JP2004319829A

JP2004319829A - Manufacturing method of semiconductor chip

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Publication number: JP2004319829A
Application number: JP2003112861A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Tsurushima; 邦明鶴島
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2003-04-17
Filing date: 2003-04-17
Publication date: 2004-11-11
Anticipated expiration: 2023-04-17
Also published as: JP4361309B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for adhesive film attached semiconductor chips by slitting both an adhesive film adhered to the rear side of a semiconductor wafer and the semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the semiconductor chips includes the steps of: adhering a protective tape to the surface of the semiconductor wafer; grinding the rear side of the semiconductor wafer; adhering the adhesive film made of an elastomer resin to a dicing tape with an adhesive layer made of an elastomer resin; pressing the rear side of the semiconductor wafer to the adhesive film while vacuum-adsorbing the dicing tape from its rear side to adhere the adhesive film to the semiconductor wafer; exfoliating the protective tape from the surface of the semiconductor wafer while carrying out the vacuum-adsorbing; dicing the semiconductor wafer and the adhesive film into the adhesive film attached semiconductor chips while carrying out the vacuum-adsorbing; and picking up the adhesive film attached semiconductor chips from the surface of the dicing tape by releasing the vacuum-adsorbing. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体チップの製造方法にかかり，特に，裏面に接着フィルムが貼り付けられた半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来，半導体チップをリードフレームにダイボンディングする方法としては，リードフレーム上のタブ部分にダイボンド材料を供給し，その上に半導体チップを載置して接着する方法が一般的である。このダイボンディング方法では，ダイボンド材料として樹脂ペーストが多用されている。この樹脂ペーストをリードフレームに供給する方法としては，スタンピング方式，ディスペンシング方式，スクリーン印刷方式などが採用されているが，これらのうちディスペンシング方式が最も多用されている。
【０００３】
このディスペンシング方式は，シリンジ内に樹脂ペーストを充填し，ディスペンサーにより樹脂ペーストをタブ上に圧力吐出する方法である。しかしながら，このような方法では，樹脂ペーストをタブ全面に均一に塗布することが困難であり，硬化時に接着層にボイドが発生してしまうという問題があった。
【０００４】
かかる樹脂ペーストを用いたダイボンディング方法の問題を解決するため，樹脂ペーストの代わりに，フィルム状の接着剤を用いる方法が提案されている（例えば，特許文献１および２参照）。しかし，かかる方法では，半導体チップのサイズに応じて接着フィルムを予め切断しておかなければならない。従って，微小なサイズの半導体チップに対しては，切断した接着フィルムを正確に貼り合わせることが困難であるだけでなく，生産性も低下してしまうという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する手法として，ダイアタッチフィルム等の接着フィルムを半導体ウェハの裏面にヒータ等で予め熱圧着しておき，この接着フィルム付きの半導体ウェハをダイシングテープ上に貼り付けた上で，半導体ウェハと接着フィルムとを同時にダイシングして，接着フィルム付き半導体チップを製造する手法が提案されている（例えば，特許文献３参照）。かかる方法によれば，ダイボンド材料である接着フィルムと半導体ウェハとを同時に分割できるので，あらゆるチップサイズに柔軟に対応できるとともに，半導体ウェハに対して接着フィルムを容易に貼り合わせることができるという利点がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６３−２８９８２２号公報
【特許文献２】
特開平１−１９７３５号公報
【特許文献３】
特開平６−３０２６２９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の接着フィルム付き半導体チップの製造方法では，以下のような問題点がある。
【０００８】
半導体チップを製造するに際しては，半導体ウェハをダイシングする前に，半導体ウェハを裏面研削して薄くすることが一般的である。この裏面研削時においては，半導体ウェハの表面に保護テープが貼り付けられるので，当該裏面研削後の半導体ウェハの表面には上記保護テープが貼り付けられたままの状態となっている。かかる状態の半導体ウェハの裏面に対して，上記従来の手法のように接着フィルムを１８０℃程度の温度で熱圧着すると，半導体ウェハの表面に貼り付けられている上記保護テープが溶融したり，保護テープの糊が溶融して半導体ウェハに残留したりしてしまうという問題があった。
【０００９】
このような問題の解決策としては，半導体ウェハ表面から保護テープを剥離した上で，接着フィルムを貼り付けるという手法が考えられる。しかし，保護テープを剥離するためには，半導体ウェハ裏面にサポート部材（テープなど）を使用しなければならず，加えて，この状態から接着フィルムを半導体ウェハ裏面に貼り付けるためには，上記サポート部材を剥離するために半導体ウェハ表面にさらに別のサポート部材を使用しなければならない。このように，保護テープを剥離した上で接着フィルムを貼り付けるためには，多くの貼り替え工程が必要となるので，作業が繁雑であり，生産性が大幅に低下する。
【００１０】
また，上記問題の別の解決策としては，接着フィルムを熱圧着以外の方法で半導体チップ裏面に貼り付ける手法も考えられる。しかし，現状では，半導体ウェハ裏面に対して接着フィルムを十分な粘着力で貼り付けることが可能な手法は開発されていない。
【００１１】
従って，実際には，半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付けた後に，半導体ウェハと接着フィルムとを同時に切断するという手法によっては，接着フィルム付き半導体チップを製造することができなかった。従って，接着フィルム付き半導体チップを製造するためには，上記のように，半導体ウェハを半導体チップに分割した後に，半導体チップの形状に合わせて切断した接着フィルムを貼り付ける手法を用いざるを得ないというのが現状であった。
【００１２】
本発明は，従来の半導体チップの製造方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，半導体ウェハ裏面に対して接着フィルムを熱圧着することなく好適に貼り付けた上で，かかる半導体ウェハおよび接着フィルムをともに切断して，接着フィルム付き半導体チップを好適に製造することの可能な，新規かつ改良された半導体チップの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープの表面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハの裏面を，ダイシングテープの表面に貼り付けられた接着フィルムに押圧して貼り付ける，第４の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハの表面から保護テープを剥離する，第５の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハと，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；真空吸着を解除して，ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法が提供される。
【００１４】
かかる構成により，エラストマー樹脂からなるダイシングテープおよび接着フィルムは，通常時には微粘着性を有するが，真空吸着すると密着力が増加するという特性を発揮する。かかるダイシングテープおよび接着フィルムを利用することにより，半導体ウェハの裏面に対して接着フィルムを熱圧着することなく貼り付けた上で，双方をダイシングし，接着フィルム付き半導体チップを好適に製造することができる。
【００１５】
即ち，第３の工程では，ダイシングテープの粘着層に接着フィルムを微粘着性により貼り付けることができる。また，真空吸着を行っている第４，５および６の工程では，真空吸着によりダイシングテープおよび接着フィルムの密着力が増加するので，ダイシングテープにより接着フィルムを好適に固着できるとともに，接着フィルムにより半導体ウェハを好適に固着できる。さらに，第４の工程では，半導体ウェハを接着フィルムに押圧することにより，双方の密着力がより高まる。また，第５の工程では，半導体ウェハ表面と保護テープとの間の粘着力よりも，半導体ウェハ裏面と接着フィルムとの間の粘着力，および接着フィルムとダイシングテープとの間の粘着力の方が大きいので，保護テープのみを好適に剥離できる。また，第６の工程では，ダイシングテープ上に安定的に固定された半導体ウェハと接着フィルムを一緒にダイシングして，半導体チップに分割できる。これにより，半導体チップサイズに応じた形状・大きさで，接着フィルムを分割することができる。また，第７の工程では，真空吸着を解除することにより，ダイシングテープおよび接着フィルムの密着力が元の微粘着性に戻るので，接着フィルム付き半導体チップをダイシングテープから好適にピックアップして搬送できる。このとき，分割された接着フィルムの粘着力は，硬質で鏡面的な半導体チップ裏面との間の粘着力の方が，軟質で微細な凹凸のあるダイシングテープ表面との間の粘着力よりも大きい。従って，接着フィルムとダイシングテープ表面との間で剥離が生じ，分割された接着フィルムは半導体チップに伴ってピックアップされる。
【００１６】
また，上記第３工程では，押圧部材によって接着フィルムをダイシングテープの表面に圧着する，ように構成してもよい。かかる構成により，接着フィルムとダイシングテープ表面との間に気泡が入らないようにして，双方を密着させることができる。
【００１７】
また，上記ダイシングテープは，ポリエチレンテレフタラート，ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルの少なくともいずれかからなる基材に，シリコーン粘着剤を塗布して構成される，ように構成してもよい。かかる構成により，上記半導体チップの製造方法を好適に実現可能なダイシングテープを提供できる。
【００１８】
また，上記接着フィルムは，シリコーン材質からなる膜である，ように構成してもよい。かかる構成により，上記半導体チップの製造方法を好適に実現可能な接着フィルムを提供できる。
【００１９】
また，上記課題を解決するため，本発明の別の観点によれば，半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；半導体ウェハの裏面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープを，裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムを，ダイシングテープの表面に押圧して貼り付ける，第４の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハの表面から保護テープを剥離する，第５の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハと，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；真空吸着を解除して，ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法が提供される。
【００２０】
かかる構成により，第３の工程で，接着フィルムを先に半導体ウェハ裏面に貼り付けた上で，第４の工程で，かかる接着フィルムと半導体ウェハをダイシングテープに貼り付けることができる。かかる方法によっても，上記説明した半導体チップの製造方法と同様な作用により，好適に接着フィルム付き半導体チップを製造できる。
【００２１】
また，上記第３工程では，押圧部材によって接着フィルムを半導体ウェハの裏面に圧着する，ように構成してもよい。かかる構成により，接着フィルムと半導体ウェハ裏面との間に気泡が入らないようにして，双方を密着させることができる。
【００２２】
また，上記ダイシングテープは，ポリエチレンテレフタラート，ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルの少なくともいずれかからなる基材に，シリコーン粘着剤を塗布して構成される，ように構成してもよい。また，上記接着フィルムは，シリコーン材質からなる膜である，ように構成してもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施の形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。
【００２５】
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法に用いられるダイシングテープの構成について説明する。なお，図１（ａ）および図１（ｂ）は，本実施形態にかかるダイシングテープ１０を示す斜視図および部分拡大断面図である。
【００２６】
図１（ａ）に示すように，ダイシングテープ１０は，例えば，略円盤形状を有する薄いゴム状の粘着シートである。このダイシングテープ１０は，例えば，半導体ウェハ等をダイシングするときに，半導体ウェハ等の裏面に貼り付けられて，半導体ウェハを固着する機能を有する。かかるダイシングテープ１０は，図１（ｂ）に示すように，例えば，基材１０ｂと，この基材１０ｂの表面上に塗布されたエラストマー樹脂からなる粘着層１０ａと，から構成される。
【００２７】
基材１０ｂは，例えば，ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート），ポリオレフィン，あるいはポリ塩化ビニル等の合成樹脂材で構成されている。このうち，例えばポリオレフィンは，柔軟性及び伸張性に優れるため，基材１０ｂの材質として好ましい。この基材１０ｂの厚さは，例えば，５０〜１５０μｍである。
【００２８】
粘着層１０ａは，ダイシングテープ１０の表面側に形成された粘着性を有する層であり，半導体ウェハ等を固着する機能を有する。このようなダイシングテープ１０の粘着層１０ａとしては，従来では，アクリル系の粘着剤等が主に用いられてきたが，本実施形態では，微粘着性を有するエラストマー樹脂等からなる粘着剤を用いる点が特徴的である。
【００２９】
このエラストマー樹脂は，ゴム状弾性体の総称であり，天然ゴム，合成ゴム等に代表される弾性の顕著な高分子化合物である。本実施形態では，かかるエラストマー樹脂からなる粘着剤として，例えば，シリコーン樹脂からなる粘着剤であるシリコーン粘着剤を採用している。このシリコーン粘着剤は微粘着性を有する粘着剤であり，かかるシリコーン粘着剤を上記基材１０ｂの表面上に例えば塗布することにより，粘着層１０ａが構成される。かかるシリコーン粘着剤からなる粘着層１０ａは，厚さが例えば２５〜５００μｍであり，ゴム硬度が例えば１０〜１００°である。また，かかる粘着層１０ａの表面は，例えば，平滑面に限らず，例えばドット状，格子状またはスジ状などの目付をしたものであってもよい。
【００３０】
次に，以上のように構成されたダイシングテープ１０の作用について説明する。なお，以下では，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａ側（表側）の面を表面といい，ダイシングテープ１０の基材１０ｂ側（裏側）の面を裏面ということとする。
【００３１】
上記のようにダイシングテープ１０は，粘着層１０ａが例えばシリコーン粘着剤で構成されているので，表面が微粘着性を有し，比較的硬度が高い。このため，ダイシングテープ１０は，比較的粘着力が低い粘着テープとして，一時的な接着に適している。従って，かかるダイシングテープ１０の表面に貼り付けられた対象物を剥離する際には，高い粘着力を有する一般的な粘着テープと比して，容易に剥離することができる。
【００３２】
さらに，本願発明者の鋭意努力により，かかるダイシングテープ１０は，通常時には微粘着性を有するが，真空吸着を行うと密着力（粘着力）が増加するという特性があることが分かっている。なお，ここでいう密着力とは，ダイシングテープ１０が，貼り付けられた対象物を引き付けて固着させる力をいい，もともと有していた微粘着力をも含む力である。
【００３３】
このような特性が得られる理由は定かでないが，エラストマー樹脂からなる粘着層１０ａの密着力が，粘着層１０ａと対象物との接触面積に依存していることが原因であると思われる。即ち，当該粘着層１０ａの表面には微少な凹凸が複数存在するが，ダイシングテープ１０を例えば真空チャックによって裏面側から真空吸引して固定すると，ダイシングテープ１０の表面が引っ張られて当該凹凸が小さくなる。これにより，粘着層１０ａと対象物との接触面積が増加するので，粘着層１０ａの密着力も増加すると考えられる。
【００３４】
このように，エラストマー樹脂等からなるダイシングテープ１０は，真空吸着すると粘着層１０ａの密着力が増加し，一方，真空を解除すると粘着力が元の微粘着性に戻るという特性を有する。以下に説明する半導体チップの製造方法は，かかるダイシングテープ１０の特性を利用して，半導体ウェハの裏面に，ダイアタッチフィルム等の接着フィルムを貼り付けてから，かかる半導体ウェハおよび接着フィルムを同時にダイシングすることにより，ダイボンディング用の接着剤付き半導体チップを好適に製造する方法を実現するものである。
【００３５】
次に，図２〜図７に基づいて，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。なお，図２は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。また，図３〜５および図７は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。また，図６は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法におけるダイシング工程でダイシングされた半導体ウェハを示す部分拡大断面図である。
【００３６】
図２に示すように，まず，ステップＳ１００では，半導体ウェハ３０の表面に保護テープ１０が貼り付けられる（ステップＳ１００：第１の工程）。図３（ａ）に示すように，本実施形態にかかる半導体ウェハ３０は，例えば，略円盤形状を有するシリコンウェハなどであり，その大きさは，外径が例えば８インチであり，厚さが例えば約１５０μｍである。半導体ウェハ３０の表面には，前工程であるウェハ処理工程等で回路（半導体素子）３２が形成されている。なお，以下では，半導体ウェハ３０の表面とは，回路３２が形成された側の面をいい，半導体ウェハ３０の裏面とは，上記表面とは反対側の面をいうものとする。また，かかる半導体ウェハ３０を切断して形成された半導体チップについても，表面および裏面の定義は同様とする。
【００３７】
本ステップでは，このような半導体ウェハ３０の表面に保護テープ２０が貼り付けられる。この保護テープ２０は，裏面研削時において半導体ウェハ３０を固着してその表面を保護するための粘着テープであり，例えば，ＵＶ（紫外線）硬化型のグラインディングテープなどである。この保護テープ２０は，例えばアクリル系の粘着剤（厚さが例えば２０μｍ）をポリオレフィン等の基材（厚さが例えば１１０μｍ）に塗布して構成され，ＵＶ照射により粘着力が低下する性質を有する。かかる保護テープ２０の粘着力は，例えば，ＵＶ照射前で２．０６Ｎ／２５ｍｍ，ＵＶ照射後で０．０５Ｎ／２５ｍｍである。
【００３８】
次いで，ステップＳ１０２では，半導体ウェハ３０が裏面研削される（ステップＳ１０２：第２の工程）。具体的には，図３（ｂ）に示すように，高速回転する研削砥石１５を備えたグラインダー１６などを用いて，半導体ウェハ３０の裏面が全面的に平面研削される。この際，半導体ウェハ３０の表面は，保護テープ２０によって保護されているので，回路１２が，研削くずや研削台（図示せず。）との接触等により破損することを防止できる。
【００３９】
かかる裏面研削により，図３（ｃ）に示すように，半導体ウェハ３０を例えば５０μｍ程度にまで薄くできる。このような極薄の半導体ウェハ３０は，保護テープ２０上に，回路３２が形成された表面側で固着された状態となっている。さらに，上記のような裏面研削後には，後工程で保護テープ２０を半導体ウェハ３０から剥離しやすいように，例えば，保護テープ２０に対してＵＶ照射して，保護テープ２０の粘着力を低下させておく。
【００４０】
さらに，ステップＳ１０４では，ダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる（ステップＳ１０４：第３の工程）。具体的には，図４（ａ）に示すように，まず，ウェハリング７に貼り付けられたダイシングテープ１０が，例えば，粘着層１０ａ側（表面側）を上向きにして，チャックテーブル３上に載置される。このチャックテーブル３は，例えば，微細な孔を複数有するポーラスセラミック材等で作成された真空チャックであり，その下部から例えば真空ポンプ等で真空引きすることにより，上面に載置された対象物を真空吸着することができる。
【００４１】
次いで，このように載置されたダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる。このダイアタッチフィルム４０（ＤｉｅＡｔｔａｃｈＦｉｌｍ）は，半導体チップをリードフレーム等にダイボンディングするためのフィルム状の接着剤であり，本実施形態にかかる接着フィルムとして構成されている。このダイアタッチフィルム４０は，本実施形態では，例えば，シリコーン材質からなる膜（厚さが例えば２５〜１７５μｍ）として構成されているが，かかる例に限定されず，その他のエラストマー樹脂を材質としてもよい。このダイアタッチフィルム４０は，その表面（半導体ウェハ３０に貼り付けられる側の面）形状は例えば鏡面であり，その裏面（ダイシングテープ１０に貼り付けられる側の面）の形状は例えばなし地である。
【００４２】
さらに，ダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０を貼り付ける際には，例えば，図４（ａ）に示すように，ダイアタッチフィルム４０の上からローラー等の押圧部材５で押圧して，双方を圧着することが好ましい。これにより，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が含まれないようにして，双方の密着性を高めることができる。
【００４３】
その後，ステップＳ１０６では，ダイシングテープ１０が裏面側から真空吸着される（ステップＳ１０６）。具体的には，上記チャックテーブル３に負圧（例えば，−５０〜−１５０ｋＰａ）を加えることで，ダイシングテープ１０を裏側から真空吸着してチャックテーブル３上に固定する。なお，このようなダイシングテープ１０の真空吸着を行いながら，例えば，上記ステップＳ１０４でのダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付ける工程を行ってもよい。
【００４４】
次いで，ステップＳ１０８では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面が，ダイシングテープ１０上に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０に対して，押圧されて貼り付けられる（ステップＳ１０８：第４の工程）。上記ステップＳ１０２で裏面研削された半導体ウェハ３０は，表面が保護テープ２０に貼り付けられて固着されている。本ステップでは，図４（ｂ）に示すように，チャックテーブル３を真空引きしてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，上記裏面研削された半導体ウェハ３０の裏面が，ダイアタッチフィルム４０の表面に貼り付けられる。
【００４５】
さらに，かかる貼り付け時には，例えば，半導体ウェハ３０の上からローラー等の押圧部材５で押圧することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面，並びにダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面を，より密着させることができるとともに，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が入らないようにできる。
【００４６】
上記のような貼り付け方法によって，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０，およびダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０は，例えば，通常時の１０倍近い粘着力を有することになる。このため，熱圧着する場合と変わらないほど強固に，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを接着することができる。
【００４７】
ここで，このようなダイシングテープ１０等の粘着力が増大する原理についてより詳細に説明する。上記のようにダイシングテープ１０の粘着層１０ａは，シリコーン粘着剤等のエラストマー樹脂で構成されている。このため，かかるダイシングテープ１０を真空吸着すると，上述したような原理で粘着層１０ａの密着力が大幅に増加する。従って，本ステップにおいてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着することにより，ダイシングテープ１０の密着力が通常時と比して増加するので，ダイシングテープ１０がダイアタッチフィルム４０を引き付ける力が大幅に高まることとなる。
【００４８】
また，上記のようなダイシングテープ１０の真空吸着により，ダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０裏面との間の粘着力までもが増大する理由については定かではないが，以下のような原理によるものではないかと推測される。つまり，本実施形態にかかるダイアタッチフィルム４０は，例えば，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａと同じエラストマー樹脂であるシリコーン材質の膜であり，かつ，その厚さが薄い。このため，ダイアタッチフィルム４０の表面にも，ダイシングテープ１０の表面と同じような凹凸が現れており，ダイシングテープ１０を介した真空吸着により，かかる凹凸が引っ張られて，ダイアタッチフィルム４０表面と半導体ウェハ３０裏面との接触面積が増大し，双方の密着力が高まるのではないかと考えられる。
【００４９】
以上のように，ダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面を，ダイシングテープ１０に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０に押圧して貼り付けることにより，半導体ウェハ３０，ダイアタッチフィルム４０およびダイシングテープ１０が相互に密着して，強い粘着力で引き付け合うことができる。この結果，上記真空吸着を維持した状態では，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間の粘着力，およびダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０との間の粘着力のいずれもが，保護テープ２０と半導体ウェハ３０の表面との間の粘着力を上回ることになる。
【００５０】
さらに，ステップＳ１１０では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の表面から保護テープ２０が剥離される（ステップＳ１１０：第５の工程）。具体的には，図５（ａ）に示すように，例えば，ピール用テープ８等を用いて，保護テープ２０を例えば略水平方向に引っ張ることにより，保護テープ２０が半導体ウェハ３０の表面から剥離される。
【００５１】
この際，ダイシングテープ１０の真空吸着が維持されているので，上記のように，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間の粘着力，およびダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０との間の粘着力のいずれもが，半導体ウェハ３０と保護テープ２０との間の粘着力よりも上回っている。このため，ダイアタッチフィルム４０がダイシングテープ１０から剥離したり，或いは半導体ウェハ３０裏面がダイアタッチフィルム４０から剥離したりすることなく，保護テープ２０のみを半導体ウェハ３０表面から好適に剥離することができる。
【００５２】
また，保護テープ２０を略水平方向に引っ張りながら剥離していくことにより，半導体ウェハ３０に対して略垂直方向上向きに作用する力を減少させることができるので，これによっても，半導体ウェハ３０がダイアタッチフィルム４０等から剥離することを防止できる。
【００５３】
その後，ステップＳ１１２では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０が同時にダイシングされる（ステップＳ１１２：第６の工程）。具体的には，まず，上記ステップＳ１１０で保護テープ２０が剥離された半導体ウェハ３０を，ダイシングテープ１０に貼り付けられたままの状態で，例えば，ダイシング装置のチャックテーブル３上に載置する。次いで，図５（ａ）に示すように，例えば，高速回転する切削ブレード２２を半導体ウェハ３０に切り込ませて回路３２間のストリートに沿って切削し，極薄のカーフ（切削溝）を形成することを繰り返す。これにより，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を，例えば格子状に切断（即ち，ダイシング）することができる。
【００５４】
このようなダイシング加工では，切削ブレード２２の切り込み深さが，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を貫通して，ダイシングテープ１０に僅かに切り込む程度に調整されている。より詳細には，この切削ブレード２２の切り込み深さは，例えば，図６（ａ）に示すように，ダイシングテープ１０の基材１０ｂにまで達するようにしてもよいし，或いは，図６（ｂ）に示すように，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａまで達するようにしてもよい。このように十分な切り込み深さを確保することにより，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を，略同一の形状で完全に切断することができる。
【００５５】
また，上記ようなダイシング加工を行うときには，チャックテーブル３によってダイシングテープ１０の真空吸着が行われているので，半導体ウェハ３０は，ダイアタッチフィルム４０を介してダイシングテーブ１０に強固に固着されている。このため，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を安定的に切断できる。
【００５６】
以上のように，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を同時にダイシングすることにより，半導体ウェハ３０が複数の半導体チップ３４に分割されるとともに，半導体ウェハ３０の裏面に貼り付けられていたダイアタッチフィルム４０もまた，当該半導体チップ３４の形状に応じて，複数の接着フィルム片に分割される。この結果，ダイシングテープ１０上には，複数の接着フィルム付き半導体チップ３４が完成する。なお，この接着フィルム付き半導体チップ３４とは，分割されたダイアタッチフィルム４０（接着フィルム片）が裏面に貼り付けられている半導体チップ３４を意味する。
【００５７】
次いで，ステップＳ１１４では，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除される（ステップＳ１１４）。チャックテーブル３の真空引きを停止して，ダイシングテープ１０の真空吸着を解除する。これにより，ダイシングテープ１０およびダイアタッチフィルム４０の粘着力が，通常時の微粘着性に戻る。
【００５８】
さらに，ステップＳ１１６では，接着フィルム付き半導体チップ３４が，ダイシングテープ１０からピックアップされる（ステップＳ１１６：第７の工程）。具体的には，図７に示すように，例えば，ピックアップジグなどのピックアップ手段９を用いて，上方から吸引することにより，分割されたダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間で剥離が生じて，接着フィルム付き半導体チップ３４がピックアップされる。
【００５９】
かかるピックアップの際には，上記のように，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除されているので，ダイシングテープ１０およびダイアタッチフィルム４０の粘着力が微粘着性に戻っている。さらに，この状態では，ダイアタッチフィルム４０表面と半導体チップ３４裏面との間の粘着力は，ダイシングテープ１０表面とダイアタッチフィルム４０裏面との間の粘着力よりも若干大きくなっている。これは，例えば，ダイアタッチフィルム４０と半導体チップ３４との間では，鏡面であるダイアタッチフィルム４０表面が，硬い平面である半導体チップ３４裏面に対して比較的強く粘着しているのに対し，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間では，双方が柔らかい部材であり表面に凹凸ができているため，ダイアタッチフィルム４０裏面がダイシングテープ１０表面から比較的剥がれ易い状態となっているからである。
【００６０】
従って，半導体チップ３４をピックアップするときには，ダイアタッチフィルム４０と半導体チップ３４裏面との間ではなく，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０表面との間で剥離が生じることとなる。よって，本ステップでは，半導体チップ３４を，分割されたダイアタッチフィルム４０とともに，ダイシングテープ１０から容易にピックアップすることができる。
【００６１】
このようにしてピックアップされた接着フィルム付き半導体チップ３４は，後続のダイボンディング工程において，リードフレーム等の基板（図示せず。）上に搭載され，熱圧着される。このとき，半導体チップ３４の裏面に付着しているダイアタッチフィルム４０片が，ダイボンド材として機能する。
【００６２】
（第２の実施の形態）
次に，本発明の第２の実施の形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法と比して，ダイアタッチフィルム４０を先に半導体ウェハ３０に貼り合わせた上で，これらをまとめてダイシングテープ１０に貼り付ける点で相違するのみであり，その他の機能構成については第１の実施形態の場合と略同一であるので，その説明は省略する。また，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法で用いられる保護テープ２０，ダイシングテープ１０ダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０等も，上記第１の実施形態のものと略同一であるので，その説明は省略する。
【００６３】
以下に，図８および図９に基づいて，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。なお，図８は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。また，図９は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【００６４】
図２に示すように，まず，ステップＳ２００では，半導体ウェハ３０の表面に保護テープが貼り付けられる（ステップＳ２００：第１の工程）。次いで，ステップＳ２０２では，半導体ウェハ３０が裏面研削される（ステップＳ２０２：第２の工程）。以上までのステップＳ２００およびステップＳ２０２は，上記第１の実施形態におけるステップＳ１００およびステップＳ１０２と略同一であるので，詳細説明は省略する。
【００６５】
さらに，ステップＳ２０４では，半導体ウェハ３０の裏面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる（ステップＳ２０４：第３の工程）。具体的には，図９（ａ）に示すように，表面に保護テープ２０が貼り付けられている半導体ウェハ３０の裏面に，ダイアタッチフィルム４０を貼り付ける。このとき，例えば，ダイアタッチフィルム４０の上からローラー等の押圧部材５で押圧して，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を圧着することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が含まれないようにして，双方の密着性を高めることができる。
【００６６】
その後，ステップＳ２０６では，ダイシングテープ１０が裏面側から真空吸着される（ステップＳ２０６）。具体的には，まず，ウェハリング７に貼り付けられたダイシングテープ１０が，例えば，粘着層１０ａ側（表面側）を上向きにして，上記のようなチャックテーブル３上に載置される。次いで，真空ポンプ等でチャックテーブル３に負圧を加えることで，ダイシングテープ１０を裏側から真空吸着してチャックテーブル３上に固定する。
【００６７】
次いで，ステップＳ２０８では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０が，ダイシングテープ１０表面に押圧されて貼り付けられる（ステップＳ２０８：第４の工程）。具体的には，図９（ｂ）に示すように，チャックテーブル３を真空引きしてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，上記ステップＳ２０４で貼り合わせられた半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０をともに，ダイシングテープ１０上に載置する。これにより，ダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面が貼り付けられる。
【００６８】
さらに，かかる貼り付け時には，例えば，図４（ｂ）で示したように，半導体ウェハ３０の上からローラー等の押圧部材５で押圧することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面，並びにダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面を，より密着させることができるとともに，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が入らないようにできる。
【００６９】
上記のような貼り付け方法によって，第１の実施形態の場合と同様な原理で，ダイアタッチフィルム４０およびダイシングテープ１０の密着力が高まり，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０，およびダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０を，例えば，通常時の１０倍近い粘着力で貼り合わせることができる。
【００７０】
さらに，ステップＳ２１０では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の表面から保護テープ２０が剥離される（ステップＳ２１０：第５の工程）。その後，ステップＳ２１２では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０が同時にダイシングされる（ステップＳ２１２：第６の工程）。次いで，ステップＳ２１４では，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除される（ステップＳ２１４）。さらに，ステップＳ２１６では，接着フィルム付き半導体チップ３４が，ダイシングテープ１０からピックアップされる（ステップＳ２１６：第７の工程）。以上のようなステップＳ２１０〜ステップＳ２１６は，上記第１の実施形態におけるステップＳ１１０〜ステップＳ１１６と略同一であるので，詳細説明は省略する。
【００７１】
以上，第１および第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法について，詳細に説明した。かかる半導体チップの製造方法によれば，エラストマー樹脂からなる粘着層１０ａを有するダイシングテープ１０を利用することによって，半導体ウェハ３０裏面に対してダイアタッチフィルム４０を熱圧着することなく好適に貼り付け，かかる半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を同時にダイシングして，接着フィルム付き半導体チップ３４を容易に製造することができる。
【００７２】
即ち，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，半導体ウェハ３０裏面に対してダイアタッチフィルム４０を貼り付けるときに，熱圧着しなくて済む。このため，保護テープ２０を加熱劣化させることなく，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０裏面に，容易かつ好適に貼り付けることができる。従って，従来のように，ダイアタッチフィルム４０を熱圧着することが原因で，半導体ウェハ３０の表面に貼り付けられている保護テープ２０が溶融したり，保護テープ２０の糊が半導体ウェハ３０表面に残留したりすることがない。よって，製造された接着フィルム付き半導体チップ３４の品質および歩留まりを向上することができる。
【００７３】
また，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０に貼り付ける前に，予め保護テープ２０を剥離する必要がない。このため，半導体ウェハ３０から保護テープ２０を予め剥離した上でダイアタッチフィルム４０を貼り付ける手法のように，サポート部材等を何度も貼り替えなくてもよい。従って，ダイアタッチフィルム４０の貼り付け作業を迅速かつ容易に行うことができ，生産性を向上することができる。
【００７４】
また，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，ダイシングテープ１０を真空吸着することで，一時的に，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０，並びにダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０とを，強い粘着力で接着できる。このため，当該真空吸着を維持することで，半導体ウェハ３０表面から保護テープ２０を容易に剥離できるとともに，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を固定して好適にダイシングできる。さらに，当該真空吸着を解除するだけで，ダイシングテープ１０の粘着力を弱めて，接着フィルム付き半導体チップ３４を好適にピックアップできる。
【００７５】
また，このように製造された接着フィルム付き半導体チップ３４は，リードフレーム等の基板に熱圧着して搭載される。従って，従来ではダイアタッチフィルム４０の加熱工程が二回必要であったが，本実施形態ではダイボンディング時の一回だけで済むので，作業効率が向上する。
【００７６】
また，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを同時にダイシングすることによって，接着フィルム付き半導体チップ３４を製造できる。このため，半導体チップ３４の裏面に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０の形状・大きさが，半導体チップ３４の形状・大きさと略同一になるので，ダイボンディング時に当該ダイアタッチフィルム４０が半導体チップ３４側面に這い上がることがない。また，従来のように，ダイアタッチフィルム４０を半導体チップ３４のサイズに合わせて切り出した上で貼り合わせる，といった繁雑な作業を行わなくて済む。このため，ダイアタッチフィルム４０の貼り付け精度および生産性を大幅に向上できる。
【００７７】
以上のように，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，従来では好適に実現できなかった，半導体ウェハ３０裏面にダイアタッチフィルム４０を貼り付けてから，かかる半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを同時にダイシングするという手法で，接着フィルム付き半導体チップ３４を好適に製造することができる。
【００７８】
【実施例】
次に，上記実施形態にかかる半導体チップの製造方法によって相互に貼り付けられたダイシングテープ１０，ダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０のそれぞれの間の粘着力を測定した試験結果について説明する。
【００７９】
なお，試験に用いた半導体ウェハ３０，チャックテーブル３，保護テープ２０，ダイアタッチフィルム４０，ダイシングテープ１０等の条件は，以下の表１に示す通りである。
【００８０】
【表１】

【００８１】
以上のような条件で，▲１▼保護テープ２０と半導体ウェハ３０表面との間の粘着力，▲２▼半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面との間の粘着力（真空吸着時／解除時），▲３▼ダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面の間の粘着力（真空吸着時／解除時），▲４▼ダイシングテープ１０の粘着層１０ａと基材１０ｂとの間の粘着力，を測定する試験を行った。かかる試験結果を一覧にして表２に示す。
【００８２】
【表２】

【００８３】
表２に示すように，▲１▼ＵＶ照射後の保護テープ２０と半導体ウェハ３０との粘着力は，０．０５［Ｎ／２５ｍｍ］である。これに対し，真空吸着時における▲２▼半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との粘着力，および真空吸着時における▲３▼ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との粘着力は，ともに１０〜２０［Ｎ／２５ｍｍ］と非常に大きく，▲１▼と比して２００〜４００倍程度もある。
【００８４】
従って，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，保護テープ２０を半導体ウェハ３０表面から剥離する場合には，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間，あるいはダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間では，剥離が生じることがなく，保護テープ２０のみを好適に剥離できるといえる。
【００８５】
また，真空吸着解除時における▲２▼半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との粘着力は，０．１〜０．５［Ｎ／２５ｍｍ］と小さい。これに対し，真空吸着解除時における▲３▼ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との粘着力は，０．０１〜０．０５［Ｎ／２５ｍｍ］とさらに小さく，▲２▼と比して１０分の１程度である。
【００８６】
従って，ダイシングテープ１０の真空吸着を解除して，半導体チップ３４をダイシングテープ１０からピックアップする場合には，半導体チップ３４とダイアタッチフィルム４０との間で剥離が生じるより先に，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間で剥離が生じるといえる。従って，分割されたダイアタッチフィルム４０が付着した半導体チップ３４を，容易にピックアップすることができるといえる。
【００８７】
また，真空吸着時の上記▲２▼および▲３▼の粘着力は，真空吸着解除時（即ち，通常時）の上記▲２▼および▲３▼の粘着力と比べて，１００倍〜２０００倍程度も大きい。従って，真空吸着時には，ダイシングテープ１０上にダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０を確実に固着できるとともに，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０に対して，熱圧着と同等の粘着力で貼り付けることができるといえる。
【００８８】
以上のような試験結果は，ダイシングテープ１０の真空吸着をオン／オフすることにより，上記実施形態にかかる半導体チップの製造方法を好適に実現できることを実証しているといえる。
【００８９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態および実施例について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９０】
例えば，上記実施形態では，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａをシリコーン粘着剤で構成したが，本発明はかかる例に限定されない。粘着層１０ａは，例えば，シリコーン粘着剤以外の，各種のエラストマー樹脂からなるゴム系粘着剤（例えば，各種のエラストマー樹脂をベースポリマーとし，これに粘着付与剤樹脂，軟化剤，老化防止剤，充填剤等を添加したもの）で構成してもよい。この際，ベースポリマーとするエラストマー樹脂としては，例えば，天然ゴム，再生ゴム，合成ゴム（エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）樹脂等），ポリインブチレン，ポリビニルイソブチルエーテル，ポリエステル，ポリウレタンなど，各種の有機物を用いることができる。
【００９１】
また，上記実施形態では，ダイシングテープ１０を粘着層１０ａおよび基材１０ｂからなる２層構造としたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，基材１０ｂは必ずしも具備されなくともよく，ダイシングテープ１０を，エラストマー樹脂製の粘着層１０ａのみで構成してもよい。また，ダイシングテープ１０は，表面側に粘着層１０ａを備える限り，例えば，３層以上からなる構造としてもよい。
【００９２】
また，上記実施形態では，基材１０ｂ上にシリコーン粘着剤等を塗布して粘着層１０ａを形成することによって，ダイシングテープ１０を製造したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，各種のエラストマー樹脂を用いてシート状の粘着層１０ａを基材１０ｂとは別体に形成し，かかるシート状の粘着層１０ａを基材１０ｂと貼り合わせることによって，ダイシングテープ１０を製造してもよい。
【００９３】
また，上記実施形態では，接着フィルムであるダイアタッチフィルム４０を，シリコーン材質の膜で構成したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，ダイアタッチフィルム４０は，上記のような各種のエラストマー樹脂を素材としてもよい。
【００９４】
また，上記第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法では，ステップＳ１０４において，ダイシングテープ１０の真空吸着を行うことなく，ダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付けたが（図４（ａ）参照），本発明はかかる例に限定されない。例えば，ステップＳ１０４では，ダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，ダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付けてもよい。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，半導体ウェハ裏面に対してダイアタッチフィルムを熱圧着することなく好適に貼り付けた上で，かかる半導体ウェハおよびダイアタッチフィルムを好適に切断することができる。これにより，接着フィルム付き半導体チップを容易かつ高精度で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は，第１の実施形態にかかるダイシングテープを示す斜視図および部分拡大断面図である。
【図２】図２は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図４】図４は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図５】図５は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法のダイシング工程でダイシングされた半導体ウェハを示す部分拡大断面図である。
【図７】図７は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図８】図８は，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【符号の説明】
３：チャックテーブル
５：押圧部材
９：ピックアップ手段
１０：ダイシングテープ
１０ａ：粘着層
１０ｂ：基材
２０：保護テープ
２２：切削ブレード
３０：半導体ウェハ
３２：回路
３４：半導体チップ
４０：ダイアタッチフィルム[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor chip, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor chip having an adhesive film attached to a back surface.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of die bonding a semiconductor chip to a lead frame, a method of supplying a die bonding material to a tab portion on a lead frame, placing the semiconductor chip thereon, and bonding the semiconductor chip is common. In this die bonding method, a resin paste is frequently used as a die bonding material. As a method of supplying the resin paste to the lead frame, a stamping method, a dispensing method, a screen printing method, and the like are adopted, and among these, the dispensing method is most frequently used.
[0003]
This dispensing method is a method of filling a syringe with a resin paste and discharging the resin paste onto a tub with a dispenser. However, in such a method, it is difficult to uniformly apply the resin paste to the entire surface of the tab, and there is a problem that a void is generated in the adhesive layer during curing.
[0004]
In order to solve the problem of the die bonding method using the resin paste, a method using a film-like adhesive instead of the resin paste has been proposed (for example, see Patent Documents 1 and 2). However, in such a method, the adhesive film must be cut in advance according to the size of the semiconductor chip. Therefore, not only is it difficult to accurately bond the cut adhesive film to a semiconductor chip having a small size, but also the productivity is reduced.
[0005]
As a method for solving such a problem, an adhesive film such as a die attach film is thermocompression-bonded in advance to the back surface of a semiconductor wafer with a heater or the like, and the semiconductor wafer with the adhesive film is pasted on a dicing tape. A method has been proposed in which a semiconductor wafer and an adhesive film are simultaneously diced to produce a semiconductor chip with an adhesive film (for example, see Patent Document 3). According to this method, since the adhesive film as the die bonding material and the semiconductor wafer can be divided at the same time, it is possible to flexibly cope with any chip size and to easily attach the adhesive film to the semiconductor wafer. is there.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-63-289822
[Patent Document 2]
JP-A-1-19735
[Patent Document 3]
JP-A-6-302629
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional method for manufacturing a semiconductor chip with an adhesive film has the following problems.
[0008]
When manufacturing semiconductor chips, it is common to grind the back surface of the semiconductor wafer to make it thinner before dicing the semiconductor wafer. At the time of this back grinding, the protective tape is stuck to the surface of the semiconductor wafer, so that the above-described protective tape is still stuck to the surface of the semiconductor wafer after the back grinding. When the adhesive film is thermocompression-bonded to the back surface of the semiconductor wafer in such a state at a temperature of about 180 ° C. as in the above-described conventional method, the protective tape attached to the front surface of the semiconductor wafer is melted or protected. There has been a problem that the glue of the tape melts and remains on the semiconductor wafer.
[0009]
As a solution to such a problem, a method in which a protective tape is peeled off from the surface of the semiconductor wafer and an adhesive film is attached thereto can be considered. However, in order to peel off the protective tape, a support member (tape, etc.) must be used on the backside of the semiconductor wafer. Additional support members must be used on the semiconductor wafer surface to separate the members. As described above, since a large number of replacement steps are required in order to attach the adhesive film after removing the protective tape, the operation is complicated, and the productivity is greatly reduced.
[0010]
Another solution to the above problem is to attach an adhesive film to the backside of the semiconductor chip by a method other than thermocompression bonding. However, at present, no method has been developed that can attach an adhesive film to the back surface of a semiconductor wafer with sufficient adhesive strength.
[0011]
Therefore, in practice, a semiconductor chip with an adhesive film cannot be manufactured by a method of simultaneously cutting the semiconductor wafer and the adhesive film after attaching the adhesive film to the back surface of the semiconductor wafer. Therefore, in order to manufacture a semiconductor chip with an adhesive film, it is inevitable to use a method in which a semiconductor wafer is divided into semiconductor chips and an adhesive film cut in accordance with the shape of the semiconductor chip is attached as described above. That was the current situation.
[0012]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional method of manufacturing a semiconductor chip, and an object of the present invention is to appropriately attach an adhesive film to the back surface of a semiconductor wafer without thermocompression bonding. It is an object of the present invention to provide a new and improved method for manufacturing a semiconductor chip, which can cut the semiconductor wafer and the adhesive film together to suitably manufacture the semiconductor chip with the adhesive film.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, a first step of attaching a protective tape to a front surface of a semiconductor wafer; a second step of grinding a back surface of the semiconductor wafer; A third step of attaching an adhesive film made of at least an elastomer resin to the surface of a dicing tape having an adhesive layer made of an elastomer resin on the front side; and A fourth step of pressing the adhesive film stuck on the surface of the dicing tape and sticking the protective film on the surface of the dicing tape; peeling off the protective tape from the surface of the semiconductor wafer while performing vacuum suction; a fifth step; Dicing the semiconductor wafer and the adhesive film stuck on the back side of the semiconductor wafer A sixth step of dividing the semiconductor chip into body chips; and a seventh step of releasing the vacuum suction and picking up the semiconductor chip with the adhesive film from the surface of the dicing tape. A manufacturing method is provided.
[0014]
With such a configuration, the dicing tape and the adhesive film made of the elastomer resin usually have a slight tackiness, but exhibit a characteristic that the adhesion force increases when vacuum-adsorbed. By using such a dicing tape and the adhesive film, the adhesive film can be stuck to the back surface of the semiconductor wafer without thermocompression bonding, and both can be diced to suitably manufacture a semiconductor chip with an adhesive film. it can.
[0015]
That is, in the third step, the adhesive film can be stuck to the adhesive layer of the dicing tape with slight adhesiveness. In the fourth, fifth and sixth steps in which vacuum suction is performed, the adhesive force between the dicing tape and the adhesive film is increased by the vacuum suction, so that the adhesive film can be suitably fixed by the dicing tape and the semiconductor film can be fixed by the adhesive film. The wafer can be fixed properly. Further, in the fourth step, by pressing the semiconductor wafer against the adhesive film, the adhesion between the two is further increased. In the fifth step, the adhesive force between the back surface of the semiconductor wafer and the adhesive film and the adhesive force between the adhesive film and the dicing tape are more than the adhesive force between the front surface of the semiconductor wafer and the protective tape. Is large, so that only the protective tape can be suitably peeled off. In the sixth step, the semiconductor wafer and the adhesive film stably fixed on the dicing tape can be diced together and divided into semiconductor chips. Thereby, the adhesive film can be divided into a shape and a size corresponding to the semiconductor chip size. Further, in the seventh step, by releasing the vacuum suction, the adhesive force between the dicing tape and the adhesive film returns to the original slight adhesiveness, so that the semiconductor chip with the adhesive film can be suitably picked up from the dicing tape and transported. . At this time, the adhesive force of the divided adhesive film is larger than the adhesive force between the hard and mirror-finished dicing tape and the surface of the dicing tape having fine irregularities. . Therefore, peeling occurs between the adhesive film and the dicing tape surface, and the divided adhesive film is picked up along with the semiconductor chip.
[0016]
In the third step, the adhesive film may be pressed against the surface of the dicing tape by a pressing member. With such a configuration, air bubbles can be prevented from entering between the adhesive film and the surface of the dicing tape, and both can be brought into close contact with each other.
[0017]
Further, the dicing tape may be configured such that a silicone adhesive is applied to a substrate made of at least one of polyethylene terephthalate, polyolefin and polyvinyl chloride. With this configuration, it is possible to provide a dicing tape that can suitably implement the method of manufacturing a semiconductor chip.
[0018]
Further, the adhesive film may be a film made of a silicone material. With this configuration, it is possible to provide an adhesive film that can suitably implement the method for manufacturing a semiconductor chip.
[0019]
According to another embodiment of the present invention, there is provided a first step of attaching a protective tape to a front surface of a semiconductor wafer; a second step of grinding a back surface of the semiconductor wafer; A third step of attaching an adhesive film made of at least an elastomer resin to the back surface of the semiconductor wafer; and a dicing tape having at least an adhesive layer made of an elastomer resin on the front surface side while vacuum-sucking the back surface of the semiconductor wafer. A fourth step of pressing the adhesive film stuck on the back surface onto the surface of the dicing tape and sticking; and a fifth step of peeling off the protective tape from the surface of the semiconductor wafer while performing vacuum suction; Dicing the semiconductor wafer and the adhesive film attached to the back of the semiconductor wafer while performing vacuum suction, with the adhesive film A sixth step of dividing the semiconductor chip into conductive chips; and a seventh step of releasing vacuum suction and picking up the semiconductor chip with the adhesive film from the surface of the dicing tape. A manufacturing method is provided.
[0020]
With this configuration, in the third step, the adhesive film is first attached to the back surface of the semiconductor wafer, and then in the fourth step, the adhesive film and the semiconductor wafer can be attached to the dicing tape. Also according to this method, a semiconductor chip with an adhesive film can be suitably manufactured by the same operation as the above-described semiconductor chip manufacturing method.
[0021]
In the third step, the adhesive film may be pressed on the back surface of the semiconductor wafer by a pressing member. With this configuration, air bubbles can be prevented from entering between the adhesive film and the back surface of the semiconductor wafer, and both can be brought into close contact with each other.
[0022]
Further, the dicing tape may be configured such that a silicone adhesive is applied to a substrate made of at least one of polyethylene terephthalate, polyolefin and polyvinyl chloride. Further, the adhesive film may be a film made of a silicone material.
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this specification and the drawings, components having substantially the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[0024]
(First Embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment of the present invention will be described.
[0025]
First, the configuration of a dicing tape used in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 1A and 1B are a perspective view and a partially enlarged cross-sectional view showing a dicing tape 10 according to the present embodiment.
[0026]
As shown in FIG. 1A, the dicing tape 10 is, for example, a thin rubber-like adhesive sheet having a substantially disk shape. The dicing tape 10 is attached to the back surface of a semiconductor wafer or the like when dicing a semiconductor wafer or the like, for example, and has a function of fixing the semiconductor wafer. As shown in FIG. 1B, the dicing tape 10 includes, for example, a base material 10b and an adhesive layer 10a made of an elastomer resin applied on the surface of the base material 10b.
[0027]
The base material 10b is made of, for example, a synthetic resin material such as PET (polyethylene terephthalate), polyolefin, or polyvinyl chloride. Among them, for example, polyolefin is preferable as the material of the base material 10b because of its excellent flexibility and extensibility. The thickness of the substrate 10b is, for example, 50 to 150 μm.
[0028]
The adhesive layer 10a is an adhesive layer formed on the surface side of the dicing tape 10, and has a function of fixing a semiconductor wafer or the like. Conventionally, an acrylic adhesive or the like has been mainly used as the adhesive layer 10a of the dicing tape 10, but in the present embodiment, an adhesive made of an elastomer resin or the like having slight adhesiveness is used. The point is characteristic.
[0029]
This elastomer resin is a general term for rubber-like elastic bodies, and is a polymer compound having remarkable elasticity represented by natural rubber, synthetic rubber and the like. In the present embodiment, for example, a silicone pressure-sensitive adhesive, which is a pressure-sensitive adhesive made of a silicone resin, is employed as the pressure-sensitive adhesive made of the elastomer resin. This silicone pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive having a slight tackiness, and the pressure-sensitive adhesive layer 10a is formed by, for example, applying the silicone pressure-sensitive adhesive on the surface of the substrate 10b. The pressure-sensitive adhesive layer 10a made of such a silicone pressure-sensitive adhesive has a thickness of, for example, 25 to 500 μm and a rubber hardness of, for example, 10 to 100 °. Further, the surface of the adhesive layer 10a is not limited to, for example, a smooth surface, and may have a basis weight such as a dot shape, a lattice shape, or a stripe shape.
[0030]
Next, the operation of the dicing tape 10 configured as described above will be described. In the following, the surface of the dicing tape 10 on the side of the adhesive layer 10a (front side) is referred to as the front surface, and the surface of the dicing tape 10 on the side of the base material 10b (back side) is referred to as the back surface.
[0031]
As described above, since the adhesive layer 10a is made of, for example, a silicone adhesive, the dicing tape 10 has a slightly adhesive surface and a relatively high hardness. For this reason, the dicing tape 10 is suitable for temporary bonding as an adhesive tape having relatively low adhesive strength. Therefore, when the object adhered to the surface of the dicing tape 10 is peeled off, it can be easily peeled off as compared with a general adhesive tape having a high adhesive strength.
[0032]
Furthermore, the diligent efforts of the inventor of the present application have revealed that such a dicing tape 10 has a characteristic that it has a slight adhesiveness at normal times, but has an adhesive force (adhesive force) when vacuum suction is performed. Here, the term "adhesive force" means a force of the dicing tape 10 for attracting and sticking the attached object, and includes a small adhesive force originally possessed.
[0033]
The reason why such characteristics are obtained is not clear, but it is considered that the adhesion force of the adhesive layer 10a made of an elastomer resin depends on the contact area between the adhesive layer 10a and the object. That is, a plurality of minute irregularities exist on the surface of the adhesive layer 10a. If the dicing tape 10 is vacuum-suctioned and fixed from the back side by, for example, a vacuum chuck, the surface of the dicing tape 10 is pulled and the irregularities are reduced. Become. Thereby, the contact area between the adhesive layer 10a and the target increases, and it is considered that the adhesion of the adhesive layer 10a also increases.
[0034]
As described above, the dicing tape 10 made of an elastomer resin or the like has a characteristic that the adhesion of the adhesive layer 10a increases when vacuum-adsorbed, and the adhesive returns to the original slight adhesiveness when the vacuum is released. The method of manufacturing a semiconductor chip described below uses an adhesive film such as a die attach film on the back surface of a semiconductor wafer by utilizing the characteristics of the dicing tape 10, and then dicing the semiconductor wafer and the adhesive film simultaneously. By doing so, a method of suitably manufacturing a semiconductor chip with an adhesive for die bonding is realized.
[0035]
Next, a method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment. 3 to 5 and FIG. 7 are process explanatory views of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment. FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view showing the semiconductor wafer diced in the dicing step in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment.
[0036]
As shown in FIG. 2, first, in step S100, the protective tape 10 is attached to the surface of the semiconductor wafer 30 (step S100: first step). As shown in FIG. 3A, the semiconductor wafer 30 according to the present embodiment is, for example, a silicon wafer having a substantially disk shape, and has an outer diameter of, for example, 8 inches and a thickness of, for example. For example, it is about 150 μm. A circuit (semiconductor element) 32 is formed on the surface of the semiconductor wafer 30 in a wafer processing step or the like which is a previous step. In the following, the front surface of the semiconductor wafer 30 refers to the surface on which the circuit 32 is formed, and the back surface of the semiconductor wafer 30 refers to the surface opposite to the front surface. Further, the definition of the front surface and the back surface of the semiconductor chip formed by cutting the semiconductor wafer 30 is the same.
[0037]
In this step, the protective tape 20 is attached to the surface of the semiconductor wafer 30. The protective tape 20 is an adhesive tape for fixing the semiconductor wafer 30 and protecting the surface of the semiconductor wafer 30 at the time of grinding the back surface, and is, for example, a UV (ultraviolet) curing type grinding tape. The protective tape 20 is formed by applying, for example, an acrylic adhesive (thickness of, for example, 20 μm) to a base material (thickness of, for example, 110 μm) of polyolefin or the like, and has a property of decreasing adhesive strength by UV irradiation. . The adhesive force of the protective tape 20 is, for example, 2.06 N / 25 mm before UV irradiation and 0.05 N / 25 mm after UV irradiation.
[0038]
Next, in step S102, the back surface of the semiconductor wafer 30 is ground (step S102: second step). Specifically, as shown in FIG. 3B, the entire back surface of the semiconductor wafer 30 is ground using a grinder 16 provided with a grinding wheel 15 rotating at a high speed. At this time, since the surface of the semiconductor wafer 30 is protected by the protective tape 20, it is possible to prevent the circuit 12 from being damaged by contact with grinding chips or a grinding table (not shown).
[0039]
By such back grinding, as shown in FIG. 3C, the semiconductor wafer 30 can be thinned to, for example, about 50 μm. Such an extremely thin semiconductor wafer 30 is fixed on the protective tape 20 on the surface side on which the circuit 32 is formed. Further, after the back surface grinding as described above, for example, the protective tape 20 is irradiated with UV light so as to reduce the adhesive force of the protective tape 20 so that the protective tape 20 can be easily separated from the semiconductor wafer 30 in a later process. Keep it.
[0040]
Further, in step S104, the die attach film 40 is attached to the surface of the dicing tape 10 (step S104: third step). Specifically, as shown in FIG. 4A, first, the dicing tape 10 attached to the wafer ring 7 is placed on the chuck table 3 with the adhesive layer 10a side (front side) facing upward, for example. Is placed. The chuck table 3 is, for example, a vacuum chuck made of a porous ceramic material or the like having a plurality of fine holes, and an object placed on the upper surface is evacuated from a lower portion by, for example, a vacuum pump or the like. Can be vacuum-adsorbed.
[0041]
Next, the die attach film 40 is attached to the surface of the dicing tape 10 thus placed. The die attach film 40 (Die Attach Film) is a film-like adhesive for die-bonding the semiconductor chip to a lead frame or the like, and is configured as the adhesive film according to the present embodiment. In this embodiment, the die attach film 40 is formed as a film made of, for example, a silicone material (having a thickness of, for example, 25 to 175 μm). However, the present invention is not limited to this example. Good. The surface of the die attach film 40 (the surface on the side attached to the semiconductor wafer 30) is, for example, a mirror surface, and the shape of the back surface (the surface on the side attached to the dicing tape 10) is, for example, a plain fabric. .
[0042]
Further, when attaching the die attach film 40 to the surface of the dicing tape 10, for example, as shown in FIG. Is preferably crimped. Thereby, air bubbles are not included between the dicing tape 10 and the die attach film 40, so that the adhesion between the two can be improved.
[0043]
Thereafter, in step S106, the dicing tape 10 is vacuum-sucked from the back side (step S106). Specifically, by applying a negative pressure (for example, −50 to −150 kPa) to the chuck table 3, the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed from the back side and fixed on the chuck table 3. Note that, for example, the process of attaching the die attach film 40 to the surface of the dicing tape 10 in the above step S104 may be performed while performing such vacuum suction of the dicing tape 10.
[0044]
Next, in step S108, the back surface of the semiconductor wafer 30 is pressed and stuck on the die attach film 40 stuck on the dicing tape 10 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S108: Step 4). The front surface of the semiconductor wafer 30 that has been ground in step S <b> 102 is adhered to the protective tape 20. In this step, as shown in FIG. 4B, while the chuck table 3 is evacuated and the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed from the back surface side, the back surface of the back-ground semiconductor wafer 30 is attached to the die attach film 40. Affixed to the surface of
[0045]
Further, at the time of such attachment, for example, it is preferable to press the semiconductor wafer 30 with a pressing member 5 such as a roller from above. As a result, the back surface of the semiconductor wafer 30 and the surface of the die attach film 40, and the back surface of the die attach film 40 and the surface of the dicing tape 10 can be brought into close contact with each other, and air bubbles enter between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40. You can not.
[0046]
According to the above-described bonding method, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40, and the die attach film 40 and the dicing tape 10 have, for example, adhesive strength nearly ten times that in a normal state. Therefore, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 can be bonded as strongly as in the case of thermocompression bonding.
[0047]
Here, the principle that the adhesive strength of the dicing tape 10 and the like increases will be described in more detail. As described above, the adhesive layer 10a of the dicing tape 10 is made of an elastomer resin such as a silicone adhesive. Therefore, when the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed, the adhesive force of the adhesive layer 10a is greatly increased according to the principle described above. Accordingly, in this step, the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed from the back side, so that the adhesive force of the dicing tape 10 is increased as compared with the normal state, and the force of the dicing tape 10 attracting the die attach film 40 is greatly increased. It will be.
[0048]
The reason why the vacuum suction of the dicing tape 10 as described above also increases the adhesive force between the die attach film 40 and the back surface of the semiconductor wafer 30 is not clear, but is not based on the following principle. It is speculated that there is not. That is, the die attach film 40 according to the present embodiment is, for example, a film made of a silicone material, which is the same elastomer resin as the adhesive layer 10a of the dicing tape 10, and has a small thickness. For this reason, unevenness similar to the surface of the dicing tape 10 also appears on the surface of the die attach film 40, and the unevenness is pulled by vacuum suction through the dicing tape 10, and the surface of the die attach film 40 is It is considered that the contact area with the back surface of the semiconductor wafer 30 is increased, and the adhesion between them is increased.
[0049]
As described above, while the dicing tape 10 is being vacuum-sucked from the back side, the back surface of the semiconductor wafer 30 is pressed against and adhered to the die attach film 40 attached to the dicing tape 10, thereby forming the semiconductor wafer 30 and the die. The touch film 40 and the dicing tape 10 come into close contact with each other and can be attracted to each other with a strong adhesive force. As a result, in the state where the vacuum suction is maintained, both the adhesive force between the dicing tape 10 and the die attach film 40 and the adhesive force between the die attach film 40 and the semiconductor wafer 30 are reduced by the protective tape 20. And the surface of the semiconductor wafer 30.
[0050]
Further, in step S110, the protective tape 20 is peeled off from the surface of the semiconductor wafer 30 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S110: fifth step). Specifically, as shown in FIG. 5A, the protective tape 20 is peeled from the surface of the semiconductor wafer 30 by, for example, pulling the protective tape 20 in a substantially horizontal direction using a peeling tape 8 or the like. Is done.
[0051]
At this time, since the vacuum suction of the dicing tape 10 is maintained, the adhesive force between the dicing tape 10 and the die attach film 40 and the adhesive force between the die attach film 40 and the semiconductor wafer 30 as described above. Each of the forces exceeds the adhesive force between the semiconductor wafer 30 and the protective tape 20. Therefore, only the protective tape 20 can be suitably peeled from the surface of the semiconductor wafer 30 without the die attach film 40 peeling off the dicing tape 10 or the back surface of the semiconductor wafer 30 peeling off the die attach film 40. it can.
[0052]
Further, since the protective tape 20 is peeled while being pulled in a substantially horizontal direction, the force acting on the semiconductor wafer 30 in a substantially vertical direction can be reduced. Peeling from the touch film 40 or the like can be prevented.
[0053]
Thereafter, in step S112, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 are simultaneously diced while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S112: sixth step). Specifically, first, the semiconductor wafer 30 from which the protective tape 20 has been peeled off in step S110 is placed on, for example, a chuck table 3 of a dicing apparatus in a state where the semiconductor wafer 30 is still attached to the dicing tape 10. Next, as shown in FIG. 5A, for example, a cutting blade 22 that rotates at a high speed is cut into the semiconductor wafer 30 and cut along the street between the circuits 32 to form an extremely thin kerf (cut groove). Repeat to do. Thereby, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 can be cut (ie, diced) in, for example, a lattice shape.
[0054]
In such dicing, the cutting depth of the cutting blade 22 is adjusted so as to penetrate the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 and cut slightly into the dicing tape 10. More specifically, the cutting depth of the cutting blade 22 may reach the base material 10b of the dicing tape 10 as shown in FIG. 6A, for example, or FIG. As shown in ()), the dicing tape 10 may reach the adhesive layer 10a. By securing a sufficient cutting depth in this way, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 can be completely cut in substantially the same shape.
[0055]
Further, when performing the above dicing process, since the vacuum suction of the dicing tape 10 is performed by the chuck table 3, the semiconductor wafer 30 is firmly fixed to the dicing table 10 via the die attach film 40. . Therefore, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 can be stably cut.
[0056]
As described above, by dicing the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 at the same time, the semiconductor wafer 30 is divided into a plurality of semiconductor chips 34 and the die attach film 40 attached to the back surface of the semiconductor wafer 30. Is also divided into a plurality of adhesive film pieces according to the shape of the semiconductor chip. As a result, a plurality of semiconductor chips with an adhesive film are completed on the dicing tape. In addition, the semiconductor chip 34 with the adhesive film means the semiconductor chip 34 on which the divided die attach film 40 (adhesive film piece) is attached on the back surface.
[0057]
Next, in step S114, the vacuum suction of the dicing tape 10 is released (step S114). The evacuation of the chuck table 3 is stopped, and the vacuum suction of the dicing tape 10 is released. As a result, the adhesive strength of the dicing tape 10 and the die attach film 40 returns to the normal slight adhesiveness.
[0058]
Further, in step S116, the semiconductor chip 34 with the adhesive film is picked up from the dicing tape 10 (step S116: seventh step). More specifically, as shown in FIG. 7, for example, by using a pickup means 9 such as a pickup jig, suction is performed from above to cause separation between the divided die attach film 40 and the dicing tape 10. Then, the semiconductor chip 34 with the adhesive film is picked up.
[0059]
At the time of such pickup, as described above, since the vacuum suction of the dicing tape 10 has been released, the adhesive strength of the dicing tape 10 and the die attach film 40 has returned to a slight adhesiveness. Further, in this state, the adhesive force between the surface of the die attach film 40 and the back surface of the semiconductor chip 34 is slightly larger than the adhesive force between the surface of the dicing tape 10 and the back surface of the die attach film 40. This is because, for example, between the die attach film 40 and the semiconductor chip 34, the surface of the die attach film 40 that is a mirror surface is relatively strongly adhered to the back surface of the semiconductor chip 34 that is a hard flat surface. Between the die attach film 40 and the dicing tape 10, since both are soft members and have irregularities on the surface, the back surface of the die attach film 40 is relatively easily peeled off from the surface of the dicing tape 10. is there.
[0060]
Therefore, when the semiconductor chip 34 is picked up, peeling occurs not between the die attach film 40 and the back surface of the semiconductor chip 34 but between the die attach film 40 and the surface of the dicing tape 10. Therefore, in this step, the semiconductor chip 34 can be easily picked up from the dicing tape 10 together with the divided die attach film 40.
[0061]
The semiconductor chip 34 with the adhesive film picked up in this manner is mounted on a substrate (not shown) such as a lead frame in a subsequent die bonding step, and is thermocompression-bonded. At this time, a piece of the die attach film 40 attached to the back surface of the semiconductor chip 34 functions as a die bonding material.
[0062]
(Second embodiment)
Next, a method for manufacturing a semiconductor chip according to a second embodiment of the present invention will be described. The method for manufacturing a semiconductor chip according to the second embodiment differs from the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment in that the die attach film 40 is first attached to the semiconductor wafer 30 and then these are attached. The only difference is that they are affixed together to the dicing tape 10, and the other functional configurations are substantially the same as those in the first embodiment. The protective tape 20, the dicing tape 10, the die attach film 40, the semiconductor wafer 30, and the like used in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the second embodiment are also substantially the same as those in the first embodiment. The description is omitted.
[0063]
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor chip according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a flowchart illustrating the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment. FIG. 9 is a process explanatory diagram of the semiconductor chip manufacturing method according to the present embodiment.
[0064]
As shown in FIG. 2, first, in step S200, a protective tape is attached to the surface of the semiconductor wafer 30 (step S200: first step). Next, in step S202, the back surface of the semiconductor wafer 30 is ground (step S202: second step). Steps S200 and S202 up to this point are substantially the same as steps S100 and S102 in the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.
[0065]
Further, in step S204, the die attach film 40 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 30 (step S204: third step). Specifically, as shown in FIG. 9A, the die attach film 40 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 30 on which the protective tape 20 is attached. At this time, for example, it is preferable that the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 are pressed by pressing the die attach film 40 with a pressing member 5 such as a roller. Thereby, air bubbles are not included between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40, and the adhesion between the two can be improved.
[0066]
Thereafter, in step S206, the dicing tape 10 is vacuum-sucked from the back side (step S206). Specifically, first, the dicing tape 10 affixed to the wafer ring 7 is placed on the chuck table 3 as described above, for example, with the adhesive layer 10a side (front side) facing upward. Next, by applying a negative pressure to the chuck table 3 by a vacuum pump or the like, the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed from the back side and fixed on the chuck table 3.
[0067]
Next, in step S208, the die attach film 40 attached to the back surface of the semiconductor wafer 30 is pressed and attached to the surface of the dicing tape 10 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S208: fourth step). ). Specifically, as shown in FIG. 9B, the semiconductor wafer 30 and the die attach film bonded in step S204 are evacuated while the chuck table 3 is evacuated and the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed from the back side. 40 are both mounted on the dicing tape 10. Thereby, the back surface of the die attach film 40 and the front surface of the dicing tape 10 are attached.
[0068]
Further, at the time of such attachment, for example, as shown in FIG. 4B, it is preferable to press the semiconductor wafer 30 from above on the pressing member 5 such as a roller. As a result, the back surface of the semiconductor wafer 30 and the surface of the die attach film 40, and the back surface of the die attach film 40 and the surface of the dicing tape 10 can be brought into close contact with each other, and air bubbles enter between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40. You can not.
[0069]
According to the above-described bonding method, the adhesion between the die attach film 40 and the dicing tape 10 is increased on the same principle as in the first embodiment, and the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 and the die attach film 40 are attached. And the dicing tape 10 can be attached with, for example, an adhesive strength nearly ten times that of a normal case.
[0070]
Further, in step S210, the protection tape 20 is peeled off from the surface of the semiconductor wafer 30 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S210: fifth step). Thereafter, in step S212, the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 are simultaneously diced while the dicing tape 10 is vacuum-sucked (step S212: sixth step). Next, in step S214, the vacuum suction of the dicing tape 10 is released (step S214). Further, in step S216, the semiconductor chip 34 with the adhesive film is picked up from the dicing tape 10 (step S216: seventh step). Steps S210 to S216 as described above are substantially the same as steps S110 to S116 in the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.
[0071]
The method of manufacturing the semiconductor chip according to the first and second embodiments has been described above in detail. According to the method for manufacturing a semiconductor chip, the dicing tape 10 having the adhesive layer 10a made of an elastomer resin is used, so that the die attach film 40 can be appropriately attached to the back surface of the semiconductor wafer 30 without thermocompression bonding. By dicing the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 at the same time, the semiconductor chip 34 with the adhesive film can be easily manufactured.
[0072]
That is, according to the method of manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, it is not necessary to perform thermocompression bonding when attaching the die attach film 40 to the back surface of the semiconductor wafer 30. For this reason, the die attach film 40 can be easily and suitably stuck to the back surface of the semiconductor wafer 30 without deteriorating the protective tape 20 by heating. Therefore, the protection tape 20 attached to the surface of the semiconductor wafer 30 is melted or the adhesive of the protection tape 20 is adhered to the surface of the semiconductor wafer 30 due to the thermocompression bonding of the die attach film 40 as in the related art. It does not remain. Therefore, the quality and yield of the manufactured semiconductor chip 34 with an adhesive film can be improved.
[0073]
Further, according to the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, it is not necessary to peel off the protective tape 20 before attaching the die attach film 40 to the semiconductor wafer 30. For this reason, it is not necessary to replace the support member or the like many times, as in a method of peeling the protective tape 20 from the semiconductor wafer 30 in advance and pasting the die attach film 40. Therefore, the work of attaching the die attach film 40 can be performed quickly and easily, and the productivity can be improved.
[0074]
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, the dicing tape 10 is vacuum-adsorbed, so that the dicing tape 10 and the die attach film 40 and the die attach film 40 and the semiconductor wafer 30 are temporarily attached. ， Can be bonded with strong adhesive strength. Therefore, by maintaining the vacuum suction, the protective tape 20 can be easily peeled off from the surface of the semiconductor wafer 30, and the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 can be fixed and suitably diced. Further, only by releasing the vacuum suction, the adhesive force of the dicing tape 10 is reduced, and the semiconductor chip 34 with the adhesive film can be suitably picked up.
[0075]
The semiconductor chip with the adhesive film manufactured as described above is mounted on a substrate such as a lead frame by thermocompression bonding. Therefore, the heating process of the die attach film 40 is conventionally required twice, but in the present embodiment, only one time is required at the time of die bonding, so that the working efficiency is improved.
[0076]
Further, by dicing the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 at the same time, the semiconductor chip 34 with the adhesive film can be manufactured. For this reason, the shape and size of the die attach film 40 attached to the back surface of the semiconductor chip 34 are substantially the same as the shape and size of the semiconductor chip 34. No crawling to the side. Further, it is not necessary to perform a complicated operation of cutting out the die attach film 40 in accordance with the size of the semiconductor chip 34 and pasting the die attach film 40 as in the related art. For this reason, the bonding accuracy and productivity of the die attach film 40 can be significantly improved.
[0077]
As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, after the die attach film 40 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 30 which has not been suitably realized in the past, the semiconductor wafer 30 and the die attach By dicing the film 40 and the film 40 at the same time, the semiconductor chip 34 with the adhesive film can be suitably manufactured.
[0078]
【Example】
Next, a description will be given of test results obtained by measuring the adhesive force between the dicing tape 10, the die attach film 40, and the semiconductor wafer 30 which are adhered to each other by the method for manufacturing a semiconductor chip according to the above embodiment.
[0079]
The conditions of the semiconductor wafer 30, the chuck table 3, the protective tape 20, the die attach film 40, the dicing tape 10 and the like used in the test are as shown in Table 1 below.
[0080]
[Table 1]

[0081]
Under the above conditions, (1) the adhesive force between the protective tape 20 and the surface of the semiconductor wafer 30, and (2) the adhesive force between the back surface of the semiconductor wafer 30 and the surface of the die attach film 40 (at the time of vacuum suction / release). (3) Adhesive force between the back surface of the die attach film 40 and the surface of the dicing tape 10 (during vacuum suction / release), (4) Adhesive force between the adhesive layer 10a of the dicing tape 10 and the substrate 10b. , Were measured. Table 2 shows a list of the test results.
[0082]
[Table 2]

[0083]
As shown in Table 2, (1) the adhesive strength between the protective tape 20 and the semiconductor wafer 30 after UV irradiation is 0.05 [N / 25 mm]. On the other hand, (2) the adhesive strength between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 during vacuum suction and (3) the adhesive strength between the die attach film 40 and the dicing tape 10 during vacuum suction are both 10 to 20. [N / 25 mm], which is very large, about 200 to 400 times that of (1).
[0084]
Therefore, when the protective tape 20 is peeled off from the surface of the semiconductor wafer 30 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked, the distance between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 or between the die attach film 40 and the dicing tape 10 is increased. Therefore, it can be said that the protective tape 20 can be suitably peeled without peeling.
[0085]
Further, (2) the adhesive force between the semiconductor wafer 30 and the die attach film 40 when the vacuum suction is released is as small as 0.1 to 0.5 [N / 25 mm]. On the other hand, (3) the adhesive strength between the die attach film 40 and the dicing tape 10 when the vacuum suction is released is as small as 0.01 to 0.05 [N / 25 mm]. It is about one in one.
[0086]
Therefore, when the semiconductor chip 34 is picked up from the dicing tape 10 by releasing the vacuum suction of the dicing tape 10, the die attach film 40 is removed before the separation occurs between the semiconductor chip 34 and the die attach film 40. It can be said that peeling occurs between the tape and the dicing tape 10. Therefore, it can be said that the semiconductor chip 34 to which the divided die attach film 40 has adhered can be easily picked up.
[0087]
In addition, the adhesive force of the above (2) and (3) at the time of vacuum suction is 100 to 2000 times as large as the adhesive force of the above (2) and (3) at the time of release of vacuum suction (ie, normal time). The degree is also large. Therefore, at the time of vacuum suction, the die attach film 40 and the semiconductor wafer 30 can be securely fixed on the dicing tape 10 and the die attach film 40 can be stuck to the semiconductor wafer 30 with the same adhesive force as thermocompression bonding. It can be said that it can be done.
[0088]
The above test results demonstrate that the method for manufacturing a semiconductor chip according to the above-described embodiment can be suitably realized by turning on / off the vacuum suction of the dicing tape 10.
[0089]
Although the preferred embodiments and examples of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person skilled in the art can conceive various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims, and those changes naturally fall within the technical scope of the present invention. It is understood to belong.
[0090]
For example, in the above embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 10a of the dicing tape 10 is made of a silicone pressure-sensitive adhesive, but the present invention is not limited to this example. The adhesive layer 10a is, for example, a rubber-based adhesive composed of various elastomer resins other than the silicone adhesive (for example, various elastomer resins are used as a base polymer, and a tackifier resin, a softener, an antioxidant, To which an agent or the like is added). At this time, various organic substances such as natural rubber, recycled rubber, synthetic rubber (ethylene propylene diene monomer (EPDM) resin, etc.), polyinbutylene, polyvinyl isobutyl ether, polyester, polyurethane and the like are used as the elastomer resin as the base polymer. Can be used.
[0091]
In the above embodiment, the dicing tape 10 has a two-layer structure including the adhesive layer 10a and the base material 10b, but the present invention is not limited to this example. For example, the base material 10b may not be necessarily provided, and the dicing tape 10 may be composed of only the adhesive layer 10a made of an elastomer resin. The dicing tape 10 may have a structure including, for example, three or more layers as long as the dicing tape 10 includes the adhesive layer 10a on the front surface side.
[0092]
In the above embodiment, the dicing tape 10 is manufactured by applying a silicone adhesive or the like on the base material 10b to form the adhesive layer 10a. However, the present invention is not limited to this example. For example, the dicing tape 10 is manufactured by forming the sheet-shaped adhesive layer 10a separately from the base material 10b using various types of elastomer resins and bonding the sheet-shaped adhesive layer 10a to the base material 10b. You may.
[0093]
Further, in the above embodiment, the die attach film 40 as the adhesive film is formed of a film made of a silicone material, but the present invention is not limited to this example. For example, the die attach film 40 may be made of various kinds of elastomer resins as described above.
[0094]
In the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment, the die attach film 40 is attached to the surface of the dicing tape 10 without performing vacuum suction of the dicing tape 10 in step S104 (see FIG. a)), the present invention is not limited to such an example. For example, in step S104, the die attach film 40 may be attached to the surface of the dicing tape 10 while the dicing tape 10 is vacuum-sucked from the back side.
[0095]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the semiconductor wafer and the die attach film can be suitably cut after the die attach film is suitably attached to the back surface of the semiconductor wafer without thermocompression bonding. . Thereby, a semiconductor chip with an adhesive film can be manufactured easily and with high precision.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are a perspective view and a partially enlarged sectional view showing a dicing tape according to a first embodiment.
FIG. 2 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment;
FIG. 3 is a process explanatory view of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment;
FIG. 4 is an explanatory view illustrating a step in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment;
FIG. 5 is an explanatory view illustrating a step in the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment;
FIGS. 6A and 6B are partially enlarged cross-sectional views showing a semiconductor wafer diced in a dicing step of the semiconductor chip manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 7 is a process explanatory view of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the first embodiment;
FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor chip according to a second embodiment.
FIG. 9 is a process explanatory view of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the second embodiment;
[Explanation of symbols]
3: Chuck table
5: Pressing member
9: Pickup means
10: Dicing tape
10a: adhesive layer
10b: base material
20: Protective tape
22: Cutting blade
30: semiconductor wafer
32: Circuit
34: Semiconductor chip
40: Die attach film

Claims

Attaching a protective tape to the surface of the semiconductor wafer, a first step;
Grinding a back surface of the semiconductor wafer, a second step;
A third step of attaching an adhesive film made of at least an elastomer resin to the surface of a dicing tape having an adhesive layer made of at least an elastomer resin on the surface side;
A fourth step of pressing and attaching the back surface of the semiconductor wafer to the adhesive film attached to the surface of the dicing tape while vacuum-sucking the dicing tape from the back side;
A fifth step of peeling the protective tape from the surface of the semiconductor wafer while performing the vacuum suction;
A sixth step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film affixed to the back surface of the semiconductor wafer to divide into semiconductor chips with an adhesive film while performing the vacuum suction;
Releasing the vacuum suction and picking up the semiconductor chip with the adhesive film from the surface of the dicing tape; a seventh step;
A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising:

The method according to claim 1, wherein in the third step, the adhesive film is pressed against a surface of the dicing tape by a pressing member.

Attaching a protective tape to the surface of the semiconductor wafer, a first step;
Grinding a back surface of the semiconductor wafer, a second step;
A third step of attaching an adhesive film made of at least an elastomer resin to the back surface of the semiconductor wafer;
The dicing tape having at least an adhesive layer made of an elastomer resin on the front surface side is vacuum-adsorbed from the back surface side, and the adhesive film stuck on the back surface of the semiconductor wafer is pressed and stuck on the front surface of the dicing tape. , A fourth step;
A fifth step of peeling the protective tape from the surface of the semiconductor wafer while performing the vacuum suction;
A sixth step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film affixed to the back surface of the semiconductor wafer to divide into semiconductor chips with an adhesive film while performing the vacuum suction;
Releasing the vacuum suction and picking up the semiconductor chip with the adhesive film from the surface of the dicing tape; a seventh step;
A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising:

4. The method according to claim 3, wherein in the third step, the adhesive film is pressed against a back surface of the semiconductor wafer by a pressing member.

5. The dicing tape according to claim 1, wherein the dicing tape is formed by applying a silicone adhesive to a base material made of at least one of polyethylene terephthalate, polyolefin and polyvinyl chloride. A method for manufacturing a semiconductor chip according to any one of the above.

6. The method according to claim 1, wherein the adhesive film is a film made of a silicone material.