JP3505678B2 - ウエハの歪修正装置 - Google Patents
ウエハの歪修正装置Info
- Publication number
- JP3505678B2 JP3505678B2 JP23881599A JP23881599A JP3505678B2 JP 3505678 B2 JP3505678 B2 JP 3505678B2 JP 23881599 A JP23881599 A JP 23881599A JP 23881599 A JP23881599 A JP 23881599A JP 3505678 B2 JP3505678 B2 JP 3505678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- strain
- distortion
- amount
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの歪
を修正する歪修正装置に関する。
を修正する歪修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造の分野では、半導体
ウエハの大口径化、薄形化が益々進んでいる。そして、
それに伴い、半導体ウエハを平らに仕上げることが困難
になり、歪を有する半導体ウエハが増加しつつある。
ウエハの大口径化、薄形化が益々進んでいる。そして、
それに伴い、半導体ウエハを平らに仕上げることが困難
になり、歪を有する半導体ウエハが増加しつつある。
【０００３】歪を持つ半導体ウエハは、半導体デバイス
製造装置のバキュームチャックによる保持固定ができな
い。即ち、このような半導体ウエハは、半導体デバイス
製造装置に導入することができない。従って、このよう
な半導体ウエハは、半導体デバイスの製造に利用される
ことなく廃棄されている。
製造装置のバキュームチャックによる保持固定ができな
い。即ち、このような半導体ウエハは、半導体デバイス
製造装置に導入することができない。従って、このよう
な半導体ウエハは、半導体デバイスの製造に利用される
ことなく廃棄されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】今後、更なる半導体ウ
エハの大口径化、薄形化の要求が高まるものと予想され
るが、歪発生の問題を解決することなく、半導体ウエハ
の大口径化、薄形化を進めることは非常に困難である。
即ち、今後更に半導体ウエハの大口径化、薄形化が進む
と、歪を有する半導体ウエハの割合がますます増加し、
半導体ウエハの廃棄量が増え、製造効率の悪化、コスト
の上昇を招く。
エハの大口径化、薄形化の要求が高まるものと予想され
るが、歪発生の問題を解決することなく、半導体ウエハ
の大口径化、薄形化を進めることは非常に困難である。
即ち、今後更に半導体ウエハの大口径化、薄形化が進む
と、歪を有する半導体ウエハの割合がますます増加し、
半導体ウエハの廃棄量が増え、製造効率の悪化、コスト
の上昇を招く。
【０００５】そこで、本発明は、半導体ウエハに発生し
た歪を修正するウエハの歪修正装置を提供し、もって、
歪の発生した半導体ウエハの廃棄を防止するとともに、
半導体ウエハの更なる大口径化及び薄形化を可能にする
ことを目的とする。
た歪を修正するウエハの歪修正装置を提供し、もって、
歪の発生した半導体ウエハの廃棄を防止するとともに、
半導体ウエハの更なる大口径化及び薄形化を可能にする
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウエハ
を移動させるためのＸ−Ｙステージと、前記ウエハの歪
量を計測するための歪計測手段と、前記ウエハに生じた
歪にレーザ光を照射するためのレーザ発振器と、前記Ｘ
−Ｙステージ、前記歪計測手段、及び前記レーザ発振器
を制御して、前記ウエハの歪にレーザ光を照射させ、前
記ウエハの歪を修正する制御手段とを備えていることを
特徴とするウエハの歪修正装置が得られる。
を移動させるためのＸ−Ｙステージと、前記ウエハの歪
量を計測するための歪計測手段と、前記ウエハに生じた
歪にレーザ光を照射するためのレーザ発振器と、前記Ｘ
−Ｙステージ、前記歪計測手段、及び前記レーザ発振器
を制御して、前記ウエハの歪にレーザ光を照射させ、前
記ウエハの歪を修正する制御手段とを備えていることを
特徴とするウエハの歪修正装置が得られる。
【０００７】また、本発明によれば、ウエハを一平面内
で移動させるためのＸ−Ｙステージと、該Ｘ−Ｙステー
ジ上に載置された前記ウエハの歪量を計測するための歪
計測手段と、前記Ｘ−Ｙステージ上に載置された前記ウ
エハに部分的にレーザ光を照射するためのレーザ発振器
と、前記Ｘ−Ｙステージ、前記歪計測手段、及び前記レ
ーザ発振器を制御して、前記歪計測手段で計測した歪量
に基づいて前記ウエハの一部表面に前記レーザ光を照射
させ、前記ウエハの歪を修正する制御手段とを備えてい
ることを特徴とするウエハの歪修正装置が得られる。
で移動させるためのＸ−Ｙステージと、該Ｘ−Ｙステー
ジ上に載置された前記ウエハの歪量を計測するための歪
計測手段と、前記Ｘ−Ｙステージ上に載置された前記ウ
エハに部分的にレーザ光を照射するためのレーザ発振器
と、前記Ｘ−Ｙステージ、前記歪計測手段、及び前記レ
ーザ発振器を制御して、前記歪計測手段で計測した歪量
に基づいて前記ウエハの一部表面に前記レーザ光を照射
させ、前記ウエハの歪を修正する制御手段とを備えてい
ることを特徴とするウエハの歪修正装置が得られる。
【０００８】具体的には、前記歪計測手段の歪量計測点
と前記レーザ発振器のレーザ光照射領域とが互いに重な
るように、該歪計測手段と該レーザ発振器とを配置し、
前記制御手段が、前記Ｘ−Ｙステージを制御して前記ウ
エハを所定距離ずつ移動させる毎に、前記歪計測手段に
前記歪量計測点での前記ウエハの歪量を計測させ、計測
された歪量に基づいて前記レーザ発振器を制御して前記
照射領域に位置する前記ウエハ表面に前記レーザ光を照
射するようにすればよい。
と前記レーザ発振器のレーザ光照射領域とが互いに重な
るように、該歪計測手段と該レーザ発振器とを配置し、
前記制御手段が、前記Ｘ−Ｙステージを制御して前記ウ
エハを所定距離ずつ移動させる毎に、前記歪計測手段に
前記歪量計測点での前記ウエハの歪量を計測させ、計測
された歪量に基づいて前記レーザ発振器を制御して前記
照射領域に位置する前記ウエハ表面に前記レーザ光を照
射するようにすればよい。
【０００９】あるいは、前記制御手段が、前記歪計測手
段に前記ウエハの歪量を計測させて前記ウエハの全面に
わたる歪量マップを作成し、該歪量マップに基づいて前
記Ｘ−Ｙステージ及びレーザ発振器を制御し、前記レー
ザ光を前記ウエハ表面の一部に選択的に照射するように
すればよい。
段に前記ウエハの歪量を計測させて前記ウエハの全面に
わたる歪量マップを作成し、該歪量マップに基づいて前
記Ｘ−Ｙステージ及びレーザ発振器を制御し、前記レー
ザ光を前記ウエハ表面の一部に選択的に照射するように
すればよい。
【００１０】なお、前記レーザ光が照射される領域は、
前記歪量が凸部であることを示す領域である。
前記歪量が凸部であることを示す領域である。
【００１１】また、前記レーザ発振器としては、ＹＡＧ
レーザが用いられる。
レーザが用いられる。
【００１２】また、本発明によれば、ウエハに生じた歪
にレーザ光を照射してその歪を修正することを特徴とす
るウエハの歪修正方法が得られる。
にレーザ光を照射してその歪を修正することを特徴とす
るウエハの歪修正方法が得られる。
【００１３】この歪修正方法では、前記ウエハの歪量測
定を行いながら、前記歪の修正を行う。あるいは、前記
ウエハの歪測定を行って歪量マップを作成した後、該歪
量マップに基づいて、前記歪の修正を行う。
定を行いながら、前記歪の修正を行う。あるいは、前記
ウエハの歪測定を行って歪量マップを作成した後、該歪
量マップに基づいて、前記歪の修正を行う。
【００１４】また、前記レーザー光の照射は、前記歪が
凸部である領域に照射する。
凸部である領域に照射する。
【００１５】前記レーザ光としては、ＹＡＧレーザ光が
用いられる。
用いられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００１７】図１に、本発明の一実施の形態によるウエ
ハの歪修正装置を示す。この歪修正装置は、Ｘ−Ｙステ
ージ１１、歪量計測部１２、ＹＡＧレーザ発振器１３、
及び制御部１４を有している。
ハの歪修正装置を示す。この歪修正装置は、Ｘ−Ｙステ
ージ１１、歪量計測部１２、ＹＡＧレーザ発振器１３、
及び制御部１４を有している。
【００１８】Ｘ−Ｙステージ１１は、ウエハ１５を載置
するためのガラス製のステージ本体１１−１と、このス
テージ本体１１−１を一平面（紙面に垂直な面）内で移
動させるための駆動部１１−２とを有している。ステー
ジ本体１１−１には、ウエハ１５を吸引保持するための
バキュームチャック（図示せず）が設けられている。
するためのガラス製のステージ本体１１−１と、このス
テージ本体１１−１を一平面（紙面に垂直な面）内で移
動させるための駆動部１１−２とを有している。ステー
ジ本体１１−１には、ウエハ１５を吸引保持するための
バキュームチャック（図示せず）が設けられている。
【００１９】歪量計測部１２は、計測用レーザ光を発生
するＨｅ−Ｎｅレーザ発振器１２−１、計測用レーザ光
を反射するダイクロイックミラー１２−２、ダイクロイ
ックミラー１２−２からの計測用レーザ光を集光する集
光レンズ１２−３、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器１２−１と
ダイクロイックミラー１２−２との間に配置されたビー
ムスプリッター１２−４、ビームスプリッターで反射さ
れた反射レーザ光のビーム径を制限するアパーチャ１２
−５、アパーチャ１２−５からの反射レーザ光を集光す
るレンズ１２−６、レンズ１２−６で集光された反射レ
ーザ光の光強度を検出する光検出器（フォトダイオー
ド）１２−７、及び光検出器１２−７からの検出信号に
基づいて歪量を求め、歪量マップを作成するマトリック
ス歪量計測器１２−８を有している。
するＨｅ−Ｎｅレーザ発振器１２−１、計測用レーザ光
を反射するダイクロイックミラー１２−２、ダイクロイ
ックミラー１２−２からの計測用レーザ光を集光する集
光レンズ１２−３、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器１２−１と
ダイクロイックミラー１２−２との間に配置されたビー
ムスプリッター１２−４、ビームスプリッターで反射さ
れた反射レーザ光のビーム径を制限するアパーチャ１２
−５、アパーチャ１２−５からの反射レーザ光を集光す
るレンズ１２−６、レンズ１２−６で集光された反射レ
ーザ光の光強度を検出する光検出器（フォトダイオー
ド）１２−７、及び光検出器１２−７からの検出信号に
基づいて歪量を求め、歪量マップを作成するマトリック
ス歪量計測器１２−８を有している。
【００２０】ＹＡＧレーザ発振器１３は、歪量計測部１
２による歪量計測点に、出射する修正用レーザ光を照射
するように配置されている。即ち、ＹＡＧレーザ発振器
１３は、出射する修正用レーザ光が、ダイクロイックミ
ラー１２−２通過し、集光レンズ１２−３で集光される
ように配置されている。
２による歪量計測点に、出射する修正用レーザ光を照射
するように配置されている。即ち、ＹＡＧレーザ発振器
１３は、出射する修正用レーザ光が、ダイクロイックミ
ラー１２−２通過し、集光レンズ１２−３で集光される
ように配置されている。
【００２１】制御部１４は、Ｘ−Ｙステージ駆動部１１
−２、マトリックス歪量計測器１２−８、及びＹＡＧレ
ーザ発振器１３に接続され、これらを制御して、ウエハ
１５の歪を修正する。
−２、マトリックス歪量計測器１２−８、及びＹＡＧレ
ーザ発振器１３に接続され、これらを制御して、ウエハ
１５の歪を修正する。
【００２２】以下、図１の歪修正装置の動作について説
明する。
明する。
【００２３】まず、歪修正の対象となるウエハ１５をス
テージ本体１１−１上に載置する。このとき、ウエハ１
５のデバイス作製面が、図の上側に向くようにする。そ
して、載置したウエハ１５をバキュームチャックで吸引
固定する。ただし、基板の歪の程度によっては、吸引固
定できない場合が有るので、その場合は、吸引固定でき
る位置を探すがして移動させるか、あるいはそのままに
する。
テージ本体１１−１上に載置する。このとき、ウエハ１
５のデバイス作製面が、図の上側に向くようにする。そ
して、載置したウエハ１５をバキュームチャックで吸引
固定する。ただし、基板の歪の程度によっては、吸引固
定できない場合が有るので、その場合は、吸引固定でき
る位置を探すがして移動させるか、あるいはそのままに
する。
【００２４】次に、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器１２−１か
ら計測用レーザ光を出射させる。Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振
器１２−１から出射した計測用レーザ光は、ビームスプ
リッター１２−４で一部反射されるが、残りのレーザ光
は、ダイクロイックミラー１２−２に到達する。ダイク
ロイックミラー１２−２は、計測用レーザ光を反射し
て、集光レンズ１２−３に入射させる。集光レンズ１２
−３は、入射した計測用レーザ光を集光し、歪量計測点
に照射する。歪量計測点は、ステージ１１−１の上面側
に設定される。
ら計測用レーザ光を出射させる。Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振
器１２−１から出射した計測用レーザ光は、ビームスプ
リッター１２−４で一部反射されるが、残りのレーザ光
は、ダイクロイックミラー１２−２に到達する。ダイク
ロイックミラー１２−２は、計測用レーザ光を反射し
て、集光レンズ１２−３に入射させる。集光レンズ１２
−３は、入射した計測用レーザ光を集光し、歪量計測点
に照射する。歪量計測点は、ステージ１１−１の上面側
に設定される。
【００２５】歪量計測点に照射された計測用レーザ光
は、その場所で、あるいはそれよりも図の上方でウエハ
１５の表面（デバイス作製面を表と呼ぶならば裏面）に
照射される。計測用レーザ光は、可視光線なので、ウエ
ハ１５に何らの変化を与えることなくそこで反射され
る。ウエハ１５の表面で反射された反射レーザ光は、先
程とは逆の経路を辿って、ビームスプリッター１２−４
に到達する。ビームスプリッター１２−４は、反射レー
ザ光の一部を透過させるが、残りの反射レーザ光を反射
してアパーチャ１２−５へ到達させる。アパーチャ１２
−５は、例えば、反射光の中心部のみを通過させる。ア
パーチャ１２−５を通過した反射レーザ光は、レンズ１
２−６に入射する。レンズ１２−６は、入射した反射レ
ーザ光を集光して、光検出器１２−７に入射させる。光
検出器１２−７は、入射した反射レーザ光の光強度に応
じた電気信号をマトリックス歪量計測器１２−８へ出力
する。反射レーザ光の光強度は、ウエハ１５の歪（湾曲
度及び湾曲方向）に応じて変化する。従って、光検出器
１２−７が出力する電気信号は、ウエハ１５の歪量を表
すことになる。
は、その場所で、あるいはそれよりも図の上方でウエハ
１５の表面（デバイス作製面を表と呼ぶならば裏面）に
照射される。計測用レーザ光は、可視光線なので、ウエ
ハ１５に何らの変化を与えることなくそこで反射され
る。ウエハ１５の表面で反射された反射レーザ光は、先
程とは逆の経路を辿って、ビームスプリッター１２−４
に到達する。ビームスプリッター１２−４は、反射レー
ザ光の一部を透過させるが、残りの反射レーザ光を反射
してアパーチャ１２−５へ到達させる。アパーチャ１２
−５は、例えば、反射光の中心部のみを通過させる。ア
パーチャ１２−５を通過した反射レーザ光は、レンズ１
２−６に入射する。レンズ１２−６は、入射した反射レ
ーザ光を集光して、光検出器１２−７に入射させる。光
検出器１２−７は、入射した反射レーザ光の光強度に応
じた電気信号をマトリックス歪量計測器１２−８へ出力
する。反射レーザ光の光強度は、ウエハ１５の歪（湾曲
度及び湾曲方向）に応じて変化する。従って、光検出器
１２−７が出力する電気信号は、ウエハ１５の歪量を表
すことになる。
【００２６】以上のように、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器１
２−１から計測用レーザ光を出射させた状態で、制御部
１４は、Ｘ−Ｙステージ駆動部１１−２を制御して、ス
テージ本体１１−１を所定の距離ずつ移動させる。即
ち、制御部は、ウエハ１５の表面に想定した格子点に計
測用レーザ光が照射されるように順次ステージ本体１１
−１を移動させる。このとき、制御部１４は、ステージ
本体を所定距離移動させる毎に、マトリックス歪量計測
器１２−８に計測信号を出力する。計測信号は、ステー
ジ本体の移動方向、移動距離に関する情報を含んでい
る。そして、計測信号が入力されたマトリックス歪量計
測器１２−８は、光検出器１２−７からの電気信号が表
す光強度情報を、位置情報とともに記憶する。こうし
て、マトリックス歪量計測器１２−８は、歪量マップを
作成する。
２−１から計測用レーザ光を出射させた状態で、制御部
１４は、Ｘ−Ｙステージ駆動部１１−２を制御して、ス
テージ本体１１−１を所定の距離ずつ移動させる。即
ち、制御部は、ウエハ１５の表面に想定した格子点に計
測用レーザ光が照射されるように順次ステージ本体１１
−１を移動させる。このとき、制御部１４は、ステージ
本体を所定距離移動させる毎に、マトリックス歪量計測
器１２−８に計測信号を出力する。計測信号は、ステー
ジ本体の移動方向、移動距離に関する情報を含んでい
る。そして、計測信号が入力されたマトリックス歪量計
測器１２−８は、光検出器１２−７からの電気信号が表
す光強度情報を、位置情報とともに記憶する。こうし
て、マトリックス歪量計測器１２−８は、歪量マップを
作成する。
【００２７】この後、制御部１４は、マトリックス歪量
計測器１２−８から歪量マップを読み出す。そして、歪
量マップが予め定めた歪より大きい歪が生じていること
を示す格子点に、ＹＡＧレーザ発振器１３からの修正用
レーザ光を照射するべく、Ｘ−Ｙ駆動部１１−２及びＹ
ＡＧレーザ発振器１３を制御する。ＹＡＧレーザ発振器
１３からの修正用レーザ光は、ダイクロックミラー１２
−２を通過し、集光レンズ１２−３で集光され、ステー
ジ本体１１−１を通して、ウエハ１５に照射される。Ｙ
ＡＧレーザ発振器１３からの修正用レーザ光は、計測用
レーザ光とは異なり、紫外光である。このような修正用
レーザ光を照射されたウエハ１５は、照射された領域が
凹となるように反りが生じる。従って、ウエハ１５の凸
の領域に、ＹＡＧレーザ発振器１３からの修正用レーザ
光を照射すると、その領域を平らに近づけることができ
る。
計測器１２−８から歪量マップを読み出す。そして、歪
量マップが予め定めた歪より大きい歪が生じていること
を示す格子点に、ＹＡＧレーザ発振器１３からの修正用
レーザ光を照射するべく、Ｘ−Ｙ駆動部１１−２及びＹ
ＡＧレーザ発振器１３を制御する。ＹＡＧレーザ発振器
１３からの修正用レーザ光は、ダイクロックミラー１２
−２を通過し、集光レンズ１２−３で集光され、ステー
ジ本体１１−１を通して、ウエハ１５に照射される。Ｙ
ＡＧレーザ発振器１３からの修正用レーザ光は、計測用
レーザ光とは異なり、紫外光である。このような修正用
レーザ光を照射されたウエハ１５は、照射された領域が
凹となるように反りが生じる。従って、ウエハ１５の凸
の領域に、ＹＡＧレーザ発振器１３からの修正用レーザ
光を照射すると、その領域を平らに近づけることができ
る。
【００２８】以上のようにして、本実施の形態による歪
修正装置によれば、歪の発生した半導体ウエハに修正用
レーザ光を照射することによって、その歪を修正するこ
とができる。そして、上記動作を繰り返すことにより、
よりその平坦度を向上させることが可能である。
修正装置によれば、歪の発生した半導体ウエハに修正用
レーザ光を照射することによって、その歪を修正するこ
とができる。そして、上記動作を繰り返すことにより、
よりその平坦度を向上させることが可能である。
【００２９】なお、上記実施の形態では、始めに歪量の
計測を行って、歪量マップを作成した後、修正用レーザ
光を照射して歪の修正を行うようにしたが、ウエハに想
定した各格子点毎に歪量を測定し、その歪量が所定値以
上の場合に直ちに修正用レーザ光を照射して歪の修正を
行うようにしてもよい。
計測を行って、歪量マップを作成した後、修正用レーザ
光を照射して歪の修正を行うようにしたが、ウエハに想
定した各格子点毎に歪量を測定し、その歪量が所定値以
上の場合に直ちに修正用レーザ光を照射して歪の修正を
行うようにしてもよい。
【００３０】また、上記実施の形態では、歪量計測部と
して、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の反射光強度に基づいて歪量
を測定するものを用いたが、三角測量を応用した３次元
測定器などを用いて測定するようにしてもよい。
して、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の反射光強度に基づいて歪量
を測定するものを用いたが、三角測量を応用した３次元
測定器などを用いて測定するようにしてもよい。
【００３１】また、上記実施の形態では、デバイス作製
面ではない面（裏面）に修正用レーザ光を照射してウエ
ハ１５の歪を修正する場合について説明したが、ウエハ
１５のデバイス作製面であっても、回路領域以外の領域
であれば修正用レーザ光を照射して歪を修正することが
可能である。この場合、修正用レーザ光を表面（デバイ
ス作製面）側から照射することができるので、ステージ
本体を通過することによる修正用レーザ光の減衰がな
く、より効率よく歪の修正を行うことができる。
面ではない面（裏面）に修正用レーザ光を照射してウエ
ハ１５の歪を修正する場合について説明したが、ウエハ
１５のデバイス作製面であっても、回路領域以外の領域
であれば修正用レーザ光を照射して歪を修正することが
可能である。この場合、修正用レーザ光を表面（デバイ
ス作製面）側から照射することができるので、ステージ
本体を通過することによる修正用レーザ光の減衰がな
く、より効率よく歪の修正を行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハの歪を計測し、
歪が生じている領域にレーザ光を照射するようにしたこ
とで、その歪を修正することが可能となる。これによ
り、大口径、薄形の平坦度の高いウエハが得られ、より
大口径で薄形のウエハを半導体デバイス装置に導入する
ことができるようになる。
歪が生じている領域にレーザ光を照射するようにしたこ
とで、その歪を修正することが可能となる。これによ
り、大口径、薄形の平坦度の高いウエハが得られ、より
大口径で薄形のウエハを半導体デバイス装置に導入する
ことができるようになる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す構成図である。
１１−１ ステージ本体
１１−２ Ｘ−Ｙステージ駆動部
１２ 歪量計測部
１２−１ Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器
１２−２ ダイクロイックミラー
１２−３ 集光レンズ
１２−４ ビームスプリッター
１２−５ アパーチャ
１２−６ レンズ
１２−７ 光検出器
１２−８ マトリックス歪量計測器
１３ ＹＡＧレーザ発振器
１４ 制御部
１５ ウエハ
Claims (11)
- 【請求項１】 ウエハを移動させるためのＸ−Ｙステー
ジと、前記ウエハの歪量を計測するための歪計測手段
と、前記ウエハに生じた歪にレーザ光を照射するための
レーザ発振器と、前記Ｘ−Ｙステージ、前記歪計測手
段、及び前記レーザ発振器を制御して、前記ウエハの歪
にレーザ光を照射させ、前記ウエハの歪を修正する制御
手段とを備えていることを特徴とするウエハの歪修正装
置。 - 【請求項２】 ウエハを一平面内で移動させるためのＸ
−Ｙステージと、該Ｘ−Ｙステージ上に載置された前記
ウエハの歪量を計測するための歪計測手段と、前記Ｘ−
Ｙステージ上に載置された前記ウエハに部分的にレーザ
光を照射するためのレーザ発振器と、前記Ｘ−Ｙステー
ジ、前記歪計測手段、及び前記レーザ発振器を制御し
て、前記歪計測手段で計測した歪量に基づいて前記ウエ
ハの一部表面に前記レーザ光を照射させ、前記ウエハの
歪を修正する制御手段とを備えていることを特徴とする
ウエハの歪修正装置。 - 【請求項３】 前記歪計測手段の歪量計測点と前記レー
ザ発振器のレーザ光照射領域とが互いに重なるように、
該歪計測手段と該レーザ発振器とを配置し、前記制御手
段が、前記Ｘ−Ｙステージを制御して前記ウエハを所定
距離ずつ移動させる毎に、前記歪計測手段に前記歪量計
測点での前記ウエハの歪量を計測させ、計測された歪量
に基づいて前記レーザ発振器を制御して前記照射領域に
位置する前記ウエハ表面に前記レーザ光を照射するよう
にしたことを特徴とする請求項１のウエハの歪修正装
置。 - 【請求項４】 前記制御手段が、前記歪計測手段に前記
ウエハの歪量を計測させて前記ウエハの全面にわたる歪
量マップを作成し、該歪量マップに基づいて前記Ｘ−Ｙ
ステージ及びレーザ発振器を制御し、前記レーザ光を前
記ウエハ表面の一部に選択的に照射するようにしたこと
を特徴とする請求項１のウエハの歪修正装置。 - 【請求項５】 前記歪量が凸部であることを示す領域に
前記レーザ光を照射するようにしたことを特徴とする請
求項１，２，３、または４のウエハの歪修正装置。 - 【請求項６】 前記レーザ発振器がＹＡＧレーザである
ことを特徴とする請求項１，２，３，４、または５のウ
エハの歪修正装置。 - 【請求項７】 ウエハに生じた歪にレーザ光を照射して
その歪を修正することを特徴とするウエハの歪修正方
法。 - 【請求項８】 前記ウエハの歪量測定を行いながら、前
記歪の修正を行うことを特徴とする請求項７のウエハの
歪修正方法。 - 【請求項９】 前記ウエハの歪測定を行って歪量マップ
を作成した後、該歪量マップに基づいて、前記歪の修正
を行うことを特徴とする請求項７のウエハの歪修正方
法。 - 【請求項１０】 前記歪が凸部である領域に前記レーザ
光を照射するようにしたことを特徴とする請求項７，
８、または９のウエハの歪修正方法。 - 【請求項１１】 前記レーザ光としてＹＡＧレーザ光を
用いることを特徴とする請求項７，８，９、または１０
のウエハの歪修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23881599A JP3505678B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | ウエハの歪修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23881599A JP3505678B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | ウエハの歪修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068429A JP2001068429A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3505678B2 true JP3505678B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=17035704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23881599A Expired - Fee Related JP3505678B2 (ja) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | ウエハの歪修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3505678B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3901998B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-04-04 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエハの欠陥消去方法 |
| JP5441111B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-03-12 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
| JP5991483B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-09-14 | 日産自動車株式会社 | 燃料電池用セパレータの成形方法及び成形装置 |
| KR102584138B1 (ko) * | 2015-11-09 | 2023-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 저부 처리 |
| JP6817761B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP7126223B2 (ja) * | 2018-08-07 | 2022-08-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置 |
| DE102019211447B4 (de) * | 2019-07-31 | 2023-06-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Laserrichten von Führungsschienen |
| US11386544B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-07-12 | Toyota Motor Engineeeing & Manufacturing North America, Inc. | Visualizing and modeling thermomechanical stress using photoluminescence |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
| US20230369014A1 (en) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | Applied Materials, Inc. | Dose mapping and substrate rotation for substrate curvature control with improved resolution |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23881599A patent/JP3505678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001068429A (ja) | 2001-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3505678B2 (ja) | ウエハの歪修正装置 | |
| JP4171159B2 (ja) | リソグラフィック投影装置のオフアキシレベリング | |
| JPH06112106A (ja) | オブジェクト画像焦点合わせ装置及び方法、並びにマスク画像焦点合わせ装置 | |
| US8299397B2 (en) | Laser dicing apparatus and dicing method | |
| JP2007127646A (ja) | 位置測定装置に使用する基板支持装置 | |
| US6744512B2 (en) | Position measuring apparatus and exposure apparatus | |
| JP2002042709A (ja) | 走査型電子顕微鏡の校正方法 | |
| JPH10216664A (ja) | レーザクリーニング装置 | |
| JP7475211B2 (ja) | レーザー加工装置の検査方法 | |
| TW201944157A (zh) | 雷射光線的焦點位置檢測方法 | |
| JP2020020990A (ja) | 接合装置および接合方法 | |
| JP2009302344A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3754743B2 (ja) | 表面位置設定方法、ウエハ高さ設定方法、面位置設定方法、ウエハ面位置検出方法および露光装置 | |
| TW202125604A (zh) | 裝置晶片的製造方法 | |
| JPH104055A (ja) | 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2663569B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP3169857B2 (ja) | 異物検出方法およびその装置 | |
| JPH07226369A (ja) | アライメント方法及び装置 | |
| JP3120438B2 (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JP7199256B2 (ja) | 出力測定ユニットの合否判定方法 | |
| JP2000114141A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置 | |
| JP4026888B2 (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| TW202110562A (zh) | 雷射加工裝置之光軸確認方法 | |
| JP3909592B2 (ja) | 平板基板の部分歪み測定方法及び部分歪み測定装置、並びに表示用パネルの製造方法 | |
| JPS63121138A (ja) | 焦点調整装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031204 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |