JP3508849B2 - 半導体装置および半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の検査方法

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C15/00Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
半導体装置の検査方法に関し、特に連想メモリ(CA
M:Content Addressable Memory)のメモリセル、ワー
ドマッチ回路およびプライオリティエンコーダの効率的
な検査技術に適用して有効なものである。
【0002】
【従来の技術】連想メモリ(CAM)は、検索データを入力
して、この検索データに一致するデータが記録されたア
ドレスを出力する機能を持つ。勿論、通常のメモリ装置
と同様に、メモリセルのアドレスを指定して指定アドレ
スにデータを書き込みあるいは読み出すメモリ機能も有
する。
【0003】データの検索機能は、連想メモリセルに設
けられた検索データ線と、検索データと記憶データとの
一致結果を出力する検索結果出力線とによって実現され
る。アドレス毎のワード線に沿ったワードビット(メモ
リセル)毎に検索データと記憶データとの一致が判断さ
れる。判断結果は検索結果出力線に出力され、ワードマ
ッチ回路に入力される。全てのワードビットで一致した
場合、あるいはマスクされたワードビットがある場合に
はマスクされていないワードビットで一致した場合、ワ
ード線毎に設けられたワードマッチ回路の出力に一致フ
ラグが出力される。一致フラグが立っているワード線の
アドレスはプライオリティエンコーダにより出力され
る。一致したワードが複数存在する場合には、プライオ
リティエンコーダで優先順位を設定し、優先順位の最も
高いアドレスが出力される。たとえばアドレス番号の低
いアドレスが最も優先順位が高い等の順位付けがなされ
る。
【0004】なお、連想メモリについては、たとえば昭
和59年11月30日、オーム社発行、電子通信学会
編、「LSIハンドブック」、p523〜525に記載さ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような連想メモリ
を製造した場合、メモリセルの記憶および読出し動作が
正常であることを検査する必要があるとともに、ワード
マッチ回路およびプライオリティエンコーダの動作、つ
まり検索機能が正常であることを検査する必要がある。
検査は以下のように行うことができる。検査対象のアド
レス(検査アドレス)を指定して検査データを連想メモ
リアレイに書込み、検査データを検索データとして検索
を行う。出力される検索アドレスが検査アドレスと一致
することを判断して、検索動作の正常性を確かめる。
【0006】前記した通りプライオリティエンコーダで
は、検索データにマッチするワードが複数存在した場合
には、優先順位に従って1つの検索結果(検索アドレ
ス)が出力される。よって、検査ステップにおいては以
下の条件を具備する必要がある。(1)検査アドレスよ
りも優先順位の高いアドレスに検査データと同一のデー
タが記録されていないこと、(2)検査対象アドレスが
優先順位の最も低いアドレス以外の場合は、検査アドレ
スよりも優先順位の低いアドレスのうち少なくとも1つ
のアドレスに検査データと同一のデータが記録されてい
ること、が必要である。
【0007】仮に優先順位の高いアドレスに検査データ
と同一のデータが記録されている場合にはそのデータの
記録されているアドレスが検索結果として出力される。
連想メモリが正常に動作していても検査アドレスと検索
アドレスが相違する結果を招き、連想メモリの動作の正
常性を判断することができなくなる。(1)の条件はこ
のような事態を避けるために要求される条件である。
(1)の条件を満足しても、(2)の条件が満足されて
いなければ、データがマッチする複数のアドレスから優
先度の高いアドレスが正常に選択されているかどうかを
判定できない。
【0008】上記条件を考慮して全てのアドレスについ
て検査を行う。全てのアドレスについて正常に検査アド
レスに一致するアドレスが出力されれば連想メモリの正
常性が検査されたことになる。
【0009】ここで、プライオリティエンコーダの優先
順位の最も高いアドレスから検査を開始し、より優先度
の低いアドレスを順次指定して検査する場合を考える
と、以下のような問題がある。つまり、前記条件を満足
するために、検査対象の1回前のアドレスに記録したデ
ータを再びバックグラウンド(または検査データと相違
するデータ)に書き変え、検査アドレス以降のアドレス
に検査データと同一のデータを書き加える必要がある。
このような操作は、1アドレス毎の検査ステップを増加
し好ましくない。また、検査機能を半導体装置のチップ
内に形成した組み込みセルフテスト回路に実装すること
を考慮すれば、回路数の増加を来たし、それに伴うチッ
プ面積の占有、あるいは消費電力の増大を招く不具合が
ある。
【0010】本発明の目的は、プライオリティエンコー
ダを持つ連想メモリの検索動作の検査において、冗長な
検査ステップを排除することにある。
【0011】また、本発明の目的は、最短のステップで
メモリセル、ワードマッチ回路の不良を検査し、さら
に、プライオリティエンコーダ機能の不良を検査するこ
とにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願の発明の概略を説明
すれば、以下の通りである。つまり、本発明の検査方法
および半導体装置では、連想メモリセル、ワードマッチ
回路およびプライオリティエンコーダの検査をプライオ
リティエンコーダの優先順位の低いアドレスから順に行
う。
【0013】このような検査方式では、検査の初めにバ
ックグラウンドデータとして検査データと相違するデー
タを書き込んでおき、最も優先度の低いアドレスに検査
データを書き込む。このアドレスが検査アドレスであ
る。優先度の高いアドレスにはバックグラウンドデータ
が書き込まれているから、検索動作においては検査デー
タが書き込まれているアドレス(ここでは最も優先度が
低いアドレス)が検索アドレスとして出力されるはずで
ある。検索アドレスと検査アドレスは連想メモリが正常
である限り一致するはずである。
【0014】次に優先度の低いアドレスを発生し、この
アドレスを検査アドレスとして検査データを書き込む。
先に検査したアドレスのデータには何ら操作を加えな
い。このため、この段階では優先度の最も低いアドレス
と次に低いアドレスに検査データが書き込まれている。
その他のアドレスにはバックグラウンドデータが記録さ
れている。この状態で検査データを検索データとして検
索操作を行う。前記の通り最も優先度の高いマッチアド
レスは現在検査対象になっているアドレス(検査アドレ
ス)であるはずだから、検索結果として検査アドレスが
出力されるはずである。連想メモリが正常である限り検
査アドレスと検索アドレス(検索結果の出力アドレス)
は一致するはずである。以降全てのアドレスについて検
査されるまで順次優先順位の高いアドレスを指定して前
記検査操作を繰り返す。
【0015】このような検査方法によれば、前回検査し
たデータについては検査データが書き込まれたままで放
置される。つまり、何らの消去操作あるいは書込み操作
が加えられない。また、未検査のアドレスについても検
査データと同一のデータを書き込む操作を行わない。つ
まり、1アドレスについてのデータ書込み操作は1回だ
けである。このため、検査ステップを最短に短縮するこ
とができる。
【0016】また、本発明の半導体装置は、これら検査
ステップを組み込みセルフテスト(BIST:Built-in Self
Test)回路として実装したものである。前記方法で
は、最短に検査ステップが短縮されているので、これを
実装した回路では回路数を削減し、回路で占有される面
積を縮小できる。また、回路数の削減による消費電力の
削減をも図ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。ただし、本発明は多くの異
なる態様で実施することが可能であり、本実施の形態の
記載内容に限定して解釈すべきではない。なお、実施の
形態の全体を通して同じ要素には同じ番号を付するもの
とする。
【0018】図1は、本発明の一実施の形態である半導
体装置の概要を示したブロック図である。本実施の形態
の半導体装置は、連想メモリアレイ1、ワードマッチ回
路2、プライオリティエンコーダ3、アドレスデコーダ
4、データ書込・検索用ドライバ5、データ読出し用の
センスアンプ6および組み込みセルフテスト回路(BI
ST)7を含む。
【0019】連想メモリ1には、アレイ状に配列された
メモリセルを有し、各メモリセルには検索データと記録
データの一致を判断する検索素子が設けられる。メモリ
セルはSRAM(Static Random Access Memory)の場
合2つのインバータからなるフリップフロップと選択ト
ランジスタの6MOS構造で構成できる。DRAM(Dy
namic Random Access Memory)の場合には選択トランジ
スタとキャパシタの2素子で構成できる。
【0020】図2は、本実施の形態の連想メモリセルce
llの一例を示した回路図である。図3はワード線WLに
沿った連想メモリセルcellの一致検出を行う回路の概要
を示したブロック図である。ここではSRAMを例示す
る。PMOS(p型MISFET)とNMOS(n型M
ISFET)の直列接続からなるインバータINV1、
INV2でフリップフロップ回路を構成する。フリップ
フロップのノードn1、n2にn型の選択トランジスタ
(Q1、Q2)を接続し、Q1、Q2のゲートにワード
線WLを接続する。ワード線をHighレベルにして選択動
作を行うことによりノードn1、n2の電位がデータ線
DL、DLバーに伝えられ、情報の読出しあるいは書込
みが行われる。データ線DL、DLバーには互いに相補
的な信号が出力されるのは勿論である。また、データ検
索の際にもデータ線DL、DLバーには互いに相補的な
信号が入力される。ノードn1、n2には、n型のトラ
ンジスタQ3、Q4のゲートが接続される。Q3とQ4
のドレインは各々データ線DL、DLバーに接続され、
共通のソースは検索データと記録データの一致を検出す
るp型のトランジスタQ5のゲートに接続される。各セ
ルcellの一致検出信号線MatchOは一致検出回路に入力さ
れる。
【0021】トランジスタQ3、Q4、Q5によりデー
タの一致検索が行われる。データ線DL、DLバーの電
位とノードn1、n2との電位が一致している場合には
Q3とQ4の共通のソース(ノードn3)はHighレベル
になる。このときp型のトランジスタQ5はOFF状態で
ある。一致検出信号線MatchOをHighレベルにプリチャー
ジした状態で、ワード線WLに沿った全ての連想メモリセ
ルcellでQ5がOFF状態であれば、MatchOのプリチャー
ジは維持される。一致検出回路にHighレベルが入力され
て当該ワード線WLに沿ったセルのデータの一致が検出
される。一方、データ線DL、DLバーの電位とノード
n1、n2との電位が一致しないときにはノードn3は
Lowレベルになり、Q5はON状態になる。ワード線WLに
沿った連想メモリセルcellのうち1つでも不一致であれ
ばMatchOのプリチャージ電荷は放電されMatchOはLowレ
ベルになる。このようにしてメモリセルとデータ線との
一致あるいは不一致をワード単位で検出できる。なお、
検索には検索素子として排他的論理和(exclusiveO
R)ゲートを用いることもできる。
【0022】ワードマッチ回路2は、連想メモリアレイ
1からの検索結果出力(MatchO)を受け、アドレス毎の
ワードの一致不一致を出力する。
【0023】プライオリティエンコーダ3は、ワードマ
ッチ回路2の出力を受け、ワードが一致しているアドレ
ス線に対応するアドレスをバイナリコードで出力する。
一致するワードが複数存在する場合には、優先順位の最
も高いアドレスが出力される。ここでは、アドレス番号
の小さいアドレスが優先的に出力されるものとする。な
お、優先順位付けはその他の方式たとえばアドレス番号
の大きい方を優先度が高いとすることもできる。一致す
るワードが存在しない場合にはプライオリティエンコー
ダ3は不一致の信号を出力する。
【0024】アドレスデコーダ4は、アドレス信号をバ
イナリコードで受けて、そのアドレスに対応するアドレ
ス線を活性化する。
【0025】データ書込・データ検索用ドライバ5は、
連想メモリアレイにデータを書き込む際に、あるいはデ
ータ検索を行う場合に所定のデータ線(検索データ線)
へのデータの送出を行う。
【0026】センスアンプ6は、メモリアレイからのデ
ータの読出しの際に、メモリセルに記録されているデー
タの状態を表す電位(チャージ)を検出する。センスア
ンプはデータ線ごとに、あるいは隣接するデータ線と共
用して設けられる。
【0027】図4は、組み込みセルフテスト回路7の構
成の一例を示したブロック図である。本実施の形態の組
み込みセルフテスト回路7には、バックグラウンドデー
タ発生回路8、検査データ発生回路9、タイミング制御
回路10、アドレス発生回路11、比較回路12、結果
フラグレジスタ13を含む。
【0028】バックグラウンドデータ発生回路8は、検
査の最初に連想メモリアレイ1に書き込まれるバックグ
ラウンドデータを発生する。タイミング制御回路10に
より制御され、データバスにデータを送出する。
【0029】検査データ発生回路9は、検査の各ステッ
プにおいて、検査アドレスに書き込まれる検査データを
生成する。タイミング制御回路10により制御され、デ
ータバスにデータを送出する。また、各検査ステップに
おける検索データとして、検索データバスに検査データ
を送出する。
【0030】タイミング制御回路10は、バックグラウ
ンドデータ発生回路8、検査データ発生回路9、アドレ
ス発生回路11、比較回路12等各回路のデータ送出あ
るいはデータ読み取りのタイミングを制御する。また、
ワードマッチ回路2、プライオリティエンコーダ3、ア
ドレスデコーダ4、データ書込・検索ドライバ5等連想
メモリのその他の機能ブロックへの検査時の制御信号CN
TLを送出する。また、後に説明するアドレス位置のカウ
ンタ機能を有しても良い。
【0031】アドレス発生回路11は、検査の各ステッ
プにおいて、検査対象となるアドレス(検査アドレス)
を生成する。この検査アドレスは検査ステップごとに相
違する。各検査ステップが終了する毎に1アドレスづつ
減少する。なお、ここではアドレス番号の小さいものほ
どプライオリティエンコーダ3の優先順位が大きい場合
を例示しているので、アドレス発生回路11のアドレス
は降順に発生されると説明している。が、逆にアドレス
番号の大きいものほど優先度が大きければ、アドレス発
生回路11のアドレスは昇順に発生されることになる。
アドレス発生回路11は、タイミング制御回路10によ
り制御され、アドレスバスにアドレスデータを送出す
る。
【0032】比較回路12は、データバスから連想メモ
リアレイの各アドレス毎のセルに記録されたデータを取
得し、一方バックグラウンドデータ発生回路8からのバ
ックグラウンドデータを取得し、メモリセルに記録され
たデータとバックグラウンドデータとの比較を行う。比
較結果は結果フラグレジスタ13に記録される。
【0033】また、比較回路12は、検索アドレスバス
からプライオリティエンコーダ3の出力データ(検索ア
ドレス)を取得し、一方アドレス発生回路11からのア
ドレスデータ(検査アドレス)を取得し、検索アドレス
と検査アドレスとの比較を行う。比較結果は結果フラグ
レジスタ13に記録される。
【0034】なおここでは、比較回路12が記録データ
の比較とアドレスデータの比較の2つの機能を併有する
例を示しているが、前記各々の機能ごとに別々の回路と
して構成されても良い。また、前記した組み込みセルフ
テスト回路7の構成は、あくまでも例示であり、バック
グラウンドデータの書込みおよび読み取り機能、読み取
られたデータとバックグラウンドデータとの比較機能、
検査アドレスへの検査データの書込み機能、検索制御機
能、検索アドレスと検査アドレスの比較機能を有する限
り、前記構成には限られない。たとえば、図5に示すよ
うに、バックグラウンドデータ発生回路8の機能と検査
データ発生回路9の機能を統合し、1つのデータ発生回
路14を設けても良い。この場合、前記した比較回路1
2で比較されるバックグラウンドデータあるいは検査デ
ータはタイミング制御回路10によって制御して生成で
きる。
【0035】次に、本実施の形態の検査方法をフローチ
ャートに基づいて説明する。図6は本実施の形態の検査
方法の一例を示したフローチャートである。また、図7
は本実施の形態の検査方法の流れを擬似的に示したコマ
ンド列を示す図である。ステップ20で処理を開始す
る。
【0036】まず、連想メモリアレイ1の全アドレス
(全メモリセル)にバックグラウンドデータを書込む
(ステップ21、行番号1)。ここで、バックグラウン
ドデータとして'000・・・00000'を例示する。「0」はワー
ドを構成するビット数だけ繰り返す。なお、バックグラ
ウンドデータは'000・・・00000'に限られず、他のビット
パターンを持つデータでもよい。
【0037】バックグラウンドデータの書込みは、たと
えば以下の様に行う。タイミング制御回路10で書込み
信号を生成する。アドレス発生回路11で発生したアド
レスを指定して、バックグラウンドデータ発生回路8か
らバックグラウンドデータをデータバスに送出する。ア
ドレス発生回路11のアドレスを順次変更して全アドレ
スにデータが書込まれるまで繰り返す。
【0038】次に、バックグラウンドデータの読出しを
行う(ステップ22、行番号2)。バックグラウンドデ
ータの読出しは、たとえばタイミング制御回路10から
読出し制御信号を生成し、データバスから比較回路12
に読出しデータを入力する。一方、比較回路12にはバ
ックグラウンドデータ発生回路8からのバックグラウン
ドデータを入力し、両データの一致を判断する(ステッ
プ23)。不一致が検出された場合には異常終了する
(ステップ24)。この操作を全アドレスについて繰り
返し、全てのメモリセルにおいてバックグラウンドデー
タが書込まれ、かつ読み出されることを確認する。この
段階の検査をパスすることにより、メモリセルの記録・
読出し機能の正常性が確認される。全てのアドレスにつ
いてステップ23での比較が一致する場合にはステップ
25に進む。この段階の連想メモリアレイ1に記録され
ているデータを図8(a)に示す。全てのメモリセルには
「0」が記録されている。
【0039】次にコントロールフラグiに0を代入し
(ステップ25)、検査アドレス番号AにX−iを代入
する(ステップ26)。Xは最大アドレス番号(最終ア
ドレス)である。その後、アドレスAに検査データを書
込む(ステップ27、行番号3)。検査データの書込み
は、たとえば以下の様に行う。たとえばタイミング制御
回路10で書込み信号を生成する。アドレス発生回路1
1で発生したアドレスを指定して、検査データ発生回路
9から検査データをデータバスに送出する。
【0040】今、i=0であるから検査対象(書込み対
象)のアドレス(検査アドレス)はXである。つまり現
ステップでアドレス発生回路11により発生されるアド
レスはXである。ここでは、検査データとして、'111・・
・11111'を例示する。「1」はワードを構成するビット数
だけ繰り返す。なお、検査データは'111・・・11111'に限
られず、バックグラウンドデータと異なる他のビットパ
ターンを持つデータでもよい。
【0041】次に、前記検査データ'111・・・11111'を検
索データとして連想メモリの検索動作を行う(ステップ
28、行番号4)。検索動作は、タイミング制御回路1
0で検索信号を生成し、検査データ発生回路9から検査
データをデータバス(検索データバス)に送出して行
う。この検索操作の結果は、プライオリティエンコーダ
3に出力され、検索アドレスバスを介して比較回路12
に入力される。一方、比較回路12にはアドレス発生回
路11からの検査アドレスデータ(現ステップではX)
を入力し、両アドレスデータの一致を判断する(ステッ
プ29)。不一致が検出された場合には異常終了する
(ステップ30)。一致が検出された時にはステップ3
1に進む。
【0042】現ステップにおいてはアドレスXにのみ検
査データ'111・・・11111'が書込まれており、その他のデ
ータはバックグラウンドデータ'000・・・00000'のはずで
ある。よって連想メモリの検索機能が正常である限り検
索アドレスとして「X」が出力され、ステップ29の比
較判断では一致が出力される。この段階の連想メモリア
レイ1に記録されているデータを図8(b)に示す。ア
ドレスXにのみデータ'111・・・11111'が書込まれ、その
他のデータは'000・・・00000'である。
【0043】次に、iを1増加して(ステップ31)、
iがX以上であるかを判断する(ステップ32)。iが
X以上、つまり全てのアドレスについて異常が検出され
ずに検査が終了した場合には正常終了することになる
(ステップ33)。現ステップではi(=1)はX以下
であるからステップ26に戻る。その後、前記と同様の
ステップを繰り返す。
【0044】この2回目のループでは検査アドレスとし
てX−1が指定され(ステップ26)、アドレスX−1
に検査データが書込まれる(ステップ27、行番号
5)。現ループにおいては前回検査で書込まれたアドレ
スXのデータ('111・・・11111')に対しては消去、再書
込み等の操作は何ら施されない。つまりアドレスX−1
に検査データが書込まれるだけである。
【0045】そして前ループと同様に検査データを検索
データとして検索操作を行う(ステップ28、行番号
6)。ここでは、検索データ('111・・・11111')に一致
するデータはアドレスXとX−1に記録されている。こ
の段階の連想メモリアレイ1に記録されているデータを
図8(c)に示す。アドレスXおよびX−1にデータ'11
1・・・11111'が書込まれ、その他のデータは'000・・・0000
0'である。
【0046】しかし、プライオリティエンコーダ3の優
先順位はアドレス番号の小さい方が高い(優先される)
ので、検索結果としての検索アドレスはX−1が出力さ
れることになる。よって、前記の通りステップ29にお
ける比較判断では一致の判断が出力されるはずである。
【0047】以降同様のループをiがXを超えるまで繰
り返す(ステップ32)。図8(d)は検査完了の1ル
ープ前の段階(行番号2X)の連想メモリアレイ1に記
録されているデータを示す。図8(e)は検査完了時の
段階(行番号2X+2)の連想メモリアレイ1に記録さ
れているデータを示す。検査完了時のループにおける検
索アドレスは最も優先度の高いアドレス0が出力される
ことになる。
【0048】このように、本実施の形態では、検査が終
了したアドレスに対しては何ら操作を行わず、検査対象
のアドレスに対してのみ書込み操作が行われる。つまり
1アドレスの検査に対する書込みステップは1回(バッ
クグラウンドデータの書き込みを含めると2回)であ
る。このため、冗長な消去あるいは書込みステップを排
除でき、検査に必要な書き込みステップを最短に短縮で
きる。また、組み込みセルフテスト回路に実装した場合
を考慮すれば、書込み回路を1つ構成すればよい。さら
に本実施の形態では、連想メモリアレイの各セルの記録
・読出し動作に加えて、ワードマッチ回路およびプライ
オリティエンコーダの動作をも同時に検査できる。つま
り全ての機能が正常に発現される良品検査を最短のステ
ップで検査することができる。
【0049】本実施の形態の場合と優先度の高い順に検
査する場合の検査に要する書込みダミーサーチステップ
を比較すると、優先度の高い方から順に検査する場合に
は、プライオリティエンコーダの検査のための書込みが
n回(nは全アドレス数とする)、1番目のアドレスに
対する書込みダミーサーチが3回、2番目以降のアドレ
スに対する前アドレスデータの消去、現アドレスデータ
の消去とダミーサーチ、および現アドレスへの書込みが
4(n−1)回、トータルで5n−1回の書き込みが必
要になる。これに対し本実施の形態では前記の通り2n
回の書き込みでよい。大幅なステップ数の削減(約5分
の2に削減)ができる。特に、検査データのデータパタ
ーンを複数用意して前記検査を複数回行う場合にはさら
に書込みダミーサーチステップの削減効果が顕著にな
る。たとえばアドレスワード数を2048、検査データ
パターン数を2とすると、優先順位の高い方から検査し
た場合には20478回の書込みダミーサーチが必要で
あるが、本実施の形態によれば8192回の書込みで済
む。
【0050】なお、ここでの優先度の高い順に検査する
場合の例では、検査アドレスより優先度の低いアドレス
に検査データと同一のデータを書き込む回数を最低限に
抑え、エンコーダーのプライオリティー性の検査を本実
施形態の場合と同じ完全性で行なうために、全アドレス
にあらかじめ検査データと同一のデータを書き、検査が
終わったアドレスのデータを書き換えていく方法を仮定
している。
【0051】また、組み込みセルフテスト(BIST)
回路に前記検査のアルゴリズムを実装する場合におい
て、本実施の形態の場合と優先度の高い方から順に検査
する場合との必要な書込み回路数を比較すると、優先度
の高い方から順に検査する場合には、1番目のアドレス
を検査する場合のデータ書込み回路、2番目以降のアド
レスを検査する場合の前アドレスのデータ消去回路、現
アドレスのデータ消去回路および現アドレスへのデータ
書込み回路、ダミーサーチ制御回路の5種類の回路が必
要である。これに対し、本実施の形態では、現アドレス
への書込み回路の1つでよい。たとえばアドレスワード
数を2048、データパターン数を2、設計ルール0.
25μmの製造技術を仮定すれば、優先度の高い方から
順に検査する場合には約1250セルの素子面積が必要
である。これに対し本実施の形態では約800セルの素
子面積でよい。本実施の形態によれば素子面積として約
36%の削減が図れる。この結果、素子面積を縮小して
高集積化に寄与できるとともに、BIST回路で消費さ
れる電力を削減することが可能になる。
【0052】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0053】たとえば、前記実施の形態ではSRAMあ
るいはDRAMの場合について説明したが、たとえばF
RAM、フラッシュEEPROM等不揮発性のメモリセ
ルに適用することも可能である。プライオリティエンコ
ーダの優先順位は降順あるいは昇順のようにアドレス番
号に対して順次移行する例を説明したが、優先順位はア
ドレスに対してその他の規則性を持って変化されてもよ
い。さらに、前記実施の形態では、本発明の検査アルゴ
リズム(方法)をBIST回路に実装した例を説明した
が、半導体装置のチップ外に設けられた外部回路によっ
て実現されても良い。また、バックグラウンドデータと
検査データとはそれらが互いに相違する限り任意のデー
タパターンを用いることができる。
【0054】
【発明の効果】本願で開示される発明のうち、代表的な
ものによって得られる効果は、以下の通りである。すな
わち、プライオリティエンコーダを持つ連想メモリの検
索動作の検査において、冗長な検査ステップを排除する
ことができる。また、最短のステップでメモリセル、ワ
ードマッチ回路の不良を検査し、さらに、プライオリテ
ィエンコーダ機能の不良を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置の概要
を示したブロック図である。
【図2】本実施の形態の連想メモリセルの一例を示した
回路図である。
【図3】連想メモリセルの一致検出を行う回路の概要を
示したブロック図である。
【図4】組み込みセルフテスト回路の構成の一例を示し
たブロック図である。
【図5】組み込みセルフテスト回路の構成の他の例を示
したブロック図である。
【図6】本発明の一実施の形態である検査方法の一例を
示したフローチャートである。
【図7】本発明の一実施の形態である検査方法の流れを
擬似的に示したコマンド列を示す図である。
【図8】(a)〜(e)は検査の各ステップにおける連
想メモリアレイに記録されているデータを示す図であ
る。
【符号の説明】
1…連想メモリアレイ、2…ワードマッチ回路、3…プ
ライオリティエンコーダ、4…アドレスデコーダ、5…
データ書込・データ検索用ドライバ、6…センスアン
プ、7…組み込みセルフテスト回路(BIST)、8…
バックグラウンドデータ発生回路、9…検査データ発生
回路、10…タイミング制御回路、11…アドレス発生
回路、12…比較回路、13…結果フラグレジスタ、1
4…データ発生回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 陽太郎 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (72)発明者 田中 正浩 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (56)参考文献 特開 平8−190795(JP,A) 特開 平5−128900(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 29/00 G11C 15/04

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連想メモリアレイの全てのアドレスにバ
    ックグラウンドデータを書き込むバックグラウンドデー
    タ書込ステップと、 プライオリティエンコーダの優先度が最も低いアドレス
    を検査アドレスとして指定し、前記検査アドレスに前記
    バックグラウンドデータと相違する検査データを書き込
    む検査データ書込ステップと、 前記検査データを検索データとして前記連想メモリアレ
    イに記録されたデータを検索し、前記プライオリティエ
    ンコーダから前記検査データに一致するデータが記録さ
    れた検索アドレスを取得する検索アドレス取得ステップ
    と、 前記検査アドレスと前記検索アドレスとの一致を判断す
    るアドレス一致判断ステップと、 を含む半導体装置の検査方法。
  2. 【請求項2】 前記検索アドレスを前記優先度が高くな
    る方向に順次変更し、全てのアドレスについて、前記検
    査データ書込ステップ、前記検索アドレス取得ステップ
    および前記アドレス一致判断ステップを繰り返す請求項
    1記載の半導体装置の検査方法。
  3. 【請求項3】 前記バックグラウンドデータ書込ステッ
    プの後、 前記連想メモリセルからデータを読み出すデータ読出ス
    テップと、 前記読み出されたデータと前記バックグラウンドデータ
    との一致を判断するデータ一致判断ステップと、 をさらに有する請求項2記載の半導体装置の検査方法。
  4. 【請求項4】 前記バックグラウンドデータ書込ステッ
    プ、データ読出ステップ、データ一致判断ステップ、検
    査データ書込ステップ、検索アドレス取得ステップおよ
    びアドレス一致判断ステップは、前記半導体装置のチッ
    プ内に実装された組み込みセルフテスト回路により実行
    される請求項3記載の半導体装置の検査方法。
  5. 【請求項5】 連想メモリセルと、ワードマッチ回路
    と、プライオリティエンコーダとを含む半導体装置であ
    って、 前記プライオリティエンコーダの優先度が低い順にアド
    レスを生成するアドレス生成手段と、 前記アドレス生成手段から検査アドレスを取得し、検査
    データを前記連想メモリセルの前記検査アドレスに書き
    込む検査データ書込手段と、 前記検査データを検索対象とする前記プライオリティエ
    ンコーダからの出力アドレスと前記検査アドレスとの一
    致を判断するアドレス一致判断手段と、 を含む半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記連想メモリセルの全てのアドレスに
    バックグラウンドデータを書き込むバックグラウンドデ
    ータ書込手段をさらに含み、 前記検査データは前記バックグラウンドデータとは相違
    するものである請求項5記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記連想メモリセルからデータを読み出
    し、前記データと前記バックグラウンドデータとを比較
    するデータ比較手段をさらに含む請求項6記載の半導体
    装置。
  8. 【請求項8】 前記アドレス生成手段、検査データ書込
    手段、アドレス一致判断手段、バックグラウンドデータ
    書込手段およびデータ一致判断手段が、組み込みセルフ
    テスト回路としてチップ内に実装されている請求項7記
    載の半導体装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7017089B1 (en) * 2001-11-01 2006-03-21 Netlogic Microsystems, Inc Method and apparatus for testing a content addressable memory device
US7200793B1 (en) * 2002-03-22 2007-04-03 Altera Corporation Error checking and correcting for content addressable memories (CAMs)
JP4062226B2 (ja) * 2003-09-30 2008-03-19 株式会社リコー 基板検査装置
KR100518599B1 (ko) * 2003-11-03 2005-10-04 삼성전자주식회사 우선 순위 엔코더의 결함 여부 테스트가 가능한 캠 및우선 순위 엔코더의 결함 여부 테스트 방법
US7464308B2 (en) * 2004-01-13 2008-12-09 Micron Technology, Inc. CAM expected address search testmode
US7405585B2 (en) * 2006-02-14 2008-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Versatile semiconductor test structure array
JP4869879B2 (ja) * 2006-11-20 2012-02-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体集積回路
US7818638B2 (en) * 2007-06-15 2010-10-19 Micron Technology, Inc. Systems and devices including memory with built-in self test and methods of making and using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT386394B (de) * 1985-12-16 1988-08-10 Knapp Guenter Gmbh Co Kg Vorrichtung zur steuerung automatisiert ablaufender foerder- und sortiervorgaenge
US5107501A (en) * 1990-04-02 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Built-in self-test technique for content-addressable memories
JPH05127872A (ja) * 1991-02-28 1993-05-25 Toshiba Corp 半導体集積回路
KR100222046B1 (ko) * 1996-12-20 1999-10-01 윤종용 자기 테스트회로를 가진 반도체 메모리장치
US5964857A (en) * 1997-05-30 1999-10-12 Quality Semiconductor, Inc. Priority encoder for a content addressable memory system
US6272588B1 (en) * 1997-05-30 2001-08-07 Motorola Inc. Method and apparatus for verifying and characterizing data retention time in a DRAM using built-in test circuitry
KR100468675B1 (ko) * 1997-07-25 2005-03-16 삼성전자주식회사 스태틱램자기테스트회로의어드레스발생기및어드레스발생방법
US6286116B1 (en) * 1999-03-26 2001-09-04 Compaq Computer Corporation Built-in test method for content addressable memories
US6317350B1 (en) * 2000-06-16 2001-11-13 Netlogic Microsystems, Inc. Hierarchical depth cascading of content addressable memory devices

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