JP3473486B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JP3473486B2 JP3473486B2 JP10195099A JP10195099A JP3473486B2 JP 3473486 B2 JP3473486 B2 JP 3473486B2 JP 10195099 A JP10195099 A JP 10195099A JP 10195099 A JP10195099 A JP 10195099A JP 3473486 B2 JP3473486 B2 JP 3473486B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に係り、特にスイッチング素子として用い
られる薄膜トランジスタの遮光構造及びその製造方法に
関する。
その製造方法に係り、特にスイッチング素子として用い
られる薄膜トランジスタの遮光構造及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄型で軽量、かつ低消
費電力である特徴があり、ＯＡ機器やＡＶ機器などの分
野で実用化が進んでいる。中でも、各画素ごとにスイッ
チング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設け、各画素を
制御するようにしたアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、大画面用、高精細な動画面用の表示装置に使用さ
れている。
費電力である特徴があり、ＯＡ機器やＡＶ機器などの分
野で実用化が進んでいる。中でも、各画素ごとにスイッ
チング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設け、各画素を
制御するようにしたアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、大画面用、高精細な動画面用の表示装置に使用さ
れている。
【０００３】ところで、透過型液晶表示装置では、いわ
ゆるバックライトから入射される光によって表示を行っ
ている。したがって、ＴＦＴは、常に、バックライトか
らの強い光に晒されていることになる。そうすると、Ｔ
ＦＴの活性層となる半導体薄膜に強い光が照射される
と、光電流を発生し、ＴＦＴのオフ時のリーク電流が増
加し、表示のコントラスト等を劣化させる。
ゆるバックライトから入射される光によって表示を行っ
ている。したがって、ＴＦＴは、常に、バックライトか
らの強い光に晒されていることになる。そうすると、Ｔ
ＦＴの活性層となる半導体薄膜に強い光が照射される
と、光電流を発生し、ＴＦＴのオフ時のリーク電流が増
加し、表示のコントラスト等を劣化させる。
【０００４】そこで、従来では、絶縁性基板（ガラス基
板等）の背面側からＴＦＴ形成部分に向かって入射する
光を遮光するため、絶縁性基板とＴＦＴ形成部分との間
に遮光層を形成することが一般的に行われている。そし
て、この遮光構造でもまだ不十分であるとして、例えば
遮光層表面での反射を防止する措置や上部からＴＦＴ形
成部分に向かって入射する光を遮光する遮光層を上部基
板に設ける等、種々の提案がなされている（例えば、特
開平８−１５２６１２号公報、特開平８−１６０４５３
号公報、特開平１０−３１９４３６号公報等）。
板等）の背面側からＴＦＴ形成部分に向かって入射する
光を遮光するため、絶縁性基板とＴＦＴ形成部分との間
に遮光層を形成することが一般的に行われている。そし
て、この遮光構造でもまだ不十分であるとして、例えば
遮光層表面での反射を防止する措置や上部からＴＦＴ形
成部分に向かって入射する光を遮光する遮光層を上部基
板に設ける等、種々の提案がなされている（例えば、特
開平８−１５２６１２号公報、特開平８−１６０４５３
号公報、特開平１０−３１９４３６号公報等）。
【０００５】
【解決しようとする課題】ところが、絶縁性基板の背面
側から、あるいは上部からＴＦＴ形成部分に向かって入
射する光には、遮光層を通らずにその周辺からＴＦＴ形
成部分に到達する光がある。このような光に対しては、
上述した従来の遮光構造は、無防備であり、完全に侵入
を回避することが困難である。
側から、あるいは上部からＴＦＴ形成部分に向かって入
射する光には、遮光層を通らずにその周辺からＴＦＴ形
成部分に到達する光がある。このような光に対しては、
上述した従来の遮光構造は、無防備であり、完全に侵入
を回避することが困難である。
【０００６】本発明の目的は、遮光層を外れて侵入する
光に対し有効に遮光機能を発揮する遮光構造を備えた液
晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
