JP3474201B2 - 化学蒸着のための試薬供給容器 - Google Patents

化学蒸着のための試薬供給容器

Info

Publication number
JP3474201B2
JP3474201B2 JP52795298A JP52795298A JP3474201B2 JP 3474201 B2 JP3474201 B2 JP 3474201B2 JP 52795298 A JP52795298 A JP 52795298A JP 52795298 A JP52795298 A JP 52795298A JP 3474201 B2 JP3474201 B2 JP 3474201B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reagent
liquid
container
level sensor
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP52795298A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001503106A (ja
Inventor
ブンチャード，フレッド
Original Assignee
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド filed Critical アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Publication of JP2001503106A publication Critical patent/JP2001503106A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3474201B2 publication Critical patent/JP3474201B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B67—OPENING, CLOSING OR CLEANING BOTTLES, JARS OR SIMILAR CONTAINERS; LIQUID HANDLING
    • B67D—DISPENSING, DELIVERING OR TRANSFERRING LIQUIDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B67D7/00—Apparatus or devices for transferring liquids from bulk storage containers or reservoirs into vehicles or into portable containers, e.g. for retail sale purposes
    • B67D7/02—Apparatus or devices for transferring liquids from bulk storage containers or reservoirs into vehicles or into portable containers, e.g. for retail sale purposes for transferring liquids other than fuel or lubricants
    • B67D7/0238—Apparatus or devices for transferring liquids from bulk storage containers or reservoirs into vehicles or into portable containers, e.g. for retail sale purposes for transferring liquids other than fuel or lubricants utilising compressed air or other gas acting directly or indirectly on liquids in storage containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008—Feed or outlet control devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B67—OPENING, CLOSING OR CLEANING BOTTLES, JARS OR SIMILAR CONTAINERS; LIQUID HANDLING
    • B67D—DISPENSING, DELIVERING OR TRANSFERRING LIQUIDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B67D7/00—Apparatus or devices for transferring liquids from bulk storage containers or reservoirs into vehicles or into portable containers, e.g. for retail sale purposes
    • B67D7/06—Details or accessories
    • B67D7/32—Arrangements of safety or warning devices; Means for preventing unauthorised delivery of liquid
    • B67D7/3245—Arrangements of safety or warning devices; Means for preventing unauthorised delivery of liquid relating to the transfer method
    • B67D7/3263—Arrangements of safety or warning devices; Means for preventing unauthorised delivery of liquid relating to the transfer method using a pressurised gas acting directly or indirectly on the bulk of the liquid to be transferred
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、概略的には、液体がガス加圧容器から浸漬
チューブ液体流出導管を経由して分配され、且つ容器の
下方に伸び、その底面のわずか手前に末端があるセンサ
ーにより液体レベルが検知され得るタイプの閉鎖型容器
液体試薬分配アッセンブリー（組立体）に関するもので
ある。
関連技術の説明 液体試薬を気化器に供給するための液体供給システム
であって、前記液体が気化器により気化され、そして試
薬蒸気から基板上に所望の材料層を形成するために化学
蒸着反応槽へ通される上記システムを使用する化学蒸着
の分野において、使用される液体試薬はしばしば高価で
ある。
このことは、化学蒸着操作において析出されるべき材
料が貴金属または希元素であるか、または液体試薬の合
成が困難である、及び／または液体試薬自身の合成に費
用が嵩む場合に特にあてはまる。例として、半導体及び
超伝導体デバイスやそれらの中間構造体を製造する液体
供給化学蒸着のための多くの液体試薬、例えば液体供給
源化合物、及び可溶性または懸濁性供給源化合物、例え
