JP3521152B2 - 集積回路装置 - Google Patents
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Description
上の高周波帯に用いるマイクロ波集積回路装置に関し、
特に集積回路装置の電気特性の調整を容易にかつ高精度
に行うことのできるものに関するものである。
の上面図を示す。図において、1はAl2 O3 ,サファ
イア,GaAs等の材料により構成される整合回路基
板、2は該整合回路基板1上に形成された主配線電極で
あって、AuやAl等の導電性材料により構成される。
3はAu等の導電性物質により構成されるワイヤであ
る。4は、整合回路基板1上に形成された複数の島状の
配線電極よりなる,100μm角等の寸法のランド、5
はマイクロ波帯にて動作する,GaAs等よりなる高周
波FET、6は上記整合回路基板1や高周波FET5を
実装しているCuW等のベースである。
作する集積回路装置では、素子のばらつきにより集積回
路装置の電気特性にばらつきが生じやすい。そこで、上
記ばらつきを吸収する調整部を設けておき、集積回路装
置の電気特性を調整,改善する手法が多用されている。
図10に示す従来例では、FET5の出力部に整合用の
基板1を付加し、該基板1上の整合用の主配線電極2を
ワイヤ3により結線して用いている。
すると、上記電気特性のばらつきを調整するため、あら
かじめ整合用の基板1上にランド4を設けておき、該ラ
ンド4と主配線電極2とをワイヤ3により接続すること
により、可変長のオープンスタブを構成して、その整合
点を調整するものである。
以上のように構成されており、電気特性の向上を図るた
めに図10のような整合用の基板1を用いていた。しか
しながら、この方法ではあらかじめランド4が基板1上
に設けられており、上記電気特性の調整範囲、調整精度
ともに基板1上のランドの大きさによって限定されてし
まうという問題があった。
ワイヤ3により接続するか、しないかのデジタル的な調
整となるため高精度な電気特性の調整はできなかった。
さらに、ミリ波帯以上の高周波帯では波長が数mm以下
と微細となるため、その電気特性の調整を100μm角
のランド4により行おうとすると、その調整精度として
は0.数mm程度,即ち1/10波長程度以下の調整精
度しか得られず、しかもここで、ランド4を小さいもの
にし上記電気特性の調整精度を上げたくても、一般にワ
イヤ3の直径が25μm程度であるために100μm角
以下のランド4を用いてワイヤを張るのは著しく困難で
あり、作業性の問題から上記調整精度を上げられないと
いう問題があった。
数のワイヤ3を張ることになり、上記調整に多大な時間
を要していた。さらにショートスタブにより調整を行う
ためには、図11(a) ,(b) に示すように、多数のラン
ド4を介して、主配線電極2とバイアホール13等に結
線された補助配線電極14とをワイヤ3により結線しな
ければならず、ワイヤ3による結線部の数,およびラン
ド4の数がともに膨大となってしまうので、さらに多く
の時間がかかるという問題があった。
り除くのが困難であるため、再調整を行うことは困難で
あるという問題があった。
ためになされたもので、上記電気特性の調整精度を向上
させることができ、かつ調整を短時間にでき、しかも再
調整をも行うことのできる集積回路装置を提供すること
を目的とする。
係る集積回路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、
その上に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、
上記半導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続
してなる集積回路装置において、フィルムの表面層又は
その内層に、該集積回路装置の電気特性を調整するため
の導体パターンを有してなるテープを、上記主配線電極
の所要部分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に
直角に配置されかつ電気的に接続されるよう設けてな
り、上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続する貫
通孔に接続された該回路基板上の補助配線電極と、該回
路基板上の上記主配線電極とが、上記テープの導体パタ
ーンで接続され、ショートスタブを構成していることを
特徴とする。
路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、その上に主
配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半導体
素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してなる集
積回路装置において、フィルムの表面層又はその内層
に、該集積回路装置の電気特性を調整するための導体パ
ターンを有してなるテープを、上記主配線電極の所要部
分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に直角に配
置されかつ電気的に接続されるよう設けてなり、上記導
体パターンは、上記フィルムの上面層あるいは中間層に
形成されており、該導体パターンは、上記回路基板上の
主配線電極と上記フィルムの絶縁層を介して容量結合す
ることにより該主配線電極に電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
路装置は、ベース基板上に、半導体素子と、その上に主
配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半導体
素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してなる集
積回路装置において、フィルムの表面層又はその内層
に、該集積回路装置の電気特性を調整するための導体パ
ターンを有してなるテープを、上記主配線電極の所要部
分の上に、上記導体パターンが該主配線電極に直角に配
置されかつ電気的に接続されるよう設けてなり、上記導
体パターンは、上記フィルムの下面層に、またはその上
面層あるいは中間層に形成されてなるテープを、上記回
路基板上の主配線電極上に設けた絶縁膜上に接着してな
り、該導体パターンは、該絶縁膜を介して上記主配線電
極に容量結合により電気的に接続されていることを特徴
とする。
路装置は、請求項2または3に記載の集積回路装置にお
いて、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上記テ
ープの上に、第2のフィルムの下面層に、またはその上
面層あるいは中間層に第2の導体パターンを有してなる
第2のテープを接着してなり、上記第2の導体パターン
が、上記導体パターンと、少なくとも上記第2のフィル
ムの絶縁層及び上記第1のフィルムの絶縁層のいずれか
一方を介して容量結合により電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
路装置は、請求項1ないし4のいずれかに記載の集積回
路装置において、上記テープの、上記導体パターンと上
記回路基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフ
ィルムの部分が除去されていることを特徴とする。
路装置は、請求項1ないし4のいずれかに記載の集積回
路装置において、上記回路基板は、その所要位置に、該
回路基板上に仮置きした上記テープを真空吸着するため
の真空吸引穴を有するものであることを特徴とする。
素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路基板と
を設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワイヤに
より接続してなる集積回路装置において、フィルムの表
面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性を調整
するための導体パターンを有してなるテープを、上記主
配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが該主配
線電極に直角に配置されかつ電気的に接続されるよう設
けてなり、上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続
する貫通孔に接続された該回路基板上の補助配線電極
と、該回路基板上の上記主配線電極とが、上記テープの
導体パターンで接続され、ショートスタブを構成してい
るものとしたので、上記導体パターンの形状を選択する
ことにより、ショートスタブによる電気特性の高精度調
整を簡単に行うことができる。
に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる
回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極と
をワイヤにより接続してなる集積回路装置において、フ
ィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気
特性を調整するための導体パターンを有してなるテープ
を、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パター
ンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続さ
れるよう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィル
ムの上面層あるいは中間層に形成されており、該導体パ
ターンは、上記回路基板上の主配線電極と上記フィルム
の絶縁層を介して容量結合することにより該主配線電極
に電気的に接続されているものとしたので、高周波帯に
おいて、テープの導体パターンと基板上の配線電極とが
電気的にカップリングし、該カップリングによって自由
度の高い広範囲な電気特性の調整が可能となる。
に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる
回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極と
をワイヤにより接続してなる集積回路装置において、フ
ィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気
特性を調整するための導体パターンを有してなるテープ
を、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パター
ンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続さ
れるよう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィル
ムの下面層に、またはその上面層あるいは中間層に形成
されてなるテープを、上記回路基板上の主配線電極上に
設けた絶縁膜上に接着してなり、該導体パターンは、該
絶縁膜を介して上記主配線電極に容量結合により電気的
