JP3476409B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP3476409B2 JP3476409B2 JP2000050247A JP2000050247A JP3476409B2 JP 3476409 B2 JP3476409 B2 JP 3476409B2 JP 2000050247 A JP2000050247 A JP 2000050247A JP 2000050247 A JP2000050247 A JP 2000050247A JP 3476409 B2 JP3476409 B2 JP 3476409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- valve
- sif
- pipe
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
に関するものであり、特にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）
とフッ素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＦ膜）を連続して
同一チャンバーで成膜するＣＶＤ装置に関するものであ
る。
に関するものであり、特にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）
とフッ素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＦ膜）を連続して
同一チャンバーで成膜するＣＶＤ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化に伴い、半導体装置
の微細な多層配線が必須になっている。その半導体装置
の動作速度遅延を防止するために配線にはＣｕ配線の使
用が望まれており、層間絶縁膜には低誘電率膜の使用が
必要とされている。
の微細な多層配線が必須になっている。その半導体装置
の動作速度遅延を防止するために配線にはＣｕ配線の使
用が望まれており、層間絶縁膜には低誘電率膜の使用が
必要とされている。
【０００３】低誘電率膜は、従来使用していたシリコン
酸化膜（ＳｉＯ2 膜）と同じ製造プロセスで容易に集積
化できるＳｉＯＦ膜を使用することによって、比較的早
期に製品化できると考えられている。
酸化膜（ＳｉＯ2 膜）と同じ製造プロセスで容易に集積
化できるＳｉＯＦ膜を使用することによって、比較的早
期に製品化できると考えられている。
【０００４】また、通常Ｃｕ配線上の層間絶縁膜の形成
は、Ｃｕ配線の酸化を防止するためＳｉＮ膜を形成後Ｓ
ｉＯ2 膜を形成する方法を用いており、これらの工程は
コストを低減するためにＳｉＮ膜、ＳｉＯ2 膜を同一チ
ャンバーで連続して形成することが望まれる。低誘電率
化としてＳｉＯ2 膜からＳｉＯＦ膜に変更する場合も、
同様に同一チャンバーでの連続成膜が望まれる。
は、Ｃｕ配線の酸化を防止するためＳｉＮ膜を形成後Ｓ
ｉＯ2 膜を形成する方法を用いており、これらの工程は
コストを低減するためにＳｉＮ膜、ＳｉＯ2 膜を同一チ
ャンバーで連続して形成することが望まれる。低誘電率
化としてＳｉＯ2 膜からＳｉＯＦ膜に変更する場合も、
同様に同一チャンバーでの連続成膜が望まれる。
【０００５】次に図５を用い、実際にＳｉＮ膜およびＳ
ｉＯＦ膜を同一チャンバーで成膜した従来例を説明す
る。
ｉＯＦ膜を同一チャンバーで成膜した従来例を説明す
る。
【０００６】図５の断面図を参照すると、この例は平行
平板型プラズマＣＶＤ装置を示している。装置の構成と
しては、チャンバー１１にファイナルバルブ１２が設置
されたＮ2 Ｏガス配管１と、ＳｉＦ4 ガス配管２、ＮＨ
3 ガス配管３およびＳｉＨ4ガス配管４が同一ラインに
合流した後にファイナルバルブ２３が設置されており、
その配管がチャンバー１１に接続されている。チャンバ
ー１１上部にシャワーヘッド兼上部電極７と高周波電源
５が、そしてチャンバー下部に低周波電源６が接続され
たヒーター兼下部電極９が設けられ、その上にウェハ８
が設置されている。そしてチャンバー側壁に排気部１０
が設けられた構成になっている。
平板型プラズマＣＶＤ装置を示している。装置の構成と
しては、チャンバー１１にファイナルバルブ１２が設置
されたＮ2 Ｏガス配管１と、ＳｉＦ4 ガス配管２、ＮＨ
3 ガス配管３およびＳｉＨ4ガス配管４が同一ラインに
合流した後にファイナルバルブ２３が設置されており、
その配管がチャンバー１１に接続されている。チャンバ
ー１１上部にシャワーヘッド兼上部電極７と高周波電源
５が、そしてチャンバー下部に低周波電源６が接続され
たヒーター兼下部電極９が設けられ、その上にウェハ８
が設置されている。そしてチャンバー側壁に排気部１０
が設けられた構成になっている。
【０００７】次に膜形成のステップを説明する。まず第
１ステップとして、ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガ
スバルブ１６およびファイナルバルブ２３を開き、ＮＨ
3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスをチャンバー１１に導入し、
ＳｉＮ膜を成膜した。基板温度は４００℃、チャンバー
圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。そして、高
周波電源５，低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この階段でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
１ステップとして、ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガ
スバルブ１６およびファイナルバルブ２３を開き、ＮＨ
3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスをチャンバー１１に導入し、
ＳｉＮ膜を成膜した。基板温度は４００℃、チャンバー
圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。そして、高
周波電源５，低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この階段でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
【０００８】次に第２ステップとして、ＳｉＮ膜を成膜
後高周波電源５，低周波電源６のパワーをＯＦＦとし、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉め
ることにより、ＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスの導入を
停止し、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ガスバルブ
１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の
配管内の残留ガスを排気する。
後高周波電源５，低周波電源６のパワーをＯＦＦとし、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉め
ることにより、ＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスの導入を
停止し、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ガスバルブ
１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の
配管内の残留ガスを排気する。
【０００９】次にＮ2 Ｏガスバルブである、ファイナル
バルブ１２およびＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＳｉＨ4
ガスバルブ１６及びファイナルバルブ２３を開くことに
より、Ｎ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスおよびＳｉＨ4 ガスを
チャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜の成膜を試みた。
基板温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔｏｒｒ
にコントロールした。
バルブ１２およびＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＳｉＨ4
ガスバルブ１６及びファイナルバルブ２３を開くことに
より、Ｎ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスおよびＳｉＨ4 ガスを
チャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜の成膜を試みた。
基板温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔｏｒｒ
にコントロールした。
【００１０】そして高周波電源５、低周波電源６のパワ
