JP3521152B2 - 集積回路装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、主にマイクロ波帯以
上の高周波帯に用いるマイクロ波集積回路装置に関し、
特に集積回路装置の電気特性の調整を容易にかつ高精度
に行うことのできるものに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来のマイクロ波集積回路装置
の上面図を示す。図において、１はＡｌ₂ Ｏ₃ ，サファ
イア，ＧａＡｓ等の材料により構成される整合回路基
板、２は該整合回路基板１上に形成された主配線電極で
あって、ＡｕやＡｌ等の導電性材料により構成される。
３はＡｕ等の導電性物質により構成されるワイヤであ
る。４は、整合回路基板１上に形成された複数の島状の
配線電極よりなる，１００μｍ角等の寸法のランド、５
はマイクロ波帯にて動作する，ＧａＡｓ等よりなる高周
波ＦＥＴ、６は上記整合回路基板１や高周波ＦＥＴ５を
実装しているＣｕＷ等のベースである。

【０００３】一般にマイクロ波帯以上の高周波帯にて動
作する集積回路装置では、素子のばらつきにより集積回
路装置の電気特性にばらつきが生じやすい。そこで、上
記ばらつきを吸収する調整部を設けておき、集積回路装
置の電気特性を調整，改善する手法が多用されている。
図１０に示す従来例では、ＦＥＴ５の出力部に整合用の
基板１を付加し、該基板１上の整合用の主配線電極２を
ワイヤ３により結線して用いている。

【０００４】ここで上記電気特性の調整法について説明
すると、上記電気特性のばらつきを調整するため、あら
かじめ整合用の基板１上にランド４を設けておき、該ラ
ンド４と主配線電極２とをワイヤ３により接続すること
により、可変長のオープンスタブを構成して、その整合
点を調整するものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の集積回路装置は
以上のように構成されており、電気特性の向上を図るた
めに図１０のような整合用の基板１を用いていた。しか
しながら、この方法ではあらかじめランド４が基板１上
に設けられており、上記電気特性の調整範囲、調整精度
ともに基板１上のランドの大きさによって限定されてし
まうという問題があった。

【０００６】また、上記電気特性の調整は、ランド４を
ワイヤ３により接続するか、しないかのデジタル的な調
整となるため高精度な電気特性の調整はできなかった。
さらに、ミリ波帯以上の高周波帯では波長が数ｍｍ以下
と微細となるため、その電気特性の調整を１００μｍ角
のランド４により行おうとすると、その調整精度として
は０．数ｍｍ程度，即ち１／１０波長程度以下の調整精
度しか得られず、しかもここで、ランド４を小さいもの
にし上記電気特性の調整精度を上げたくても、一般にワ
イヤ３の直径が２５μｍ程度であるために１００μｍ角
以下のランド４を用いてワイヤを張るのは著しく困難で
あり、作業性の問題から上記調整精度を上げられないと
いう問題があった。

【０００７】また、上記電気特性の調整を行うために多
数のワイヤ３を張ることになり、上記調整に多大な時間
を要していた。さらにショートスタブにより調整を行う
ためには、図１１(a) ，(b) に示すように、多数のラン
ド４を介して、主配線電極２とバイアホール１３等に結
線された補助配線電極１４とをワイヤ３により結線しな
ければならず、ワイヤ３による結線部の数，およびラン
ド４の数がともに膨大となってしまうので、さらに多く
の時間がかかるという問題があった。

【０００８】また、一度ワイヤ３を張るとワイヤ３を取
り除くのが困難であるため、再調整を行うことは困難で
あるという問題があった。

【０００９】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、上記電気特性の調整精度を向上
させることができ、かつ調整を短時間にでき、しかも再
調整をも行うことのできる集積回路装置を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願発明（請求項１）に
係る集積回路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、
その上に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、
上記半導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続
してなる集積回路装置において、フィルムの表面層又は
その内層に、該集積回路装置の電気特性を調整するため
の導体パターンを有してなるテープを、上記主配線電極
の所要部分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に
直角に配置されかつ電気的に接続されるよう設けてな
り、上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続する貫
通孔に接続された該回路基板上の補助配線電極と、該回
路基板上の上記主配線電極とが、上記テープの導体パタ
ーンで接続され、ショートスタブを構成していることを
特徴とする。

