JP3535924B2 - 発光素子用半導体及びその製造方法 - Google Patents
発光素子用半導体及びその製造方法Info
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- JP3535924B2 JP3535924B2 JP20655395A JP20655395A JP3535924B2 JP 3535924 B2 JP3535924 B2 JP 3535924B2 JP 20655395 A JP20655395 A JP 20655395A JP 20655395 A JP20655395 A JP 20655395A JP 3535924 B2 JP3535924 B2 JP 3535924B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード，
半導体レーザ等の発光素子の材料となる発光素子用半導
体及びその製造方法に関する。
半導体レーザ等の発光素子の材料となる発光素子用半導
体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】希土類元素を添加したIII-Ｖ族化合物半
導体は、発光素子への応用や発光メカニズムの解明のた
めに広く研究されている。なかでも、希土類元素として
エルビウム（Ｅｒ）を用いたものは、Ｅｒ3+の4f殻の4I
13/2→4I15/2による発光波長が石英系ファイバの最低損
失波長1.54μｍに一致するため、光通信用発光素子の材
料として大いに期待されている。
導体は、発光素子への応用や発光メカニズムの解明のた
めに広く研究されている。なかでも、希土類元素として
エルビウム（Ｅｒ）を用いたものは、Ｅｒ3+の4f殻の4I
13/2→4I15/2による発光波長が石英系ファイバの最低損
失波長1.54μｍに一致するため、光通信用発光素子の材
料として大いに期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バンド
ギャップの狭いIII-Ｖ族化合物半導体にエルビウムを添
加した場合、その狭いバンドギャップゆえに温度上昇に
伴い発光強度が大幅に低下するので、室温での発光は難
しい。そのため、バンドギャップの広いIII-Ｖ族化合物
半導体にエルビウムを添加する試みがなされているが、
現在まで十分な結果は得られていない。
ギャップの狭いIII-Ｖ族化合物半導体にエルビウムを添
加した場合、その狭いバンドギャップゆえに温度上昇に
伴い発光強度が大幅に低下するので、室温での発光は難
しい。そのため、バンドギャップの広いIII-Ｖ族化合物
半導体にエルビウムを添加する試みがなされているが、
現在まで十分な結果は得られていない。
【０００４】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、バンドギャッ
プの広いIII-Ｖ族化合物半導体にエルビウムを添加した
場合に十分な発光強度を達成し、これにより室温での使
用に好適な発光素子を実現できる発光素子用半導体及び
その製造方法を提供することにある。
プの広いIII-Ｖ族化合物半導体にエルビウムを添加した
場合に十分な発光強度を達成し、これにより室温での使
用に好適な発光素子を実現できる発光素子用半導体及び
その製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光素子用
半導体は、ガリウムリン（ＧａＰ）単結晶に，エルビウ
ム（Ｅｒ）及び窒素（Ｎ）からなる複合体を発光中心と
して含むことを特徴とするものである。本発明に係る発
光素子用半導体の製造方法は、本発明に係る発光素子用
半導体を製造する方法であって、前記エルビウム及び窒
素をイオン注入法により前記ガリウムリン単結晶に導入
した後、このガリウムリン単結晶にアニール（焼きなま
し）処理を施すことを特徴とするものである。
半導体は、ガリウムリン（ＧａＰ）単結晶に，エルビウ
ム（Ｅｒ）及び窒素（Ｎ）からなる複合体を発光中心と
して含むことを特徴とするものである。本発明に係る発
光素子用半導体の製造方法は、本発明に係る発光素子用
半導体を製造する方法であって、前記エルビウム及び窒
素をイオン注入法により前記ガリウムリン単結晶に導入
した後、このガリウムリン単結晶にアニール（焼きなま
し）処理を施すことを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に係る発光素子用半導体及
びその製造方法の一実施形態を、以下に説明する。
びその製造方法の一実施形態を、以下に説明する。
【０００７】本実施形態の発光素子用半導体は、図１に
示す工程図に従って製造した。まず、ガリウムリン単結
晶としてLEC undoped-GaP(100)基板（以下、「ＧａＰ基
板」と略称する。）を用意した。そして、ＧａＰ基板を
温度350 ℃に保ちながら、このＧａＰ基板にエルビウム
のイオンをドーズ量１×1013cm-2かつエネルギ１MeV で
イオン注入法により導入した（工程〔１〕）。このと
き、射影飛程（Ｒｐ），射影分散（ΔＲｐ）は、それぞ
れ229.3nm ，68.5nm程度となった。さらに、このＧａＰ
基板を温度350 ℃に保ちながら、このＧａＰ基板に窒素
のイオンをイオン注入法により導入した（工程
〔２〕）。このときは、ドーズ量を１×1013〜１×1016