ば、白金、金、チタン、鉛、パラジウム、ジルコニウ
ム、ビスマス、ストロンチウム、バリウム、カルシウ
ム、アンチモン、タリウム、タンタル等が挙げられる。
そのような液体試薬が高価であることから、所定の応
用において試薬の利用を最大限にすること、及び貴重な
液体試薬材料の無駄または損失を最小限にすることが明
らかに望ましい。
液体供給化学蒸着操作に使用される慣用の供給容器ア
ッセンブリーは、典型的には、液体試薬を保持するため
の、内部の底面と壁面とにより閉ざされた、内部容積を
規定する底部及び壁部を含む密閉容器からなる。この容
器には該容器の内部容積中に加圧ガスを導入するための
加圧ガス供給手段が連結され、それにより容器からの液
体試薬を加圧により分配する。そのために、容器は、該
容器中の液体試薬の容量に圧力を加えて分配条件下で容
器から液体の排出を引き起こす、加圧ガスの供給源に導
管により結合される「加圧ポスト」または入口管、例え
ば窒素、アルゴン、または他の適当なガス種等の置換ガ
スを含有する高圧ガスシリンダーを備えていてもよい。
液体は上記容器から、容器の上側及び外側に伸びて設
置されている「浸漬チューブ」または液体排出チューブ
により、容器内部容積の平坦またはほぼ平面の底表面に
きわめて接近している下部開口端から排出される。分配
条件下での液体試薬の上記加圧はそれにより、例えば化
学蒸着装置のための気化器を供給するライン中に、浸漬
チューブの下部開口端中そして容器外への排出のために
そこから上方へ液体試薬の流れを引き起こし、それによ
り試薬供給源蒸気が形成され、引き続き化学蒸着反応槽
へその中の基板上に材料層の析出のために導入される。
上記のような従来の液体試薬容器はまた、内部容積中
を下方に伸びそして容器の内部容積の底表面のごく近傍
の下端で終結しているタイプの液体レベルセンサーが備
えられている。該センサーは液体が使い尽くされる際の
液体レベルを検出するように設計されている。
液体レベルセンサー及び浸漬チューブは適度に機能す
るためにはある程度の液体の高さを必要とする。液体レ
ベルが低すぎる場合、レベルセンサーは機能を停止し、
そしてより重大なことにガスが浸漬チューブに圧力を加
え得る。「迂回」ガスは気化されるべき液体を排出液と
するので、浸漬チューブへのガスの通過は液体供給の際
には望ましくない。結果として、気化器は過熱するか、
またはホットスポットを生じ、そして下流では所望の流
れまたは供給蒸気の流速が損なわれ、化学量論的または
組成通りであるべき析出材料に欠陥を引き起こすか、ま
たは意図する目的に使用できなくさせる。
この問題を解決するため、液体レベルが常に液体レベ
ル検知に十分な高さであるように、容器に最初に供給さ
れた液体試薬容量の80−90％のみを利用することが従来
の実務であったが、これは試薬液体の初期容量の10−20
％が使用されない（そしてそれゆえに廃棄される）こと
を意味する。半導体製造法は気化された供給源材料から
ウェーハ基板上への構成材料の析出に関してバッチ形式
で操作されるので、供給容器からの使用されない試薬は
半導体製造プラントからの全体的な廃棄物の一部とな
る。
液体試薬が高価で貴重である場合、液体試薬のそのよ
うな廃棄は加工の経済的側面に厳しい打撃を与え、そし
て廃棄液の処理やその環境への影響の点で重大な負荷と
なる。
従って、従来技術の液体試薬供給手段及び方法に比
べ、液体試薬の利用を増加し、かつそれに応じて廃棄物
を減少する改良された液体試薬供給手段及び方法を提供
することは当業界で顕著な進歩となるであろうし、それ
故に本発明の目的である。
本発明の他の目的及び利点は下記の開示及び添付の請
求の範囲から十分に明らかであろう。
発明の要約 本発明は、液体試薬がガス加圧容器から浸漬チューブ
液体流出導管を経由して分配され、そして浸漬チューブ
液体流出導管の下端が配置されている液だめ窪みをガス
加圧容器の底部に設けている、液体試薬を分配するため
の装置に関するものである。
このような配置は従来の平底型容器構造に比べ、液体
のより高い利用性を達成する。
具体的な観点においては、本発明は、底部、及び内部
壁面と底部表面により閉鎖された内部容積を有するガス
加圧容器、 該ガス加圧容器から液体を流出するための浸漬チュー
ブ液体流出導管であって、容器の内部容積中を下方に向
かって内部容積の下部に設置された浸漬チューブの下端
まで延びている浸漬チューブ、 容器内部容積中の液体試薬レベルを検知するための液
体レベルセンサー、 底部の表面から下方に伸びる窪みをその中に有する容
器の底部、 及び該窪み内に配置されている浸漬チューブの下端か
らなる液体試薬分配アッセンブリーに関する。
そのようなアッセンブリーにおいて、液体レベルセン
サーは、例えば、下方に伸び、そして液だめ窪み構造体
に配置された下端で終わるセンサー部を包含してもよ
い。
一つの態様において、液だめ窪みは浸漬チューブの下
端を含む一つの穴（ウェル）と液体センサー部の下端を
含む他の穴とを有する、容器の底部にある二重壁構造と
して配置されている。
液体試薬分配アッセンブリーは他の態様において、浸
漬チューブ液体排出導管を、気化器及び化学蒸着室を有
する液体供給化学蒸着システムと、試薬液体が流れるよ
うに連結する液体試薬流路を含んでいてもよい。
液だめ窪みはわずかな部分、例えば容器底表面の断面
の面積の25％以下を占めるのが適当であり、そして容器
の底部の機械加工、ミーリング、掘削またはルーチング
により容易に構築され得る。
本発明の試薬供給容器アッセンブリーは、例えば、供
給容器からの液体試薬が気化器に通され、そして気化さ
れて、供給源蒸気から中の基板上に材料層の析出のため
の化学蒸着室に流される供給源蒸気を形成する化学蒸着
系（システム）を包含する広範囲のプロセス系において
使用され得る。
本発明の他の面、特徴及び態様は下記の開示及び添付
の請求の範囲から十分に明らかであろう。
図面の簡単な説明 図１は本発明を説明する態様に係る正面図及び部分断
面図として示された試薬供給容器を含む化学蒸着装置の
説明図である。
図２は図１の２−２線に沿って切断された図１の試薬
供給容器の横断面図である。
発明の詳細な説明及びその好ましい態様 図面を参照すると、図１は本発明を説明する態様に係
る正面図及び部分断面図として示された試薬供給容器ア
ッセンブリーを含む化学蒸着装置10の説明図である。
この装置において、試薬供給容器12は、例えば四角形
または他の非環状断面の閉鎖側壁構造を一体となって規
定する筒状または壁部から構成され得る側壁部14、上壁
部16及び底部18を有する。側壁部、上壁部及び底部は容
器の囲まれた内部容積20を規定し、操作の際に、気−液
界面で液面26を規定する液体24の上層のガス空間22を有
していてもよい。
本発明に従って、図１に示されるような主底面34を有
する底部18はその中に液だめ窪み28が設けられている。
液だめ窪み28は主底面34から下方に底部18中へ伸び、そ
して副底面32と窪みの境界側壁面30により囲まれてい
る。
試薬供給容器12は加圧ガス導入手段を備えており、示
された態様では試薬供給容器の内部容積中への加圧ガス
の流れを制御するために取り付けたガス流制御バルブ38
を有する加圧ガス供給チューブ36を含む。ガス供給チュ
ーブ36は図示されるように容器の上壁部16において適当
な開口部を介して通り、そして内部容積のガス空間22中
の開口下端40で終結していてよい。
ガス供給チューブ36はガス供給ユニット50から供給ラ
イン52への連結部37により結合され、供給ユニット50か
らの加圧ガスが供給ライン52を介してガス供給チューブ
36へ流れ、そして該ガス供給チューブの開口下端40で容
器のガス空間22において排出され、下でより詳細に記載
される液体の分配のための液体24の表面26に圧力を加え
る。ガス供給ユニット50は供給ライン52に加圧ガス、例
えば窒素、アルゴン、酸素等を供給する、例えば高圧ガ
スシリンダー、低温空気分離プラントまたは圧力スイン
グ空気分離装置等のあらゆるタイプのものであってよ
い。
容器12はまた、該容器の内部容積中の下部開口端46か
ら、液体供給ライン54に結合される容器外部の上部端に
伸びる浸漬チューブ42を備えている。浸漬チューブは従
って容器の上部壁部16を介して通り、そしてライン54に
浸漬チューブを介して流される分配液の流速を選択的に
調節するために図示されるように流れ制御バルブ44に連
結されている。浸漬チューブ下部開口端46は副底面32の
ごく近傍に設置される。浸漬チューブの下部開口端46と
副底面との間の空間は、下部開口端46が浸漬チューブの
内部通路への液体24の流れを妨げることなく副底面にで
きるだけ近接するように選択される。例えば、浸漬チュ
ーブの下端は、高レベル、例えば容器中に含まれる液体
の少なくとも90％がガス迂回（バイパス）なしに分配さ
れることを可能にするように、液だめ窪みの副底面に十
分に接近していてもよい。
浸漬チューブの下部開口端46と副底面32との間の正確
な間隙は分配される液体の粘度、化学蒸着装置の操作に
望ましい液体の流出フロー速度、浸漬チューブの内径、
浸漬チューブの内面の粗さ等の種々の因子に依存する
が、本発明の特定の最終用途のための適当な間隙寸法を
選択するためには、設計試験容器の垂直方向に調整可能
な浸漬チューブを用いての連続試行において間隙寸法を
変化させ、且つそれに関連する外部フロー、圧力低下等
を決定する単純な手段により、過度の実験を行うことな
く決定され得る。
液体供給ライン54はこのようにして試薬供給容器12か
ら浸漬チューブ42により排出される液体試薬を受け、そ
して化学蒸着装置のための気化器56にそれを流す。気化
器56において供給容器12からの液体試薬は気化されて、
次の蒸着操作のための供給源蒸気を形成する。気化器56
はまた、液体試薬の気化により生成される供給源蒸気と
結合するか、または該蒸気を包み込むためにキャリアガ
スを受容してもよい。また、供給源蒸気は下流の蒸着操
作に適切な形態で通されてもよい。
あらゆる場合において、気化器56からの供給源蒸気は
蒸気供給ライン58中を化学蒸着室60に流される。化学蒸
着室60において、ウェーハ64または他の基材部品は加熱
可能なサセプタ62または他の実装構造に蒸気供給ライン
58から上記室へ導入される供給源蒸気を受容するように
取り付けられる。蒸気はウェーハ64と接触され、供給源
蒸気の所望の成分をその上に析出し、そしてウェーハ上
に得られる材料層または析出物を形成する。化学蒸着か
らの流出ガスは流出ライン66において室60から排出さ
れ、そして再利用、回収、廃棄処理、廃棄、または他の
処理のために通過させてもよい（図１には示していな
い）。
試薬供給容器12に再び言及すると、該容器は上部70か
ら容器の上部壁部16にあるカラー72を介して下方に、容
器の液だめ窪み28の副底面32のごく近傍にある下端74に
伸びる液体レベルセンサー48を備えている。液体レベル
センサー48の上部70は、センサー48からの検知された液
体レベル信号を装置の動作の間に中央処理ユニットに伝
達するために液体レベル検知信号伝達ライン88により中
央処理ユニット90に連結されている。
適当なマイクロプロッセッサー、コンピューターまた
は他の適当な制御手段を含み得る中央処理ユニット90は
また、バルブ38を選択的に調整し、そして試薬供給容器
への加圧ガスの流れを制御するために、制御信号伝達ラ
イン92によりバルブ38に（例えば適当なバルブ作動器を
介して，図１の説明図には示していない）結合されてい
る。
中央処理ユニット90はまた、気化器56への容器12から
の試薬液体の流れを制御するために、制御信号伝達ライ
ン94により液体分配制御バルブ44に（例えば適当なバル
ブ作動器を介して，図１の説明図には示していない）結
合されている。
図１に示されるように、液だめ窪み28は、主底面34の
平面から副底面32までの垂直方向の距離として測定され
る深さｔを有し、これは底部18の厚さＴとの関係におい
て重要である。この配置により、浸漬チューブ42の下端
46及び液体レベルセンサー48の下端74はそれぞれ液だめ
窪み副底面のごく近傍に配置されているので、液だめ窪
み中の液体の副容量中において作動し、それにより容器
中に供給された液体24の利用の範囲を増加させる。
図２は図１の２−２線に沿って切断された図１の液体
試薬供給容器12の横断面図である。この説明的態様にお
いて、液だめ窪み28は上方から見ておおよそ犬の骨型ま
たはダンベル型であり、浸漬チューブ用穴80、液体レベ
ルセンサー用穴82及びこれらの穴80及び82を互いに連結
するヨーク通路84からなる。
上方から見ると、液だめ窪み28は容器の断面の底面積
のわずかな一部を占める。一般に、液だめ窪みの上記平
面の断面積は容器底面の全断面積の約25％未満が好まし
く、特に容器底面の全断面積の約15％未満が好ましい。
例えば、液だめ窪みの断面積は容器の全断面積（底面
積）の約５ないし約20％の範囲であってよい。液だめ窪
みの側壁は傾斜していても、まっすぐでも、または他の
あらゆる幾何学もしくは向きであってもよい。
本発明の実施において、液だめ窪みの形状、幾何学及
び寸法等の形状は実際に広範囲に変化し得る。
例えば、液だめ窪みはそれぞれの浸漬チューブ及び液
体レベルセンサー下端部に対する別々の穴からなる。こ
れらの穴は供給容器の底部を介して伸び、そして穴の副
底面の隣の穴とそれぞれの端部で連結する通路により互
いに連絡され得る。そのような内部連結通路は、例えば
ほぼ水平に伸びる通路であるか、または例えば容器の底
部のそれぞれの穴の間のＵ字型または圧力計型の通路か
ら構成されていても、または液だめ窪みの壁または構成
部を連結するためのあらゆる他の適当な形状及び配置を
有してもよい。また、それぞれの穴は場合により別れ
て、そして内部連結していなくてもよく、容器の底部に
おける分離した穿孔（ボア）または通路として設けられ
てもよい。
液だめ窪みは、鋳造、成形、エッチング、機械加工
（ドリル，ミーリング，電気アーク機械加工など）のあ
らゆる適当な製造方法または液体試薬供給容器の内部容
積の下部において減じられた断面積の液体保持容量を提
示する底部における窪み構造を与えるあらゆる他の方法
により、液体試薬供給容器の底部に形成され得る。その
ようにして液体の所定量は、その全体の垂直方向の高さ
にわたり一様な断面積の内部容積をもつ場合に比べ、よ
り大きい高さを占めるようになる。
いくつかの場合において、図に示されたタイプ以外の
センサ、つまりこの実施例で示されたようにはセンサー
が下部まで容器中において下方に伸びないが、しかし、
例えばフロートセンサー機構によるか、または容器中の
液体レベルを超音波または光学で検知するなどの別の方
法で液体レベルを検知またはモニターするタイプの液体
レベルセンサーを利用することが望ましいかもしれな
い。そのような例において、液体レベルセンサーは液だ
め窪みに位置または場所を必要とせず、そして液だめ窪
みはその中に浸漬チューブのみを収容するために大きさ
が合わされ、調整されることが可能である。それにより
液だめ窪みの容量及び断面をさらに最小化することがで
きる。
しかしながら、容器内部容積の下部に設置された下端
まで容器中を下方に伸びるセンサー素子を含むタイプの
液体レベルセンサーを利用する図１及び２に示された配
置は、単純で、信頼度が高く、そして低コストの故に一
般に好ましい。
図１及び２を参照して説明される装置を操作する場
合、液体試薬は供給容器12中に入れられ、そして加圧は
ガス供給ユニット50からガス供給ライン52を介してガス
供給チューブ36に流され、そこからガス供給チューブの
開口端40で容器12の内部容積20中のガス空間22中に排出
される。加圧ガスは液体24を浸漬チューブ42の下端46中
に送り出し、液体24はそこからライン54中を流れ、そし
てその中を気化のために気化器56に通される。
気化器56中での液体試薬の気化の後、得られた試薬蒸
気は化学蒸着室60へライン58中を流れ、基板64上に所望
の材料層を析出または蒸着させて、そして排流出ライン
66中を流れ化学蒸着室60から排出蒸気を流出させる。
この動作の間に、容器12中の液体24の液体レベルは液
体レベルセンサー48により検出される。液体表面26によ
り規定される液体レベルは徐々に下がり、そして液だめ
窪み28中では、最小の液体上端（ヘッド）（液だめ窪み
中の液体の高さ）まで均等に低下し、その点で、中央処
理ユニット90は、液体レベル検知信号伝達ライン88によ
り、対応する検知液体レベル信号を受け取る。中央処理
ユニット90はそれに応じて制御信号伝達ライン92におけ
る制御信号をバルブ38に送り、該バルブを閉じ、試薬供
給容器への加圧ガスの流れを止め、そして同時に制御信
号伝達ライン94における制御信号を伝達し、液体分配制
御バルブ44を閉じ、気化器への容器12からの試薬液体の
流れを止める。
従来の試薬供給容器の特徴であるより大きい断面の、
より低い高さの液容量と比べて、減じられた断面での液
体供給動作の終了時において、この発明による液だめ窪
みにおいて液体容量の高さを増加した状態で動作するこ
とにより、液体センサーはこれまで可能であったものに
比べ完全な液体利用性により近い段階まで液体試薬をモ
ニターすることができる。
同時に、容器の液だめ窪み中の浸漬チューブ液体流出
導管の下部入口端の設置により、従来の実施において可
能であったものに比べ、容器の液体内容物を完全な消費
により近づくまで液体の流れを継続させることが可能と
なり、目詰まりや液体流出導管への加圧ガスの迂回の危
険性がない。
本発明の手段及び方法は、このように、液体試薬の供
給及び分配のためのシステムを供給することにおいて当
業界で実質的な進歩を達成する、即ち、最初に充填され
た液体試薬の容量の95−98％が、液体試薬が選択的に分
配される用途において利用可能となる。
これにしたがい、半導体及び超伝導製品の製造等の作
業において、本発明の手段及び方法によると、分配容器
中に最初に満たされた容量のわずか２−５％の低レベル
まで液体試薬の非利用分を減らすことができる。
従って、本発明の実施は液体供給及び分配システム、
及び分配される液体が使用される方法の経済的側面を顕
著に改善する。いくつかの例における本発明は、実際的
な問題として従来技術の実際の無駄なレベル特性により
使用できなかった液体試薬をコスト的に効果的に利用す
ることを可能にし得るのである。
本発明のその他の利点として、従来のものに比し、分
配操作の終了時に供給容器中の液体残留量が減少される
ので、使いきった供給容器をプロセスシステムから取り
出して交換しそして他のプロセスのための別の容器に取
り替える間の切り替え時間を、対応する従来のものに比
べ、最初に充填された液体の増加した利用の故に供給容
器に対するより長い稼働時間の結果として最小限にする
ことが可能になる。
産業上の利用可能性 本発明の密閉容器分配アッセンブリーは半導体材料及
びデバイスの製造の際に薄膜材料の析出のための液体供
給化学蒸着システムに試薬を供給するたに有効に使用さ
れ得る。
そのような応用において、上記分配アッセンブリーは
容器から試薬液体の高程度の吸引を可能にし、供給され
た試薬の使用を最大限にし、かつ分配作業の終了時に容
器中の液体の残留を最小限とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−239652（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−97222（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−45275（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/448 B01J 4/00 - 7/02 B65D 83/00 H01L 21/205 H01L 21/31

Claims (27)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】底部と、内壁面及び底部表面により囲まれ
    た内部容積と、を有するガス加圧容器と、 該ガス加圧容器から液体を流出するための浸漬チューブ
    液体流出導管であって、容器の内部容積中を下方に向け
    て、該浸漬チューブが浸漬チューブの下端まで延びてい
    る浸漬チューブ流体流出導管と、 液体の流出動作中に、容器の内部容積中の液体試薬レベ
    ルをモニターするための液体レベルセンサーであって、
    容器の内部容積中を下方に向けて延び、該液体レベルセ
    ンサーの下端にて終わるセンサー素子を備える液体レベ
    ルセンサーと、を備える液体試薬分配アッセンブリーに
    おいて、 容器の底部が容器の底部表面から下方に向かって延びる
    液だめ窪みを備え、前記浸漬チューブの下端が該液だめ
    窪み内に配置され、前記液体レベルセンサーの下端が該
    液だめ窪み内に位置し、前記液体レベルセンサーのセン
    サー素子が底部表面よりも下にある該液だめ窪み内部の
    液体の高さを検知することができる、液体試薬分配アッ
    センブリー。
  2. 【請求項２】浸漬チューブ液体流出導管を、液体供給化
    学蒸着装置と試薬液体の流れが連絡するように結ぶ液体
    試薬流路をさらに備える請求項１記載の液体試薬分配ア
    ッセンブリー。
  3. 【請求項３】液体試薬流路が該流路を介して流出される
    液体試薬の流速を制御するためのフロー制御バルブを有
    する請求項２記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  4. 【請求項４】液だめ窪みが底部表面積の少ない部分を占
    める請求項１記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  5. 【請求項５】液だめ窪みが底部表面積の25％未満を占め
    る請求項１記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  6. 【請求項６】液だめ窪みが底部表面の上から見てダンベ
    ル形状を有する請求項１記載の液体試薬分配アッセンブ
    リー。
  7. 【請求項７】液だめ窪みが、互いに液体の流れが連絡し
    ている２つの横方向に離れた穴からなり、該穴の一方は
    その中に設置された浸漬チューブ下部開口端を有し、上
    記穴の他方はその中に設置された液体レベルセンサー素
    子の下端を有する、請求項１記載の液体試薬分配アッセ
    ンブリー。
  8. 【請求項８】内部底面及び壁面により囲まれた内部容積
    を規定する底部及び壁部を含み、液体試薬を保持するた
    めのものであり、加圧ガスが液体試薬を供給するために
    誘導され得る容器と、 液体の流出動作中に、内部容積中の液体レベルをモニタ
    ーするための液体レベルセンサー素子であって、容器の
    内部容積内で該容器の下端へ延びる液体レベルセンサー
    素子と、 容器の内部容積の下部における下部開口端から、容器の
    上方及び外方に延びる液体流出チューブと、 底部の主底表面から液だめ窪みの副底表面まで下方に延
    びる、容器内に液だめ窪みを有する容器の底部と、 液だめ窪みの副底表面にごく近接して、液だめ窪みに設
    けられた液体流出チューブの下部開口端と、を備える液
    体試薬分配アッセンブリーであって、 液体レベルセンサー素子の下端が液だめ窪みの副底表面
    にごく近接して液だめ窪み内に位置し、液体レベルセン
    サー素子が底面よりも下にある該液だめ窪み内部の液体
    の高さを検知することができる液体試薬分配アッセンブ
    リー。
  9. 【請求項９】浸漬チューブ液体流出導管を、液体供給化
    学蒸着装置と試薬液体の流れが連絡するように結ぶ液体
    試薬流路をさらに備える請求項８記載の液体試薬分配ア
    ッセンブリー。
  10. 【請求項１０】液体試薬流路が該流路を介して流出され
    る液体試薬の流速を制御するためのフロー制御バルブを
    有する請求項９記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  11. 【請求項１１】液だめ窪みが底部表面積の少ない部分を
    占める請求項８記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  12. 【請求項１２】液だめ窪みが底部表面積の25％未満を占
    める請求項８記載の液体試薬分配アッセンブリー。
  13. 【請求項１３】液だめ窪みが底部表面の上から見てダン
    ベル形状を有する請求項８記載の液体試薬分配アッセン
    ブリー。
  14. 【請求項１４】液だめ窪みが、互いに液体の流れが連絡
    している２つの横方向に離れた穴からなり、該穴の一方
    はその中に設置された浸漬チューブ下部開口端を有し、
    上記穴の他方はその中に設置された液体レベルセンサー
    素子の下端を有する、請求項８記載の液体試薬分配アッ
    センブリー。
  15. 【請求項１５】下部底部により囲まれ、試薬を保持する
    ための内部容積を含む密閉容器と、 主底表面を有し、液だめ窪みを含む下部底部であって、
    該液だめ窪みは下端で副底表面により囲まれている下部
    底部と、 密閉容器の内部容積中に外部位置から加圧ガスを流すた
    めの加圧ガス供給チューブと、 密閉容器の外部から密閉容器の内部容積中へ、液だめ窪
    みにおいて終わる下端まで延びる試薬流出チューブと、 液体の流出動作中に、該密閉容器内の液体レベルをモニ
    ターする試薬レベルセンサーであって、液だめ窪みに位
    置する該センサーの下端まで下方に延びる試薬レベルセ
    ンサーと、を備える試薬供給容器アッセンブリーであっ
    て、 液だめ窪み内部の試薬の高さを検知することができる試
    薬供給容器アッセンブリー。
  16. 【請求項１６】試薬流出チューブが密閉容器の上部を通
    って、液だめ窪みにほぼ垂直方向で下方に延びる請求項
    15記載の試薬供給容器アッセンブリー。
  17. 【請求項１７】試薬流出チューブの下端が副底表面にご
    く近接している請求項15記載の試薬供給容器アッセンブ
    リー。
  18. 【請求項１８】試薬流出チューブの下端が、試薬液体が
    密閉容器中に含まれる場合に、試薬液体の少なくとも90
    ％の利用を可能にするように副底表面に十分に近接して
    いる請求項15記載の試薬供給容器アッセンブリー。
  19. 【請求項１９】加圧ガス供給チューブがガスフロー制御
    バルブに操作可能に連結され、 中央処理ユニットに試薬レベルセンサーを操作可能に連
    結する試薬レベル信号伝達ラインと、 ガスフロー制御バルブに中央処理ユニットを操作可能に
    連結するガス制御信号伝達ラインと、をさらに備え、 密閉容器内の試薬のレベルが最小試薬上端に達したら、
    試薬レベルセンサーは試薬レベル信号伝達ラインで試薬
    レベル信号を中央処理ユニットに伝達することができ、
    中央処理ユニットは試薬レベル信号伝達ラインからの試
    薬レベル信号を受け取ることができ、かつ、ガス制御信
    号伝達ラインにおける対応するガス制御信号をガスフロ
    ー制御バルブに伝達し該ガスフロー制御バルブを閉じる
    ことができる、請求項15記載の試薬供給容器アッセンブ
    リー。
  20. 【請求項２０】試薬流出チューブが試薬フロー制御バル
    ブに操作可能に連結され、 中央処理ユニットに試薬レベルセンサーを操作可能に連
    結する試薬レベル信号伝達ラインと、 試薬フロー制御バルブに中央処理ユニットを操作可能に
    連結する試薬制御信号伝達ラインと、をさらに備え、 密閉容器内の試薬のレベルが最小試薬上端に達したら、
    試薬レベルセンサーは試薬レベル信号伝達ラインで試薬
    レベル信号を中央処理ユニットに伝達することができ、
    中央処理ユニットは試薬レベル信号伝達ラインからの試
    薬レベル信号を受け取ることができ、かつ試薬制御信号
    伝達ラインにおける対応する試薬制御信号を試薬フロー
    制御バルブに伝達し該試薬フロー制御バルブを閉じるこ
    とができる、請求項15の試薬供給容器アッセンブリー。
  21. 【請求項２１】密閉容器の内部容積中に含まれる試薬を
    さらに備える請求項15記載の試薬供給容器アッセンブリ
    ー。
  22. 【請求項２２】試薬が、白金、金、チタン、鉛、パラジ
    ウム、ジルコニウム、ビスマス、ストロンチウム、バリ
    ウム、カルシウム、アンチモン、タリウム及びタンタル
    からなる群から選択される金属の前駆体を備える請求項
    21記載の試薬供給容器アッセンブリー。
  23. 【請求項２３】液だめ窪みが、試薬流出チューブ用穴と
    試薬の流れが連絡している試薬レベルセンサー用穴を含
    む請求項15記載の試薬供給容器アッセンブリー。
  24. 【請求項２４】試薬レベルセンサー用穴がくびき形の通
    路により試薬流出チューブ用穴に連結され、液だめ窪み
    がダンベル形状である請求項23記載の試薬供給容器アッ
    センブリー。
  25. 【請求項２５】液だめ窪みが、少なくとも部分的に傾斜
    する壁表面により規定されている請求項15記載の試薬供
    給容器アッセンブリー。
  26. 【請求項２６】加圧ガス供給チューブに結合された加圧
    ガス供給源をさらに含む請求項15記載の試薬供給容器ア
    ッセンブリー。
  27. 【請求項２７】加圧ガス供給源が高圧ガスシリンダー、
    低温空気分離プラント及び圧スイング空気分離ユニット
    からなる群から選択される請求項26記載の試薬供給容器
    アッセンブリー。
JP52795298A 1996-12-17 1997-12-17 化学蒸着のための試薬供給容器 Expired - Fee Related JP3474201B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3386596P 1996-12-17 1996-12-17
US60/033,865 1996-12-17
PCT/US1997/023304 WO1998027247A1 (en) 1996-12-17 1997-12-17 Reagent supply vessel for chemical vapor deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001503106A JP2001503106A (ja) 2001-03-06
JP3474201B2 true JP3474201B2 (ja) 2003-12-08

Family

ID=21872903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52795298A Expired - Fee Related JP3474201B2 (ja) 1996-12-17 1997-12-17 化学蒸着のための試薬供給容器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6077356A (ja)
EP (1) EP0953064B1 (ja)
JP (1) JP3474201B2 (ja)
KR (1) KR100364115B1 (ja)
DE (1) DE69738136T2 (ja)
WO (1) WO1998027247A1 (ja)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7012292B1 (en) * 1998-11-25 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure
US6257446B1 (en) * 1999-02-18 2001-07-10 Advanced Micro Devices, Inc. Liquid chemical container with integrated fluid reservoir
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
JP3635323B2 (ja) * 2000-07-28 2005-04-06 みのる産業株式会社 薬液噴霧車
US6526824B2 (en) * 2001-06-07 2003-03-04 Air Products And Chemicals, Inc. High purity chemical container with external level sensor and liquid sump
US6431229B1 (en) 2001-08-24 2002-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Solventless purgeable diaphragm valved manifold for low vapor pressure chemicals
KR100419416B1 (ko) * 2001-11-21 2004-02-19 삼성전자주식회사 변형 화학기상 증착 공정의 원료물질 제어장치
KR100450974B1 (ko) * 2001-12-06 2004-10-02 삼성전자주식회사 변형 화학기상 증착 공정의 원료물질 기화량 유지장치
US6966348B2 (en) * 2002-05-23 2005-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Purgeable container for low vapor pressure chemicals
US6648034B1 (en) 2002-05-23 2003-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Purgeable manifold for low vapor pressure chemicals containers
US7124913B2 (en) 2003-06-24 2006-10-24 Air Products And Chemicals, Inc. High purity chemical container with diptube and level sensor terminating in lowest most point of concave floor
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7249880B2 (en) * 2003-10-14 2007-07-31 Advanced Technology Materials, Inc. Flexible mixing bag for mixing solids, liquids and gases
JP4626956B2 (ja) * 2004-10-18 2011-02-09 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、液量監視装置、半導体製造装置の液体材料監視方法、及び、液量監視方法
US20060133955A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Peters David W Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber
CN101208256B (zh) * 2005-04-25 2013-09-18 高级技术材料公司 具有空检测能力的基于衬里的液体储存和分配系统
US9312557B2 (en) * 2005-05-11 2016-04-12 Schlumberger Technology Corporation Fuel cell apparatus and method for downhole power systems
EP1896359B1 (en) 2005-06-06 2017-01-11 Advanced Technology Materials, Inc. Fluid storage and dispensing systems and processes
WO2007050971A1 (en) * 2005-10-26 2007-05-03 Levtech, Inc. Bioreactor with mixer and sparger
GB2432371B (en) * 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
WO2008005611A2 (en) 2006-04-21 2008-01-10 Advanced Technology Materials, Inc. Systems and devices for mixing substances and methods of making same
US10632433B2 (en) * 2006-05-13 2020-04-28 Pall Life Sciences Belgium Bvba Disposable bioreactor
KR100773567B1 (ko) 2006-07-06 2007-11-07 세메스 주식회사 증착물질 공급 장치
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US8708320B2 (en) 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
US7750173B2 (en) 2007-01-18 2010-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films
US8518484B2 (en) * 2007-01-29 2013-08-27 Praxair Technology, Inc. Bubbler apparatus and delivery method
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
US20090107579A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Smith Robin E Loading system
US20090214777A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
US20090258143A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Peck John D Reagent dispensing apparatus and delivery method
US20090255466A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Peck John D Reagent dispensing apparatus and delivery method
TWI396652B (zh) * 2008-05-23 2013-05-21 Century Display Shenxhen Co Liquid crystal residual warning system
US8235364B2 (en) * 2008-11-11 2012-08-07 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
JP5656372B2 (ja) * 2009-07-21 2015-01-21 日本エア・リキード株式会社 液体材料容器、液体材料供給装置、及び、液体材料の供給方法
WO2011053505A1 (en) 2009-11-02 2011-05-05 Sigma-Aldrich Co. Evaporator
CN102791383B (zh) * 2010-01-06 2017-11-14 恩特格里斯公司 具有除气和感测能力的液体分配系统
US8831413B2 (en) * 2010-01-20 2014-09-09 Envicor, Llc Storage tank assembly and system for storing waste cooking oil
JP5877702B2 (ja) * 2011-12-14 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
US9809711B2 (en) 2012-01-17 2017-11-07 Versum Materials Us, Llc Catalyst and formulations comprising same for alkoxysilanes hydrolysis reaction in semiconductor process
US20130243968A1 (en) 2012-03-16 2013-09-19 Air Products And Chemicals, Inc. Catalyst synthesis for organosilane sol-gel reactions
KR101477784B1 (ko) * 2013-05-24 2014-12-31 주식회사 티지오테크 금속 소스 공급 장치 및 이를 포함하는 증착막 형성 장치
US10170297B2 (en) 2013-08-22 2019-01-01 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods using same for flowable oxide deposition
SG11201602114RA (en) 2013-09-20 2016-04-28 Advanced Tech Materials Apparatus and method for pressure dispensing of high viscosity liquid-containing materials
US10151618B2 (en) * 2014-01-24 2018-12-11 Versum Materials Us, Llc Ultrasonic liquid level sensing systems
JP6754695B2 (ja) * 2014-03-17 2020-09-16 インテグリス・インコーポレーテッド 使い捨て式液体化学物質センサーシステム
US9580293B2 (en) 2014-06-24 2017-02-28 Air Products And Chemicals, Inc. Diptube design for a host ampoule
US9914632B2 (en) * 2014-08-22 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for liquid chemical delivery
KR101684776B1 (ko) * 2015-03-31 2016-12-08 세기아케마주식회사 위험물 보관 장치
US20180033614A1 (en) 2016-07-27 2018-02-01 Versum Materials Us, Llc Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films
WO2018056346A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、液体原料補充システム、半導体装置の製造方法、プログラム
US10822458B2 (en) 2017-02-08 2020-11-03 Versum Materials Us, Llc Organoamino-functionalized linear and cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films
US10315814B2 (en) * 2017-08-04 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Transfer cap
SG10201903201XA (en) 2018-04-11 2019-11-28 Versum Materials Us Llc Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films
US20190382886A1 (en) 2018-06-15 2019-12-19 Versum Materials Us, Llc Siloxane Compositions and Methods for Using the Compositions to Deposit Silicon Containing Films
US10985010B2 (en) 2018-08-29 2021-04-20 Versum Materials Us, Llc Methods for making silicon and nitrogen containing films
US20200071819A1 (en) 2018-08-29 2020-03-05 Versum Materials Us, Llc Methods For Making Silicon Containing Films That Have High Carbon Content
EP3844318A4 (en) 2018-10-03 2022-06-01 Versum Materials US, LLC METHODS FOR MAKING FILMS CONTAINING SILICON AND NITROGEN
WO2020163359A1 (en) 2019-02-05 2020-08-13 Versum Materials Us, Llc Deposition of carbon doped silicon oxide
KR20200130121A (ko) * 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11707594B2 (en) * 2019-09-11 2023-07-25 GE Precision Healthcare LLC Systems and method for an optical anesthetic agent level sensor
EP4110968A4 (en) 2020-04-02 2023-09-13 Versum Materials US, LLC ORGANOAMINO-FUNCTIONALIZED CYCLIC OLIGOSILOXANES FOR THE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILM

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4676404A (en) * 1983-10-17 1987-06-30 Nippon Zeon Co., Ltd. Method and apparatus for feeding drug liquid from hermetic returnable can
US5102010A (en) * 1988-02-16 1992-04-07 Now Technologies, Inc. Container and dispensing system for liquid chemicals
DE69218152T2 (de) * 1991-12-26 1997-08-28 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung
JPH06291040A (ja) * 1992-03-03 1994-10-18 Rintetsuku:Kk 液体気化供給方法と液体気化供給器
US5526956A (en) * 1992-09-11 1996-06-18 Now Technologies, Inc. Liquid chemical dispensing and recirculating system
US5335821A (en) * 1992-09-11 1994-08-09 Now Technologies, Inc. Liquid chemical container and dispensing system
US5366119A (en) * 1993-05-26 1994-11-22 Kline James B Dispenser bottle with internal pump
US5383574A (en) * 1993-07-19 1995-01-24 Microbar Sytems, Inc. System and method for dispensing liquid from storage containers
US5388574A (en) * 1993-07-29 1995-02-14 Ingebrethsen; Bradley J. Aerosol delivery article
JPH07211646A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Mitsubishi Electric Corp 材料供給装置
US5366120A (en) * 1994-04-19 1994-11-22 Tonis Tollasepp Paint pump
US5749500A (en) * 1996-04-23 1998-05-12 Kraus; Joey Liquid retrieving adaptor for cylindrical containers

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000057606A (ko) 2000-09-25
US6077356A (en) 2000-06-20
WO1998027247A1 (en) 1998-06-25
JP2001503106A (ja) 2001-03-06
EP0953064A1 (en) 1999-11-03
DE69738136D1 (de) 2007-10-25
DE69738136T2 (de) 2008-06-12
KR100364115B1 (ko) 2002-12-11
EP0953064B1 (en) 2007-09-12
EP0953064A4 (en) 2004-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3474201B2 (ja) 化学蒸着のための試薬供給容器
TWI408250B (zh) 分配裝置及其使用方法
CN102272351B (zh) 试剂分配装置及输送方法
WO1998027247B1 (en) Reagent supply vessel for chemical vapor deposition
US7141095B2 (en) Precursor material delivery system for atomic layer deposition
US5653813A (en) Cyclone evaporator
CN103031542B (zh) 用于递送汽化源材料的装置
EP3093367B1 (en) Storage and delivery method
US9435027B2 (en) Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
US20100022097A1 (en) Vaporizer, semiconductor production apparatus and process of semiconductor production
US6021921A (en) Liquid dispensing system and method for dispensing
CN101307435A (zh) 液体供给单元和供给方法、处理基板的设备及处理方法
JP2003075234A (ja) 高純度化学物質のための容器及びその液面の測定方法
CN101608734B (zh) 试剂分配装置及输送方法
KR100625865B1 (ko) 복합 정화 기법을 사용하는 정화 시스템이 구비된 화학물분배 시스템
JP4946718B2 (ja) バッファタンク、原料ガスの供給システム及びこれを用いた成膜装置
CN108690971A (zh) 用于在沉积方法中使化学前体鼓泡的无气溶胶容器
WO1999004061A1 (en) Liquid delivery system comprising upstream pressure control means
GB2415967A (en) Precursor delivery system for atomic layer deposition
KR100618690B1 (ko) 반도체 제조용 전구체 저장통
KR20030020654A (ko) 코팅 장치 및 그 운용 방법
KR20090047678A (ko) 버블링 캐니스터

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees