JP3526908B2 - 真空ポンプシステムおよび半導体単結晶引き上げ装置 - Google Patents
真空ポンプシステムおよび半導体単結晶引き上げ装置Info
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- B01D50/20—Combinations of devices covered by groups B01D45/00 and B01D46/00
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cyclones (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空状態を作りだすこ
とを目的とするポンプシステムに係り、詳しくは吸引す
る気体に含まれているダストを捕集する機能を備えた真
空ポンプシステムに関する。
とを目的とするポンプシステムに係り、詳しくは吸引す
る気体に含まれているダストを捕集する機能を備えた真
空ポンプシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】密閉容器内を低真空もしくは中真空の状
態に保つ手段として、各種の真空ポンプシステムが用い
られている。また、密閉容器から吸引する気体にダスト
が含まれている場合は、ダスト吸引による真空ポンプの
性能劣化ないし故障を防止するため、前記密閉容器から
真空ポンプに至る管路上にダストフィルタを設けて前記
ダストを捕集し、清浄な気体のみを真空ポンプに吸引さ
せるようにしている。
態に保つ手段として、各種の真空ポンプシステムが用い
られている。また、密閉容器から吸引する気体にダスト
が含まれている場合は、ダスト吸引による真空ポンプの
性能劣化ないし故障を防止するため、前記密閉容器から
真空ポンプに至る管路上にダストフィルタを設けて前記
ダストを捕集し、清浄な気体のみを真空ポンプに吸引さ
せるようにしている。
【０００３】図６は、上記真空ポンプシステムの一例と
して取り上げた半導体単結晶引き上げ装置の真空ポンプ
システムの回路図である。半導体素子の基板には主とし
て高純度のシリコン単結晶が用いられているが、前記シ
リコン単結晶の製造方法の一つにチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）がある。ＣＺ法においては、半導
体単結晶引き上げ装置の炉体内に設置した石英るつぼに
シリコン多結晶を充填し、前記石英るつぼの周囲に設け
たヒータによってシリコン多結晶を加熱溶解して融液と
した上、シードチャックに取り付けた種子結晶を前記融
液に浸漬し、シードチャックおよび石英るつぼを同方向
または逆方向に回転しつつシードチャックを引き上げて
シリコン単結晶を成長させる。石英るつぼに充填したシ
リコン多結晶が溶解すると、融液と石英るつぼとの反応
によりＳｉＯX が発生する。アモルファスのＳｉＯ
X （以下アモルファスシリコンという）が前記石英るつ
ぼの内面や引き上げ中の単結晶の表面、炉体の内壁など
に凝縮、付着し、これが融液に落下すると成長中の単結
晶に転位が発生して歩留りを悪化させる。この問題を解
決するため、半導体単結晶引き上げ装置の上部から高純
度の不活性ガスを導入し、炉体の底部または下部に接続
した管路から前記アモルファスシリコンを不活性ガスと
ともに炉外に排出している。
して取り上げた半導体単結晶引き上げ装置の真空ポンプ
システムの回路図である。半導体素子の基板には主とし
て高純度のシリコン単結晶が用いられているが、前記シ
リコン単結晶の製造方法の一つにチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）がある。ＣＺ法においては、半導
体単結晶引き上げ装置の炉体内に設置した石英るつぼに
シリコン多結晶を充填し、前記石英るつぼの周囲に設け
たヒータによってシリコン多結晶を加熱溶解して融液と
した上、シードチャックに取り付けた種子結晶を前記融
液に浸漬し、シードチャックおよび石英るつぼを同方向
または逆方向に回転しつつシードチャックを引き上げて
シリコン単結晶を成長させる。石英るつぼに充填したシ
リコン多結晶が溶解すると、融液と石英るつぼとの反応
によりＳｉＯX が発生する。アモルファスのＳｉＯ
X （以下アモルファスシリコンという）が前記石英るつ
ぼの内面や引き上げ中の単結晶の表面、炉体の内壁など
に凝縮、付着し、これが融液に落下すると成長中の単結
晶に転位が発生して歩留りを悪化させる。この問題を解
決するため、半導体単結晶引き上げ装置の上部から高純
度の不活性ガスを導入し、炉体の底部または下部に接続
した管路から前記アモルファスシリコンを不活性ガスと
ともに炉外に排出している。
【０００４】上記半導体単結晶引き上げ装置において、
メカニカルブースタおよび油回転ポンプを用いた真空ポ
ンプシステムで不活性ガスを吸引することによって、炉
内圧力を低真空もしくは中真空に保つことが一般的に行
われている。その際、アモルファスシリコンがメカニカ
ルブースタのロータに付着すると、このアモルファスシ
リコンがロータとケーシングとの隙間（０．１〜０．５
ｍｍ）に噛み込んでロータが停止してしまう。一方、油
回転ポンプにおいては、潤滑油に前記アモルファスシリ
コンが混入して潤滑油の粘性が上昇するため、ポンプ性
能を著しく低下させ、最後には油回転ポンプが停止す
る。
メカニカルブースタおよび油回転ポンプを用いた真空ポ
ンプシステムで不活性ガスを吸引することによって、炉
内圧力を低真空もしくは中真空に保つことが一般的に行
われている。その際、アモルファスシリコンがメカニカ
ルブースタのロータに付着すると、このアモルファスシ
リコンがロータとケーシングとの隙間（０．１〜０．５
ｍｍ）に噛み込んでロータが停止してしまう。一方、油
回転ポンプにおいては、潤滑油に前記アモルファスシリ
コンが混入して潤滑油の粘性が上昇するため、ポンプ性
能を著しく低下させ、最後には油回転ポンプが停止す
る。
【０００５】そこで、従来の半導体単結晶引き上げ装置
に用いられている真空ポンプシステムは、上記不具合の
発生を防止するため図６に示す構造としている。すなわ
ち、半導体単結晶引き上げ装置の炉体１から真空ポンプ
に至る管路２０に金網の多段織りなどで構成したダスト
フィルタ２１を取り付け、真空ポンプの機能を損なうア
モルファスシリコンを前記ダストフィルタ２１で除去し
た後、メカニカルブースタ９と油回転ポンプ２２とで吸
引することにしている。なお、４は手動開閉弁、５は緊
急用の自動開閉弁、６はベローズ式伸縮継手、７は自動
開閉弁、２３はオイルミストトラップである。
に用いられている真空ポンプシステムは、上記不具合の
発生を防止するため図６に示す構造としている。すなわ
ち、半導体単結晶引き上げ装置の炉体１から真空ポンプ
に至る管路２０に金網の多段織りなどで構成したダスト
フィルタ２１を取り付け、真空ポンプの機能を損なうア
モルファスシリコンを前記ダストフィルタ２１で除去し
た後、メカニカルブースタ９と油回転ポンプ２２とで吸
引することにしている。なお、４は手動開閉弁、５は緊
急用の自動開閉弁、６はベローズ式伸縮継手、７は自動
開閉弁、２３はオイルミストトラップである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アモル
ファスシリコンの微細粒子を確実に除去するためには、
ダストフィルタ２１の空隙率を低くしなければならず、
これによるダストフィルタ前後の差圧は大きなものとな
るため、真空ポンプの性能アップが必要となる。あるい
は、著しく大きな有効面積をもつダストフィルタを設置
して前記差圧を小さくする必要がある。いずれの場合
も、真空ポンプシステムの占有面積やコストの点から解
決困難な問題点である。
ファスシリコンの微細粒子を確実に除去するためには、
ダストフィルタ２１の空隙率を低くしなければならず、
これによるダストフィルタ前後の差圧は大きなものとな
るため、真空ポンプの性能アップが必要となる。あるい
は、著しく大きな有効面積をもつダストフィルタを設置
して前記差圧を小さくする必要がある。いずれの場合
も、真空ポンプシステムの占有面積やコストの点から解
決困難な問題点である。
【０００７】また、ダストフィルタに付着するアモルフ
ァスシリコンは、単結晶引き上げ時間に比例して前記ダ
ストフィルタに積層するので、ダストフィルタ前後の差
圧も経時的に上昇してしまう。その結果、単結晶のトッ
プ形成時からテール形成時までの間に炉内圧力がかなり
上昇し、単結晶の品質もトップからテールに至るまでの
間に変動を生じてしまうことになる。従って、炉内圧力
のより大きな上昇を防ぐには、１回の単結晶引き上げご
とにダストフィルタを交換するか、またはダストフィル
タを洗浄してアモルファスシリコンを除去しなければな
らない。従って、真空ポンプシステムのメインテナンス
に多大の工数を必要としている。
ァスシリコンは、単結晶引き上げ時間に比例して前記ダ
ストフィルタに積層するので、ダストフィルタ前後の差
圧も経時的に上昇してしまう。その結果、単結晶のトッ
プ形成時からテール形成時までの間に炉内圧力がかなり
上昇し、単結晶の品質もトップからテールに至るまでの
間に変動を生じてしまうことになる。従って、炉内圧力
のより大きな上昇を防ぐには、１回の単結晶引き上げご
とにダストフィルタを交換するか、またはダストフィル
タを洗浄してアモルファスシリコンを除去しなければな
らない。従って、真空ポンプシステムのメインテナンス
に多大の工数を必要としている。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、密閉容器から真空ポンプに至る管路の途中
においてダストの除去が可能で、密閉容器内の圧力を所
定の範囲に保持することができるとともに、メインテナ
ンス工数の低減が可能な真空ポンプシステムおよび真空
ポンプシステムの制御方法を提供することを目的として
いる。
れたもので、密閉容器から真空ポンプに至る管路の途中
においてダストの除去が可能で、密閉容器内の圧力を所
定の範囲に保持することができるとともに、メインテナ
ンス工数の低減が可能な真空ポンプシステムおよび真空
ポンプシステムの制御方法を提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第１の発明は、密閉容器と、該密閉容
器に管路を介して接続された真空ポンプとを有するポン
プシステムであって、前記密閉容器から真空ポンプに至
る前記管路上に遠心力集塵装置を設けたことを特徴とす
る真空ポンプシステムである。また、本出願に係る第２
の発明は、密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して接
続された真空ポンプとを有するポンプシステムであっ
て、前記主管路は、途中で分岐して第一の分岐管路およ
び第二の分岐管路を構成した後、再度合流する構造を成
し、前記第一の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、
前記第二の分岐管路上には遠心力集塵装置を設けてお
り、前記第一の分岐管路または前記第二の分岐管路を二
者択一的に選択して経由することを特徴とする真空ポン
プシステムである。更に、本出願に係る第３の発明は、
密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して接続された真
空ポンプとを有するポンプシステムであって、前記主管
路は、途中で分岐して第一の分岐管路および第二の分岐
管路を構成した後、再度合流する構造を成し、前記第一
の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、前記第二の分
岐管路上には遠心力集塵装置を設けており、前記金網捕
集式集塵装置または前記遠心力集塵装置を切り換えて用
いることを特徴とする真空ポンプシステムである。ま
た、本出願に係る第４の発明は、前記密閉容器には真空
計を設け、前記第一の分岐管路および前記第二の分岐管
路にはそれぞれ開閉弁を設け、前記真空計の出力信号に
基づいて前記開閉弁に指令信号を出力する制御装置を設
けたことを特徴とする第２または第３の発明に記載の真
空ポンプシステムである。更に、本出願に係る第５の発
明は、前記密閉容器内の圧力が所定圧に至るまでは、前
記制御装置によって第一の分岐管路を選択し、前記密閉
容器内の圧力が所定圧以下になったときは、前記制御装
置によって第二の分岐管路を選択することを特徴とする
第４の発明に記載の真空ポンプシステムである。また、
本出願に係る第６の発明は、前記真空計によって検出さ
れる密閉容器内の圧力が１００〜２００Ｔｏｒｒに至る
間は、前記制御装置によって、前記第二 の分岐管路に設
けた開閉弁を閉じ、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁
を開いて前記金網捕集式集塵装置による集塵を行い、前
記真空計によって検出される密閉容器内の圧力が１００
〜２００Ｔｏｒｒ以下になったときは、前記制御装置に
よって、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁を閉じ、前
記第二の分岐管路に設けた開閉弁を開いて前記遠心力集
塵装置による集塵を行うことを特徴とする第４の発明に
記載の真空ポンプシステムである。
め、本出願に係る第１の発明は、密閉容器と、該密閉容
器に管路を介して接続された真空ポンプとを有するポン
プシステムであって、前記密閉容器から真空ポンプに至
る前記管路上に遠心力集塵装置を設けたことを特徴とす
る真空ポンプシステムである。また、本出願に係る第２
の発明は、密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して接
続された真空ポンプとを有するポンプシステムであっ
て、前記主管路は、途中で分岐して第一の分岐管路およ
び第二の分岐管路を構成した後、再度合流する構造を成
し、前記第一の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、
前記第二の分岐管路上には遠心力集塵装置を設けてお
り、前記第一の分岐管路または前記第二の分岐管路を二
者択一的に選択して経由することを特徴とする真空ポン
プシステムである。更に、本出願に係る第３の発明は、
密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して接続された真
空ポンプとを有するポンプシステムであって、前記主管
路は、途中で分岐して第一の分岐管路および第二の分岐
管路を構成した後、再度合流する構造を成し、前記第一
の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、前記第二の分
岐管路上には遠心力集塵装置を設けており、前記金網捕
集式集塵装置または前記遠心力集塵装置を切り換えて用
いることを特徴とする真空ポンプシステムである。ま
た、本出願に係る第４の発明は、前記密閉容器には真空
計を設け、前記第一の分岐管路および前記第二の分岐管
路にはそれぞれ開閉弁を設け、前記真空計の出力信号に
基づいて前記開閉弁に指令信号を出力する制御装置を設
けたことを特徴とする第２または第３の発明に記載の真
空ポンプシステムである。更に、本出願に係る第５の発
明は、前記密閉容器内の圧力が所定圧に至るまでは、前
記制御装置によって第一の分岐管路を選択し、前記密閉
容器内の圧力が所定圧以下になったときは、前記制御装
置によって第二の分岐管路を選択することを特徴とする
第４の発明に記載の真空ポンプシステムである。また、
本出願に係る第６の発明は、前記真空計によって検出さ
れる密閉容器内の圧力が１００〜２００Ｔｏｒｒに至る
間は、前記制御装置によって、前記第二 の分岐管路に設
けた開閉弁を閉じ、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁
を開いて前記金網捕集式集塵装置による集塵を行い、前
記真空計によって検出される密閉容器内の圧力が１００
〜２００Ｔｏｒｒ以下になったときは、前記制御装置に
よって、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁を閉じ、前
記第二の分岐管路に設けた開閉弁を開いて前記遠心力集
塵装置による集塵を行うことを特徴とする第４の発明に
記載の真空ポンプシステムである。
【００１０】
【００１１】
【作用】上記構成によれば、密閉容器内を低真空もしく
は中真空にするため、前記密閉容器から真空ポンプに至
る管路上に遠心力集塵装置を設けることとし、具体的に
は、主管路上に遠心力集塵装置を、分岐管路上に金網捕
集式集塵装置をそれぞれ設け、制御装置によって作動す
る２個の自動開閉弁によって前記管路を切り換えること
にした。真空ポンプシステムの一例として取り上げた半
導体単結晶引き上げ装置の場合、炉体内の真空引き開始
から圧力が１００〜２００Ｔｏｒｒに下がるまでの間は
金網捕集式集塵装置でダストを捕集し、炉内圧力が更に
下がった後は遠心力集塵装置に切り換える。前記切り換
え後、アモルファスシリコンの粒子を含んだ不活性ガス
は遠心力集塵装置内で旋回し、その旋回径が排出部の口
径と同じか小さくなった時点で排出部から出ていく。そ
の際、アモルファスシリコンの粒子は前記不活性ガスの
旋回運動の間に分離され、粉塵堆積部に落下する。これ
により、不活性ガスからアモルファスシリコンを除去す
ることができ、従来のダストフィルタのように目詰まり
を起こすおそれがないので、炉内圧力を所定の範囲に保
持することができる。また、アモルファスシリコンの粒
子は前記粉塵堆積部下部に落下して堆積するので、取り
出しが容易であり、メインテナンスが簡素化される。
は中真空にするため、前記密閉容器から真空ポンプに至
る管路上に遠心力集塵装置を設けることとし、具体的に
は、主管路上に遠心力集塵装置を、分岐管路上に金網捕
集式集塵装置をそれぞれ設け、制御装置によって作動す
る２個の自動開閉弁によって前記管路を切り換えること
にした。真空ポンプシステムの一例として取り上げた半
導体単結晶引き上げ装置の場合、炉体内の真空引き開始
から圧力が１００〜２００Ｔｏｒｒに下がるまでの間は
金網捕集式集塵装置でダストを捕集し、炉内圧力が更に
下がった後は遠心力集塵装置に切り換える。前記切り換
え後、アモルファスシリコンの粒子を含んだ不活性ガス
は遠心力集塵装置内で旋回し、その旋回径が排出部の口
径と同じか小さくなった時点で排出部から出ていく。そ
の際、アモルファスシリコンの粒子は前記不活性ガスの
旋回運動の間に分離され、粉塵堆積部に落下する。これ
により、不活性ガスからアモルファスシリコンを除去す
ることができ、従来のダストフィルタのように目詰まり
を起こすおそれがないので、炉内圧力を所定の範囲に保
持することができる。また、アモルファスシリコンの粒
子は前記粉塵堆積部下部に落下して堆積するので、取り
出しが容易であり、メインテナンスが簡素化される。
【００１２】上記遠心力集塵装置は一般に常圧で使用さ
れているが、導入部における気体の流速を速くすること
が困難であるため、捕集限界粒子径が大きく、かつ高濃
度に粒子を含んだ気体でないと除去効率が悪いという欠
点を持っている。しかし、本発明のように真空引きライ
ンで使用した場合、遠心力集塵装置の導入部における気
体の流速は圧力に反比例して速くなるので、高速化は容
易であり、前記除去効率を上げることができる。この点
について理論的に説明すると、捕集限界粒子径ｄp は次
の式で表すことができる。 ただし、Ｋ ：遠心力集塵装置の形状係数
ηt ：気体の粘性係数 ρp ：固体の密度（粒子） ρt ：気体の
密度 Ｕt ：導入部における流速 上記（１）式において、Ｋは遠心力集塵装置によって決
まる係数である。気体の粘性係数ηt は圧力によってあ
まり変化せず、固体の密度ρp も同様である。圧力によ
って大きく変動するのは、気体の密度ρt および導入部
における流速Ｕtである。ρt はρp に比べると無視で
きるほど微小であるので、捕集限界粒子径ｄp は流速Ｕ
t によって決まる。このＵt は下記の式で表される。 ただし、Ｋ′：導入部の形状係数
Ｑt ：気体の流量 Ｐt ：真空圧力 従って、導入部における流速Ｕt は真空圧力Ｐt が低い
ほど大きくなる。常圧１０１３ｍｂａｒに対して半導体
単結晶引き上げ装置の実用圧力は約１〜３０ｍｂａｒで
あるから、流速Ｕt は常圧の３０〜１０００倍の速度と
なる。
れているが、導入部における気体の流速を速くすること
が困難であるため、捕集限界粒子径が大きく、かつ高濃
度に粒子を含んだ気体でないと除去効率が悪いという欠
点を持っている。しかし、本発明のように真空引きライ
ンで使用した場合、遠心力集塵装置の導入部における気
体の流速は圧力に反比例して速くなるので、高速化は容
易であり、前記除去効率を上げることができる。この点
について理論的に説明すると、捕集限界粒子径ｄp は次
の式で表すことができる。 ただし、Ｋ ：遠心力集塵装置の形状係数
ηt ：気体の粘性係数 ρp ：固体の密度（粒子） ρt ：気体の
密度 Ｕt ：導入部における流速 上記（１）式において、Ｋは遠心力集塵装置によって決
まる係数である。気体の粘性係数ηt は圧力によってあ
まり変化せず、固体の密度ρp も同様である。圧力によ
って大きく変動するのは、気体の密度ρt および導入部
における流速Ｕtである。ρt はρp に比べると無視で
きるほど微小であるので、捕集限界粒子径ｄp は流速Ｕ
t によって決まる。このＵt は下記の式で表される。 ただし、Ｋ′：導入部の形状係数
Ｑt ：気体の流量 Ｐt ：真空圧力 従って、導入部における流速Ｕt は真空圧力Ｐt が低い
ほど大きくなる。常圧１０１３ｍｂａｒに対して半導体
単結晶引き上げ装置の実用圧力は約１〜３０ｍｂａｒで
あるから、流速Ｕt は常圧の３０〜１０００倍の速度と
なる。
【００１３】図５は、遠心力集塵装置における圧力と流
速との関係および圧力と捕集粒径との関係を示すグラフ
である。同図で明らかなように、遠心力集塵装置を常圧
で使用するよりも真空状態で使用した方が気体の流速は
速くなる。これに反比例して捕集粒径が小さくなり、粒
子の捕集効率が良くなる。また、遠心力集塵装置は構造
が簡単であり、他の集塵装置に比べて圧力損失が最も小
さい。
速との関係および圧力と捕集粒径との関係を示すグラフ
である。同図で明らかなように、遠心力集塵装置を常圧
で使用するよりも真空状態で使用した方が気体の流速は
速くなる。これに反比例して捕集粒径が小さくなり、粒
子の捕集効率が良くなる。また、遠心力集塵装置は構造
が簡単であり、他の集塵装置に比べて圧力損失が最も小
さい。
【００１４】また、本発明による真空ポンプシステムの
制御方法は、密閉容器内の圧力を接点付き真空計によっ
て検出し、圧力に応じて金網捕集式集塵装置から遠心力
集塵装置に切り換える構成とした。この方法によれば、
真空引きの当初、気体の流速が低いときには荒引き用と
して金網捕集式集塵装置を用い、真空度がある程度高く
なった時点で遠心力集塵装置に切り換えるので、前記遠
心力集塵装置の利点を活かした効率の良い集塵を行うこ
とができる。前記集塵装置の切り換えは、主管路と分岐
回路とに設けた自動開閉弁を制御装置が開閉することに
よって自動的に行われるので、人手を必要としない。
制御方法は、密閉容器内の圧力を接点付き真空計によっ
て検出し、圧力に応じて金網捕集式集塵装置から遠心力
集塵装置に切り換える構成とした。この方法によれば、
真空引きの当初、気体の流速が低いときには荒引き用と
して金網捕集式集塵装置を用い、真空度がある程度高く
なった時点で遠心力集塵装置に切り換えるので、前記遠
心力集塵装置の利点を活かした効率の良い集塵を行うこ
とができる。前記集塵装置の切り換えは、主管路と分岐
回路とに設けた自動開閉弁を制御装置が開閉することに
よって自動的に行われるので、人手を必要としない。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明に係る真空ポンプシステムの
実施例について、図面を参照して説明する。図１は、一
例として取り上げた半導体単結晶引き上げ装置の真空ポ
ンプシステムの回路図である。半導体単結晶引き上げ装
置の炉体１の底部と遠心力集塵装置２とは第１主管路３
によって接続され、前記第１主管路３には手動開閉弁４
と緊急用の自動開閉弁５とが設けられている。前記遠心
力集塵装置２はベローズ式伸縮継手６、自動開閉弁７、
第２主管路８を介してメカニカルブースタ９に接続され
ている。前記メカニカルブースタ９とドライポンプ１０
とは管路１１によって接続され、ドライポンプ１０から
出る管路１２は逆止弁１３を介して大気に開放されてい
る。前記ドライポンプ１０に代えて油回転ポンプを用い
てもよい。
実施例について、図面を参照して説明する。図１は、一
例として取り上げた半導体単結晶引き上げ装置の真空ポ
ンプシステムの回路図である。半導体単結晶引き上げ装
置の炉体１の底部と遠心力集塵装置２とは第１主管路３
によって接続され、前記第１主管路３には手動開閉弁４
と緊急用の自動開閉弁５とが設けられている。前記遠心
力集塵装置２はベローズ式伸縮継手６、自動開閉弁７、
第２主管路８を介してメカニカルブースタ９に接続され
ている。前記メカニカルブースタ９とドライポンプ１０
とは管路１１によって接続され、ドライポンプ１０から
出る管路１２は逆止弁１３を介して大気に開放されてい
る。前記ドライポンプ１０に代えて油回転ポンプを用い
てもよい。
【００１６】上記第１主管路３には、遠心力集塵装置２
の手前で分岐する分岐管路１４が接続され、この分岐管
路１４は荒引き用の金網捕集式集塵装置１５と自動開閉
弁１６とを介して第２主管路８に接続されている。ま
た、ドライポンプ１０には、ダイヤフラム式圧力調整弁
１７および自動開閉弁１８を介して前記ドライポンプ１
０にＮ2 ガスを供給する管路１９が接続されている。
の手前で分岐する分岐管路１４が接続され、この分岐管
路１４は荒引き用の金網捕集式集塵装置１５と自動開閉
弁１６とを介して第２主管路８に接続されている。ま
た、ドライポンプ１０には、ダイヤフラム式圧力調整弁
１７および自動開閉弁１８を介して前記ドライポンプ１
０にＮ2 ガスを供給する管路１９が接続されている。
【００１７】炉体１には図示しない接点付き真空計が装
着され、炉内圧力を検出する。前記接点付き真空計の出
力信号は図示しない制御装置に入力され、制御装置は前
記接点付き真空計の出力信号に応じて自動開閉弁７，１
６の開閉切り換えを行う指令信号を出力する。
着され、炉内圧力を検出する。前記接点付き真空計の出
力信号は図示しない制御装置に入力され、制御装置は前
記接点付き真空計の出力信号に応じて自動開閉弁７，１
６の開閉切り換えを行う指令信号を出力する。
【００１８】図２は遠心力集塵装置の概略構造を示す部
分砕断面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。遠心力集塵装置２の導入部２ａは、円筒部２ｂの接
線方向に取着され、排出部２ｃは前記円筒部２ｂの上方
から円筒部２ｂ内に挿入されている。また、円筒部２ｂ
の下部は円錐状で次第に細くなり、その下端に粉塵堆積
部２ｄが取り付けられている。
分砕断面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。遠心力集塵装置２の導入部２ａは、円筒部２ｂの接
線方向に取着され、排出部２ｃは前記円筒部２ｂの上方
から円筒部２ｂ内に挿入されている。また、円筒部２ｂ
の下部は円錐状で次第に細くなり、その下端に粉塵堆積
部２ｄが取り付けられている。
【００１９】アモルファスシリコンの微細粒子を含む不
活性ガスは、炉体から吸引され、遠心力集塵装置２の導
入部２ａを経て円筒部２ｂの中に入る。このとき、前記
不活性ガスは円筒部２ｂの内壁に沿って旋回しつつ下方
に沈降していく。そして不活性ガスは、その旋回径が排
出部２ｃの口径以下になったところで排出部２ｃから排
出される。前記不活性ガスに含まれていたアモルファス
シリコンの微細粒子は、その自重により不活性ガスから
分離され、円筒部２ｂの内壁に沿って落下した後、粉塵
堆積部２ｄ内に堆積する。
活性ガスは、炉体から吸引され、遠心力集塵装置２の導
入部２ａを経て円筒部２ｂの中に入る。このとき、前記
不活性ガスは円筒部２ｂの内壁に沿って旋回しつつ下方
に沈降していく。そして不活性ガスは、その旋回径が排
出部２ｃの口径以下になったところで排出部２ｃから排
出される。前記不活性ガスに含まれていたアモルファス
シリコンの微細粒子は、その自重により不活性ガスから
分離され、円筒部２ｂの内壁に沿って落下した後、粉塵
堆積部２ｄ内に堆積する。
【００２０】以下に、本発明の真空ポンプシステムの制
御方法について説明する。炉体１内の真空引き開始に当
たり、まず制御装置を作動させる。制御装置は、炉体１
に装着した接点付き真空計の出力信号に基づいて自動開
閉弁１６を開き、自動開閉弁７を閉じる。次に、メカニ
カルブースタ９とドライポンプ１０を駆動した後、手動
開閉弁４を開く。炉体１内の不活性ガスはメカニカルブ
ースタ９とドライポンプ１０とによって吸引され、第１
主管路３、分岐管路１４、第２主管路８を流れる。真空
引き開始後、炉体１内の真空度が１００〜２００Ｔｏｒ
ｒに下がる間に不活性ガスとともに排出される炉内ダス
トは、金網捕集式集塵装置１５で捕集される。炉内圧力
が１００〜２００Ｔｏｒｒ以下に下がった時点で前記制
御装置が自動開閉弁１６を閉じ、自動開閉弁７を開いて
遠心力集塵装置２による集塵を開始する。このとき、遠
心力集塵装置２に流入する不活性ガスの流速は、常圧で
使用する場合の３．８倍〜７．６倍以上に上昇し、炉内
圧力の低下に反比例して更に上昇を続ける。金網捕集式
集塵装置１５または遠心力集塵装置２を通過した不活性
ガスは、メカニカルブースタ９とドライポンプ１０とを
経て大気に放出される。前記ドライポンプ１０には、ポ
ンプ内のクリーニングおよび防爆のため、配管１９を介
してＮ2 ガスが供給される。
御方法について説明する。炉体１内の真空引き開始に当
たり、まず制御装置を作動させる。制御装置は、炉体１
に装着した接点付き真空計の出力信号に基づいて自動開
閉弁１６を開き、自動開閉弁７を閉じる。次に、メカニ
カルブースタ９とドライポンプ１０を駆動した後、手動
開閉弁４を開く。炉体１内の不活性ガスはメカニカルブ
ースタ９とドライポンプ１０とによって吸引され、第１
主管路３、分岐管路１４、第２主管路８を流れる。真空
引き開始後、炉体１内の真空度が１００〜２００Ｔｏｒ
ｒに下がる間に不活性ガスとともに排出される炉内ダス
トは、金網捕集式集塵装置１５で捕集される。炉内圧力
が１００〜２００Ｔｏｒｒ以下に下がった時点で前記制
御装置が自動開閉弁１６を閉じ、自動開閉弁７を開いて
遠心力集塵装置２による集塵を開始する。このとき、遠
心力集塵装置２に流入する不活性ガスの流速は、常圧で
使用する場合の３．８倍〜７．６倍以上に上昇し、炉内
圧力の低下に反比例して更に上昇を続ける。金網捕集式
集塵装置１５または遠心力集塵装置２を通過した不活性
ガスは、メカニカルブースタ９とドライポンプ１０とを
経て大気に放出される。前記ドライポンプ１０には、ポ
ンプ内のクリーニングおよび防爆のため、配管１９を介
してＮ2 ガスが供給される。
【００２１】遠心力集塵装置は上述のように構造が簡単
であり、他の集塵装置に比べて圧力損失が最も小さい。
実際の差圧データとしては、不活性ガスを８３Ｎｌ／ｍ
ｉｎ流したとき、２．４ｍｂａｒの差圧しか発生しな
い。これに対しダストフィルタを用いた従来の真空ポン
プシステムの場合は、前記と同じ条件で６ｍｂａｒ前後
の差圧が発生する。図４は半導体単結晶引き上げ装置に
おいて、単結晶引き上げ時の炉内圧力の経時変化につい
て本発明による真空ポンプシステムと従来の真空ポンプ
システムとを比較したグラフである。従来の真空ポンプ
システムによる圧力変動曲線Ｂよりも本発明の真空ポン
プシステムによる圧力変動曲線Ａの方が炉内圧力上昇率
は明らかに小さくなっている。本発明の真空ポンプシス
テムによる炉内圧力の上昇量ａは、従来の真空ポンプシ
ステムにおける炉内圧力上昇量ｂの５０％程度に過ぎな
いことが分かる。なお、単結晶引き上げ経過時間を同一
の時間（図４では１０００時間）で比較すると、炉内圧
力上昇量は従来の真空ポンプシステムの２７％に過ぎな
い。
であり、他の集塵装置に比べて圧力損失が最も小さい。
実際の差圧データとしては、不活性ガスを８３Ｎｌ／ｍ
ｉｎ流したとき、２．４ｍｂａｒの差圧しか発生しな
い。これに対しダストフィルタを用いた従来の真空ポン
プシステムの場合は、前記と同じ条件で６ｍｂａｒ前後
の差圧が発生する。図４は半導体単結晶引き上げ装置に
おいて、単結晶引き上げ時の炉内圧力の経時変化につい
て本発明による真空ポンプシステムと従来の真空ポンプ
システムとを比較したグラフである。従来の真空ポンプ
システムによる圧力変動曲線Ｂよりも本発明の真空ポン
プシステムによる圧力変動曲線Ａの方が炉内圧力上昇率
は明らかに小さくなっている。本発明の真空ポンプシス
テムによる炉内圧力の上昇量ａは、従来の真空ポンプシ
ステムにおける炉内圧力上昇量ｂの５０％程度に過ぎな
いことが分かる。なお、単結晶引き上げ経過時間を同一
の時間（図４では１０００時間）で比較すると、炉内圧
力上昇量は従来の真空ポンプシステムの２７％に過ぎな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、真空度が
高くなると遠心力集塵装置に流入する気体の流速が増大
する点に着目し、密閉容器と真空ポンプとを結ぶ管路に
遠心力集塵装置と荒引き用金網捕集式集塵装置とを設置
し、密閉容器内の圧力が所定の値まで下がった後、遠心
力集塵装置を用いる構成とし、前記圧力を検出して自動
開閉弁を操作する制御装置により前記集塵装置を切り換
える真空ポンプシステムとしたので、下記の効果が得ら
れる。 （１）遠心力集塵装置に流入する気体の流速が、常圧の
もとで使用する場合に比べて著しく上昇するので、捕集
限界粒子径が小さくなり、気体中のダスト捕集効率を飛
躍的に向上させることができる。 （２）気体中のダスト捕集効率の向上により真空ポンプ
に流入するダスト量が激減するので、前記真空ポンプの
性能低下が抑えられるとともに、耐用寿命が延びる。 （３）遠心力集塵装置はダスト堆積による目詰まりを起
こさないので、密閉容器内の圧力を所定の範囲に保持す
ることができる。 （４）主として遠心力集塵装置を用いることにより、真
空ポンプシステムのメインテナンス周期を延長すること
ができるとともに、捕集したダストの排出が容易である
ため、前記メインテナンス工数の大幅な低減が可能とな
る。従って、たとえばＣＺ法による半導体単結晶の生産
能率を著しく向上させることができる。
高くなると遠心力集塵装置に流入する気体の流速が増大
する点に着目し、密閉容器と真空ポンプとを結ぶ管路に
遠心力集塵装置と荒引き用金網捕集式集塵装置とを設置
し、密閉容器内の圧力が所定の値まで下がった後、遠心
力集塵装置を用いる構成とし、前記圧力を検出して自動
開閉弁を操作する制御装置により前記集塵装置を切り換
える真空ポンプシステムとしたので、下記の効果が得ら
れる。 （１）遠心力集塵装置に流入する気体の流速が、常圧の
もとで使用する場合に比べて著しく上昇するので、捕集
限界粒子径が小さくなり、気体中のダスト捕集効率を飛
躍的に向上させることができる。 （２）気体中のダスト捕集効率の向上により真空ポンプ
に流入するダスト量が激減するので、前記真空ポンプの
性能低下が抑えられるとともに、耐用寿命が延びる。 （３）遠心力集塵装置はダスト堆積による目詰まりを起
こさないので、密閉容器内の圧力を所定の範囲に保持す
ることができる。 （４）主として遠心力集塵装置を用いることにより、真
空ポンプシステムのメインテナンス周期を延長すること
ができるとともに、捕集したダストの排出が容易である
ため、前記メインテナンス工数の大幅な低減が可能とな
る。従って、たとえばＣＺ法による半導体単結晶の生産
能率を著しく向上させることができる。
【図１】半導体単結晶引き上げ装置に用いる本発明の真
空ポンプシステムの回路図である。
空ポンプシステムの回路図である。
【図２】遠心力集塵装置の概略構造を示す部分砕断面図
である。
である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】半導体単結晶引き上げ経過時間に対する炉内圧
力の変化について、従来の真空ポンプシステムと本発明
による真空ポンプシステムとを比較した結果を示すグラ
フである。
力の変化について、従来の真空ポンプシステムと本発明
による真空ポンプシステムとを比較した結果を示すグラ
フである。
【図５】遠心力集塵装置における圧力と流速との関係お
よび圧力と捕集粒径との関係を示すグラフである。
よび圧力と捕集粒径との関係を示すグラフである。
【図６】半導体単結晶引き上げ装置に用いられている従
来の真空ポンプシステムの回路図である。
来の真空ポンプシステムの回路図である。
１ 炉体
２ 遠心力集塵装置
３ 第１主管路
４ 手動開閉弁
５，７，１６，１８ 自動開閉弁
８ 第２主管路
９ メカニカルブースタ
１０ ドライポンプ
１４ 分岐管路
１５ 金網捕集式集塵装置
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ３０Ｂ 35/00 Ｃ３０Ｂ 35/00
// Ｃ３０Ｂ 15/00 15/00 Ｚ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B01J 3/00 - 3/04
H01L 21/00 - 21/98
F04C 25/00 - 25/02
Claims (6)
- 【請求項１】炉体と、該炉体に管路を介して接続された
真空ポンプとを有する半導体単結晶引き上げ装置であっ
て、 前記炉体から真空ポンプに至る前記管路上に遠心力集塵
装置を設けたことを特徴とする半導体単結晶引き上げ装
置。 - 【請求項２】密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して
接続された真空ポンプとを有するポンプシステムであっ
て、 前記主管路は、途中で分岐して第一の分岐管路と第二の
分岐管路を構成した後、再度合流する構造を成し、 前記第一の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、前記
第二の分岐管路上には遠心力集塵装置を設けており、 前記第一の分岐管路と前記第二の分岐管路を二者択一的
に選択することを特徴とする真空ポンプシステム。 - 【請求項３】密閉容器と、該密閉容器に主管路を介して
接続された真空ポンプとを有するポンプシステムであっ
て、 前記主管路は、途中で分岐して第一の分岐管路と第二の
分岐管路を構成した後、再度合流する構造を成し、 前記第一の分岐管路上には金網捕集式集塵装置を、前記
第二の分岐管路上には遠心力集塵装置を設けており、前記第一の分岐管路と前記第二の分岐管路を二者択一的
に選択し、これに応じて 前記金網捕集式集塵装置と前記
遠心力集塵装置を切り換えて用いることを特徴とする真
空ポンプシステム。 - 【請求項４】前記密閉容器には真空計を設け、 前記第一の分岐管路と前記第二の分岐管路にはそれぞれ
開閉弁を設け、 前記真空計の出力信号に基づいて前記開閉弁に指令信号
を出力する制御装置を設けたことを特徴とする請求項２
または３に記載の真空ポンプシステム。 - 【請求項５】前記密閉容器内の圧力が所定圧に至るまで
は、前記制御装置によって第一の分岐管路を選択し、 前記密閉容器内の圧力が所定圧以下になったときは、前
記制御装置によって第二の分岐管路を選択することを特
徴とする請求項４に記載の真空ポンプシステム。 - 【請求項６】前記真空計によって検出される密閉容器内
の圧力が１００〜２００Ｔｏｒｒに至る間は、前記制御
装置によって、前記第二の分岐管路に設けた開閉弁を閉
じ、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁を開いて前記金
網捕集式集塵装置による集塵を行い、 前記真空計によって検出される密閉容器内の圧力が１０
０〜２００Ｔｏｒｒ以下になったときは、前記制御装置
によって、前記第一の分岐管路に設けた開閉弁を閉じ、
前記第二の分岐管路に設けた開閉弁を開いて前記遠心力
集塵装置による集塵を行うことを特徴とする請求項４に
記載の真空ポンプシステム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08602994A JP3526908B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 真空ポンプシステムおよび半導体単結晶引き上げ装置 |
| TW84109545A TW280931B (ja) | 1994-03-31 | 1995-09-12 | |
| US08/706,492 US5857840A (en) | 1994-03-31 | 1996-09-04 | Vacuum pump with a centrifugal dust collector and a metal mesh dust collector mounted in parallel |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08602994A JP3526908B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 真空ポンプシステムおよび半導体単結晶引き上げ装置 |
| US08/706,492 US5857840A (en) | 1994-03-31 | 1996-09-04 | Vacuum pump with a centrifugal dust collector and a metal mesh dust collector mounted in parallel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07265684A JPH07265684A (ja) | 1995-10-17 |
| JP3526908B2 true JP3526908B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=26427192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08602994A Expired - Fee Related JP3526908B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 真空ポンプシステムおよび半導体単結晶引き上げ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5857840A (ja) |
| JP (1) | JP3526908B2 (ja) |
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| DE19747090A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-04-29 | Leybold Systems Gmbh | Staubabscheider |
| JP3367910B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2003-01-20 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶引上げ機の不活性ガス排気系のクリーニング装置及びそのクリーニング方法 |
| GB9902083D0 (en) * | 1999-01-29 | 1999-03-24 | Boc Group Plc | Vacuum pump systems |
| JP4169303B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2008-10-22 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上げ設備及びその操作方法 |
| JP3946405B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-07-18 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 真空配管構造 |
| US6688494B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-02-10 | Cima Nanotech, Inc. | Process for the manufacture of metal nanoparticle |
| US6682584B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-01-27 | Cima Nanotech, Inc. | Process for manufacture of reacted metal nanoparticles |
| US6837918B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-01-04 | Aveka, Inc. | Process for the manufacture of nanoparticle organic pigments |
| US6689190B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-02-10 | Cima Nanotech, Inc. | Process for the manufacture of reacted nanoparticles |
| AU2003304570A1 (en) | 2003-11-27 | 2005-06-17 | Techno Takatsuki Co., Ltd. | Electromagnetic vibrating pump |
| WO2006039891A1 (de) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Luk Fahrzeug-Hydraulik Gmbh & Co. Kg | Klimakompressor oder klimaanlage |
| US20070256431A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-11-08 | Luk Fahrzug-Hydraulik Gmbh & Co., Kg. | Air-Conditioning Compressor or Air Conditioning System |
| JP4673212B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-04-20 | 株式会社日立メディコ | 直流高電圧真空装置 |
| JP5186684B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2013-04-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体単結晶の製造装置 |
| JP2010036054A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | サイクロン集塵装置及び単結晶引き上げシステム |
| US8167981B2 (en) * | 2009-04-21 | 2012-05-01 | Spx Corporation | Vacuum filter assembly |
| JP2011016095A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | サイクロン装置 |
| JP2012026995A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-09 | Ulvac Japan Ltd | トランスデューサ型真空計及びトランスデューサ型真空計を用いた単結晶引き上げ装置 |
| CN102160951A (zh) * | 2010-10-23 | 2011-08-24 | 浙江硅宏电子科技有限公司 | 一种真空过滤罐 |
| WO2013011582A1 (ja) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Ｆｔｂ研究所株式会社 | シリコン単結晶成長装置の真空配管トラップシステム及びそのシステムを利用した配管清掃方法 |
| CN102908830B (zh) * | 2011-08-01 | 2014-08-27 | 苏州东泰太阳能科技有限公司 | 一种真空过滤罐结构 |
| CN103505962A (zh) * | 2012-06-15 | 2014-01-15 | 苏州市金翔钛设备有限公司 | 一种粉尘过滤装置 |
| CN105369356A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-02 | 无锡科诺达电子有限公司 | 一种蓝宝石除尘装置 |
| CN105442036A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-03-30 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 单晶硅生长炉真空支持系统 |
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|---|---|---|---|---|
| US4835114A (en) * | 1986-02-19 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Method for LPCVD of semiconductors using oil free vacuum pumps |
| JPS63319011A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Takano:Kk | 並列濾過回路 |
| JPH0744913B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1995-05-17 | 小松ゼノア株式会社 | 遠心分離装置 |
| FI89734C (fi) * | 1990-01-04 | 1993-11-10 | Ahlstroem Oy | Foerfarande och anordning foer behandling av gaser fraon foergasnings- eller foerbraenningsanlaeggningar |
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| US5137554A (en) * | 1991-09-09 | 1992-08-11 | Fasco Industries, Inc. | Cyclonic vacuum cleaner cone |
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1994
- 1994-03-31 JP JP08602994A patent/JP3526908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1996
- 1996-09-04 US US08/706,492 patent/US5857840A/en not_active Expired - Lifetime
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| US5857840A (en) | 1999-01-12 |
| JPH07265684A (ja) | 1995-10-17 |
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