光に対し有効に遮光機能を発揮する遮光構造を備えた液
晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る液晶表示装置は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上に
マトリクス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれ
との間に第一の遮光層を備えた液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、前記第一の遮光層上に形成さ
れた絶縁層と、該絶縁層上に形成された活性層と、該活
性上に形成されたゲート層を備え、前記遮光層の周囲に
は前記絶縁層の表面から少なくとも該遮光層に達する高
さの金属材料からなる第一の遮光壁が前記第一の遮光層
側面に隣接して形成されていることを特徴とする。
係る液晶表示装置は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上に
マトリクス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれ
との間に第一の遮光層を備えた液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、前記第一の遮光層上に形成さ
れた絶縁層と、該絶縁層上に形成された活性層と、該活
性上に形成されたゲート層を備え、前記遮光層の周囲に
は前記絶縁層の表面から少なくとも該遮光層に達する高
さの金属材料からなる第一の遮光壁が前記第一の遮光層
側面に隣接して形成されていることを特徴とする。
【０００８】これにより、遮光層では対処できない斜め
入射光を効果的にほぼ完全に遮光できる。
入射光を効果的にほぼ完全に遮光できる。
【０００９】請求項２に記載の発明に係る液晶表示装置
は、請求項１に記載の液晶表示装置において、前記絶縁
性基板に対向して配置された上部基板を備え、前記各薄
膜トランジスタに対応して前記上部基板に第二の遮光層
が設けられており、前記第二の遮光層を囲む周囲に前記
第二の遮光層の厚さよりも大きな高さの第二の遮光壁を
設けてあることを特徴とする。
は、請求項１に記載の液晶表示装置において、前記絶縁
性基板に対向して配置された上部基板を備え、前記各薄
膜トランジスタに対応して前記上部基板に第二の遮光層
が設けられており、前記第二の遮光層を囲む周囲に前記
第二の遮光層の厚さよりも大きな高さの第二の遮光壁を
設けてあることを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明に係る液晶表示装置
の製造方法は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に下地層、遮光層を順次成膜する工程と、前
記下地層および前記遮光層の２層を所定の矩形状にエッ
チング加工する工程と、前記エッチング加工した前記下
地層および前記遮光層を覆って前記絶縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記縁層表面から前
記下地層に至り前記遮光層の側面に隣接する溝部を形成
する工程と、前記下地層から金属材料を選択成長により
少なくとも前記絶縁層の表面まで成長させて前記溝部を
前記金属材料により埋め込み遮光壁を形成する工程と、
前記遮光層領域の前記絶縁層上に活性層およびゲート電
極を備えた薄膜トランジスタを形成する工程と、を備え
ることを特徴とする。
の製造方法は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に下地層、遮光層を順次成膜する工程と、前
記下地層および前記遮光層の２層を所定の矩形状にエッ
チング加工する工程と、前記エッチング加工した前記下
地層および前記遮光層を覆って前記絶縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記縁層表面から前
記下地層に至り前記遮光層の側面に隣接する溝部を形成
する工程と、前記下地層から金属材料を選択成長により
少なくとも前記絶縁層の表面まで成長させて前記溝部を
前記金属材料により埋め込み遮光壁を形成する工程と、
前記遮光層領域の前記絶縁層上に活性層およびゲート電
極を備えた薄膜トランジスタを形成する工程と、を備え
ることを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明に係る液晶表示装置
の製造方法は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に遮光層を成膜する工程と、前記遮光層を所