ーをそれぞれ約５００Ｗ、５００Ｗかけることにより、
この段階でウェハ８上にＳｉＯＦ膜が成膜される予定で
あったが、反応生成物のパーティクルが付着していただ
けであった。そしてこのステップで配管内につまりが生
じガスが流れなくなってしまった。ファイナルバルブ２
３付近の配管を取り外して分析してみると、［（ＮＨ
4 ）2 ＳｉＦ6 ］と判断される反応生成物が分析により
確認された。これによりＳｉＦ4 とＮＨ3 が常温・真空
下で反応することが確認された。
ーをそれぞれ約５００Ｗ、５００Ｗかけることにより、
この段階でウェハ８上にＳｉＯＦ膜が成膜される予定で
あったが、反応生成物のパーティクルが付着していただ
けであった。そしてこのステップで配管内につまりが生
じガスが流れなくなってしまった。ファイナルバルブ２
３付近の配管を取り外して分析してみると、［（ＮＨ
4 ）2 ＳｉＦ6 ］と判断される反応生成物が分析により
確認された。これによりＳｉＦ4 とＮＨ3 が常温・真空
下で反応することが確認された。
【００１１】次に、ＳｉＦ4 とＮＨ3 が常温で反応する
ことから、同一チャンバーでの連続成膜を断念し、Ｓｉ
Ｎ膜とＳｉＯＦ膜をそれぞれ別のチャンバーで成膜する
方法について図６及び図７の断面図を用いて説明する。
ことから、同一チャンバーでの連続成膜を断念し、Ｓｉ
Ｎ膜とＳｉＯＦ膜をそれぞれ別のチャンバーで成膜する
方法について図６及び図７の断面図を用いて説明する。
【００１２】図６はＳｉＮ膜成膜用チャンバー１１を示
しており、ファイナルバルブ１４を開けることにより、
ＮＨ3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスをチャンバー１１に導入
し、ＳｉＮ膜を成膜する。基板温度は４００℃、チャン
バー圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。
しており、ファイナルバルブ１４を開けることにより、
ＮＨ3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスをチャンバー１１に導入
し、ＳｉＮ膜を成膜する。基板温度は４００℃、チャン
バー圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。
【００１３】ＮＨ3 ガス配管３およびＳｉＨ4 ガス配管
４からチャンバー１１へ各々のガスを導入している。高
周波電源５、低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この段階でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
４からチャンバー１１へ各々のガスを導入している。高
周波電源５、低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この段階でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
【００１４】さらに真空引き後、Ｎ2 ガスで大気に戻
し、ウェハ８を別のチャンバーに搬送後、図７に示すＳ
ｉＯＦ膜成膜用チャンバー１１に搬送した。
し、ウェハ８を別のチャンバーに搬送後、図７に示すＳ
ｉＯＦ膜成膜用チャンバー１１に搬送した。
【００１５】図７はＳｉＯＦ膜成膜用チャンバー１１を
示しており、ファイナルバルブ１２，１４Ｂを開けるこ
とにより、Ｎ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスをチャンバー１１
に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。基板温度４００℃、
チャンバー圧力４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。高
周波電源５，低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この段階でウェハ８上
にＳｉＯＦ膜が成膜される。
示しており、ファイナルバルブ１２，１４Ｂを開けるこ
とにより、Ｎ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスをチャンバー１１
に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。基板温度４００℃、
チャンバー圧力４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。高
周波電源５，低周波電源６のパワーをそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗかけることにより、この段階でウェハ８上
にＳｉＯＦ膜が成膜される。
【００１６】この方法では、２つのチャンバーを用いて
おり、それを搬送する時間を考慮するとスループットが
遅くなってしまうことと、２つのチャンバーが用いられ
ることで装置のコストが高くなってしまうという問題が
あった。
おり、それを搬送する時間を考慮するとスループットが
遅くなってしまうことと、２つのチャンバーが用いられ
ることで装置のコストが高くなってしまうという問題が
あった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】まず図５に示した従来
のガス配管では、ＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスを同一ガス
配管にてチャンバーに導入する装置形態となっており、
共通のファイナルバルブしか設置されておらず、ＮＨ3
ガスの排気が不完全となりチャンバーの手前のガス配管
内でＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスが混合するため、常温で
反応しガス配管内にＮＨ3 とＳｉＦ4 の反応物［（ＮＨ
4 ）2 ＳｉＦ6 ］が生成され、配管つまり起きる、また
は配管内の反応物によりウェハ上のパーティクルが多く
なるという課題があった。
のガス配管では、ＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスを同一ガス
配管にてチャンバーに導入する装置形態となっており、
共通のファイナルバルブしか設置されておらず、ＮＨ3
ガスの排気が不完全となりチャンバーの手前のガス配管
内でＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスが混合するため、常温で
反応しガス配管内にＮＨ3 とＳｉＦ4 の反応物［（ＮＨ
4 ）2 ＳｉＦ6 ］が生成され、配管つまり起きる、また
は配管内の反応物によりウェハ上のパーティクルが多く
なるという課題があった。
【００１８】また反応を避けるため、図６、図７で説明
したようにＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を別チャンバーで成膜
する方法では、スループットが遅くなり、その装置的コ
ストも高くなってしまうという課題があった。
したようにＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を別チャンバーで成膜
する方法では、スループットが遅くなり、その装置的コ
ストも高くなってしまうという課題があった。
【００１９】本発明の目的は、配管のつまりを防止し、
ＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を同一チャンバーで成膜できるプ
ラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
ＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を同一チャンバーで成膜できるプ
ラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】第１の発明のプラズマＣ
ＶＤ装置は、同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフッ
素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてＮＨ3
ガスを導入するＮＨ3 ガス配管と、フッ素含有シリコン
酸化膜の原料ガスの一部としてＳｉＦ4 ガスを導入する
ＳｉＦ4 ガス配管を別々にシャワーヘッド兼上部電極に
接続したことを特徴とするものである。
ＶＤ装置は、同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフッ
素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてＮＨ3
ガスを導入するＮＨ3 ガス配管と、フッ素含有シリコン
酸化膜の原料ガスの一部としてＳｉＦ4 ガスを導入する
ＳｉＦ4 ガス配管を別々にシャワーヘッド兼上部電極に
接続したことを特徴とするものである。
【００２１】第２の発明のプラズマＣＶＤ装置は同一チ
ャンバー内でシリコン窒化膜とフッ素含有シリコン酸化
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、シリコン窒
化膜の原料ガスの一部としてＮＨ3 ガスを導入するＮＨ
