JP3473932B2 - 欠陥観察装置および方法 - Google Patents

欠陥観察装置および方法

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶体等の被検物
中の異物や欠陥を検出しその情報を得るための欠陥観察
装置および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、結晶体等の被検物中の異物や欠陥
に関する情報を得る技術としては、レ−ザトモグラフィ
によって欠陥等の位置や散乱強度を検出し、それらの情
報に基づいて、さらにTEM(透過型電子顕微鏡)で欠
陥等を観察するための試料を作成し、そしてその試料を
TEMで観察して欠陥等の組成や形状を確認する技術が
知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、TEM
観察用の試料は数千Å(十分の数μm)程度の厚さであ
り、非常に薄いため、その厚さの範囲内に、検出した欠
陥等を含むように、検出した欠陥等の位置に基づいて試
料を作成することは非常に困難であるという問題があ
る。
【0004】本発明の目的は、この従来技術の問題点に
鑑み、より確実かつ簡便な方法でTEM等による観察用
の試料を作成できるようにすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、観察用レーザ光で被検物を照明する照明手
段と、これによって照明された被検物を観察するための
顕微鏡とを備え、レーザ散乱法による被検物中の欠陥も
しくは異物の観察に用いられる欠陥観察装置において、
前記顕微鏡下において、観察される欠陥もしくは異物の
近傍の被検物表面の複数点にマーキングを行うマーキン
グ手段と、前記マーキングにより被検物表面に付された
複数点のマークの位置および前記観察された欠陥もしく
は異物の位置を前記顕微鏡を介して前記マーキングと該
顕微鏡の同一光軸上で検出する位置検出手段とを具備す
ることを特徴とする。
【0006】被検物表面に付されたマークは、被検物か
らTEM等による観察用の薄片試料を作成する際の、欠
陥等の位置を示す基準となる。したがって、資料作成時
には欠陥や異物自体を直接見ることはできないが、マー
クを参照して、確実かつ簡便に薄片試料が作成される。
つまり、欠陥観察装置の光学系のもとでマーキングを行
い、付されたマークと欠陥等との位置関係を明確にした
上で、この位置関係に基づいて、薄片試料が作成され
る。
【0007】また、本発明の欠陥観察方法は、観察用レ
ーザ光で被検物を照明し、照明された被検物中の欠陥も
しくは異物を顕微鏡により捕捉してその顕微鏡下におい
てその欠陥もしくは異物の近傍の被検物表面の複数点に
マーキングを行うマーキング工程と、前記マーキングに
より付された複数点のマークの位置および前記欠陥もし
くは異物の位置を前記顕微鏡を介して前記マーキングと
該顕微鏡の同一光軸上で検出する位置検出工程と、この
検出結果により得られる前記マークと欠陥もしくは異物
との位置関係に基づいて、前記被検物から、前記欠陥も
しくは異物を含む薄片試料を作成する試料作成工程と、
この薄片試料を観察することにより前記欠陥もしくは異
物に関する情報を得る観察工程とを具備することを特徴
とする。この方法は、前記欠陥観察装置を用いて行うこ
とができる。これにより、確実かつ簡便に薄片試料が作
成される。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の欠陥観察装置の好ましい
実施形態においては、前記マーキング手段は、マーキン
グ用のレーザ光を前記顕微鏡の光軸上に導入し、前記顕
微鏡を介して前記マーキング用レーザ光により前記複数
点にマーキングを行うものであることを特徴とする。
【0009】あるいは、前記マーキング手段は、触針式
のマーカにより前記複数点にマーキングを行うものであ
ることを特徴とする。
【0010】また、前記マーキングのために前記マーキ
ング用レーザ光を被検物上に照射する前に、その照射位
置を予め確認するために、その照射位置に前記顕微鏡を