cm-2の範囲で選択し、かつエルビウムと同じ射影飛程と
なるように、エネルギを100keVとした。最後に、イオン
注入後のＧａＰ基板に対して、アニール温度を600 〜11
00℃の範囲で選択し、アルゴン雰囲気中で10分間のアニ
ール処理を施した（工程〔３〕）。
示す工程図に従って製造した。まず、ガリウムリン単結
晶としてLEC undoped-GaP(100)基板（以下、「ＧａＰ基
板」と略称する。）を用意した。そして、ＧａＰ基板を
温度350 ℃に保ちながら、このＧａＰ基板にエルビウム
のイオンをドーズ量１×1013cm-2かつエネルギ１MeV で
イオン注入法により導入した（工程〔１〕）。このと
き、射影飛程（Ｒｐ），射影分散（ΔＲｐ）は、それぞ
れ229.3nm ，68.5nm程度となった。さらに、このＧａＰ
基板を温度350 ℃に保ちながら、このＧａＰ基板に窒素
のイオンをイオン注入法により導入した（工程
〔２〕）。このときは、ドーズ量を１×1013〜１×1016
cm-2の範囲で選択し、かつエルビウムと同じ射影飛程と
なるように、エネルギを100keVとした。最後に、イオン
注入後のＧａＰ基板に対して、アニール温度を600 〜11
00℃の範囲で選択し、アルゴン雰囲気中で10分間のアニ
ール処理を施した（工程〔３〕）。
【０００８】このようにして、窒素依存性及びアニール
温度依存性を調べるための試料を作製した。すなわち、
アニール温度を1000℃一定として、窒素のドーズ量に応
じて〔イ〕３×1015cm-2，〔ロ〕１×1015cm-2，〔ハ〕
１×1014cm-2，〔ニ〕１×1013cm-2の四種類の試料を作
製した。また、窒素のドーズ量を３×1015cm-2一定とし
て、アニール温度に応じて〔へ〕1000℃，〔ト〕900
℃，〔チ〕800 ℃，〔リ〕700 ℃の四種類の試料を作製
した。さらに、比較のために、〔ホ〕窒素なしかつアニ
ール温度を800 ℃とした試料も作製した。
温度依存性を調べるための試料を作製した。すなわち、
アニール温度を1000℃一定として、窒素のドーズ量に応
じて〔イ〕３×1015cm-2，〔ロ〕１×1015cm-2，〔ハ〕
１×1014cm-2，〔ニ〕１×1013cm-2の四種類の試料を作
製した。また、窒素のドーズ量を３×1015cm-2一定とし
て、アニール温度に応じて〔へ〕1000℃，〔ト〕900
℃，〔チ〕800 ℃，〔リ〕700 ℃の四種類の試料を作製
した。さらに、比較のために、〔ホ〕窒素なしかつアニ
ール温度を800 ℃とした試料も作製した。
【０００９】これらの試料についてフォトルミネッセン
ス（ＰＬ）法により評価した結果を、図２乃至図４に示
す。フォトルミネッセンス法は、アルゴンイオンレーザ
の波長457.9nm の光により試料を励起し、試料から発す
るＰＬ光を回折格子により分光し、液体窒素で冷却した
ゲルマニウムp-i-n ダイオードでＰＬスペクトルを受光
することにより行った。
ス（ＰＬ）法により評価した結果を、図２乃至図４に示
す。フォトルミネッセンス法は、アルゴンイオンレーザ
の波長457.9nm の光により試料を励起し、試料から発す
るＰＬ光を回折格子により分光し、液体窒素で冷却した
ゲルマニウムp-i-n ダイオードでＰＬスペクトルを受光
することにより行った。
【００１０】図２は、試料〔イ〕〜〔ニ〕すなわち窒素
依存性についての評価結果である。この図面から次のこ
とがわかる。(1)．窒素のドーズ量は、多いほどＰＬ強
度が高まる傾向がある。(2)．特に、試料〔イ〕は、窒
素なしの試料〔ホ〕に比べて、約８倍のＰＬ強度が得ら
れた。(3)．ドーズ量が１×1014cm-2（試料〔ハ〕）以
下では、エルビウム及び窒素が発光中心となりにくい。
(4)．図示しないが、窒素のドーズ量が５×1015cm-2以
上では、逆にＰＬ強度が低くなる傾向がある。(5)．し
たがって、窒素のドーズ量は、１×1015cm-2（試料
〔ロ〕）以上が好ましく、３×1015cm-2（試料〔イ〕）
以上がより好ましく、かつ、５×1015cm-2以下が好まし
い。(6)．ＰＬ強度のピークが生じる波長は、試料
〔ホ〕では1538.5nmであるのに対して、試料〔イ〕及び
〔ロ〕では1528.3nm，1540.7nm及び1554.7nmである。し
たがって、試料〔イ〕及び〔ロ〕では、エルビウム及び
窒素からなる効率的な新しい発光中心が形成されたこと
がわかる。
依存性についての評価結果である。この図面から次のこ
とがわかる。(1)．窒素のドーズ量は、多いほどＰＬ強
度が高まる傾向がある。(2)．特に、試料〔イ〕は、窒
素なしの試料〔ホ〕に比べて、約８倍のＰＬ強度が得ら
れた。(3)．ドーズ量が１×1014cm-2（試料〔ハ〕）以
下では、エルビウム及び窒素が発光中心となりにくい。
(4)．図示しないが、窒素のドーズ量が５×1015cm-2以
上では、逆にＰＬ強度が低くなる傾向がある。(5)．し
たがって、窒素のドーズ量は、１×1015cm-2（試料
〔ロ〕）以上が好ましく、３×1015cm-2（試料〔イ〕）
以上がより好ましく、かつ、５×1015cm-2以下が好まし
い。(6)．ＰＬ強度のピークが生じる波長は、試料
〔ホ〕では1538.5nmであるのに対して、試料〔イ〕及び
〔ロ〕では1528.3nm，1540.7nm及び1554.7nmである。し
たがって、試料〔イ〕及び〔ロ〕では、エルビウム及び
窒素からなる効率的な新しい発光中心が形成されたこと
がわかる。
【００１１】図３は試料〔ヘ〕〜〔リ〕すなわちアニー
ル温度依存性についての評価結果である。この図面から
次のことがわかる。(1)．アニール温度は、高いほどＰ
Ｌ強度が高まる傾向がある。(2)．特に、試料〔ヘ〕
は、窒素なしの試料〔ホ〕に比べて、約８倍のＰＬ強度
が得られた。(3)．アニール温度が800 ℃（試料
〔チ〕）以下では、エルビウム及び窒素が発光中心とな
りにくい。(4)．図示しないが、アニール温度が1100℃
以上では、逆にＰＬ強度が低くなる傾向がある。(5)．
したがって、アニール温度は、900 ℃（試料〔ト〕）以
上が好ましく、1000℃（試料〔ヘ〕）以上がより好まし
く、かつ、1100℃以下が好ましい。
ル温度依存性についての評価結果である。この図面から
次のことがわかる。(1)．アニール温度は、高いほどＰ
Ｌ強度が高まる傾向がある。(2)．特に、試料〔ヘ〕
は、窒素なしの試料〔ホ〕に比べて、約８倍のＰＬ強度
が得られた。(3)．アニール温度が800 ℃（試料
〔チ〕）以下では、エルビウム及び窒素が発光中心とな
りにくい。(4)．図示しないが、アニール温度が1100℃
以上では、逆にＰＬ強度が低くなる傾向がある。(5)．
したがって、アニール温度は、900 ℃（試料〔ト〕）以
上が好ましく、1000℃（試料〔ヘ〕）以上がより好まし
く、かつ、1100℃以下が好ましい。
【００１２】図３において、900 ℃（試料〔ト〕）以上
となると、スペクトルの形状が変わることから、エルビ
ウム及び窒素からなる効率的な新しい発光中心が形成さ
れることがわかる。ガリウムリン中の窒素は900 〜1000
℃においてリンと置換すること、及び、エルビウムと窒
素は1000℃付近で反応することから、この発光中心は、
Er-Nコンプレックス（complex ：複合体）と考えられ、
Ｎが捕獲した励起子の再結合エネルギを効率的に受け取
っているものと考えられる。
となると、スペクトルの形状が変わることから、エルビ
ウム及び窒素からなる効率的な新しい発光中心が形成さ
れることがわかる。ガリウムリン中の窒素は900 〜1000
℃においてリンと置換すること、及び、エルビウムと窒
素は1000℃付近で反応することから、この発光中心は、
Er-Nコンプレックス（complex ：複合体）と考えられ、
Ｎが捕獲した励起子の再結合エネルギを効率的に受け取
っているものと考えられる。
【００１３】図４は、試料〔イ〕及び〔ホ〕についての
ＰＬ強度積分値の測定温度依存性を示すグラフである。
ＰＬ強度積分値とは、ＰＬ強度を全波長に対して積分し
た値である。試料〔イ〕及び〔ホ〕ともに、室温（300
K）では20K に比べてＰＬ強度積分値が約１／５に低下
した。しかし、試料〔イ〕は、室温でも試料〔ホ〕の三
倍以上のＰＬ強度積分値を示した。
ＰＬ強度積分値の測定温度依存性を示すグラフである。
ＰＬ強度積分値とは、ＰＬ強度を全波長に対して積分し
た値である。試料〔イ〕及び〔ホ〕ともに、室温（300
K）では20K に比べてＰＬ強度積分値が約１／５に低下
した。しかし、試料〔イ〕は、室温でも試料〔ホ〕の三
倍以上のＰＬ強度積分値を示した。
【００１４】なお、本発明は、いうまでもないが、上記
実施形態に限定されるものではない。例えば、エルビウ
ムのイオンのドーズ量は、１×1013cm-2一定としたが、
これに限られるわけではない。すなわち、エルビウムの
イオンのドーズ量と窒素のイオンのドーズ量との比が１
対100 〜300 であればよい。その理由は、ガリウムリン
単結晶中にEr-Nコンプレックスを結晶性を損なわずに導
入できればよいからである。また、ガリウムリン単結晶
中に酸素，フッ素，水素等の軽元素を導入してもよい。
実施形態に限定されるものではない。例えば、エルビウ
ムのイオンのドーズ量は、１×1013cm-2一定としたが、
これに限られるわけではない。すなわち、エルビウムの
イオンのドーズ量と窒素のイオンのドーズ量との比が１
対100 〜300 であればよい。その理由は、ガリウムリン
単結晶中にEr-Nコンプレックスを結晶性を損なわずに導
入できればよいからである。また、ガリウムリン単結晶
中に酸素，フッ素，水素等の軽元素を導入してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る発光素子用半導体及びその
製造方法によれば、ガリウムリン単結晶に、エルビウム
及び窒素からなる複合体を発光中心として含ませたこと
により、従来の化合物半導体にエルビウムのみを含むも
のに比べて、ＰＬ強度を飛躍的に向上できる。したがっ
て、ガリウムリンのバンドギャップが広いことから、室
温でも高い発光効率を維持でき、これにより室温での使
用に好適な発光素子を実現できる。
製造方法によれば、ガリウムリン単結晶に、エルビウム
及び窒素からなる複合体を発光中心として含ませたこと
により、従来の化合物半導体にエルビウムのみを含むも
のに比べて、ＰＬ強度を飛躍的に向上できる。したがっ
て、ガリウムリンのバンドギャップが広いことから、室
温でも高い発光効率を維持でき、これにより室温での使
用に好適な発光素子を実現できる。
【図１】本発明に係る発光素子用半導体の製造方法の一
実施形態を示す工程図である。
実施形態を示す工程図である。
【図２】本発明に係る発光素子用半導体の一実施形態に
ついて窒素依存性を評価した結果を示すグラフである。
ついて窒素依存性を評価した結果を示すグラフである。
【図３】本発明に係る発光素子用半導体の一実施形態に
ついてアニール温度依存性を評価した結果を示すグラフ
である。
ついてアニール温度依存性を評価した結果を示すグラフ
である。
【図４】本発明に係る発光素子用半導体の一実施形態に
ついて測定温度依存性を評価した結果を示すグラフであ
る。
ついて測定温度依存性を評価した結果を示すグラフであ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−21510（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−146492（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−175592（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−233782（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−73788（ＪＰ，Ａ)
Ｎｕｃｌ Ｉｎｓｔｒｕｍ Ｍｅｔｈ
ｏｄｓ Ｐｈｙｓ Ｒｅｓ Ｓｅｃｔ
Ｂ，Ｖｏｌ．127／128（1997），ｐ.
541−544
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ガリウムリン単結晶に、エルビウム及び
窒素からなる複合体を発光中心として含むことを特徴と
する発光素子用半導体。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光素子用半導体を製造
する方法であって、前記エルビウム及び窒素をイオン注
入法により前記ガリウムリン単結晶に導入した後、この
ガリウムリン単結晶にアニール処理を施すことを特徴と
する発光素子用半導体の製造方法。 - 【請求項３】 前記エルビウムのイオンのドーズ量と前
記窒素のイオンのドーズ量との比が１対100 〜300 であ
ることを特徴とする請求項２記載の発光素子用半導体の
製造方法。 - 【請求項４】 前記エルビウムのイオンのドーズ量が約
１×1013cm-2であり、前記窒素のイオンのドーズ量が約
１×1015〜５×1015cm-2であり、前記アニール処理の温
度が約900 〜1100℃であることを特徴とする請求項２記
載の発光素子用半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20655395A JP3535924B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 発光素子用半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20655395A JP3535924B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 発光素子用半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936420A JPH0936420A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3535924B2 true JP3535924B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=16525303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20655395A Expired - Lifetime JP3535924B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 発光素子用半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535924B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095058B2 (en) * | 2003-03-21 | 2006-08-22 | Intel Corporation | System and method for an improved light-emitting device |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP20655395A patent/JP3535924B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｎｕｃｌ Ｉｎｓｔｒｕｍ Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｐｈｙｓ Ｒｅｓ Ｓｅｃｔ Ｂ，Ｖｏｌ．１２７／１２８（１９９７），ｐ．５４１−５４４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0936420A (ja) | 1997-02-07 |
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