JP3501134B2 - 高周波加熱装置用スイッチング電源 - Google Patents
高周波加熱装置用スイッチング電源Info
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- JP3501134B2 JP3501134B2 JP2001069966A JP2001069966A JP3501134B2 JP 3501134 B2 JP3501134 B2 JP 3501134B2 JP 2001069966 A JP2001069966 A JP 2001069966A JP 2001069966 A JP2001069966 A JP 2001069966A JP 3501134 B2 JP3501134 B2 JP 3501134B2
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- semiconductor switching
- power supply
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- General Induction Heating (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジなどの
高周波加熱装置用スイッチング電源に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、この種高周波加熱装置用スイッチ
ング電源としては、例えば、図３及び図４に示すような
物が多く用いられている。交流である商用電源１を整流
素子２で直流電圧に変換し、この直流電圧を半導体スイ
ッチング素子３，４のオンオフによってインバータ回路
５は高圧トランス６の１次巻線に高周波電圧を発生し、
高圧トランス６は２次巻線に高周波高電圧を励起する。
この高周波高電圧は高圧整流回路７によって直流高電圧
に整流され、マグネトロン８に印加される。マグネトロ
ン８はこの直流高電圧で駆動され、２．４５ＧＨｚの電
波を発生する。 【０００３】前記動作により、整流素子２は約１５〜２
５Ｗの損失を発生し、半導体スイッチング素子３，４は
各々約３０〜５０Ｗの損失を発生する。従って、冷却の
ため整流素子２及び半導体スイッチング素子３，４は放
熱フィン９に取り付けられている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、半導体スイッチング素子３，４は整流素
子２と比較して約２倍の損失が発生するので、当然損失
に比例して半導体スイッチング素子３，４の方が整流素
子２よりジャンクション温度もかなり高くなる。 【０００５】さらに、整流素子２と半導体スイッチング
素子３，４は同じ放熱フィン９に取り付けられているの
で、半導体スイッチング素子３，４は熱伝導により整流
素子２から熱をもらい、半導体スイッチング素子３，４
のジャンクション温度はさらに高くなり、信頼性上許容
できる温度を越える場合がある。整流素子２も熱伝導に
より半導体スイッチング素子３，４から熱をもらい、整
流素子２のジャンクション温度も高くなるが、元々の損
失が小さいので信頼性上許容できる温度以下となる。そ
こで、半導体スイッチング素子３，４のジャンクション
温度を信頼性上許容できる温度以下にするために、より
損失の小さい高価な半導体スイッチング素子３，４を使
用したり、より冷却性能の高い放熱フィン９を使用した
りしていたのでコスト高になっていた。 【０００６】このような課題に対し、図５のように、放
熱フィンを整流素子２用の放熱フィン９ａと半導体スイ
ッチング素子３，４用の放熱フィン９ｂに分けたものが
提案されている。この場合は半導体スイッチング素子
３，４は熱伝導により整流素子２から熱をもらうことが
無くなるので、その分ジャンクション温度も高くならな
いので有利である。しかし、この構成では、放熱フィン
が２つに分かれるので、高周波加熱装置用スイッチング
電源の製造上組立工数が倍になり製造コストが上がり、
やはりコスト高になるという課題を有していた。 【０００７】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で、簡単かつ安価な構成で半導体スイッチング素子のジ
ャンクション温度を信頼性上許容できる温度以下にする
事が出来る高周波加熱装置用スイッチング電源を提供す