介してスポット光を照射する手段を有することを特徴と
する。また、前記スポット光を照射する手段は、そのス
ポット光を作成するための光束をダイクロイックミラー
を介して前記顕微鏡の光軸上に導入するものであり、前
記マーキング手段は、前記ダイクロイックミラーを介し
て前記マーキング用のレーザ光を前記顕微鏡の光軸上に
導入するものであることを特徴とする。
【0011】なお、観察用レーザ光は、被検物を透過す
る波長を有し、マーキング用のレーザ光は、被検物表面
で吸収する波長を有し得る。これらのレーザ光の波長
は、300nm〜800nmの範囲から適宜選択され
る。以下、実施例を通じて本発明の実施形態についてよ
り具体的に説明する。
【0012】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係るレーザトモグ
ラフィによる欠陥観察装置を示す概略図である。同図に
示すように、この欠陥観察装置は、観察用レーザ光1で
被検物3を表面から照明する照明手段と、これによって
照明された被検物3を観察するための顕微鏡5とを備
え、被検物3中の欠陥もしくは異物の観察に用いられる
ものである。この欠陥観察装置はさらに、顕微鏡5の視
野内に欠陥もしくは異物を捕捉したときに、その欠陥も
しくは異物の近傍の被検物3表面の複数点にマーキング
を行うマーキング手段と、マーキングにより被検物3表
面に付された複数点のマークの位置および捕捉された欠
陥もしくは異物の位置を顕微鏡5を介して検出する位置
検出手段とを具備する。
【0013】マーキング手段は、マーキング用レーザ光
7を、ミラー9、ピンホール11、およびダイクロイッ
クミラー13を介して顕微鏡5の光軸上に導入し、顕微
鏡5を介して被検物3に照射することにより、被検物3
の表面の1点にマーキングを施す光学的手段と、このマ
ーキングが複数点に行われるように被検物3を水平方向
に移動させる手段とを有する。
【0014】なお、図2に示すように、マーキング用レ
ーザ光7は、顕微鏡5の対物レンズ25と接眼レンズ2
3との間において、顕微鏡5の光軸上に導入するように
してもよい。また、マーキング用レーザ光7を照射する
代わりに、触針式のマーカ27を用いてマーキングを行
うようにしてもよい。また、観察用レーザ光1を、被検
物3の側面から照射するようにしてもよい。
【0015】位置検出手段は、マーク照明用の光束8
を、ハーフミラー10を介して顕微鏡5の光軸上に導入
し、顕微鏡5を介して被検物3上のマークを照明する手
段と、これによって照明されたマークおよび観察用レー
ザ光1で照明された被検物3内の欠陥等を顕微鏡5を介
して撮像し、画像データに変換するTVカメラ19と、
この画像データに基づいて、撮像されたマークおよび欠
陥等の位置を特定する情報処理手段21とを有する。
【0016】またこの欠陥観察装置は、マーキングのた
めにマーキング用レーザ光7を被検物3上に照射する前
に、その照射位置を予め確認するために、その照射位置
に顕微鏡5を介してスポット光を照射する手段を有す
る。このスポット光照射手段は、スポット光形成用の光
源15からの光17を、ピンホール11、ダイクロイッ
クミラー13を介して顕微鏡5の光軸上に導入してスポ
ット光を形成する。この構成において、TEMによる被
検物3中の欠陥もしくは異物の観察用の薄片試料(サン
プル)を作成するには、まず、観察用レーザ光7で被検
物3を照明し、照明された被検物3中の欠陥もしくは異
物を観察して顕微鏡5の視野内に位置させる。次に、前
記スポット光の照射によりマーキング用レーザ光7の照
射位置を確認しながら、図3に示すように、欠陥もしく
は異物29の近傍の被検物表面の4点にマーキングを行
い、マーキングにより付された4点のマーク31の位置
(xi ,yii=1〜4 および欠陥もしくは異物の位置
(X,Y)を顕微鏡5を介し、情報処理手段21により
検出する。この検出は、画像データを構成する各画素の
データ(TVカメラ19のCCD素子等の単位データ)
が示す強度分布をガウス分布などで近似し(sub−p
ixel(サブ−ピクセル)処理)、画素単位以下の精
度で行う。
【0017】次に、被検物3を、FIB(Fine ion bea
m; ファイン・イオン・ビーム) 等を用いたTEMサン
プル作成ツール上にセットし、マーク31の位置( x
i ’,yi ’)i=1〜4 を上述と同様にして検出する。
そして、(xi ,yi )と(xi’,yi ’)に基づ
き、欠陥観察装置上の座標(x,y)とTEMサンプル
作成ツール上の座標(x’,y’)間の、次の座標変換
行列式を求める。
【0018】
【数1】 そして、これに上記(X,Y)を代入して、TEMサン
プル作成ツール上での欠陥もしくは異物の位置(X’,
Y’)を求め、この位置に基づいて、欠陥もしくは異物
29を含むサンプルを作成する。このサンプルは、被検
物3表面に垂直に切り出した、厚さ数千Åの薄片状のも
のである。このサンプルをTEMで観察することにより
欠陥もしくは異物29に関する情報、つまり欠陥もしく
は異物29の被検物3表面からの深さ位置や、欠陥もし
くは異物29による散乱強度等を観察することができ
る。
【0019】これによれば、レーザトモグラフィにより
広い視野の中から欠陥や異物を探し、その欠陥や異物の
素性を、高分解能のTEMやFIB,SIMS等によっ
て評価することができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
欠陥や異物を観察するための顕微鏡下で欠陥や異物の位
置を示すマーカを付し、かつそれらの位置関係を前記顕
鏡を介してマーキングと該顕微鏡の同一光軸上で検出
するようにしたため、確実かつ簡便な方法でTEM等に
よる観察用の試料を作成することができる。
【0021】また、これまでは、レーザトモグラフィに
よる観察装置とレーザ光によるマーキング装置とを別個
に用い、レーザトモグラフィにより観察対象となる概略
位置を見つけ、その近傍であろう部分にレーザマーキン
グを行い、もう一度レーザトモグラフィで位置を確認
し、そしてFIB等による試料作成ツールでTEM観察
用の試料を作成していたのに比べ、より確実かつ短時間
でTEM観察用の試料を作成することができる。
【0022】また、マーキング用のレーザ光を顕微鏡の
光軸上に導入し、顕微鏡を介してマーキングを行うよう
にしたため、レーザトモグラフィによる観察装置とレー
ザ光によるマーキング装置とを別個に用いる場合に比
べ、TVカメラ、顕微鏡、被検物移動用の電動ステージ
等を、レーザトモグラフィとレーザマーキングとで共有
することができ、装置のコストを下げることができる。
また、サブ−ピクセル処理により、画素の配列ピッチよ
り高い精度でマーク位置や欠陥等の位置を検出するよう
にしたため、TEM等の高い分解能に見合った精度でT
EM観察用の試料を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係るレーザトモグラフィ
による欠陥観察装置を示す概略図である。
【図2】 図1の装置の変形例を示す概略図である。
【図3】 図1の装置により、欠陥や異物の近傍にマー
キングを施した様子を示す図である。
【図4】 図1の装置において、欠陥や異物およびマー
クの位置を、それら欠陥等の画像データよりガウス曲線
を用いて近似して決定する様子を示す図である。
【符号の説明】
1:観察用レーザ光、3:被検物、5:顕微鏡、7:マ
ーキング用レーザ光、8:マーク照明用光束、9:ミラ
ー、11:ピンホール、13:ダイクロイックミラ、2
5:対物レンズ、27:触針式マーカ、29:欠陥もし
くは異物、31:マーク。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−2950(JP,A) 特開 平9−189649(JP,A) 特開 平5−180739(JP,A) 特開 平8−5528(JP,A) 特開 平7−333115(JP,A) 特開 平9−89795(JP,A) 特開 平2−203257(JP,A) 実開 昭62−118691(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 1/00 - 1/44 G01N 21/84 - 21/958 H01L 21/66 JICSTファイル(JOIS)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 観察用レーザ光で被検物を照明する照明
