JP3502769B2 - 半導体素子の実装構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報通信分野や半導
体分野等においてマイクロ波帯やミリ波帯等の高周波用
半導体装置に使用される半導体素子の実装構造に関し、
特に半導体素子を回路基板やパッケージ等の実装用基板
にフリップチップ実装法により実装し、電気的特性と信
頼性の両面を改善した半導体素子の実装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報通信分野において、近年の情報伝送
の大容量化に伴い、使用される電気信号について数百Ｍ
Ｈｚから数ＧＨｚのマイクロ波帯や30ＧＨｚ以上のミリ
波帯まで高周波化が進んでおり、そのような高周波信号
を扱う半導体素子の実装における電気的接続について
も、以前はワイヤボンディングが主流であったが、高周
波化に伴うボンディングワイヤの悪影響を回避する観点
から、最近では導体端子を接続バンプとして電気的接続
に用いて半導体素子を実装用基板に直接実装する、いわ
ゆるフリップチップ実装が多用されるようになってい
る。

【０００３】このフリップチップ実装にも様々な方法や
構造があり、例えば、 １）半導体素子の電極パッドと実装用基板の接続パッド
との電気的接続に金バンプを用い、半導体素子と実装用
基板との間に付与した樹脂の収縮応力を利用して接続す
る、ＭＢＢ（Micro Bump Bonding）法と呼ばれる方法に
よるもの ２）導電性接着材料を用いたスタッドバンプ接続とし
て、半導体素子の電極パッドに金バンプを形成し、その
バンプ先端に導電性ペーストを付与して実装用基板の接
続パッドに当接させ、半導体素子と実装用基板とを加圧
・加熱して導電性ペーストを硬化後、半導体素子と実装
用基板との間に封止樹脂を注入して硬化する方法による
もの ３）導電性接着材料を用いないスタッドバンプ接続とし
て、半導体素子の電極パッドと実装用基板の接続パッド
とをバンプにより加圧と加熱のみで接合する方法による
もの等がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなフリップチップ実装においては、１）のＭＢＢ法
や２）のスタッドバンプ接続法のように導電性接着材料
を用いた半導体素子の実装構造の場合には、実装用基板
に対する半導体素子の接合力を強化して接続信頼性を向
上させる目的で、いわゆるアンダーフィルや封止樹脂と
してバンプ（導体端子）近傍に樹脂部分を形成しなけれ
ばならず、このために、バンプ近傍の樹脂部分で特性イ
ンピーダンスの不連続が生じたりバンプにより接続する
配線の電気長が設計と異なったりして、高周波信号の伝
送特性が悪化するという問題点があった。

【０００５】また、３）の導電性接着材料を用いないス
タッドバンプ接続のような、加圧と加熱のみで接合した
実装構造の場合には、バンプ近傍に樹脂部分を形成して
いないことから上記のような悪影響は起こらないため高
周波信号の伝送特性は良いものの、樹脂部分を形成する
実装構造と比較して半導体素子の接合力が弱いため信頼
性が劣るという問題点があった。

【０００６】また、従来のフリップチップ実装により複
数の半導体素子を同一の実装用基板上に実装した場合、
複数の半導体素子間で高周波信号が相互に干渉して、ノ
イズを発生させたり、特性が悪化したり、正常に回路が
動作しなくなるという問題点もあった。

【０００７】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、フリップチップ
実装を基本とし、高周波信号に対する良好な伝送特性を
維持しつつ精度よく半導体素子を実装でき、信頼性も改
善できる半導体素子の実装構造を提供することにある。

【０００８】また、本発明の他の目的は、同一の実装用
基板上に複数の半導体素子を実装した場合にも、半導体
素子間で高周波信号が相互に干渉してノイズとなったり
回路が正常に動作しなくなったりすることがない、高周
波信号に対する良好な伝送特性を有する半導体素子の実
装構造を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子の実
装構造は、下面中央部に半導体素子が取着された蓋基板
を、この蓋基板の下面外周部に複数個配置した間隙設定
部材を介在させて実装用基板の上面に載置し、かつ前記
半導体素子の下面に形成された電極パッドと前記実装用
基板の上面に形成された接続パッドとを導体端子を介し
て接合するとともに、前記間隙設定部材を含めて前記蓋
基板と前記実装用基板間を封止樹脂で接合しており、前
記複数個の間隙設定部材を導電性とし、それらの配置間
隔を前記半導体素子の動作周波数またはノイズ周波数の
前記封止樹脂中における波長の２分の１以下とするとと
もに接地したことを特徴とするものである。

