment A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The process flow of the method for manufacturing a semiconductor chip is the same as the example shown in FIGS. FIG. 4 is a part of a method for manufacturing a semiconductor chip and is an explanatory view of a chip peeling step of peeling a defective chip 5a from a used dicing tape 2.
【００２４】図４に示すように、粘着材層４として２層
の紫外線感応型粘着材４ｂ，４ｃを基材３に設ける。粘
着材４ｂは、チップ裏面に接着する表面側に設けられて
おり、ダイシング時にチップが飛ばないように強い粘着
力を有し、ピックアップ時にチップをピックアップでき
るように紫外線を照射して粘着力を低下させることがで
きる粘着材である。また、粘着材４ｃは、粘着材４ｂと
基材３の間に設けられており、良品チップをピックアッ
プした後に取り残された不良チップ５ａを粘着材４ｂ，
４ｃと共に基材３から分離するために設けた裏面側の粘
着材である。As shown in FIG. 4, two layers of UV-sensitive adhesives 4b and 4c are provided on the substrate 3 as the adhesive layer 4. The adhesive material 4b is provided on the front surface side to be bonded to the back surface of the chip, has a strong adhesive force so that the chip does not fly during dicing, and reduces the adhesive force by irradiating ultraviolet rays so that the chip can be picked up at the time of pickup. It is an adhesive that can be used. The adhesive material 4c is provided between the adhesive material 4b and the base material 3. The defective chip 5a left after picking up a good chip is used as the adhesive material 4b,
4c is an adhesive on the back side provided to separate from the base material 3 together with 4c.
【００２５】粘着材４ｂ，４ｃの粘着力は、照射する紫
外線の照度（ｍＷ／ｃｍ2 ）を一定にし光量（ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）を累積させることで変化させてもよく、あるいは
照射する照度（ｍＷ／ｃｍ2 ）を変えてもよい。なお、
粘着材４ｃは、粘着材４ｂが反応する領域と異なる累積
光量（ｍＪ／ｃｍ2 ）、すなわち粘着材４ｂより多い光
量（ｍＪ／ｃｍ2 ）で反応する。これにより、１回目の
紫外線照射で良品チップ５ｂがピックアップされる際に
は、表面側の粘着材４ｂが反応して、表面側の粘着材４
ｂと良品チップ５ｂとの接着力が、裏面側の粘着材４ｃ
と基材３との接着力ならびに表面側と裏面側の粘着材４
ｂ，４ｃどうしの接着力より小さくなり、良品チップ５
ｂのみをピックアップすることができる。そして、２回
目の紫外線照射で不良チップ５ａを剥離する際には、裏
面側の粘着材４ｃが反応して、裏面側の粘着材４ｃと基
材３との接着力が、表面側の粘着材４ｂと不良チップ５
ａとの接着力ならびに表面側と裏面側の粘着材４ｂ，４
ｃどうしの接着力より小さくなり、不良チップ５ａと共
に粘着材４ｂ，４ｃを基材３から剥離することができ
る。The adhesive strength of the adhesives 4b and 4c is determined by keeping the illuminance (mW / cm 2 ) of the irradiated ultraviolet light constant and the light amount (mJ / c).
m 2 ) may be changed by accumulating, or the illuminance (mW / cm 2 ) for irradiation may be changed. In addition,
Adhesive 4c, the cumulative amount of light different from the area where the adhesive material 4b to react (mJ / cm 2), i.e., reacted in greater quantity than adhesive 4b (mJ / cm 2). Thus, when the non-defective chip 5b is picked up by the first ultraviolet irradiation, the adhesive 4b on the front side reacts and the adhesive 4b on the front side is reacted.
b and the non-defective chip 5b have an adhesive force 4c on the back side.