    手段と、これによって照明された被検物を観察するため
    の顕微鏡とを備え、レーザ散乱法による被検物中の欠陥
    もしくは異物の観察に用いられる欠陥観察装置におい
    て、 前記顕微鏡下において、観察される欠陥もしくは異物の
    近傍の被検物表面の複数点にマーキングを行うマーキン
    グ手段と、前記マーキングにより被検物表面に付された
    複数点のマークの位置および前記観察される欠陥もしく
    は異物の位置を前記顕微鏡を介して前記マーキングと該
    顕微鏡の同一光軸上で検出する位置検出手段とを具備す
    ることを特徴とする欠陥観察装置。
  2. 【請求項2】 前記マーキング手段は、マーキング用の
    レーザ光を前記顕微鏡の光軸上に導入し、前記顕微鏡を
    介して前記マーキング用レーザ光により被検物の複数点
    にマーキングを行うものであることを特徴とする請求項
    1に記載の欠陥観察装置。
  3. 【請求項3】 前記マーキング手段は、被検物を移動さ
    せながら触針式のマーカにより被検物の複数点にマーキ
    ングを行うものであることを特徴とする請求項1に記載
    の欠陥観察装置。
  4. 【請求項4】 前記マーキングのために前記マーキング
    用レーザ光を被検物上に照射する前に、その照射位置を
    予め確認するために、その照射位置に前記顕微鏡を介し
    てスポット光を照射する手段を有することを特徴とする
    請求項2に記載の欠陥観察装置。
  5. 【請求項5】 前記スポット光を照射する手段は、その
    スポット光を形成するための光束をダイクロイックミラ
    ーを介して前記顕微鏡の光軸上に導入するものであり、
    前記マーキング手段は、前記ダイクロイックミラーを介
    して前記マーキング用のレーザ光を前記顕微鏡の光軸上
    に導入するものであることを特徴とする請求項4に記載
    の欠陥観察装置。
  6. 【請求項6】 観察用レーザ光で被検物を照明し、照明
    された被検物中の欠陥もしくは異物を顕微鏡により捕捉
    してその顕微鏡下においてその欠陥もしくは異物の近傍
    の被検物表面の複数点にマーキングを行うマーキング工
    程と、前記マーキングにより付された複数点のマークの
    位置および前記欠陥もしくは異物の位置を前記顕微鏡を
    介して前記マーキングと該顕微鏡の同一光軸上で検出す
    る位置検出工程と、この検出結果により得られる前記マ
    ークと欠陥もしくは異物との位置関係に基づいて、前記
    被検物から、前記欠陥もしくは異物を含む薄片試料を作
    成する試料作成工程と、この薄片試料を観察することに
    より前記欠陥もしくは異物に関する情報を得る観察工程
    とを具備することを特徴とする欠陥観察方法。
  7. 【請求項7】 前記位置検出工程におけるマーク位置お
    よび欠陥もしくは異物の位置の検出に際しては、前記マ
    ーキングにより付された複数点のマークおよび前記欠陥
    もしくは異物を前記顕微鏡を介して撮像手段により撮像
    し、そして、これによって得た画像データに基づき、サ
    ブ−ピクセル処理により、画素の配列ピッチより高い精
    度で前記マーク位置および欠陥もしくは異物の位置の検
    出を行うことを特徴とする請求項6に記載の欠陥観察方
    法。
  8. 【請求項8】 前記試料作成工程においては、前記被検
    物表面に付されたマークの位置を検出し、これらのマー
    クと欠陥もしくは異物との位置関係とに基づいて、前記
    欠陥もしくは異物の位置を認識し、前記欠陥もしくは異
    物を含む薄片試料を作成することを特徴とする請求項6
    に記載の欠陥観察方法。
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