3 ガス配管と、フッ素含有シリコン酸化膜の原料ガスの
一部としてＳｉＦ4 ガスを導入するＳｉＦ4 ガス配管が
合流する手前でそれぞれ別々のバルブを持ち、ＳｉＦ4
ガス配管に設置されたバルブとＮＨ3 ガス配管に設置さ
れたバルブとが互いに連動しており、一方が開いている
ときは他方は閉じるように構成されていることを特徴と
するものである。
ャンバー内でシリコン窒化膜とフッ素含有シリコン酸化
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、シリコン窒
化膜の原料ガスの一部としてＮＨ3 ガスを導入するＮＨ
3 ガス配管と、フッ素含有シリコン酸化膜の原料ガスの
一部としてＳｉＦ4 ガスを導入するＳｉＦ4 ガス配管が
合流する手前でそれぞれ別々のバルブを持ち、ＳｉＦ4
ガス配管に設置されたバルブとＮＨ3 ガス配管に設置さ
れたバルブとが互いに連動しており、一方が開いている
ときは他方は閉じるように構成されていることを特徴と
するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態を説明するための平行平板型のプラズマＣＶ
Ｄ装置の断面図である。
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態を説明するための平行平板型のプラズマＣＶ
Ｄ装置の断面図である。
【００２３】図１を参照すると、本発明の平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置では、ファイナルバルブ１２が設置さ
れたＮ2 Ｏガス配管１がシャワーヘッド兼上部電極外周
部７Ａに接続されている。またＮＨ3 ガス配管３および
ＳｉＨ4 ガス配管４が同一配管に接続された後にファイ
ナルバルブ１４を経てシャワーヘッド兼上部電極外周部
７Ａに接続されている。さらにファイナルバルブ１３が
設置されたＳｉＦ4 ガス配管２がシャワーヘッド兼上部
電極中心部７Ｂに接続されている。チャンバー１１上部
にシャワーヘッド兼上部電極外周部および中心部７Ａ，
７Ｂと高周波電源５、チャンバー下部にウェハ８をのせ
るヒーター兼下部電極９、低周波電源６及びチャンバー
側壁に排気部１０がそれぞれ設けられた構成になってい
る。
ラズマＣＶＤ装置では、ファイナルバルブ１２が設置さ
れたＮ2 Ｏガス配管１がシャワーヘッド兼上部電極外周
部７Ａに接続されている。またＮＨ3 ガス配管３および
ＳｉＨ4 ガス配管４が同一配管に接続された後にファイ
ナルバルブ１４を経てシャワーヘッド兼上部電極外周部
７Ａに接続されている。さらにファイナルバルブ１３が
設置されたＳｉＦ4 ガス配管２がシャワーヘッド兼上部
電極中心部７Ｂに接続されている。チャンバー１１上部
にシャワーヘッド兼上部電極外周部および中心部７Ａ，
７Ｂと高周波電源５、チャンバー下部にウェハ８をのせ
るヒーター兼下部電極９、低周波電源６及びチャンバー
側壁に排気部１０がそれぞれ設けられた構成になってい
る。
【００２４】図２は本発明の第２の実施の形態を示す平
行平板型プラズマＣＶＤ装置の断面図であり、ファイナ
ルバルブ１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１がシャワー
ヘッド兼上部電極７に接続されている。またバルブ１５
が設置されたＮＨ3 ガス配管３とバルブ１６が設置され
たＳｉＨ4 ガス配管４が同一ラインに結合された後に、
ファイナルバルブ１４を経てバルブ１３を有するＳｉＦ
4 ガス配管２と合流しシャワーヘッド兼上部電極７に接
続されている。チャンバー１１上部にシャワーヘッド兼
上部電極７と高周波電源５、チャンバー下部にウェハ８
をのせるヒーター兼下部電極９、低周波電源６及びチャ
ンバー側壁に排気部１０がそれぞれ設けられた構成にな
っている。
行平板型プラズマＣＶＤ装置の断面図であり、ファイナ
ルバルブ１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１がシャワー
ヘッド兼上部電極７に接続されている。またバルブ１５
が設置されたＮＨ3 ガス配管３とバルブ１６が設置され
たＳｉＨ4 ガス配管４が同一ラインに結合された後に、
ファイナルバルブ１４を経てバルブ１３を有するＳｉＦ
4 ガス配管２と合流しシャワーヘッド兼上部電極７に接
続されている。チャンバー１１上部にシャワーヘッド兼
上部電極７と高周波電源５、チャンバー下部にウェハ８
をのせるヒーター兼下部電極９、低周波電源６及びチャ
ンバー側壁に排気部１０がそれぞれ設けられた構成にな
っている。
【００２５】図３は本発明の第３の実施の形態を示す高
密度プラズマＣＶＤ装置の断面図である。ファイナルバ
ルブ１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１、ファイナルバ
ブル１３が設置されたＳｉＦ4 ガス配管２がチャンバー
１１Ａに接続されている。またＮＨ3 ガス配管３とＳｉ
Ｈ4 ガス配管４が同一ラインに結合された後にファイナ
ルバルブ１４を経てチャンバー１１Ａに接続されてい
る。それぞれのガスはガスのズル１Ａ，２Ａ，３Ａを通
じてチャンバー内に導入される。チャンバー１１Ａ上部
のドーム部にコイル１７および高周波電源５Ａ、チャン
バー下部にウェハ８をのせるヒーター兼下部電極９およ
び高周波電源５Ｂ、チャンバー側壁に排気部１０Ａがそ
れぞれ設けられた構成になっている。
密度プラズマＣＶＤ装置の断面図である。ファイナルバ
ルブ１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１、ファイナルバ
ブル１３が設置されたＳｉＦ4 ガス配管２がチャンバー
１１Ａに接続されている。またＮＨ3 ガス配管３とＳｉ
Ｈ4 ガス配管４が同一ラインに結合された後にファイナ
ルバルブ１４を経てチャンバー１１Ａに接続されてい
る。それぞれのガスはガスのズル１Ａ，２Ａ，３Ａを通
じてチャンバー内に導入される。チャンバー１１Ａ上部
のドーム部にコイル１７および高周波電源５Ａ、チャン
バー下部にウェハ８をのせるヒーター兼下部電極９およ
び高周波電源５Ｂ、チャンバー側壁に排気部１０Ａがそ
れぞれ設けられた構成になっている。
【００２６】図４は本発明の第４の実施の形態を示す平
行平板型プラズマＣＶＤ装置であり、ファイナルバブル
１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１がシャワーヘッド兼
上部電極７に接続されている。またＮＨ3 ガスバルブ１
５が設置されたＮＨ3 ガス配管３とＳｉＦ4 ガスバルブ
１６が設置されたＳｉＨ4 配管４が同一ラインに結合さ
れた後にＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａが設置されてい
る。さらにその配管とＮ2 ガスバルブ１９が設置された
Ｎ2 ガス配管１８とＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａが設置さ
れたＳｉＦ4 ガス配管２とが、同一ラインに結合され二
手に分かれており、一方は排気バルブ２２を経てガス排
気部２１へ接続され、他方はファイナルバルブ２０を経
てシャワーヘッド兼上部電極７に接続されている。チャ
ンバー１１上部にシャワーヘッド兼上部電極７と高周波
電源５、チャンバー下部にウェハ８をのせるヒーター兼
下部電極９、低周波電源６、チャンバー側壁に排気部１
０がそれぞれ設けられた構成になっている。尚、Ｎ2 ガ
ス配管１８は必要に応して用いてもよい。
行平板型プラズマＣＶＤ装置であり、ファイナルバブル
１２が設置されたＮ2 Ｏガス配管１がシャワーヘッド兼
上部電極７に接続されている。またＮＨ3 ガスバルブ１
５が設置されたＮＨ3 ガス配管３とＳｉＦ4 ガスバルブ
１６が設置されたＳｉＨ4 配管４が同一ラインに結合さ
れた後にＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａが設置されてい
る。さらにその配管とＮ2 ガスバルブ１９が設置された
Ｎ2 ガス配管１８とＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａが設置さ
れたＳｉＦ4 ガス配管２とが、同一ラインに結合され二
手に分かれており、一方は排気バルブ２２を経てガス排
気部２１へ接続され、他方はファイナルバルブ２０を経
てシャワーヘッド兼上部電極７に接続されている。チャ
ンバー１１上部にシャワーヘッド兼上部電極７と高周波
電源５、チャンバー下部にウェハ８をのせるヒーター兼
下部電極９、低周波電源６、チャンバー側壁に排気部１
０がそれぞれ設けられた構成になっている。尚、Ｎ2 ガ
ス配管１８は必要に応して用いてもよい。
【００２７】次に本発明の各実施の形態を用いてＣＶＤ
膜を形成する場合について説明する。
膜を形成する場合について説明する。
【００２８】まず第１の実施の形態の図１のＣＶＤ装置
を参照して説明する。成膜の第１ステップとしてＮＨ3
ガスバルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびファイ
ナルバルブ１４を開くことにより、ＳｉＨ4 ガスおよび
ＮＨ3 ガスをシャワーヘッド兼上部電極外周部７Ａを経
てチャンバー１１に導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。成膜
