JP3532186B2 - 半導体ウエハーの加工方法 - Google Patents
半導体ウエハーの加工方法Info
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Description
する工程において、ウエハープロセス終了後のウエハー
を切断分割（ダイシング）する際の半導体ウエハーの加
工方法に関するものである。
分割するダイシング加工を行うには、半導体ウエハーを
あらかじめ粘着テープ（ダイシングテープ）に貼り付け
て固定し、そのウエハーを回転丸刃により素子形状に沿
って切断し、その後一つ一つの素子を粘着テープ上より
ピックアップしてダイにマウントする、いわゆるダイレ
クトピックアップ方式がとられている。上記方式をとる
場合、ウエハーを固定するに際しては固定力（粘着力）
が強いことが要求され、逆にピックアップするに際して
は粘着力が弱いこと（易剥離性）が要求される。従来そ
のような要求に応えるために、紫外線（ＵＶ）、電離性
放射線、電子線等の照射により粘着剤層を硬化させるこ
とで粘着力を低下させる紫外線硬化型の粘着テープ（特
開平１−２７２１３号）や、粘着成分に水溶性ポリマー
を用いてダイシング後に温水で溶出するタイプの粘着テ
ープが提案されている。
の大口径・薄型化が世界的規模で進んでおり、最新の多
くのウエハーは外力によって破損しやすくなっている。
そのため、ダイシング時やピックアップ時にウエハーに
加わる負荷をいかに抑えるかがダイシングテープの新た
な課題となっている。例えば、ピックアップ時に完全に
粘着力がゼロになる粘着剤の開発が究極の目標となって
いる（「接着」第４３巻第１号，p.22-25，高分子刊行
会，1999）。本発明は、上記課題を大きく解決するもの
である。すなわち本発明の目的は、ダイシング後のピッ
クアップ時の剥離性を大きく向上させて行う半導体ウエ
ハーの加工方法を提供することにある。
の更に他の加工方法は、ガス発生剤を含む粘着剤によっ
てウエハーを固定することと、ウエハーをダイシングす
ることと、ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと
粘着剤との間に発生したガスによりウエハーを剥離させ
ることを特徴とする。本発明の半導体ウエハーの加工方
法は、可視光線、紫外線、エックス線等の電磁波または
電子線によってガスを発生するガス発生剤を含む粘着剤
によってウエハーを固定することと、ウエハーをダイシ
ングすることと、前記電磁波または電子線によってガス
発生剤からガスを発生してウエハーを剥離させることよ
りなる。本発明の半導体ウエハーの他の加工方法は、窒
素ガス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定する
ことと、ウエハーをダイシングすることと、ガス発生剤
から窒素ガスを発生してウエハーを剥離させることを特
徴とする。
械的・熱的負荷が加わらないように可視光線、紫外線、
エックス線等の電磁波または電子線によってガスを発生
するものが望ましい。かかるガス発生剤としては、アジ
ド基を有する化合物を含むものが好ましい。アジド基
は、光線特に紫外線等の電磁波を吸収すると、分解して
比較的安定な窒素分子をガスとして放出するからであ
る。すなわち、粘着剤としてアジド基を有する化合物を
含む場合には、紫外線照射により分解して窒素ガスを放
出し、ウエハーと粘着剤の間に放出された窒素ガスがウ
エハーと粘着剤の接触面積を減少させ、あるいはガス圧
により界面剥離を促すことにより粘着剤の易剥離性を大
幅に向上させることができるのである。
ソーダをはじめとし、具体的に化学式を特定する資料と
して、A. M. Helmy等が20th Joint Propulsion Confere
nce(Ohio, 1984)にて講演した標題「Investigation of
New Energetic Ingredient for Minimum Signature Pro
pellants」の紀要に記載されるアジド基含有化合物が知
られている。特に合成のしやすさ、取り扱い性（安全
性）等からメチルアジド（Methylazido）基を有する化
合物が好ましい。例えば、GAP（Glycidyl Azido Polyme
r）、AMMO（3-azidomethyl-3 methyloxetane)，BAMO
（3,3-bis azidomethyl oxetane)等が挙げられる。モノ
マーの状態でも、ポリマー化して用いてもよい。メチル
アジド基を有する化合物の紫外線による分解の機構は、
本発明者等が、取り扱い安全性の面で検討した結果を公
開している（「工業火薬」第５１巻第４号，p.240-24
5，1990）。
等の照射により粘着剤層が硬化する紫外線硬化型の粘着
剤を含むことが望ましい。前述したように、一般に紫外
線硬化型粘着剤は高い粘着力を有し、ダイシング後に紫
外線照射により硬化してウエハーと粘着テープとの粘着
力を低下させることができるからである。すなわち、本
発明の一実施態様においては、前記紫外線硬化型粘着剤
に対して更に紫外線照射によってガスを発生するガス発
生剤を含ませることにより、紫外線照射された際に内部
から分解ガスを発生させて、ウエハーと粘着剤間の接触
面積を減少させ、あるいはガス圧により飛躍的に易剥離
性を向上させるものである。
するアクリル系粘着剤、光重合性オリゴマーおよび光開
始剤をブレンドして調整されるが、紫外線硬化型粘着剤
にアジド基含有化合物等のガス発生剤を含ませる場合
は、その配合割合は、必要に応じて粘着力、易剥離性の
程度を考慮して決めればよい。粘着剤は、平板またはフ
ィルムを用いてシート状または巻き取り易いようにテー
プ状にされて提供されることが好ましい。粘着剤が紫外
線等の電磁波によってガスを発生するものである場合
は、平板またはフィルムは紫外線透過基材のものとする
ことが望ましい。
記したように電磁波等によってガスを発生させてウエハ
ーを剥離させるものであるが、従来用いられている紫外
線硬化型粘着テープで使用される装置をそのまま利用し
て実施できるなど利点が多い。以下に、本発明を実施例
によって更に具体的に説明する。本発明の効果を実証す
るために、以下３種の模擬的実験を実施した。すなわ
ち、ガス発生剤としてアジド基含有化合物を単独で用い
た場合、および、他の紫外線硬化型樹脂と併用した場合
の紫外線照射によるガス発生特性を実証した。
ポリマーを合成した。本ポリマーを薄く（約３ｍｍ）延
ばし、上部に顕微鏡用カバーガラス板（１８×１８ｍ
ｍ）を乗せ、上部から、紫外線照射（１１５V、６０H
z、０．１６A）を行った。その結果、ガラス板とポリマ
ーの間に窒素ガスと推定される気泡が多数発生すること
を確認した。
ー（分子量約２５００、両末端OH基含有）１００ｇにIP
DI（イソホロンジイソシアネート）を３．６ｇ、TPA−1
00（ヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト物；旭
化成工業株式会社製）を８．７ｇ入れ、均一混合した後
薄く延ばし、６０℃で加温して硬化させ、その状態でガ
ラス板を乗せて密着させた。その状態で紫外線を実施例
１と同様に照射し、状態を観察した結果、数分後、密着
面が内部から発生したガスにより剥がれて一部浮き上が
るような状態となった。
（感光性樹脂、カルボン酸変性したポリウレタン樹脂）
と１：１の割合で混合し、上記と同様に薄く延ばし、ガ
ラス板を置き、紫外線を照射した。その結果、ポリマー
の硬化中及び硬化後もガスの発生がみられた。その後、
太陽光に約３０分間さらした結果、ガラス板とポリマー
の一部剥離が観察され、手で力を加えると容易に外すこ
とができた。
（ポリプロピレングリコール）を用い、実施した。ガラ
ス板とポリマーは密着したまま硬化しており、ガラス板
を割ることなしに手で外すことはできそうにない状態で
あった。
ウェハーを固定するための粘着剤及びその粘着剤を用い
た半導体ウエハーの加工方法として、粘着剤にガス発生
剤を含ませることにより、半導体ウエハーを固定してダ
イシングして後、ウエハーを剥離させることを非常に容
易としたものである。特にガス発生剤としてアジド基を
有する化合物を含ませることにより、紫外線等を照射し
た場合に、単独の状態、硬化した状態、他物質との併用
の状態でもガスを放出し、ウエハーを剥離させることを
より容易としたものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハーの加工方法であって、ガ
ス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定すること
と、ウエハーをダイジングすることと、紫外線によって
ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと粘着剤との
間に発生したガスによりウエハーを剥離させることを特
徴とする半導体ウエハーの加工方法。 - 【請求項２】 ガス発生剤が、窒素ガス発生剤であり、
ガス発生剤から窒素ガスを発生してウエハーを剥離させ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハーの
加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004178A JP3532186B2 (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体ウエハーの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002004178A JP3532186B2 (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体ウエハーの加工方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013070A Division JP3526802B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 半導体ウエハー固定用の粘着剤ならびに加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237471A JP2002237471A (ja) | 2002-08-23 |
| JP3532186B2 true JP3532186B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=19190969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002004178A Expired - Lifetime JP3532186B2 (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体ウエハーの加工方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3532186B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN104520974B (zh) | 2012-08-10 | 2016-02-10 | 积水化学工业株式会社 | 晶片的处理方法 |
-
2002
- 2002-01-11 JP JP2002004178A patent/JP3532186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JP2002237471A (ja) | 2002-08-23 |
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