ることを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の高周波加熱装置用スイッチング電源
は、商用電源を整流する整流素子と、前記整流素子によ
り整流された整流出力をスイッチングするための少なく
とも一個の半導体スイッチング素子と、前記整流素子と
前記半導体スイッチング素子を冷却するための放熱フィ
ンとを備え、前記整流素子と前記半導体スイッチング素
子とを同一放熱フィンに取り付けるとともに、前記整流
素子のパッケージ外形を前記放熱フィン外形よりはみ出
た位置に取付け、前記整流素子と前記放熱フィンとの接
触面積の減少により前記整流素子から前記半導体スイッ
チング素子への熱伝導熱量を減少させ、半導体スイッチ
ング素子のジャンクション温度を信頼性に許容できる温
度以下にするようにはみ出し寸法を最適化するように構
成したものである。 【０００９】これによって、整流素子と放熱フィンの接
触面積が減少し、整流素子から半導体スイッチング素子
へ熱伝導する熱量が減少する。従って、より低損失の高
価な半導体スイッチング素子を用いることなく、かつ多
数個の放熱フィンを使用することもなく、１個の放熱フ
ィンの使用で、半導体スイッチング素子のジャンクショ
ン温度を信頼性上許容できる温度以下にする事ができ、
安価な高周波加熱装置用スイッチング電源を提供でき
る。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明は、商用電源を整流する整
流素子と、前記整流素子により整流された整流出力をス
イッチングするための少なくとも一個の半導体スイッチ
ング素子と、前記整流素子と前記半導体スイッチング素
子を冷却するための放熱フィンとを備え、前記整流素子
と前記半導体スイッチング素子とを同一放熱フィンに取
り付けるとともに、前記整流素子のパッケージ外形を前
記放熱フィン外形よりはみ出た位置に取付け、前記整流
素子と前記放熱フィンとの接触面積の減少により前記整
流素子から前記半導体スイッチング素子への熱伝導熱量
を減少させ、半導体スイッチング素子のジャンクション
温度を信頼性に許容できる温度以下にするようにはみ出
し寸法を最適化するように構成することにより、整流素
子と放熱フィンの接触面積が減少し、整流素子から半導
体スイッチング素子へ熱伝導する熱量が減少する。従っ
て、より低損失の高価な半導体スイッチング素子を用い
ることなく、かつ多数個の放熱フィンを使用することも
なく、１個の放熱フィンの使用で、半導体スイッチング
素子のジャンクション温度を信頼性上許容できる温度以
下にする事ができ、安価な高周波加熱装置用スイッチン
グ電源を提供できる。 【００１１】 【実施例】以下本発明の実施例について、図１、図２及
び図３を参照しながら説明する。 【００１２】従来例で説明した図３は、本発明の実施例
における高周波加熱装置用スイッチング電源を示す回路
図でもある。交流である商用電源１を整流素子２で直流
電圧に変換し、この直流電圧を半導体スイッチング素子
３，４のオンオフによってインバータ回路５は高圧トラ
ンス６の１次巻線に高周波電圧を発生し、高圧トランス
６は２次巻線に高周波高電圧を励起する。この高周波高
電圧は高圧整流回路７によって直流高電圧に整流され、
マグネトロン８に印加される。マグネトロン８はこの直
流高電圧で駆動され、２．４５ＧＨｚの電波を発生す
る。 【００１３】図１は整流素子２及び半導体スイッチング
素子３、４の放熱フィン９への取り付け構成図である。
前記動作により、整流素子２は約１５〜２５Ｗの損失を
発生し、半導体スイッチング素子３，４は各々約３０〜
５０Ｗの損失を発生する。従って、冷却のため整流素子
２及び半導体スイッチング素子３，４は放熱フィン９に
取り付けられているが、従来例と異なり、整流素子２の
パッケージ外形が放熱フィン９の外形よりもはみ出して
取り付けられている。 【００１４】以上のように構成された高周波加熱装置用
スイッチング電源について、以下にその動作、作用を説
明する。 【００１５】まず、半導体スイッチング素子３，４は整
流素子２と比較して約２倍の損失が発生するので、当然
損失に比例して半導体スイッチング素子３，４の方が整
流素子２よりジャンクション温度もかなり高くなる。さ
らに、整流素子２と半導体スイッチング素子３，４は同
じ放熱フィン９に取り付けられているので、半導体スイ
ッチング素子３，４は熱伝導により整流素子２から熱を
もらい、半導体スイッチング素子３，４のジャンクショ
ン温度はさらに高くなる。しかし、本実施例では、整流
素子２のパッケージ外形が放熱フィン９の外形よりもは