定の矩形状にエッチング加工する工程と、前記エッチン
グ加工した前記遮光層を覆って前記絶縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記絶縁層表面から
前記遮光層の側面至る溝部を形成する工程と、前記溝部
の内周面を下地層で被覆する工程と、前記下地層から金
属材料を選択成長させ前記溝部を前記金属材料により埋
め込み遮光壁を形成する工程と、前記遮光層領域の前記
絶縁層上に活性層およびゲート電極を備えた薄膜トラン
ジスタを形成する工程と、を備えることを特徴とする。
の製造方法は、絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に遮光層を成膜する工程と、前記遮光層を所
定の矩形状にエッチング加工する工程と、前記エッチン
グ加工した前記遮光層を覆って前記絶縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記絶縁層表面から
前記遮光層の側面至る溝部を形成する工程と、前記溝部
の内周面を下地層で被覆する工程と、前記下地層から金
属材料を選択成長させ前記溝部を前記金属材料により埋
め込み遮光壁を形成する工程と、前記遮光層領域の前記
絶縁層上に活性層およびゲート電極を備えた薄膜トラン
ジスタを形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１３】図１は、第１実施形態の液晶表示装置の要
部断面図である。図２は、第１実施形態の液晶表示装置
の製造工程図である。
部断面図である。図２は、第１実施形態の液晶表示装置
の製造工程図である。
【００１４】本第１実施形態の液晶表示装置は、図１に
示すように、絶縁性基板１と、この絶縁性基板１上にマ
トリクス状に配置されるＴＦＴ７のそれぞれとの間に遮
光層３を設ける液晶表示装置において、ＴＦＴ７の周囲
を囲む遮光壁６を設けてある。
示すように、絶縁性基板１と、この絶縁性基板１上にマ
トリクス状に配置されるＴＦＴ７のそれぞれとの間に遮
光層３を設ける液晶表示装置において、ＴＦＴ７の周囲
を囲む遮光壁６を設けてある。
【００１５】具体的には、ＴＦＴ７は、下地層である絶
縁層４の上に活性層８，ゲート層９等を形成してなる
が、遮光壁６は、少なくとも遮光層３の周辺側表面とＴ
ＦＴ７の絶縁層４の表面との間を囲むように形成され
る。つまり絶縁層４の厚さ分の高さに形成される。
縁層４の上に活性層８，ゲート層９等を形成してなる
が、遮光壁６は、少なくとも遮光層３の周辺側表面とＴ
ＦＴ７の絶縁層４の表面との間を囲むように形成され
る。つまり絶縁層４の厚さ分の高さに形成される。
【００１６】さらに具体的には、遮光壁６は、ＴＦＴ７
の形成部分の絶縁層４の表面から遮光層３に至りその遮
光層３の周囲を囲むように開けた溝（開口）部５に、そ
の溝部５の底部に臨ませた遮光層３の下地層２に選択成
長させることにより埋め込んである。つまり、遮光壁６
は、絶縁層４の厚さ分の高さまで形成される。
の形成部分の絶縁層４の表面から遮光層３に至りその遮
光層３の周囲を囲むように開けた溝（開口）部５に、そ
の溝部５の底部に臨ませた遮光層３の下地層２に選択成
長させることにより埋め込んである。つまり、遮光壁６
は、絶縁層４の厚さ分の高さまで形成される。
【００１７】なお、絶縁性基板１は、例えばガラス基板
である。下地層２は、例えばシリコン層（Ｓｉ層）であ
る。遮光層３は、十分な遮光性を有する周知のシリサイ
ド層（例えばタングステンシリサイド層；ＷＳｉ２層）
である。絶縁層４は、例えば酸化シリコン層（ＳｉＯ２
層）である。活性層８は、例えばＳｉ層である。そし
て、遮光壁６は、選択成長が行える金属素材である。こ
れには、例えば、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニ
ューム）、Ｃｒ（クロム）等がある。
である。下地層２は、例えばシリコン層（Ｓｉ層）であ
る。遮光層３は、十分な遮光性を有する周知のシリサイ
ド層（例えばタングステンシリサイド層；ＷＳｉ２層）
である。絶縁層４は、例えば酸化シリコン層（ＳｉＯ２
層）である。活性層８は、例えばＳｉ層である。そし
て、遮光壁６は、選択成長が行える金属素材である。こ
れには、例えば、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニ
ューム）、Ｃｒ（クロム）等がある。
【００１８】次に、図２を参照して本第１実施形態の液
晶表示装置の製造方法を説明する。
晶表示装置の製造方法を説明する。
【００１９】図２（ａ）；絶縁性基板１上に下地層２を
プラズマＣＶＤ法により５００Å程度の膜厚に成膜し、
その上に遮光層３をスパッタリングにより１０００Å程