温度を４００℃、チャンバー圧力を４〜５Ｔｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５、低周波電源６に
それぞれ約５００Ｗ、５００Ｗのパワーをかけることに
より、この段階でウェハ８上に膜厚約１００ｎｍのＳｉ
Ｎ膜が成膜された。
を参照して説明する。成膜の第１ステップとしてＮＨ3
ガスバルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびファイ
ナルバルブ１４を開くことにより、ＳｉＨ4 ガスおよび
ＮＨ3 ガスをシャワーヘッド兼上部電極外周部７Ａを経
てチャンバー１１に導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。成膜
温度を４００℃、チャンバー圧力を４〜５Ｔｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５、低周波電源６に
それぞれ約５００Ｗ、５００Ｗのパワーをかけることに
より、この段階でウェハ８上に膜厚約１００ｎｍのＳｉ
Ｎ膜が成膜された。
【００２９】次に第２ステップとして、ＳｉＮ膜を成膜
後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５，ＳｉＮ4 ガスバルブ１６からチャンバー１
１間の配管内の残留ガスを排気する。
後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５，ＳｉＮ4 ガスバルブ１６からチャンバー１
１間の配管内の残留ガスを排気する。
【００３０】次に第３ステップとして、ファイナルバル
ブ１２を開くことにより、Ｎ2 Ｏガスをシャワーヘッド
兼上部電極外周部７Ａを経てチャンバー１１に導入し、
ファイナルバルブ１３を開くことによりＳｉＦ4 ガスを
シャワーヘッド兼上部電極中心部７Ｂを経てチャンバー
１１に導入する。またＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびフ
ァイナルバルブ１４を開くことによりＳｉＨ4 ガスをチ
ャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。基板温
度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５とＴｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５，低周波電源６に
それぞれ約５００Ｗ、５００Ｗをかけることにより、こ
の段階でウェハ８上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が
成膜された。
ブ１２を開くことにより、Ｎ2 Ｏガスをシャワーヘッド
兼上部電極外周部７Ａを経てチャンバー１１に導入し、
ファイナルバルブ１３を開くことによりＳｉＦ4 ガスを
シャワーヘッド兼上部電極中心部７Ｂを経てチャンバー
１１に導入する。またＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびフ
ァイナルバルブ１４を開くことによりＳｉＨ4 ガスをチ
ャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。基板温
度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５とＴｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５，低周波電源６に
それぞれ約５００Ｗ、５００Ｗをかけることにより、こ
の段階でウェハ８上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が
成膜された。
【００３１】次に第４ステップとして、ＳｉＯＦ膜を成
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ファイナ
ルバルブ１２，１３を閉めることにより、Ｎ2 Ｏガス、
ＳｉＦ4 ガスを停止し、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉め
ることによりＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、ファイナル
バルブ１２、１３、ＮＨ3 ガスバルブ１５，ＳｉＨ4ガ
スバルブ１６からチャンバー１１間の配管内の残留ガス
を排気する。以下次の成膜のステップに移る。
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ファイナ
ルバルブ１２，１３を閉めることにより、Ｎ2 Ｏガス、
ＳｉＦ4 ガスを停止し、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉め
ることによりＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、ファイナル
バルブ１２、１３、ＮＨ3 ガスバルブ１５，ＳｉＨ4ガ
スバルブ１６からチャンバー１１間の配管内の残留ガス
を排気する。以下次の成膜のステップに移る。
【００３２】このＣＶＤ装置を用いた場合、ＳｉＦ4 ガ
スラインとＮＨ3 ガスラインが分離されているため、ど
のステップにおいてもＳｉＦ4 ガスとＮＨ3 ガスが配管
内で合流することがないため、配管に生成物のつまりな
く連続的にＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜との形成が実現でき
た。
スラインとＮＨ3 ガスラインが分離されているため、ど
のステップにおいてもＳｉＦ4 ガスとＮＨ3 ガスが配管
内で合流することがないため、配管に生成物のつまりな
く連続的にＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜との形成が実現でき
た。
【００３３】次に第２の実施の形態の図２のＣＶＤ装置
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および
ファイナルバルブ１４を開くことにより、ＮＨ3 ガスお
よびＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電極７を経て
チャンバー１１に導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。このと
きＮＨ3 ガスバルブ１５と連動しているファイナルバル
ブ１３は閉じている。成膜温度は４００℃、チャンバー
圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。そして高周
波電源５，低周波電源６にそれぞれ約５００Ｗ、５００
Ｗのパワーをかけることにより、この段階でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および
ファイナルバルブ１４を開くことにより、ＮＨ3 ガスお
よびＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電極７を経て
チャンバー１１に導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。このと
きＮＨ3 ガスバルブ１５と連動しているファイナルバル
ブ１３は閉じている。成膜温度は４００℃、チャンバー
圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールした。そして高周
波電源５，低周波電源６にそれぞれ約５００Ｗ、５００
Ｗのパワーをかけることにより、この段階でウェハ８上
に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
【００３４】次に第２ステップとして、ＳｉＮ膜を成膜
後高周波電源５，低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉めることによ
り、ＮＨ3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、フ
ァイナルバルブ１２，１３およびＮＨ3 ガスバルブ１
５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の配
管内の残留ガスを排気する。
後高周波電源５，低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉めることによ
り、ＮＨ3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、フ
ァイナルバルブ１２，１３およびＮＨ3 ガスバルブ１
５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の配
管内の残留ガスを排気する。
【００３５】次に第３ステップとして、ファイナルバル
ブ１４を閉め、ファイナルバルブ１２，１３，１４から
チャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
ブ１４を閉め、ファイナルバルブ１２，１３，１４から
チャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
【００３６】次に第４ステップとして、ファイナルバル
ブ１２を開くことによりＮ2 Ｏガスをシャワーヘッド兼
上部電極外周部７Ａを経てチャンバー１１に導入し、フ
ァイナルバルブ１３を開くことによりＳｉＦ4 ガスを、
ＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびファイナルバルブ１４を
開くことによりＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電
極７を経てチャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜
した。このとき、ファイナルバルブ１３と連動している
ＮＨ3 ガスバルブ１５は閉じている。成膜温度は４００
℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールし
た。そして高周波電源５，低周波電源６にそれぞれ約５
００Ｗ、５００Ｗをかけることにより、この段階でウェ
ハ８上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
ブ１２を開くことによりＮ2 Ｏガスをシャワーヘッド兼
上部電極外周部７Ａを経てチャンバー１１に導入し、フ
ァイナルバルブ１３を開くことによりＳｉＦ4 ガスを、
ＳｉＨ4 ガスバルブ１６およびファイナルバルブ１４を
開くことによりＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電
極７を経てチャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜
した。このとき、ファイナルバルブ１３と連動している
ＮＨ3 ガスバルブ１５は閉じている。成膜温度は４００
℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔｏｒｒにコントロールし
た。そして高周波電源５，低周波電源６にそれぞれ約５
００Ｗ、５００Ｗをかけることにより、この段階でウェ
ハ８上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
【００３７】次に第５ステップとして、ＳｉＯＦ膜を成
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ファイナ
ルバルブ１２，１３を閉めることにより、Ｎ2 Ｏガス、
ＳｉＦ4 ガスを、バルブ１６を閉めることによりＳｉＨ
4 ガスの導入を停止し、ファイナルバルブ１２、１３お
よびＮＨ3 ガスバルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６か
らチャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ファイナ
ルバルブ１２，１３を閉めることにより、Ｎ2 Ｏガス、
ＳｉＦ4 ガスを、バルブ１６を閉めることによりＳｉＨ
4 ガスの導入を停止し、ファイナルバルブ１２、１３お
よびＮＨ3 ガスバルブ１５，ＳｉＨ4 ガスバルブ１６か
らチャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
【００３８】次に第６ステップとして、ファイナルバブ
ル１４を閉め、ファイナルバブル１２，１３，１４から
チャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
ル１４を閉め、ファイナルバブル１２，１３，１４から
チャンバー１１間の配管内の残留ガスを排気する。
【００３９】この装置を用いた場合、どのステップでも
ＳｉＦ4 とＮＨ3 が配管内で合流しないため、つまりが
発生することなく連続性膜が実現できた。また、第１の
実施の形態と比較し装置の構造として各ガスをチャンバ
ー１１内に導入するためのシャワーヘッド兼上部電極７
が各ガス共通となっており、図５に示した従来のＣＶＤ
装置から改造する際に配管のみを交換すればよいため、
低コストで実現できるメリットがある。
ＳｉＦ4 とＮＨ3 が配管内で合流しないため、つまりが
発生することなく連続性膜が実現できた。また、第１の
実施の形態と比較し装置の構造として各ガスをチャンバ
ー１１内に導入するためのシャワーヘッド兼上部電極７
が各ガス共通となっており、図５に示した従来のＣＶＤ
装置から改造する際に配管のみを交換すればよいため、
低コストで実現できるメリットがある。
【００４０】次に第３の実施の形態の図３のＣＶＤ装置
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および
ファイナルバルブ１４を開くことにより、ＳｉＨ4 ガス
およびＮＨ3 をＮＨ3 およびＳｉＨ4 ガスノズル３Ａを
経てチャンバー１１Ａに導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。
成膜温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５ｍＴｏｒ
ｒにコントロールした。そして高周波電源５Ａ，５Ｂに
それぞれ約１０００Ｗ〜４０００Ｗ、約３０００〜４０
００Ｗのパワーをかけることにより、この段階でウェハ
８上に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および
ファイナルバルブ１４を開くことにより、ＳｉＨ4 ガス
およびＮＨ3 をＮＨ3 およびＳｉＨ4 ガスノズル３Ａを
経てチャンバー１１Ａに導入し、ＳｉＮ膜を成膜した。
成膜温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５ｍＴｏｒ
ｒにコントロールした。そして高周波電源５Ａ，５Ｂに
それぞれ約１０００Ｗ〜４０００Ｗ、約３０００〜４０
００Ｗのパワーをかけることにより、この段階でウェハ
８上に膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜が成膜された。
【００４１】次に第２ステップとして、ＳｉＮ膜を成膜
後高周波電源５Ａ，５ＢをＯＦＦし、ＮＨ3 ガスバルブ
１５およびＳｉＦ4 ガスバルブ１６を閉めることにより
ＮＨ 3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、ファイ
ナルバルブ１２、１３およびＮＨ3 ガスバルブ１５，Ｓ
ｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の配管内の
残留ガスを排気する。
後高周波電源５Ａ，５ＢをＯＦＦし、ＮＨ3 ガスバルブ
１５およびＳｉＦ4 ガスバルブ１６を閉めることにより
ＮＨ 3 ガスおよびＳｉＨ4 ガスの導入を停止し、ファイ
ナルバルブ１２、１３およびＮＨ3 ガスバルブ１５，Ｓ
ｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１間の配管内の
残留ガスを排気する。
【００４２】次に第３ステップとして、ファイナルバブ
ル１２，１３およびＳｉＨ4 ガスバルブ１６を開くこと
により、それぞれＮ2 ＯガスをＮ2 Ｏガスノズル１Ａ、
ＳｉＦ4 ガスをＳｉＦ4 ガスノズル２ＡおよびＳｉＨ4
ガスをＮＨ3 およびＳｉＨ4ガスノズル３Ａを経てチャ
ンバー１１Ａに導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。成膜温
度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５ｍＴｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５Ａ，５Ｂにそれぞ
れ約１０００Ｗ〜４０００Ｗ、約３０００〜４０００Ｗ
のパワーをかけることにより、この段階でウェハ８上に
膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
ル１２，１３およびＳｉＨ4 ガスバルブ１６を開くこと
により、それぞれＮ2 ＯガスをＮ2 Ｏガスノズル１Ａ、
ＳｉＦ4 ガスをＳｉＦ4 ガスノズル２ＡおよびＳｉＨ4
ガスをＮＨ3 およびＳｉＨ4ガスノズル３Ａを経てチャ
ンバー１１Ａに導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜した。成膜温
度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５ｍＴｏｒｒにコ
ントロールした。そして高周波電源５Ａ，５Ｂにそれぞ
れ約１０００Ｗ〜４０００Ｗ、約３０００〜４０００Ｗ
のパワーをかけることにより、この段階でウェハ８上に
膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
【００４３】次に第４ステップとして、ＳｉＯＦ膜を成
膜後高周波電源５Ａ，５ＢをＯＦＦし、ファイナルバブ
ル１２，１３およびＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉めるこ
とによりＮ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスおよびＳｉＨ4 ガス
の導入を停止し、ファイナルバルブ１２，１３およびＳ
ｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１Ａ間の配管内
の残留ガスを排気する。
膜後高周波電源５Ａ，５ＢをＯＦＦし、ファイナルバブ
ル１２，１３およびＳｉＨ4 ガスバルブ１６を閉めるこ
とによりＮ2 Ｏガス、ＳｉＦ4 ガスおよびＳｉＨ4 ガス
の導入を停止し、ファイナルバルブ１２，１３およびＳ
ｉＨ4 ガスバルブ１６からチャンバー１１Ａ間の配管内
の残留ガスを排気する。
【００４４】このＣＶＤ装置を用いた場合、どのステッ
プでもＳｉＨ4とＮＨ3 が配管内で合流しないため、つ
まりが発生することなく連続性膜が実現できた。第１，
第２の実施の形態と比較すると、高密度プラズマを用い
ているため良質な膜を成膜する事ができるというメリッ
トがある。
プでもＳｉＨ4とＮＨ3 が配管内で合流しないため、つ
まりが発生することなく連続性膜が実現できた。第１，
第２の実施の形態と比較すると、高密度プラズマを用い
ているため良質な膜を成膜する事ができるというメリッ
トがある。
【００４５】次に第４の実施の形態の図４のＣＶＤ装置
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６、ＮＨ
3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａおよびファイナルバルブ２０
をひらくことにより、ＳｉＨ 4 ガスおよびＮＨ3 ガスを
シャワーヘッド兼上部電極を経てチャンバー１１に導入
し、ＳｉＮ膜を成膜した。このとき、ＮＨ3 ガスバルブ
１５と連動しているＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａは閉じて
いる。成膜温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔ
ｏｒｒにコントロールした。そして高周波電源５、低周
波電源６にそれぞれ約５００Ｗ、５００Ｗのパワーをか
けることにより、この段階でウェハ８上に膜厚約１００
ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
を参照して説明する。まず成膜の第１ステップとして、
ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６、ＮＨ
3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａおよびファイナルバルブ２０
をひらくことにより、ＳｉＨ 4 ガスおよびＮＨ3 ガスを
シャワーヘッド兼上部電極を経てチャンバー１１に導入
し、ＳｉＮ膜を成膜した。このとき、ＮＨ3 ガスバルブ
１５と連動しているＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａは閉じて
いる。成膜温度は４００℃、チャンバー圧力は４〜５Ｔ
ｏｒｒにコントロールした。そして高周波電源５、低周
波電源６にそれぞれ約５００Ｗ、５００Ｗのパワーをか
けることにより、この段階でウェハ８上に膜厚約１００
ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
【００４６】次に第２ステップとして、ＳｉＮ膜を成膜
後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５、ＳｉＦ4 ガスバルブ１６を閉めることによ
り、ＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスの導入を停止し、Ｎ
2 ガスバルブ１９、ＳｉＨ4ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3
ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および排気バ
ルブ２２からチャンバー１１間の配管内の残留ガスを排
気する。
後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、ＮＨ3 ガス
バルブ１５、ＳｉＦ4 ガスバルブ１６を閉めることによ
り、ＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスの導入を停止し、Ｎ
2 ガスバルブ１９、ＳｉＨ4ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3
ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６および排気バ
ルブ２２からチャンバー１１間の配管内の残留ガスを排
気する。
【００４７】次に第３ステップとして、ＮＨ3 ・ＳｉＨ
4 バルブ１４Ａを閉じＮ2 ガスバルブ１９を開くことに
より、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バ
ルブ１４Ａ、排気バルブ２２およびファイナルバルブ２
０間の配管内にＮ2 を封入する。
4 バルブ１４Ａを閉じＮ2 ガスバルブ１９を開くことに
より、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バ
ルブ１４Ａ、排気バルブ２２およびファイナルバルブ２
０間の配管内にＮ2 を封入する。
【００４８】次に第４ステップとして、排気バルブ２２
を開くことにより、Ｎ2 ガスバルブ１９、ＳｉＦ4 ガス
バルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａ、ファイ
ナルバルブ２０間の配管内を真空置換する。
を開くことにより、Ｎ2 ガスバルブ１９、ＳｉＦ4 ガス
バルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バルブ１４Ａ、ファイ
ナルバルブ２０間の配管内を真空置換する。
【００４９】次に第５ステップとして、Ｎ2 Ｏガスバル
ブ１２をひらくことによりＮ2 Ｏガスをシャワーヘッド
兼上部電極７を経てチャンバー１１に導入し、排気バル
ブ２２を閉じ、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・Ｓ
ｉＨ4 バルブ１４Ａ、ＳｉＨ 4 ガスバルブ１６およびフ
ァイナルバルブ２０を開くことにより、ＳｉＦ4 ガスお
よびＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電極７を経て
チャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜する。この
とき、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａと連動しているＮＨ3
ガスバルブ１５は閉じている。基板温度は４００℃、チ
ャンバー圧力は４〜５とＴｏｒｒにコントロールした。
そして高周波電源５、低周波電源６にそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗをかけることにより、この段階でウェハ８
上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
ブ１２をひらくことによりＮ2 Ｏガスをシャワーヘッド
兼上部電極７を経てチャンバー１１に導入し、排気バル
ブ２２を閉じ、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・Ｓ
ｉＨ4 バルブ１４Ａ、ＳｉＨ 4 ガスバルブ１６およびフ
ァイナルバルブ２０を開くことにより、ＳｉＦ4 ガスお
よびＳｉＨ4 ガスをシャワーヘッド兼上部電極７を経て
チャンバー１１に導入し、ＳｉＯＦ膜を成膜する。この
とき、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａと連動しているＮＨ3
ガスバルブ１５は閉じている。基板温度は４００℃、チ
ャンバー圧力は４〜５とＴｏｒｒにコントロールした。
そして高周波電源５、低周波電源６にそれぞれ約５００
Ｗ、５００Ｗをかけることにより、この段階でウェハ８
上に膜厚約８００ｎｍのＳｉＯＦ膜が成膜された。
【００５０】次に第６ステップとして、ＳｉＯＦ膜を成
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、Ｎ2 Ｏガ
スバルブ１２を閉めることによりＮ2 Ｏガスを停止し、
ＳｉＦ4 ガスバルブ１３ＡおよびＳｉＨ4 ガスバルブ１
６をしめることによりＳｉＦ 4 ガスおよびＳｉＨ4 ガス
を停止し、Ｎ2 ガスバルブ１９、ＳｉＦ4 ガスバルブ１
３Ａ、ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６
および排気バルブ２２らチャンバー１１間の配管内の残
留ガスを排気する。
膜後高周波電源５、低周波電源６をＯＦＦし、Ｎ2 Ｏガ
スバルブ１２を閉めることによりＮ2 Ｏガスを停止し、
ＳｉＦ4 ガスバルブ１３ＡおよびＳｉＨ4 ガスバルブ１
６をしめることによりＳｉＦ 4 ガスおよびＳｉＨ4 ガス
を停止し、Ｎ2 ガスバルブ１９、ＳｉＦ4 ガスバルブ１
３Ａ、ＮＨ3 ガスバルブ１５、ＳｉＨ4 ガスバルブ１６
および排気バルブ２２らチャンバー１１間の配管内の残
留ガスを排気する。
【００５１】次に第７ステップとして、ＮＨ3 ・ＳｉＨ
4 バルブ１４Ａを閉じＮ2 ガスバルブ１９を開くことに
より、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バ
ルブ１４Ａ、排気バルブ２２およびファイナルバルブ２
０間の配管内にＮ2 を封入する。
4 バルブ１４Ａを閉じＮ2 ガスバルブ１９を開くことに
より、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バ
ルブ１４Ａ、排気バルブ２２およびファイナルバルブ２
０間の配管内にＮ2 を封入する。
【００５２】次に第８ステップとして、第４ステップと
同様に、排気バルブ２２を開く事により、Ｎ2 ガスバル
ブ１９、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4
バルブ１４Ａ、ファイナルバルブ２０間の配管内を真空
置換する。
同様に、排気バルブ２２を開く事により、Ｎ2 ガスバル
ブ１９、ＳｉＦ4 ガスバルブ１３Ａ、ＮＨ3 ・ＳｉＨ4
バルブ１４Ａ、ファイナルバルブ２０間の配管内を真空
置換する。
【００５３】このＣＶＤ装置を用いた場合、ＳｉＮ膜ま
たはＳｉＯＦ膜形成後に配管内を真空にし、その後Ｎ2
封入を行いさらに真空置換するため、第２の実施の形態
と比較して効率良く配管内の残留ガスを排気することが
出来るというメリットがある。その結果、どのステップ
でもＳｉＦ4 とＮＨ3 が配管内で混ることがないため、
つまりが発生することなく連続性膜が実現できた。
たはＳｉＯＦ膜形成後に配管内を真空にし、その後Ｎ2
封入を行いさらに真空置換するため、第２の実施の形態
と比較して効率良く配管内の残留ガスを排気することが
出来るというメリットがある。その結果、どのステップ
でもＳｉＦ4 とＮＨ3 が配管内で混ることがないため、
つまりが発生することなく連続性膜が実現できた。
【００５４】この第４の実施の形態を用いた成膜方法で
は、ファイナルバルブ２０と排気バルブ２２間を真空置
換及びＮ2 加圧を繰り返したが、真空置換を十分行うこ
とによりＮ2 封入を略すことも可能である。
は、ファイナルバルブ２０と排気バルブ２２間を真空置
換及びＮ2 加圧を繰り返したが、真空置換を十分行うこ
とによりＮ2 封入を略すことも可能である。
【００５５】尚、上記実施の形態においては、本発明を
平行平板型プラズマＣＶＤ装置及び高密度プラズマＣＶ
Ｄ装置に適用した場合について説明したが、プラズマを
別の場所で発生させ、このプラズマをチャンバー内に導
入する構造を有するリモートプラズマＣＶＤ装置に適用
できることは勿論である。
平行平板型プラズマＣＶＤ装置及び高密度プラズマＣＶ
Ｄ装置に適用した場合について説明したが、プラズマを
別の場所で発生させ、このプラズマをチャンバー内に導
入する構造を有するリモートプラズマＣＶＤ装置に適用
できることは勿論である。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、同一チャ
ンバーでＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を連続して成膜するプラ
ズマＣＶＤ装置において、ＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスを
別々のガスラインまたはＮＨ3 ガス配管とＳｉＦ4 ガス
配管それぞれに連動している別々のバルブが設置されて
いるガスラインにてチャンバーへ導入するため、ＳｉＦ
4 ガスとＮＨ3 ガスが配管内にて常温で反応することが
なく、そのため配管内にＮＨ3 とＳｉＦ4 の反応物
〔（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 〕が生成されず、配管のつまり
や反応物の生成が防止できるという効果がある。また、
ＳｉＮ膜、ＳｉＯＦ膜を連続で同一チャンバーで成膜で
きることからコストの低減およびスループットの向上を
図ることができるという効果がある。
ンバーでＳｉＮ膜とＳｉＯＦ膜を連続して成膜するプラ
ズマＣＶＤ装置において、ＮＨ3 ガスとＳｉＦ4 ガスを
別々のガスラインまたはＮＨ3 ガス配管とＳｉＦ4 ガス
配管それぞれに連動している別々のバルブが設置されて
いるガスラインにてチャンバーへ導入するため、ＳｉＦ
4 ガスとＮＨ3 ガスが配管内にて常温で反応することが
なく、そのため配管内にＮＨ3 とＳｉＦ4 の反応物
〔（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 〕が生成されず、配管のつまり
や反応物の生成が防止できるという効果がある。また、
ＳｉＮ膜、ＳｉＯＦ膜を連続で同一チャンバーで成膜で
きることからコストの低減およびスループットの向上を
図ることができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すＣＶＤ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すＣＶＤ装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示すＣＶＤ装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態を示すＣＶＤ装置の
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のＣＶＤ装置の断面図である。
【図６】従来の他のＣＶＤ装置の断面図である。
【図７】従来の他のＣＶＤ装置の断面図である。
１、１Ａ Ｎ2 Ｏガス配管
２、２Ａ ＳｉＦ4 ガス配管
３ ＮＨ3 ガス配管
３Ａ ＮＨ3 およびＳｉＨ4 ガスノズル
４ ＳｉＨ4 ガス配管
５、５Ａ、５Ｂ 高周波電源
６ 低周波電源
７ シャワーヘッド兼上部電極
７Ａ シャワーヘッド兼上部電極外周部
７Ｂ シャワーヘッド兼上部電極中心部
８ ウェハ
９ ヒーター兼下部電極
１０、１０Ａ 排気部
１１、１１Ａ チャンバー
１２ ファイナルバルブ
１３ ファイナルバルブ
１３Ａ ＳｉＦ4 ガスバルブ
１４、１４Ｂ ファイナルバルブ
１４Ａ ＮＨ3 ・ＳｉＨ4 バルブ
１５ ＮＨ3 ガスバルブ
１６ ＳｉＨ4 ガスバルブ
１８ Ｎ2 ガス配管
１９ Ｎ2 ガスバルブ
２０ ファイナルバルブ
２１ ガス排気部
２２ 排気バルブ
２３ ファイナルバルブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 土屋 善昭
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 石川 重男
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(56)参考文献 特開 昭63−302523（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−144683（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−213378（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−281052（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−47872（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/31
C23C 16/34
C23C 16/40
C23C 16/455
Claims (6)
- 【請求項１】 同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
において、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてＮＨ
3 ガスを導入するＮＨ3 ガス配管と、フッ素含有シリコ
ン酸化膜の原料ガスの一部としてＳｉＦ4 ガスを導入す
るＳｉＦ4 ガス配管を別々にシャワーヘッド兼上部電極
に接続したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記シャワーヘッド兼上部電極は、Ｓｉ
Ｆ4 ガスを導入するＳｉＦ4 ガス配管が接続されたシャ
ワーヘッド兼上部電極中心部とその他のガス配管が接続
されたシャワーヘッド兼上部電極周辺部とから構成され
ている請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
において、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてＮＨ
3 ガスを導入するＮＨ3 ガス配管と、フッ素含有シリコ
ン酸化膜の原料ガスの一部としてＳｉＦ4 ガスを導入す
るＳｉＦ4 ガス配管が合流する手前でそれぞれ別々のバ
ルブを持ち、ＳｉＦ4 ガス配管に設置されたバルブとＮ
Ｈ3 ガス配管に設置されたバルブとが互いに連動してお
り、一方が開いているときは他方は閉じるように構成さ
れていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記ＳｉＦ4 ガス配管に設置されたバル
ブと前記ＮＨ3 ガス配管に設置されたバルブと前記チャ
ンバー間にバルブを持ち、これらバルブ間のガス配管内
