JP3512428B2 - サブ開口アドレス指定光ビーム・ステアリング装置におけるビーム・ステアリング方法 - Google Patents
サブ開口アドレス指定光ビーム・ステアリング装置におけるビーム・ステアリング方法Info
- Publication number
- JP3512428B2 JP3512428B2 JP04341392A JP4341392A JP3512428B2 JP 3512428 B2 JP3512428 B2 JP 3512428B2 JP 04341392 A JP04341392 A JP 04341392A JP 4341392 A JP4341392 A JP 4341392A JP 3512428 B2 JP3512428 B2 JP 3512428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- sub
- phase
- voltage
- beam steering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 16
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 12
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/292—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection by controlled diffraction or phased-array beam steering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
- H01Q3/2676—Optically controlled phased array
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/24—Function characteristic beam steering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビーム・ステアリン
グに関し、特に大開口ビームの高性能のサブ開口アドレ
ス指定光ビーム・ステアリング装置、およびこの装置に
おける非常に多数のステアリング角度を提供する方法に
関する。
グに関し、特に大開口ビームの高性能のサブ開口アドレ
ス指定光ビーム・ステアリング装置、およびこの装置に
おける非常に多数のステアリング角度を提供する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】偏光赤外線を偏向するためのスタティッ
ク偏向装置が、１９８７年１月２７日発行のＪ．Ｐ．Ｈ
ｕｉｇｎａｒｄ等の米国特許第４，６３９，０９１号に
提案されている。このＨｕｉｇｎａｒｄ等の偏向装置
は、前層としてストライプ電極が配置されたウインドウ
を有する層構造の方形板を含む。このウインドウとスト
ライプ電極の双方は、入射する赤外線ビームに対して透
過性を呈する。偏向装置の中間層は電気−光学液晶層を
含んでいる。底部層は、液晶層に隣接した共通電極を持
つ基板を含んでいる。この共通電極は、ビームの波長で
反射することが望ましく、例えば金膜であり、あるいは
透過により作動する偏向装置の場合は、透過性の後部板
を使用することもできる。
ク偏向装置が、１９８７年１月２７日発行のＪ．Ｐ．Ｈ
ｕｉｇｎａｒｄ等の米国特許第４，６３９，０９１号に
提案されている。このＨｕｉｇｎａｒｄ等の偏向装置
は、前層としてストライプ電極が配置されたウインドウ
を有する層構造の方形板を含む。このウインドウとスト
ライプ電極の双方は、入射する赤外線ビームに対して透
過性を呈する。偏向装置の中間層は電気−光学液晶層を
含んでいる。底部層は、液晶層に隣接した共通電極を持
つ基板を含んでいる。この共通電極は、ビームの波長で
反射することが望ましく、例えば金膜であり、あるいは
透過により作動する偏向装置の場合は、透過性の後部板
を使用することもできる。
【０００３】Ｈｕｉｇｎａｒｄ等は、ストライプ電極に
加えられることにより調整自在な期間の回折格子を形成
するように液晶層に局部的な屈折率の変化を生じるＮの
電圧ステップを有する周期的な階段波形を提案してい
る。
加えられることにより調整自在な期間の回折格子を形成
するように液晶層に局部的な屈折率の変化を生じるＮの
電圧ステップを有する周期的な階段波形を提案してい
る。
【０００４】ストライプ電極の実用的用途、即ち液晶セ
ル光ビーム偏向装置の概念は、参考のため本文に引用さ
れる１９９０年１０月２３日発行のＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃ
ｈｎｅｒ等の米国特許第４，９６４，７０１号「光ビー
ム用偏向装置（Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｏｒ ａｎ Ｏ
ｐｔｉｃａｌ Ｂｅａｍ）」に、また１９８９年１月３
日出願のＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃｈｎｅｒの米国特許出願第
２９２，７８９号「屈折手段を用いる光ビーム用偏向装
置（Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｏｒ ａｎ Ｏｐｔｉｃａ
ｌ Ｂｅａｍ Ｕｓｉｎｇ Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｍ
ｅａｎｓ）」に開示されている。レーザ光ステアリング
のこれら及び他の用途は、光ビームの、特に大きな直径
の回折制限炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ・レーダ・ビーム
の迅速な大角度指向および走査の必要性を強化するもの
となる。即ち、マイクロ波レーダ・システムに現在広く
使用される多用途のフェーズドアレイ・アンテナの光学
的バージョンの差し迫った需要が存在している。
ル光ビーム偏向装置の概念は、参考のため本文に引用さ
れる１９９０年１０月２３日発行のＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃ
ｈｎｅｒ等の米国特許第４，９６４，７０１号「光ビー
ム用偏向装置（Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｏｒ ａｎ Ｏ
ｐｔｉｃａｌ Ｂｅａｍ）」に、また１９８９年１月３
日出願のＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃｈｎｅｒの米国特許出願第
２９２，７８９号「屈折手段を用いる光ビーム用偏向装
置（Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｏｒ ａｎ Ｏｐｔｉｃａ
ｌ Ｂｅａｍ Ｕｓｉｎｇ Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｍ
ｅａｎｓ）」に開示されている。レーザ光ステアリング
のこれら及び他の用途は、光ビームの、特に大きな直径
の回折制限炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ・レーダ・ビーム
の迅速な大角度指向および走査の必要性を強化するもの
となる。即ち、マイクロ波レーダ・システムに現在広く
使用される多用途のフェーズドアレイ・アンテナの光学
的バージョンの差し迫った需要が存在している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光ビームの電子的ステ
アリングのための光学的フェーズドアレイ「アンテナ」
は、非常に多数の移相器およびこれに対応する光学的ア
レイの作動のため必要な非常に高密度の電気的接続の故
に、実際に実現することは困難である。高性能の大角度
光ビーム・ステアリングは、アレイの個々の移相器が指
向されるべき光の波長より小さな間隙を有することを必
要とする。通常は、マイクロ波フェーズドアレイ・アン
テナ用には１／２乃至１波長の間隙が選定され、同様の
間隙が光学系で使用されることが予期される。
アリングのための光学的フェーズドアレイ「アンテナ」
は、非常に多数の移相器およびこれに対応する光学的ア
レイの作動のため必要な非常に高密度の電気的接続の故
に、実際に実現することは困難である。高性能の大角度
光ビーム・ステアリングは、アレイの個々の移相器が指
向されるべき光の波長より小さな間隙を有することを必
要とする。通常は、マイクロ波フェーズドアレイ・アン
テナ用には１／２乃至１波長の間隙が選定され、同様の
間隙が光学系で使用されることが予期される。
【０００６】この寸法の液晶光学的移相器の製造は、半
導体フォトリトグラフ法を用いて非常に容易となってい
る。現在では、２ミクロンより小さな電極幅を持つ装置
が容易に製造されている。更に、サブミクロンの間隙は
技術水準のリソグラフ装置を用いて実施可能となってい
る。しかし、大きなアレイの移相器の各々を個々の電圧
源に接続することは、大変な作業であると思われる。
導体フォトリトグラフ法を用いて非常に容易となってい
る。現在では、２ミクロンより小さな電極幅を持つ装置
が容易に製造されている。更に、サブミクロンの間隙は
技術水準のリソグラフ装置を用いて実施可能となってい
る。しかし、大きなアレイの移相器の各々を個々の電圧
源に接続することは、大変な作業であると思われる。
【０００７】半波長の間隙の多少とも最適の場合を考え
ると、もし直線的な１次元アレイの全ての移相器が個々
にアドレス指定可能であるとすれば、エッジ接続密度は
１０ミクロン波長における開口のセンチメートル（ｃ
ｍ）当たり２，０００となり、１ミクロン波長において
はｃｍ当たり２０，０００となる。１メートルに及ぶ開
口が要求されるため、これまで使用されたフェーズドア
レイ・アーキテクチャに必要とされる電気的接続数は、
可視光波長の場合には百万以上となる可能性がある。第
２次元のステアリングをカバーする第２の１次元装置
は、同数の接続部を必要としよう。このような大きさの
オフ・チップ接続数は、特に通常の半導体技術において
使用されるオフ・チップ接続点が数百にすぎないことを
考慮すれば、あまりにも多すぎると考えられる。
ると、もし直線的な１次元アレイの全ての移相器が個々
にアドレス指定可能であるとすれば、エッジ接続密度は
１０ミクロン波長における開口のセンチメートル（ｃ
ｍ）当たり２，０００となり、１ミクロン波長において
はｃｍ当たり２０，０００となる。１メートルに及ぶ開
口が要求されるため、これまで使用されたフェーズドア
レイ・アーキテクチャに必要とされる電気的接続数は、
可視光波長の場合には百万以上となる可能性がある。第
２次元のステアリングをカバーする第２の１次元装置
は、同数の接続部を必要としよう。このような大きさの
オフ・チップ接続数は、特に通常の半導体技術において
使用されるオフ・チップ接続点が数百にすぎないことを
考慮すれば、あまりにも多すぎると考えられる。
【０００８】移相器および間隙が１波長より大きく、そ
の結果性能が低い光フェーズドアレイ・アンテナもまた
公知である。移相器の結果的な減少は、明らかに電極接
続部の必要数を減少させる。それにも拘わらず、この試
みは、１波長より大きな間隙が一般に１つの入力ビーム
に対して多数の出力ビームを生じるため、多くの用途に
受入れ得ないと考えられる。本発明の用途がレーザ・レ
ーダ・システムである場合、唯１つのビームであること
が一般に必須である。多数のビームの存在はある送信機
能においては許容され得るが、意図するビームへの電力
は大きな割合でなくとも減少することになる。しかし、
受信モードにおいては、多数の方向からのエネルギに対
して同時に生じる感度は目標方向に望ましくない曖昧さ
を生じ得る。
の結果性能が低い光フェーズドアレイ・アンテナもまた
公知である。移相器の結果的な減少は、明らかに電極接
続部の必要数を減少させる。それにも拘わらず、この試
みは、１波長より大きな間隙が一般に１つの入力ビーム
に対して多数の出力ビームを生じるため、多くの用途に
受入れ得ないと考えられる。本発明の用途がレーザ・レ
ーダ・システムである場合、唯１つのビームであること
が一般に必須である。多数のビームの存在はある送信機
能においては許容され得るが、意図するビームへの電力
は大きな割合でなくとも減少することになる。しかし、
受信モードにおいては、多数の方向からのエネルギに対
して同時に生じる感度は目標方向に望ましくない曖昧さ
を生じ得る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の主な目
的は、光学的ビーム・ステアリング装置におけるビーム
のステアリングを行うための改善された方法を提供する
ことにある。
的は、光学的ビーム・ステアリング装置におけるビーム
のステアリングを行うための改善された方法を提供する
ことにある。
【００１０】本発明の別の目的は、複数の同一サブアレ
イに分割された多数のストライプ電極移相器を含み、こ
れにより大きな直径の光ビームのより高い分解能のステ
アリングを生じる光ビーム・ステアリング装置における
光ビームのステアリングを行なう改善された方法の提供
にある。
イに分割された多数のストライプ電極移相器を含み、こ
れにより大きな直径の光ビームのより高い分解能のステ
アリングを生じる光ビーム・ステアリング装置における
光ビームのステアリングを行なう改善された方法の提供
にある。
【００１１】本発明の上記および他の目的は、一般にサ
ブアレイ・アドレス指定ビーム・ステアリング装置を用
いて入射電磁ビームをステアリングするための方法を提
供することにより達成され、このビーム・ステアリング
装置は、並列動作する複数の同一サブアレイに分割され
た多数の移相器を含んでいる。本方法は、各サブアレイ
を複数の周期に等しく細分割し、各周期の移相器に与え
られる電圧の階段波形を結果として生じるように各サブ
アレイの移相器に電圧を加えることを含む。
ブアレイ・アドレス指定ビーム・ステアリング装置を用
いて入射電磁ビームをステアリングするための方法を提
供することにより達成され、このビーム・ステアリング
装置は、並列動作する複数の同一サブアレイに分割され
た多数の移相器を含んでいる。本方法は、各サブアレイ
を複数の周期に等しく細分割し、各周期の移相器に与え
られる電圧の階段波形を結果として生じるように各サブ
アレイの移相器に電圧を加えることを含む。
【００１２】一実施例においては、各周期に同数の移相
器が存在する。第２の実施例においては、各サブアレイ
は全ての周期が同数の移相器を含むとはかぎらない多く
の周期に細分割される。本発明の望ましい実施態様によ
れば、各周期の移相器に加えられる電圧の階段波形は、
周期間に２πの位相ランプを生じるように選定される。
器が存在する。第２の実施例においては、各サブアレイ
は全ての周期が同数の移相器を含むとはかぎらない多く
の周期に細分割される。本発明の望ましい実施態様によ
れば、各周期の移相器に加えられる電圧の階段波形は、
周期間に２πの位相ランプを生じるように選定される。
【００１３】１つの態様では、このビーム・ステアリン
グ装置は、第１の面上に共通の電極を有する光学移相器
のアレイと、第２の面上に多数のＳ個の並列ストライプ
電極と、第１および第２の面の中間に１つの電気−光学
移相媒体とを含む。このビーム・ステアリング装置は更
に、各々がストライプ電極のＳ／Ｍと接続されるＭ個の
相互接続部を含み、ｉ番目の相互接続部が０乃至（Ｓ／
Ｍ）−１の範囲のｊの全ての整数値に対して（ｉ＋ｊ
Ｍ）番目のストライプ電極の各々と接続されている。こ
のビーム・ステアリング装置は更に、Ｍ個の相互接続部
と共通電極との間にそれぞれＭ個の制御信号を接続する
ことにより、移相媒体における屈折率の局部的な変化を
生じさせる手段装置を含む。
グ装置は、第１の面上に共通の電極を有する光学移相器
のアレイと、第２の面上に多数のＳ個の並列ストライプ
電極と、第１および第２の面の中間に１つの電気−光学
移相媒体とを含む。このビーム・ステアリング装置は更
に、各々がストライプ電極のＳ／Ｍと接続されるＭ個の
相互接続部を含み、ｉ番目の相互接続部が０乃至（Ｓ／
Ｍ）−１の範囲のｊの全ての整数値に対して（ｉ＋ｊ
Ｍ）番目のストライプ電極の各々と接続されている。こ
のビーム・ステアリング装置は更に、Ｍ個の相互接続部
と共通電極との間にそれぞれＭ個の制御信号を接続する
ことにより、移相媒体における屈折率の局部的な変化を
生じさせる手段装置を含む。
【００１４】このような構成により、サブアレイのサイ
ズが、要求される電気的接続数が現在の技術で処理可能
である程度に小さい、サブ開口アドレス指定ビーム・ス
テアリング装置に対して多数のビーム・ステアリング位
置を提供することが可能である。不等長周期、あるいは
等長および不等長周期の組合わせの選定により、サブア
レイの単なる階乗的な分割による以上に著しく多くの状
態がアドレス可能となる。
ズが、要求される電気的接続数が現在の技術で処理可能
である程度に小さい、サブ開口アドレス指定ビーム・ス
テアリング装置に対して多数のビーム・ステアリング位
置を提供することが可能である。不等長周期、あるいは
等長および不等長周期の組合わせの選定により、サブア
レイの単なる階乗的な分割による以上に著しく多くの状
態がアドレス可能となる。
【００１５】本発明の上記の特徴およびその利点につい
ては、添付図面と関連する以降の詳細な記述からよく理
解されよう。
ては、添付図面と関連する以降の詳細な記述からよく理
解されよう。
【００１６】
【実施例】本発明のビーム・ステアリング法は、特に例
示された光ビーム・ステアリング装置に関して本文に開
示される。多数の移相器のサブ開口のアドレス指定を行
う例示的ビーム・ステアリング装置は、本願と同時に出
願され本発明の譲受人に譲渡されたＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃ
ｈｎｅｒおよびＤ．Ｐ．Ｒｅｓｌｅｒの係属中の米国特
許出願「サブ開口アドレス指定を備えた光ビーム・ステ
アリング装置（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｂｅａｍ Ｓｔｅｅｒ
ｅｒ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｕｂａｐｅｒｔｕｒｅ Ａｄｄ
ｒｅｓｓｉｎｇ）」において詳細に開示されている。こ
の米国特許出願の教示内容は参考のため本文に引用す
る。
示された光ビーム・ステアリング装置に関して本文に開
示される。多数の移相器のサブ開口のアドレス指定を行
う例示的ビーム・ステアリング装置は、本願と同時に出
願され本発明の譲受人に譲渡されたＴ．Ａ．Ｄｏｒｓｃ
ｈｎｅｒおよびＤ．Ｐ．Ｒｅｓｌｅｒの係属中の米国特
許出願「サブ開口アドレス指定を備えた光ビーム・ステ
アリング装置（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｂｅａｍ Ｓｔｅｅｒ
ｅｒ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｕｂａｐｅｒｔｕｒｅ Ａｄｄ
ｒｅｓｓｉｎｇ）」において詳細に開示されている。こ
の米国特許出願の教示内容は参考のため本文に引用す
る。
【００１７】図１において、本発明において使用するた
め記載される形式の液晶ビーム・ステアリング装置１０
が概略断面図で示される。装置１０は、対象となる周波
数範囲で光学的透過性のウィンドウ１２及び１４を有す
る液晶セルから構成される。ウインドウ１２に対して固
定された共通電極１６は、導電性を持ち光学的に透過性
を有する。ウインドウ１４に固定された電極１８として
全体的に示される電極１８1、１８2、１８3、、、は、
複数の導電性を有する光学的に透過性のあるストライプ
を含む。例示として、炭酸ガス・レーザ・ビームのステ
アリングのため、電極１８は幅が４〜１０マイクロメー
トル（μｍ）であり、相互に約１μｍだけ隔てられてい
る。ウインドウ１２および１４間の間隙は、例えば長く
薄いロッド状のいわゆる「ネマチック」相の有機体分子
である液晶分子層２０で充填されている。
め記載される形式の液晶ビーム・ステアリング装置１０
が概略断面図で示される。装置１０は、対象となる周波
数範囲で光学的透過性のウィンドウ１２及び１４を有す
る液晶セルから構成される。ウインドウ１２に対して固
定された共通電極１６は、導電性を持ち光学的に透過性
を有する。ウインドウ１４に固定された電極１８として
全体的に示される電極１８1、１８2、１８3、、、は、
複数の導電性を有する光学的に透過性のあるストライプ
を含む。例示として、炭酸ガス・レーザ・ビームのステ
アリングのため、電極１８は幅が４〜１０マイクロメー
トル（μｍ）であり、相互に約１μｍだけ隔てられてい
る。ウインドウ１２および１４間の間隙は、例えば長く
薄いロッド状のいわゆる「ネマチック」相の有機体分子
である液晶分子層２０で充填されている。
【００１８】図１の光ビーム・ステアリング装置１０
は、可視光線から遠赤外線の範囲にわたる偏光ビーム２
２を生じる光源およびビーム形成ネットワーク（図示せ
ず）に応答する。光線２２ａ〜２２ｃで部分的に示され
る光ビーム２２は、光学装置１０のウインドウ１４へ指
向される。光ビーム２２は、ストライプ電極１８により
形成される面と直角に入射し、あるいは望ましくはビー
ムのストライプ電極１８により形成された面に対する投
射が電極１８の長手方向に平行となるように斜めに入射
する。
は、可視光線から遠赤外線の範囲にわたる偏光ビーム２
２を生じる光源およびビーム形成ネットワーク（図示せ
ず）に応答する。光線２２ａ〜２２ｃで部分的に示され
る光ビーム２２は、光学装置１０のウインドウ１４へ指
向される。光ビーム２２は、ストライプ電極１８により
形成される面と直角に入射し、あるいは望ましくはビー
ムのストライプ電極１８により形成された面に対する投
射が電極１８の長手方向に平行となるように斜めに入射
する。
【００１９】整列層と直角をなす電界の印加は、光が透
過する整列層に対して偏光が平行である光の速度に影響
を及ぼす、従って遅れを生じることが、液晶分子の特性
であり配向が上記の如き整列層により充分に規定され
る。このため、図１の簡単な例においては、共通電極１
６と個々のストライプ電極１８との間の制御電圧発生器
２６からの異なる電位の付加は、個々のストライプ電極
１８1、１８2、１８3、、、と共通電極１６との間の領
域に電界差をもたらす結果となり、これにより液晶層２
０における屈折率の局部的な変化を生じる。
過する整列層に対して偏光が平行である光の速度に影響
を及ぼす、従って遅れを生じることが、液晶分子の特性
であり配向が上記の如き整列層により充分に規定され
る。このため、図１の簡単な例においては、共通電極１
６と個々のストライプ電極１８との間の制御電圧発生器
２６からの異なる電位の付加は、個々のストライプ電極
１８1、１８2、１８3、、、と共通電極１６との間の領
域に電界差をもたらす結果となり、これにより液晶層２
０における屈折率の局部的な変化を生じる。
【００２０】この簡略化した例においては、階段波形２
６ａとして略図的に示されるビーム２２ａ、２２ｂおよ
び２２ｃが入射する電極１８に加えられた電位は、出て
くる光線２４ｃに最も大きな遅れおよび出てくる光線２
４ａには最も小さな遅れを生じる如きものである。この
ため、光ビーム偏向装置１０から出てくるビーム２４の
波面１７は、入射波面に対して傾斜している。従って、
図１の光ビーム偏向装置１０はストライプ電極１８に対
して与えられた電位に従って選択的なビーム・ステアリ
ングを生じることが判るであろう。
６ａとして略図的に示されるビーム２２ａ、２２ｂおよ
び２２ｃが入射する電極１８に加えられた電位は、出て
くる光線２４ｃに最も大きな遅れおよび出てくる光線２
４ａには最も小さな遅れを生じる如きものである。この
ため、光ビーム偏向装置１０から出てくるビーム２４の
波面１７は、入射波面に対して傾斜している。従って、
図１の光ビーム偏向装置１０はストライプ電極１８に対
して与えられた電位に従って選択的なビーム・ステアリ
ングを生じることが判るであろう。
【００２１】ビーム・ステアリングの目的のため個々の
ストライプ電極１８に対して制御電圧信号を加えること
は、例えば、Ｍ．Ｉ．Ｓｋｏｌｎｉｋ編集「レーダ・ハ
ンドブック（Ｒａｄａｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ）」の第２
章（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９
７０年）に教示される如き従来のマイクロ波レーダ・ビ
ームのステアリングにおいて使用される方法に類似して
いる。例示された波形２６ａに示されるように、間隔が
周期的でありかつ最小値と最大値間の各周期内で電圧ス
テップの連続的な推移を有する複数の制御電圧信号が多
数のストライプ電極１８に対して加えられる。しかし、
本発明を周期的である複数の制御電圧信号のみに限定す
ることは意図するところではない。
ストライプ電極１８に対して制御電圧信号を加えること
は、例えば、Ｍ．Ｉ．Ｓｋｏｌｎｉｋ編集「レーダ・ハ
ンドブック（Ｒａｄａｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ）」の第２
章（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９
７０年）に教示される如き従来のマイクロ波レーダ・ビ
ームのステアリングにおいて使用される方法に類似して
いる。例示された波形２６ａに示されるように、間隔が
周期的でありかつ最小値と最大値間の各周期内で電圧ス
テップの連続的な推移を有する複数の制御電圧信号が多
数のストライプ電極１８に対して加えられる。しかし、
本発明を周期的である複数の制御電圧信号のみに限定す
ることは意図するところではない。
【００２２】本ビーム・ステアリング装置の動作は下記
の如くである。即ち、階段波形電圧２６ａが電極１８に
加えられ、電圧レベルは開口に跨がる移相の均一な階段
波形即ち近似ランプを結果として生じるように選定され
る。液晶の応答は線形的でないため、電圧ランプは必ず
しも等しい段階を含まない。この移相器は、マイクロ波
アレイにおける如く、大きな移相の要求を避けるため、
モジューロ２πで作動することができる。結果として生
じる位相の「鋸歯状」分布は単一の連続的な位相ランプ
に相当し、これはプリズム状に働いて与えられた位相ラ
ンプの程度に従って入射ビームをステアリングする。
の如くである。即ち、階段波形電圧２６ａが電極１８に
加えられ、電圧レベルは開口に跨がる移相の均一な階段
波形即ち近似ランプを結果として生じるように選定され
る。液晶の応答は線形的でないため、電圧ランプは必ず
しも等しい段階を含まない。この移相器は、マイクロ波
アレイにおける如く、大きな移相の要求を避けるため、
モジューロ２πで作動することができる。結果として生
じる位相の「鋸歯状」分布は単一の連続的な位相ランプ
に相当し、これはプリズム状に働いて与えられた位相ラ
ンプの程度に従って入射ビームをステアリングする。
【００２３】次に、ストライプ電極１８に対して個々に
制御電圧を与える装置について考察すると、前掲のＤｏ
ｒｓｃｈｎｅｒ等の出願は、多数の電極を複数のサブア
レイに組合わせるための構造を開示しており、これにお
いては、各サブアレイが意図する用途に対してビーム・
ステアリング角度の充分な分布を生じるに充分な数の電
極を含む。
制御電圧を与える装置について考察すると、前掲のＤｏ
ｒｓｃｈｎｅｒ等の出願は、多数の電極を複数のサブア
レイに組合わせるための構造を開示しており、これにお
いては、各サブアレイが意図する用途に対してビーム・
ステアリング角度の充分な分布を生じるに充分な数の電
極を含む。
【００２４】次に図２および図３は、本発明の原理によ
る簡素化されたビーム・ステアリング組立体の一部の平
面図および断面図をそれぞれ示している。この組立体
は、ウインドウ４０および４４を有する液晶セル５２
と、その間の液晶分子層５０とを含んでいる。図１のビ
ーム・ステアリング装置１０における如く、セル５２
は、ウインドウ４４の内面に共通電極４２と、ウインド
ウ４０の内面上の全体的にストライプ電極３０と呼ばれ
る多数のストライプ電極３０（１，１）、３０（１，
２）、、、３０（１，６）、３０（２，１）、、、３０
（２，６）、、、３０（ｎ，１）、、、３０（ｎ，６）
とを含む。
る簡素化されたビーム・ステアリング組立体の一部の平
面図および断面図をそれぞれ示している。この組立体
は、ウインドウ４０および４４を有する液晶セル５２
と、その間の液晶分子層５０とを含んでいる。図１のビ
ーム・ステアリング装置１０における如く、セル５２
は、ウインドウ４４の内面に共通電極４２と、ウインド
ウ４０の内面上の全体的にストライプ電極３０と呼ばれ
る多数のストライプ電極３０（１，１）、３０（１，
２）、、、３０（１，６）、３０（２，１）、、、３０
（２，６）、、、３０（ｎ，１）、、、３０（ｎ，６）
とを含む。
【００２５】従って、図２および図３のビーム・ステア
リング組立体がストライプ状の移相器の大きなアレイを
含み、各移相器がその間にストライプ電極３０の１つ、
共通電極４２および液晶分子５０から形成されることが
判る。この移相器は、横方向寸法λ0＝ｗ＋Δを有し、
ここでｗはストライプ電極３０の幅であり、Δはストラ
イプ電極３０間の間隙である。移相器は、ビーム・ステ
アリング組立体の略々全開口を均等に覆っている。
リング組立体がストライプ状の移相器の大きなアレイを
含み、各移相器がその間にストライプ電極３０の１つ、
共通電極４２および液晶分子５０から形成されることが
判る。この移相器は、横方向寸法λ0＝ｗ＋Δを有し、
ここでｗはストライプ電極３０の幅であり、Δはストラ
イプ電極３０間の間隙である。移相器は、ビーム・ステ
アリング組立体の略々全開口を均等に覆っている。
【００２６】Ｄｏｒｓｃｈｎｅｒ等の教示によれば、総
合的にサブアレイ３８と呼ばれる複数のｎ個のサブアレ
イ３８（１）、、、３８（ｎ）が総合的にジャンパ・ス
トラップ３２と呼ばれるジャンパ・ストラップ３２
（１）、３２（２）、、、３２（６）により形成されて
いる。図示を容易にするため、６個の移相器のサブアレ
イサイズが示される。ジャンパ・ストラップ３２（１）
は、ストライプ電極３０（１，１）、３０（２，
１）、、、３０（ｎ，１）を相互に連結し、ジャンパ・
ストラップ３２（２）はストライプ電極３０（１，
２）、３０（２，２）、、、３０（ｎ，２）を連結する
等々である。ジャンパ・ストラップ３２（１）は、導体
３４（１，１）によりストライプ電極３０（１，１）
と、導体３４（２，１）、、、によりストライプ電極３
０（２，１）と、また導体３４（ｎ，１）によりストラ
イプ電極３０（ｎ，１）と接続されている。一般に、ジ
ャンパ・ストラップ３２（ｉ）が導体３４（ｊ，ｉ）に
よりストライプ電極３０（ｊ，ｉ）と接続され、ここで
ｊは１からサブアレイ個数までであり、ｉは１から各サ
ブアレイ内の移相器Ｍの数までである。各ジャンパ・ス
トラップ３２（ｉ）は、制御電圧を加える目的のため外
部配線と相互に結合するための接触パッド３６（ｉ）で
終る。同様に、導体４６は、導体４４により共通電極４
２と相互に接続され、基準電圧を付加する目的のため外
部導線と相互に接続するため接触パッド４８で終ってい
る。
合的にサブアレイ３８と呼ばれる複数のｎ個のサブアレ
イ３８（１）、、、３８（ｎ）が総合的にジャンパ・ス
トラップ３２と呼ばれるジャンパ・ストラップ３２
（１）、３２（２）、、、３２（６）により形成されて
いる。図示を容易にするため、６個の移相器のサブアレ
イサイズが示される。ジャンパ・ストラップ３２（１）
は、ストライプ電極３０（１，１）、３０（２，
１）、、、３０（ｎ，１）を相互に連結し、ジャンパ・
ストラップ３２（２）はストライプ電極３０（１，
２）、３０（２，２）、、、３０（ｎ，２）を連結する
等々である。ジャンパ・ストラップ３２（１）は、導体
３４（１，１）によりストライプ電極３０（１，１）
と、導体３４（２，１）、、、によりストライプ電極３
０（２，１）と、また導体３４（ｎ，１）によりストラ
イプ電極３０（ｎ，１）と接続されている。一般に、ジ
ャンパ・ストラップ３２（ｉ）が導体３４（ｊ，ｉ）に
よりストライプ電極３０（ｊ，ｉ）と接続され、ここで
ｊは１からサブアレイ個数までであり、ｉは１から各サ
ブアレイ内の移相器Ｍの数までである。各ジャンパ・ス
トラップ３２（ｉ）は、制御電圧を加える目的のため外
部配線と相互に結合するための接触パッド３６（ｉ）で
終る。同様に、導体４６は、導体４４により共通電極４
２と相互に接続され、基準電圧を付加する目的のため外
部導線と相互に接続するため接触パッド４８で終ってい
る。
【００２７】図２および図３に示される事例において
は、１ｃｍ以上の開口の場合に通常必要とされる数千個
の代わりに、６個目毎の電極３０が並列に接続され、接
触パッド３６を介して外部の電源と接続されなければな
らない６個のアドレス・ラインが設けられる。また、サ
ブアレイ３８における電極３０の数とは独立的に、即ち
アレイ全体で１つの接地線が設けられる。
は、１ｃｍ以上の開口の場合に通常必要とされる数千個
の代わりに、６個目毎の電極３０が並列に接続され、接
触パッド３６を介して外部の電源と接続されなければな
らない６個のアドレス・ラインが設けられる。また、サ
ブアレイ３８における電極３０の数とは独立的に、即ち
アレイ全体で１つの接地線が設けられる。
【００２８】例示として各サブアレイ３８の６個の移相
器が独立的にアドレス指定可能であるが、各移相器は、
他のサブアレイ３８の各々の対応する移相器と並列に恒
久的に接続されている。このため、どんな空間的位相分
布が１つのサブアレイ３８に加えられても、これが全開
口に跨がって反復される。
器が独立的にアドレス指定可能であるが、各移相器は、
他のサブアレイ３８の各々の対応する移相器と並列に恒
久的に接続されている。このため、どんな空間的位相分
布が１つのサブアレイ３８に加えられても、これが全開
口に跨がって反復される。
【００２９】本文に開示され、またＤｏｒｓｃｈｎｅｒ
等の引用文献に詳細に記載されたサブアレイ・アドレス
指定光ビーム・ステアリング装置は、従来のフェーズド
・アレイと同様に動作させることができる、即ち、ビー
ム・ステアリング開口に跨がる位相ランプの階段状近似
が、電極に対応する電圧階段波形を加えることにより形
成される（図１参照）。従来のフェーズド・アレイと同
様に、前記位相ランプは最大振幅２πのモジューロ２π
で加えることができる。しかし、本例では、限られた
数、即ち各サブアレイ毎の個数であるＭ個の移相器が独
立的にアドレス指定可能である故に、限られた数のラン
プ周期のみを合成させ得る。このことは、アドレス指定
可能なビーム位置の数を限定するが、それでも以下に述
べるように、中程度のサブアレイ・サイズでもやや大き
な数の位置が可能となる。
等の引用文献に詳細に記載されたサブアレイ・アドレス
指定光ビーム・ステアリング装置は、従来のフェーズド
・アレイと同様に動作させることができる、即ち、ビー
ム・ステアリング開口に跨がる位相ランプの階段状近似
が、電極に対応する電圧階段波形を加えることにより形
成される（図１参照）。従来のフェーズド・アレイと同
様に、前記位相ランプは最大振幅２πのモジューロ２π
で加えることができる。しかし、本例では、限られた
数、即ち各サブアレイ毎の個数であるＭ個の移相器が独
立的にアドレス指定可能である故に、限られた数のラン
プ周期のみを合成させ得る。このことは、アドレス指定
可能なビーム位置の数を限定するが、それでも以下に述
べるように、中程度のサブアレイ・サイズでもやや大き
な数の位置が可能となる。
【００３０】サブアレイ周期ＭΛ0の同じ整数係数であ
る周期ＮΛ0を持つ同じランプをサブアレイのエッジに
不連続を生じることなく加えることができる。これは、
サイドローブの低レベルを維持するための重要な配慮と
なる。±６、±３、±２および無限大となるＮを持つＮ
個の位相ステップからなるランプを、例示として図２、
図３のサブアレイで形成することができる。これらラン
プ周期の各々は、θ＝ｓｉｎ-1（λ／ＮΛ0）により与
えられるアドレス指定可能なビーム位置と対応し、ここ
でλは光ビームの自由空間波長である。
る周期ＮΛ0を持つ同じランプをサブアレイのエッジに
不連続を生じることなく加えることができる。これは、
サイドローブの低レベルを維持するための重要な配慮と
なる。±６、±３、±２および無限大となるＮを持つＮ
個の位相ステップからなるランプを、例示として図２、
図３のサブアレイで形成することができる。これらラン
プ周期の各々は、θ＝ｓｉｎ-1（λ／ＮΛ0）により与
えられるアドレス指定可能なビーム位置と対応し、ここ
でλは光ビームの自由空間波長である。
【００３１】半波間隔、即ちλ＝２Λ0の場合は、取り
得る角度組は、それぞれ±１９．４７°、±４１．８１
°、±９０°および０°である。これらは、非常に小さ
いサブアレイの結果である大きなステアリング角度であ
る。９０°の場合は、この方向では実際には非常に小さ
なエネルギがステアリングされるため実際には実用性が
なく、装置の有効な放射領域はゼロまで減少する。
得る角度組は、それぞれ±１９．４７°、±４１．８１
°、±９０°および０°である。これらは、非常に小さ
いサブアレイの結果である大きなステアリング角度であ
る。９０°の場合は、この方向では実際には非常に小さ
なエネルギがステアリングされるため実際には実用性が
なく、装置の有効な放射領域はゼロまで減少する。
【００３２】一般に、大きな数の移相器を持つサブアレ
イは比較的小さなステアリング角度を含む。一例とし
て、４８個の移相器のサブアレイは、正確な階乗周期
（本例では、「ランプ・ピッチ」で示される）の場合、
図４に示したステアリング角度の分布を生じる。移相器
のストライプ電極間の１波長の間隔Λ0が仮定された。
±１０°の注目視野に対するこれらの角度のみが示さ
れ、これはやや典型的な対象範囲である。図４からは、
取得可能な角度の分布がやや均一であり、実際には最も
小さなステアリング角度θ＝ｓｉｎ-1（λ／ＮΛ0）の
略々倍数であることが判る。このことは、サブアレイに
おけるエレメント数が増加するに伴い均一角度の間隙が
増加する傾向を呈し、同様に、ビーム間の間隔は、サブ
アレイにおけるエレメント数が増加するに伴い減少す
る。
イは比較的小さなステアリング角度を含む。一例とし
て、４８個の移相器のサブアレイは、正確な階乗周期
（本例では、「ランプ・ピッチ」で示される）の場合、
図４に示したステアリング角度の分布を生じる。移相器
のストライプ電極間の１波長の間隔Λ0が仮定された。
±１０°の注目視野に対するこれらの角度のみが示さ
れ、これはやや典型的な対象範囲である。図４からは、
取得可能な角度の分布がやや均一であり、実際には最も
小さなステアリング角度θ＝ｓｉｎ-1（λ／ＮΛ0）の
略々倍数であることが判る。このことは、サブアレイに
おけるエレメント数が増加するに伴い均一角度の間隙が
増加する傾向を呈し、同様に、ビーム間の間隔は、サブ
アレイにおけるエレメント数が増加するに伴い減少す
る。
【００３３】他の駆動手法は、付加されるビーム方向を
アドレス指定可能にする。一例として、上記の正確な周
期の線形的重ね合せによって別の周期を形成することが
できる。サブアレイ次元に合算される周期の組合わせに
より異なる有効周期を形成することもでき、これにより
サブアレイのエッジに不連続を生じない。上記の６エレ
メントのサブアレイの場合、唯一の異なる有効波形は２
エレメント・ランプの後に４エレメント・ランプが続く
ものである。しかし、大きな数Ｍの移相器を持つサブア
レイの場合は、異なる有効移相器を生じる多くのこのよ
うな組合わせがある。特に、組合わせがサブアレイに跨
がって１からＭ／２の範囲の２π移相（全波）の考え得
る各整数倍をもたらすことが判り、Ｍはサブアレイにお
ける移相器の個数である。これは、ボアサイトの各側に
おけるＭ／２の略々等しい間隔の個々の（全レイリー・
スポット）ビーム・ステアリング方向と対応する。これ
らＭビーム（および他）の品質は下記の如く計量し得
る。
アドレス指定可能にする。一例として、上記の正確な周
期の線形的重ね合せによって別の周期を形成することが
できる。サブアレイ次元に合算される周期の組合わせに
より異なる有効周期を形成することもでき、これにより
サブアレイのエッジに不連続を生じない。上記の６エレ
メントのサブアレイの場合、唯一の異なる有効波形は２
エレメント・ランプの後に４エレメント・ランプが続く
ものである。しかし、大きな数Ｍの移相器を持つサブア
レイの場合は、異なる有効移相器を生じる多くのこのよ
うな組合わせがある。特に、組合わせがサブアレイに跨
がって１からＭ／２の範囲の２π移相（全波）の考え得
る各整数倍をもたらすことが判り、Ｍはサブアレイにお
ける移相器の個数である。これは、ボアサイトの各側に
おけるＭ／２の略々等しい間隔の個々の（全レイリー・
スポット）ビーム・ステアリング方向と対応する。これ
らＭビーム（および他）の品質は下記の如く計量し得
る。
【００３４】レーザ・レーダおよび他の高性能光学系
は、少ない収差を持ち目標に対して最大エネルギを送る
高品質のビームを必要とする。これらの条件下では、ビ
ーム品質に対する有効性能指数はいわゆるストレール
（Ｓｔｒｅｈｌ）比である。収差が小さい時は、収差を
持たないビームに対して軸心強さＩ0に対する収差を持
つビームの軸心強さＩの比は、下式の如くストレール比
で表わすことができる。即ち、 Ｉ／Ｉ0＝１−（２πσ／λ）2 但し、σは、波面の理想値からの平方二乗平均（ＲＭ
Ｓ）偏差である。ストレール比は、一般に範囲０．６＜
Ｉ／Ｉ0＜１．０におけるビーム品質に対する有効基準
と考えられる。１のストレール比は、理想的な回折極限
ビームと対応する。０．６のストレール比は、光学系の
開口における１０分の１波長のＲＭＳ位相誤差と対応し
ている。波の１５分の１と２０分の１間のＲＭＳ位相誤
差は、それぞれ古典的な４分の１波長のレイリー基準と
有効に対応し、また０．８および０．９のストレール比
と対応している。レイリー基準においては、２つの隣接
する等しい強さの光源が、第２回折パターンの中心と一
致する１つの点イメージの回折パターンの最初の暗黒リ
ングを持ち、分解可能であると言う。λ／１４の場合
は、マレシャル（Ｍａｒｅｃｈａｌ）基準としても知ら
れる。いずれかの基準を満たすビームが、実際に回折限
度と見做される。
は、少ない収差を持ち目標に対して最大エネルギを送る
高品質のビームを必要とする。これらの条件下では、ビ
ーム品質に対する有効性能指数はいわゆるストレール
（Ｓｔｒｅｈｌ）比である。収差が小さい時は、収差を
持たないビームに対して軸心強さＩ0に対する収差を持
つビームの軸心強さＩの比は、下式の如くストレール比
で表わすことができる。即ち、 Ｉ／Ｉ0＝１−（２πσ／λ）2 但し、σは、波面の理想値からの平方二乗平均（ＲＭ
Ｓ）偏差である。ストレール比は、一般に範囲０．６＜
Ｉ／Ｉ0＜１．０におけるビーム品質に対する有効基準
と考えられる。１のストレール比は、理想的な回折極限
ビームと対応する。０．６のストレール比は、光学系の
開口における１０分の１波長のＲＭＳ位相誤差と対応し
ている。波の１５分の１と２０分の１間のＲＭＳ位相誤
差は、それぞれ古典的な４分の１波長のレイリー基準と
有効に対応し、また０．８および０．９のストレール比
と対応している。レイリー基準においては、２つの隣接
する等しい強さの光源が、第２回折パターンの中心と一
致する１つの点イメージの回折パターンの最初の暗黒リ
ングを持ち、分解可能であると言う。λ／１４の場合
は、マレシャル（Ｍａｒｅｃｈａｌ）基準としても知ら
れる。いずれかの基準を満たすビームが、実際に回折限
度と見做される。
【００３５】好ましい線形（鋸歯状）輪郭からのビーム
・ステアリング装置の開口に跨がる位相プロファイルの
偏差は、収差として処理され、性能はストレール比によ
り定量化され得る。特に、理想的周期によりアドレス指
定不可能なステアリング角度の場合は、同じ角度にステ
アリングする周期の多数の組合わせが存在し得るが、こ
のような各組合わせに対する位相プロファイルは理想的
な位相プロファイルから一般には異なる量だけ偏りを呈
する。従って、ストレール比は、与えられたステアリン
グ角度に対する最良の組合わせ即ち分布を選定すると共
に、理想的な（等しい周期の）場合に対するこの選定の
性能を定量的に評価するため使用することができる。理
想的な波面からの偏差が小さい程、収差は小さくなり、
所望の角度へ指向されるエネルギの量は大きくなる。所
望の角度へ指向されないエネルギは位相収差により望ま
しくないサイドローブに散乱され、サイドローブにおけ
る小さなエネルギは１からストレール比を差し引いたも
のになる。
・ステアリング装置の開口に跨がる位相プロファイルの
偏差は、収差として処理され、性能はストレール比によ
り定量化され得る。特に、理想的周期によりアドレス指
定不可能なステアリング角度の場合は、同じ角度にステ
アリングする周期の多数の組合わせが存在し得るが、こ
のような各組合わせに対する位相プロファイルは理想的
な位相プロファイルから一般には異なる量だけ偏りを呈
する。従って、ストレール比は、与えられたステアリン
グ角度に対する最良の組合わせ即ち分布を選定すると共
に、理想的な（等しい周期の）場合に対するこの選定の
性能を定量的に評価するため使用することができる。理
想的な波面からの偏差が小さい程、収差は小さくなり、
所望の角度へ指向されるエネルギの量は大きくなる。所
望の角度へ指向されないエネルギは位相収差により望ま
しくないサイドローブに散乱され、サイドローブにおけ
る小さなエネルギは１からストレール比を差し引いたも
のになる。
【００３６】一例として、４８エレメントのサブアレイ
の開口に跨がる５つの波動の位相偏移の位相ランプをシ
ミュレートする場合について考察しよう。これは、４８
エレメント・サブアレイでは具現し得ない９．６エレメ
ントの理想的な周期と対応する９．６エレメント毎に２
πの位相リセットを必要とする。しかし、それぞれ１０
電極の３つの周期とそれぞれ９つの電極の２つの組合わ
せにより正確に５つの波動を得ることができる。これら
の周期が操作される順列の順序の如何に拘わらず、ステ
アリング角度は第１の次数、即ち、１つの波動の移相器
相互の間隔の場合にビーム位置６２として図４に示され
る±５．９８°である５つの波動の位相偏移の角度に固
定されたままである。しかし、所望の方向に指向される
エネルギの量は、周期の順序と共に変化する。順序が
［１０、１０、１０、９、９］の如き周期の場合は、順
序が［１０，９，１０，９，１０］よりも大きな理想的
な線形の同位相波面からの最大位相偏差を呈する。前者
の順序は、ＲＭＳ加重で割引かれる位相偏差に集中す
る。後者の順序は、理想値付近で振動する波面を生じ、
これによりより小さなＲＭＳ位相誤差が蓄積する。この
２つの場合に対して計算されたストレール比は、それぞ
れ０．９５および０．９８である。本例においては、両
方の順序が一般に有効であるが、別の順序はサイドロー
ブ・エネルギの僅かに３分の１に過ぎず、望ましい。
の開口に跨がる５つの波動の位相偏移の位相ランプをシ
ミュレートする場合について考察しよう。これは、４８
エレメント・サブアレイでは具現し得ない９．６エレメ
ントの理想的な周期と対応する９．６エレメント毎に２
πの位相リセットを必要とする。しかし、それぞれ１０
電極の３つの周期とそれぞれ９つの電極の２つの組合わ
せにより正確に５つの波動を得ることができる。これら
の周期が操作される順列の順序の如何に拘わらず、ステ
アリング角度は第１の次数、即ち、１つの波動の移相器
相互の間隔の場合にビーム位置６２として図４に示され
る±５．９８°である５つの波動の位相偏移の角度に固
定されたままである。しかし、所望の方向に指向される
エネルギの量は、周期の順序と共に変化する。順序が
［１０、１０、１０、９、９］の如き周期の場合は、順
序が［１０，９，１０，９，１０］よりも大きな理想的
な線形の同位相波面からの最大位相偏差を呈する。前者
の順序は、ＲＭＳ加重で割引かれる位相偏差に集中す
る。後者の順序は、理想値付近で振動する波面を生じ、
これによりより小さなＲＭＳ位相誤差が蓄積する。この
２つの場合に対して計算されたストレール比は、それぞ
れ０．９５および０．９８である。本例においては、両
方の順序が一般に有効であるが、別の順序はサイドロー
ブ・エネルギの僅かに３分の１に過ぎず、望ましい。
【００３７】サブ開口アドレス指定ビーム・ステアリン
グ装置のサブアレイを駆動する別の手法によれば、サブ
アレイのサイズの正確に整数倍ではない周期もまた、ビ
ーム品質は劣化するが使用できる。この手法の事例は、
５つの階段の後に１つの外れた階段が続く、反復最大ま
たは最小階段値の如き階段波形ランプである。このよう
な状態が受入れられるかどうかは、許容される光線劣化
量に依存する。このことは、ストレール比を基準として
用いてケース毎に勘案されねばならない。しかし、ガウ
ス・ビーム照射の場合、少なくとも大きくない、典型的
には２０°以下であるビームのステアリング角度では２
０dＢより低いサイドローブ・レベルを維持するには、
３ビットの位相量子化の使用で充分である。このため、
４５°もの大きさである理想値からの位相ランプの偏差
が受入れ得る。
グ装置のサブアレイを駆動する別の手法によれば、サブ
アレイのサイズの正確に整数倍ではない周期もまた、ビ
ーム品質は劣化するが使用できる。この手法の事例は、
５つの階段の後に１つの外れた階段が続く、反復最大ま
たは最小階段値の如き階段波形ランプである。このよう
な状態が受入れられるかどうかは、許容される光線劣化
量に依存する。このことは、ストレール比を基準として
用いてケース毎に勘案されねばならない。しかし、ガウ
ス・ビーム照射の場合、少なくとも大きくない、典型的
には２０°以下であるビームのステアリング角度では２
０dＢより低いサイドローブ・レベルを維持するには、
３ビットの位相量子化の使用で充分である。このため、
４５°もの大きさである理想値からの位相ランプの偏差
が受入れ得る。
【００３８】結論として、本発明の方法を用いることに
より、中程度の大きさのサブアレイにより多くのビーム
・ステアリング位置が得られることが判る。記述された
Ｍ個の移相器を有するサブアレイの場合、少なくともＭ
個の有効な状態が存在する。
より、中程度の大きさのサブアレイにより多くのビーム
・ステアリング位置が得られることが判る。記述された
Ｍ個の移相器を有するサブアレイの場合、少なくともＭ
個の有効な状態が存在する。
【００３９】本発明の原理を特に本文に開示した方法で
示したが、このような開示方法からの種々の変更が本発
明の実施において可能であることが判るであろう。本発
明の範囲は、本文に開示された方法に限定されるべきも
のではなく、頭書の特許請求の範囲によって判断される
べきものである。
示したが、このような開示方法からの種々の変更が本発
明の実施において可能であることが判るであろう。本発
明の範囲は、本文に開示された方法に限定されるべきも
のではなく、頭書の特許請求の範囲によって判断される
べきものである。
【図１】液晶ビーム偏向装置を示す断面概略図である。
【図２】本発明によるサブ開口アドレス指定光学的ステ
アリング装置の簡略化した実施例を示す平面図である。
アリング装置の簡略化した実施例を示す平面図である。
【図３】本発明によるサブ開口アドレス指定光ビーム・
ステアリング装置の簡略化した実施例を示す断面図であ
る。
ステアリング装置の簡略化した実施例を示す断面図であ
る。
【図４】４８エレメントのサブアレイを有するビーム・
ステアリング装置におけるステアリング角度対位相ラン
プ・ピッチの関係を示す図である。
ステアリング装置におけるステアリング角度対位相ラン
プ・ピッチの関係を示す図である。
１０ 液晶ビーム・ステアリング装置
１２ ウインドウ
１４ ウインドウ
１６ 共通電極
１７ 波面
１８ ストライプ電極
２０ 液晶分子層
２２ 光ビーム
２６ 制御電圧発生器
３０ ストライプ電極
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−101822（ＪＰ，Ａ)
特表 平１−500697（ＪＰ，Ａ)
米国特許4115747（ＵＳ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 電磁波に位相シフトを生じさせる移相手
段（３０，４２，５０）のアレイを備える電磁ビーム・
ステアリング装置を動作させる方法であって、 （ａ）前記アレイを複数の周期に分割するステップと、 （ｂ）各周期の前記移相手段（３０，４２，５０）に印
加される電圧の階段状波形を結果として生じるように前
記移相手段（３０，４２，５０）に電圧を印加するステ
ップと、 を含む方法において、前記電圧を印加するステップは、
前記移相手段（３０，４２，５０）アレイが複数の同一
サブアレイ（３８）に分割され、該複数の同一サブアレ
イに並列に電圧を印加するステップを含み、前記ビーム
・ステアリング装置は恒久的に接続された並列アドレス
指定手段（３２，３４，３６）を含み、該アドレス指定
手段に前記電圧が印加されることを特徴とし、更に、 前記ビーム・ステアリング装置は、第１の面上に共通電
極（４２）を、第２の面上に複数のＳ個の並列ストライ
プ電極（３０）を、前記第１および第２の面の中間に電
気−光学移相媒体（５０）を有し、光学的位相シフトを
生じさせる移相手段（３０，４２，５０）のアレイと、
各々が前記ストライプ電極（３０）のＳ／Ｍに結合され
るＭ個の相互接続（３２）とを含み、ｉ番目の相互接続
が０から（Ｓ／Ｍ）−１の全ての整数値ｊに対して（ｉ
＋ｊＭ）番目のストライプ電極（３０）の各々に結合さ
れ、更に、前記Ｍ個の相互接続（３２）と前記共通電極
（４２）との間でＭ個の制御信号を個々に結合する手段
（３６，４８）を含むことを特徴とするとともに、前記
電圧を並列に印加するステップは、前記Ｍ個の相互接続
（３２）と前記共通電極（４２）との間にＭ個の制御信
号電圧を印加することによって、前記移相媒体（５０）
における屈折率の局部的な変化を生じさせることを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、各サブア
レイ（３８）は、全ての周期が同数の移相手段（３０，
４２，５０）を含むわけではない複数の周期に細分割さ
れることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、各周期の
前記移相手段（３０，４２，５０）に印加される電圧の
階段状波形が前記周期にわたり２πの位相ランプを生じ
るようにされることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の方法において、前記移相
手段（３０，４２，５０）に印加される電圧の階段状波
形が等しい電圧ステップ状ランプからなり、更に反復さ
れる電圧ステップの１つを有することを特徴とする方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US662090 | 1991-02-28 | ||
| US07/662,090 US5093747A (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Method for providing beam steering in a subaperture-addressed optical beam steerer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566427A JPH0566427A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3512428B2 true JP3512428B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=24656344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04341392A Expired - Lifetime JP3512428B2 (ja) | 1991-02-28 | 1992-02-28 | サブ開口アドレス指定光ビーム・ステアリング装置におけるビーム・ステアリング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093747A (ja) |
| EP (1) | EP0501825B1 (ja) |
| JP (1) | JP3512428B2 (ja) |
| DE (1) | DE69223076T2 (ja) |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212583A (en) * | 1992-01-08 | 1993-05-18 | Hughes Aircraft Company | Adaptive optics using the electrooptic effect |
| US5440654A (en) * | 1993-12-30 | 1995-08-08 | Raytheon Company | Fiber optic switching system |
| US6704474B1 (en) * | 1994-05-24 | 2004-03-09 | Raytheon Company | Optical beam steering system |
| US5539567A (en) * | 1994-06-16 | 1996-07-23 | Texas Instruments Incorporated | Photolithographic technique and illuminator using real-time addressable phase shift light shift |
| US5668657A (en) * | 1995-01-13 | 1997-09-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | PLZT based electro-optic phased array optical scanner |
| US5850308A (en) * | 1995-06-01 | 1998-12-15 | Dastidar; Pranab | Scanning arrangement for fast access of memory and display |
| US6317251B1 (en) | 1996-02-05 | 2001-11-13 | Corning Applied Technologies Corporation | Thin film electro-optic beam steering device |
| US6373620B1 (en) | 1996-02-05 | 2002-04-16 | Corning Applied Technologies Corporation | Thin film electro-optic beam steering device |
| US5943159A (en) * | 1996-05-14 | 1999-08-24 | Zhu; Tom Yuxin | Method and apparatus for optical beam steering |
| JPH10172171A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Nec Corp | 開口制限素子及びこれを利用した光へッド装置 |
| CN1096004C (zh) | 1997-11-05 | 2002-12-11 | 朱润枢 | 相控阵光学装置 |
| JPH11174391A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調装置 |
| US6034883A (en) * | 1998-01-29 | 2000-03-07 | Tinney; Charles E. | Solid state director for beams |
| US6765644B1 (en) * | 2000-03-01 | 2004-07-20 | Raytheon Company | Broadband optical beam steering system and method |
| US6441947B1 (en) | 2000-04-07 | 2002-08-27 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for optical beam steering based on a chirped distributed bragg reflector |
| US20020036958A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-03-28 | Hidenori Wada | Optical element, optical head, optical recording/reproducing apparatus and optical recording/reproducing method |
| US6552321B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-04-22 | Raytheon Company | Adaptive spectral imaging device and method |
| US6456419B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-09-24 | Innovative Technology Licensing, Llc | Frequency modulated liquid crystal beamsteering device |
| US6490076B2 (en) | 2001-01-11 | 2002-12-03 | Hrl Laboratories, Llc | Optical phased array for depolarized optical beam control |
| US6643054B1 (en) | 2001-01-22 | 2003-11-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Beam deflector, switching system comprising beam deflectors as well as method for selectively coupling terminals for optical signals |
| US6809307B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-10-26 | Raytheon Company | System and method for effecting high-power beam control with adaptive optics in low power beam path |
| US6849841B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-02-01 | Raytheon Company | System and method for effecting high-power beam control with outgoing wavefront correction utilizing holographic sampling at primary mirror, phase conjugation, and adaptive optics in low power beam path |
| JP4084203B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-04-30 | シチズンホールディングス株式会社 | 光偏向装置 |
| JP4717087B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2011-07-06 | シチズンホールディングス株式会社 | 光偏向装置 |
| US6891987B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-05-10 | Hrl Laboratories, Llc | Multi-aperture beam steering system with wavefront correction based on a tunable optical delay line |
| US6832028B2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-12-14 | Innovative Technology Licensing, Llc | Liquid crystal adaptive coupler for steering a light beam relative to a light-receiving end of an optical waveguide |
| JP5069850B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-11-07 | シチズンホールディングス株式会社 | 撮像レンズ及び撮像装置 |
| JP2007065458A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Rohm Co Ltd | 光制御装置およびそれを用いた光制御システム |
| WO2007054908A2 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and system for shifting at least one light spot with a phase-modulator |
| JP2007264153A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Sony Corp | 光学装置および撮像装置 |
| US20080031627A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Smith Irl W | Optical communication system |
| US8116632B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-02-14 | Raytheon Company | Space-time division multiple-access laser communications system |
| US8059254B1 (en) | 2008-06-04 | 2011-11-15 | Raytheon Company | Transparent heatsink/structure/interconnect for tiling space based optical components |
| US8402637B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-03-26 | Chief Automotive Technologies, Inc. | Vehicle fixture with alignment target |
| JP2009175751A (ja) * | 2009-03-31 | 2009-08-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 液晶可変波長フィルタ装置 |
| EP2446326A2 (de) * | 2009-06-23 | 2012-05-02 | SeeReal Technologies S.A. | Lichtmodulationsvorrichtung für ein display zur darstellung zwei- und/oder dreidimensionaler bildinhalte mit variablen beugungselementen basierend auf linearen, parallelen elektroden |
| US8362410B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-01-29 | Raytheon Company | Source-independent beam director and control system for a high-energy electromagnetic radiation source |
| US8553225B2 (en) | 2010-07-29 | 2013-10-08 | Raytheon Company | Bandwidth tunable spectroscopic device |
| US8294879B2 (en) | 2010-11-15 | 2012-10-23 | Raytheon Company | Multi-directional active sensor |
| US8939964B2 (en) * | 2011-12-01 | 2015-01-27 | Alcon Research, Ltd. | Electrically switchable multi-spot laser probe |
| US9456744B2 (en) | 2012-05-11 | 2016-10-04 | Digilens, Inc. | Apparatus for eye tracking |
| NZ702327A (en) | 2012-05-24 | 2016-03-31 | Raytheon Co | Liquid crystal control structure, tip-tilt-focus optical phased array and high power adaptive optic |
| RU2512597C1 (ru) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) | Способ отклонения светового пучка |
| EP2972470B1 (en) * | 2013-03-15 | 2021-12-29 | BAE SYSTEMS plc | Directional multiband antenna |
| WO2014188149A1 (en) | 2013-05-20 | 2014-11-27 | Milan Momcilo Popovich | Holographic waveguide eye tracker |
| AU2013389971B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-03-09 | Raytheon Company | Adaptive - optics liquid - crystal array device having meander resistors |
| WO2016113533A2 (en) | 2015-01-12 | 2016-07-21 | Milan Momcilo Popovich | Holographic waveguide light field displays |
| US10437064B2 (en) | 2015-01-12 | 2019-10-08 | Digilens Inc. | Environmentally isolated waveguide display |
| CN107533137A (zh) * | 2015-01-20 | 2018-01-02 | 迪吉伦斯公司 | 全息波导激光雷达 |
| CN113759555A (zh) | 2015-10-05 | 2021-12-07 | 迪吉伦斯公司 | 波导显示器 |
| WO2017134412A1 (en) | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Milan Momcilo Popovich | Holographic waveguide optical tracker |
| KR20180022392A (ko) | 2016-08-24 | 2018-03-06 | 삼성전자주식회사 | 위상 변조 능동 소자, 이의 구동 방법 및 위상 변조 능동 소자를 포함하는 광학 장치 |
| JP7024212B2 (ja) * | 2017-05-23 | 2022-02-24 | 凸版印刷株式会社 | 距離測定装置 |
| US10536223B2 (en) * | 2018-01-24 | 2020-01-14 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Phase modulated optical waveguide |
| US11333757B2 (en) * | 2018-02-02 | 2022-05-17 | Teledyne Instruments, Inc. | Acoustic phased array with reduced beam angle |
| KR20220054386A (ko) | 2019-08-29 | 2022-05-02 | 디지렌즈 인코포레이티드. | 진공 브래그 격자 및 이의 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4115747A (en) | 1976-12-27 | 1978-09-19 | Heihachi Sato | Optical modulator using a controllable diffraction grating |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2541784B1 (fr) * | 1983-02-25 | 1986-05-16 | Thomson Csf | Dispositif de deflexion statique d'un faisceau infra-rouge |
| US4706094A (en) * | 1985-05-03 | 1987-11-10 | United Technologies Corporation | Electro-optic beam scanner |
| US4937539A (en) * | 1987-08-19 | 1990-06-26 | Hughes Aircraft Company | Phased array for optical beam control |
| US4882235A (en) * | 1988-03-02 | 1989-11-21 | Raytheon Company | Liquid crystal cell window |
| US4964701A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-23 | Raytheon Company | Deflector for an optical beam |
| US5018835A (en) * | 1989-01-03 | 1991-05-28 | Raytheon Company | Deflector for an optical beam including refractive means |
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,090 patent/US5093747A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-28 DE DE69223076T patent/DE69223076T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-28 EP EP92301730A patent/EP0501825B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-28 JP JP04341392A patent/JP3512428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4115747A (en) | 1976-12-27 | 1978-09-19 | Heihachi Sato | Optical modulator using a controllable diffraction grating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5093747A (en) | 1992-03-03 |
| EP0501825A2 (en) | 1992-09-02 |
| EP0501825A3 (en) | 1993-05-05 |
| DE69223076D1 (de) | 1997-12-18 |
| JPH0566427A (ja) | 1993-03-19 |
| DE69223076T2 (de) | 1998-05-20 |
| EP0501825B1 (en) | 1997-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3512428B2 (ja) | サブ開口アドレス指定光ビーム・ステアリング装置におけるビーム・ステアリング方法 | |
| JP3512429B2 (ja) | サブ開口アドレス指定による光ビーム・ステアリング装置 | |
| US10613410B2 (en) | Large scale optical phased array | |
| US5943159A (en) | Method and apparatus for optical beam steering | |
| JP3367940B2 (ja) | フェーズド・アレイ・ビーム指向装置を備えたレーザ・レーダ・システム | |
| US4937539A (en) | Phased array for optical beam control | |
| US6456419B1 (en) | Frequency modulated liquid crystal beamsteering device | |
| JP2769176B2 (ja) | 電気光学的導波路デバイス | |
| JPS5931884B2 (ja) | 輻射アンテナシステム | |
| US6469822B1 (en) | Optical phased array device and the method therefor | |
| US4813766A (en) | Optical time delay apparatus | |
| US4882235A (en) | Liquid crystal cell window | |
| Riza | Liquid crystal-based optical time delay units for phased array antennas | |
| JP2013545124A (ja) | 高充填比電子ビームステアリング | |
| US6128421A (en) | Electro-optical phased array beam modulator | |
| EP0352302B1 (en) | Phase controlled light deflector | |
| US5107357A (en) | Low insertion loss optical beam steerer | |
| Dorschner et al. | An optical phased array for lasers | |
| US5585812A (en) | Adjustable microwave antenna | |
| Li et al. | 3-bit substrate-guided-mode optical true-time-delay lines operating at 25 GHz | |
| Chen et al. | Holographic optical elements (HOEs) for true-time delays aimed at phased-array antenna applications | |
| US20230375895A1 (en) | Binary tree phased arrays and control methodologies | |
| Oleski et al. | Nonmechanical laser beam steering/beam spoiling methods for intersatellite cross links | |
| Cassarly et al. | Phase control of coherent diode laser arrays using liquid crystals | |
| Guilfoyle et al. | 32-bit digital optical computer: a hardware update |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040107 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |