JP3511768B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP3511768B2
JP3511768B2 JP31334395A JP31334395A JP3511768B2 JP 3511768 B2 JP3511768 B2 JP 3511768B2 JP 31334395 A JP31334395 A JP 31334395A JP 31334395 A JP31334395 A JP 31334395A JP 3511768 B2 JP3511768 B2 JP 3511768B2
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが実
装配線される半導体装置用リードフレームを用いた半導
体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor device lead frame on which a semiconductor chip is mounted and wired.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置1は、一般に、図14に示す
ように、所定の回路等が集積形成された半導体チップ2
が導電性金属薄板上に実装されるとともに、この金属薄
板に形成したリード端子群3と電気的に接続された状態
でエポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂を材料とした封装
樹脂5によって封装されて構成されている。リード端子
群3は、一端部が半導体チップ2の外周部に延在される
とともに他端部が封装樹脂5から突出露呈されて接続端
子片4を構成している。半導体装置1には、封装樹脂5
の表面に実装位置等を表示する位置決め指標6や図示し
ない仕様表示等が設けられている。なお、これら位置決
め指標6や仕様表示等は、例えば封装樹脂5の成形時
に、樹脂封装金型によって形成される。
2. Description of the Related Art In general, a semiconductor device 1 has a semiconductor chip 2 on which predetermined circuits and the like are integrated and formed as shown in FIG.
Is mounted on a conductive thin metal plate and is sealed with a sealing resin 5 made of a thermosetting synthetic resin such as epoxy resin while being electrically connected to the lead terminal group 3 formed on the thin metal plate. Is configured. The lead terminal group 3 has one end extending to the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 and the other end protruding and exposed from the encapsulating resin 5 to form the connection terminal piece 4. The semiconductor device 1 includes a sealing resin 5
A positioning index 6 for displaying the mounting position and the like, a specification display not shown, and the like are provided on the surface of the. The positioning index 6, the specification display, and the like are formed by a resin encapsulation mold when the encapsulation resin 5 is molded, for example.

【0003】上述した半導体装置1の製造には、図15
及び図16に示した導電性金属薄板を素材として帯状に
形成されたリードフレーム100が用いられる。このリ
ードフレーム100は、生産効率の向上を図るために、
いわゆる多数個取りの構成が採用されている。すなわ
ち、リードフレーム100には、それぞれ半導体チップ
2が実装位置される複数のチップ実装部101が長手方
向に所定の間隔を以って設けられる。チップ実装部10
1には、例えばその中央部に半導体チップ2を収納位置
させる開口部が開設されるとともに、一端部がこの開口
部の周辺部に延在する多数のリード端子部102がそれ
ぞれの領域に形成されている。
To manufacture the above-described semiconductor device 1, FIG.
Also, a strip-shaped lead frame 100 made of the conductive metal thin plate shown in FIG. 16 is used. This lead frame 100 is designed to improve the production efficiency.
A so-called multi-cavity configuration is adopted. That is, the lead frame 100 is provided with a plurality of chip mounting portions 101 on which the semiconductor chips 2 are mounted, at predetermined intervals in the longitudinal direction. Chip mounting part 10
For example, an opening for opening the semiconductor chip 2 in the central portion is formed in the central portion 1, and a large number of lead terminal portions 102 each having one end extending to the peripheral portion of the opening are formed in each region. ing.

【0004】また、リードフレーム100には、幅方向
の両側縁に沿って搬送ガイド部103が形成されてい
る。この搬送ガイド部103は、一定の間隔を以って開
設された多数個のパーホレーション104A、104B
によって構成されている。したがって、リードフレーム
100は、この搬送ガイド部103により位置決めされ
た状態で図示しない搬送手段によって搬送され、半導体
チップ2の実装工程と、半導体チップ2とリード端子群
3とのワイヤボンディング法等による配線工程と、半導
体チップ2を熱硬化性合成樹脂によって封装する樹脂封
装工程或いは外周リード部の切断等の工程等が施されて
半導体装置1を連続して製造する。
Further, the lead frame 100 is formed with a conveyance guide portion 103 along both side edges in the width direction. The conveyance guide unit 103 includes a large number of perforations 104A and 104B that are opened at regular intervals.
It is composed by. Therefore, the lead frame 100 is transported by a transport means (not shown) while being positioned by the transport guide portion 103, and the mounting process of the semiconductor chip 2 and wiring by the wire bonding method or the like between the semiconductor chip 2 and the lead terminal group 3 are performed. The semiconductor device 1 is continuously manufactured by performing steps, a resin encapsulation step of encapsulating the semiconductor chip 2 with a thermosetting synthetic resin, a step of cutting the outer peripheral lead portion, and the like.

【0005】半導体装置1の製造は、一般に生産効率を
図るために上述したリードフレーム100の多数個取り
の構成とともに一対の第1のリードフレーム100Aと
第2のリードフレーム100Bとが互いに平行状態とさ
れて搬送手段によって上述した工程を同時に搬送され
る。図15は、樹脂封装工程の概要を示し、第1のリー
ドフレーム100Aと第2のリードフレーム100Bと
に跨がって配設される樹脂封止装置については図示が省
略されている。樹脂封止装置は、互いに接離動作される
上下一対の金型105、106(図19参照)から構成
され、その対向面間に第1のリードフレーム100Aと
第2のリードフレーム100Bとを通過させるとともに
実装された半導体チップ2を封装する封装樹脂5をアウ
トサート成形するキャビティ105A、106Aがそれ
ぞれ構成されている。
In the manufacture of the semiconductor device 1, generally, in order to improve the production efficiency, the above-described multi-cavity structure of the lead frame 100 is used, and a pair of the first lead frame 100A and the second lead frame 100B are in parallel with each other. Then, the above-mentioned steps are simultaneously carried by the carrying means. FIG. 15 shows an outline of the resin encapsulation process, and illustration of the resin encapsulating device arranged across the first lead frame 100A and the second lead frame 100B is omitted. The resin sealing device is composed of a pair of upper and lower molds 105 and 106 (see FIG. 19) that are moved toward and away from each other, and pass the first lead frame 100A and the second lead frame 100B between the facing surfaces. The cavities 105A, 106A for outsert-molding the encapsulating resin 5 for encapsulating the mounted semiconductor chip 2 are respectively configured.

【0006】また、樹脂封止装置は、第1のリードフレ
ーム100Aと第2のリードフレーム100Bとの間に
位置して、下金型106側に樹脂供給部107が配設さ
れている。樹脂供給部107は、詳細を省略するが、加
熱手段が付設されるとともに底面部に押出し手段110
(図19参照)が移動自在に配設されている。樹脂供給
部107には、例えばタブレット状とされたエポキシ樹
脂等の樹脂材料111が装填される。
Further, in the resin sealing device, a resin supply section 107 is arranged on the lower die 106 side, located between the first lead frame 100A and the second lead frame 100B. Although details are omitted, the resin supply unit 107 is provided with a heating unit and a pushing unit 110 on the bottom surface.
(See FIG. 19) is movably arranged. The resin supply unit 107 is loaded with a resin material 111 such as a tablet-shaped epoxy resin.

【0007】樹脂封止装置は、加熱手段によって、樹脂
供給部107、ランナー部124及びキャビティ105
A、106Aの各部位が樹脂材料111の溶融温度であ
る175°C程度に温調されている。樹脂材料111
は、樹脂供給部107内において加圧、加熱されること
により粘度の低い溶融状態とされる。
In the resin sealing device, the resin supply section 107, the runner section 124 and the cavity 105 are heated by heating means.
The temperature of each part of A and 106A is adjusted to about 175 ° C. which is the melting temperature of the resin material 111. Resin material 111
Is made into a molten state having low viscosity by being pressurized and heated in the resin supply unit 107.

【0008】樹脂封止装置には、樹脂供給部107から
第1のリードフレーム100Aと第2のリードフレーム
100Bの走行領域に達するランナー部124が設けら
れるとともに、このランナー部124とキャビティ10
5A、106Aとの間に位置してゲート部125が設け
られている。なお、ランナー部124及びゲート部12
5については、図23に図示されている。
The resin sealing device is provided with a runner portion 124 that reaches the running regions of the first lead frame 100A and the second lead frame 100B from the resin supply portion 107, and the runner portion 124 and the cavity 10 are provided.
A gate portion 125 is provided between the gate portions 125 and 5A and 106A. The runner portion 124 and the gate portion 12
5 is illustrated in FIG.

【0009】樹脂封止装置は、チップ実装部101にそ
れぞれ半導体チップ2が実装された第1のリードフレー
ム100Aと第2のリードフレーム100Bとが搬送さ
れると、下金型106に対して上金型105が移動動作
して型締め動作が行われる。樹脂封止装置は、この状態
で押出し手段110が動作されて、樹脂供給部107か
ら溶融状態の樹脂材料111を各ランナー部124へと
押し出す。樹脂材料111は、このランナー部124か
らゲート部125を介してそれぞれキャビティ105
A、106A内へと充填される。
When the first lead frame 100A and the second lead frame 100B, each having the semiconductor chip 2 mounted on the chip mounting portion 101, are conveyed, the resin encapsulation device moves upwards with respect to the lower mold 106. The mold 105 moves and the mold clamping operation is performed. In the resin sealing device, the pushing means 110 is operated in this state to push the molten resin material 111 from the resin supply portion 107 to each runner portion 124. The resin material 111 is transferred from the runner portion 124 through the gate portion 125 to the cavity 105.
A, 106A is filled.

【0010】樹脂封止装置は、上下金型105、106
を型締め状態に保持して所定の時間加熱することによっ
て樹脂材料111を硬化させた後、下金型106に対し
て上金型105が移動動作されて型開き動作が行われ
る。これによって、リードフレーム100には、図17
に示すように、半導体チップ2の外周部を封装する封装
樹脂5がアウトサート成形される。そして、樹脂封止装
置には、搬送手段によってリードフレーム100の次の
領域が搬送位置され、上述した封装樹脂5のアウトサー
ト成形が行われる。
The resin sealing device includes upper and lower molds 105, 106.
Is held in the mold clamped state and heated for a predetermined time to cure the resin material 111, and then the upper mold 105 is moved with respect to the lower mold 106 to perform a mold opening operation. As a result, the lead frame 100 has a structure shown in FIG.
As shown in, the encapsulating resin 5 for encapsulating the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 is outsert-molded. Then, in the resin sealing device, the next area of the lead frame 100 is transported to the transporting position by the transporting means, and the outsert molding of the sealing resin 5 is performed.

【0011】以下、この封装樹脂5のアウトサート成形
が順次行われて、リードフレーム100上に実装された
複数個の半導体チップ2の封装工程が終了する。なお、
封装樹脂5は、図14に示すように、リードフレーム1
00に形成されたリード端子部102の先端部近傍まで
を封装している。
Thereafter, the outsert molding of the encapsulating resin 5 is sequentially performed, and the encapsulating process of the plurality of semiconductor chips 2 mounted on the lead frame 100 is completed. In addition,
As shown in FIG. 14, the encapsulating resin 5 is used for the lead frame 1
The lead terminal portion 102 formed in No. 00 is sealed up to the vicinity of the tip portion.

【0012】リードフレーム100は、実装された半導
体チップ2に対する封装樹脂5による封装工程が終了す
ると、搬送手段によって外周リード部の切断工程へと搬
送される。この外周リード部の切断は、例えば外形打抜
き金型を用いて行われる。外形打抜き金型は、リード端
子部102の先端部を残してリードフレーム100の他
の外周部分を切断除去して図14に示す半導体装置1を
完成させる。
The lead frame 100 is conveyed to the step of cutting the outer peripheral lead portion by the conveying means after the encapsulating step of the encapsulating resin 5 on the mounted semiconductor chip 2 is completed. The cutting of the outer peripheral lead portion is performed using, for example, an outer shape punching die. The outer shape punching die completes the semiconductor device 1 shown in FIG. 14 by cutting and removing the other outer peripheral portion of the lead frame 100 while leaving the tip portion of the lead terminal portion 102.

【0013】この切断工程においては、封装樹脂5とラ
ンナー樹脂部108との間に存在するゲート樹脂部10
9の切断も行われる。このゲート樹脂部109は、図1
7に示すように、リードフレーム100の下方部にリー
ド端子部102の領域中に位置して存在する。ゲート樹
脂部109は、半導体装置1に大きく突出した状態で残
された場合、この半導体装置1を回路基板等に実装する
際に大きな障害となるため、精密に切断されなければな
らない。したがって、ゲート樹脂部109は、専用のゲ
ート切断機が用いられて、図18に示すように、リード
フレーム100から切断される。
In this cutting step, the gate resin portion 10 existing between the encapsulating resin 5 and the runner resin portion 108 is formed.
The cutting of 9 is also performed. This gate resin portion 109 is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, it exists in the area of the lead terminal portion 102 in the lower portion of the lead frame 100. If the gate resin portion 109 is left in a state of largely protruding from the semiconductor device 1, it becomes a great obstacle when the semiconductor device 1 is mounted on a circuit board or the like, and therefore must be precisely cut. Therefore, the gate resin portion 109 is cut from the lead frame 100 by using a dedicated gate cutting machine, as shown in FIG.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
フレーム100に対する封装樹脂5のアウトサート成形
法においては、種々の部位に樹脂材料111のバリが発
生する。樹脂材料111のバリは、図15に示すよう
に、樹脂供給部107の開口端部の周囲に発生する装填
部バリ112と、樹脂供給部107から導かれるランナ
ー部124がリードフレーム100を横断する部位に発
生する横断部バリ113と、リード端子部102の周辺
に発生する端子部バリ114等に大別される。
In the conventional outsert molding method of the encapsulating resin 5 for the lead frame 100 described above, burrs of the resin material 111 occur at various portions. As for the burr of the resin material 111, as shown in FIG. 15, the loading part burr 112 generated around the opening end of the resin supply part 107 and the runner part 124 guided from the resin supply part 107 traverse the lead frame 100. The cross-section burr 113 generated in the part and the terminal part burr 114 generated around the lead terminal part 102 are roughly classified.

【0015】装填部バリ112は、樹脂供給部107を
構成する上金型105と下金型106との型合せ面にお
いて樹脂材料111がはみ出して硬化することにより発
生する。この装填部バリ112は、インサート成形後の
エアー処理やブラッシング処理によって除去することが
可能である。
The charging portion burr 112 is generated when the resin material 111 protrudes and hardens at the mating surfaces of the upper mold 105 and the lower mold 106 which constitute the resin supply unit 107. The charging portion burr 112 can be removed by air treatment or brushing treatment after insert molding.

【0016】装填部バリ112は、上述したように次の
切断工程においてリードフレーム100のリード部分が
切断除去されることから、半導体装置1への影響は無
い。しかしながら、この装填部バリ112は、半導体装
置1が自動機によって製造される場合に、次工程への搬
送等に際してリードフレーム100の引掛り、位置決め
不良等の原因となり好ましくない。また、この装填部バ
リ112は、不安定な状態で付着することから、搬送途
中で脱落し、可動機構部等の動作に支障を与えるといっ
た問題を生じさせる。
The loading portion burr 112 does not affect the semiconductor device 1 because the lead portion of the lead frame 100 is cut and removed in the next cutting step as described above. However, when the semiconductor device 1 is manufactured by an automatic machine, the loading portion burr 112 is not preferable because it may cause the lead frame 100 to be caught or misaligned during the transportation to the next process. Further, since the loading portion burr 112 adheres in an unstable state, it drops off during transportation, which causes a problem that the operation of the movable mechanism portion or the like is hindered.

【0017】横断部バリ113は、リードフレーム10
0の外側に配置された樹脂供給部107からランナー部
124を介してキャビティ105A、106Aに導かれ
る材料樹脂111がリードフレーム100の側端部にお
いてはみ出して硬化することにより発生する。すなわ
ち、リードフレーム100は、そのパーホレーション1
04にガイドピン120が相対係合されることによっ
て、下金型106のリードフレーム装着部に位置決めさ
れた状態で装着される。
The transverse portion burr 113 is formed on the lead frame 10.
It is generated when the material resin 111 guided from the resin supply portion 107 arranged outside 0 to the cavities 105A and 106A via the runner portion 124 protrudes and hardens at the side end portion of the lead frame 100. That is, the lead frame 100 has its perforation 1
When the guide pin 120 is relatively engaged with 04, it is mounted in the lead frame mounting portion of the lower mold 106 while being positioned.

【0018】リードフレーム100は、図20に示すよ
うに、パーホレーション104の中心と側端部との間隔
寸法B及びパーホレーション104の内径寸法Cとが所
定の公差を以って規定されている。例えば、この公差
は、それぞれ±0.05mmとされている。また、リー
ドフレーム100は、パーホレーション104に対して
ガイドピン120がスムーズに相対係合されるために、
適当なクリアランスが設定されている。例えば、クリア
ランスは、0.01mmに設定されている。
In the lead frame 100, as shown in FIG. 20, the distance B between the center of the perforation 104 and the side end and the inner diameter C of the perforation 104 are defined with a predetermined tolerance. ing. For example, this tolerance is ± 0.05 mm. Further, in the lead frame 100, since the guide pin 120 is smoothly and relatively engaged with the perforation 104,
Appropriate clearance is set. For example, the clearance is set to 0.01 mm.

【0019】リードフレーム100と下金型106と
は、上述した条件とともに各部の加工誤差或いは組立誤
差も考慮して、パーホレーション104とガイドピン1
20とが係合可能とされて位置決めされるように構成さ
れる。また、リードフレーム100と下金型106と
は、リードフレーム100の熱膨張による寸法変化を考
慮して、パーホレーション104とガイドピン120と
が係合可能とされて位置決めされるように構成される。
With respect to the lead frame 100 and the lower die 106, the perforation 104 and the guide pin 1 are considered in consideration of the processing error or the assembly error of each part in addition to the above-mentioned conditions.
20 is configured to be engageable and positioned. Further, the lead frame 100 and the lower mold 106 are configured such that the perforation 104 and the guide pin 120 are engageable with each other and positioned in consideration of the dimensional change due to thermal expansion of the lead frame 100. It

【0020】リードフレーム100は、一般に熱膨張率
が6.7×10−6/°Cの、ニッケルと鉄の合金薄板
を材料として形成される。したがって、上記B寸法が5
mmであり、かつ常温(20°C)から下金型106の
加熱温度である175°Cの範囲での熱膨張による寸法
変化量ΔBは、最大でΔB=5(mm)×(175°C−2
0°C)×6.7×10−6/°C=5.2×10−3
(mm)を見込まなければならない。
The lead frame 100 is generally made of an alloy thin plate of nickel and iron having a coefficient of thermal expansion of 6.7 × 10 −6 / ° C. Therefore, the B dimension is 5
mm and the amount of dimensional change ΔB due to thermal expansion in the range of room temperature (20 ° C.) to 175 ° C., which is the heating temperature of the lower mold 106, is ΔB = 5 (mm) × (175 ° C. -2
0 ° C) × 6.7 × 10 −6 /°C=5.2×10 −3
(Mm) must be expected.

【0021】このため、下金型106は、図20に示す
パーホレーション104とリードフレーム装着部の寸法
Aが、上述したパーホレーション104の中心と側端部
との間隔寸法Bの最大公差と熱膨張による最大変化量並
びにパーホレーション104の最大公差とこれらの加工
誤差との最大値を以って設定されている。このため、リ
ードフレーム100と下金型106には、側端部とリー
ドフレーム装着壁との間に間隙寸法Dの間隙121が構
成されることになる。この間隙寸法Dは、最大で0.1
2mmに達する。
Therefore, in the lower die 106, the dimension A of the perforation 104 and the lead frame mounting portion shown in FIG. 20 is the maximum tolerance of the spacing dimension B between the center and the side end portion of the perforation 104 described above. And the maximum change amount due to thermal expansion, the maximum tolerance of the perforation 104, and the maximum value of these processing errors. Therefore, in the lead frame 100 and the lower die 106, a gap 121 having a gap dimension D is formed between the side end portion and the lead frame mounting wall. The gap dimension D is 0.1 at maximum.
Reach 2 mm.

【0022】下金型106は、上述したようにリードフ
レーム100の装着部に対して外方に位置して樹脂供給
部107が配置されており、この樹脂供給部107から
ランナー部124がリードフレーム100を横切ってキ
ャビティ106Aへと導かれている。したがって、樹脂
供給部107から押し出された樹脂材料111は、図2
1に示すように、ランナー部124において、間隙12
1からはみ出して硬化することにより横断部バリ113
を発生させる。
As described above, the lower die 106 has the resin supply portion 107 disposed outside the mounting portion of the lead frame 100, and the runner portion 124 extends from the resin supply portion 107 to the lead frame. It is led across the 100 to the cavity 106A. Therefore, the resin material 111 extruded from the resin supply unit 107 is
As shown in FIG.
By crossing over from 1 and hardening, the transverse portion burr 113
Generate.

【0023】この横断部バリ113は、上述した装填部
バリ112と同様に、次の切断工程においてリードフレ
ーム100のリード部分が切断除去されることから、半
導体装置1への影響は無い。しかしながら、この横断部
バリ113は、半導体装置1が自動機によって製造され
る場合に、次工程への搬送に際してリードフレーム10
0の引掛り、位置決め不良等の原因となり好ましくな
い。また、横断部バリ113は、リードフレーム100
に不安定な状態で付着することから、搬送途中で脱落
し、可動機構部等の動作に支障を与えるといった問題を
生じさせる。
The cross-section burr 113 does not affect the semiconductor device 1 since the lead portion of the lead frame 100 is cut and removed in the next cutting step, like the loading section burr 112 described above. However, when the semiconductor device 1 is manufactured by an automatic machine, the cross-section burr 113 is provided in the lead frame 10 when the semiconductor device 1 is transferred to the next process.
It is not preferable because it causes 0 hooking, positioning failure and the like. Further, the cross-section burr 113 is formed by the lead frame 100.
Since it adheres in an unstable state, it may fall off during transportation, causing a problem that the operation of the movable mechanism part is hindered.

【0024】端子部バリ114は、チップ実装部101
に実装された半導体チップ2を封装する封装樹脂5のキ
ャビティ105A、106Aを構成する上金型105と
下金型106の型合せ面から、チップ実装部101の周
囲に打抜き形成されたリード端子部102に沿ってはみ
出した樹脂材料111が硬化することによって発生す
る。この端子部バリ114は、各リード端子間に跨がっ
た薄膜状を呈するバリであり、リードフレーム100内
に発生するため、上述した装填部バリ112や横断部バ
リ113のように搬送時等に際しての影響は少ない。
The terminal portion burr 114 is formed on the chip mounting portion 101.
A lead terminal portion formed by punching around the chip mounting portion 101 from the mating surfaces of the upper mold 105 and the lower mold 106 that form the cavities 105A and 106A of the sealing resin 5 that seals the semiconductor chip 2 mounted on the It occurs when the resin material 111 protruding along the line 102 is cured. The terminal portion burr 114 is a thin film-shaped burr that straddles between the lead terminals and is generated in the lead frame 100. Therefore, like the above-described loading portion burr 112 and transverse portion burr 113, the terminal burr 114 is transported. There is little influence on the occasion.

【0025】すなわち、リードフレーム100は、上述
した金属薄板を材料として一般に精密プレスによって打
抜き形成される。このリードフレーム100には、プレ
ス加工の特性から図22に示すように剪断端面にダレ部
122とカエリ部123とが発生し、精密な均一面とし
て構成することが困難である。また、リードフレーム1
00は、いわゆるスプリングバック現象によって全体と
して湾曲した状態となる。
That is, the lead frame 100 is generally formed by punching with a precision press using the above-mentioned thin metal plate as a material. Due to the characteristics of the press work, the lead frame 100 has a sagging portion 122 and a burring portion 123 as shown in FIG. 22, which makes it difficult to form a precise uniform surface. Also, the lead frame 1
00 becomes a curved state as a whole due to a so-called springback phenomenon.

【0026】したがって、従来の樹脂封止装置において
は、上述したダレ部122とカエリ部123とが発生す
るリードフレーム100の両端部を上下金型105、1
06によって強く押し付けることによって端子部バリ1
14の発生を防止するように構成されていた。上下金型
105、106の型締め力は、具体的には図23に示す
ように、ランナー部124が横切るリードフレーム10
0の一端部からゲート部125に対応する部位と、封装
樹脂5が充填されるキャビティ105A、106Aの外
周部125、126と、封装樹脂5の位置決め部127
に対応する部位及びリードフレーム100の他端部にお
いて、型締め力が大となるように構成されていた。
Therefore, in the conventional resin sealing device, the upper and lower molds 105, 1 are connected to both ends of the lead frame 100 where the above-mentioned sag 122 and burrs 123 are generated.
Terminal part burr 1 by pressing strongly with 06
It was configured to prevent the generation of 14. As shown in FIG. 23, the mold clamping force of the upper and lower molds 105 and 106 is, as shown in FIG.
0 from one end to the gate portion 125, the outer peripheral portions 125 and 126 of the cavities 105A and 106A filled with the encapsulating resin 5, and the positioning portion 127 of the encapsulating resin 5.
The mold clamping force is large at the part corresponding to the above and the other end of the lead frame 100.

【0027】また、樹脂封止装置は、型締め状態でキャ
ビティ105A、106Aの外周部125、126に隙
間が形成されぬように、下金型106に設けた樹脂供給
部107の開口部と上金型105の主面との間に、図2
3に示すように微小な間隔Hが保持される。リードフレ
ーム100は、その厚み寸法の公差を±0.01mmで
形成されている。したがって、間隔Hは、0.01mm
〜0.02mmに設定される。
In the resin sealing device, the opening of the resin supply portion 107 provided on the lower mold 106 and the upper portion of the cavity 105A and 106A are closed so that no gap is formed in the outer peripheral portions 125 and 126 of the cavities 105A and 106A. Between the main surface of the mold 105 and FIG.
As shown in FIG. 3, a minute interval H is maintained. The lead frame 100 is formed with a thickness tolerance of ± 0.01 mm. Therefore, the interval H is 0.01 mm
It is set to 0.02 mm.

【0028】このように樹脂封止装置は、図19に示す
ように、樹脂供給部107における型締め力が実質的に
小ならしめられることによってキャビティ105A、1
06Aにおける十分な型締め力が確保され、キャビティ
105A、106Aの外周部125、126における端
子部バリ114の発生が抑制される。換言すれば、樹脂
封止装置においては、端子部バリ114を抑制する構成
を採用することによって、樹脂供給部107の開口部に
上述した装填部バリ112が発生することになる。
In this way, in the resin sealing device, as shown in FIG. 19, the mold clamping force in the resin supply portion 107 is made substantially small so that the cavities 105A, 1
A sufficient mold clamping force in 06A is secured, and generation of the terminal portion burr 114 in the outer peripheral portions 125 and 126 of the cavities 105A and 106A is suppressed. In other words, in the resin sealing device, by adopting the configuration that suppresses the terminal portion burr 114, the above-mentioned loading portion burr 112 is generated in the opening portion of the resin supply portion 107.

【0029】このように、従来のリードフレーム100
に対する封装樹脂5のアウトサート成形法においては、
リードフレーム100及び樹脂封止装置の構成上、種々
の部位に樹脂材料111のバリ、すなわち、装填部バリ
112、横断部バリ113或いは端子部バリ114等が
必然的に発生し、これらのバリが搬送等に際してリード
フレーム100の引掛り現象や脱落による可動部等への
障害といった問題を生じさせていた。
Thus, the conventional lead frame 100
In the outsert molding method of the encapsulating resin 5 for
Due to the configuration of the lead frame 100 and the resin sealing device, burrs of the resin material 111, that is, the loading portion burrs 112, the transverse burrs 113, the terminal burrs 114, and the like are inevitably generated at various portions, and these burrs are generated. Problems such as a catching phenomenon of the lead frame 100 and obstacles to a movable part due to falling of the lead frame 100 occur during transportation and the like.

【0030】また、従来のアウトサート成形法は、樹脂
封止装置の各部を高精度に仕上げることによって型締め
力が部分的に調整されるように構成されるため、この樹
脂封止装置の製造コストが極めて大となるといった問題
点があった。
Further, in the conventional outsert molding method, since the mold clamping force is partially adjusted by finishing each part of the resin sealing device with high accuracy, the resin sealing device is manufactured. There was a problem that the cost was extremely high.

【0031】さらに、従来のアウトサート成形法におい
ては、リード端子部102の先端部を残してリードフレ
ーム100の他の外周部分を切断除去するリード外形打
抜き金型と、ゲート樹脂部109を切断する専用のゲー
ト切断機とが必要とされ、設備が大型化するとともに工
程も多いといった問題点があった。しかも、ゲート樹脂
部109は、図18に示すように封装樹脂5の周面にゲ
ート痕115を突出させた状態で切断されることから、
このゲート痕115がリード外形打抜き金型を破損させ
るといった問題を生じさせる虞れもあった。
Further, in the conventional outsert molding method, the lead outer shape punching die for cutting and removing the other outer peripheral portion of the lead frame 100 leaving the tip portion of the lead terminal portion 102, and the gate resin portion 109 are cut. There was a problem that a dedicated gate cutting machine was required, the equipment became large and there were many processes. Moreover, since the gate resin portion 109 is cut in a state where the gate mark 115 is projected on the peripheral surface of the encapsulating resin 5 as shown in FIG. 18,
There is also a possibility that the gate mark 115 may cause a problem of damaging the lead outer shape punching die.

【0032】さらにまた、従来のアウトサート成形法に
おいては、リードフレーム100の外方に位置して樹脂
供給部107が設けられるとともにランナー部124を
介して樹脂材料111をキャビティ105A、106A
へと引き込むことから、樹脂材料111の量も多く必要
となりかつキャビティ105A、106A内への充填時
間も長くなることから成形サイクルが長くなるといった
問題点があった。
Furthermore, in the conventional outsert molding method, the resin supply portion 107 is provided outside the lead frame 100, and the resin material 111 is filled with the cavities 105A and 106A through the runner portion 124.
Therefore, a large amount of the resin material 111 is required, and the filling time into the cavities 105A and 106A becomes long, so that the molding cycle becomes long.

【0033】したがって、本発明は、小型化かつコスト
ダウンが図られた樹脂封止装置が用いられて、合理化さ
れた工程と、少量化された樹脂材料によって製造する半
導体装置の製造方法を提供することを目的に提案された
ものである。
Therefore, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device using a resin molding device which is miniaturized and reduced in cost, and which is manufactured by a rationalized process and a reduced amount of resin material. It was proposed for that purpose.

【0034】[0034]

【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップが実装
位置されるチップ実装部と、このチップ実装部の周辺部
にそれぞれ臨まされる一端部が実装された半導体チップ
との電気的接続部を構成する多数個のリード端子片群が
形成されたリード端子領域部と、このリード端子領域部
の外方に位置して開設された樹脂供給部とが導電性金属
薄板を素材として一体に形成されてなるリードフレーム
が用いられる。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, which achieves this object, comprises a chip mounting portion on which a semiconductor chip is mounted and one end exposed to the peripheral portion of the chip mounting portion. Lead terminal area portion in which a large number of lead terminal piece groups forming an electrical connection portion with a semiconductor chip on which the parts are mounted are formed, and a resin supply provided outside the lead terminal area portion. A lead frame is used in which the parts are integrally formed of a conductive thin metal plate.

【0035】本発明に係る半導体装置の製造方法は、互
いに接離自在に対向配置されるとともに型締めされた状
態において上記リードフレームにリード端子片群の先端
部をそれぞれ露呈するようにして半導体チップを封装す
る樹脂充填領域部に対応したキャビティを構成する第1
の金型部材及び第2の金型部材と、上記第1及び第2の
金型部材の一方の相対する2つの側面に設けた一対のロ
ック軸と他方の相対する2つの側面に設けた一対のロッ
クレバーにより構成され、これら第1の金型部材と第2
の金型部材とを型締め状態に保持する型締め機構と、リ
ードフレームの樹脂供給部に対応していずれか一方の金
型部材に設けられた樹脂供給部から溶融状態の樹脂材料
をキャビティ内へと供給する材料樹脂供給機構と、キャ
ビティ内へ供給された樹脂材料がリードフレームの樹脂
充填領域部に充填されることによって形成された半導体
装置組立体を第1の金型部材と第2の金型部材とが型開
きされた状態でいずれか一方の金型部材から突き出すイ
ジェクト機構とを備える樹脂封止装置が用いらる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the tip end of the lead terminal piece group is exposed to the lead frame in a state where they are arranged so as to come in contact with and separate from each other and are clamped. For forming a cavity corresponding to a resin-filled area for sealing
Of the mold member and the second mold member, a pair of lock shafts provided on two facing side surfaces of the first and second mold members, and a pair of lock shafts provided on the other facing side surface of the other Of the first mold member and the second mold member.
The mold clamping mechanism that holds the mold member in the mold clamping state, and the resin material in the molten state inside the cavity from the resin supplier provided on one of the mold members corresponding to the resin supplier of the lead frame. And a semiconductor device assembly formed by filling the resin filling region of the lead frame with the resin material fed into the cavity. A resin sealing device including a die member and an ejecting mechanism protruding from one of the die members in a state where the die member is opened is used.

【0036】本発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、第1の金型部材と第2の金型部材とが型開き状態に
おいてその対向空間内にリードフレームを載置するリー
ドフレーム供給工程と、型締め機構により第1の金型部
材と第2の金型部材とを型締めすることによってリード
フレームの樹脂充填領域部の外方領域を保持して樹脂充
填領域部に対応するキャビティを構成する型締め工程
と、材料樹脂供給機構により上記キャビティ内へと溶融
状態の樹脂材料を充填してこの樹脂材料によってチップ
実装部に実装した上記半導体チップを封装して半導体装
置組立体を形成する樹脂モールド工程と、キャビティ内
に充填された樹脂材料の硬化後に型開きされた第1の金
型部材又は第2の金型部材のいずれか一方側からイジェ
クト機構により半導体装置組立体を突き出す半導体装置
組立体取出し工程と、取り出された上記半導体装置組立
体をリードフレームのリード端子片群の先端部と樹脂供
給部から供給された樹脂材料のランナー部とを切断分離
するリードフレーム切断工程とによって、半導体装置が
製造される。
According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the lead frame supplying step of mounting the lead frame in the facing space in the mold open state of the first mold member and the second mold member. And by clamping the first mold member and the second mold member by the mold clamping mechanism, the outer region of the resin filled region of the lead frame is held and the cavity corresponding to the resin filled region is formed. Forming the mold clamping step, and filling the molten resin material into the cavity by the material resin supply mechanism, and sealing the semiconductor chip mounted on the chip mounting portion with this resin material to form a semiconductor device assembly. The resin molding process and the semi-conduction by the eject mechanism from either one of the first mold member and the second mold member opened after the resin material filled in the cavity is cured. A semiconductor device assembly ejecting step of ejecting the device assembly, and the semiconductor device assembly taken out is cut and separated into a tip portion of a lead terminal piece group of a lead frame and a runner portion of a resin material supplied from a resin supply portion. A semiconductor device is manufactured by the lead frame cutting step.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照して詳細に説明する。半導体装置
1は、ニッケルと鉄との合金である導電性の金属薄板を
素材として図3に示した各工程を経て製造される。すな
わち、第1のリードフレーム製造工程においては、金属
薄板に精密プレス加工を施こすことによって詳細を後述
するリードフレーム10が形成される。勿論、リードフ
レーム10は、精密プレス加工による他、エッチング加
工等によっても形成される。第2の半導体チップ実装工
程においては、第1の工程によって形成されたリードフ
レーム10に対して、所定の回路等が集積形成された半
導体チップ2が実装される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The semiconductor device 1 is manufactured through the steps shown in FIG. 3 using a conductive thin metal plate which is an alloy of nickel and iron as a raw material. That is, in the first lead frame manufacturing process, the lead frame 10, which will be described in detail later, is formed by subjecting a thin metal plate to precision pressing. Of course, the lead frame 10 is formed not only by precision pressing but also by etching or the like. In the second semiconductor chip mounting step, the semiconductor chip 2 in which a predetermined circuit or the like is integrated and formed is mounted on the lead frame 10 formed in the first step.

【0038】第3のワイヤボンディング工程において
は、自動配線装置等によって、リードフレーム10に形
成されたリード端子片群3と実装された半導体チップ2
の接続端子とがそれぞれワイヤを介して電気的に接続さ
れる。第4の樹脂モールド工程においては、このリード
フレーム10が樹脂封止装置31に供給されて、この樹
脂封止装置31によって半導体チップ2の外周部を封装
する封装樹脂5をリードフレーム10にアウトサート成
形して図1に示す半導体装置組立体7が形成される。半
導体装置組立体7は、第5のリードフレーム切断工程に
おいて、レーザカッタ等の切断装置によって外周部分が
切断除去されて図14に示した半導体装置1が製造され
る。なお、この第1のリードフレーム製造工程から第5
のリードフレーム切断工程は、従来の半導体装置の製造
工程と基本的に同様である。
In the third wire bonding step, the lead terminal piece group 3 formed on the lead frame 10 and the mounted semiconductor chip 2 are mounted by an automatic wiring device or the like.
Are electrically connected to the respective connection terminals via wires. In the fourth resin molding step, the lead frame 10 is supplied to the resin encapsulation device 31, and the resin encapsulation device 31 outserts the encapsulation resin 5 for encapsulating the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 to the lead frame 10. The semiconductor device assembly 7 shown in FIG. 1 is formed by molding. In the semiconductor device assembly 7, in the fifth lead frame cutting step, the outer peripheral portion is cut and removed by a cutting device such as a laser cutter, and the semiconductor device 1 shown in FIG. 14 is manufactured. From the first lead frame manufacturing process to the fifth
The lead frame cutting process is basically the same as the conventional semiconductor device manufacturing process.

【0039】以上の工程を経て製造された半導体装置1
は、図14に示すように従来の半導体装置と基本的に同
様の構成とされ、全体がエポキシ樹脂等の熱硬化性合成
樹脂を材料とした封装樹脂5によって封装されるととも
に、この封装樹脂5の外周部に多数個の接続端子片4が
突出露呈されて構成されている。なお、半導体装置1に
は、封装樹脂5の表面に実装位置等を表示する位置決め
指標6や図示しない仕様表示等が設けられている。封装
樹脂5は、後述するように樹脂封止装置31に供給され
るタブレット状の樹脂材料8がこの樹脂封止装置31内
で溶融状態とされてリードフレーム10にアウトサート
成形されることによって構成される。樹脂材料8は、封
装樹脂5を形成するに足る量が装填される。
The semiconductor device 1 manufactured through the above steps
As shown in FIG. 14, the structure is basically the same as that of the conventional semiconductor device, and the whole is sealed with a sealing resin 5 made of a thermosetting synthetic resin such as an epoxy resin. A large number of connecting terminal pieces 4 are exposed and configured on the outer peripheral portion of. The semiconductor device 1 is provided with a positioning index 6 for displaying the mounting position and the like on the surface of the encapsulating resin 5, a specification display not shown, and the like. The encapsulating resin 5 is configured by a tablet-shaped resin material 8 supplied to the resin encapsulation device 31 being melted in the resin encapsulation device 31 and outsert-molded to the lead frame 10 as described later. To be done. The resin material 8 is loaded in an amount sufficient to form the encapsulating resin 5.

【0040】第1のリードフレーム製造工程によって形
成されるリードフレーム10は、図2に示すように全体
が略正方形を呈しており、後述するように1枚で1個の
半導体装置1を形成する。このリードフレーム10は、
略中央部に半導体チップ2の外形寸法よりもやや大とさ
れた開口寸法を有するチップ実装開口部11が開設され
るとともに、その四方の領域にそれぞれ多数本のリード
端子片12(上述したリード端子片3と同じ)が放射状
に打ち抜き形成されている。これらリード端子片12
は、互いに微小な間隔が保持されており、それぞれその
一端部がチップ実装開口部11に臨まされるとともに他
端部が外方へと延長されている。
The lead frame 10 formed by the first lead frame manufacturing process has a substantially square shape as a whole as shown in FIG. 2, and one semiconductor device 1 is formed by one piece as described later. . This lead frame 10
A chip mounting opening 11 having an opening size slightly larger than the outer size of the semiconductor chip 2 is formed in a substantially central portion, and a large number of lead terminal pieces 12 (the above-mentioned lead terminals are provided in the four areas). The same as the piece 3) is radially punched out. These lead terminal pieces 12
Have a minute gap therebetween, one end of which faces the chip mounting opening 11 and the other end of which extends outward.

【0041】また、これらリード端子片12は、チップ
実装開口部11に臨む一端部が半導体チップ2との接続
部を構成するとともに、他端部が半導体装置1を実装す
る回路基板等との接続端子部を構成する。これらリード
端子片12は、他端部がブリッジ部14を介して一体に
連結されており、第5のリードフレーム切断工程におい
てブリッジ部14から外周部分が切断除去される際に、
互いに分離される。
Further, one end of these lead terminal pieces 12 facing the chip mounting opening 11 constitutes a connecting portion with the semiconductor chip 2, and the other end thereof is connected with a circuit board or the like on which the semiconductor device 1 is mounted. It constitutes a terminal part. The other ends of these lead terminal pieces 12 are integrally connected via a bridge portion 14, and when the outer peripheral portion is cut and removed from the bridge portion 14 in the fifth lead frame cutting step,
Separated from each other.

【0042】リードフレーム10は、図2において内側
の鎖線で示すこれらリード端子片12の先端部の一部を
残すようにした内周領域が、後述するように樹脂封止装
置31によって樹脂材料8をアウトサート成形すること
によって封装樹脂5が形成されるための樹脂充填領域部
13を構成している。また、リードフレーム10は、図
2において外側の鎖線で示す各リード端子片12の先端
部とブリッジ部14との接続部分が、第5のリードフレ
ーム切断工程において切断されるための切断領域部15
とされる。なお、リードフレーム10は、ブリッジ部1
4の外方に位置してリード端子片12を精密に打ち抜き
形成するために、各リード端子片12にそれぞれ対応す
る多数の矩形開口からなる端子形成ガイド部15が打抜
き形成されている。
In the lead frame 10, the inner peripheral region of the lead terminal piece 12 shown by the inner chain line in FIG. The resin filling region 13 for forming the encapsulating resin 5 is formed by outsert molding. In addition, in the lead frame 10, the connection area between the tip portion of each lead terminal piece 12 and the bridge portion 14, which is indicated by an outer chain line in FIG. 2, is cut in the fifth lead frame cutting step so as to be cut off.
It is said that The lead frame 10 has a bridge portion 1
In order to precisely punch and form the lead terminal strips 12 located outside the lead terminals 4, the terminal forming guide portions 15 each having a large number of rectangular openings respectively corresponding to the lead terminal strips 12 are punched and formed.

【0043】さらに、リードフレーム10には、外方に
延長された2辺の最外周領域に位置して、後述する樹脂
封止装置31にこのリードフレーム10を装着する際の
位置決めをなす位置決め穴16A乃至16Cが開設され
ている。図2に示すように、第1の位置決め穴16Aは
丸穴として構成され、第2の位置決め穴16Bは長穴と
して構成され、第3の位置決め穴16Cは、端子形成ガ
イド部と平行な矩形開口部とその一端部に連設された長
穴とから構成されている。これら位置決め穴16A乃至
16Cは、上述した樹脂封止装置31内における位置決
め作用ばかりでなく、リードフレーム10を工程間で搬
送する際に搬送機構のガイドピン等が相対係合する搬送
ガイドとしても作用する。
Further, the lead frame 10 is positioned in the outermost peripheral region of the two sides extending outward, and is a positioning hole for positioning when the lead frame 10 is mounted on the resin sealing device 31 described later. 16A to 16C are open. As shown in FIG. 2, the first positioning hole 16A is configured as a round hole, the second positioning hole 16B is configured as an elongated hole, and the third positioning hole 16C is a rectangular opening parallel to the terminal formation guide portion. And a long hole connected to one end thereof. These positioning holes 16A to 16C function not only as the positioning function in the resin sealing device 31 described above, but also as a transport guide with which the guide pins of the transport mechanism are relatively engaged when the lead frame 10 is transported between processes. To do.

【0044】リードフレーム10には、これら位置決め
穴16A乃至16Cが開設された2辺のコーナ部に位置
して樹脂供給部17が開設されている。この樹脂供給部
17は、詳細を図7に示すように、多数のタイバーによ
って吊られた環状の開口部として構成されており、その
一部にチップ実装開口部11へと連通する通路としてラ
ンナー部18が開設されている。また、このランナー部
18には、樹脂充填領域部13に対応して次第にその先
端部が細く絞られることによって、ゲート部19が設け
られている。
The lead frame 10 is provided with a resin supply section 17 located at the corners of the two sides where the positioning holes 16A to 16C are formed. As shown in detail in FIG. 7, the resin supply portion 17 is configured as an annular opening portion hung by a large number of tie bars, and a part of the opening portion is provided as a passage communicating with the chip mounting opening portion 11 and a runner portion. 18 have been opened. Further, the runner portion 18 is provided with a gate portion 19 by gradually narrowing the tip end portion thereof in correspondence with the resin filling region portion 13.

【0045】以上のように構成されたリードフレーム1
0には、第2の半導体チップ実装工程において、チップ
実装開口11に位置して半導体チップ2が実装位置され
る。リードフレーム10は、第3のワイヤボンディング
工程において、そのリード端子片12と半導体チップ2
の端子とのワイヤによる電気的接続が行われた後、第4
の樹脂モールド工程を行う樹脂封止装置31へと供給さ
れる。樹脂封止装置31は、その詳細については後述す
るが、図4乃至図6に示した上金型20と下金型22と
を備えている。
The lead frame 1 constructed as described above
0, the semiconductor chip 2 is mounted at the chip mounting opening 11 in the second semiconductor chip mounting step. In the third wire bonding step, the lead frame 10 has its lead terminal piece 12 and the semiconductor chip 2
After the electrical connection by wire with the terminal of the
It is supplied to the resin sealing device 31 that performs the resin molding process of. The resin sealing device 31 includes the upper mold 20 and the lower mold 22 shown in FIGS. 4 to 6, although details thereof will be described later.

【0046】上金型20は、下金型22との対向面が精
密な平滑面とされて成形面として構成され、その外形寸
法がリードフレーム10の外形寸法よりもやや大とされ
ている。また、上金型20には、図5に示すように、そ
の成形面の中央部に樹脂充填領域部13に対応した矩形
のキャビティ21が凹設されている。この上金型20
は、図示しない駆動機構によって下金型22に対して接
離動作される。
The upper die 20 has a surface facing the lower die 22 which is a precise smooth surface and is formed as a molding surface, and the outer dimension thereof is slightly larger than the outer dimension of the lead frame 10. Further, as shown in FIG. 5, the upper mold 20 is provided with a rectangular cavity 21 corresponding to the resin filling region 13 at the center of its molding surface. This upper mold 20
Is moved toward and away from the lower die 22 by a drive mechanism (not shown).

【0047】下金型22は、精密な平滑面とされた上金
型20との対向面が成形面とされ、この成形面の外形寸
法が上金型20の成形面とほぼ等しくされている。ま
た、下金型22は、図4に示すように、その成形面の中
央部に樹脂充填領域部13に対応したキャビティ23が
凹設されている。キャビティ23は、下金型22に対し
て上金型20が型締めされた状態において、この上金型
20のキャビティ21と協動して樹脂充填領域部13の
キャビティを構成する。
The lower die 22 has a molding surface that faces the upper die 20, which is a precise smooth surface, and the outer dimensions of this molding surface are substantially equal to the molding surface of the upper die 20. . Further, as shown in FIG. 4, the lower mold 22 has a cavity 23 corresponding to the resin-filled region 13 in the center of its molding surface. The cavity 23 cooperates with the cavity 21 of the upper mold 20 to form the cavity of the resin filling region 13 when the upper mold 20 is clamped to the lower mold 22.

【0048】また、下金型22には、リードフレーム1
0の樹脂供給部17に対応して樹脂材料装填部24(ポ
ット)が設けられている。この樹脂材料装填部24は、
下金型22を貫通する円穴として構成され、同図では詳
細を省略するがその底面部に樹脂押出部材35が配設さ
れている。樹脂材料装填部24には、タブレット状の樹
脂材料8が装填される。なお、樹脂材料装填部24につ
いては、上金型20の対応位置に凹部を彫込み形成する
ことにより、残留する樹脂材料8Aのリードフレーム1
0からの突出量を平均化することができる。
Further, the lower die 22 has a lead frame 1
A resin material loading section 24 (pot) is provided corresponding to the 0 resin supply section 17. The resin material loading section 24 is
It is configured as a circular hole penetrating the lower mold 22, and a resin extruding member 35 is disposed on the bottom surface of the circular mold, although details thereof are omitted in FIG. The resin material loading unit 24 is loaded with the tablet-shaped resin material 8. Regarding the resin material loading portion 24, the lead frame 1 of the remaining resin material 8A is formed by engraving a concave portion at a position corresponding to the upper die 20.
The amount of protrusion from 0 can be averaged.

【0049】下金型22には、その成形面に、リードフ
レーム10の各位置決め穴16に対応してそれぞれ位置
決めピン25A乃至25Cが突設されている。また、下
金型22には、ヒータ等からなる図示しない加熱機構が
設けられており、図4において交差線で示した領域2
6、すなわちキャビティ23とその周辺領域及び樹脂材
料装填部24とその周辺領域とが樹脂材料8の溶融温度
である175°C程度に加熱される。
Positioning pins 25A to 25C are provided on the molding surface of the lower mold 22 so as to correspond to the positioning holes 16 of the lead frame 10, respectively. Further, the lower mold 22 is provided with a heating mechanism (not shown) including a heater and the like, and a region 2 shown by a cross line in FIG.
6, that is, the cavity 23 and its peripheral region, and the resin material loading portion 24 and its peripheral region are heated to about 175 ° C. which is the melting temperature of the resin material 8.

【0050】下金型22は、詳細にはキャビティ23が
形成された型材と、この型材が組み付けられる図示しな
い下金型部材とから構成され、取付けボルト28によっ
て一体化されている。下金型部材には、図示しない駆動
機構によって駆動される上述した樹脂押出部材35が移
動自在に組み合わされている。下金型22は、図6に示
すように、樹脂充填領域部13に対応したキャビティ2
3の周囲に、リードフレーム10のリード端子片12群
やブリッジ部14等に対応した多数の凹凸が形成される
ことによって、リードフレーム10を上金型20とによ
って確実に位置決め保持する。
More specifically, the lower mold 22 is composed of a mold member having a cavity 23 formed therein and a lower mold member (not shown) to which the mold member is assembled, and they are integrated by a mounting bolt 28. The above-mentioned resin extruding member 35 driven by a driving mechanism (not shown) is movably combined with the lower mold member. As shown in FIG. 6, the lower mold 22 has a cavity 2 corresponding to the resin filling region 13.
A large number of irregularities corresponding to the lead terminal piece 12 group of the lead frame 10, the bridge portion 14 and the like are formed around the lead frame 10, so that the lead frame 10 is reliably positioned and held by the upper mold 20.

【0051】下金型22には、キャビティ23の底面部
に臨んで、一対のイジェクトピン27が配設されてい
る。これらイジェクトピン27は、具体的には一方が樹
脂材料装填部24に対応したキャビティ23の一方コー
ナ部の近傍に配設されるとともに、他方がこのコーナ部
と対角位置のコーナ部の近傍に配設されている。また、
これらイジェクトピン27は、通常その先端面がキャビ
ティ23と同一面を構成するとともに、型開き動作時に
図示しない駆動機構によってキャビティ23内へと突出
動作されて、リードフレーム10に封装樹脂5をアウト
サート成形してなる半導体装置組立体7を下金型22か
ら外方へと突き出す。
The lower mold 22 is provided with a pair of eject pins 27 facing the bottom surface of the cavity 23. Specifically, one of these eject pins 27 is arranged in the vicinity of one corner of the cavity 23 corresponding to the resin material loading section 24, and the other is in the vicinity of a corner diagonally opposite to this corner. It is arranged. Also,
These eject pins 27 usually have the tip end surface flush with the cavity 23, and are projected into the cavity 23 by a drive mechanism (not shown) during the mold opening operation to outsert the encapsulating resin 5 to the lead frame 10. The molded semiconductor device assembly 7 is projected outward from the lower mold 22.

【0052】また、下金型22には、上述したようにイ
ジェクトピン27が配設されたキャビティ23の一方コ
ーナ部の外方に位置して樹脂材料装填部24が開設され
るとともに、この樹脂材料装填部24からキャビティ2
3へと連通する漏斗状のランナー部29が凹設されてい
る。ランナー部29には、その先端部にゲート部30が
形成されている。
Further, in the lower die 22, a resin material loading section 24 is provided outside the one corner of the cavity 23 in which the eject pin 27 is arranged as described above, and the resin material loading section 24 is formed. Material loading section 24 to cavity 2
A funnel-shaped runner portion 29 that communicates with 3 is recessed. A gate portion 30 is formed at the tip of the runner portion 29.

【0053】樹脂材料装填部24は、この下金型22に
リードフレーム10が装着された状態において、その樹
脂供給部17が同心円状に重なり合う。また、ランナー
部29には、リードフレーム10のランナー部19と重
なり合う。なお、成形金型においては、一般に、型開き
時にゲート樹脂を折ってゲート切断を行うことから、キ
ャビティに対して傾斜が付されて構成されている。
In the resin material loading section 24, the resin supply sections 17 are concentrically overlapped with each other when the lead frame 10 is mounted on the lower mold 22. The runner portion 29 overlaps the runner portion 19 of the lead frame 10. The molding die is generally inclined with respect to the cavity because the gate resin is folded and the gate is cut when the die is opened.

【0054】これに対して、リードフレーム10におい
ては、型開き時のゲート切断を要せず、第5のリードフ
レーム切断工程において外周部の切断と同時にゲート樹
脂の切断も行うことから、ゲート部30がランナー部2
9から直線的に連通されて構成されている。したがっ
て、ゲート部30は、構造が簡易とされることによっ
て、下金型22の金型加工を容易とさせ、また磨耗によ
る成形不良の発生を防止する。
On the other hand, in the lead frame 10, it is not necessary to cut the gate when the mold is opened, and the gate resin is cut at the same time as the cutting of the outer peripheral portion in the fifth lead frame cutting step. 30 is the runner section 2
It is configured to be linearly connected from 9. Therefore, the gate portion 30 has a simple structure, thereby facilitating the die working of the lower die 22 and preventing the occurrence of defective molding due to abrasion.

【0055】以上のように構成された下金型22には、
上金型20が離間した型開き状態において、樹脂材料装
填部24内にタブレット状の樹脂材料8が装填される。
樹脂材料8は、下金型22が加熱機構によって約175
°Cに温調されていることから、樹脂材料装填部24内
において加圧、加熱されることにより粘度の低い溶融状
態となる。下金型22には、位置決めピン25に対して
位置決め穴16が相対係合されることによって、樹脂充
填領域部13をキャビティ23に対応位置させてリード
フレーム10が位置決め装着される。
The lower mold 22 having the above-mentioned structure is
In the mold open state in which the upper mold 20 is separated, the tablet-shaped resin material 8 is loaded into the resin material loading portion 24.
As for the resin material 8, the lower die 22 is heated to about 175 by the heating mechanism.
Since the temperature is adjusted to ° C, the molten state with low viscosity is obtained by being pressurized and heated in the resin material loading section 24. The lead frame 10 is positioned and mounted in the lower mold 22 by positioning the resin-filled region portion 13 in a position corresponding to the cavity 23 by engaging the positioning hole 16 with the positioning pin 25.

【0056】しかる後、下金型22には、上金型20が
接合動作されることによって型締めが行われ、リードフ
レーム10がその外周部をこれら上金型20と下金型2
2とによってしっかりと挟み込まれるとともにその樹脂
充填領域部13がキャビティに対応位置される。また、
リードフレーム10と下金型22とは、上述したよう
に、樹脂供給部17と樹脂材料装填部24とが重なり合
わされるとともに、ランナー部18とランナー部29と
が重なり合わされる。
Thereafter, the upper die 20 is joined to the lower die 22 to perform the die clamping, and the lead frame 10 has its outer peripheral portion surrounded by the upper die 20 and the lower die 2.
It is firmly sandwiched by 2 and its resin filling region 13 is positioned corresponding to the cavity. Also,
As described above, in the lead frame 10 and the lower mold 22, the resin supply unit 17 and the resin material loading unit 24 overlap each other, and the runner unit 18 and the runner unit 29 overlap each other.

【0057】溶融状態の樹脂材料8は、図8に示すよう
に、樹脂押出部材35が駆動されることによって樹脂材
料装填部24からランナー部29へと押し出されてい
く。樹脂材料8は、ランナー部29からゲート部30を
介してキャビティ内へと充填される。リードフレーム1
0は、同一面内に樹脂材料装填部24と相対位置する材
料供給部17及びランナー部29に相対位置するランナ
ー部18が一体に形成されていることにより、同図に示
すように、途中で横断部を構成することなく樹脂材料8
をキャビティ内へと供給する。
As shown in FIG. 8, the resin material 8 in a molten state is pushed out from the resin material loading section 24 to the runner section 29 by driving the resin extruding member 35. The resin material 8 is filled into the cavity from the runner portion 29 via the gate portion 30. Lead frame 1
In the case of 0, the material supply unit 17 located opposite to the resin material loading unit 24 and the runner unit 18 located relative to the runner unit 29 are integrally formed in the same plane, and as shown in FIG. Resin material 8 without forming a cross section
Is fed into the cavity.

【0058】リードフレーム10は、樹脂材料8が上金
型20と下金型22とで構成されるキャビティ内におい
て加圧状態に保持されたまま所定の時間加熱状態に保持
されて硬化することにより、樹脂充填領域部13に対応
する領域に封装樹脂5がアウトサート成形された半導体
装置組立体7を構成する。すなわち、半導体装置組立体
7は、図1に示すように、チップ実装開口部11に実装
された半導体チップ2とともに各リード端子片12の先
端部を外方へと露呈させるようにしてリードフレーム1
0の樹脂充填領域部13がアウトサート成形された封装
樹脂5によって封装されて構成される。
In the lead frame 10, the resin material 8 is held in the pressurized state in the cavity formed by the upper die 20 and the lower die 22 and is kept in the heated state for a predetermined time to be cured. , The semiconductor device assembly 7 in which the encapsulating resin 5 is outsert-molded in a region corresponding to the resin-filled region portion 13. That is, as shown in FIG. 1, the semiconductor device assembly 7 exposes the tip portions of the lead terminal pieces 12 to the outside together with the semiconductor chip 2 mounted in the chip mounting opening 11.
The resin filling region 13 of 0 is sealed by the sealing resin 5 that is outsert-molded.

【0059】上金型20と下金型22とは、このように
してリードフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成
形した半導体装置組立体7を形成した後、下金型22に
対して上金型20が離間動作する型開きが行われる。形
成された半導体装置組立体7は、下金型22に添着さ
れ、イジェクトピン27が動作することによって下金型
22から突き出される。以下、上述したリードフレーム
10に対する封装樹脂5のアウトサート成形が順次行わ
れて、半導体装置組立体7が形成される。
After the semiconductor device assembly 7 in which the encapsulating resin 5 is outsert-molded is formed on the lead frame 10 in this manner, the upper mold 20 and the lower mold 22 are formed on the lower mold 22. The mold opening is performed in which the mold 20 is separated. The formed semiconductor device assembly 7 is attached to the lower mold 22 and is ejected from the lower mold 22 by the operation of the eject pin 27. Hereinafter, the semiconductor device assembly 7 is formed by sequentially performing the outsert molding of the encapsulating resin 5 on the lead frame 10 described above.

【0060】イジェクトピン27は、上述したように樹
脂材料供給部24に対応するコーナ部とその対角位置の
コーナ部とに配設されることによって、半導体装置組立
体7を変形等させることなく下金型22から確実に突き
出す。半導体装置組立体7には、封装樹脂5がアウトサ
ート成形されるとともに、図1に示すようにリードフレ
ーム10の樹脂供給部17からランナー部29に亘って
硬化した樹脂材料8Aがそのまま残留している。
As described above, the eject pins 27 are provided in the corner portion corresponding to the resin material supply portion 24 and the corner portion at the diagonal position thereof, so that the semiconductor device assembly 7 is not deformed. It surely projects from the lower mold 22. In the semiconductor device assembly 7, the encapsulating resin 5 is outsert-molded, and as shown in FIG. 1, the cured resin material 8A remains as it is from the resin supply portion 17 of the lead frame 10 to the runner portion 29. There is.

【0061】以上の樹脂モールド工程によって形成され
た半導体装置組立体7は、次のリードフレーム切断工程
へと供給され、例えばレーザ切断機或いは金型によるプ
レス加工によって切断領域部15からリードフレーム1
0の外周部分が切断除去されて半導体装置1を完成させ
る。この場合、リード端子片12は、ブリッジ部14が
切断されることにより、それぞれ分離される。また、こ
のリードフレーム切断工程においては、図11に示すよ
うに、レーザが照射されてゲート部30に充填された樹
脂材料8の切断も同時に行われる。
The semiconductor device assembly 7 formed by the above resin molding process is supplied to the next lead frame cutting process, and is pressed from the cutting region 15 to the lead frame 1 by, for example, a laser cutting machine or a die press.
The outer peripheral portion of 0 is cut and removed to complete the semiconductor device 1. In this case, the lead terminal pieces 12 are separated by cutting the bridge portion 14. Further, in this lead frame cutting step, as shown in FIG. 11, the resin material 8 filled in the gate portion 30 by being irradiated with the laser is also cut at the same time.

【0062】上述したリードフレーム10と上金型20
及び下金型22とは、樹脂モールド工程を施こしてリー
ドフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成形して半
導体装置組立体7を形成することから、次のような作用
効果を奏する。すなわち、リードフレーム10は、下金
型22に対してその位置決め穴16が位置決めピン25
に係合されることによって位置決めされるとともに、型
締め状態で、図9に示すように上金型20と下金型22
の型合わせ面内で保持される。
The above-mentioned lead frame 10 and upper die 20
The lower die 22 and the lower die 22 are subjected to a resin molding process to outsert the encapsulating resin 5 on the lead frame 10 to form the semiconductor device assembly 7. Therefore, the following operational effects are obtained. That is, in the lead frame 10, the positioning hole 16 is positioned in the lower die 22 and the positioning pin 25
Are positioned by engaging with the upper mold 20 and the lower mold 22 in the mold clamped state as shown in FIG.
Held within the mating plane of.

【0063】したがって、リードフレーム10は、上金
型20と下金型22との型合わせ面内で直接保持される
ことから、その板厚、加工精度或いは熱膨張による寸法
変化を考慮した公差の設定を不要とするとともに、下金
型22に対して正確に位置決めされた状態で装着され
る。また、上金型20と下金型22とは、従来のように
リードフレーム10をその外周縁部分で保持せずに型合
わせ面内で保持することから、このリードフレーム10
に対して均一な型締め力を作用させればよく、その構造
が簡易化されるばかりでなく型締め機構等を簡易化し
て、全体の小型化を達成させる。
Therefore, since the lead frame 10 is directly held in the die-matching surface of the upper die 20 and the lower die 22, the tolerance of the lead frame 10 in consideration of its plate thickness, processing accuracy or dimensional change due to thermal expansion. The setting is not necessary, and the lower mold 22 is mounted in a correctly positioned state. Further, since the upper die 20 and the lower die 22 hold the lead frame 10 in the die-matching surface without holding the lead frame 10 at the outer peripheral edge portion as in the conventional case, the lead frame 10 is not held.
It suffices to apply a uniform mold clamping force to the above, and not only the structure thereof is simplified, but also the mold clamping mechanism and the like are simplified, and the overall size reduction is achieved.

【0064】半導体装置組立体7は、上述したようにリ
ードフレーム10の各部の寸法に対する大きな公差が不
要とされる構成と、上金型20と下金型22とが均一な
型締め力を以ってリードフレーム10を保持する構成と
から、樹脂供給部17の開口部の装填部バリや、樹脂充
填領域部13の周辺部の端子部バリが発生すること無く
形成される。また、半導体装置組立体7は、リードフレ
ーム10を横断するランナー部を有しないため、横断部
バリが発生すること無く形成される。このように、半導
体装置組立体7は、バリの発生が殆ど無いため、搬送途
中でのバリの脱落による搬送機構の障害、バリ取り工程
の簡易化が図られる。
As described above, the semiconductor device assembly 7 does not require a large tolerance for the size of each part of the lead frame 10, and the upper mold 20 and the lower mold 22 have a uniform mold clamping force. Therefore, the lead frame 10 is held without forming a charging portion burr in the opening of the resin supply portion 17 or a terminal burr in the peripheral portion of the resin filling area portion 13. Further, since the semiconductor device assembly 7 does not have the runner portion that crosses the lead frame 10, the semiconductor device assembly 7 is formed without the occurrence of cross-section burr. As described above, since the semiconductor device assembly 7 has almost no burrs, it is possible to simplify the deburring process and the failure of the transfer mechanism due to the burrs falling off during the transfer.

【0065】また、半導体装置組立体7は、封装樹脂5
に対応するキャビティと樹脂材料8が装填される樹脂供
給部17とが近接配置されることによってランナー部2
9が短縮化されたリードフレーム10が用いられること
から、ランナー部29に残留する樹脂材料8Aを削減す
る。また、かかる構成は、硬化時間の短い熱硬化型樹脂
材料の使用を可能とし、充填から硬化までの時間を大幅
に短縮して生産性の向上を達成させる。
The semiconductor device assembly 7 is made of the encapsulating resin 5
The runner portion 2 is provided by arranging the cavity corresponding to
Since the lead frame 10 in which the length 9 is shortened is used, the resin material 8A remaining in the runner portion 29 is reduced. In addition, such a configuration enables the use of a thermosetting resin material having a short curing time, greatly shortens the time from filling to curing, and achieves improvement in productivity.

【0066】上述した上金型20及び下金型22は、図
10乃至図12に示した樹脂封止装置31に備えられ
る。樹脂封止装置31は、上金型20が組付け固定され
た上型部材32と、この上型部材32が接離自在とされ
かつ下金型22が組付け固定された下型部材33とから
構成される。また、樹脂封止装置31は、上金型20と
下金型22とを型締め状態に保持する型締め機構34を
備えている。さらに、樹脂封止装置31は、樹脂材料8
をキャビティ内へと充填させる樹脂押出部材35を有す
る樹脂供給機構を備えている。さらにまた、樹脂封止装
置31は、成形された半導体装置組立体7を下金型22
から突き出すイジェクトピン27を有するイジェクト機
構36を備えている。
The upper mold 20 and the lower mold 22 described above are provided in the resin sealing device 31 shown in FIGS. 10 to 12. The resin sealing device 31 includes an upper die member 32 to which the upper die 20 is attached and fixed, and a lower die member 33 to which the upper die member 32 is freely attached and detached and the lower die 22 is attached and fixed. Composed of. Further, the resin sealing device 31 includes a mold clamping mechanism 34 that holds the upper mold 20 and the lower mold 22 in a mold clamped state. Further, the resin sealing device 31 is made up of the resin material 8
A resin supply mechanism having a resin extruding member 35 for filling the inside of the cavity is provided. Furthermore, the resin encapsulation device 31 uses the molded semiconductor device assembly 7 for the lower die 22.
An eject mechanism 36 having an eject pin 27 protruding from is provided.

【0067】上型部材32は、全体が略ブロック体を呈
し、その底面部が上金型20を取り付ける金型取付け面
37を構成する。取付け面37には、後述するように下
金型22側に設けた位置決めピン25に相対する逃げ穴
38が凹設されている。上型部材32には、隣り合う2
つの側面に下方へと突出する位置決め嵌合凸部39が一
体に突出されている。また、上型部材32には、相対す
る2つの側面に搬送用凹部40が形成されている。この
搬送用凹部40は、樹脂封止装置31を搬送する際に、
図示しない搬送装置の保持機構が相対係合する。
The upper die member 32 has a substantially block body as a whole, and the bottom surface portion thereof constitutes a die attachment surface 37 for attaching the upper die 20. The mounting surface 37 is provided with an escape hole 38 facing the positioning pin 25 provided on the lower mold 22 side as described later. Two adjacent to the upper mold member 32
A positioning fitting convex portion 39 that protrudes downward is integrally projected on one of the side surfaces. Further, the upper mold member 32 is formed with a transporting recess 40 on two opposite side surfaces. When the resin sealing device 31 is transported, the transport recess 40 is
The holding mechanism of the carrying device (not shown) is relatively engaged.

【0068】さらに、上型部材32には、相対する2つ
の側面に上金型側の型締め機構34を構成する一対のロ
ック軸41がそれぞれ設けられている。これらロック軸
41は、それぞれ各側面の横方向に離間して配設されて
おり、後述するロックレバー48が相対係合されること
によって上型部材32と下型部材33とを型締め状態に
保持する。
Further, the upper mold member 32 is provided with a pair of lock shafts 41 constituting the mold clamping mechanism 34 on the upper mold side on two opposite side surfaces. The lock shafts 41 are arranged laterally spaced apart from each other on their respective side surfaces, and the upper mold member 32 and the lower mold member 33 are clamped by the relative engagement of a lock lever 48 described later. Hold.

【0069】下型部材33は、全体が厚み寸法を上型部
材32よりもやや大とした略ブロック体を呈し、上型部
材32とほぼ同一の外形寸法とされた上面部が下金型2
2を取り付ける金型取付け面42を構成する。下型部材
33には、金型取付け面42に開口する上述した材料樹
脂装填部24が貫通して設けられるとともに、イジェク
トピン27が摺動自在に組み合わされるイジェクトピン
ガイド穴44が貫通して設けられている。
The lower die member 33 has a substantially block shape in which the thickness dimension is slightly larger than that of the upper die member 32, and the upper die portion having substantially the same outer dimensions as the upper die member 32 has the lower die 2
A mold mounting surface 42 for mounting 2 is constructed. The lower resin member 33 is provided with the above-described material resin loading portion 24 that is open to the mold mounting surface 42 and is provided with an eject pin guide hole 44 through which the eject pin 27 is slidably assembled. Has been.

【0070】また、下型部材33には、上型部材32の
位置決め嵌合凸部39に対応して、隣り合う2つの側面
に位置決め嵌合凹部46が設けられている。さらに、下
型部材33には、上述した上型部材32のロック軸41
に対応して型締め機構34を構成するロックレバー支軸
47が設けられている。
Further, the lower mold member 33 is provided with a positioning fitting concave portion 46 on two adjacent side surfaces corresponding to the positioning fitting convex portion 39 of the upper mold member 32. Further, the lower mold member 33 includes the lock shaft 41 of the upper mold member 32 described above.
A lock lever support shaft 47 that constitutes the mold clamping mechanism 34 is provided corresponding to the above.

【0071】下型部材33には、図示しないが、内部に
ヒータ等の加熱手段が配設されることによって、上述し
た加熱領域が約175°Cに温調されている。また、下
型部材33には、その下方部に図示しないが樹脂押出部
材35を樹脂材料装填部24内で上方へと押上げ駆動す
ることによって樹脂材料を金型のキャビティへと供給す
る樹脂供給機構が配設されている。また、イジェクトピ
ンガイド穴44には、図示を省略するが、イジェクトピ
ン27をその先端部がキャビティ23と同一面とするよ
うに後退下位置に保持するスプリングが配設されてい
る。イジェクトピン27は、詳細を省略するイジェクト
機構36によって、スプリングの弾性力に抗してキャビ
ティ23内へと突き出される。
Although not shown, the lower die member 33 is provided with a heating means such as a heater therein, so that the above-mentioned heating region is controlled to a temperature of about 175 ° C. Further, the lower mold member 33 supplies resin material to the cavity of the mold by driving the resin extruding member 35 (not shown) at the lower part of the lower mold member 33 so as to push it upward in the resin material loading portion 24. A mechanism is provided. Further, in the eject pin guide hole 44, although not shown, a spring that holds the eject pin 27 in the retracted lower position so that the tip of the eject pin 27 is flush with the cavity 23 is provided. The eject pin 27 is ejected into the cavity 23 against the elastic force of the spring by an eject mechanism 36, which is not described in detail.

【0072】型締め機構34は、下型部材33の両側面
にそれぞれ配設されており、一端部が下型部材33のロ
ックレバー支軸47に回動自在に片持ち支持された一対
のロックレバー48と、これらロックレバー48の自由
端側に設けたリンク軸51に一端部をそれぞれ回動自在
に支持されるとともに自由端部が互いに連結された一対
のリンクレバー50とから構成されている。これらロッ
クレバー48には、外側縁に円弧状のカム溝49がそれ
ぞれ形成されている。また、リンクレバー50には、連
結部に筒状のカム52が組み付けられている。
The mold clamping mechanism 34 is provided on both side surfaces of the lower mold member 33, and a pair of locks whose one end is rotatably cantilevered by a lock lever support shaft 47 of the lower mold member 33. The lever 48 and a pair of link levers 50 each of which has one end rotatably supported by a link shaft 51 provided on the free end side of the lock lever 48 and whose free ends are connected to each other. . Arc-shaped cam grooves 49 are formed on the outer edges of the lock levers 48, respectively. A tubular cam 52 is attached to the link lever 50 at the connecting portion.

【0073】型締め機構34は、下型部材33に対して
上型部材32が接近して上金型20と下金型22との型
締めが行われた状態で、図示しない駆動機構によって一
対のロックレバー48がロックレバー支軸47を支点と
してそれぞれ外側に回動動作される。ロックレバー48
は、この回動動作によってカム溝49が上型部材32の
ロック軸41と相対係合される。この係合状態は、例え
ばカム52を下方へと付勢する図示しないスプリングの
弾性力によって保持される。したがって、上金型20と
下金型22とは、型締め状態に保持される。
The mold clamping mechanism 34 is paired by a drive mechanism (not shown) in a state where the upper mold member 32 approaches the lower mold member 33 and the upper mold 20 and the lower mold 22 are clamped. The lock levers 48 are pivoted outward with the lock lever support shafts 47 serving as fulcrums. Lock lever 48
The cam groove 49 is relatively engaged with the lock shaft 41 of the upper mold member 32 by this rotating operation. This engagement state is maintained by, for example, the elastic force of a spring (not shown) that urges the cam 52 downward. Therefore, the upper mold 20 and the lower mold 22 are held in the mold clamped state.

【0074】以上のように構成された樹脂封止装置31
は、図10に示すように、下型部材33に対して上型部
材32が離間された型開き状態において、樹脂材料装填
部24にタブレット状の樹脂材料8が装填される。樹脂
材料8は、上型部材32が加熱されていることにより、
樹脂材料装填部24内で次第に溶融する。また、樹脂封
止装置31には、リードフレーム10が供給され、その
位置決め穴16と位置決めピン25とが相対係合される
ことによって位置決めされた状態で下金型22上に装着
される。
The resin sealing device 31 configured as described above
As shown in FIG. 10, the tablet-shaped resin material 8 is loaded in the resin material loading portion 24 in the mold open state in which the upper mold member 32 is separated from the lower mold member 33. Since the upper die member 32 is heated, the resin material 8 is
It melts gradually in the resin material loading section 24. Further, the lead frame 10 is supplied to the resin sealing device 31, and the lead frame 10 is mounted on the lower mold 22 in a state of being positioned by the relative engagement of the positioning hole 16 and the positioning pin 25.

【0075】樹脂封止装置31は、下型部材33に対し
て上型部材32が接近動作して上金型20と下金型22
とが突き合わされるとともに、図示しない駆動機構によ
り型締め機構34が駆動されて上述した型締め状態に保
持される。上型部材32と下型部材33は、嵌合凸部3
9と嵌合凹部46とが相対係合することによって、互い
に位置決めされた状態で結合する。
In the resin sealing device 31, the upper mold member 32 moves closer to the lower mold member 33 and the upper mold member 20 and the lower mold member 22 are moved.
Are abutted against each other, and the mold clamping mechanism 34 is driven by a drive mechanism (not shown) to be held in the mold clamping state described above. The upper mold member 32 and the lower mold member 33 are formed by the fitting protrusion 3
9 and the fitting recess 46 are engaged with each other, so that they are coupled with each other in a state of being positioned with respect to each other.

【0076】上金型20と下金型22とは、この型締め
状態において、キャビティ21、23が協動してリード
フレーム10の樹脂充填領域部13に対応したキャビテ
ィを構成する。しかる後、樹脂封止装置31は、樹脂供
給機構が動作し、樹脂押出部材35によって溶融状態の
樹脂材料8を樹脂材料装填部24内からランナー部29
へと押し出す。
In the mold clamped state, the upper mold 20 and the lower mold 22 cooperate with each other to form a cavity corresponding to the resin filling region 13 of the lead frame 10. Thereafter, in the resin sealing device 31, the resin supply mechanism operates, and the resin extruding member 35 causes the resin material 8 in a molten state to flow from inside the resin material loading portion 24 to the runner portion 29.
Push to.

【0077】樹脂材料8は、ランナー部29からゲート
部30を介して上金型20と下金型22とのキャビティ
内へと供給される。樹脂封止装置31は、樹脂押出部材
35を押し上げた状態のまま型締め機構34によって上
金型20と下金型22との型締め状態を保持する。した
がって、樹脂材料8は、キャビティ内で加圧かつ加熱状
態で所定の時間を保持されることによって硬化し、リー
ドフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成形して半
導体装置組立体7を形成する。
The resin material 8 is supplied from the runner portion 29 through the gate portion 30 into the cavity between the upper die 20 and the lower die 22. In the resin sealing device 31, the mold clamping mechanism 34 holds the mold clamping state of the upper mold 20 and the lower mold 22 while the resin extruding member 35 is pushed up. Therefore, the resin material 8 is cured by being kept in a pressurized and heated state in the cavity for a predetermined time, and the lead frame 10 is outsert-molded with the encapsulating resin 5 to form the semiconductor device assembly 7.

【0078】樹脂封止装置31は、所定の時間が経過す
ると、図示しない駆動機構により型締め機構34が駆動
されてロック状態が解除されるとともに下型部材33に
対して上型部材32が離間動作して、図11に示すよう
に型開き動作が行われる。半導体装置組立体7は、この
型開き動作が行われると、同図に示すように下金型22
に添着する。
In the resin sealing device 31, after a predetermined time has elapsed, the mold clamping mechanism 34 is driven by a drive mechanism (not shown) to release the locked state, and the upper mold member 32 is separated from the lower mold member 33. In operation, the mold opening operation is performed as shown in FIG. When this mold opening operation is performed, the semiconductor device assembly 7 will have a lower mold 22 as shown in FIG.
Attach to.

【0079】樹脂封止装置31は、この型開き状態でイ
ジェクト機構36が駆動されてイジェクトピン27をイ
ジェクトガイド穴44に沿ってキャビティ内へと突き出
させる。半導体装置組立体7は、これによって下金型2
2から突き上げられ、図示しない取出機構によって図1
2に示すように取り出される。半導体装置組立体7は、
上述したように次工程の第5のリードフレーム切断工程
に搬送されて切断領域部15からリードフレーム10の
外周部が切断除去されて半導体装置1が製造される。
In the resin sealing device 31, the eject mechanism 36 is driven in this mold open state to eject the eject pin 27 into the cavity along the eject guide hole 44. As a result, the semiconductor device assembly 7 has the lower mold 2
2 is pushed up by the ejecting mechanism not shown in FIG.
It is taken out as shown in 2. The semiconductor device assembly 7 is
As described above, the semiconductor device 1 is manufactured by being transported to the fifth lead frame cutting step of the next step and cutting and removing the outer peripheral portion of the lead frame 10 from the cutting area portion 15.

【0080】上述したリードフレーム10については、
1枚で1個の半導体装置1を形成するが、本発明はかか
るリードフレーム10に限定されるものでは無い。例え
ば、リードフレームは、従来のリードフレーム100の
ように帯状の金属薄板を素材としてチップ実装部を複数
の領域に連続して形成してもよいことは勿論である。こ
の場合、リードフレームは、各領域毎に上述したリード
端子片12、ブリッジ部14、位置決め穴16或いは樹
脂供給部17、ランナー部18、ゲート部19とがそれ
ぞれ個別に形成されるとともに、両側縁に沿って搬送用
のパーホレーションが形成される。
Regarding the lead frame 10 described above,
Although one semiconductor device 1 is formed by one sheet, the present invention is not limited to such a lead frame 10. For example, the lead frame may be formed by continuously forming the chip mounting portion in a plurality of regions by using a strip-shaped thin metal plate as a material like the conventional lead frame 100. In this case, in the lead frame, the lead terminal piece 12, the bridge portion 14, the positioning hole 16 or the resin supply portion 17, the runner portion 18, and the gate portion 19 described above are individually formed for each region, and both side edges are formed. A perforation for transportation is formed along.

【0081】本発明は、さらに図13に示すような1枚
によって4個の半導体装置1を製造するリードフレーム
60にも展開される。リードフレーム60は、金属薄板
を素材として横方向が幾分長くされた矩形に形成され、
その主面61が4つの領域62A乃至62Dに区分され
ている。これら領域62A乃至62Dは、それぞれ1個
の半導体装置1を形成する個別の半導体製造領域を構成
する。各半導体製造領域62A乃至62Dは、上述した
リードフレーム10と同様に、それぞれその中央部に半
導体チップ2が実装位置されるチップ実装部が形成され
るとともに、このチップ実装部の周囲にリード端子片群
が打抜き形成されている。
The present invention can be further applied to a lead frame 60 for manufacturing four semiconductor devices 1 by one as shown in FIG. The lead frame 60 is made of a thin metal plate and is formed into a rectangular shape having a lateral length slightly longer.
The main surface 61 is divided into four regions 62A to 62D. Each of these regions 62A to 62D constitutes an individual semiconductor manufacturing region forming one semiconductor device 1. Similar to the lead frame 10 described above, each of the semiconductor manufacturing regions 62A to 62D has a chip mounting portion on which the semiconductor chip 2 is mounted and is formed in the central portion thereof, and lead terminal pieces are provided around the chip mounting portion. The group is stamped and formed.

【0082】また、各半導体製造領域62A乃至62D
は、その内周部にリード端子片の先端部を残して封装樹
脂5がアウトサート成形される樹脂充填領域部63A乃
至63Dとして構成される。勿論、各半導体製造領域6
2A乃至62Dは、これら樹脂充填領域部63A乃至6
3Dの外周部がそれぞれ分離切断されるための切断領域
部とされる。
Further, each semiconductor manufacturing area 62A to 62D
Is configured as resin-filled area portions 63A to 63D in which the encapsulating resin 5 is outsert-molded while leaving the tip portion of the lead terminal piece on the inner peripheral portion thereof. Of course, each semiconductor manufacturing area 6
2A to 62D are the resin filled area portions 63A to 6D.
The outer peripheral portion of 3D is used as a cutting area portion for being separated and cut.

【0083】リードフレーム60は、各半導体製造領域
62A乃至62Dの中心位置に、1つの樹脂供給部64
が開設されている。この樹脂供給部64は、リードフレ
ーム60に封装樹脂5をアウトサート成形するための成
形金型に設けられた樹脂材料装填部に対応位置される。
また、この樹脂供給部64には、各半導体製造領域62
A乃至62Dと連通されるランナー部65A乃至65D
がそれぞれ開設されている。これらランナー部65A乃
至65Dは、各半導体製造領域62A乃至62Dに向か
って次第に幅寸法を小ならしめられており、先端部にゲ
ート部66A乃至66Dが形成されている。
The lead frame 60 has one resin supply portion 64 at the center position of each semiconductor manufacturing region 62A to 62D.
Has been established. The resin supply portion 64 is positioned corresponding to the resin material loading portion provided in the molding die for outsert molding the encapsulating resin 5 on the lead frame 60.
Further, in the resin supply unit 64, each semiconductor manufacturing area 62 is
Runner portions 65A to 65D that communicate with A to 62D
Have been opened respectively. These runner portions 65A to 65D are gradually reduced in width dimension toward the respective semiconductor manufacturing regions 62A to 62D, and gate portions 66A to 66D are formed at their tip portions.

【0084】また、リードフレーム60には、幅方向の
両端部に沿って位置決め用のガイド部67がそれぞれ設
けられている。これらガイド部67は、リードフレーム
60を成形金型に装着される際の位置決め作用を奏する
とともに、搬送に際してのガイド作用も奏する。
Further, the lead frame 60 is provided with positioning guide portions 67 along both ends in the width direction. These guide portions 67 have a positioning action when the lead frame 60 is mounted on the molding die, and also have a guide action at the time of conveyance.

【0085】以上のように構成されたリードフレーム6
0によれば、第2の半導体チップ実装工程において、チ
ップ実装部にそれぞれ半導体チップ2A乃至2Dが実装
される。半導体チップ2A乃至2Dは、第3のワイヤボ
ンディング工程において、各端子がリードフレーム60
のリード端子片と電気的に接続される。4個の半導体チ
ップ2A乃至2Dを実装したリードフレーム60は、第
4の樹脂モールド工程によって、各半導体製造領域62
A乃至62Dに封装樹脂5がアウトサート成形される。
Lead frame 6 constructed as described above
According to 0, in the second semiconductor chip mounting step, the semiconductor chips 2A to 2D are mounted on the chip mounting portions, respectively. In the semiconductor chips 2A to 2D, each terminal has a lead frame 60 in the third wire bonding step.
Is electrically connected to the lead terminal piece. The lead frame 60 on which the four semiconductor chips 2A to 2D are mounted is formed in each semiconductor manufacturing region 62 by the fourth resin molding process.
The encapsulating resin 5 is outsert-molded on A to 62D.

【0086】リードフレーム60は、成形金型に位置決
めされて装着されると、樹脂材料装填部に装填した樹脂
材料8が樹脂供給部64から各ランナー部65A乃至6
5Dへと押し出される。樹脂材料8は、4個分の封装樹
脂5をアウトサート成形するに足る量が樹脂材料装填部
に装填される。リードフレーム60は、樹脂供給部64
が中央部に設けられることによって、各半導体製造領域
62A乃至62Dに対して樹脂材料8を均等に供給す
る。
When the lead frame 60 is positioned and mounted in the molding die, the resin material 8 loaded in the resin material loading portion is transferred from the resin supply portion 64 to the runner portions 65A to 65A.
Extruded to 5D. The resin material 8 is loaded into the resin material loading portion in an amount sufficient to outsert the four encapsulating resins 5. The lead frame 60 includes a resin supply unit 64.
Is provided in the central portion, the resin material 8 is evenly supplied to each of the semiconductor manufacturing regions 62A to 62D.

【0087】リードフレーム60は、各半導体製造領域
62A乃至62Dに封装樹脂5がアウトサート成形され
て1個の半導体装置組立体を形成する。したがって、半
導体装置組立体は、次のリードフレーム切断工程におい
て、レーザカッタ等の切断装置によって各半導体製造領
域62A乃至62D毎に切断されて、4個の半導体装置
1を同時に製造する。
In the lead frame 60, the encapsulating resin 5 is outsert-molded in each of the semiconductor manufacturing regions 62A to 62D to form one semiconductor device assembly. Therefore, in the next lead frame cutting step, the semiconductor device assembly is cut into each of the semiconductor manufacturing regions 62A to 62D by a cutting device such as a laser cutter to manufacture four semiconductor devices 1 at the same time.

【0088】リードフレーム60は、上述したリードフ
レーム10と同様に、樹脂供給部64とランナー部65
及びゲート部66が各半導体製造領域62A乃至62D
と同一面内に形成されていることによって、その板厚、
加工精度或いは熱膨張による寸法変化を考慮した公差の
設定を不要とするとともに、成形金型に対して正確に位
置決めされた状態で装着される。また、リードフレーム
60は、成形金型の構造を簡易化するばかりでなく型締
め機構等を簡易化して、全体の小型化を達成させる。
The lead frame 60, like the lead frame 10 described above, has a resin supply portion 64 and a runner portion 65.
And the gate portion 66 is formed in each of the semiconductor manufacturing regions 62A to 62D.
By being formed in the same plane as, the plate thickness,
It is not necessary to set a tolerance in consideration of processing accuracy or dimensional change due to thermal expansion, and the device is mounted in a state of being accurately positioned with respect to the molding die. In addition, the lead frame 60 not only simplifies the structure of the molding die but also simplifies the mold clamping mechanism and the like, thereby achieving overall miniaturization.

【0089】さらに、リードフレーム60は、各部のバ
リの発生を無くし、搬送途中でのバリの脱落による搬送
機構等の障害やバリ取り工程を簡易化させる。さらにま
た、リードフレーム60は、樹脂材料8を削減するとと
もに、硬化時間の短い熱硬化型樹脂材料の使用を可能と
して充填から硬化までの時間を大幅に短縮することで生
産性の向上を達成させる。
Furthermore, the lead frame 60 eliminates the occurrence of burrs in the respective parts, and simplifies the deburring process and obstacles such as the transport mechanism due to the burrs falling off during transport. Furthermore, the lead frame 60 reduces the resin material 8 and enables the use of a thermosetting resin material having a short curing time, thereby significantly shortening the time from filling to curing, thereby achieving improvement in productivity. .

【0090】なお、上述した多数個取りのリードフレー
ム60については、4個ばかりでなく、樹脂供給部64
を中心として個別の半導体製造領域が等間隔に配置され
た構成であれば良い。しかしながら、より多くの半導体
製造領域を有するリードフレームは、成形金型及び封止
装置全体を大型化させることから、あまり有効では無
い。
Regarding the above-described multi-piece lead frame 60, not only four lead frames 60 but also the resin supply section 64
It suffices if the individual semiconductor manufacturing regions are arranged at equal intervals centering on the. However, a lead frame having a larger number of semiconductor manufacturing regions is not very effective because it enlarges the molding die and the entire sealing device.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体装置の製造方法によれば、樹脂供給部とランナ
ー部及びゲート部とが実装された半導体チップを封装す
る封装樹脂がアウトサート成形される樹脂充填部と同一
面内に形成されたリードフレームを用い、このリードフ
レームの外周を切断除去して半導体装置を製造すること
から、小型簡易化された封止装置による効率的な製造が
行われ、またバリ取り工程等の追加工処理も不要であり
かつ樹脂材料も削減でき、大幅なコスト逓減を達成する
ことができる。
As described above in detail, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip on which the resin supply part, the runner part and the gate part are mounted is outsert. Since a lead frame formed on the same plane as the resin-filled portion to be molded is used and the outer periphery of the lead frame is cut and removed to manufacture a semiconductor device, efficient manufacturing with a compact and simplified sealing device Moreover, no additional processing such as a deburring process is required, the resin material can be reduced, and a large gradual cost reduction can be achieved.

【0092】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、リードフレームは、上金型と下金型との型合
わせ面内で直接保持されることから、その板厚、加工精
度或いは熱膨張による寸法変化を考慮した公差の設定を
不要とするとともに、下金型に対して正確に位置決めさ
れた状態で装着される。また、上金型と下金型とは従来
のようにリードフレームをその外周縁部分で保持せずに
型合わせ面内で保持することからこのリードフレームに
対して均一な型締め力を作用させればよく、したがっ
て、型締め機構はロック軸とロックレバーにより構成さ
れたものとすることができ、その構造が簡易化されるば
かりでなく、型締め機構などを簡易化して、全体の小型
化を達成することができる。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the lead frame is directly held within the die-matching surface between the upper die and the lower die. It is not necessary to set the tolerance considering the dimensional change due to thermal expansion, and it is mounted in a state of being accurately positioned with respect to the lower mold. Further, since the upper die and the lower die hold the lead frame in the die mating surface instead of holding it on the outer peripheral edge portion as in the conventional case, a uniform die clamping force is applied to the lead frame. Therefore, the mold clamping mechanism can be composed of a lock shaft and a lock lever, which not only simplifies the structure but also simplifies the mold clamping mechanism and reduces the overall size. Can be achieved.

【0093】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、リードフレームに封装樹脂アウトサート成
形してなる半導体装置に組立体を金型部材からキャビテ
ィ内へ突き出すように構成されたイジェクト機構により
変形等させることなく確実に金型から外方へ突き出すこ
とができる。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, an ejecting mechanism configured to project the assembly from the mold member into the cavity of the semiconductor device formed by encapsulating resin outsert on the lead frame. With this, it is possible to reliably project outward from the mold without causing deformation or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体装置の中間体である半導体装置組立体の
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device assembly which is an intermediate body of a semiconductor device.

【図2】同半導体装置に用いられるリードフレームの斜
視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a lead frame used in the semiconductor device.

【図3】本発明に係る半導体装置の製造工程を説明する
概略製造工程図である。
FIG. 3 is a schematic manufacturing process diagram illustrating the manufacturing process of the semiconductor device according to the invention.

【図4】同半導体装置を製造する際に用いられる樹脂封
止装置を構成する下金型の概略平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view of a lower mold forming a resin sealing device used when manufacturing the same semiconductor device.

【図5】同樹脂封止装置を構成する上金型の概略構成を
説明する底面図である。
FIG. 5 is a bottom view for explaining a schematic configuration of an upper mold forming the resin sealing device.

【図6】同上金型の詳細構成を説明する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a detailed configuration of the same mold.

【図7】同樹脂封止装置の下金型に設けられた樹脂材料
装填部から供給される樹脂材料の流れ状態を平面視から
示した説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing, in a plan view, a flow state of a resin material supplied from a resin material loading portion provided in a lower mold of the resin sealing device.

【図8】同樹脂封止装置の下金型に設けられた樹脂材料
装填部から供給される樹脂材料の流れ状態を断面視から
示した説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a cross-sectional view of a flow state of a resin material supplied from a resin material loading portion provided in a lower mold of the resin sealing device.

【図9】リードフレームにおけるバリ発生の防止作用を
断面視で示した説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a cross-sectional view of the action of preventing burrs from occurring in the lead frame.

【図10】本発明に係る半導体装置を製造する際に用い
られる樹脂封止装置の分解斜視図であり、リードフレー
ムのセット時の状態を示す。
FIG. 10 is an exploded perspective view of a resin sealing device used when manufacturing a semiconductor device according to the present invention, showing a state when a lead frame is set.

【図11】同樹脂封止装置の分解斜視図であり、インサ
ート成形が行われた半導体装置組立体のイジェクト時の
状態を示す。
FIG. 11 is an exploded perspective view of the resin sealing device, showing a state at the time of ejecting the semiconductor device assembly that has been insert-molded.

【図12】同樹脂封止装置の分解斜視図であり、インサ
ート成形が行われた半導体装置組立体の取出し時の状態
を示す。
FIG. 12 is an exploded perspective view of the resin sealing device, showing a state in which the semiconductor device assembly that has been insert-molded is taken out.

【図13】他のリードフレームを示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing another lead frame.

【図14】半導体装置の斜視図である。FIG. 14 is a perspective view of a semiconductor device.

【図15】従来の樹脂封止工程を説明する一部切欠き要
部斜視図である。
FIG. 15 is a partial cutaway perspective view illustrating a conventional resin sealing step.

【図16】同樹脂封止工程を説明する要部平面図であ
る。
FIG. 16 is a plan view of a principal part for explaining the resin sealing step.

【図17】同樹脂封止工程によってリードフレームに樹
脂が封止された状態を示す半導体装置組立体の要部側面
図である。
FIG. 17 is a side view of essential parts of the semiconductor device assembly, showing a state in which the lead frame is sealed with resin by the resin sealing step.

【図18】同半導体装置組立体からゲート部の樹脂材料
を切断する状態を示す要部側面図である。
FIG. 18 is a side view of essential parts showing a state in which the resin material of the gate portion is cut from the semiconductor device assembly.

【図19】従来の樹脂封止装置における端子部バリの発
生防止構造を説明する要部側面図である。
FIG. 19 is a side view of a principal part for explaining a terminal portion burr generation preventing structure in a conventional resin sealing device.

【図20】従来の樹脂封止装置における金型構造を説明
する要部縦断面図である。
FIG. 20 is a longitudinal sectional view of an essential part for explaining a mold structure in a conventional resin sealing device.

【図21】同金型装置における横断部バリの発生状態を
説明する要部側面図である。
FIG. 21 is a side view of relevant parts for explaining a state in which a transverse portion burr is generated in the mold device.

【図22】リードフレームの形状説明図である。FIG. 22 is an explanatory diagram of the shape of a lead frame.

【図23】従来の樹脂封止装置に備えられる金型の型締
め力の分布を説明する模式図である。
FIG. 23 is a schematic diagram illustrating the distribution of the mold clamping force of the mold provided in the conventional resin sealing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 2 半導体チップ 3 リード端子片 5 封止樹脂 7 半導体装置組立体 8 樹脂材料 10 リードフレーム 11 チップ実装開口部(半導体チップ実装部) 12 リード端子片 13 樹脂充填領域部 15 切断領域部 16 位置決め穴 17 樹脂供給部 18 ランナー部 19 ゲート部 20 上金型 21 キャビティ 22 下金型 23 キャビティ 24 樹脂材料装填部 27 イジェクトピン 29 ランナー部 30 ゲート部 31 樹脂封止装置 34 型締め機構 35 樹脂供給機構の樹脂押出部材 36 イジェクト機構 1 Semiconductor device 2 semiconductor chips 3 Lead terminal piece 5 Sealing resin 7 Semiconductor device assembly 8 resin materials 10 lead frame 11 Chip mounting opening (semiconductor chip mounting part) 12 lead terminal pieces 13 Resin filling area 15 Cutting area 16 Positioning hole 17 Resin supply section 18 Runner section 19 Gate 20 Upper mold 21 cavity 22 Lower mold 23 cavities 24 Resin material loading section 27 eject pin 29 Runner section 30 gate 31 Resin sealing device 34 Clamping mechanism 35 Resin Extruding Member of Resin Supply Mechanism 36 Eject mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50 H01L 21/56 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 21/56

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体チップが実装位置されるチップ実
装部と、このチップ実装部の周辺部にそれぞれ臨まされ
る一端部が実装された半導体チップとの電気的接続部を
構成する多数個のリード端子片群が形成されたリード端
子領域部と、このリード端子領域部の外方に位置して開
設された樹脂供給部とが導電性金属薄板を素材として一
体に形成されてなるリードフレームが供給され、 互いに接離自在に対向配置されるとともに型締めされた
状態において上記リードフレームにリード端子片群の先
端部をそれぞれ露呈するようにして半導体チップを封装
するキャビティを構成する第1の金型部材及び第2の金
型部材と、上記第1及び第2の金型部材の一方の相対す
る2つの側面に設けた一対のロック軸と他方の相対する
2つの側面に設けた一対のロックレバーにより構成さ
れ、これら第1の金型部材と第2の金型部材とを型締め
状態に保持する型締め機構と、 上記リードフレームの上記樹脂供給部に対応していずれ
か一方の上記金型部材に設けられた樹脂供給部から溶融
状態の樹脂材料を上記キャビティ内へと供給する材料樹
脂供給機構と、 上記キャビティ内に供給された樹脂材料が上記リードフ
レームの上記樹脂充填部に充填されて形成された半導体
組立体を上記第1と第2の金型部材とが上記型締め機構
により型開きされた状態でいずれか一方の金型部材から
キャビティ内へ突き出すイジェクト機構とを備えてなる
樹脂封止装置が用いられ、 上記リードフレームを、上記第1の金型部材と第2の金
型部材とが型開き状態においてそのキャビティ内に載置
するリードフレーム供給工程と、 上記型締め機構により上記第1の金型部材と第2の金型
部材とを型締めすることによって上記リードフレームの
上記樹脂充填領域部の外方領域を保持してキャビティを
構成する型締め工程と、 上記材料樹脂供給機構により上記キャビティ内へと溶融
状態の樹脂材料を充填してこの樹脂材料によって上記チ
ップ実装部に実装した上記半導体チップを封装して半導
体装置組立体を形成する樹脂モールド工程と、 上記キャビティ内に充填された樹脂材料の硬化後に型開
きされた上記第1の金型部材又は第2の金型部材のいず
れか一方側から上記イジェクト機構により上記半導体装
置組立体を突き出す半導体装置組立体取出し工程と、 取り出された上記半導体装置組立体から、上記リードフ
レームの上記リード端子片群の先端部と上記樹脂供給部
から供給された樹脂材料のランナー部とを切断分離する
リードフレーム切断工程とからなる半導体装置の製造方
法。
1. A large number of leads that form an electrical connection part between a chip mounting part on which a semiconductor chip is mounted and a semiconductor chip with one end facing each peripheral part of the chip mounting part mounted. A lead frame is formed by integrally forming a lead terminal area portion formed with a terminal piece group and a resin supply portion opened outside the lead terminal area portion using a conductive thin metal plate as a material. And a first mold for forming a cavity for sealing the semiconductor chip by exposing the front end portions of the lead terminal piece groups to the lead frame in a state where they are arranged to face each other so that they can come into contact with each other and are clamped. Member and second mold member, and one of the first and second mold members facing each other.
A pair of lock shafts provided on the two side faces
Consists of a pair of lock levers on two sides
It is a mold clamping mechanism for holding the these first mold member and a second mold member in the mold clamped state, in one of the mold member to correspond to the resin supply section of the lead frame A material resin supply mechanism that supplies a molten resin material into the cavity from a resin supply portion provided, and a resin material supplied into the cavity is filled in the resin filling portion of the lead frame. In the semiconductor assembly, the first and second mold members have the mold clamping mechanism.
From one of the mold members with the mold opened by
Equipped with an eject mechanism that projects into the cavity
A resin sealing device is used , a lead frame supplying step of placing the lead frame in the cavity in a state where the first mold member and the second mold member are opened, and the mold clamping mechanism. A mold clamping step of forming a cavity by holding the outer region of the resin-filled region of the lead frame by clamping the first mold member and the second mold member with each other; A resin molding step of filling a molten resin material into the cavity by a resin supply mechanism and sealing the semiconductor chip mounted on the chip mounting portion with the resin material to form a semiconductor device assembly; The semiconducting device is opened from either side of the first mold member or the second mold member opened after the resin material filled therein is cured by the eject mechanism. A step of ejecting the semiconductor device assembly for ejecting the body device assembly, and a runner portion of the resin material supplied from the tip part of the lead terminal piece group of the lead frame and the resin supply part from the semiconductor device assembly taken out And a lead frame cutting step for cutting and separating
【請求項2】上記リードフレームには、上記樹脂供給部
を中心としてその周囲に、チップ実装部、リード端子領
域部及び樹脂充填領域部とからなる複数の個別半導体チ
ップ実装部が一体に形成されて構成され、上記樹脂モー
ルド工程は、上記個別半導体チップ実装部に対して、上
記リード端子片群のそれぞれの先端部を露呈するように
して上記樹脂供給部から供給される樹脂材料によって上
記チップ実装部に実装された上記半導体チップをそれぞ
れ封装して半導体装置組立体を形成し、上記リードフレ
ーム切断工程は、上記半導体装置組立体取出し工程によ
って取り出された上記半導体装置組立体から、上記リー
ドフレームの上記リード端子片群の先端部と上記樹脂供
給部から供給された樹脂材料のランナー部とをそれぞれ
切断分離することを特徴とする請求項1に記載の半導体
装置の製造方法。
2. The lead frame is integrally formed with a plurality of individual semiconductor chip mounting portions including a chip mounting portion, a lead terminal area portion and a resin filling area portion around the resin supply portion. In the resin molding step, the chip mounting is performed by the resin material supplied from the resin supply section so as to expose the respective tip portions of the lead terminal piece groups to the individual semiconductor chip mounting section. The semiconductor chips mounted on the respective parts are sealed to form a semiconductor device assembly, and the lead frame cutting step is performed by removing the lead frame from the semiconductor device assembly taken out by the semiconductor device assembly removing step. Cutting and separating the tip portion of the lead terminal piece group and the runner portion of the resin material supplied from the resin supply portion, respectively. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein.
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