度の膜厚に成膜する。そして、この２層を所定の矩形状
にエッチング加工する。
プラズマＣＶＤ法により５００Å程度の膜厚に成膜し、
その上に遮光層３をスパッタリングにより１０００Å程
度の膜厚に成膜する。そして、この２層を所定の矩形状
にエッチング加工する。
【００２０】図２（ｂ）；次に、ＴＦＴ７の下地層とし
ての絶縁層４を、上記２層を覆い隠すようにＣＶＤ法に
より比較的厚めに（例えば５０００Å程度）成膜する。
ての絶縁層４を、上記２層を覆い隠すようにＣＶＤ法に
より比較的厚めに（例えば５０００Å程度）成膜する。
【００２１】図２（ｃ）；その後、絶縁層４と遮光層３
の積層膜を、図２（ａ）でエッチング加工した遮光層３
の周辺端部の形状に沿ってエッチングし、サブミクロン
程度の細い溝部５を形成する。下部の下地層２は、エッ
チングせず、溝部５の底部に選択的に残す。
の積層膜を、図２（ａ）でエッチング加工した遮光層３
の周辺端部の形状に沿ってエッチングし、サブミクロン
程度の細い溝部５を形成する。下部の下地層２は、エッ
チングせず、溝部５の底部に選択的に残す。
【００２２】図２（ｄ）；この状態で選択ＣＶＤ法によ
り溝部５に遮光壁６を埋め込む。これは、例えばＷを溝
部５底部の下地層２から絶縁層４の表面まで、つまり絶
縁層４の膜厚と同程度の高さまで成長させることにより
実現される。
り溝部５に遮光壁６を埋め込む。これは、例えばＷを溝
部５底部の下地層２から絶縁層４の表面まで、つまり絶
縁層４の膜厚と同程度の高さまで成長させることにより
実現される。
【００２３】その後、表面を平滑化した絶縁層４上に、
ＴＦＴ７の構成要素である活性層８及びゲート電極９を
それぞれ１０００Å程度の膜厚で形成する。
ＴＦＴ７の構成要素である活性層８及びゲート電極９を
それぞれ１０００Å程度の膜厚で形成する。
【００２４】以下、本第１実施形態の動作を説明する。
透過型の液晶表示装置では、絶縁性基板１の背面側から
バックライトによる照明が行われ、反射や散乱があるの
で、さまざまな角度から光がＴＦＴ７の形成部分（活性
層８）に向かって入射する。その中には、遮光層３を通
らずにその周辺から入射するような斜め入射光１０があ
る。
透過型の液晶表示装置では、絶縁性基板１の背面側から
バックライトによる照明が行われ、反射や散乱があるの
で、さまざまな角度から光がＴＦＴ７の形成部分（活性
層８）に向かって入射する。その中には、遮光層３を通
らずにその周辺から入射するような斜め入射光１０があ
る。
【００２５】本実施形態では、このような斜め入射光１
０を、ＴＦＴ７の形成部分に到達する前に、遮光壁６に
よって効果的にほぼ完全に遮光できる。したがって、遮
光層３と相俟って光リーク電流の発生を大幅に低減でき
る。
０を、ＴＦＴ７の形成部分に到達する前に、遮光壁６に
よって効果的にほぼ完全に遮光できる。したがって、遮
光層３と相俟って光リーク電流の発生を大幅に低減でき
る。
【００２６】次に、図３は、第２実施形態の液晶表示装
置の要部断面図である。図４は、第２実施形態の液晶表
示装置の製造工程図である。なお、図３、図４では、使
用素材等は、第１実施形態と同一であるが、説明の便宜
から異なる符号を付してある。
置の要部断面図である。図４は、第２実施形態の液晶表
示装置の製造工程図である。なお、図３、図４では、使
用素材等は、第１実施形態と同一であるが、説明の便宜
から異なる符号を付してある。
【００２７】本第２実施形態の液晶表示装置は、図３に
示すように、第１実施形態の下地層２に代えて、溝部５
の内周面を下地層２５で被覆し、遮光壁２６をその下地
層２５に選択成長させて形成してある。なお、下地層２
５は、例えば下地層２と同じＳｉ層である。
示すように、第１実施形態の下地層２に代えて、溝部５
の内周面を下地層２５で被覆し、遮光壁２６をその下地
層２５に選択成長させて形成してある。なお、下地層２
５は、例えば下地層２と同じＳｉ層である。
【００２８】次に、図４を参照して本第２実施形態の液
晶表示装置の製造方法を説明する。
晶表示装置の製造方法を説明する。
【００２９】図４（ａ）；絶縁性基板２１上に遮光層２
２をスパッタリング法により１０００Å程度の膜厚に成
膜し、所定矩形状にエッチング加工する。
２をスパッタリング法により１０００Å程度の膜厚に成
膜し、所定矩形状にエッチング加工する。
【００３０】図４（ｂ）；その後、下地層としての絶縁
層２３を、遮光層２２層を覆い隠すようにＣＶＤ法によ
り比較的厚めに（例えば５０００Å程度）成膜する。そ
して、絶縁層２３と遮光層２２の積層膜を、図４（ａ）
でエッチング加工した遮光層２２の周辺端部の形状に沿
ってエッチングし、サブミクロン程度の細い溝部２４を
形成する。この場合の溝部２４の底部は、絶縁性基板２
１の表面である。
層２３を、遮光層２２層を覆い隠すようにＣＶＤ法によ
り比較的厚めに（例えば５０００Å程度）成膜する。そ
して、絶縁層２３と遮光層２２の積層膜を、図４（ａ）
でエッチング加工した遮光層２２の周辺端部の形状に沿
ってエッチングし、サブミクロン程度の細い溝部２４を
形成する。この場合の溝部２４の底部は、絶縁性基板２
１の表面である。
【００３１】図４（ｃ）；次に、プラズマＣＶＤ法によ
り全表面を５００Å程度の薄い下地層２５で被覆する。
下地層２５は、絶縁層２３の表面だけでなく、溝部２４
の内周面にも形成される。この状態で、反応性イオンエ
ッチングにより下地層２５をエッチングバックする。
り全表面を５００Å程度の薄い下地層２５で被覆する。
下地層２５は、絶縁層２３の表面だけでなく、溝部２４
の内周面にも形成される。この状態で、反応性イオンエ
ッチングにより下地層２５をエッチングバックする。
【００３２】その結果、絶縁層２３上の下地層２５のみ
がエッチングされて無くなる。つまり、溝部２４は細い
溝であるので、底部（絶縁性基板面）の下地層２５はエ
ッチングされずに残り、また溝部側面にもサイドウォー
ルとして下地層２５が残った状態となる。
がエッチングされて無くなる。つまり、溝部２４は細い
溝であるので、底部（絶縁性基板面）の下地層２５はエ
ッチングされずに残り、また溝部側面にもサイドウォー
ルとして下地層２５が残った状態となる。
【００３３】図４（ｄ）；この状態で選択ＣＶＤ法によ
り溝部２４に遮光壁２６を埋め込む。これは、例えばＷ
を溝部２４の底部から絶縁層２３の表面まで成長させる
ことにより実現される。
り溝部２４に遮光壁２６を埋め込む。これは、例えばＷ
を溝部２４の底部から絶縁層２３の表面まで成長させる
ことにより実現される。
【００３４】その後、表面を平滑化した絶縁層２３上
に、ＴＦＴ２７の構成要素である活性層２８及びゲート
電極２９をそれぞれ１０００Å程度の膜厚で形成する。
に、ＴＦＴ２７の構成要素である活性層２８及びゲート
電極２９をそれぞれ１０００Å程度の膜厚で形成する。
【００３５】以上の構成により、本第２実施形態でも第
１実施形態と同様に斜め入射光２０を効果的に遮光でき
る。なお、遮光壁の製造に関し、本第２実施形態では、
遮光壁２６が開口部２４の内周面に設けた下地層２５か
ら成長するので、均一な遮光壁が得られ、しかも第１実
施形態の場合よりも短い時間で形成することができる。
１実施形態と同様に斜め入射光２０を効果的に遮光でき
る。なお、遮光壁の製造に関し、本第２実施形態では、
遮光壁２６が開口部２４の内周面に設けた下地層２５か
ら成長するので、均一な遮光壁が得られ、しかも第１実
施形態の場合よりも短い時間で形成することができる。
【００３６】次いで、液晶表示装置では、一般に、薄膜
トランジスタがマトリクス状に配置される絶縁性基板に
対向する上部基板上に各薄膜トランジスタに対応して遮
光層を設けるが、その遮光層を囲む周囲に遮光層の厚さ
よりも大きい遮光壁を上述した手順で設けることができ
る。
トランジスタがマトリクス状に配置される絶縁性基板に
対向する上部基板上に各薄膜トランジスタに対応して遮
光層を設けるが、その遮光層を囲む周囲に遮光層の厚さ
よりも大きい遮光壁を上述した手順で設けることができ
る。
【００３７】このようにすれば、上方から遮光層を通ら
ずその周辺からＴＦＴの形成部分（活性層）に向かって
入射するような斜め入射光を効果的にほぼ完全に遮光で
きる。
ずその周辺からＴＦＴの形成部分（活性層）に向かって
入射するような斜め入射光を効果的にほぼ完全に遮光で
きる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、絶縁
性基板や上部基板に遮光層を備える液晶表示装置におい
て、遮光壁を設けたので、従来の遮光層が対処できなか
った斜め入射光を効果的に遮光でき、一層遮光効果を高
めることができる。したがって、本発明によれば、従来
の遮光層と相俟って光リーク電流の発生を大幅に低減で
きる。
性基板や上部基板に遮光層を備える液晶表示装置におい
て、遮光壁を設けたので、従来の遮光層が対処できなか
った斜め入射光を効果的に遮光でき、一層遮光効果を高
めることができる。したがって、本発明によれば、従来
の遮光層と相俟って光リーク電流の発生を大幅に低減で
きる。
【図１】第１実施形態の液晶表示装置の要部断面図であ
る。
る。
【図２】第１実施形態の液晶表示装置の製造工程図であ
る。
る。
【図３】第２実施形態の液晶表示装置の要部断面図であ
る。
る。
【図４】第２実施形態の液晶表示装置の製造工程図であ
る。
る。
１，２１ 絶縁性基板
２，２５ 下地層
３，２２ 遮光層
４，２３ 絶縁層
５，２４ 溝（開口）部
６，２６ 遮光壁
７，２７ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
８，２８ 活性層
９，２９ ゲート電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/13 - 1/141
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に第一の遮光層を備えた液晶表示装置において、前記薄
膜トランジスタは、前記第一の遮光層上に形成された絶
縁層と、該絶縁層上に形成された活性層と、該活性上に
形成されたゲート層を備え、前記遮光層の周囲には前記
絶縁層の表面から少なくとも該遮光層に達する高さの金
属材料からなる第一の遮光壁が前記第一の遮光層側面に
隣接して形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記絶縁性基板に対向して配置された上
部基板を備え、前記各薄膜トランジスタに対応して前記
上部基板に第二の遮光層が設けられており、前記第二の
遮光層を囲む周囲に前記第二の遮光層の厚さよりも大き
な高さの第二の遮光壁を設けてあることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に下地層、遮光層を順次成膜する工程と、前
記下地層および前記遮光層の２層を所定の矩形状にエッ
チング加工する工程と、前記エッチング加工した前記下
地層および前記遮光層を覆って前記絶縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記縁層表面から前
記下地層に至り前記遮光層の側面に隣接する溝部を形成
する工程と、前記下地層から金属材料を選択成長により
少なくとも前記絶縁層の表面まで成長させて前記溝部を
前記金属材料により埋め込み遮光壁を形成する工程と、
前記遮光層領域の前記絶縁層上に活性層およびゲート電
極を備えた薄膜トランジスタを形成する工程と、を備え
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 絶縁性基板とこの絶縁性基板上にマトリ
クス状に配置される薄膜トランジスタのそれぞれとの間
に遮光層を備えた液晶表示装置の製造方法において、絶
縁性基板上に遮光層を成膜する工程と、前記遮光層を所
定の矩形状にエッチング加工する工程と、前記エッチン
グ加工した前記遮光層を覆って前記絶 縁性基板上に絶縁
層を成膜する工程と、前記絶縁層に前記絶縁層表面から
前記遮光層の側面に至る溝部を形成する工程と、前記溝
部の内周面を下地層で被覆する工程と、前記下地層から
金属材料を選択成長させ前記溝部を前記金属材料により
埋め込み遮光壁を形成する工程と、前記遮光層領域の前
記絶縁層上に活性層およびゲート電極を備えた薄膜トラ
ンジスタを形成する工程と、を備えることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195099A JP3473486B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195099A JP3473486B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292812A JP2000292812A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3473486B2 true JP3473486B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=14314184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195099A Expired - Lifetime JP3473486B2 (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473486B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112289841B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-07-05 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP10195099A patent/JP3473486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2000292812A (ja) | 2000-10-20 |
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