Adhesive strength between base material 3 and adhesive material 4 on front side and back side
b, 4c, which is smaller than the adhesive strength between the
Only b can be picked up. When the defective chip 5a is peeled off by the second UV irradiation, the adhesive 4c on the back side reacts, and the adhesive force between the adhesive 4c on the back side and the base material 3 is reduced. 4b and defective chip 5
a and adhesives 4b, 4 on the front side and the back side
The adhesive force becomes smaller than the adhesive force between the base material 3 and the adhesive materials 4b and 4c together with the defective chip 5a.
【００２６】チップ剥離工程では、図４（ａ）に示すよ
うに、取り残された不良チップ５ａをダイシングテープ
２から剥離するため、ダイシングテープ２を上下反転さ
せ、ダイシングテープ２の不良チップ５ａの裏面側から
２回目の紫外線７′を照射し、粘着材４ｃの粘着力をさ
らに低下させる。紫外線照射後、図４（ｂ）に示すよう
に、ダイシングテープ２のチップが貼り付いている側の
反対方向からローラー１１を回転させながらなぞり、ダ
イシングテープ２に貼り付いている不良チップ５ａを粘
着材４ｂ，４ｃと共に自重によって落下させ基材３から
剥離する。このときローラー１１に振動を与えても良
い。不良チップ５ａを剥離させた後、ダイシングテープ
２と不良チップ５ａを分別回収し、ダイシングテープ２
を再資源化する。In the chip peeling step, as shown in FIG. 4A, the dicing tape 2 is turned upside down to peel off the remaining defective chips 5a from the dicing tape 2, and the back surface of the defective chips 5a of the dicing tape 2 is removed. Irradiation of the second ultraviolet ray 7 ′ from the side further reduces the adhesive strength of the adhesive 4 c. After the ultraviolet irradiation, as shown in FIG. 4B, the roller 11 is rotated from the direction opposite to the side where the chip of the dicing tape 2 is attached, and the defective chip 5a attached to the dicing tape 2 is adhered. The material is dropped by its own weight together with the members 4b and 4c and separated from the substrate 3. At this time, the roller 11 may be vibrated. After the defective chips 5a are peeled off, the dicing tape 2 and the defective chips 5a are separated and collected.
To recycle.
【００２７】このように構成された半導体チップの製造
方法とダイシングテープによると、良品チップ５ｂをピ
ックアップした後、紫外線照射によって基材３に接着し
た裏面側の粘着材４ｃの粘着力をさらに低下させること
によって、ダイシングテープ２上の不良チップ５ａを粘
着材４ｂ，４ｃと共に完全に剥離することができ、ダイ
シングテープ２と不良チップ５ａの分別回収が行え、分
離回収されたダイシングテープ２の基材３を再資源化す
ることで、半導体製造における廃棄物を削減することが
できる。According to the semiconductor chip manufacturing method and the dicing tape configured as described above, after picking up the good chip 5b, the adhesive force of the adhesive material 4c on the back side adhered to the base material 3 by irradiating ultraviolet rays is further reduced. Thereby, the defective chips 5a on the dicing tape 2 can be completely peeled off together with the adhesives 4b and 4c, the dicing tape 2 and the defective chips 5a can be separated and collected, and the base material 3 of the separated and collected dicing tape 2 can be obtained. By recycling, waste in semiconductor manufacturing can be reduced.
【００２８】なお、第２の実施の形態では、紫外線照射
によって粘着力が低下する紫外線感応型の２層の粘着材
４ｂ，４ｃを設けたものであったが、加熱によって粘着
力が低下する熱感応型の２層の粘着材を設け、チップ裏
面と接する表面側の熱感応型粘着材が、基材３と接する
裏面側の熱感応型粘着材より低い温度で硬化するように
し、１回目の加熱によって良品チップ５ｂをピックアッ
プし、２回目の加熱によって不良チップ５ａを２層の熱
感応型粘着材と共に剥離するようにしてもよい。In the second embodiment, two UV-sensitive adhesive layers 4b and 4c whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet light are provided. A two-layered pressure-sensitive adhesive is provided so that the front-side heat-sensitive adhesive in contact with the backside of the chip is cured at a lower temperature than the rear-side heat-sensitive adhesive in contact with the substrate 3, so that the first time The good chip 5b may be picked up by heating, and the defective chip 5a may be peeled off together with the two layers of the heat-sensitive adhesive by the second heating.
【００２９】第３の実施の形態
この発明の第３の実施の形態を図５に基づいて説明す
る。なお、半導体チップの製造方法の工程フローは、図
１および図２に示した例と同様である。図５は、半導体
チップの製造方法の一部であって、使用済みのダイシン
グテープ２より不良チップ５ａを剥離するチップ剥離工
程の説明図である。Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The process flow of the method for manufacturing a semiconductor chip is the same as the example shown in FIGS. FIG. 5 is a part of a method for manufacturing a semiconductor chip and is an explanatory view of a chip peeling step of peeling a defective chip 5a from a used dicing tape 2.
【００３０】図５に示すように、粘着材層４として２層
の紫外線感応型粘着材４ｄ，熱感応型粘着材４ｅを基材
３に設ける。粘着材４ｄは、チップ裏面に接着する表面
側に設けられており、ダイシング時にチップが飛ばない
ように強い粘着力を有し、ピックアップ時にチップをピ
ックアップできるように紫外線を照射して粘着力を低下
させることができる粘着材である。また、粘着材４ｅ
は、粘着材４ｄと基材３の間に設けられており、良品チ
ップをピックアップした後に取り残された不良チップ５
ａを粘着材４ｄ，４ｅと共に基材３から剥離できるよう
に加熱によって粘着力を低下させることができる裏面側
の粘着材である。As shown in FIG. 5, two layers of an ultraviolet-sensitive adhesive 4d and a heat-sensitive adhesive 4e are provided on the base material 3 as the adhesive layer 4. The adhesive material 4d is provided on the front surface side to be bonded to the back surface of the chip, has a strong adhesive force so that the chip does not fly during dicing, and reduces the adhesive force by irradiating ultraviolet rays so that the chip can be picked up during picking. It is an adhesive that can be used. The adhesive 4e
Is provided between the adhesive material 4d and the base material 3 and is a defective chip 5 left after picking up a good chip.
This is a pressure-sensitive adhesive material on the back side that can reduce the adhesive force by heating so that a can be peeled from the base material 3 together with the pressure-sensitive adhesive materials 4d and 4e.
【００３１】なお、熱感応型の粘着材４ｅは、温度７０
〜１５０℃、時間１０〜１２０秒で反応させることが望
ましい。チップ剥離工程では、図５（ａ）に示すよう
に、取り残された不良チップ５ａをダイシングテープ２
から剥離するため、ダイシングテープ２を上下反転さ
せ、熱線１２で不良チップ５ａが取り残されている領域
を加熱して粘着材４ｅを反応硬化させ、あわせて基材３
が加熱により収縮するので、エキスパンドやピックアッ
プで伸びたダイシングテープ２を一旦縮め、その影響で
ある程度、不良チップ５ａを粘着材４ｄ，４ｅと共に自
重によって落下させ基材３から剥離する。さらに、取り
残された不良チップ５ａを基材３より完全に剥離するた
め、ダイシングテープ２のチップが貼り付いている側の
反対方向からローラー１１を回転させながらなぞり、ダ
イシングテープ２に貼り付いている不良チップ５ａを粘
着材４ｄ，４ｅと共に基材３から剥離する。このときロ
ーラー１１に振動を与えてたり、不良チップ５ａを粘着
材４ｄ，４ｅと共に吹き飛ばすエアーブローをかけても
良い。不良チップ５ａを剥離させた後、ダイシングテー
プ２と不良チップ５ａを分別回収し、ダイシングテープ
２を再資源化する。The heat-sensitive adhesive 4e has a temperature of 70.degree.
The reaction is desirably performed at a temperature of about 150 ° C. for a time of about 10 to 120 seconds. In the chip peeling step, as shown in FIG.
The dicing tape 2 is turned upside down in order to peel off the adhesive material 4 e by heating the area where the defective chip 5 a is left with the hot wire 12 and reacting and curing the adhesive 4 e.
Is shrunk by heating, so that the dicing tape 2 which has been expanded by expansion or pickup is once contracted, and the defective chip 5a is dropped by its own weight together with the adhesives 4d and 4e under the influence of the dicing tape 2 and peeled off from the substrate 3. Furthermore, in order to completely remove the remaining defective chip 5a from the base material 3, the dicing tape 2 is adhered to the dicing tape 2 by tracing while rotating the roller 11 from the opposite side of the side where the chip is adhered. The defective chip 5a is peeled off from the substrate 3 together with the adhesives 4d and 4e. At this time, vibration may be applied to the roller 11 or air blow may be applied to blow the defective chip 5a together with the adhesives 4d and 4e. After the defective chips 5a are peeled off, the dicing tape 2 and the defective chips 5a are separated and collected, and the dicing tape 2 is recycled.
【００３２】このように構成された半導体チップの製造
方法とダイシングテープによると、良品チップ５ｂをピ
ックアップした後、加熱によって裏面側の粘着材４ｅの
粘着力を低下させることによって、ダイシングテープ２
上の不良チップ５ａを２層の粘着材４ｂ，４ｃと共に完
全に剥離することができ、ダイシングテープ２と不良チ
ップ５ａの分別回収が行え、分離回収されたダイシング
テープ２の基材３を再資源化することで、半導体製造に
おける廃棄物を削減することができる。According to the semiconductor chip manufacturing method and the dicing tape thus configured, after picking up the good chip 5b, the adhesive force of the adhesive material 4e on the rear surface side is reduced by heating, so that the dicing tape 2 is formed.
The upper defective chip 5a can be completely peeled off together with the two layers of adhesives 4b and 4c, the dicing tape 2 and the defective chip 5a can be separated and collected, and the separated and collected base material 3 of the dicing tape 2 can be recycled. By doing so, waste in semiconductor manufacturing can be reduced.
【００３３】[0033]
【発明の効果】請求項１ないし請求項３記載の半導体チ
ップの製造方法とダイシングテープによると、良品チッ
プをピックアップした後、紫外線照射または加熱によっ
て粘着材層の粘着力をさらに低下させることによって、
ダイシングテープ上の不良チップを完全に剥離すること
ができ、ダイシングテープと不良チップの分別回収が行
え、分離回収されたダイシングテープを再資源化するこ
とで、半導体製造における廃棄物を削減することができ
る。According to the method for manufacturing a semiconductor chip and the dicing tape according to the first to third aspects, after picking up a good chip, the adhesive force of the adhesive layer is further reduced by irradiating ultraviolet rays or heating.
The defective chips on the dicing tape can be completely peeled off, the dicing tape and the defective chips can be separated and collected, and the separated dicing tape can be recycled to reduce waste in semiconductor manufacturing. it can.
【００３４】請求項４ないし請求項７記載の半導体チッ
プの製造方法とダイシングテープによると、良品チップ
をピックアップした後、紫外線照射または加熱によって
基材に接着する裏面側の粘着材の粘着力を低下させるこ
とによって、ダイシングテープ上の不良チップを粘着材
層と共に完全に剥離することができ、ダイシングテープ
と不良チップの分別回収が行え、分離回収されたダイシ
ングテープの基材を再資源化することで、半導体製造に
おける廃棄物を削減することができる。According to the method for manufacturing a semiconductor chip and the dicing tape according to the fourth aspect of the present invention, after picking up a good chip, the adhesive strength of the adhesive material on the back side which is adhered to the substrate by ultraviolet irradiation or heating is reduced. By doing so, the defective chips on the dicing tape can be completely peeled off together with the adhesive layer, the dicing tape and the defective chips can be separated and collected, and the base material of the separated and collected dicing tape can be recycled. In addition, waste in semiconductor manufacturing can be reduced.
【図１】この発明の半導体チップの製造方法の工程フロ
ーである。FIG. 1 is a process flow of a method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention.
【図２】この発明の半導体チップの製造方法の工程フロ
ーである。FIG. 2 is a process flow of a method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention.
【図３】この発明の第１の実施の形態におけるチップ剥
離工程の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a chip peeling step according to the first embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第２の実施の形態におけるチップ剥
離工程の説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a chip peeling step according to a second embodiment of the present invention.
【図５】この発明の第３の実施の形態におけるチップ剥
離工程の説明図である。FIG. 5 is an explanatory view of a chip peeling step according to a third embodiment of the present invention.
【図６】従来例の半導体チップの製造方法の工程フロー
である。FIG. 6 is a process flow of a conventional method for manufacturing a semiconductor chip.
【図７】従来例の分別回収工程の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a separation / recovery step of a conventional example.
１ フラットリング ２ ダイシングテープ ３ 基材 ４ 粘着材層 ４ａ 紫外線感応型粘着材 ４ｂ 紫外線感応型粘着材 ４ｃ 紫外線感応型粘着材 ４ｄ 紫外線感応型粘着材 ４ｅ 熱感応型粘着材 ５ 半導体ウェハ ５ａ 不良チップ ５ｂ 良品チップ ６ ダイシングソー ７ 紫外線 ８ エキスパンドリング ９ コレット １０ 突き上げピン １１ ローラー １２ 熱線 1 flat ring 2 dicing tape 3 base material 4 Adhesive layer 4a UV-sensitive adhesive 4b UV sensitive adhesive 4c UV sensitive adhesive 4d UV sensitive adhesive 4e Heat-sensitive adhesive 5 Semiconductor wafer 5a Bad chip 5b Good chip 6 dicing saw 7 UV 8 Expanding ring 9 collet 10 Thrust pins 11 rollers 12 Heat rays
Claims (7)
粘着力が低下する粘着材層を設けてなるダイシングテー
プに半導体ウェハをマウントするウェハマウント工程
と、前記半導体ウェハを所定のチップサイズに分割する
ダイシング工程と、紫外線照射または加熱によって前記
粘着材層の粘着力を低下させる紫外線照射または加熱工
程と、前記ダイシングテープ上の良品チップをピックア
ップするピックアップ工程と、再度紫外線照射または加
熱することによって前記粘着材層の粘着力をさらに低下
させ前記ダイシングテープ上に取り残された不良チップ
を前記ダイシングテープから剥離するチップ剥離工程
と、前記ダイシングテープと前記不良チップを分別回収
する分別回収工程とを含む半導体チップの製造方法。1. A wafer mounting step of mounting a semiconductor wafer on a dicing tape provided with an adhesive layer whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation or heating on a base material, and dividing the semiconductor wafer into a predetermined chip size. A dicing step, an ultraviolet irradiation or heating step of reducing the adhesive force of the adhesive layer by ultraviolet irradiation or heating, a pickup step of picking up a good chip on the dicing tape, and the ultraviolet irradiation or heating again to perform the adhesion. A semiconductor chip including a chip peeling step of further reducing the adhesive force of a material layer and peeling a defective chip left on the dicing tape from the dicing tape, and a separating and collecting step of separating and collecting the dicing tape and the defective chip. Manufacturing method.
上下反転させ、不良チップが自重で落下して剥離可能な
ように粘着材層の粘着力を低下させることを特徴とする
請求項１記載の半導体チップの製造方法。2. The semiconductor according to claim 1, wherein in the chip peeling step, the dicing tape is turned upside down, and the adhesive force of the adhesive layer is reduced so that the defective chip falls under its own weight and can be peeled off. Chip manufacturing method.
に使用されるダイシングテープであって、粘着材層が一
定の照度で照射される光量を累積させることで粘着力が
低下する紫外線感応型粘着材からなることを特徴とする
ダイシングテープ。3. A dicing tape for use in the method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the adhesive layer reduces the adhesive force by accumulating the amount of light applied to the adhesive layer at a constant illuminance. A dicing tape comprising an adhesive material.
粘着力が低下する裏面側と表面側の２層の粘着材からな
る粘着材層を設けてなるダイシングテープに半導体ウェ
ハをマウントするウェハマウント工程と、前記半導体ウ
ェハを所定のチップサイズに分割するダイシング工程
と、紫外線照射または加熱によって前記表面側の粘着材
とチップとの接着力が前記裏面側の粘着材と前記基材と
の接着力ならびに前記裏面側と表面側の粘着材どうしの
接着力より小さくなるように前記粘着材層の粘着力を低
下させる紫外線照射または加熱工程と、前記ダイシング
テープ上の良品チップをピックアップするピックアップ
工程と、再度紫外線照射または加熱することによって前
記裏面側の粘着材と前記基材との接着力が前記表面側の
粘着材とチップとの接着力ならびに前記裏面側と表面側
の粘着材どうしの接着力より小さくなるように前記粘着
材層の粘着力をさらに低下させ前記ダイシングテープ上
に取り残された不良チップを前記粘着材層と共に前記ダ
イシングテープから剥離するチップ剥離工程と、前記ダ
イシングテープと前記不良チップを分別回収する分別回
収工程とを含む半導体チップの製造方法。4. A wafer mounting step of mounting a semiconductor wafer on a dicing tape provided with a pressure-sensitive adhesive layer composed of two pressure-sensitive adhesive layers on a back surface and a front surface, the adhesive strength of which is reduced by ultraviolet irradiation or heating on a base material. And a dicing step of dividing the semiconductor wafer into a predetermined chip size, and an adhesive force between the adhesive material on the front surface and the chip by ultraviolet irradiation or heating, and an adhesive force between the adhesive material on the back surface and the base material, and An ultraviolet irradiation or heating step of reducing the adhesive strength of the adhesive layer so as to be smaller than the adhesive strength between the adhesives on the back side and the front side, and a pickup step of picking up good chips on the dicing tape, again The adhesive force between the adhesive on the back side and the substrate is increased by irradiating or heating with ultraviolet light, and the adhesive between the adhesive on the front side and the chip is Adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is further reduced so as to be smaller than the adhesive force and the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive materials on the back side and the front side, and the defective chips left on the dicing tape and the dicing tape together with the pressure-sensitive adhesive layer are reduced. A semiconductor chip manufacturing method, comprising: a chip separating step of separating the dicing tape and the defective chip from each other;
上下反転させ、不良チップが粘着材層と共に自重で落下
して剥離可能なように前記粘着材層の粘着力を低下させ
ることを特徴とする請求項４記載の半導体チップの製造
方法。5. The chip peeling step, wherein the dicing tape is turned upside down, and the adhesive force of the adhesive layer is reduced so that a defective chip falls under its own weight together with the adhesive layer and can be peeled off. Item 5. A method for manufacturing a semiconductor chip according to item 4.
に使用されるダイシングテープであって、表面側および
裏面側の粘着材がそれぞれ一定の照度で照射される光量
を累積させることで粘着力が低下する紫外線感応型粘着
材からなることを特徴とするダイシングテープ。6. A dicing tape used in the method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 4, wherein the adhesive material on the front surface side and the adhesive material on the rear surface accumulate the amount of light irradiated at a constant illuminance, respectively. A dicing tape comprising a UV-sensitive adhesive material having a reduced resistance.
に使用されるダイシングテープであって、表面側の粘着
材が一定の照度で照射される光量を累積させることで粘
着力が低下する紫外線感応型粘着材からなり、裏面側の
粘着材が加熱によって粘着力が低下する熱感応型粘着材
からなることを特徴とするダイシングテープ。7. A dicing tape for use in the method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 4, wherein the adhesive material on the front surface has an adhesive force that is reduced by accumulating the amount of light irradiated at a constant illuminance. A dicing tape comprising a heat-sensitive adhesive, wherein the pressure-sensitive adhesive on the back side is made of a heat-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by heating.
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