に接続されているものとしたので、テープの導体パター
ンと基板上の配線電極とが上記絶縁膜を介して電気的に
カップリングし、該カップリングによって自由度の高い
広範囲な電気特性の調整が可能となる。
置において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した
上記テープの上に、第2のフィルムの下面層に、または
その上面層あるいは中間層に第2の導体パターンを有し
てなる第2のテープを接着してなり、上記第2の導体パ
ターンが、上記導体パターンと、少なくとも上記第2の
フィルムの絶縁層及び上記第1のフィルムの絶縁層のい
ずれか一方を介して容量結合により電気的に接続されて
いるものとしたので、テープが1つの時よりもより広範
囲な電気特性の調整が可能となる。
置において、上記テープの、上記導体パターンと上記回
路基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフィル
ムの部分が除去されているものとしたので、超音波によ
る圧着等の方法により、容易に基板上の配線電極と導体
パターンとを低抵抗に、しかも短時間に接続することが
できる。
置において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路
基板上に仮置きした上記テープを真空吸着するための真
空吸引穴を有するものとしたので、テープを基板上に形
成するときに仮置を行うことができ、テープの交換,あ
るいは基板上の配線電極位置の調整時の作業時間を短く
でき、さらに導体パターンの接触不良による調整誤差を
減らすことができる。
路装置を示す上面図である。図において、1はAl2 O
3 ,サファイア,GaAs等の材料により構成される整
合回路基板、2は該整合回路基板1上に形成された主配
線電極であって、AuやAl等の導電性材料により構成
される。3はAu等の導電性物質により構成されるワイ
ヤである。5はマイクロ波帯にて動作する,GaAs等
よりなる高周波FET、6は上記整合回路基板1や上記
FET5を実装しているCuW等のベース基板である。
成される,ポリイミド等の絶縁性物質により構成される
フィルム、8は該フィルム7の下面に形成されたAuや
Cu等の導電性物質により構成された導体パターン、9
は上記フィルム7と、その下面に形成した導体パターン
8としてなるテープ、10は該フィルム7下面の導体パ
ターン8と、上記基板1上の主配線電極2とが重なる部
分の上方に位置する,該フィルムの一部を除去してなる
フィルム穴、11は上記整合回路基板1に設けられた、
真空又は減圧により上記テープ9を上記整合回路基板1
に吸着することが可能な吸着穴、12は上記ベース基板
6に設けられた、上記整合回路基板1の吸着穴11部に
真空又は減圧を導入するための吸着溝である。
示す。図において、図1と同一符号は同一又は相当する
部分を示しており、12はベース6に設けられた吸着穴
11よりテープ9を吸気するための吸着溝である。
る。本実施例では、フィルム7の下面の導体パターン8
の薄膜は、写真製版によりパターン形成する方法,即
ち,エッチング等の方法により導体薄膜の不要な部分を
取り除く方法を用いて、導体パターン8を上記フィルム
7の下面に±2μm以下の公差にて高精度に形成するこ
とができる。また、このテープ9を整合回路基板1上に
置く際にも、マニピュレータを用いることにより、±1
μm以内の高精度でもって該テープ9を基板1上に置く
ことも容易に可能である。
をその電気特性を調整しながら製造する方法について説
明する。あらかじめ、寸法、形状の異なる導体パターン
8の製造用の,複数の写真製版用のマスクを用意してお
き、これらを用いて、様々な寸法、形状の導体パターン
8を上記フィルム7上に有する,複数の上記テープ9を
製造しておく。ここで上記導体パターン8の寸法、形状
は、上述したようにエッチング等の方法により±2μm
以下の公差にて高精度に形成することができるので、例
えば導体パターンの長さの差を、5μmといった微細な
長さに設定することも可能である。
いずれかを、順次上記整合回路基板1の上に位置合わせ
し、その後、ベース基板6上の吸着溝12を介して吸気
を行い、上記整合回路基板1の吸着穴11よりテープ9
を吸着することにより仮置きする。そしてこの状態で集
積回路装置の電気特性を測定する。所望の電気特性が得
られない場合は、吸着溝12からの吸気を止め、吸着穴
11の吸着を一時休止してテープ9を開放状態にし、導
体パターン8の主配線電極2との接触点の位置をずらす
か、テープ9を他のものに交換する。該テープ9の位置
合わせ、あるいはテープ交換を終えたのち、再度吸着溝
12を介しての吸気を開始してテープ9を吸着し、該テ
ープ9を仮置き状態にし、電気特性の測定を行う。該測
定により所望の特性が得られた場合には、圧力印加用に
設けたフィルム穴10の上部より直接超音波等を加えな
がら圧力を印加して、導体パターン8と主配線電極2を
圧着し、低抵抗で恒常的な接触状態にする。また、フィ
ルム7は、エポキシ等の接着剤のポッティング等により
恒常的な接着状態にする。テープ9を恒常的に固定した
後は吸着穴11よりの吸着は不要となるので、以後吸着
は行う必要はない。
が5μmのテープ9を複数個用意し、上記テープ9の位
置を±1μm以内の高精度にて位置合わせするようにし
たので、従来のように約100μm角に形成されたラン
ド4をワイヤ3により結線するかしないかにより電気特
性を調整する場合に比べて、本実施例における調整精度
は飛躍的に高精度になり、従来1/10波長程度の粗調
整しかできなかったミリ波(λ=1mm)帯でも、0.
005mm(=5μm)以下,即ち1/200波長以下
の微調整が可能となる。
配線電極2の広い範囲の任意の位置にテープ9を設置す
ることが可能となったから、調整範囲も広くなり、同一
基板で、例えば6GHz帯と10GHzといった異なる
周波数帯域間の調整を行うことも可能となる。
定するようにしているため、所望の電気特性が得られる
まで何度でも再調整を行うことができ、最適値への調整
を、より正確に、かつ簡易に行うことができる。
1とを接着および接触部1ヶ所のみを超音波圧着により
接続するのみであるから、従来のようにワイヤ3を多数
張ることによる調整より、短時間での調整が可能とな
る。
着したが、後で集積回路装置をアセンブリした場合に再
調整が予想される場合には、該テープを粘着性接着剤等
により再度基板よりはがすことの可能な方法で固定(仮
固定)し、必要時にこれをはがして他のテープを用いて
再調整しながら固定を行い、集積回路装置を製造するよ
うにしてもよい。
集積回路装置の上面図を示し、図4は図3の集積回路装
置のA−A’断面図を示す。両図において、図1および
図2と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、
13は基板1表面と裏面の補助配線電極とを接続してい
るバイアホールである。14は基板1上に設けられ、上
記バイアホールに接続された補助配線電極、本実施例で
は接地されたバイアホール13に接続された補助配線電
極14と主配線電極2とをメアンダライン型の導体パタ
ーン8により結線し、いわゆるショートスタブを構成し
ている。
気特性を調整しながら集積回路装置を製造する方法につ
いて説明する。即ち、各種のメアンダライン形状の導体
パターン8をもつテープ9を準備し、上記実施例1で用
いた方法により上記テープ9を上記基板1上に仮置し
て、その状態で該集積回路装置の電気特性を測定し、所
望の電気特性の得られた位置において上記テープ9を接
着する。従って、本実施例では、導体パターンが有する
メアンダラインの形状として、各種の形状を用意するこ
とにより、補助配線電極14より主配線電極2までの実
効的な電気長を多数用意することができ、ショートスタ
ブを用いた電気特性の高精度な調整を行うことが可能と
なる。
集積回路装置の上面図を示し、図6は図5の集積回路装
置のA−A’断面図、図7は図5の集積回路装置のB−
B’断面図を示す。図において、図1と同一符号は同一
又は相当する部分を示しており、15は基板1上の配線
電極2上に設けられたポリイミドや、SiO2 等の絶縁
性物質により構成される絶縁膜である。
本実施例における図6に示すA−A’断面では、絶縁性
物質により構成されるフィルム7の上面に、導体パター
ン8を形成したテープ9を用いたため、基板1上の主配
線電極2と導体パターン8とは電気的に接触することは
ないが、フィルム7の膜厚が一般に数100μm以下と
薄いことから、高周波帯においては、主配線電極2と導
体パターン8とは該フィルム7を介して電気的にカップ
リング,即ち容量結合している。このカップリング,容
量結合があることにより、上記実施例1と同様に、該集
積回路装置の電気特性の調整を行うことが可能となる。
断面では、上記導体パターン8がフィルム7の下面に形
成されたテープ9と、集積回路装置の整合回路基板1上
の主配線電極2上に絶縁膜15を形成しているものを用
いた。そのため、上記絶縁膜上に位置しているテープ9
の導体パターン8と基板1上の配線電極2とは電気的に
接触することはないが、一般に絶縁膜15の膜厚を数1
00μm以下に形成することは容易であるため、高周波
帯では主配線電極2と導体パターン8とをカップリング
させることができる。このため、上記実施例1と同様な
該集積回路装置の電気特性の調整が可能となる。また、
基板上の絶縁膜は、数1000オングストローム程度の
薄さまで容易に薄膜化することが可能なことから、図5
のB−B’断面でのカップリング量(容量結合)は、A
−A’断面でのカップリング量よりもカップリング量を
大きくでき、より高精度な調整が可能となる。
面,B−B’断面のいずれにおいても、導体パターン8
がフィルム7の上面に位置しているが、これはフィルム
7内の中間層としてフィルム内に位置していてもよい。
波帯において、主配線電極2に対し導体パターン8をカ
ップリング(容量結合)させて接続するようにしたこと
により、第1の実施例と同様な調整を行うことができ、
しかも自由度の高い広範囲な調整を行うことができる効
果がある。
よる集積回路装置の上面図を示し、図9は図8の集積回
路装置のA−A’断面図を示す。両図において、図1と
同一符号は同一又は相当する部分を示しており、16は
ポリイミド等の絶縁性物質により構成される第1のテー
プのフィルム、17はAu,Al等の導電性物質により
構成される第1のテープの導体パターン、18は上記フ
ィルム16の上面に上記導体パターン17が形成された
第1のテープである。19はポリイミド等の絶縁性物質
により構成される第2のテープのフィルム、20はA
u,Al等の導電性物質により構成される第2のテープ
の導体パターン、21は上記フィルム19の上面に上記
導体パターン20が形成された第2のテープである。上
記第1のテープ18,第2のテープ21はともに接着等
により恒常的に固定されている。
1上の主配線電極2と第1のテープ18の導体パターン
17とが電気的にカップリング(容量結合)し、さらに
第1のテープ18の導体パターン17と第2のテープ2
1の導体パターン20とも電気的にカップリング(容量
結合)している。従ってこのような構成により、第1の
テープ18のみで調整を行うよりも、第2のテープ21
を追加してその調整を行うことにより、その容量結合の
大きさを大きくすることができ、より広範囲な電気特性
の調整を行うことが可能となる。
ムの上面層に設けたが、これはフィルムの下面層あるい
は中間層に設けるようにしてもよい。また、本実施例で
は、電気的なカップリングにより調整を行っているが、
これは電気的な接触により調整を行うようにしてもよ
い。
ス基板上に、半導体素子と、その上に主配線電極を形成
してなる回路基板とを設け、上記半導体素子と上記主配
線電極とをワイヤにより接続してなる集積回路装置にお
いて、フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装
置の電気特性を調整するための導体パターンを有してな
るテープを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導
体パターンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的
に接続されるよう設けてなり、上記回路基板の裏面と表
面とを電気的に接続する貫通孔に接続された該回路基板
上の補助配線電極と、該回路基板上の上記主配線電極と
が、上記テープの導体パターンで接続され、ショートス
タブを構成しているものとしたので、上記導体パターン
の形状を選択することにより、ショートスタブによる電
気特性の高精度調整を簡単に行える集積回路装置が得ら
れる効果がある。
半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路
基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワ
イヤにより接続してなる集積回路装置において、フィル
ムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性
を調整するための導体パターンを有してなるテープを、
上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが
該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続される
よう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィルムの
上面層あるいは中間層に形成されており、該導体パター
ンは、上記回路基板上の主配線電極と上記フィルムの絶
縁層を介して容量結合することにより該主配線電極に電
気的に接続されているものとしたので、高周波帯におい
て、テープの導体パターンと基板上の配線電極とが電気
的にカップリングし、該カップリングによって自由度の
高い広範囲な電気特性の調整が可能となる集積回路装置
を得られる効果がある。
半導体素子と、その上に主配線電極を形成してなる回路
基板とを設け、上記半導体素子と上記主配線電極とをワ
イヤにより接続してなる集積回路装置において、フィル
ムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電気特性
を調整するための導体パターンを有してなるテープを、
上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パターンが
該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続される
よう設けてなり、上記導体パターンは、上記フィルムの
下面層に、またはその上面層あるいは中間層に形成され
てなるテープを、上記回路基板上の主配線電極上に設け
た絶縁膜上に接着してなり、該導体パターンは、該絶縁
膜を介して上記主配線電極に容量結合により電気的に接
続されているものとしたので、テープの導体パターンと
基板上の配線電極とが上記絶縁膜を介して電気的にカッ
プリングし、該カップリングによって自由度の高い広範
囲な電気特性の調整が可能となる集積回路装置を得られ
る効果がある。
において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上
記テープの上に、第2のフィルムの下面層に、またはそ
の上面層あるいは中間層に第2の導体パターンを有して
なる第2のテープを接着してなり、上記第2の導体パタ
ーンが、上記導体パターンと、少なくとも上記第2のフ
ィルムの絶縁層及び上記第1のフィルムの絶縁層のいず
れか一方を介して容量結合により電気的に接続されてい
るものとしたので、テープが1つの時よりもより広範囲
な電気特性の調整が可能となる集積回路装置を得られる
効果がある。
において、上記テープの、上記導体パターンと上記回路
基板の主配線電極との接続部の上方に位置するフィルム
の部分が除去されているものとしたので、超音波による
圧着等の方法により、容易に基板上の配線電極と導体パ
ターンとを低抵抗に、しかも短時間に接続することがで
きる,より密着性の高いテープの接着が可能な集積回路
装置を得られる効果がある。
において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路基
板上に仮置きした上記テープを真空吸着するための真空
吸引穴を有するものとしたので、テープを基板上に形成
するときに仮置を行うことができ、テープの交換,ある
いは基板上の配線電極位置の調整時の作業時間を短くで
き、さらに導体パターンの接触不良による調整誤差を減
らすことのできる集積回路装置を得られる効果がある。
の上面図。
の上面図。
の上面図。
の上面図。
(図11(a) ,図11(b) )の上面図。
5 FET、6 ベース、7 フィルム、8 導体パタ
ーン、9 テープ、10 フィルム穴、11吸着穴、1
2 吸着溝、13 バイアホール、14 補助配線電
極、15 絶縁膜、16 第1のテープのフィルム、1
7 第1のテープの導体パターン、18第1のテープ、
19 第2のテープのフィルム、20 第2のテープの
導体パターン、21 第2のテープ。
Claims (6)
- 【請求項1】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
されるよう設けてなり、 上記回路基板の裏面と表面とを電気的に接続する貫通孔
に接続された該回路基板上の補助配線電極と、該回路基
板上の上記主配線電極とが、上記テープの導体パターン
で接続され、ショートスタブを構成している ことを特徴
とする集積回路装置。 - 【請求項2】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
されるよう設けてなり、 上記導体パターンは、上記フィルムの上面層あるいは中
間層に形成されており、該導体パターンは、上記回路基
板上の主配線電極と上記フィルムの絶縁層を介して容量
結合することにより該主配線電極に電気的に接続されて
いる ことを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項3】 ベース基板上に、半導体素子と、その上
に主配線電極を形成してなる回路基板とを設け、上記半
導体素子と上記主配線電極とをワイヤにより接続してな
る集積回路装置において、 フィルムの表面層又はその内層に、該集積回路装置の電
気特性を調整するための導体パターンを有してなるテー
プを、上記主配線電極の所要部分の上に、上記導体パタ
ーンが該主配線電極に直角に配置されかつ電気的に接続
されるよう設けてなり、 上記導体パターンは、上記フィルムの下面層に、または
その上面層あるいは中間層に形成されてなるテープを、
上記回路基板上の主配線電極上に設けた絶縁膜上に接着
してなり、該導体パターンは、該絶縁膜を介して上記主
配線電極に容量結合により電気的に接続されている こと
を特徴とする集積回路装置。 - 【請求項4】 請求項2または3に記載の集積回路装置
において、上記回路基板上の主配線電極上に接着した上記テープの
上に、第2のフィルムの下面層に、またはその上面層あ
るいは中間層に第2の導体パターンを有してなる第2の
テープを接着してなり、上記第2の導体パターンが、上
記導体パターンと、少なくとも上記第2のフィルムの絶
縁層及び上記第1のフィルムの絶縁層のいずれか一方を
介して容量結合により 電気的に接続されていることを特
徴とする集積回路装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載の集
積回路装置において、上記テープの、上記導体パターンと上記回路基板の主配
線電極との接続部の上方に位置するフィルムの部分が除
去 されていることを特徴とする集積回路装置。 - 【請求項6】 請求項1ないし4のいずれかに記載の集
積回路装置において、上記回路基板は、その所要位置に、該回路基板上に仮置
きした上記テープを真空吸着するための真空吸引穴を有
するものである ことを特徴とする集積回路装置。
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JP12119894A JP3521152B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 集積回路装置 |
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JPH07326911A JPH07326911A (ja) | 1995-12-12 |
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