【００１１】また、本願発明（請求項２）に係る集積回
路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、その上に主
配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半導体
素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してなる集
積回路装置において、フィルムの表面層又はその内層
に、該集積回路装置の電気特性を調整するための導体パ
ターンを有してなるテープを、上記主配線電極の所要部
分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に直角に配
置されかつ電気的に接続されるよう設けてなり、上記導
体パターンは、上記フィルムの上面層あるいは中間層に
形成されており、該導体パターンは、上記回路基板上の
主配線電極と上記フィルムの絶縁層を介して容量結合す
ることにより該主配線電極に電気的に接続されているこ
とを特徴とする。

【００１２】また、本願発明（請求項３）に係る集積回
路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、その上に主
配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半導体
素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してなる集
積回路装置において、フィルムの表面層又はその内層
に、該集積回路装置の電気特性を調整するための導体パ
ターンを有してなるテープを、上記主配線電極の所要部
分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に直角に配
置されかつ電気的に接続されるよう設けてなり、上記導
体パターンは、上記フィルムの下面層に、またはその上
面層あるいは中間層に形成されてなるテープを、上記回
路基板上の主配線電極上に設けた絶縁膜上に接着してな
り、該導体パターンは、該絶縁膜を介して上記主配線電
極に容量結合により電気的に接続されていることを特徴
とする。

【００１３】また、本願発明（請求項４）に係る集積回
路装置は、請求項２または３に記載の集積回路装置にお
いて、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上記テ
ープの上に、第２のフィルムの下面層に、またはその上
面層あるいは中間層に第２の導体パターンを有してなる
第２のテープを接着してなり、上記第２の導体パターン
が、上記導体パターンと、少なくとも上記第２のフィル
ムの絶縁層及び上記第１のフィルムの絶縁層のいずれか
一方を介して容量結合により電気的に接続されているこ
とを特徴とする。

【００１４】また、本願発明（請求項５）に係る集積回
路装置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の集積回
路装置において、上記テープの、上記導体パターンと上
記回路基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフ
ィルムの部分が除去されていることを特徴とする。

【００１５】また、本願発明（請求項６）に係る集積回
路装置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の集積回
路装置において、上記回路基板は、その所要位置に、該
回路基板上に仮置きした上記テープを真空吸着するため
の真空吸引穴を有するものであることを特徴とする。

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【作用】この発明においては、ベース基板上に、半導体
素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路基板と
を設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワイヤに
より接続してなる集積回路装置において、フィルムの表
面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性を調整
するための導体パターンを有してなるテープを、上記主
配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが該主配
線電極に直角に配置されかつ電気的に接続されるよう設
けてなり、上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続
する貫通孔に接続された該回路基板上の補助配線電極
と、該回路基板上の上記主配線電極とが、上記テープの
導体パターンで接続され、ショートスタブを構成してい
るものとしたので、上記導体パターンの形状を選択する
ことにより、ショートスタブによる電気特性の高精度調
整を簡単に行うことができる。

【００２２】また、この発明においては、ベース基板上
に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる
回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極と
をワイヤにより接続してなる集積回路装置において、フ
ィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気
特性を調整するための導体パターンを有してなるテープ
を、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パター
ンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続さ
れるよう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィル
ムの上面層あるいは中間層に形成されており、該導体パ
ターンは、上記回路基板上の主配線電極と上記フィルム
の絶縁層を介して容量結合することにより該主配線電極
に電気的に接続されているものとしたので、高周波帯に
おいて、テープの導体パターンと基板上の配線電極とが
電気的にカップリングし、該カップリングによって自由
度の高い広範囲な電気特性の調整が可能となる。

