JP3474638B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】固体撮像装置に関して、走査速度、感
度、ＳＮ（信号対雑音）比の特性を向上させるために、
ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏ
ｎ）方式が提案されている。 【０００３】図８は、ＴＤＩ方式で用いられる固体撮像
装置の一例の平面図を示している。入射光を受けて光電
変換により光を電子に変換するフォトダイオード等から
なる画素８１ａを複数個（ｍ個）直線状にならべた画素
列８１が、複数本（ｎ本）平行に配設されている。各画
素列は、それぞれ画素列に平行配置された転送電極８３
を有しており、画素列と転送電極が交互に配設された構
造となっている。 【０００４】これらの転送電極は、第ｋ列（１≦ｋ≦ｎ
−１）の転送電極に注目すると、図中において当該電極
の左側に隣接する第ｋ列の画素列の第ｉ行（１≦ｉ≦
ｍ）の画素から右側に隣接する第（ｋ＋１）列の画素列
の第ｉ行の画素へ、電荷を転送する。 【０００５】以下、第ｉ行、第ｊ列（１≦ｊ≦ｎ）の画
素を、画素（ｉ、ｊ）と表すことにする。 【０００６】このＴＤＩ方式の固体撮像装置において、
画素（１、１）で発生した信号電荷は、第１列の転送電
極８３を通して画素（１、２）へ移され、順次画素
（１、３）、（１、４）、…、（１、ｎ−１）、（１、
ｎ）まで転送され、さらに信号電荷転送部８４によって
ＣＣＤレジスタ８５に送られる。そして、この信号電荷
はＣＣＤレジスタ８５から出力部８６へ転送され、ここ
で適当な出力信号に変換されて出力される。 【０００７】ＴＤＩ方式で画像を読み取り走査する時、
画像はセンサ上を画素列に垂直な方向（Ａ）へ移動す
る。 【０００８】このとき、画素列間の電荷の転送速度は、
センサ上の画像走査速度と同期しており、ある画像に対
応する信号電荷には、常に同一の画像が照射される画素
にあり、対応する信号電荷を加算する。すなわち、ある
特定の画像部分からの入射光によって第１列の画素で発
生した信号電荷が第２列の画素に転送された時点におい
ては、この信号電荷を発生させた入射光は第２列の画素
に当たっており、ここでこの入射光によって発生した信
号電荷は第１列の画素で発生して転送されてきた信号電
荷に加算される。 【０００９】図９は、図８に示した固体撮像装置の画素
列及び転送部の走査方向の断面図で、図１０は図９に対
応した電位分布図、図１１は転送電極９３に印加される
パルス電圧を示す図である。ある特定の入射光によって
画素９１−１で発生した信号電荷は、図１１の転送パル
スによって転送部９３−１を通って画素９１−２へ転送
される。この信号電荷が、画素９１−２に転送された時
点において、この信号電荷に対応する入射光は画素９１
−２に当たっており、ここで発生した信号電荷が画素９
１−１から転送されてきた信号電荷に加算される。 【００１０】図９において、画素９１、電極９３内に
は、基板の不純物分布等を変化させて、電荷の逆流を防
止する電位障壁が設けられている。 【００１１】以上説明したように、ある画像部分からの
入射光によって発生した信号電荷は最後の第ｎ列まで順
次加算されていく。 【００１２】したがって、ある画像部分からの入射光に
対応する信号電荷を発生する画素の総面積は、合計で画
素ｎ個分となるので、高感度が得られる。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】ところで、画素読み取
り装置の解像度は画素列方向（Ｂ）と、画素列に垂直方
向（Ａ）で通常同じであるので、画素列内の画素ピッチ
（ｄＢ）と、画素列間のピッチ（ｄＡ）は同じでなけれ
ばならない。したがって、高解像度化等の要求から走査
ピッチが縮小されると、画素列に垂直方向（Ａ）の画素
開口幅は、転送電極４３があるため、狭ってゆき、逆に
感度と飽和電荷量が低下するという問題を生じる。 【００１４】例えば、図９で画素列のピッチを１０μ
ｍ、転送電極９３のバリア部長（９３ａ）を２μｍ、蓄
積部長（９３ｂ）を４μｍとすると、画素部のバリア部
長９１ａと蓄積部長９１ｂは２μｍしかとれず、感度低
下と、画素部の飽和電荷量が小さくなるという問題が生
じる。 【００１５】更に、画素列ピッチが小さくなると、画素
開口が取れなくなる場合もある。 【００１６】本発明の目的は、ＴＤＩ方式の固体撮像装
置において、走査ピッチが小さくなっても、感度の低下
を防止することができる固体撮像装置を提供することで
ある。 【００１７】 【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像装
置によれば、光電変換を行なう一次元状に配列された複
数の感光画素からなる複数の画素列と、隣接する画素列
のうち一方の画素列に蓄積又は発生した電荷を他方の画
素列へ転送する転送部とを備え、走査方向が上記画素列
と直交する方向である固体撮像装置において、上記画素
列間のピッチが上記感光画素の列方向のピッチのＮ倍
（Ｎは整数、２≦Ｎ、以下同様）であり、上記転送部
は、所定の蓄積期間に発生した電荷を感光画素ごとに
（Ｎ−１）組蓄積することができ、かつ、上記蓄積期間
以上の期間蓄積しておくことを特徴とする。 【００１８】走査方向が画素列に対して直交する方向で
あるＴＤＩ方式の固体撮像装置において、任意の第ｋ列
と第（ｋ＋１）列の画素列との間隔が、相互に隣接する
走査ライン間隔である走査ピッチ、即ち、感光画素の列
方向のピッチのＮ倍であり、この画素列間において（Ｎ
−１）組の電荷を蓄積可能な転送部は、Ｎ≧２のとき走
査ピッチの（Ｎ−１）倍以下の幅の領域に形成すること
が可能なので、走査ピッチを小さくしたときでも、画素
をほぼ走査ピッチ分の幅で形成できて有効面積の減少を
防止することができ、さらに、転送部は所定の蓄積期間
に発生した電荷を当該蓄積期間以上の期間蓄積しておく
ことができるので、転送中の特定の信号電荷に対応する
入射光が画素列の間に照射しているときは、電荷を転送
部に保持しておくことができる。 【００１９】 【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
について説明する。 【００２０】図１は、本発明の一実施例にかかる固体撮
像装置の概略構成を示す平面図である。同図から明らか
なように、この実施例では従来の固体撮像装置の１ピッ
チ分の幅を有する画素１ａを直線状に配列した画素列１
−１、１−２、…、１−（ｎ−１）、１−ｎを複数列平
行に配設し、これらの画素列の間隔が、画素列と直交す
る方向の走査ピッチの２倍となっている。また、任意の
隣接する画素列間には、信号電荷を一時蓄積することが
できる蓄積部２と転送電極３を配設している。 【００２１】図２は、図１の画素列及び転送部の走査方
向の拡大断面図、図３は図２に対応した電位分布図、図
４は、画素列間の電極に印加されるパルスタイミング図
である。 【００２２】この実施例における動作を説明する。第１
列の電荷について検討してみる。入射光が第１列の画素
列１−１（２１−１）に当たると、光電変換により信号
電荷が発生し、所定の期間この画素列１−１（２１−
１）に蓄積される（）。この時点ｔ1 において、蓄積
部２−１（２２−１）の下には、前のサイクルで転送さ
れた電荷′が蓄積されている。所定の光電期間終了
後、時刻ｔ2 に、蓄積部２−１（２２−１）に蓄積され
ている電荷′が電極３−１（２３−１）の下に移動し
（′）、次に時刻ｔ3 で、画素列１−１（２１−１）
の電荷は蓄積部２−１（２２−１）へ移動される
（）。時刻ｔ4 で電極３−１（２３−１）の下の電荷
′を第２列の画素列１−２（２１−２）に移動させ
る。最後に、蓄積部２−１（２２−１）の下に蓄積され
ていた電荷が、時刻ｔ5 で浅い位置′に移動され
る。 【００２３】この転送動作は、走査ピッチの１単位を走
査する時間、すなわち走査の１周期と同期して行われる
ので、特定の画像部分からの入射光が当たっている画素
列には、これと同一の入射光によって、当該画素列の１
列前までの画素列で発生した信号電荷が蓄積されてい
る。すなわち、ある時点において、第ｋ列の画素に特定
の画像部分からの入射光が当たっているとすると、この
画素には、第１列から第（ｋ−１）列までの画素で同一
の入射光によって発生し、順次転送されながら蓄積され
てきた信号電荷がすべて蓄積されている。この１周期後
には、当該入射光は、第ｋ列の画素列と第（ｋ＋１）列
の画素列との間にある第ｋ列の転送電極部に当たってい
る。このとき、この入射光による信号電荷は、この部分
の蓄積部に保持されている。 【００２４】このようにして、ある特定の画像部分から
の入射光によって、第１列から第ｎ列までの画素列にお
いて発生した信号電荷は、順次すべて加算された後、信
号電荷転送部４によってＣＣＤレジスタ５へ転送され、
さらに出力部６まで転送されて、ここで適当な出力信号
に変換されて出力される。 【００２５】したがって、ある画像部分からの入射光に
対応する信号電荷を発生する画素の総面積は、合計で画
素ｎ個分となるので、個々の画素の大きさが小さくても
高感度が得られる。 【００２６】以上の実施例においては画素列間のピッチ
を走査ピッチの２倍としているが、整数Ｎ倍（ただし、
２≦Ｎ）とすることができる。この場合、画素列間には
（Ｎ−１）組の蓄積部と転送部が設けられる。 【００２７】図９と同一寸法で電極２２、２３を形成し
たとすると図２に示す様に、画素２１−２の蓄積部は６
μｍとれ、十分な、飽和電荷量と感度が確保できる。 【００２８】図５、６、７に他の実施例を示す。図２に
比べ、画素５１、電極５２、５３の構造と駆動タイミン
グが異なる。信号電荷の転送は、ＣＣＤレジスタ５に近
い画素列から（５１−ｎ、５１−（ｎ−１）、…、５１
−２、５１−１）順次転送される。画素５１−１にある
電荷の転送動作は、まず、電極５３−１が開き、電極５
２−１下の電荷を次の画素列５１−２へ転送し、次に電
極５２−１を開閉し、５１−１の電荷を５２−１下へ移
す。 【００２９】図２に示すように画素部は１０μｍと図８
より大きく取れるが、駆動タイミングが複雑になる欠点
がある。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る固体
撮像装置においては、画素列間距離を、相互に隣接する
走査ライン間隔である走査ピッチ、即ち、感光画素の列
方向のピッチのＮ倍にし、画素幅を走査ピッチ分確保し
ているので、走査ピッチを縮小した場合でも十分な画素
の有効面積を得ることができ、また、画素列間に配設し
た転送部は所定の蓄積期間に発生した電荷を当該蓄積期
間以上の期間蓄積しておくことができるので、特定の画
像部分からの入射光によって発生した信号電荷を、転送
しながら順次加算していくことができ、高い感度と十分
な飽和電荷量を得ることができる。
る。 【０００２】 【従来の技術】固体撮像装置に関して、走査速度、感
度、ＳＮ（信号対雑音）比の特性を向上させるために、
ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏ
ｎ）方式が提案されている。 【０００３】図８は、ＴＤＩ方式で用いられる固体撮像
装置の一例の平面図を示している。入射光を受けて光電
変換により光を電子に変換するフォトダイオード等から
なる画素８１ａを複数個（ｍ個）直線状にならべた画素
列８１が、複数本（ｎ本）平行に配設されている。各画
素列は、それぞれ画素列に平行配置された転送電極８３
を有しており、画素列と転送電極が交互に配設された構
造となっている。 【０００４】これらの転送電極は、第ｋ列（１≦ｋ≦ｎ
−１）の転送電極に注目すると、図中において当該電極
の左側に隣接する第ｋ列の画素列の第ｉ行（１≦ｉ≦
ｍ）の画素から右側に隣接する第（ｋ＋１）列の画素列
の第ｉ行の画素へ、電荷を転送する。 【０００５】以下、第ｉ行、第ｊ列（１≦ｊ≦ｎ）の画
素を、画素（ｉ、ｊ）と表すことにする。 【０００６】このＴＤＩ方式の固体撮像装置において、
画素（１、１）で発生した信号電荷は、第１列の転送電
極８３を通して画素（１、２）へ移され、順次画素
（１、３）、（１、４）、…、（１、ｎ−１）、（１、
ｎ）まで転送され、さらに信号電荷転送部８４によって
ＣＣＤレジスタ８５に送られる。そして、この信号電荷
はＣＣＤレジスタ８５から出力部８６へ転送され、ここ
で適当な出力信号に変換されて出力される。 【０００７】ＴＤＩ方式で画像を読み取り走査する時、
画像はセンサ上を画素列に垂直な方向（Ａ）へ移動す
る。 【０００８】このとき、画素列間の電荷の転送速度は、
センサ上の画像走査速度と同期しており、ある画像に対
応する信号電荷には、常に同一の画像が照射される画素
にあり、対応する信号電荷を加算する。すなわち、ある
特定の画像部分からの入射光によって第１列の画素で発
生した信号電荷が第２列の画素に転送された時点におい
ては、この信号電荷を発生させた入射光は第２列の画素
に当たっており、ここでこの入射光によって発生した信
号電荷は第１列の画素で発生して転送されてきた信号電
荷に加算される。 【０００９】図９は、図８に示した固体撮像装置の画素
列及び転送部の走査方向の断面図で、図１０は図９に対
応した電位分布図、図１１は転送電極９３に印加される
パルス電圧を示す図である。ある特定の入射光によって
画素９１−１で発生した信号電荷は、図１１の転送パル
スによって転送部９３−１を通って画素９１−２へ転送
される。この信号電荷が、画素９１−２に転送された時
点において、この信号電荷に対応する入射光は画素９１
−２に当たっており、ここで発生した信号電荷が画素９
１−１から転送されてきた信号電荷に加算される。 【００１０】図９において、画素９１、電極９３内に
は、基板の不純物分布等を変化させて、電荷の逆流を防
止する電位障壁が設けられている。 【００１１】以上説明したように、ある画像部分からの
入射光によって発生した信号電荷は最後の第ｎ列まで順
次加算されていく。 【００１２】したがって、ある画像部分からの入射光に
対応する信号電荷を発生する画素の総面積は、合計で画
素ｎ個分となるので、高感度が得られる。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】ところで、画素読み取
り装置の解像度は画素列方向（Ｂ）と、画素列に垂直方
向（Ａ）で通常同じであるので、画素列内の画素ピッチ
（ｄＢ）と、画素列間のピッチ（ｄＡ）は同じでなけれ
ばならない。したがって、高解像度化等の要求から走査
ピッチが縮小されると、画素列に垂直方向（Ａ）の画素
開口幅は、転送電極４３があるため、狭ってゆき、逆に
感度と飽和電荷量が低下するという問題を生じる。 【００１４】例えば、図９で画素列のピッチを１０μ
ｍ、転送電極９３のバリア部長（９３ａ）を２μｍ、蓄
積部長（９３ｂ）を４μｍとすると、画素部のバリア部
長９１ａと蓄積部長９１ｂは２μｍしかとれず、感度低
下と、画素部の飽和電荷量が小さくなるという問題が生
じる。 【００１５】更に、画素列ピッチが小さくなると、画素
開口が取れなくなる場合もある。 【００１６】本発明の目的は、ＴＤＩ方式の固体撮像装
置において、走査ピッチが小さくなっても、感度の低下
を防止することができる固体撮像装置を提供することで
ある。 【００１７】 【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像装
置によれば、光電変換を行なう一次元状に配列された複
数の感光画素からなる複数の画素列と、隣接する画素列
のうち一方の画素列に蓄積又は発生した電荷を他方の画
素列へ転送する転送部とを備え、走査方向が上記画素列
と直交する方向である固体撮像装置において、上記画素
列間のピッチが上記感光画素の列方向のピッチのＮ倍
（Ｎは整数、２≦Ｎ、以下同様）であり、上記転送部
は、所定の蓄積期間に発生した電荷を感光画素ごとに
（Ｎ−１）組蓄積することができ、かつ、上記蓄積期間
以上の期間蓄積しておくことを特徴とする。 【００１８】走査方向が画素列に対して直交する方向で
あるＴＤＩ方式の固体撮像装置において、任意の第ｋ列
と第（ｋ＋１）列の画素列との間隔が、相互に隣接する
走査ライン間隔である走査ピッチ、即ち、感光画素の列
方向のピッチのＮ倍であり、この画素列間において（Ｎ
−１）組の電荷を蓄積可能な転送部は、Ｎ≧２のとき走
査ピッチの（Ｎ−１）倍以下の幅の領域に形成すること
が可能なので、走査ピッチを小さくしたときでも、画素
をほぼ走査ピッチ分の幅で形成できて有効面積の減少を
防止することができ、さらに、転送部は所定の蓄積期間
に発生した電荷を当該蓄積期間以上の期間蓄積しておく
ことができるので、転送中の特定の信号電荷に対応する
入射光が画素列の間に照射しているときは、電荷を転送
部に保持しておくことができる。 【００１９】 【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
について説明する。 【００２０】図１は、本発明の一実施例にかかる固体撮
像装置の概略構成を示す平面図である。同図から明らか
なように、この実施例では従来の固体撮像装置の１ピッ
チ分の幅を有する画素１ａを直線状に配列した画素列１
−１、１−２、…、１−（ｎ−１）、１−ｎを複数列平
行に配設し、これらの画素列の間隔が、画素列と直交す
る方向の走査ピッチの２倍となっている。また、任意の
隣接する画素列間には、信号電荷を一時蓄積することが
できる蓄積部２と転送電極３を配設している。 【００２１】図２は、図１の画素列及び転送部の走査方
向の拡大断面図、図３は図２に対応した電位分布図、図
４は、画素列間の電極に印加されるパルスタイミング図
である。 【００２２】この実施例における動作を説明する。第１
列の電荷について検討してみる。入射光が第１列の画素
列１−１（２１−１）に当たると、光電変換により信号
電荷が発生し、所定の期間この画素列１−１（２１−
１）に蓄積される（）。この時点ｔ1 において、蓄積
部２−１（２２−１）の下には、前のサイクルで転送さ
れた電荷′が蓄積されている。所定の光電期間終了
後、時刻ｔ2 に、蓄積部２−１（２２−１）に蓄積され
ている電荷′が電極３−１（２３−１）の下に移動し
（′）、次に時刻ｔ3 で、画素列１−１（２１−１）
の電荷は蓄積部２−１（２２−１）へ移動される
（）。時刻ｔ4 で電極３−１（２３−１）の下の電荷
′を第２列の画素列１−２（２１−２）に移動させ
る。最後に、蓄積部２−１（２２−１）の下に蓄積され
ていた電荷が、時刻ｔ5 で浅い位置′に移動され
る。 【００２３】この転送動作は、走査ピッチの１単位を走
査する時間、すなわち走査の１周期と同期して行われる
ので、特定の画像部分からの入射光が当たっている画素
列には、これと同一の入射光によって、当該画素列の１
列前までの画素列で発生した信号電荷が蓄積されてい
る。すなわち、ある時点において、第ｋ列の画素に特定
の画像部分からの入射光が当たっているとすると、この
画素には、第１列から第（ｋ−１）列までの画素で同一
の入射光によって発生し、順次転送されながら蓄積され
てきた信号電荷がすべて蓄積されている。この１周期後
には、当該入射光は、第ｋ列の画素列と第（ｋ＋１）列
の画素列との間にある第ｋ列の転送電極部に当たってい
る。このとき、この入射光による信号電荷は、この部分
の蓄積部に保持されている。 【００２４】このようにして、ある特定の画像部分から
の入射光によって、第１列から第ｎ列までの画素列にお
いて発生した信号電荷は、順次すべて加算された後、信
号電荷転送部４によってＣＣＤレジスタ５へ転送され、
さらに出力部６まで転送されて、ここで適当な出力信号
に変換されて出力される。 【００２５】したがって、ある画像部分からの入射光に
対応する信号電荷を発生する画素の総面積は、合計で画
素ｎ個分となるので、個々の画素の大きさが小さくても
高感度が得られる。 【００２６】以上の実施例においては画素列間のピッチ
を走査ピッチの２倍としているが、整数Ｎ倍（ただし、
２≦Ｎ）とすることができる。この場合、画素列間には
（Ｎ−１）組の蓄積部と転送部が設けられる。 【００２７】図９と同一寸法で電極２２、２３を形成し
たとすると図２に示す様に、画素２１−２の蓄積部は６
μｍとれ、十分な、飽和電荷量と感度が確保できる。 【００２８】図５、６、７に他の実施例を示す。図２に
比べ、画素５１、電極５２、５３の構造と駆動タイミン
グが異なる。信号電荷の転送は、ＣＣＤレジスタ５に近
い画素列から（５１−ｎ、５１−（ｎ−１）、…、５１
−２、５１−１）順次転送される。画素５１−１にある
電荷の転送動作は、まず、電極５３−１が開き、電極５
２−１下の電荷を次の画素列５１−２へ転送し、次に電
極５２−１を開閉し、５１−１の電荷を５２−１下へ移
す。 【００２９】図２に示すように画素部は１０μｍと図８
より大きく取れるが、駆動タイミングが複雑になる欠点
がある。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る固体
撮像装置においては、画素列間距離を、相互に隣接する
走査ライン間隔である走査ピッチ、即ち、感光画素の列
方向のピッチのＮ倍にし、画素幅を走査ピッチ分確保し
ているので、走査ピッチを縮小した場合でも十分な画素
の有効面積を得ることができ、また、画素列間に配設し
た転送部は所定の蓄積期間に発生した電荷を当該蓄積期
間以上の期間蓄積しておくことができるので、特定の画
像部分からの入射光によって発生した信号電荷を、転送
しながら順次加算していくことができ、高い感度と十分
な飽和電荷量を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる固体撮像装置の一実施例を示す
平面図。 【図２】図１に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列及び転送部の走査方向の拡大断面
図。 【図３】図２に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列及び転送部の走査方向の拡大断面
に対応した電位分布図。 【図４】図２に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列間の電極に印加されるパルスタイ
ミング図。 【図５】本発明にかかる固体撮像装置の他の実施例にお
ける走査方向の断面図。 【図６】図５に記載の本発明にかかる固体撮像装置の他
の実施例の断面部分における電位分布図。 【図７】図５に記載の本発明にかかる固体撮像装置の他
の実施例におけるパルスタイミング図。 【図８】従来技術にかかるＴＤＩ方式の固体撮像装置を
示す平面図。 【図９】図８に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の固
体撮像装置における走査方向の断面図。 【図１０】図９に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の
固体撮像装置における走査方向の断面に対応した電位分
布図。 【図１１】図９に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の
固体撮像装置の転送電極９３に印加されるパルス電圧を
示す図。 【符号の説明】 １−１、１−２、…、１−（ｎ−１）、１−ｎ 画素列 １ａ 画素 ２−１、２−２、…、２−（ｎ−１） 蓄積部 ３−１、３−２、…、３−（ｎ−１） 転送電極 ４ 信号電荷転送部 ５ ＣＣＤレジスタ ６ 出力部 ２１−１、２１−２ 画素 ２２−１、２２−２ 蓄積部の電極 ２３−１、２３−２ 転送電極 ５１−１、５１−２ 画素 ５２−１、５２−２ 蓄積部の電極 ５３−１、５３−２ 転送電極 ８１ 画素列 ８１ａ 画素 （１、１）、（１、２）、（１、３）、（１、４）、
…、…、（１、ｎ−１）、（１、ｎ） 画素 ８３ 転送電極 ８８ 信号電荷転送部 ８５ ＣＣＤレジスタ ８６ 出力部 ９１−１、９１−２ 画素 ９３−１、９３−２ 転送部 ９１ａ 画素部のバリア部長 ９１ｂ 画素部の蓄積部長 ９３ａ 転送電極のバリア部長 ９３ｂ 転送電極の蓄積部長
平面図。 【図２】図１に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列及び転送部の走査方向の拡大断面
図。 【図３】図２に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列及び転送部の走査方向の拡大断面
に対応した電位分布図。 【図４】図２に記載の本発明にかかる固体撮像装置の一
実施例における画素列間の電極に印加されるパルスタイ
ミング図。 【図５】本発明にかかる固体撮像装置の他の実施例にお
ける走査方向の断面図。 【図６】図５に記載の本発明にかかる固体撮像装置の他
の実施例の断面部分における電位分布図。 【図７】図５に記載の本発明にかかる固体撮像装置の他
の実施例におけるパルスタイミング図。 【図８】従来技術にかかるＴＤＩ方式の固体撮像装置を
示す平面図。 【図９】図８に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の固
体撮像装置における走査方向の断面図。 【図１０】図９に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の
固体撮像装置における走査方向の断面に対応した電位分
布図。 【図１１】図９に記載の従来技術にかかるＴＤＩ方式の
固体撮像装置の転送電極９３に印加されるパルス電圧を
示す図。 【符号の説明】 １−１、１−２、…、１−（ｎ−１）、１−ｎ 画素列 １ａ 画素 ２−１、２−２、…、２−（ｎ−１） 蓄積部 ３−１、３−２、…、３−（ｎ−１） 転送電極 ４ 信号電荷転送部 ５ ＣＣＤレジスタ ６ 出力部 ２１−１、２１−２ 画素 ２２−１、２２−２ 蓄積部の電極 ２３−１、２３−２ 転送電極 ５１−１、５１−２ 画素 ５２−１、５２−２ 蓄積部の電極 ５３−１、５３−２ 転送電極 ８１ 画素列 ８１ａ 画素 （１、１）、（１、２）、（１、３）、（１、４）、
…、…、（１、ｎ−１）、（１、ｎ） 画素 ８３ 転送電極 ８８ 信号電荷転送部 ８５ ＣＣＤレジスタ ８６ 出力部 ９１−１、９１−２ 画素 ９３−１、９３−２ 転送部 ９１ａ 画素部のバリア部長 ９１ｂ 画素部の蓄積部長 ９３ａ 転送電極のバリア部長 ９３ｂ 転送電極の蓄積部長
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】光電変換を行なう一次元状に配列された複
数の感光画素からなる複数の画素列と、 隣接する画素列のうち一方の画素列に蓄積又は発生した
電荷を他方の画素列へ転送する転送部とを備え、 走査方向が前記画素列と直交する方向である固体撮像装
置において、 前記画素列間のピッチが前記感光画素の列方向のピッチ
のＮ倍（Ｎは整数、２≦Ｎ、以下同様）であり、 前記転送部は、所定の蓄積期間に発生した電荷を感光画
素ごとに（Ｎ−１）組蓄積することができ、かつ、前記
蓄積期間以上の期間蓄積しておくことを特徴とする固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14961294A JP3474638B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14961294A JP3474638B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818867A JPH0818867A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3474638B2 true JP3474638B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=15479019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14961294A Expired - Fee Related JP3474638B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3474638B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| FR2960341B1 (fr) * | 2010-05-18 | 2012-05-11 | E2V Semiconductors | Capteur d'image matriciel a transfert de charges a grille dissymetrique. |
| FR2990299B1 (fr) * | 2012-05-03 | 2014-05-09 | E2V Semiconductors | Capteur d'image matriciel a transfert de charges bidirectionnel a grilles dissymetriques |
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-
1994
- 1994-06-30 JP JP14961294A patent/JP3474638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818867A (ja) | 1996-01-19 |
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