み出して取り付けられているので、整流素子２と放熱フ
ィン９との接触面積が減少し、熱伝導により半導体スイ
ッチング素子３，４へ与える熱量も比例して減少する。
従って、半導体スイッチング素子３，４のジャンクショ
ン温度を信頼性上許容できる温度以下にする事が出来
る。一方整流素子２と放熱フィン９との接触面積が減少
した分、整流素子２の放熱効果が悪くなり、整流素子２
のジャンクション温度は上昇するが、元々の損失が小さ
いので信頼性上許容できる温度以下にする事が出来る。 【００１６】図２も整流素子２及び半導体スイッチング
素子３、４の放熱フィン９への取り付け構成図である。
本図のように、整流素子２の放熱フィン９への取付位置
を変えることにより、整流素子２のパッケージ外形の放
熱フィン９の外形からのはみ出し寸法を変えることが出
来るので、整流素子２と放熱フィン９との接触面積を変
えることが出来る。これにより、例えば整流素子２のジ
ャンクション温度が信頼性上許容できる温度を越え、半
導体スイッチング素子３，４各々のジャンクション温度
が信頼性上許容できる温度以下となった場合は、整流素
子２と放熱フィン９との接触面積が増える方向に取付位
置を変更することにより、整流素子２と半導体スイッチ
ング素子３，４各々のジャンクション温度を信頼性上許
容できる温度以下にする事が出来る。以上のように、整
流素子２と放熱フィン９との接触面積を最適化すること
により、整流素子２と半導体スイッチング素子３，４各
々のジャンクション温度を信頼性上許容できる温度以下
にする事が出来る。 【００１７】以上のように、本実施例においては整流素
子２の放熱フィン９への取付位置を、整流素子２のパッ
ケージの外形が放熱フィン９の外形よりはみ出た位置に
なるように構成することにより、整流素子２と放熱フィ
ン９の接触面積が減少し、整流素子２から半導体スイッ
チング素子３、４への熱伝導による熱量が減少する。従
って、より低損失の高価な半導体スイッチング素子を用
いることなく、かつ多数個の放熱フィンを使用すること
もなく、１個の放熱フィン９の使用で、半導体スイッチ
ング素子３，４のジャンクション温度を信頼性上許容で
きる温度以下にする事ができ、安価な高周波加熱装置用
スイッチング電源を提供できる。 【００１８】 【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、簡単かつ安価な構成で半導体スイッチング素子
の温度を信頼性上許容できる温度以下にする事が出来る
高周波加熱装置用スイッチング電源を提供することがで
きる。
高周波加熱装置用スイッチング電源に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】従来、この種高周波加熱装置用スイッチ
ング電源としては、例えば、図３及び図４に示すような
物が多く用いられている。交流である商用電源１を整流
素子２で直流電圧に変換し、この直流電圧を半導体スイ
ッチング素子３，４のオンオフによってインバータ回路
５は高圧トランス６の１次巻線に高周波電圧を発生し、
高圧トランス６は２次巻線に高周波高電圧を励起する。
この高周波高電圧は高圧整流回路７によって直流高電圧
に整流され、マグネトロン８に印加される。マグネトロ
ン８はこの直流高電圧で駆動され、２．４５ＧＨｚの電
波を発生する。 【０００３】前記動作により、整流素子２は約１５〜２
５Ｗの損失を発生し、半導体スイッチング素子３，４は
各々約３０〜５０Ｗの損失を発生する。従って、冷却の
ため整流素子２及び半導体スイッチング素子３，４は放
熱フィン９に取り付けられている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、半導体スイッチング素子３，４は整流素
子２と比較して約２倍の損失が発生するので、当然損失
に比例して半導体スイッチング素子３，４の方が整流素
子２よりジャンクション温度もかなり高くなる。 【０００５】さらに、整流素子２と半導体スイッチング
素子３，４は同じ放熱フィン９に取り付けられているの
で、半導体スイッチング素子３，４は熱伝導により整流
素子２から熱をもらい、半導体スイッチング素子３，４
のジャンクション温度はさらに高くなり、信頼性上許容
できる温度を越える場合がある。整流素子２も熱伝導に
より半導体スイッチング素子３，４から熱をもらい、整
流素子２のジャンクション温度も高くなるが、元々の損
失が小さいので信頼性上許容できる温度以下となる。そ
