JP3476370B2 - 平形半導体素子用スタック - Google Patents
平形半導体素子用スタックInfo
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- JP3476370B2 JP3476370B2 JP22386698A JP22386698A JP3476370B2 JP 3476370 B2 JP3476370 B2 JP 3476370B2 JP 22386698 A JP22386698 A JP 22386698A JP 22386698 A JP22386698 A JP 22386698A JP 3476370 B2 JP3476370 B2 JP 3476370B2
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- Japan
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- insulating
- stack
- tape
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平形半導体素子と
ヒートシンクを交互に積層し弾性的な押圧力（加圧力）
を加えてなる平形半導体素子用スタックに係り、特に圧
接荷重を支持するフレーム構造に関する。
ヒートシンクを交互に積層し弾性的な押圧力（加圧力）
を加えてなる平形半導体素子用スタックに係り、特に圧
接荷重を支持するフレーム構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体変換装置は大容量化（高電圧化）
の傾向にあり、それに伴い多数個の平形半導体素子が用
いられるようになってきている。半導体変換装置は複数
個の平型半導体素子とその平型半導体素子を冷却するた
めの冷却体としてのヒートシンクを交互に積層し弾性的
な押圧力を負荷する圧接負荷部、フレームとしての絶縁
バンド又はスタッドボルトと端板、バネ等から構成して
なる平形半導体素子用スタック（以下単にスタックとも
言う）を半導体変換装置の回路構成要素として多数使用
している。
の傾向にあり、それに伴い多数個の平形半導体素子が用
いられるようになってきている。半導体変換装置は複数
個の平型半導体素子とその平型半導体素子を冷却するた
めの冷却体としてのヒートシンクを交互に積層し弾性的
な押圧力を負荷する圧接負荷部、フレームとしての絶縁
バンド又はスタッドボルトと端板、バネ等から構成して
なる平形半導体素子用スタック（以下単にスタックとも
言う）を半導体変換装置の回路構成要素として多数使用
している。
【０００３】近年、特に設置場所、スペース等の制限か
ら益々半導体変換装置のコンパクト化が要求されている
が、半導体変換装置の大容量化（高電圧化、大電流化）
は部品の大型化を招くばかりでなく用品間の絶縁距離確
保の点からコンパクト化と相反する要因となっている。
ら益々半導体変換装置のコンパクト化が要求されている
が、半導体変換装置の大容量化（高電圧化、大電流化）
は部品の大型化を招くばかりでなく用品間の絶縁距離確
保の点からコンパクト化と相反する要因となっている。
【０００４】以下、半導体変換装置に使用している従来
のスタックを、図４及び図５を用いて説明する。一般に
半導体変換装置は、モジュールと呼ばれるユニットを複
数台搭載して構成されている。
のスタックを、図４及び図５を用いて説明する。一般に
半導体変換装置は、モジュールと呼ばれるユニットを複
数台搭載して構成されている。
【０００５】図４は、代表的なモジュール内の回路を示
している。モジュール１１は、複数個の平形半導体素子
１２及びその付属回路であるアノードリアクトル１３、
分圧抵抗１４、スナバコンデンサ１５及びスナバ抵抗１
６を収納して構成されており、破線の部分がスタック１
７である。
している。モジュール１１は、複数個の平形半導体素子
１２及びその付属回路であるアノードリアクトル１３、
分圧抵抗１４、スナバコンデンサ１５及びスナバ抵抗１
６を収納して構成されており、破線の部分がスタック１
７である。
【０００６】図５は、スタックの構成を示しており、同
図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。スタッ
ク１７は、複数個の平型半導体素子１２及びヒートシン
ク１８を交互に積層し、さらにその両端に電気回路接続
端子となる導体１９とその外側に押さえ板２０を配置し
てなる積層体と、この積層体の両方の端部に設けられる
Ｕ字形ブロック２１からなり、片方のブロックには、開
口部の中心に積層方向に移動可能にねじ込まれ且つサラ
バネ２２が装着された可動ボルト２３を備え、他方の端
部のＵ字形ブロックには加圧ボルト２４とロックナット
２５を備え、これらの積層体と一対のＵ字形の押さえブ
ロックを取り囲む、例えばガラス繊維強化プラスチック
絶縁体からなる絶縁バンド２６とで構成されていた。
図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。スタッ
ク１７は、複数個の平型半導体素子１２及びヒートシン
ク１８を交互に積層し、さらにその両端に電気回路接続
端子となる導体１９とその外側に押さえ板２０を配置し
てなる積層体と、この積層体の両方の端部に設けられる
Ｕ字形ブロック２１からなり、片方のブロックには、開
口部の中心に積層方向に移動可能にねじ込まれ且つサラ
バネ２２が装着された可動ボルト２３を備え、他方の端
部のＵ字形ブロックには加圧ボルト２４とロックナット
２５を備え、これらの積層体と一対のＵ字形の押さえブ
ロックを取り囲む、例えばガラス繊維強化プラスチック
絶縁体からなる絶縁バンド２６とで構成されていた。
【０００７】このように構成された平型半導体素子用ス
タック１７に弾性的な圧接力を保持させるため、図示し
ないプレス機により所定の圧接力を加え加圧ボルト２４
を押出し積層体を圧縮しサラバネ２２を圧縮させ、ロッ
クナット２５で加圧ボルト２４をＵ字形ブロック２１に
固定する。
タック１７に弾性的な圧接力を保持させるため、図示し
ないプレス機により所定の圧接力を加え加圧ボルト２４
を押出し積層体を圧縮しサラバネ２２を圧縮させ、ロッ
クナット２５で加圧ボルト２４をＵ字形ブロック２１に
固定する。
【０００８】プレス機を取り去るとレーストラック形状
の絶縁バンド２６に圧接力の反力としての引張力が加わ
る。つまり、圧接力を絶縁バンド２６の内側に閉じこめ
るような構造で絶縁バンド２６に圧接力の反力としての
引張力が加わることになる。
の絶縁バンド２６に圧接力の反力としての引張力が加わ
る。つまり、圧接力を絶縁バンド２６の内側に閉じこめ
るような構造で絶縁バンド２６に圧接力の反力としての
引張力が加わることになる。
【０００９】したがって、ブレス機を取り去った時に加
わる反力による絶縁バンド２６の伸び分を見込んで所定
の抑圧力を加えるか、或いは絶縁バンド２６の引張力が
圧接力の反力になるまで加圧ボルト２４を押し下げる必
要があった。
わる反力による絶縁バンド２６の伸び分を見込んで所定
の抑圧力を加えるか、或いは絶縁バンド２６の引張力が
圧接力の反力になるまで加圧ボルト２４を押し下げる必
要があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】近年、サイリスタ素子
等の平型半導体素子は、その大容量化に伴って直径が大
きくなり、絶縁距離と設置空間の確保が積層体を構成す
る素子の個数により様々に変化している。したがって、
絶縁フレームとしての絶縁バンドのサイズも様々なもの
が要求されるようになってきている。
等の平型半導体素子は、その大容量化に伴って直径が大
きくなり、絶縁距離と設置空間の確保が積層体を構成す
る素子の個数により様々に変化している。したがって、
絶縁フレームとしての絶縁バンドのサイズも様々なもの
が要求されるようになってきている。
【００１１】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
積層体全体の長さの変化に応じて絶縁フレームの長さを
自由に変えることができる平形半導体素子用スタックを
提供することを目的とする。
積層体全体の長さの変化に応じて絶縁フレームの長さを
自由に変えることができる平形半導体素子用スタックを
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係る平形半導体素子用スタック
では、複数個の平形半導体素子と冷却体とを交互に積層
した積層体の両端に圧接支持体を配置し、この圧接支持
体の少なくとも一方に設けたボルトを介して前記積層体
の圧接力を負荷し、少なくとも１個のフレームでその圧
接力を支持する平形半導体スタックにおいて、前記フレ
ームはテープ状の絶縁物を両端の圧接支持体に連続して
複数回巻きつけて長円形状に構成する。これにより、平
形半導体素子の個数の増減による積層体全体の長さの変
化に応じて、絶縁フレームの長さを自由に変えることが
でき、圧接力の大小に応じてテープ状の絶縁物であるフ
レームの巻き付け回数を変えて十分な強度を有する絶縁
フレームとすることができる。
に、本発明の請求項１に係る平形半導体素子用スタック
では、複数個の平形半導体素子と冷却体とを交互に積層
した積層体の両端に圧接支持体を配置し、この圧接支持
体の少なくとも一方に設けたボルトを介して前記積層体
の圧接力を負荷し、少なくとも１個のフレームでその圧
接力を支持する平形半導体スタックにおいて、前記フレ
ームはテープ状の絶縁物を両端の圧接支持体に連続して
複数回巻きつけて長円形状に構成する。これにより、平
形半導体素子の個数の増減による積層体全体の長さの変
化に応じて、絶縁フレームの長さを自由に変えることが
でき、圧接力の大小に応じてテープ状の絶縁物であるフ
レームの巻き付け回数を変えて十分な強度を有する絶縁
フレームとすることができる。
【００１３】
【００１４】
【００１５】本発明の請求項２に係る平形半導体素子用
スタックでは、テープ状の絶縁物を複数回巻きつけた長
円形状の直線部分の一部のみの積層したテープ状の絶縁
物間に接着剤を注入してテープ状の絶縁物同士を接着す
る。これにより、１本のテープを長円状に束ねることが
できる。また、フレームのＲ部分は接着していないの
で、積層されたテープ状の絶縁物には自由度があり多少
動いてひずみの差を分散吸収できる。更に、スタックに
取り付ける前に絶縁フレームだけをこの方法により多数
同一寸法に生産することができる。
スタックでは、テープ状の絶縁物を複数回巻きつけた長
円形状の直線部分の一部のみの積層したテープ状の絶縁
物間に接着剤を注入してテープ状の絶縁物同士を接着す
る。これにより、１本のテープを長円状に束ねることが
できる。また、フレームのＲ部分は接着していないの
で、積層されたテープ状の絶縁物には自由度があり多少
動いてひずみの差を分散吸収できる。更に、スタックに
取り付ける前に絶縁フレームだけをこの方法により多数
同一寸法に生産することができる。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態を示す構成図である。同図（ａ）は平面図、同
図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は側面図である。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態を示す構成図である。同図（ａ）は平面図、同
図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は側面図である。
【００１９】図１において、平型半導体素子用スタック
１は、絶縁テープ２をスタック両端の圧接支持体３の溝
に沿って左右２本、複数回巻き付けて、スタッキングの
ためのフレームである絶縁フレーム４を構成し、この絶
縁フレーム４の内側に複数個のヒートシンク５及び平形
半導体素子６を交互に積層した積層体を設け、両端部に
は導体７と加圧円板８を挟み込み、絶縁フレーム４の片
端部のＲ部には積層体を弾性的な押圧力で圧接保持する
先端にＲ加工した加圧ボルト９が取付けられた圧接支持
体３を設け、反対側の圧接支持体２に、さらばね１０を
加圧円板８との間に設けている。
１は、絶縁テープ２をスタック両端の圧接支持体３の溝
に沿って左右２本、複数回巻き付けて、スタッキングの
ためのフレームである絶縁フレーム４を構成し、この絶
縁フレーム４の内側に複数個のヒートシンク５及び平形
半導体素子６を交互に積層した積層体を設け、両端部に
は導体７と加圧円板８を挟み込み、絶縁フレーム４の片
端部のＲ部には積層体を弾性的な押圧力で圧接保持する
先端にＲ加工した加圧ボルト９が取付けられた圧接支持
体３を設け、反対側の圧接支持体２に、さらばね１０を
加圧円板８との間に設けている。
【００２０】絶縁テープ２の取付けは張力を与えながら
圧接支持体３の絶縁テープ２の幅の溝に沿って、左右２
本巻き付けた後、加圧ボルト９をねじ込むことにより積
層体に設定圧接力より小さい圧接力を加え、絶縁テープ
２の端部をすでに巻き付けた絶縁テープ２に接着し、充
分接着した後、設定圧接力まで加圧ボルト９で負荷し、
荷重の加わった状態で巻き付けた絶縁テープ２間に接着
剤を注入して絶縁テープ２同士を接着固定することで絶
縁フレーム４を形成する。
圧接支持体３の絶縁テープ２の幅の溝に沿って、左右２
本巻き付けた後、加圧ボルト９をねじ込むことにより積
層体に設定圧接力より小さい圧接力を加え、絶縁テープ
２の端部をすでに巻き付けた絶縁テープ２に接着し、充
分接着した後、設定圧接力まで加圧ボルト９で負荷し、
荷重の加わった状態で巻き付けた絶縁テープ２間に接着
剤を注入して絶縁テープ２同士を接着固定することで絶
縁フレーム４を形成する。
【００２１】本実施の形態によれば、積層体の全体の長
さが、ヒートシンク５、平型半導体素子６，導体７，加
圧円板８やサラバネ１０などの個数や形状により変化し
ても絶縁テープ２を巻きつける長さを変えることで自由
に絶縁フレーム４の長さを設定することができる。材料
としては、絶縁テープ２の厚みが薄いために製造時に大
きなボイドの発生が抑えられ均一な材料となるため、巻
き重ねて引張強度を設定することが可能である。
さが、ヒートシンク５、平型半導体素子６，導体７，加
圧円板８やサラバネ１０などの個数や形状により変化し
ても絶縁テープ２を巻きつける長さを変えることで自由
に絶縁フレーム４の長さを設定することができる。材料
としては、絶縁テープ２の厚みが薄いために製造時に大
きなボイドの発生が抑えられ均一な材料となるため、巻
き重ねて引張強度を設定することが可能である。
【００２２】引張強度は絶縁テープ２の１枚あたりの耐
荷重×巻き重ねた枚数となるので高い引張荷重が必要な
場合は巻き数で調節できる。この他絶縁テープ２の幅や
厚みを変えることで圧接力に応じた絶縁フレーム４を製
作することができる。
荷重×巻き重ねた枚数となるので高い引張荷重が必要な
場合は巻き数で調節できる。この他絶縁テープ２の幅や
厚みを変えることで圧接力に応じた絶縁フレーム４を製
作することができる。
【００２３】例えば、スタックに１０トン負荷する場
合、絶縁テープの材質をガラス繊維強化プラスチック、
フレームを２本使うとすると、テープ幅３０ｍｍ、厚さ
１ｍｍで９回巻き、テープ幅２０ｍｍ、厚さ１ｍｍで１
５回巻きという計算になります。
合、絶縁テープの材質をガラス繊維強化プラスチック、
フレームを２本使うとすると、テープ幅３０ｍｍ、厚さ
１ｍｍで９回巻き、テープ幅２０ｍｍ、厚さ１ｍｍで１
５回巻きという計算になります。
【００２４】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。図２に、本発明の第２の実施の形態の構成図を
示す。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は正面図、同図
（ｃ）は側面図である。
明する。図２に、本発明の第２の実施の形態の構成図を
示す。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は正面図、同図
（ｃ）は側面図である。
【００２５】図２において、図１と異なる点は、平型半
導体素子用スタック１の絶縁テープ２を巻き付け構成さ
れた絶縁フレーム４を片側２本づつ計４本とした点であ
り、更に圧接支持体３の絶縁フレーム４の取付け部を半
円形状にした点である。
導体素子用スタック１の絶縁テープ２を巻き付け構成さ
れた絶縁フレーム４を片側２本づつ計４本とした点であ
り、更に圧接支持体３の絶縁フレーム４の取付け部を半
円形状にした点である。
【００２６】圧接力は、絶縁フレーム４の本数や絶縁テ
ープ２の巻き付け回数によって決まるため、取り付けス
ペースに応じて絶縁フレーム４の本数を決定することで
圧接力を調節することができる。また、圧接支持体３の
絶縁フレーム４の取付け部を半円とすることにより、圧
接支持体３の絶縁フレーム４取付け部に丸棒等を使用で
きるので構造が簡単にできる。
ープ２の巻き付け回数によって決まるため、取り付けス
ペースに応じて絶縁フレーム４の本数を決定することで
圧接力を調節することができる。また、圧接支持体３の
絶縁フレーム４の取付け部を半円とすることにより、圧
接支持体３の絶縁フレーム４取付け部に丸棒等を使用で
きるので構造が簡単にできる。
【００２７】次に本発明の第３の実施の形態について説
明する。図３に本発明の第１、第２の平形半導体素子用
スタック１の絶縁フレーム４の製造方法について示す。
明する。図３に本発明の第１、第２の平形半導体素子用
スタック１の絶縁フレーム４の製造方法について示す。
【００２８】図１及び図２に示すように絶縁テープの圧
接支持体３への取付けは張力を与えながら圧接支持体３
の絶縁テープ２の幅の溝に沿って、左右を巻き付けた
後、積層体を設定圧接力より小さい圧接力を加え絶縁テ
ープ２の端部を巻き付けた絶縁テープ２に接着し、充分
接着した後、設定圧接力まで負荷し、荷重の加わった状
態で巻き付けた絶縁テープ２間に接着剤を注入して接着
固定することで絶縁フレーム４を形成する。
接支持体３への取付けは張力を与えながら圧接支持体３
の絶縁テープ２の幅の溝に沿って、左右を巻き付けた
後、積層体を設定圧接力より小さい圧接力を加え絶縁テ
ープ２の端部を巻き付けた絶縁テープ２に接着し、充分
接着した後、設定圧接力まで負荷し、荷重の加わった状
態で巻き付けた絶縁テープ２間に接着剤を注入して接着
固定することで絶縁フレーム４を形成する。
【００２９】ここで図３に示すように接着剤を注入する
部分は絶縁フレーム４の直線部の一部分とし、Ｒ部には
接着剤を注入しないようにするものである。本実施の形
態によれば、絶縁フレーム４の直線部の中央は、絶縁フ
レーム４の長手方向の中央であるために各積層された絶
縁テープ２に負荷される引張力が釣合う部分であるの
で、絶縁テープ２の最初と最後の部分を接着固定する場
所として最適である。これに対して絶縁フレーム４のＲ
部分は、曲げと引張りと圧接支持体３との摩擦などによ
り複雑な荷重状態となる。しかしこのＲ部分は接着して
いないので積層された絶縁テープ２には自由度があり多
少動いてひずみの差を分散吸収できる。
部分は絶縁フレーム４の直線部の一部分とし、Ｒ部には
接着剤を注入しないようにするものである。本実施の形
態によれば、絶縁フレーム４の直線部の中央は、絶縁フ
レーム４の長手方向の中央であるために各積層された絶
縁テープ２に負荷される引張力が釣合う部分であるの
で、絶縁テープ２の最初と最後の部分を接着固定する場
所として最適である。これに対して絶縁フレーム４のＲ
部分は、曲げと引張りと圧接支持体３との摩擦などによ
り複雑な荷重状態となる。しかしこのＲ部分は接着して
いないので積層された絶縁テープ２には自由度があり多
少動いてひずみの差を分散吸収できる。
【００３０】このように、Ｒ部を接着しないことで安定
した強度の絶縁フレーム４が得られる。以上の実施の形
態において、前記絶縁フレーム４を構成する絶縁テープ
２の材料としては、例えばガラス繊維強化プラスチッ
ク、半硬化状態のレジン含浸テープが挙げられる。
した強度の絶縁フレーム４が得られる。以上の実施の形
態において、前記絶縁フレーム４を構成する絶縁テープ
２の材料としては、例えばガラス繊維強化プラスチッ
ク、半硬化状態のレジン含浸テープが挙げられる。
【００３１】このガラス繊維強化プラスチックは、エポ
キシ樹脂や不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂
や熱可塑性樹脂を用いガラス繊維で補強したものであ
る。絶縁テープの材料をガラス繊維強化プラスチックと
することにより、数トンの圧接力に対しても充分な強度
を有する絶縁フレームを得ることができる。
キシ樹脂や不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂
や熱可塑性樹脂を用いガラス繊維で補強したものであ
る。絶縁テープの材料をガラス繊維強化プラスチックと
することにより、数トンの圧接力に対しても充分な強度
を有する絶縁フレームを得ることができる。
【００３２】また、絶縁テープに半硬化状態のレジン含
浸テープを用いることで、フレームの製造は、絶縁テー
プに張力を与えながらフレーム形状の型に巻き付けた
後、加熱することで接着・硬化させる。
浸テープを用いることで、フレームの製造は、絶縁テー
プに張力を与えながらフレーム形状の型に巻き付けた
後、加熱することで接着・硬化させる。
【００３３】これにより、絶縁テープの半硬化したレジ
ンが、加熱することで接着・硬化するので、絶縁テープ
同士が固着し、ある厚みを持った一体化した絶縁フレー
ムを得ることができる。
ンが、加熱することで接着・硬化するので、絶縁テープ
同士が固着し、ある厚みを持った一体化した絶縁フレー
ムを得ることができる。
【００３４】また、前記絶縁フレームを構成する絶縁テ
ープの厚さを０．１ｍｍ〜１ｍｍのテープ状とすること
で、絶縁テープに柔軟性があるので、小さな曲げＲに対
しても巻き付けやすくなる。またテープ状とすることで
ボイドなどの製造欠陥が少なくなるため、材料強度が安
定する。さらに、巻き付ける回数を増やすことにより絶
縁フレームの強度を増すことができる。
ープの厚さを０．１ｍｍ〜１ｍｍのテープ状とすること
で、絶縁テープに柔軟性があるので、小さな曲げＲに対
しても巻き付けやすくなる。またテープ状とすることで
ボイドなどの製造欠陥が少なくなるため、材料強度が安
定する。さらに、巻き付ける回数を増やすことにより絶
縁フレームの強度を増すことができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
の発明によれば、スタックの長さに応じ絶縁テープを巻
き付けて絶縁フレームを構成することができるので、任
意の長さのスタックを製作でき、安価で強い絶縁フレー
ム構成の平形半導体素子用スタックを提供することがで
きる。
の発明によれば、スタックの長さに応じ絶縁テープを巻
き付けて絶縁フレームを構成することができるので、任
意の長さのスタックを製作でき、安価で強い絶縁フレー
ム構成の平形半導体素子用スタックを提供することがで
きる。
【００３６】
【００３７】本発明の請求項２項の発明によれば、絶縁
テープを巻きつけて直線部の一部を接着することにより
形状及び引張り荷重に対し安定した絶縁フレームを得る
ことができる。
テープを巻きつけて直線部の一部を接着することにより
形状及び引張り荷重に対し安定した絶縁フレームを得る
ことができる。
【００３８】
【００３９】
【図１】 本発明の第１の実施の形態の平形半導体素子
用スタックの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
一部断面の正面図、（ｃ）は側面図である。
用スタックの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
一部断面の正面図、（ｃ）は側面図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態の平形半導体素子
用スタックの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
一部断面の正面図、（ｃ）は側面図である。
用スタックの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
一部断面の正面図、（ｃ）は側面図である。
【図３】 本発明の第３の実施の形態の絶縁フレームの
製造方法を示す図であり、（ａ）は第１の実施の形態の
絶縁フレームの正面図、（ｂ）は第２の実施の形態の絶
縁フレームの正面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は第１の実施の形態の
絶縁フレームの正面図、（ｂ）は第２の実施の形態の絶
縁フレームの正面図である。
【図４】 従来の半導体変換装置を構成するモジュール
ユニットの回路図。
ユニットの回路図。
【図５】 従来の平形半導体素子用スタックの構成図で
あり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
あり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
１・・・平形半導体素子用スタック
２・・・絶縁テープ
３・・・圧接支持体
４・・・絶縁フレーム
５・・・ヒートシンク
６・・・平型半導体素子
７・・・導体
８・・・加圧円板
９・・・加圧ボルト
１０・・・サラバネ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−111504（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−213507（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−284125（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−86500（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 25/04
H01L 25/07
H01L 25/10
H01L 25/11
H01L 25/18
Claims (2)
- 【請求項１】 複数個の平形半導体素子と冷却体とを交
互に積層した積層体の両端に圧接支持体を配置し、この
圧接支持体の少なくとも一方に設けたボルトを介して前
記積層体の圧接力を負荷し、少なくとも１個のフレーム
でその圧接力を支持する平形半導体スタックにおいて、
前記フレームはテープ状の絶縁物を両端の圧接支持体に
連続して複数回巻きつけて長円形状に構成したことを特
徴とする平形半導体素子用スタック。 - 【請求項２】 前記フレームの長円形状の直線部分の一
部のみの積層したテープ状の絶縁物間に接着剤を注入し
てテープ状の絶縁物同士を接着したことを特徴とする請
求項１に記載の平形半導体素子用スタック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22386698A JP3476370B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 平形半導体素子用スタック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP22386698A JP3476370B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 平形半導体素子用スタック |
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| JP2000058747A JP2000058747A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3476370B2 true JP3476370B2 (ja) | 2003-12-10 |
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ID=16804943
Family Applications (1)
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| JP22386698A Expired - Lifetime JP3476370B2 (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 平形半導体素子用スタック |
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-08-07 JP JP22386698A patent/JP3476370B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2000058747A (ja) | 2000-02-25 |
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