【００１０】

【００１１】さらに、本発明の半導体素子の実装構造
は、上記各構成において、前記蓋基板を導電性とすると
ともに接地したことを特徴とするものである。

【００１２】さらにまた、本発明の半導体素子の実装構
造は、上記の複数個の間隙設定部材を導電性とした構成
において、前記蓋基板の下面を導電性とするとともに前
記間隙設定部材を介して接地したことを特徴とするもの
である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、下面に電極パッドが形成された半導体素子と上
面にその電極パッドに対応する接続パッドが形成された
実装用基板とを突起状またはボール状の導体端子を介し
てフェースダウンでフリップチップ実装するような実装
構造において、蓋基板の下面中央部に予め半導体素子を
取着しておき、蓋基板の下面外周部すなわち半導体素子
の周囲に複数個配置した間隙設定部材を介在させて実装
用基板の上面に載置し、半導体素子の電極パッドと実装
用基板の接続パッドとを導体端子を介して接合するとと
もに、蓋基板と実装用基板とを位置合わせし、その中に
間隙設定部材を含めるように形成した封止樹脂で貼り合
わせて接合するようにしたことから、実装用基板に封止
樹脂で接合した蓋基板により半導体素子と実装用基板と
の接合を強固なものとすることができる。

【００１４】そのため、半導体素子と実装用基板との間
の導体端子の近傍に接合力の強化と接続信頼性の向上の
目的でアンダーフィルや封止樹脂等の樹脂部分を形成す
る必要がなく、導体端子近傍の樹脂部分によって特性イ
ンピーダンスの不連続が生じたり、導体端子により接続
する配線の電気長が設計と異なったりして高周波信号の
伝送特性が悪化することがなくなるので、従来のアンダ
ーフィルや封止樹脂等の樹脂部分を必要とするフリップ
チップ実装による実装構造と比較して、高周波信号の伝
送特性を悪化させることなく半導体素子を実装できる半
導体素子の実装構造となる。しかも、蓋基板と封止樹脂
とにより半導体素子を封止しているので、環境の変化に
対しても安定で信頼性の高い実装構造となる。

【００１５】また、封止樹脂中に配置して蓋基板と実装
用基板とに当接させて介在させる間隙設定部材の大きさ
を調整することにより半導体素子の電極パッドと実装用
基板の接続パッドとの間隙も調整することができ、それ
により両者を接合する導体端子に対する加圧量も調整す
ることができるので、導体端子（突起電極）の形状・材
質または端子数、あるいは半導体素子の材質や大きさに
応じた最適の実装構造が実現できるものとなる。

【００１６】さらに、蓋基板を熱伝導性の良好なものと
すればこの蓋基板により半導体素子の動作時の発熱を効
率よく放散させることができ、さらに間隙設定部材も熱
伝導性の良好なものとすれば、これらを介して実装用基
板にも熱を伝導させ放散させることができるので、特性
が安定した高信頼性の実装構造となる。

【００１７】 また、本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、複数個の間隙設定部材を導電性とし、それらの
配置間隔を半導体素子の動作周波数またはノイズ周波数
の封止樹脂中における波長の２分の１以下とするととも
に接地したことから、半導体素子から放射される高周波
ノイズは、それら間隙設定部材が電磁波シールドとして
機能することとなって外部への放射量が低減される。従
って、このような実装構造で実装用基板の同一面上に複
数の半導体素子を実装した場合に、従来の実装構造で複
数の半導体素子を実装した場合と比較して、半導体素子
同士が放射し合う高周波ノイズが相互に干渉して互いの
動作に悪影響を与えることが低減でき、特性の悪化を抑
制して、高周波回路を安定して正常に動作させることが
できるものとなる。

【００１８】 このように間隙設定部材を導電性とする
には、間隙設定部材を種々の金属や半田・ろう材その他
の導電性材料で形成したり、表面に種々の金属層やメッ
キ層・半田層その他の導電性被膜を被着した絶縁性材料
で形成すればよい。また、その形状としては、球形や円
柱形・楕円柱形・角柱形・板状形・円錐形・角錐形・円
錐台形・角錐台形あるいはそれらを変形させたもの等、
実装用基板と蓋基板との間に介在させて両者に当接させ
所定の間隙に設定できるものであれば任意の形状とする
ことができる。また、その寸法としては、間隙を設定す
る方向の寸法は、半導体素子の厚みと、半導体素子に蓋
基板を取着する接着剤等の厚みと、電極パッドと接続パ
ッドとを接合した後の導体端子の高さとの合計を基準と
して決めればよく、その他の寸法は、間隙設定部材の材
質にもよるが、蓋基板と実装用基板とにより加重した時
に破壊しない強度を保てるように決めればよい。

【００１９】このような間隙設定部材には、導電性でさ
らに熱伝導性も良好なものとしては、例えばＡｕ・Ａｇ
・Ｃｕ等の金属またはＰｂ−Ｓｎ・Ａｕ−Ｓｎ等の合金
を用いるとよい。

【００２０】なお、間隙設定部材が導電性の場合に、間
隙設定部材を信号配線上または信号配線の近傍付近に配
置すると信号配線の特性インピーダンス不整合をもたら
す場合があるので、そのような場所は避けて配置するの
が好ましい。この場合も、半導体素子の相互干渉やノイ
ズを避けるためには、信号配線を挟んだ間隙設定部材間
の間隔を半導体素子の動作周波数またはノイズ周波数の
封止樹脂中における波長の２分の１以下とすることによ
り、電磁波シールドとして機能させることができる。

【００２１】さらに、本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、蓋基板を導電性とするとともに接地した場合に
は、その蓋基板が電磁波シールドとして機能することと
なって半導体素子の高周波ノイズの外部への放射量が低
減され、また、外部からの電磁波の侵入量も低減され
る。従って、このような実装構造では半導体素子が放射
する高周波ノイズが外部の電気回路に悪影響を与えた
り、外部から高周波ノイズが侵入して半導体素子の動作
に悪影響を与えたりすることが低減でき、特性の悪化を
抑制して、高周波回路を安定して正常に動作させること
ができるものとなる。また、実装用基板の同一面上に複
数の半導体素子を実装した場合にも、従来の実装構造で
複数の半導体素子を実装した場合と比較して、半導体素
子同士が放射し合う高周波ノイズが相互に干渉して互い
の動作に悪影響を与えることが低減できる。

【００２２】特に、複数個の間隙設定部材を導電性と
し、それらの配置間隔を半導体素子の動作周波数または
ノイズ周波数の封止樹脂中における波長の２分の１以下
とするとともに接地し、かつ蓋基板を導電性とするとと
もに接地した場合には、それらによる電磁波シールドと
しての機能が極めて良好なものとなり、高周波ノイズの
外部への放射も外部からの侵入もほとんどなくすことが
でき、高周波回路を極めて安定かつ正常に動作させるこ
とができるものとなる。

【００２３】しかも、これら間隙設定部材および蓋基板
を接地するのに、実装用基板の接地配線や接地電極に間
隙設定部材の一つを接続し、それを介して蓋基板を接地
するとともにそれと接合されている他の間隙設定部材も
一体的に接地することができるため、接地のための配線
を引き回したり付加したりする必要がなく、小型化を図
りつつ安定した接地状態を容易に実現できるものとな
る。

【００２４】 蓋基板は絶縁性であっても導電性であっ
てもよいが、このように蓋基板を導電性とするには、蓋
基板を種々の金属その他の導電性材料の板状体で形成し
たり、表面に種々の金属層やメッキ層・半田層その他の
導電性被膜を被着した絶縁性材料の板状体で形成すれば
よい。また、その形状としては、平板状であって正方形
や長方形・菱形等の矩形や円形・楕円形あるいはそれら
を変形させたもの等、またはそれらの形状で、下面外周
部等の実装用基板との間に間隙設定部材を介在させる部
位に壁を設けてキャップ状としたもの等、実装用基板の
仕様に応じて半導体素子を取着でき実装後に封止用の蓋
として機能できるものであれば任意の形状とすることが
できる。

【００２５】このように蓋基板を平板状とした場合には
蓋基板の加工が容易で実装構造もシンプルなものとする
ことができ、蓋基板をキャップ状とした場合には電磁波
シールドとしての機能をより良好なものとすることがで
きる。

【００２６】また、その寸法としては、半導体素子の大
きさや間隙設定部材の大きさ・封止樹脂の幅・封止樹脂
の塗布マージン等を考慮して決めればよい。

【００２７】このような蓋基板には、導電性でさらに熱
伝導性も良好なものとしては、従来のパッケージにおけ
る蓋体として一般的なものを用いればよく、例えばＦｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金・Ｎｉ等の金属、ま
たはセラミックスにメタライズ処理をしたものなどを用
いるとよい。

【００２８】さらにまた、本発明の半導体素子の実装構
造によれば、複数個の間隙設定部材を導電性とし、それ
らの配置間隔を半導体素子の動作周波数またはノイズ周
波数の封止樹脂中における波長の２分の１以下とすると
ともに接地し、かつ蓋基板の下面すなわち半導体素子が
取着される主面を導電性とするとともに間隙設定部材を
介して接地した場合には、電磁波シールドとしての機能
が極めて良好なものとなり、高周波ノイズの外部への放
射も外部からの侵入もほとんどなくすことができるとと
もに、取着した半導体素子をその主面を介して接地する
ことを容易に行なえるものとなり、半導体素子の接地状
態を安定させ、高周波回路を極めて安定かつ正常に動作
させることができるものとなる。

【００２９】以下、図面に基づいて本発明の半導体素子
の実装構造を詳細に説明する。

【００３０】図１は本発明の半導体素子の実装構造の実
施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１
は各種のセラミックスや有機絶縁材料等と配線導体とに
より形成された配線基板や多層配線基板あるいは半導体
素子収納用パッケージの基体等の実装用基板であり、２
は実装用基板１上に形成された信号配線、３は信号配線
２の端部に形成され電気的に接続された接続パッドであ
る。

【００３１】４は半導体素子、５は蓋基板であり、半導
体素子４は表面（図における下面）に電極パッド（図示
せず）を有しており、裏面（図における上面）は、例え
ば金−錫等の接着剤６により蓋基板５の下面中央部にい
わゆるダイボンドされて取着されている。また、半導体
素子４表面に形成された電極パッドとそれに対応して実
装用基板１の上面に形成された接続パッド３とは金バン
プや半田バンプ等の接続バンプあるいは導電性ペースト
等により形成された導体端子７を介して接合され、これ
により半導体素子４の内部配線と実装用基板１の信号配
線２とが電気的に接続される。

【００３２】なお、導体端子７には導電性あるいは金め
っき等で表面が導電性とされた樹脂ボールを用いても良
く、樹脂ボールを用いた場合は実装用基板１と蓋基板５
とのギャップが多少変化しても、その変化量を樹脂の弾
力でキャンセルできて良好な接合ができるものとなる。

【００３３】そして、８は蓋基板５の下面外周部すなわ
ち半導体素子４の周囲に複数個配置され、蓋基板５と実
装用基板１との間に介在させることにより両者の間隙を
所定の大きさに設定する間隙設定部材、９はその中に間
隙設定部材８を含めるように形成された、蓋基板５と実
装用基板１とを接合する封止樹脂である。このように半
導体素子４の周囲に封止樹脂９が形成されることによ
り、実装用基板１上に導体端子７を介して実装された半
導体素子４が実装用基板１と蓋基板５と封止樹脂９とに
囲まれた空間の内側に封止されることとなる。

【００３４】本発明の半導体素子の実装構造に対して
は、実装用基板１上面の蓋基板５の下面外周部に対向す
る部位に蓋基板５を接合するための封止樹脂９を塗布す
る際、封止樹脂９に間隙設定部材８を混ぜておき、ディ
スペンサ等で塗布するようにしてもよい。また、封止樹
脂のみを塗布した後、間隙設定部材８を所望の位置に配
置してもよく、間隙設定部材８を配置した後、封止樹脂
を塗布するようにしても構わない。

【００３５】信号配線２は、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／
ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ等から成る配線導体によ
り形成し、その厚みや線幅は、実装用基板１の誘電率・
厚さ等や半導体素子４の動作周波数等から計算して、通
常は特性インピーダンスが50Ωとなるように設定する。

【００３６】 10は信号配線２の絶縁を確保する場合に
必要に応じて形成される絶縁膜であり、信号配線２同士
の絶縁や同図に示すように信号配線２の上に導電性の間
隙設定部材８が位置する場合にそれと絶縁する場合等
に、例えばポリイミド等により適宜形成される。なお、
間隙設定部材８は実装用基板１の上面に直接当接させて
も、実装用基板１の接地電極パッドや接地配線に当接さ
せてもよい。

【００３７】このようにして、蓋基板５に半導体素子４
を取着して、半導体素子４の電極パッドと実装用基板１
の接続パッド３とを導体端子７を介して接合するととも
に、蓋基板５と実装用基板１とを、半導体素子４の周囲
に複数個配置して蓋基板５と実装用基板１間に介在させ
た間隙設定部材８を含めて封止樹脂９で接合しているの
で、間隙設定部材８により実装用基板１と蓋基板５との
ギャップ調整を行なうことができて、そのギャップ調整
により半導体素子４の電極パッドと実装用基板１の接続
パッド３とを接合する導体端子７の加圧量を調整するこ
とができ、半導体素子４を実装用基板１上に所望の良好
な実装状態でフリップチップ実装し、しかも蓋基板５と
封止樹脂９とにより半導体素子４を封止して、環境の変
化に対しても安定して動作させることができる信頼性の
高い実装構造となる。

【００３８】次に、本発明の半導体素子の実装構造の実
施の形態の他の例を図２に斜視図で示す。図２において
は図１と同様の箇所には同じ符号を付してあり、また、
分かりやすくするため、接着剤６・封止樹脂９・絶縁膜
10については図示を省略し、蓋基板５の一部は切り欠い
て示している。

【００３９】この例では、間隙設定部材８は実装用基板
１と蓋基板５とにそれぞれ直接に当接しており、このよ
うに各基板１・５の表面に直接当接させると、両者の間
隙の設定がより容易になる。また、導電性として半導体
素子４の動作周波数の封止樹脂中の波長の２分の１以下
の間隔で複数個配置して電磁波シールドとしての機能も
持たせている。

【００４０】電磁波の波長の２分の１の間隔で導体が並
んでいる場合には導体間に電流が流れることにより電磁
波はその導体を通過してしまい、波長の２分の１以下の
間隔であれば電磁波は通らなくなるので、このような実
装構造によれば、導電性の間隙設定部材８を波長の２分
の１以下の間隔としていることで電磁波が外部に漏れな
い構造のものとなる。

【００４１】なお、この場合、導電性の間隙設定部材８
の間隔を半導体素子４の動作周波数の封止樹脂中の波長
の４分の１以下とすれば、電磁波をより確実に遮断する
ことができ、電磁波シールドとして良好に機能させるこ
とができるものとなって、より好ましいものとなる。

【００４２】次に、本発明の半導体素子の実装構造の実
施の形態のさらに他の例について、図３にその実装用基
板の上面図を、また図４に実装構造の図２と同様の斜視
図を示す。これらの図において、図１および図２と同様
の箇所には同じ符号を付してある。

【００４３】図３（ａ）は実装用基板１の上面図、
（ｂ）は実装用基板１の上面に形成された信号配線２そ
の他の配線導体のパターンを示す上面図、（ｃ）は絶縁
膜10のパターンを示す上面図であり、（ｂ）に示す配線
導体のパターン上に（ｃ）に示す絶縁膜のパターンを重
ねて形成することにより、（ａ）に示す実装用基板１が
形成されている。

【００４４】図３および図４において、１は実装用基
板、２はその上面に形成された信号配線、３は半導体素
子４の電極パッドと対応して形成された接続パッドであ
り、10は絶縁膜である。絶縁膜10には信号配線２に重な
る位置で、かつ実装される半導体素子４の電極パッドに
対応する位置に信号配線２の配線導体を接続パッド３と
して露出させる接続パッド用窓３’が形成されている。
なお、図４においては絶縁膜10の図示は省略している。

【００４５】11は実装用基板１の上面の蓋基板５の下面
外周部と対向する部位に形成した接地導体であり、この
例では、この接地導体11上に導電性の間隙設定部材８を
配置することにより、間隙設定部材８を接地するととも
に、間隙設定部材８を介して導電性の蓋基板５も接地し
ている。また、12は半導体素子４への電源供給線であ
る。なお、絶縁膜10は、接地導体11を避け、また信号配
線２と接地との絶縁、および電源供給線12と接地との絶
縁を確保するようなパターンで形成している。

【００４６】このような実装構造によれば、絶縁膜10が
電源供給線12を覆うように形成されているので、導電性
の間隙設定部材８を電源供給線12の上部に配置してもシ
ョートすることがなく、半導体素子４の動作周波数の封
止樹脂中の波長の２分の１以下の間隔に導電性の間隙設
定部材８を配置することが容易なものとなる。

【００４７】なお、以上はあくまで本発明の実施の形態
の例示であって、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改
良を加えることは何ら差し支えない。例えば、絶縁膜10
を実装用基板１の全面に形成し、接地導体11上の必要な
箇所や信号配線２上の必要な箇所に接続パッド用窓を形
成するような構造としてもよい。

【００４８】また、蓋基板５を下面外周部に側壁を有す
るキャップ状のものとし、その側壁の端部と実装用基板
１上面との間に間隙設定部材８を介在させるようにして
もよい。

【００４９】また、蓋基板５の下面中央部に複数の半導
体素子４を取着し、蓋基板５の下面外周部とともにそれ
ら半導体素子４間にも間隙設定部材８を配置して、いわ
ゆるマルチチップモジュール化した実装構造としてもよ
い。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子の実
装構造によれば、蓋基板の下面に予め半導体素子を取着
しておき、蓋基板の下面外周部に複数個配置した間隙設
定部材を介在させて実装用基板の上面に載置し、半導体
素子の電極パッドと実装用基板の接続パッドとを導体端
子を介して接合するとともに、蓋基板と実装用基板と
を、その中に間隙設定部材を含めるように形成した封止
樹脂で接合するようにしたことから、実装用基板に封止
樹脂で接合した蓋基板により半導体素子と実装用基板と
の接合を強固なものとすることができ、導体端子の近傍
にアンダーフィル等の樹脂部分を形成する必要がなく、
導体端子の近傍で特性インピーダンスの不連続が生じた
り接続する配線の電気長が設計と異なったりして高周波
信号の伝送特性が悪化することがなく、良好な高周波信
号の伝送特性で半導体素子を実装することができる。し
かも、蓋基板と封止樹脂とにより半導体素子を気密に封
止しているので、環境の変化に対しても安定で信頼性が
高い。

【００５１】従って、本発明によれば、フリップチップ
実装を基本とし、高周波信号に対する良好な伝送特性を
維持しつつ精度よく半導体素子を実装でき、信頼性も改
善できる半導体素子の実装構造を提供することができ
た。

【００５２】さらに、蓋基板や間隙設定部材を熱伝導性
の良好なものとすれば、これらを介して半導体素子の動
作時の発熱を効率よく放散させることができ、特性が安
定した高信頼性の実装構造となる。

【００５３】 また、本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、複数個の間隙設定部材を導電性とし、それらの
配置間隔を半導体素子の動作周波数またはノイズ周波数
の封止樹脂中における波長の４分の１以下とするととも
に接地したことから、半導体素子から放射される高周波
ノイズの外部への放射量が低減され、半導体素子同士が
放射し合う高周波ノイズが相互に干渉して互いの動作に
悪影響を与えることが低減でき、特性の悪化を抑制し
て、高周波回路を安定して正常に動作させることができ
るものとなる。

【００５４】さらに、本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、蓋基板を導電性とするとともに接地した場合に
は、その蓋基板が電磁波シールドとして機能することと
なって半導体素子の高周波ノイズの外部への放射量が低
減され、また、外部からの電磁波の侵入量も低減される
ので、外部の電気回路に悪影響を与えたり、外部から高
周波ノイズが侵入して半導体素子の動作に悪影響を与え
たり、また、半導体素子同士が相互に干渉して互いの動
作に悪影響を与えることが低減でき、特性の悪化を抑制
して、高周波回路を安定して正常に動作させることがで
きるものとなる。

【００５５】特に、複数個の間隙設定部材を導電性と
し、それらの配置間隔を半導体素子の動作周波数または
ノイズ周波数の封止樹脂中における波長の４分の１以下
とするとともに接地し、かつ蓋基板を導電性とするとと
もに接地した場合には、それらによる電磁波シールドと
しての機能が極めて良好なものとなる。

【００５６】さらにまた、本発明の半導体素子の実装構
造によれば、複数個の間隙設定部材を導電性とし、それ
らの配置間隔を半導体素子の動作周波数またはノイズ周
波数の封止樹脂中における波長の４分の１以下とすると
ともに接地し、かつ蓋基板の下面を導電性とするととも
に間隙設定部材を介して接地した場合には、電磁波シー
ルドとしての機能が極めて良好なものとなるとともに、
取着した半導体素子の接地も容易に行なえるものとな
る。

【００５７】従って、本発明によれば、同一の実装用基
板上に複数の半導体素子を実装した場合にも、半導体素
子間で高周波信号が相互に干渉してノイズとなったり回
路が正常に動作しなくなったりすることがない、高周波
信号に対する良好な伝送特性を有する半導体素子の実装
構造を提供することができた。

【００５８】さらに、本発明の半導体素子の実装構造に
よれば、従来のフリップチップ実装用の実装装置を用い
て半導体素子を実装することが可能で、蓋基板の下面に
半導体素子を取着して実装することから、フリップチッ
プ用に設計された半導体素子の他に従来のワイヤボンデ
ィング用に設計された半導体素子に対してもフリップチ
ップ実装を行なうことが可能になる。そして、半導体素
子の裏面が蓋基板に接触しているので、放熱性にも優れ
た実装構造となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子の実装構造の実施の形態の
一例を示す断面図である。

【図２】本発明の半導体素子の実装構造の実施の形態の
他の例を示す斜視図である。

【図３】（ａ）は本発明の半導体素子の実装構造の実施
の形態の例における実装用基板の上面図、（ｂ）は配線
導体のパターンを示す上面図、（ｃ）は絶縁膜のパター
ンを示す上面図である。

【図４】本発明の半導体素子の実装構造の実施の形態の
さらに他の例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１・・・実装用基板 ２・・・信号配線 ３・・・接続パッド ４・・・半導体素子 ５・・・蓋基板 ７・・・導体端子 ８・・・間隙設定部材 ９・・・封止樹脂

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下面中央部に半導体素子が取着された蓋
   基板を、該蓋基板の下面外周部に複数個配置した間隙設
   定部材を介在させて実装用基板の上面に載置し、かつ前
   記半導体素子の下面に形成された電極パッドと前記実装
   用基板の上面に形成された接続パッドとを導体端子を介
   して接合するとともに、前記間隙設定部材を含めて前記
   蓋基板と前記実装用基板間を封止樹脂で接合しており、
   前記複数個の間隙設定部材を導電性とし、それらの配置
   間隔を前記半導体素子の動作周波数またはノイズ周波数
   の前記封止樹脂中における波長の２分の１以下とすると
   ともに接地したことを特徴とする半導体素子の実装構
   造。
2. 【請求項２】 前記蓋基板を導電性とするとともに接地
   したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の実装
   構造。
3. 【請求項３】 前記蓋基板の下面を導電性とするととも
   に前記間隙設定部材を介して接地したことを特徴とする
   請求項１記載の半導体素子の実装構造。