こで、半導体スイッチング素子３，４のジャンクション
温度を信頼性上許容できる温度以下にするために、より
損失の小さい高価な半導体スイッチング素子３，４を使
用したり、より冷却性能の高い放熱フィン９を使用した
りしていたのでコスト高になっていた。 【０００６】このような課題に対し、図５のように、放
熱フィンを整流素子２用の放熱フィン９ａと半導体スイ
ッチング素子３，４用の放熱フィン９ｂに分けたものが
提案されている。この場合は半導体スイッチング素子
３，４は熱伝導により整流素子２から熱をもらうことが
無くなるので、その分ジャンクション温度も高くならな
いので有利である。しかし、この構成では、放熱フィン
が２つに分かれるので、高周波加熱装置用スイッチング
電源の製造上組立工数が倍になり製造コストが上がり、
やはりコスト高になるという課題を有していた。 【０００７】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で、簡単かつ安価な構成で半導体スイッチング素子のジ
ャンクション温度を信頼性上許容できる温度以下にする
事が出来る高周波加熱装置用スイッチング電源を提供す
ることを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の高周波加熱装置用スイッチング電源
は、商用電源を整流する整流素子と、前記整流素子によ
り整流された整流出力をスイッチングするための少なく
とも一個の半導体スイッチング素子と、前記整流素子と
前記半導体スイッチング素子を冷却するための放熱フィ
ンとを備え、前記整流素子と前記半導体スイッチング素
子とを同一放熱フィンに取り付けるとともに、前記整流
素子のパッケージ外形を前記放熱フィン外形よりはみ出
た位置に取付け、前記整流素子と前記放熱フィンとの接
触面積の減少により前記整流素子から前記半導体スイッ
チング素子への熱伝導熱量を減少させ、半導体スイッチ
ング素子のジャンクション温度を信頼性に許容できる温
度以下にするようにはみ出し寸法を最適化するように構
成したものである。 【０００９】これによって、整流素子と放熱フィンの接
触面積が減少し、整流素子から半導体スイッチング素子
へ熱伝導する熱量が減少する。従って、より低損失の高
価な半導体スイッチング素子を用いることなく、かつ多
数個の放熱フィンを使用することもなく、１個の放熱フ
ィンの使用で、半導体スイッチング素子のジャンクショ
ン温度を信頼性上許容できる温度以下にする事ができ、
安価な高周波加熱装置用スイッチング電源を提供でき
る。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明は、商用電源を整流する整
流素子と、前記整流素子により整流された整流出力をス
イッチングするための少なくとも一個の半導体スイッチ
ング素子と、前記整流素子と前記半導体スイッチング素
子を冷却するための放熱フィンとを備え、前記整流素子
と前記半導体スイッチング素子とを同一放熱フィンに取
り付けるとともに、前記整流素子のパッケージ外形を前
記放熱フィン外形よりはみ出た位置に取付け、前記整流
素子と前記放熱フィンとの接触面積の減少により前記整
流素子から前記半導体スイッチング素子への熱伝導熱量
を減少させ、半導体スイッチング素子のジャンクション
温度を信頼性に許容できる温度以下にするようにはみ出
し寸法を最適化するように構成することにより、整流素
子と放熱フィンの接触面積が減少し、整流素子から半導
体スイッチング素子へ熱伝導する熱量が減少する。従っ
て、より低損失の高価な半導体スイッチング素子を用い
ることなく、かつ多数個の放熱フィンを使用することも
なく、１個の放熱フィンの使用で、半導体スイッチング
素子のジャンクション温度を信頼性上許容できる温度以
下にする事ができ、安価な高周波加熱装置用スイッチン
グ電源を提供できる。 【００１１】 【実施例】以下本発明の実施例について、図１、図２及
び図３を参照しながら説明する。 【００１２】従来例で説明した図３は、本発明の実施例
における高周波加熱装置用スイッチング電源を示す回路
図でもある。交流である商用電源１を整流素子２で直流
電圧に変換し、この直流電圧を半導体スイッチング素子
３，４のオンオフによってインバータ回路５は高圧トラ
ンス６の１次巻線に高周波電圧を発生し、高圧トランス
６は２次巻線に高周波高電圧を励起する。この高周波高
電圧は高圧整流回路７によって直流高電圧に整流され、
マグネトロン８に印加される。マグネトロン８はこの直
流高電圧で駆動され、２．４５ＧＨｚの電波を発生す
る。 【００１３】図１は整流素子２及び半導体スイッチング
素子３、４の放熱フィン９への取り付け構成図である。
前記動作により、整流素子２は約１５〜２５Ｗの損失を
発生し、半導体スイッチング素子３，４は各々約３０〜
５０Ｗの損失を発生する。従って、冷却のため整流素子
２及び半導体スイッチング素子３，４は放熱フィン９に
取り付けられているが、従来例と異なり、整流素子２の
パッケージ外形が放熱フィン９の外形よりもはみ出して
取り付けられている。 【００１４】以上のように構成された高周波加熱装置用
スイッチング電源について、以下にその動作、作用を説
明する。 【００１５】まず、半導体スイッチング素子３，４は整
流素子２と比較して約２倍の損失が発生するので、当然
損失に比例して半導体スイッチング素子３，４の方が整
流素子２よりジャンクション温度もかなり高くなる。さ
らに、整流素子２と半導体スイッチング素子３，４は同
じ放熱フィン９に取り付けられているので、半導体スイ
ッチング素子３，４は熱伝導により整流素子２から熱を
もらい、半導体スイッチング素子３，４のジャンクショ
ン温度はさらに高くなる。しかし、本実施例では、整流
素子２のパッケージ外形が放熱フィン９の外形よりもは
み出して取り付けられているので、整流素子２と放熱フ
ィン９との接触面積が減少し、熱伝導により半導体スイ
ッチング素子３，４へ与える熱量も比例して減少する。
従って、半導体スイッチング素子３，４のジャンクショ
ン温度を信頼性上許容できる温度以下にする事が出来
る。一方整流素子２と放熱フィン９との接触面積が減少
した分、整流素子２の放熱効果が悪くなり、整流素子２
のジャンクション温度は上昇するが、元々の損失が小さ
いので信頼性上許容できる温度以下にする事が出来る。 【００１６】図２も整流素子２及び半導体スイッチング
素子３、４の放熱フィン９への取り付け構成図である。
本図のように、整流素子２の放熱フィン９への取付位置
を変えることにより、整流素子２のパッケージ外形の放
熱フィン９の外形からのはみ出し寸法を変えることが出
来るので、整流素子２と放熱フィン９との接触面積を変
えることが出来る。これにより、例えば整流素子２のジ
ャンクション温度が信頼性上許容できる温度を越え、半
導体スイッチング素子３，４各々のジャンクション温度
が信頼性上許容できる温度以下となった場合は、整流素
子２と放熱フィン９との接触面積が増える方向に取付位
置を変更することにより、整流素子２と半導体スイッチ
ング素子３，４各々のジャンクション温度を信頼性上許
容できる温度以下にする事が出来る。以上のように、整
流素子２と放熱フィン９との接触面積を最適化すること
により、整流素子２と半導体スイッチング素子３，４各
々のジャンクション温度を信頼性上許容できる温度以下
にする事が出来る。 【００１７】以上のように、本実施例においては整流素
子２の放熱フィン９への取付位置を、整流素子２のパッ
ケージの外形が放熱フィン９の外形よりはみ出た位置に
なるように構成することにより、整流素子２と放熱フィ
ン９の接触面積が減少し、整流素子２から半導体スイッ
チング素子３、４への熱伝導による熱量が減少する。従
って、より低損失の高価な半導体スイッチング素子を用
いることなく、かつ多数個の放熱フィンを使用すること
もなく、１個の放熱フィン９の使用で、半導体スイッチ
ング素子３，４のジャンクション温度を信頼性上許容で
きる温度以下にする事ができ、安価な高周波加熱装置用
スイッチング電源を提供できる。 【００１８】 【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、簡単かつ安価な構成で半導体スイッチング素子
の温度を信頼性上許容できる温度以下にする事が出来る
高周波加熱装置用スイッチング電源を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における高周波加熱装置用スイ
ッチング電源の整流素子及び半導体スイッチング素子の
放熱フィンへの取り付け構成図 【図２】同高周波加熱装置用スイッチング電源の整流素
子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの他の取
り付け構成図 【図３】本発明の実施例及び従来例における高周波加熱
装置用スイッチング電源の回路図 【図４】従来の高周波加熱装置用スイッチング電源の整
流素子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの取
り付け構成図 【図５】従来の高周波加熱装置用スイッチング電源の整
流素子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの他
の取り付け構成図 【符号の説明】 ２ 整流素子 ３ 半導体スイッチング素子 ４ 半導体スイッチング素子 ９ 放熱フィン
ッチング電源の整流素子及び半導体スイッチング素子の
放熱フィンへの取り付け構成図 【図２】同高周波加熱装置用スイッチング電源の整流素
子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの他の取
り付け構成図 【図３】本発明の実施例及び従来例における高周波加熱
装置用スイッチング電源の回路図 【図４】従来の高周波加熱装置用スイッチング電源の整
流素子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの取
り付け構成図 【図５】従来の高周波加熱装置用スイッチング電源の整
流素子及び半導体スイッチング素子の放熱フィンへの他
の取り付け構成図 【符号の説明】 ２ 整流素子 ３ 半導体スイッチング素子 ４ 半導体スイッチング素子 ９ 放熱フィン
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 6/66
H05B 6/64
H05B 6/04
H05K 7/20
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 商用電源を整流する整流素子と、前記整
流素子により整流された整流出力をスイッチングするた
めの少なくとも一個の半導体スイッチング素子と、前記
整流素子と前記半導体スイッチング素子を冷却するため
の放熱フィンとを備え、前記整流素子と前記半導体スイ
ッチング素子とを同一放熱フィンに取り付けるととも
に、前記整流素子のパッケージ外形を前記放熱フィン外
形よりはみ出た位置に取付け、前記整流素子と前記放熱
フィンとの接触面積の減少により前記整流素子から前記
半導体スイッチング素子への熱伝導熱量を減少させ、半
導体スイッチング素子のジャンクション温度を信頼性に
許容できる温度以下にするようにはみ出し寸法を最適化
する高周波加熱装置用スイッチング電源。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001069966A JP3501134B2 (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 高周波加熱装置用スイッチング電源 |
| US10/093,740 US6740968B2 (en) | 2001-03-12 | 2002-03-08 | Power source unit for driving magnetron and heatsink to be mounted on printed circuit board thereof |
| CN200410003259.8A CN100574542C (zh) | 2001-03-12 | 2002-03-12 | 装配到印刷电路板上的散热器 |
| CNB021218471A CN1306853C (zh) | 2001-03-12 | 2002-03-12 | 驱动磁控管的电源单元 |
| CN200410003260.0A CN1272992C (zh) | 2001-03-12 | 2002-03-12 | 用于高频加热装置的开关电源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001069966A JP3501134B2 (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 高周波加熱装置用スイッチング電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270359A JP2002270359A (ja) | 2002-09-20 |
| JP3501134B2 true JP3501134B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=18927920
Family Applications (1)
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