JP3508170B2 - トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法 - Google Patents
トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法Info
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- JP3508170B2 JP3508170B2 JP19973193A JP19973193A JP3508170B2 JP 3508170 B2 JP3508170 B2 JP 3508170B2 JP 19973193 A JP19973193 A JP 19973193A JP 19973193 A JP19973193 A JP 19973193A JP 3508170 B2 JP3508170 B2 JP 3508170B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性高分子材料と無
機材料とのカップリング剤として作用するトリアルコキ
シ（チエニルアルキル）シランおよびその製造法に関す
る。
機材料とのカップリング剤として作用するトリアルコキ
シ（チエニルアルキル）シランおよびその製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】重合可能な官能基とトリアルコキシシリ
ル基を有する化合物は、有機ポリマーとガラス等の無機
材料とのカップリング剤として作用し、先端複合材料の
開発において非常に重要な役割を果たしている。例え
ば、ビニルシラン類は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、及び、ポリスチレン等の汎用樹脂の機械的な強度を
向上させるために用いられる。
ル基を有する化合物は、有機ポリマーとガラス等の無機
材料とのカップリング剤として作用し、先端複合材料の
開発において非常に重要な役割を果たしている。例え
ば、ビニルシラン類は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、及び、ポリスチレン等の汎用樹脂の機械的な強度を
向上させるために用いられる。
【０００３】このようなシランカップリング剤の一つと
して、導電性高分子モノマーとトリアルキルシリル基を
結合させた化合物をガラス、シリコンウエハー等の無機
材料表面に恒久的な導電層を形成するためのカップリン
グ剤として用いる研究が行われている。これまでに、白
金電極やｎ型シリコン電極表面をポリピロール膜で修飾
するためのＮ−（３−（トリメトキシシリル）プロピ
ル）ピロール（J. Am. Chem. Soc., 104, 2031-2034 (1
982)）、ガラス基質上に導電層を形成するためのピロリ
ジル基含有シランカップリング剤（国際公開番号WO 92
／06100 号）等が報告されている。これらの化合物をシ
リコンウエハーやガラス基質上のＯＨ基を利用して共有
結合させた後、ピロールと共重合させることによりポリ
ピロール膜を形成することができる。
して、導電性高分子モノマーとトリアルキルシリル基を
結合させた化合物をガラス、シリコンウエハー等の無機
材料表面に恒久的な導電層を形成するためのカップリン
グ剤として用いる研究が行われている。これまでに、白
金電極やｎ型シリコン電極表面をポリピロール膜で修飾
するためのＮ−（３−（トリメトキシシリル）プロピ
ル）ピロール（J. Am. Chem. Soc., 104, 2031-2034 (1
982)）、ガラス基質上に導電層を形成するためのピロリ
ジル基含有シランカップリング剤（国際公開番号WO 92
／06100 号）等が報告されている。これらの化合物をシ
リコンウエハーやガラス基質上のＯＨ基を利用して共有
結合させた後、ピロールと共重合させることによりポリ
ピロール膜を形成することができる。
【０００４】しかし、これらの化合物と共重合させるピ
ロールは、その窒素原子以外の位置に置換基を導入する
ことが困難であるために報告されているポリピロール誘
導体の数が少ない。これまでに報告されているポリピロ
ール誘導体の例として、ピロール環の窒素原子の位置に
アルキル基を導入したポリ（Ｎ−アルキルピロール）(S
ynth.Met., 15, 49-58 (1986))やピロール環の３位にア
ルキル基を導入したポリ（３−アルキルピロール）（Ma
kromol.Chem.,Rapid Commun., 10, 103-108 (1989)）等
を挙げることが出来るが、これらの化合物は無置換のポ
リピロールに比べて電気電導度が低いことや無置換のポ
リピロール同様に脱ドープ状態の安定性が低いこと等の
問題点を有している。
ロールは、その窒素原子以外の位置に置換基を導入する
ことが困難であるために報告されているポリピロール誘
導体の数が少ない。これまでに報告されているポリピロ
ール誘導体の例として、ピロール環の窒素原子の位置に
アルキル基を導入したポリ（Ｎ−アルキルピロール）(S
ynth.Met., 15, 49-58 (1986))やピロール環の３位にア
ルキル基を導入したポリ（３−アルキルピロール）（Ma
kromol.Chem.,Rapid Commun., 10, 103-108 (1989)）等
を挙げることが出来るが、これらの化合物は無置換のポ
リピロールに比べて電気電導度が低いことや無置換のポ
リピロール同様に脱ドープ状態の安定性が低いこと等の
問題点を有している。
【０００５】一方、窒素原子の代わりに硫黄原子を有す
る複素５員環であるチオフェンは３位に種々の官能基を
導入することが容易であり、そのようなチオフェン誘導
体を重合することにより、脱ドープ状態、ドープ状態共
に安定であるという無置換のポリチオフェンの性質を損
なうことなく有用な性質を付与したポリチオフェン誘導
体が得られることが報告されている。このようなポリチ
オフェン誘導体の例として、有機溶媒に溶解するだけで
はなく、ソルバトクロミズムやサーモクロミズム等の性
質を示すポリ（３−アルキルチオフェン）（Japanese J
ournal of Applied Physics, 27, L716-L718 (1988))や
外来のドーパントを必要としない自己ドープポリマー、
ポリ［２−（３−チエニル）エタンスルホン酸］及びポ
リ［４−（３−チエニル）ブタンスルホン酸］(Synthet
ic Metals, 20, 151-159 (1987))等を挙げることができ
る。
る複素５員環であるチオフェンは３位に種々の官能基を
導入することが容易であり、そのようなチオフェン誘導
体を重合することにより、脱ドープ状態、ドープ状態共
に安定であるという無置換のポリチオフェンの性質を損
なうことなく有用な性質を付与したポリチオフェン誘導
体が得られることが報告されている。このようなポリチ
オフェン誘導体の例として、有機溶媒に溶解するだけで
はなく、ソルバトクロミズムやサーモクロミズム等の性
質を示すポリ（３−アルキルチオフェン）（Japanese J
ournal of Applied Physics, 27, L716-L718 (1988))や
外来のドーパントを必要としない自己ドープポリマー、
ポリ［２−（３−チエニル）エタンスルホン酸］及びポ
リ［４−（３−チエニル）ブタンスルホン酸］(Synthet
ic Metals, 20, 151-159 (1987))等を挙げることができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られているシランカップリング剤により無機材料と複合
化できる導電性高分子はポリピロール誘導体に限定され
ており、該誘導体は種類が少ないために性質が限定さ
れ、シリコンやガラス等の無機材料の表面に導電性を付
与する目的以外には利用できないという欠点を有してい
た。従って、本発明の課題は有用な性質を有するチオフ
ェン誘導体と無機材料の複合化が可能なシランカップリ
ング剤を開発せんとするものである。
られているシランカップリング剤により無機材料と複合
化できる導電性高分子はポリピロール誘導体に限定され
ており、該誘導体は種類が少ないために性質が限定さ
れ、シリコンやガラス等の無機材料の表面に導電性を付
与する目的以外には利用できないという欠点を有してい
た。従って、本発明の課題は有用な性質を有するチオフ
ェン誘導体と無機材料の複合化が可能なシランカップリ
ング剤を開発せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく鋭意検討した結果、特定のチオフェン誘導体に
トリアルコキシシランを反応させることにより、チオフ
ェン誘導体に容易にトリアルコキシシリル基を導入でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本
発明は、一般式(I)
決すべく鋭意検討した結果、特定のチオフェン誘導体に
トリアルコキシシランを反応させることにより、チオフ
ェン誘導体に容易にトリアルコキシシリル基を導入でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本
発明は、一般式(I)
【化６】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立して水素原子ま
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して炭素数１
乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至１０の整数であ
る。）または一般式（II）
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して炭素数１
乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至１０の整数であ
る。）または一般式（II）
【化７】
（式中、Ｒ1 は水素原子を表し、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立し
て炭素数１乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至１０
の整数である。）で示されるトリアルコキシ（チエニル
アルキル）シランを提供するものであり、また一般式(I
II)
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立し
て炭素数１乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至１０
の整数である。）で示されるトリアルコキシ（チエニル
アルキル）シランを提供するものであり、また一般式(I
II)
【化８】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立して水素原子ま
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、ｎは０乃至１０の整数である。）または一般
式（IV）
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、ｎは０乃至１０の整数である。）または一般
式（IV）
【化９】
（式中、Ｒ1 は水素原子を表し、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、ｎは０乃至１０の整数である。）
で示されるチエニルアルケン誘導体と一般式(V)
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、ｎは０乃至１０の整数である。）
で示されるチエニルアルケン誘導体と一般式(V)
【化１０】
（式中、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して炭素数１乃
至６のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシ
シランを反応させることを特徴とする前記トリアルコキ
シ（チエニルアルキル）シランの製造法を提供するもの
である。
至６のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシ
シランを反応させることを特徴とする前記トリアルコキ
シ（チエニルアルキル）シランの製造法を提供するもの
である。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
より提供されるトリアルコキシ（チエニルアルキル）シ
ランは、前記一般式(I) または一般式(II)で示される
が、好ましい化合物の例は、Ｒ1 、Ｒ2及びＲ3 が各々
独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル基、
Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 が水素原子、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 が
各々独立して炭素数１乃至４のアルキル基であり、ｎが
１乃至４の整数である化合物である。とりわけＲ7 、Ｒ
8及びＲ9 が同一のアルキル基であるものが特に好まし
い。
より提供されるトリアルコキシ（チエニルアルキル）シ
ランは、前記一般式(I) または一般式(II)で示される
が、好ましい化合物の例は、Ｒ1 、Ｒ2及びＲ3 が各々
独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル基、
Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 が水素原子、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 が
各々独立して炭素数１乃至４のアルキル基であり、ｎが
１乃至４の整数である化合物である。とりわけＲ7 、Ｒ
8及びＲ9 が同一のアルキル基であるものが特に好まし
い。
【０００９】一般式(I) で示される本発明の化合物の特
に好ましい具体例として、トリメトキシ［３−（３−チ
エニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（３−
チエニル）プロピル］シラン、トリプロピルオキシ［３
−（３−チエニル）プロピル］シラン、トリブトキシ
［３−（３−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキ
シ［３−（２−メチル−３−チエニル）プロピル］シラ
ン、トリエトキシ［３−（４−メチル−３−チエニル）
プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（５−メチル−
３−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−
（４−エチル−３−チエニル）プロピル］シラン、トリ
エトキシ［３−（４−ブチル−３−チエニル）プロピ
ル］シラン、トリエトキシ［３−（４−ヘキシル−３−
チエニル）プロピル］シラン、トリメトキシ［４−（３
−チエニル）エチル］シラン、トリエトキシ［４−（３
−チエニル）エチル］シラン、トリメトキシ［４−（３
−チエニル）ブチル］シラン、トリエトキシ［４−（３
−チエニル）ブチル］シラン、トリメトキシ［５−（３
−チエニル）ペンチル］シラン、トリエトキシ［５−
（３−チエニル）ペンチル］シラン、トリメトキシ［６
−（３−チエニル）ヘキシル］シラン、トリエトキシ
［６−（３−チエニル）ヘキシル］シラン等を挙げるこ
とができる。
に好ましい具体例として、トリメトキシ［３−（３−チ
エニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（３−
チエニル）プロピル］シラン、トリプロピルオキシ［３
−（３−チエニル）プロピル］シラン、トリブトキシ
［３−（３−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキ
シ［３−（２−メチル−３−チエニル）プロピル］シラ
ン、トリエトキシ［３−（４−メチル−３−チエニル）
プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（５−メチル−
３−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−
（４−エチル−３−チエニル）プロピル］シラン、トリ
エトキシ［３−（４−ブチル−３−チエニル）プロピ
ル］シラン、トリエトキシ［３−（４−ヘキシル−３−
チエニル）プロピル］シラン、トリメトキシ［４−（３
−チエニル）エチル］シラン、トリエトキシ［４−（３
−チエニル）エチル］シラン、トリメトキシ［４−（３
−チエニル）ブチル］シラン、トリエトキシ［４−（３
−チエニル）ブチル］シラン、トリメトキシ［５−（３
−チエニル）ペンチル］シラン、トリエトキシ［５−
（３−チエニル）ペンチル］シラン、トリメトキシ［６
−（３−チエニル）ヘキシル］シラン、トリエトキシ
［６−（３−チエニル）ヘキシル］シラン等を挙げるこ
とができる。
【００１０】一般式(II)で示される本発明の化合物の特
に好ましい具体例として、トリメトキシ［３−（２−チ
エニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（２−
チエニル）プロピル］シラン、トリプロピルオキシ［３
−（２−チエニル）プロピル］シラン、トリブトキシ
［３−（２−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキ
シ［３−（３−メチル−２−チエニル）プロピル］シラ
ン、トリエトキシ［３−（４−メチル−２−チエニル）
プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（３−エチル−
２−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−
（３−ブチル−２−チエニル）プロピル］シラン、トリ
エトキシ［３−（３−ヘキシル−２−チエニル）プロピ
ル］シラン、トリメトキシ［４−（２−チエニル）エチ
ル］シラン、トリエトキシ［４−（２−チエニル）エチ
ル］シラン、トリメトキシ［４−（２−チエニル）ブチ
ル］シラン、トリエトキシ［４−（２−チエニル）ブチ
ル］シラン、トリメトキシ［５−（２−チエニル）ペン
チル］シラン、トリエトキシ［５−（２−チエニル）ペ
ンチル］シラン、トリメトキシ［６−（２−チエニル）
ヘキシル］シラン、トリエトキシ［６−（２−チエニ
ル）ヘキシル］シラン等を挙げることができる。
に好ましい具体例として、トリメトキシ［３−（２−チ
エニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（２−
チエニル）プロピル］シラン、トリプロピルオキシ［３
−（２−チエニル）プロピル］シラン、トリブトキシ
［３−（２−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキ
シ［３−（３−メチル−２−チエニル）プロピル］シラ
ン、トリエトキシ［３−（４−メチル−２−チエニル）
プロピル］シラン、トリエトキシ［３−（３−エチル−
２−チエニル）プロピル］シラン、トリエトキシ［３−
（３−ブチル−２−チエニル）プロピル］シラン、トリ
エトキシ［３−（３−ヘキシル−２−チエニル）プロピ
ル］シラン、トリメトキシ［４−（２−チエニル）エチ
ル］シラン、トリエトキシ［４−（２−チエニル）エチ
ル］シラン、トリメトキシ［４−（２−チエニル）ブチ
ル］シラン、トリエトキシ［４−（２−チエニル）ブチ
ル］シラン、トリメトキシ［５−（２−チエニル）ペン
チル］シラン、トリエトキシ［５−（２−チエニル）ペ
ンチル］シラン、トリメトキシ［６−（２−チエニル）
ヘキシル］シラン、トリエトキシ［６−（２−チエニ
ル）ヘキシル］シラン等を挙げることができる。
【００１１】一般式(I) で示される本発明の化合物の原
料である、一般式(III) で示されるチエニルアルケン誘
導体の具体例としては、３−（３−チエニル）−１−プ
ロペン、３−（２−メチル−３−チエニル）−１−プロ
ペン、３−（４−メチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（５−メチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−エチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−ブチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−ヘキシル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、４−（３−チエニル）−１−ブテン、５−（３−チ
エニル）−１−ペンテン、６−（３−チエニル）−１−
ヘキセン等を挙げることができる。
料である、一般式(III) で示されるチエニルアルケン誘
導体の具体例としては、３−（３−チエニル）−１−プ
ロペン、３−（２−メチル−３−チエニル）−１−プロ
ペン、３−（４−メチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（５−メチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−エチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−ブチル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−ヘキシル−３−チエニル）−１−プロペ
ン、４−（３−チエニル）−１−ブテン、５−（３−チ
エニル）−１−ペンテン、６−（３−チエニル）−１−
ヘキセン等を挙げることができる。
【００１２】一般式(II)で示される本発明の化合物の原
料である、一般式(IV)で示されるチエニルアルケン誘導
体の具体例としては、３−（２−チエニル）−１−プロ
ペン、３−（３−メチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−メチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−エチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−ブチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−ヘキシル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、４−（２−チエニル）−１−ブテン、５−（２−チ
エニル）−１−ペンテン、６−（２−チエニル）−１−
ヘキセン等を挙げることができる。
料である、一般式(IV)で示されるチエニルアルケン誘導
体の具体例としては、３−（２−チエニル）−１−プロ
ペン、３−（３−メチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（４−メチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−エチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−ブチル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、３−（３−ヘキシル−２−チエニル）−１−プロペ
ン、４−（２−チエニル）−１−ブテン、５−（２−チ
エニル）−１−ペンテン、６−（２−チエニル）−１−
ヘキセン等を挙げることができる。
【００１３】これらのチエニルアルケン誘導体は、例え
ば、３−ブロモチオフェン誘導体または２−ブロモチオ
フェン誘導体にｎ−ブチルリチウムを反応させた後、対
応するω−ブロモ−１−アルケンを反応させることによ
り製造できる。
ば、３−ブロモチオフェン誘導体または２−ブロモチオ
フェン誘導体にｎ−ブチルリチウムを反応させた後、対
応するω−ブロモ−１−アルケンを反応させることによ
り製造できる。
【００１４】前記のチエニルアルケン誘導体群の中から
選ばれる少なくとも１種に、窒素またはアルゴン等の不
活性気体雰囲気中、遷移金属錯体系触媒の存在下に一般
式(V) で示されるトリアルコキシシランを反応させるこ
とにより、それぞれ対応するトリアルコキシ（チエニル
アルキル）シランが得られる。
選ばれる少なくとも１種に、窒素またはアルゴン等の不
活性気体雰囲気中、遷移金属錯体系触媒の存在下に一般
式(V) で示されるトリアルコキシシランを反応させるこ
とにより、それぞれ対応するトリアルコキシ（チエニル
アルキル）シランが得られる。
【００１５】一般式(V) で示されるトリアルコキシシラ
ンの好ましい具体例としては、トリメトキシシラン、ト
リエトキシシラン、トリプロピルオキシシラン、トリイ
ソプロピルオキシシラン、トリブトキシシラン、トリイ
ソブトキシシラン等を挙げることができる。
ンの好ましい具体例としては、トリメトキシシラン、ト
リエトキシシラン、トリプロピルオキシシラン、トリイ
ソプロピルオキシシラン、トリブトキシシラン、トリイ
ソブトキシシラン等を挙げることができる。
【００１６】反応に使用するトリアルコキシシランの量
は、通常チエニルアルケン誘導体に対して等モル以上の
量を用いるが、好ましくは1.5 〜５倍モル量を用いる。
この反応の触媒として用いられる遷移金属錯体の例とし
ては、塩化白金酸や塩化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金等の白金触媒、テトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム、塩化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム、酢酸パラジウム、塩化［１，１’−ビ
ス（ジフェニルホスフィン）フェロセン］パラジウム等
のパラジウム触媒、コバルトカルボニルやシクロペンタ
ジエニルコバルトジカルボニル等のコバルト触媒、塩化
トリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等のロジウ
ム触媒、二塩化トリス（トリフェニルホスフィン）ルテ
ニウム等のルテニウム触媒、四酸化オスミウム等のオス
ミウム触媒、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッ
ケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッケルやジクロロ
［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニ
ッケル等のニッケル触媒等を挙げることができる。これ
らの遷移金属錯体触媒のなかでは、白金触媒が好まし
い。
は、通常チエニルアルケン誘導体に対して等モル以上の
量を用いるが、好ましくは1.5 〜５倍モル量を用いる。
この反応の触媒として用いられる遷移金属錯体の例とし
ては、塩化白金酸や塩化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金等の白金触媒、テトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム、塩化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム、酢酸パラジウム、塩化［１，１’−ビ
ス（ジフェニルホスフィン）フェロセン］パラジウム等
のパラジウム触媒、コバルトカルボニルやシクロペンタ
ジエニルコバルトジカルボニル等のコバルト触媒、塩化
トリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等のロジウ
ム触媒、二塩化トリス（トリフェニルホスフィン）ルテ
ニウム等のルテニウム触媒、四酸化オスミウム等のオス
ミウム触媒、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッ
ケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッケルやジクロロ
［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニ
ッケル等のニッケル触媒等を挙げることができる。これ
らの遷移金属錯体触媒のなかでは、白金触媒が好まし
い。
【００１７】反応に使用する遷移金属錯体系触媒の量
は、チエニルアルケン誘導体に対して通常等モル量〜１
×１０-4倍モル量、好ましくは１×１０-1〜１×１０-2
倍モル量を用いる。
は、チエニルアルケン誘導体に対して通常等モル量〜１
×１０-4倍モル量、好ましくは１×１０-1〜１×１０-2
倍モル量を用いる。
【００１８】前記反応は、通常有機溶媒中で行われ、有
機溶媒としては、例えばアセトニトリル、プロピオニト
リル、ブチロニトリル等のニトリル類、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等のエス
テル類、その他の非水系溶媒等を挙げることが出来る。
これらの中では、アセトニトリル等のニトリル類が好ま
しい。これらの有機溶媒は、あらかじめ窒素またはアル
ゴン等の不活性気体雰囲気下で蒸留したものを用いるこ
とが望ましい。
機溶媒としては、例えばアセトニトリル、プロピオニト
リル、ブチロニトリル等のニトリル類、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等のエス
テル類、その他の非水系溶媒等を挙げることが出来る。
これらの中では、アセトニトリル等のニトリル類が好ま
しい。これらの有機溶媒は、あらかじめ窒素またはアル
ゴン等の不活性気体雰囲気下で蒸留したものを用いるこ
とが望ましい。
【００１９】反応温度および時間については、用いる溶
媒によって異なり、一概に決められないが、例えば、溶
媒としてアセトニトリルを用いた場合、通常１０〜８２
℃、好ましくは３０〜７０℃の温度で、１〜４８時間、
好ましくは２〜１２時間反応させる。
媒によって異なり、一概に決められないが、例えば、溶
媒としてアセトニトリルを用いた場合、通常１０〜８２
℃、好ましくは３０〜７０℃の温度で、１〜４８時間、
好ましくは２〜１２時間反応させる。
【００２０】反応終了後、溶媒および未反応のトリアル
コキシシランを例えばロータリーエバポレーター等の手
段を用いて留去し、残渣からあるいは必要に応じてエー
テル等を加えて撹拌した混合物から濾過により触媒等の
沈澱物を除き、濾液を減圧蒸留することによりトリアル
コキシ（チエニルアルキル）シランを得る。
コキシシランを例えばロータリーエバポレーター等の手
段を用いて留去し、残渣からあるいは必要に応じてエー
テル等を加えて撹拌した混合物から濾過により触媒等の
沈澱物を除き、濾液を減圧蒸留することによりトリアル
コキシ（チエニルアルキル）シランを得る。
【００２１】このようにして、チエニルアルケン誘導体
とトリアルコキシシランを反応させることにより、ほと
んど副反応を起こすことなく、トリアルコキシ（チエニ
ルアルキル）シランを高収率かつ高選択率で製造するこ
とができる。
とトリアルコキシシランを反応させることにより、ほと
んど副反応を起こすことなく、トリアルコキシ（チエニ
ルアルキル）シランを高収率かつ高選択率で製造するこ
とができる。
【００２２】本発明により得られる前記一般式(I) で表
される化合物は、チエニル基を有するため、種々のチオ
フェン誘導体と共重合することが容易である。そのた
め、エレクトロクロミズムやサーモクロミズムを示すポ
リ（３−アルキルチオフェン）（Japanese Journal of
Applied Physics, 27, L716-L718 (1988))や外来のドー
パントを必要としない自己ドープポリマー、ポリ［２−
（３−チエニル）エタンスルホン酸］およびポリ［４−
（３−チエニル）ブタンスルホン酸］（Synthetic Meta
ls, 20, 151-159 (1987)）等の有用な性質を有するポリ
チオフェン誘導体と共重合することが可能である。
される化合物は、チエニル基を有するため、種々のチオ
フェン誘導体と共重合することが容易である。そのた
め、エレクトロクロミズムやサーモクロミズムを示すポ
リ（３−アルキルチオフェン）（Japanese Journal of
Applied Physics, 27, L716-L718 (1988))や外来のドー
パントを必要としない自己ドープポリマー、ポリ［２−
（３−チエニル）エタンスルホン酸］およびポリ［４−
（３−チエニル）ブタンスルホン酸］（Synthetic Meta
ls, 20, 151-159 (1987)）等の有用な性質を有するポリ
チオフェン誘導体と共重合することが可能である。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、これらの実施例により本発明が限定されるもの
でない。 実施例１ ５００ｍｌの４ツ口フラスコに温度計、滴下漏斗および
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−チエニル）−１−プロペン（0.081モル）と
0.73ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.0014モ
ル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶解
した。この溶液を撹拌しながら、36.0ｇのトリエトキシ
シラン（0.22モル）を滴下漏斗を通して添加した。添加
後、反応液の温度を５０℃に上げ、４時間反応させた。
反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリエトキシシラン
を留去し、残渣から濾過により不溶物を除き、濾液を減
圧蒸留して12.5ｇのトリエトキシ［３−（３−チエニ
ル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．115 ℃／3 ｍｍＨｇ 精製収率55％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.66（２Ｈ,m）、3.81
（６Ｈ,q）、6.93（２Ｈ,m）、7.22（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、18.3、24.0、33.
5、58.4、120.4 、125.1 、128.3 、142.7
するが、これらの実施例により本発明が限定されるもの
でない。 実施例１ ５００ｍｌの４ツ口フラスコに温度計、滴下漏斗および
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−チエニル）−１−プロペン（0.081モル）と
0.73ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.0014モ
ル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶解
した。この溶液を撹拌しながら、36.0ｇのトリエトキシ
シラン（0.22モル）を滴下漏斗を通して添加した。添加
後、反応液の温度を５０℃に上げ、４時間反応させた。
反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリエトキシシラン
を留去し、残渣から濾過により不溶物を除き、濾液を減
圧蒸留して12.5ｇのトリエトキシ［３−（３−チエニ
ル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．115 ℃／3 ｍｍＨｇ 精製収率55％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.66（２Ｈ,m）、3.81
（６Ｈ,q）、6.93（２Ｈ,m）、7.22（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、18.3、24.0、33.
5、58.4、120.4 、125.1 、128.3 、142.7
【００２４】実施例２
実施例１において、３−（３−チエニル）−１−プロペ
ンの代わりに３−（２−チエニル）−１−プロペンを用
いた以外は実施例１と同様にして、10.5ｇのトリエトキ
シ［３−（２−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．115 ℃／３ｍｍＨｇ 精製収率45％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.78（２Ｈ,m）、3.80
（６Ｈ,q）、6.88（１Ｈ,m）、6.98（１Ｈ,m）、7.18
（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、18.3、24.2、32.
5、58.5、122.8 、124.1 、126.6 、145.3
ンの代わりに３−（２−チエニル）−１−プロペンを用
いた以外は実施例１と同様にして、10.5ｇのトリエトキ
シ［３−（２−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．115 ℃／３ｍｍＨｇ 精製収率45％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.78（２Ｈ,m）、3.80
（６Ｈ,q）、6.88（１Ｈ,m）、6.98（１Ｈ,m）、7.18
（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、18.3、24.2、32.
5、58.5、122.8 、124.1 、126.6 、145.3
【００２５】実施例３
２００ｍｌの４ツ口フラスコに温度計、滴下漏斗および
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに3.0 ｇの
６−（３−チエニル）−１−ヘキセン（0.018モル）と
0.30ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.00058
モル）を入れ、１００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶
解した。この溶液を撹拌しながら、11.0ｇのトリメトキ
シシラン（0.090 モル）を滴下漏斗を通して添加した。
添加後、反応液の温度を７０℃に上げ、１０時間反応さ
せた。反応終了後減圧下、溶媒と未反応のトリメトキシ
シランを留去した後、残渣に少量のジエチルエーテルを
加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いて、1.5 ｇのト
リメトキシ［６−（３−チエニル）ヘキシル］シランを
得た。 （ｂｐ．145-150 ℃／１ｍｍＨｇ 精製収率30％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.68（２Ｈ,m）、1.1-1.7
（８Ｈ,m）、2.65（２Ｈ,m）、3.50（９Ｈ,s）、6.93
（２Ｈ,m）、7.22（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：11.8、24.0、29.5、30.
6、32.0、33.5、50.5、119.8 、125.0 、128.3 、143.2
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに3.0 ｇの
６−（３−チエニル）−１−ヘキセン（0.018モル）と
0.30ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.00058
モル）を入れ、１００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶
解した。この溶液を撹拌しながら、11.0ｇのトリメトキ
シシラン（0.090 モル）を滴下漏斗を通して添加した。
添加後、反応液の温度を７０℃に上げ、１０時間反応さ
せた。反応終了後減圧下、溶媒と未反応のトリメトキシ
シランを留去した後、残渣に少量のジエチルエーテルを
加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いて、1.5 ｇのト
リメトキシ［６−（３−チエニル）ヘキシル］シランを
得た。 （ｂｐ．145-150 ℃／１ｍｍＨｇ 精製収率30％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.68（２Ｈ,m）、1.1-1.7
（８Ｈ,m）、2.65（２Ｈ,m）、3.50（９Ｈ,s）、6.93
（２Ｈ,m）、7.22（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：11.8、24.0、29.5、30.
6、32.0、33.5、50.5、119.8 、125.0 、128.3 、143.2
【００２６】実施例４
５００ｍｌの４ツ口フラスコに温度計、滴下漏斗および
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−メチル−２−チエニル）−１−プロペン（0.
072 モル）と0.62ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和
物（0.0012モル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリル
を加えて溶解した。この溶液を撹拌しながら、33.0ｇの
トリエトキシシラン（0.20モル）を滴下漏斗を通して添
加した。添加後、反応液の温度を５０℃に上げ、４時間
反応させた。反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリエ
トキシシランを留去し、残渣に少量のジエチルエーテル
を加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いた後、濾液を
減圧蒸留して12.0ｇのトリエトキシ［３−（３−メチル
−２−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．135-145 ℃／3 ｍｍＨｇ 精製収率55％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.20（３Ｈ,s）、2.78
（２Ｈ,m）、3.80（６Ｈ,q）、6.75（１Ｈ,d）、6.85
（１Ｈ,d）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、12.7、18.3、24.
2、32.5、58.5、123.3、129.2 、135.7 、136.6
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−メチル−２−チエニル）−１−プロペン（0.
072 モル）と0.62ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和
物（0.0012モル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリル
を加えて溶解した。この溶液を撹拌しながら、33.0ｇの
トリエトキシシラン（0.20モル）を滴下漏斗を通して添
加した。添加後、反応液の温度を５０℃に上げ、４時間
反応させた。反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリエ
トキシシランを留去し、残渣に少量のジエチルエーテル
を加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いた後、濾液を
減圧蒸留して12.0ｇのトリエトキシ［３−（３−メチル
−２−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．135-145 ℃／3 ｍｍＨｇ 精製収率55％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、1.23
（９Ｈ,t）、1.75（２Ｈ,m）、2.20（３Ｈ,s）、2.78
（２Ｈ,m）、3.80（６Ｈ,q）、6.75（１Ｈ,d）、6.85
（１Ｈ,d）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、12.7、18.3、24.
2、32.5、58.5、123.3、129.2 、135.7 、136.6
【００２７】実施例５
５００ｍｌの４ツ口フラスコに温度計、滴下漏斗および
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−チエニル）−１−プロペン（0.081モル）と
0.73ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.0014モ
ル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶解
した。この溶液を撹拌しながら、45.0ｇのトリプロピル
オキシシラン（0.22モル）を滴下漏斗を通して添加し
た。添加後、反応液の温度を６０℃に上げ、８時間反応
させた。反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリプロピ
ルオキシシランを留去し、残渣に少量のジエチルエーテ
ルを加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いた後、濾液
を減圧蒸留して12.5ｇのトリプロピルオキシ［３−（３
−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．140-150 ℃／2 ｍｍＨｇ 精製収率45％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、O.92
（９Ｈ,t）、1.57（６Ｈ,m）、1.75（２Ｈ,m）、2.66
（２Ｈ,m）、3.75（６Ｈ,t）、6.93（２Ｈ,m）、7.22
（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、10.3、24.0、25.
9、33.5、65.2、120.4、125.1 、128.3 、１４２．７
冷却器をつけ、容器内を窒素置換した。これに10.0ｇの
３−（３−チエニル）−１−プロペン（0.081モル）と
0.73ｇのヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物（0.0014モ
ル）を入れ、３００ｍｌのアセトニトリルを加えて溶解
した。この溶液を撹拌しながら、45.0ｇのトリプロピル
オキシシラン（0.22モル）を滴下漏斗を通して添加し
た。添加後、反応液の温度を６０℃に上げ、８時間反応
させた。反応終了後減圧下で溶媒と未反応のトリプロピ
ルオキシシランを留去し、残渣に少量のジエチルエーテ
ルを加えて撹拌し、濾過により不溶物を除いた後、濾液
を減圧蒸留して12.5ｇのトリプロピルオキシ［３−（３
−チエニル）プロピル］シランを得た。 （ｂｐ．140-150 ℃／2 ｍｍＨｇ 精製収率45％）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：0.67（２Ｈ,m）、O.92
（９Ｈ,t）、1.57（６Ｈ,m）、1.75（２Ｈ,m）、2.66
（２Ｈ,m）、3.75（６Ｈ,t）、6.93（２Ｈ,m）、7.22
（１Ｈ,m）13 Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：10.2、10.3、24.0、25.
9、33.5、65.2、120.4、125.1 、128.3 、１４２．７
【００２８】実施例６
１００ｍｌのビーカーに実施例１で合成したトリエトキ
シ［３−（３−チエニル）プロピル］シラン０．３ ｇ
を入れ、４７．５ｍｌのエチルアルコールと２．５ｍｌ
の酢酸を加えて溶解した。この溶液にｎ−型シリコンウ
エハー（30mm×30mm×1mm ：予め、フッ化水素酸で５秒
間表面をエッチングし、次いで１０Ｍ水酸化ナトリウム
水溶液に６０秒間浸漬した後、蒸留水およびアセトンで
洗浄したもの）を７２時間浸漬し表面を修飾した。この
ようにして作成したｎ−型シリコンウエハーを陽極とし
て用い、0.01Ｍの３−ドデシルチオフェンを溶解した0.
1 Ｍテトラフルオロほう酸テトラエチルアンモニウム塩
／アセトニトリル溶液中において公知の方法で電解重合
することにより、シリコンウエハー表面を実質的にポリ
（３−ドデシルチオフェン）に近い３−ドデシルチオフ
ェンとトリエトキシ［３−（３−チエニル）プロピル］
シランの共重合体で被覆した。さらに、得られたシリコ
ンウエハーをメタノールに浸漬して表面の該共重合体を
脱ドープした。得られた該共重合体膜の色は２５℃では
赤褐色であったが９０℃以上に加熱すると黄褐色に変化
し、サーモクロミズムを示した。
シ［３−（３−チエニル）プロピル］シラン０．３ ｇ
を入れ、４７．５ｍｌのエチルアルコールと２．５ｍｌ
の酢酸を加えて溶解した。この溶液にｎ−型シリコンウ
エハー（30mm×30mm×1mm ：予め、フッ化水素酸で５秒
間表面をエッチングし、次いで１０Ｍ水酸化ナトリウム
水溶液に６０秒間浸漬した後、蒸留水およびアセトンで
洗浄したもの）を７２時間浸漬し表面を修飾した。この
ようにして作成したｎ−型シリコンウエハーを陽極とし
て用い、0.01Ｍの３−ドデシルチオフェンを溶解した0.
1 Ｍテトラフルオロほう酸テトラエチルアンモニウム塩
／アセトニトリル溶液中において公知の方法で電解重合
することにより、シリコンウエハー表面を実質的にポリ
（３−ドデシルチオフェン）に近い３−ドデシルチオフ
ェンとトリエトキシ［３−（３−チエニル）プロピル］
シランの共重合体で被覆した。さらに、得られたシリコ
ンウエハーをメタノールに浸漬して表面の該共重合体を
脱ドープした。得られた該共重合体膜の色は２５℃では
赤褐色であったが９０℃以上に加熱すると黄褐色に変化
し、サーモクロミズムを示した。
【００２９】実施例７
１００ｍｌのビーカーに実施例４で合成したトリエトキ
シ［３−（３−メチル−２−チエニル）プロピル］シラ
ン0.3 ｇを入れ、４７．５ｍｌのエチルアルコールと
２．５ｍｌの酢酸を加えて溶解した。この溶液にｎ−型
シリコンウエハー（30mm×30mm×1mm ：予め、フッ化水
素酸で５秒間表面をエッチングし、次いで１０Ｍ水酸化
ナトリウム水溶液に６０秒間浸漬した後、蒸留水および
アセトンで洗浄したもの）を７２時間浸漬し表面を修飾
した。このようにして作成したｎ−型シリコンウエハー
を陽極として用い、0.01Ｍの３−ドデシルチオフェンを
溶解した0.1 Ｍテトラフルオロほう酸テトラエチルアン
モニウム塩／アセトニトリル溶液中において公知の方法
で電解重合することにより、シリコンウエハー表面を実
質的にポリ（３−ドデシルチオフェン）に近い３−ドデ
シルチオフェンとトリエトキシ［３−（３−メチル−２
−チエニル）プロピル］シランの共重合体で被覆した。
さらに、得られたシリコンウエハーをメタノールに浸漬
して表面の該共重合体を脱ドープした。得られた該共重
合体膜の色は２５℃では赤褐色であったが９０℃以上に
加熱すると黄褐色に変化し、サーモクロミズムを示し
た。
シ［３−（３−メチル−２−チエニル）プロピル］シラ
ン0.3 ｇを入れ、４７．５ｍｌのエチルアルコールと
２．５ｍｌの酢酸を加えて溶解した。この溶液にｎ−型
シリコンウエハー（30mm×30mm×1mm ：予め、フッ化水
素酸で５秒間表面をエッチングし、次いで１０Ｍ水酸化
ナトリウム水溶液に６０秒間浸漬した後、蒸留水および
アセトンで洗浄したもの）を７２時間浸漬し表面を修飾
した。このようにして作成したｎ−型シリコンウエハー
を陽極として用い、0.01Ｍの３−ドデシルチオフェンを
溶解した0.1 Ｍテトラフルオロほう酸テトラエチルアン
モニウム塩／アセトニトリル溶液中において公知の方法
で電解重合することにより、シリコンウエハー表面を実
質的にポリ（３−ドデシルチオフェン）に近い３−ドデ
シルチオフェンとトリエトキシ［３−（３−メチル−２
−チエニル）プロピル］シランの共重合体で被覆した。
さらに、得られたシリコンウエハーをメタノールに浸漬
して表面の該共重合体を脱ドープした。得られた該共重
合体膜の色は２５℃では赤褐色であったが９０℃以上に
加熱すると黄褐色に変化し、サーモクロミズムを示し
た。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、チオフェン誘導体と共
重合することが容易なチエニル基を有するシランカップ
リング剤が提供されまた該剤を高収率かつ高選択率で製
造することができる。これにより、チオフェンの側鎖に
は様々な機能を有する官能基を導入することが容易であ
るので、ガラスやシリコン電極等の無機材料表面に導電
層を形成できるのみならず、エレクトロクロミック層や
サーモクロミック層等の多様な機能を有する薄膜の形成
が可能となる。
重合することが容易なチエニル基を有するシランカップ
リング剤が提供されまた該剤を高収率かつ高選択率で製
造することができる。これにより、チオフェンの側鎖に
は様々な機能を有する官能基を導入することが容易であ
るので、ガラスやシリコン電極等の無機材料表面に導電
層を形成できるのみならず、エレクトロクロミック層や
サーモクロミック層等の多様な機能を有する薄膜の形成
が可能となる。
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(56)参考文献 特開 平６−92971（ＪＰ，Ａ)
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．,
1982，Ｖｏｌ．104，Ｎｏ．７，Ｐ2031
−2034
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07F 7/18
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式(I) 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立して水素原子ま
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して炭素数１
乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至３の整数であ
る。）または一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1 は水素原子を表し、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立し
て炭素数１乃至６のアルキル基を表す。ｎは０乃至１０
の整数である。）で示されるトリアルコキシ（チエニル
アルキル）シラン。 - 【請求項２】 一般式(III) 【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立して水素原子ま
たは炭素数１乃至１２のアルキル基または炭素数１乃至
１２のアルコキシ基を表す。ただし、Ｒ1 とＲ3のいず
れか一方は必ず水素原子である。Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は
各々独立して水素原子または炭素数１乃至６のアルキル
基を表し、ｎは０乃至３の整数である。）または一般式
（IV） 【化４】 （式中、Ｒ1 は水素原子を表し、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立
して水素原子または炭素数１乃至１２のアルキル基また
は炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。Ｒ4、Ｒ5
及びＲ6 は各々独立して水素原子または炭素数１乃至６
のアルキル基を表し、ｎは０乃至１０の整数である。）
で示されるチエニルアルケン誘導体と一般式(V) 【化５】 （式中、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して炭素数１乃
至６のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシ
シランを反応させることを特徴とする請求項１に記載の
トリアルコキシ（チエニルアルキル）シランの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19973193A JP3508170B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-08-11 | トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11314293 | 1993-05-14 | ||
| JP5-113142 | 1993-05-14 | ||
| JP19973193A JP3508170B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-08-11 | トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725885A JPH0725885A (ja) | 1995-01-27 |
| JP3508170B2 true JP3508170B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=26452153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19973193A Expired - Fee Related JP3508170B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-08-11 | トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19650147A1 (de) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | Bayer Ag | Leitfähige, organisch-anorganische Hybridmaterialien |
| DE19815220C2 (de) * | 1998-03-27 | 2003-12-18 | Univ Dresden Tech | Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens |
| US20070287848A1 (en) * | 2004-03-12 | 2007-12-13 | Masatoshi Nakagawa | Silicon Compound Containi-Electron Conjugated-System Molecule and Process for Producing the Same |
| JP5664277B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-02-04 | 信越化学工業株式会社 | ビス（オルガノキシシリル）アルカン化合物の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19973193A patent/JP3508170B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８２，Ｖｏｌ．１０４，Ｎｏ．７，Ｐ２０３１−２０３４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725885A (ja) | 1995-01-27 |
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