【００２３】また、この発明においては、ベース基板上
に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる
回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極と
をワイヤにより接続してなる集積回路装置において、フ
ィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気
特性を調整するための導体パターンを有してなるテープ
を、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パター
ンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続さ
れるよう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィル
ムの下面層に、またはその上面層あるいは中間層に形成
されてなるテープを、上記回路基板上の主配線電極上に
設けた絶縁膜上に接着してなり、該導体パターンは、該
絶縁膜を介して上記主配線電極に容量結合により電気的
に接続されているものとしたので、テープの導体パター
ンと基板上の配線電極とが上記絶縁膜を介して電気的に
カップリングし、該カップリングによって自由度の高い
広範囲な電気特性の調整が可能となる。

【００２４】またこの発明においては、上記集積回路装
置において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した
上記テープの上に、第２のフィルムの下面層に、または
その上面層あるいは中間層に第２の導体パターンを有し
てなる第２のテープを接着してなり、上記第２の導体パ
ターンが、上記導体パターンと、少なくとも上記第２の
フィルムの絶縁層及び上記第１のフィルムの絶縁層のい
ずれか一方を介して容量結合により電気的に接続されて
いるものとしたので、テープが１つの時よりもより広範
囲な電気特性の調整が可能となる。

【００２５】またこの発明においては、上記集積回路装
置において、上記テープの、上記導体パターンと上記回
路基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフィル
ムの部分が除去されているものとしたので、超音波によ
る圧着等の方法により、容易に基板上の配線電極と導体
パターンとを低抵抗に、しかも短時間に接続することが
できる。

【００２６】またこの発明においては、上記集積回路装
置において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路
基板上に仮置きした上記テープを真空吸着するための真
空吸引穴を有するものとしたので、テープを基板上に形
成するときに仮置を行うことができ、テープの交換，あ
るいは基板上の配線電極位置の調整時の作業時間を短く
でき、さらに導体パターンの接触不良による調整誤差を
減らすことができる。

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【実施例】

実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による集積回
路装置を示す上面図である。図において、１はＡｌ₂ Ｏ
₃ ，サファイア，ＧａＡｓ等の材料により構成される整
合回路基板、２は該整合回路基板１上に形成された主配
線電極であって、ＡｕやＡｌ等の導電性材料により構成
される。３はＡｕ等の導電性物質により構成されるワイ
ヤである。５はマイクロ波帯にて動作する，ＧａＡｓ等
よりなる高周波ＦＥＴ、６は上記整合回路基板１や上記
ＦＥＴ５を実装しているＣｕＷ等のベース基板である。

【００３３】また、７は上記整合回路基板１上に配置形
成される，ポリイミド等の絶縁性物質により構成される
フィルム、８は該フィルム７の下面に形成されたＡｕや
Ｃｕ等の導電性物質により構成された導体パターン、９
は上記フィルム７と、その下面に形成した導体パターン
８としてなるテープ、１０は該フィルム７下面の導体パ
ターン８と、上記基板１上の主配線電極２とが重なる部
分の上方に位置する，該フィルムの一部を除去してなる
フィルム穴、１１は上記整合回路基板１に設けられた、
真空又は減圧により上記テープ９を上記整合回路基板１
に吸着することが可能な吸着穴、１２は上記ベース基板
６に設けられた、上記整合回路基板１の吸着穴１１部に
真空又は減圧を導入するための吸着溝である。

【００３４】また、図２は図１のＡ−Ａ’部の断面図を
示す。図において、図１と同一符号は同一又は相当する
部分を示しており、１２はベース６に設けられた吸着穴
１１よりテープ９を吸気するための吸着溝である。

【００３５】次に、本実施例１の作用について説明す
る。本実施例では、フィルム７の下面の導体パターン８
の薄膜は、写真製版によりパターン形成する方法，即
ち，エッチング等の方法により導体薄膜の不要な部分を
取り除く方法を用いて、導体パターン８を上記フィルム
７の下面に±２μｍ以下の公差にて高精度に形成するこ
とができる。また、このテープ９を整合回路基板１上に
置く際にも、マニピュレータを用いることにより、±１
μｍ以内の高精度でもって該テープ９を基板１上に置く
ことも容易に可能である。

【００３６】以下、本実施例１において、集積回路装置
をその電気特性を調整しながら製造する方法について説
明する。あらかじめ、寸法、形状の異なる導体パターン
８の製造用の，複数の写真製版用のマスクを用意してお
き、これらを用いて、様々な寸法、形状の導体パターン
８を上記フィルム７上に有する，複数の上記テープ９を
製造しておく。ここで上記導体パターン８の寸法、形状
は、上述したようにエッチング等の方法により±２μｍ
以下の公差にて高精度に形成することができるので、例
えば導体パターンの長さの差を、５μｍといった微細な
長さに設定することも可能である。

【００３７】次に上記準備した複数のテープ９のうちの
いずれかを、順次上記整合回路基板１の上に位置合わせ
し、その後、ベース基板６上の吸着溝１２を介して吸気
を行い、上記整合回路基板１の吸着穴１１よりテープ９
を吸着することにより仮置きする。そしてこの状態で集
積回路装置の電気特性を測定する。所望の電気特性が得
られない場合は、吸着溝１２からの吸気を止め、吸着穴
１１の吸着を一時休止してテープ９を開放状態にし、導
体パターン８の主配線電極２との接触点の位置をずらす
か、テープ９を他のものに交換する。該テープ９の位置
合わせ、あるいはテープ交換を終えたのち、再度吸着溝
１２を介しての吸気を開始してテープ９を吸着し、該テ
ープ９を仮置き状態にし、電気特性の測定を行う。該測
定により所望の特性が得られた場合には、圧力印加用に
設けたフィルム穴１０の上部より直接超音波等を加えな
がら圧力を印加して、導体パターン８と主配線電極２を
圧着し、低抵抗で恒常的な接触状態にする。また、フィ
ルム７は、エポキシ等の接着剤のポッティング等により
恒常的な接着状態にする。テープ９を恒常的に固定した
後は吸着穴１１よりの吸着は不要となるので、以後吸着
は行う必要はない。

【００３８】本実施例では、導体パターン８の長さの差
が５μｍのテープ９を複数個用意し、上記テープ９の位
置を±１μｍ以内の高精度にて位置合わせするようにし
たので、従来のように約１００μｍ角に形成されたラン
ド４をワイヤ３により結線するかしないかにより電気特
性を調整する場合に比べて、本実施例における調整精度
は飛躍的に高精度になり、従来１／１０波長程度の粗調
整しかできなかったミリ波（λ＝１ｍｍ）帯でも、０．
００５ｍｍ（＝５μｍ）以下，即ち１／２００波長以下
の微調整が可能となる。

【００３９】また、ランドを用いないことによって、主
配線電極２の広い範囲の任意の位置にテープ９を設置す
ることが可能となったから、調整範囲も広くなり、同一
基板で、例えば６ＧＨｚ帯と１０ＧＨｚといった異なる
周波数帯域間の調整を行うことも可能となる。

【００４０】さらに、テープ９を仮置して電気特性を測
定するようにしているため、所望の電気特性が得られる
まで何度でも再調整を行うことができ、最適値への調整
を、より正確に、かつ簡易に行うことができる。

【００４１】さらにまた、本実施例ではテープ９と基板
１とを接着および接触部１ヶ所のみを超音波圧着により
接続するのみであるから、従来のようにワイヤ３を多数
張ることによる調整より、短時間での調整が可能とな
る。

【００４２】なお、本実施例ではテープ９を恒常的に接
着したが、後で集積回路装置をアセンブリした場合に再
調整が予想される場合には、該テープを粘着性接着剤等
により再度基板よりはがすことの可能な方法で固定（仮
固定）し、必要時にこれをはがして他のテープを用いて
再調整しながら固定を行い、集積回路装置を製造するよ
うにしてもよい。

【００４３】実施例２．図３は本発明の第２の実施例の
集積回路装置の上面図を示し、図４は図３の集積回路装
置のＡ−Ａ’断面図を示す。両図において、図１および
図２と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、
１３は基板１表面と裏面の補助配線電極とを接続してい
るバイアホールである。１４は基板１上に設けられ、上
記バイアホールに接続された補助配線電極、本実施例で
は接地されたバイアホール１３に接続された補助配線電
極１４と主配線電極２とをメアンダライン型の導体パタ
ーン８により結線し、いわゆるショートスタブを構成し
ている。

【００４４】次に、本実施例のショートスタブにより電
気特性を調整しながら集積回路装置を製造する方法につ
いて説明する。即ち、各種のメアンダライン形状の導体
パターン８をもつテープ９を準備し、上記実施例１で用
いた方法により上記テープ９を上記基板１上に仮置し
て、その状態で該集積回路装置の電気特性を測定し、所
望の電気特性の得られた位置において上記テープ９を接
着する。従って、本実施例では、導体パターンが有する
メアンダラインの形状として、各種の形状を用意するこ
とにより、補助配線電極１４より主配線電極２までの実
効的な電気長を多数用意することができ、ショートスタ
ブを用いた電気特性の高精度な調整を行うことが可能と
なる。

【００４５】実施例３．図５は本発明の第３の実施例の
集積回路装置の上面図を示し、図６は図５の集積回路装
置のＡ−Ａ’断面図、図７は図５の集積回路装置のＢ−
Ｂ’断面図を示す。図において、図１と同一符号は同一
又は相当する部分を示しており、１５は基板１上の配線
電極２上に設けられたポリイミドや、ＳｉＯ2 等の絶縁
性物質により構成される絶縁膜である。

【００４６】次に本実施例３の作用について説明する。
本実施例における図６に示すＡ−Ａ’断面では、絶縁性
物質により構成されるフィルム７の上面に、導体パター
ン８を形成したテープ９を用いたため、基板１上の主配
線電極２と導体パターン８とは電気的に接触することは
ないが、フィルム７の膜厚が一般に数１００μｍ以下と
薄いことから、高周波帯においては、主配線電極２と導
体パターン８とは該フィルム７を介して電気的にカップ
リング，即ち容量結合している。このカップリング，容
量結合があることにより、上記実施例１と同様に、該集
積回路装置の電気特性の調整を行うことが可能となる。

【００４７】また、本実施例３における図６のＢ−Ｂ’
断面では、上記導体パターン８がフィルム７の下面に形
成されたテープ９と、集積回路装置の整合回路基板１上
の主配線電極２上に絶縁膜１５を形成しているものを用
いた。そのため、上記絶縁膜上に位置しているテープ９
の導体パターン８と基板１上の配線電極２とは電気的に
接触することはないが、一般に絶縁膜１５の膜厚を数１
００μｍ以下に形成することは容易であるため、高周波
帯では主配線電極２と導体パターン８とをカップリング
させることができる。このため、上記実施例１と同様な
該集積回路装置の電気特性の調整が可能となる。また、
基板上の絶縁膜は、数１０００オングストローム程度の
薄さまで容易に薄膜化することが可能なことから、図５
のＢ−Ｂ’断面でのカップリング量（容量結合）は、Ａ
−Ａ’断面でのカップリング量よりもカップリング量を
大きくでき、より高精度な調整が可能となる。

【００４８】なお、本実施例３では、図６のＡ−Ａ’断
面，Ｂ−Ｂ’断面のいずれにおいても、導体パターン８
がフィルム７の上面に位置しているが、これはフィルム
７内の中間層としてフィルム内に位置していてもよい。

【００４９】このような本実施例３では、使用する高周
波帯において、主配線電極２に対し導体パターン８をカ
ップリング（容量結合）させて接続するようにしたこと
により、第１の実施例と同様な調整を行うことができ、
しかも自由度の高い広範囲な調整を行うことができる効
果がある。

【００５０】実施例４．図８は本発明の第４の実施例に
よる集積回路装置の上面図を示し、図９は図８の集積回
路装置のＡ−Ａ’断面図を示す。両図において、図１と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、１６は
ポリイミド等の絶縁性物質により構成される第１のテー
プのフィルム、１７はＡｕ，Ａｌ等の導電性物質により
構成される第１のテープの導体パターン、１８は上記フ
ィルム１６の上面に上記導体パターン１７が形成された
第１のテープである。１９はポリイミド等の絶縁性物質
により構成される第２のテープのフィルム、２０はＡ
ｕ，Ａｌ等の導電性物質により構成される第２のテープ
の導体パターン、２１は上記フィルム１９の上面に上記
導体パターン２０が形成された第２のテープである。上
記第１のテープ１８，第２のテープ２１はともに接着等
により恒常的に固定されている。

【００５１】本実施例４では、高周波帯において、基板
１上の主配線電極２と第１のテープ１８の導体パターン
１７とが電気的にカップリング（容量結合）し、さらに
第１のテープ１８の導体パターン１７と第２のテープ２
１の導体パターン２０とも電気的にカップリング（容量
結合）している。従ってこのような構成により、第１の
テープ１８のみで調整を行うよりも、第２のテープ２１
を追加してその調整を行うことにより、その容量結合の
大きさを大きくすることができ、より広範囲な電気特性
の調整を行うことが可能となる。

【００５２】なお、本実施例では導体パターンをフィル
ムの上面層に設けたが、これはフィルムの下面層あるい
は中間層に設けるようにしてもよい。また、本実施例で
は、電気的なカップリングにより調整を行っているが、
これは電気的な接触により調整を行うようにしてもよ
い。

【００５３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ベー
ス基板上に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成
してなる回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配
線電極とをワイヤにより接続してなる集積回路装置にお
いて、フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装
置の電気特性を調整するための導体パターンを有してな
るテープを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導
体パターンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的
に接続されるよう設けてなり、上記回路基板の裏面と表
面とを電気的に接続する貫通孔に接続された該回路基板
上の補助配線電極と、該回路基板上の上記主配線電極と
が、上記テープの導体パターンで接続され、ショートス
タブを構成しているものとしたので、上記導体パターン
の形状を選択することにより、ショートスタブによる電
気特性の高精度調整を簡単に行える集積回路装置が得ら
れる効果がある。

【００５４】またこの発明によれば、ベース基板上に、
半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路
基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワ
イヤにより接続してなる集積回路装置において、フィル
ムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性
を調整するための導体パターンを有してなるテープを、
上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが
該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続される
よう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィルムの
上面層あるいは中間層に形成されており、該導体パター
ンは、上記回路基板上の主配線電極と上記フィルムの絶
縁層を介して容量結合することにより該主配線電極に電
気的に接続されているものとしたので、高周波帯におい
て、テープの導体パターンと基板上の配線電極とが電気
的にカップリングし、該カップリングによって自由度の
高い広範囲な電気特性の調整が可能となる集積回路装置
を得られる効果がある。

【００５５】またこの発明によれば、ベース基板上に、
半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路
基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワ
イヤにより接続してなる集積回路装置において、フィル
ムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性
を調整するための導体パターンを有してなるテープを、
上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが
該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続される
よう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィルムの
下面層に、またはその上面層あるいは中間層に形成され
てなるテープを、上記回路基板上の主配線電極上に設け
た絶縁膜上に接着してなり、該導体パターンは、該絶縁
膜を介して上記主配線電極に容量結合により電気的に接
続されているものとしたので、テープの導体パターンと
基板上の配線電極とが上記絶縁膜を介して電気的にカッ
プリングし、該カップリングによって自由度の高い広範
囲な電気特性の調整が可能となる集積回路装置を得られ
る効果がある。

【００５６】またこの発明によれば、上記集積回路装置
において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上
記テープの上に、第２のフィルムの下面層に、またはそ
の上面層あるいは中間層に第２の導体パターンを有して
なる第２のテープを接着してなり、上記第２の導体パタ
ーンが、上記導体パターンと、少なくとも上記第２のフ
ィルムの絶縁層及び上記第１のフィルムの絶縁層のいず
れか一方を介して容量結合により電気的に接続されてい
るものとしたので、テープが１つの時よりもより広範囲
な電気特性の調整が可能となる集積回路装置を得られる
効果がある。

【００５７】またこの発明によれば、上記集積回路装置
において、上記テープの、上記導体パターンと上記回路
基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフィルム
の部分が除去されているものとしたので、超音波による
圧着等の方法により、容易に基板上の配線電極と導体パ
ターンとを低抵抗に、しかも短時間に接続することがで
きる，より密着性の高いテープの接着が可能な集積回路
装置を得られる効果がある。

【００５８】またこの発明によれば、上記集積回路装置
において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路基
板上に仮置きした上記テープを真空吸着するための真空
吸引穴を有するものとしたので、テープを基板上に形成
するときに仮置を行うことができ、テープの交換，ある
いは基板上の配線電極位置の調整時の作業時間を短くで
き、さらに導体パターンの接触不良による調整誤差を減
らすことのできる集積回路装置を得られる効果がある。

【００５９】

【００６０】

【００６１】

【００６２】

【００６３】

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施例による集積回路装置
の上面図。

【図２】 図１の集積回路装置のＡ−Ａ’部断面図。

【図３】 この発明の第２の実施例による集積回路装置
の上面図。

【図４】 図３の集積回路装置のＡ−Ａ’部断面図。

【図５】 この発明の第３の実施例による集積回路装置
の上面図。

【図６】 図５の集積回路装置のＡ−Ａ’部断面図。

【図７】 図５の集積回路装置のＢ−Ｂ’部断面図。

【図８】 この発明の第４の実施例による集積回路装置
の上面図。

【図９】 図８の集積回路装置のＡ−Ａ’部断面図。

【図１０】 従来の集積回路装置を示す上面図。

【図１１】 従来の集積回路装置の各周波数特性調整時
（図１１(a) ，図１１(b) ）の上面図。

【符号の説明】

１ 基板、２ 主配線電極、３ ワイヤ、４ ランド、
５ ＦＥＴ、６ ベース、７ フィルム、８ 導体パタ
ーン、９ テープ、１０ フィルム穴、１１吸着穴、１
２ 吸着溝、１３ バイアホール、１４ 補助配線電
極、１５ 絶縁膜、１６ 第１のテープのフィルム、１
７ 第１のテープの導体パターン、１８第１のテープ、
１９ 第２のテープのフィルム、２０ 第２のテープの
導体パターン、２１ 第２のテープ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−287404（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−170101（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218710（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−120651（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 5/02 603 H03F 3/60

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
   に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
   導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
   る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
   気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
   プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
   ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
   されるよう設けてなり、 上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続する貫通孔
   に接続された該回路基板上の補助配線電極と、該回路基
   板上の上記主配線電極とが、上記テープの導体パターン
   で接続され、ショートスタブを構成している ことを特徴
   とする集積回路装置。
2. 【請求項２】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
   に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
   導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
   る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
   気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
   プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
   ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
   されるよう設けてなり、 上記導体パターンは、上記フィルムの上面層あるいは中
   間層に形成されており、該導体パターンは、上記回路基
   板上の主配線電極と上記フィルムの絶縁層を介して容量
   結合することにより該主配線電極に電気的に接続されて
   いる ことを特徴とする集積回路装置。
3. 【請求項３】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
   に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
   導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
   る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
   気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
   プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
   ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
   されるよう設けてなり、 上記導体パターンは、上記フィルムの下面層に、または
   その上面層あるいは中間層に形成されてなるテープを、
   上記回路基板上の主配線電極上に設けた絶縁膜上に接着
   してなり、該導体パターンは、該絶縁膜を介して上記主
   配線電極に容量結合により電気的に接続されている こと
   を特徴とする集積回路装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３に記載の集積回路装置
   において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上記テープの
   上に、第２のフィルムの下面層に、またはその上面層あ
   るいは中間層に第２の導体パターンを有してなる第２の
   テープを接着してなり、上記第２の導体パターンが、上
   記導体パターンと、少なくとも上記第２のフィルムの絶
   縁層及び上記第１のフィルムの絶縁層のいずれか一方を
   介して容量結合により 電気的に接続されていることを特
   徴とする集積回路装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の集
   積回路装置において、上記テープの、上記導体パターンと上記回路基板の主配
   線電極との接続部の上方に位置するフィルムの部分が除
   去 されていることを特徴とする集積回路装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかに記載の集
   積回路装置において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路基板上に仮置
   きした上記テープを真空吸着するための真空吸引穴を有
   するものである ことを特徴とする集積回路装置。