を単独に真空置換できる機構を有する請求項３記載のプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記ＳｉＦ4 ガス配管に設置されたバル
ブと前記ＮＨ3 ガス配管に設置されたバルブと前記チャ
ンバー間にバルブを持ち、これらバルブ間のガス配管内
を単独に真空置換及びＮ2 加圧を繰り返しできる機構を
有する請求項３記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 プラズマＣＶＤ装置は、平行平板型プラ
ズマＣＶＤ装置又は高密度プラズマＣＶＤ装置又はリモ
ートプラズマＣＶＤ装置である請求項１又は請求項３記
載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050247A JP3476409B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US09/792,094 US20010047759A1 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050247A JP3476409B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244257A JP2001244257A (ja) | 2001-09-07 |
| JP3476409B2 true JP3476409B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=18572053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050247A Expired - Fee Related JP3476409B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010047759A1 (ja) |
| JP (1) | JP3476409B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536797B1 (ko) * | 2002-12-17 | 2005-12-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| JP4947766B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-06-06 | 東レエンジニアリング株式会社 | シリコン系薄膜の形成方法 |
| KR100870567B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-11-27 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용한 이온 도핑 방법 및 플라즈마 이온 도핑장치 |
| US8851012B2 (en) * | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8770142B2 (en) * | 2008-09-17 | 2014-07-08 | Veeco Ald Inc. | Electrode for generating plasma and plasma generator |
| US8871628B2 (en) * | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| KR101172147B1 (ko) | 2009-02-23 | 2012-08-07 | 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 | 플라즈마에 의한 라디칼을 이용한 박막 형성 방법 |
| US8758512B2 (en) | 2009-06-08 | 2014-06-24 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor and method for forming thin film |
| US8771791B2 (en) | 2010-10-18 | 2014-07-08 | Veeco Ald Inc. | Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
| JP6807420B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2021-01-06 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000050247A patent/JP3476409B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-22 US US09/792,094 patent/US20010047759A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010047759A1 (en) | 2001-12-06 |
| JP2001244257A (ja) | 2001-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7211144B2 (en) | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers | |
| TW202139785A (zh) | 在基板之表面上形成介電材料之方法、半導體結構、半導體構件、及反應器系統 | |
| JP3881973B2 (ja) | 窒化シリコン膜の成膜方法 | |
| US5273609A (en) | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment | |
| US7828900B2 (en) | Vacuum film-forming apparatus | |
| JP3476409B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US7484513B2 (en) | Method of forming titanium film by CVD | |
| JP2001168193A5 (ja) | ||
| WO2011114960A9 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| US5246887A (en) | Dielectric deposition | |
| US20080115801A1 (en) | Semiconductor device fabrication equipment for performing peox process and method including cleaning the equipment with remotely produced plasma | |
| US10643841B2 (en) | Surface modification to improve amorphous silicon gapfill | |
| TW202120733A (zh) | 沉積介電材料的方法與設備 | |
| KR100395171B1 (ko) | 화학적증착법에의한티타늄막형성방법 | |
| JP4151308B2 (ja) | 処理装置のガス導入方法 | |
| WO2022080153A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH0835067A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| US5347100A (en) | Semiconductor device, process for the production thereof and apparatus for microwave plasma treatment | |
| JPH06163523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2650530B2 (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| TW202122618A (zh) | 銅表面上之選擇性鈷沉積 | |
| JPH05267220A (ja) | 半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法 | |
| US20220178026A1 (en) | Carbon cvd deposition methods to mitigate stress induced defects | |
| JPH08288271A (ja) | 成膜方法およびこれに用いる成膜装置 | |
| KR0175011B1 (ko) | 티타늄나이트라이드 박막의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030819 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |