JP3473258B2 - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子の製造方法Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の表示装置と
して広範囲に利用される発光素子であって、特に低い駆
動電圧、高輝度、安定性に優れた有機電界発光素子に関
するものである。
して広範囲に利用される発光素子であって、特に低い駆
動電圧、高輝度、安定性に優れた有機電界発光素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電界発光素子は、自己発光のために液晶
素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、
旧来多くの研究者によって研究されてきた。
素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、
旧来多くの研究者によって研究されてきた。
【０００３】現在、実用レベルに達した電界発光素子と
しては、無機材料のＺｎＳを用いた素子がある。
しては、無機材料のＺｎＳを用いた素子がある。
【０００４】しかし、この様な無機の電界発光素子は発
光のための駆動電圧として２００Ｖ以上が必要であるた
め、広く使用されるには至っていない。
光のための駆動電圧として２００Ｖ以上が必要であるた
め、広く使用されるには至っていない。
【０００５】これに対して、有機材料を用いた電界発光
素子である有機電界発光素子は、従来、実用的なレベル
からはほど遠いものであったが、１９８７年にコダック
社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって開発された積層構造素
子により、その特性が飛躍的に進歩した。
素子である有機電界発光素子は、従来、実用的なレベル
からはほど遠いものであったが、１９８７年にコダック
社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって開発された積層構造素
子により、その特性が飛躍的に進歩した。
【０００６】彼らは、蒸着膜の構造が安定であって電子
を輸送することのできる蛍光体と、正孔を輸送すること
のできる有機物を積層し、両方のキャリヤーを蛍光体中
に注入して発光させることに成功した。
を輸送することのできる蛍光体と、正孔を輸送すること
のできる有機物を積層し、両方のキャリヤーを蛍光体中
に注入して発光させることに成功した。
【０００７】これによって、有機電界発光素子の発光効
率が向上し、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以
上の発光が得られる様になった。
率が向上し、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以
上の発光が得られる様になった。
【０００８】その後、多くの研究者によってその特性向
上のための研究が行われ、現在では１００００ｃｄ／ｍ
2 以上の発光特性が得られている。
上のための研究が行われ、現在では１００００ｃｄ／ｍ
2 以上の発光特性が得られている。
【０００９】この様な有機電界発光素子の基本的な発光
特性は、すでに十分実用範囲にあり、現在その実用化を
妨げている最も大きな課題の一つは安定性の不足にあ
る。
特性は、すでに十分実用範囲にあり、現在その実用化を
妨げている最も大きな課題の一つは安定性の不足にあ
る。
【００１０】具体的には、発光輝度が低下したり、ダー
クスポットと呼ばれる発光しない領域が発生したり、素
子の短絡により破壊が起きてしまうことである。
クスポットと呼ばれる発光しない領域が発生したり、素
子の短絡により破壊が起きてしまうことである。
【００１１】この様なダークスポットは、水の存在下で
発生、成長するため、長期間の保存寿命を実現するため
には、大幅に低減することが望まれる。
発生、成長するため、長期間の保存寿命を実現するため
には、大幅に低減することが望まれる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特にダーク
スポットと呼ばれる非発光領域の発生を課題視し、この
ような非発光領域が大幅に低減された安定性に優れ、か
つ駆動電圧が低く、高輝度の有機電界発光素子を提供す
ることを目的とする。
スポットと呼ばれる非発光領域の発生を課題視し、この
ような非発光領域が大幅に低減された安定性に優れ、か
つ駆動電圧が低く、高輝度の有機電界発光素子を提供す
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、正孔輸送材の
ガラス転移温度で単独に加熱処理された正孔輸送層を設
けた有機電界発光素子の製造方法である。
ガラス転移温度で単独に加熱処理された正孔輸送層を設
けた有機電界発光素子の製造方法である。
【００１４】このような方法によれば、特にダークスポ
ットと呼ばれる非発光領域の発生が大幅に低減された安
定性に優れ、かつ駆動電圧が低く、高輝度の有機電界発
光素子が提供される。
ットと呼ばれる非発光領域の発生が大幅に低減された安
定性に優れ、かつ駆動電圧が低く、高輝度の有機電界発
光素子が提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】請求項１記載の本発明は、基板を
用意する工程と、前記基板上に第１の電極を形成する第
１の電極形成工程と、前記第１の電極上にガラス転移点
を有する正孔輸送材を含む正孔輸送層を形成する正孔輸
送層形成工程と、前記正孔輸送層を前記正孔輸送材のガ
ラス転移温度で加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱
処理された正孔輸送層上に発光材を含む発光層を形成す
る発光層形成工程と、前記発光層上に第２の電極を形成
する第２の電極形成工程とを有する有機電界発光素子の
製造方法である。
用意する工程と、前記基板上に第１の電極を形成する第
１の電極形成工程と、前記第１の電極上にガラス転移点
を有する正孔輸送材を含む正孔輸送層を形成する正孔輸
送層形成工程と、前記正孔輸送層を前記正孔輸送材のガ
ラス転移温度で加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱
処理された正孔輸送層上に発光材を含む発光層を形成す
る発光層形成工程と、前記発光層上に第２の電極を形成
する第２の電極形成工程とを有する有機電界発光素子の
製造方法である。
【００１６】このように正孔輸送材のガラス転移温度付
近で加熱処理することにより、正孔輸送層の膜質が大き
く改善され、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が大
きく低減される。
近で加熱処理することにより、正孔輸送層の膜質が大き
く改善され、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が大
きく低減される。
【００１７】なお、これはガラス転移点を有する正孔輸
送材に対して特に有効である。また、この様に加熱処理
は、正孔輸送層単独に行われることが重要であり、正孔
輸送層以外の他の有機物層を形成した後に行うと、それ
らの構成材料同士が加熱処理により混合し、発光特性が
大きく低下することとなることに起因する。次に、請求
項２記載の発明は基板を用意する工程と、前記基板上に
第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１
の電極上にガラス転移点を有する正孔輸送材であるアミ
ン化合物を含む正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工
程と、前記アミン化合物のガラス転移温度−２０℃以上
ガラス転移温度＋２０℃以下の範囲内で前記正孔輸送層
を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理された正
孔輸送層上に発光材を含む発光層を形成する発光層形成
工程と、前記発光層上に第２の電極を形成する第２の電
極形成工程とを有する有機電界発光素子の製造方法であ
る。
送材に対して特に有効である。また、この様に加熱処理
は、正孔輸送層単独に行われることが重要であり、正孔
輸送層以外の他の有機物層を形成した後に行うと、それ
らの構成材料同士が加熱処理により混合し、発光特性が
大きく低下することとなることに起因する。次に、請求
項２記載の発明は基板を用意する工程と、前記基板上に
第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１
の電極上にガラス転移点を有する正孔輸送材であるアミ
ン化合物を含む正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工
程と、前記アミン化合物のガラス転移温度−２０℃以上
ガラス転移温度＋２０℃以下の範囲内で前記正孔輸送層
を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理された正
孔輸送層上に発光材を含む発光層を形成する発光層形成
工程と、前記発光層上に第２の電極を形成する第２の電
極形成工程とを有する有機電界発光素子の製造方法であ
る。
【００１８】ここで、加熱処理の温度がガラス転移温度
より低すぎると膜質改善の効果がなく、また温度が高す
ぎると凝集が起こり膜質の改善は達成されないため、ガ
ラス転移温度から−３０℃以上＋５０℃以下の範囲内で
あることが好適で、特にガラス転移温度−２０℃以上及
びガラス転移温度＋２０℃以下の範囲内が最適と考えら
れる。
より低すぎると膜質改善の効果がなく、また温度が高す
ぎると凝集が起こり膜質の改善は達成されないため、ガ
ラス転移温度から−３０℃以上＋５０℃以下の範囲内で
あることが好適で、特にガラス転移温度−２０℃以上及
びガラス転移温度＋２０℃以下の範囲内が最適と考えら
れる。
【００１９】なお、更に、正孔輸送材はガラス転移温度
が９０℃以上のアミン化合物である構成を有するのが好
適である。
が９０℃以上のアミン化合物である構成を有するのが好
適である。
【００２０】これは、ガラス転移温度が低い正孔輸送材
は、本質的に耐熱性が低く、加熱処理による膜質改善効
果が少ないためで、特に９０℃以上のガラス転移温度を
有する正孔輸送材においては加熱処理による膜質改善効
果が大きく、好適な範囲である。
は、本質的に耐熱性が低く、加熱処理による膜質改善効
果が少ないためで、特に９０℃以上のガラス転移温度を
有する正孔輸送材においては加熱処理による膜質改善効
果が大きく、好適な範囲である。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】より具体的には、請求項３記載の様に、少
なくとも正孔輸送層形成工程と発光層形成工程は、真空
雰囲気中での蒸着工程によりなされ、第１の電極と第２
の電極は互いに対向し、前記第１の電極と基板は透明で
あることが好適であり、透明電極側から発光状態の観察
が可能である有機電界発光素子が確実に作製される。
なくとも正孔輸送層形成工程と発光層形成工程は、真空
雰囲気中での蒸着工程によりなされ、第１の電極と第２
の電極は互いに対向し、前記第１の電極と基板は透明で
あることが好適であり、透明電極側から発光状態の観察
が可能である有機電界発光素子が確実に作製される。
【００２８】なお、正孔輸送材としては様々なものが提
案されているが、特に（化１）、（化２）、（化３）、
（化４）で記述されるアミン化合物が耐熱性が向上され
ており最適である。
案されているが、特に（化１）、（化２）、（化３）、
（化４）で記述されるアミン化合物が耐熱性が向上され
ており最適である。
【００２９】
【化１】
【００３０】
【化２】
【００３１】
【化３】
【００３２】
【化４】
ただし、（化１）におけるＲ1、Ｒ2は水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を置換基として有するフェ
ニル基、Ｒ3は水素原子、メチル基、メトキシ基、また
は塩素原子を表す。また、Ｒ1、Ｒ2の少なくとも一方
は、イソブチル基、セカンダリブチル基、ターシャルブ
チル基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコ
キシ基を有するフェニル基を表す。
ルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を置換基として有するフェ
ニル基、Ｒ3は水素原子、メチル基、メトキシ基、また
は塩素原子を表す。また、Ｒ1、Ｒ2の少なくとも一方
は、イソブチル基、セカンダリブチル基、ターシャルブ
チル基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコ
キシ基を有するフェニル基を表す。
【００３３】また、（化２）におけるＲ4、Ｒ5、Ｒ6は
同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、置換または無置換のアリール基
を表し、Ｒ7は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、または塩素原子を表す。また、Ａ1は以下の
（化５）の構造を有する置換基を表す。
同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、置換または無置換のアリール基
を表し、Ｒ7は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、または塩素原子を表す。また、Ａ1は以下の
（化５）の構造を有する置換基を表す。
【００３４】
【化５】
このうちＲ8は水素原子、メチル基、メトキシ基、また
は塩素原子を表す。また、（化３）におけるＲ9 、Ｒ10
は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
または無置換のフェニル基を表し、Ｒ11は水素原子、メ
チル基、メトキシ基、塩素原子を表す。
は塩素原子を表す。また、（化３）におけるＲ9 、Ｒ10
は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
または無置換のフェニル基を表し、Ｒ11は水素原子、メ
チル基、メトキシ基、塩素原子を表す。
【００３５】また、（化４）における、Ｒ12、Ｒ13は同
一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、置換または無置換のアリール基
を表し、Ｒ14は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、または塩素原子を表す。 また、Ａ2は以下の
（化６）の構造を有する置換基を表す。
一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、置換または無置換のアリール基
を表し、Ｒ14は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、または塩素原子を表す。 また、Ａ2は以下の
（化６）の構造を有する置換基を表す。
【００３６】
【化６】
このうちＲ8は水素原子、メチル基、メトキシ基、また
は塩素原子を表す。
は塩素原子を表す。
【００３７】なお、発光材としては各種の金属錯体化合
物、オキサゾール誘導体やスチリル誘導体などの有機色
素化合物、ポリパラフェニレンビニレンなどの高分子化
合物など各種の材料を用いることができる。
物、オキサゾール誘導体やスチリル誘導体などの有機色
素化合物、ポリパラフェニレンビニレンなどの高分子化
合物など各種の材料を用いることができる。
【００３８】また、発光層にキナクリドンやクマリンな
どのドーパントを添加することによりさらに高性能の有
機電界発光素子を作製することができる。
どのドーパントを添加することによりさらに高性能の有
機電界発光素子を作製することができる。
【００３９】以下に、本発明を具体的な実施の形態によ
りに説明する。以下の実施の形態では、発光材としてト
リス（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑと
いう。）を用い、陽極、正孔輸送層、発光層、陰極の順
に積層した素子の構成を代表的に示すが、本発明はこの
構成に限定されるものではもちろんない。
りに説明する。以下の実施の形態では、発光材としてト
リス（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑと
いう。）を用い、陽極、正孔輸送層、発光層、陰極の順
に積層した素子の構成を代表的に示すが、本発明はこの
構成に限定されるものではもちろんない。
【００４０】（実施の形態１）本実施の形態の電界発光
素子は、図１に示すように、ガラス基板１上に透明電極
２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、
正孔輸送層３、発光層４、アルミニウム／リチウム（Ａ
ｌ／Ｌｉ）電極５の順に蒸着して作製した構成を有す
る。
素子は、図１に示すように、ガラス基板１上に透明電極
２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、
正孔輸送層３、発光層４、アルミニウム／リチウム（Ａ
ｌ／Ｌｉ）電極５の順に蒸着して作製した構成を有す
る。
【００４１】まず、十分に洗浄したガラス基板（ＩＴＯ
電極は成膜済み）、アミン化合物（１）（前述の（化
２）において、Ｒ4＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒ7＝Ｒ8＝Ｈ、Ａ1＝
（ｃ）としたもの。）、精製したＡｌｑを蒸着装置にセ
ットした。
電極は成膜済み）、アミン化合物（１）（前述の（化
２）において、Ｒ4＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒ7＝Ｒ8＝Ｈ、Ａ1＝
（ｃ）としたもの。）、精製したＡｌｑを蒸着装置にセ
ットした。
【００４２】ついで、１０-6ｔｏｒｒまで排気した後、
０．１ｎｍ／秒の速度でセットしたアミン化合物（１）
を蒸着し正孔輸送層を５０ｎｍ形成した。
０．１ｎｍ／秒の速度でセットしたアミン化合物（１）
を蒸着し正孔輸送層を５０ｎｍ形成した。
【００４３】ここで、アミン化合物（１）のガラス転移
温度は１４３℃であるので、正孔輸送層を１４０℃で加
熱処理した。
温度は１４３℃であるので、正孔輸送層を１４０℃で加
熱処理した。
【００４４】ついで、セットした発光材のＡｌｑを０．
１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、膜厚５０ｎｍの発光層を形
成した。
１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、膜厚５０ｎｍの発光層を形
成した。
【００４５】その後、Ａｌ／Ｌｉ電極の蒸着を０．５ｎ
ｍ／秒の速度で行い、その厚さを１５０ｎｍとした。
ｍ／秒の速度で行い、その厚さを１５０ｎｍとした。
【００４６】なお、これらの蒸着はいずれも真空を破ら
ずに連続して行い、膜厚は水晶振動子によってモニター
した。
ずに連続して行い、膜厚は水晶振動子によってモニター
した。
【００４７】そして、素子作製後、直ちに乾燥窒素中で
電極の取り出しを行い、引続き特性測定を行った。
電極の取り出しを行い、引続き特性測定を行った。
【００４８】ここで、得られた素子の発光特性は、１０
０ｍＡ／ｃｍ2の電流を印加した場合の発光輝度で定義
した。
０ｍＡ／ｃｍ2の電流を印加した場合の発光輝度で定義
した。
【００４９】また、ダークスポットを顕微鏡により観測
し、単位面積当たりの個数を測定して非発光領域の度合
いとした。
し、単位面積当たりの個数を測定して非発光領域の度合
いとした。
【００５０】その結果、本実施の形態においては、発光
特性は４２００ｃｄ／ｍ2、ダークスポットは１個／ｍ
ｍ2であった。
特性は４２００ｃｄ／ｍ2、ダークスポットは１個／ｍ
ｍ2であった。
【００５１】一方、比較のために、正孔輸送層の加熱処
理を行わない以外は同様にして有機電界発光素子を作製
し、特性を調べた。
理を行わない以外は同様にして有機電界発光素子を作製
し、特性を調べた。
【００５２】その結果、発光特性は４０００ｃｄ／
ｍ2、ダークスポットは５０個／ｍｍ2であった。
ｍ2、ダークスポットは５０個／ｍｍ2であった。
【００５３】以上より、本実施の形態の有機電界発光素
子は、ダークスポットの個数、つまり非発光領域が大幅
に低減されることが確認された。
子は、ダークスポットの個数、つまり非発光領域が大幅
に低減されることが確認された。
【００５４】（実施の形態２）本実施の形態では、正孔
輸送層の加熱処理の温度を、８０℃から２００℃の範囲
で変化させた以外は、実施の形態１と同様に有機電界発
光素子を作製し、その特性を評価した。
輸送層の加熱処理の温度を、８０℃から２００℃の範囲
で変化させた以外は、実施の形態１と同様に有機電界発
光素子を作製し、その特性を評価した。
【００５５】その結果を、以下の（表１）に示す。
【００５６】
【表１】
（表１）より、加熱処理の温度は、用いた正孔輸送材の
少なくとも（ガラス転移温度−３０）℃以上及び（ガラ
ス転移温度＋５０）℃以下の範囲内であると、効果が非
常に大きいことが理解できる。
少なくとも（ガラス転移温度−３０）℃以上及び（ガラ
ス転移温度＋５０）℃以下の範囲内であると、効果が非
常に大きいことが理解できる。
【００５７】以上より、本実施の形態の有機電界発光素
子は、正孔輸送材の加熱処理温度を好適な範囲に設定す
ると、ダークスポットの個数、つまり非発光領域が大幅
に低減されることが判明した。
子は、正孔輸送材の加熱処理温度を好適な範囲に設定す
ると、ダークスポットの個数、つまり非発光領域が大幅
に低減されることが判明した。
【００５８】（実施の形態３）本実施の形態では、正孔
輸送材としてアミン化合物（１）の代わりに、アミン化
合物（２）（（化１）式においてＲ1＝ｍ−ＣＨ3、Ｒ2
＝Ｈ、Ｒ3＝Ｈ）、アミン化合物（３）（（化１）式に
おいてＲ1＝ｐ−Ｃ4Ｈ9、Ｒ2＝Ｈ、Ｒ3＝Ｈ）、アミン
化合物（４）（（化１）式においてＲ1＝ｐ−Ｃ6Ｈ5、
Ｒ2＝ｐ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ3＝ＣＨ3）、アミン化合物（５）
（（化３）式においてをＲ9＝Ｒ10＝Ｒ11＝Ｈ）を用
い、各正孔輸送材のガラス転移温度で一致させて加熱処
理を行った以外は、実施の形態１と同様に有機電界発光
素子を作製し、その特性を評価した。
輸送材としてアミン化合物（１）の代わりに、アミン化
合物（２）（（化１）式においてＲ1＝ｍ−ＣＨ3、Ｒ2
＝Ｈ、Ｒ3＝Ｈ）、アミン化合物（３）（（化１）式に
おいてＲ1＝ｐ−Ｃ4Ｈ9、Ｒ2＝Ｈ、Ｒ3＝Ｈ）、アミン
化合物（４）（（化１）式においてＲ1＝ｐ−Ｃ6Ｈ5、
Ｒ2＝ｐ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ3＝ＣＨ3）、アミン化合物（５）
（（化３）式においてをＲ9＝Ｒ10＝Ｒ11＝Ｈ）を用
い、各正孔輸送材のガラス転移温度で一致させて加熱処
理を行った以外は、実施の形態１と同様に有機電界発光
素子を作製し、その特性を評価した。
【００５９】一方、比較のために、正孔輸送層の加熱処
理を行わない素子も作製し、特性を評価した。
理を行わない素子も作製し、特性を評価した。
【００６０】そして、加熱処理を行った素子の黒点の数
を加熱処理を行わない素子の黒点の数で割った値を、黒
点の低減割合とした。
を加熱処理を行わない素子の黒点の数で割った値を、黒
点の低減割合とした。
【００６１】つまり、この値が小さいほど黒点が低減さ
れたこととなり、その結果を以下の（表２）に示す。
れたこととなり、その結果を以下の（表２）に示す。
【００６２】
【表２】
（表２）より、本実施形態の有機電界発光素子は、ダー
クスポット、つまり非発光領域が大幅に低減されること
が判明した。
クスポット、つまり非発光領域が大幅に低減されること
が判明した。
【００６３】さらに、ガラス転移温度が９０℃以上の正
孔輸送材を用いた場合に、黒点低減効果大きいことも分
かった。
孔輸送材を用いた場合に、黒点低減効果大きいことも分
かった。
【００６４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ダーク
スポットと呼ばれる非発光領域が低減された優れた有機
電界発光素子が得られるという有利な効果が得られる。
スポットと呼ばれる非発光領域が低減された優れた有機
電界発光素子が得られるという有利な効果が得られる。
【００６５】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態における電界発光素子の構
成を示す図
成を示す図
【００６７】
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ 正孔輸送層
４ 電子輸送層兼発光層
５ Ａｌ／Ｌｉ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−182764（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−235379（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−338392（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/14
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を用意する工程と、前記基板上に第
１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の
電極上にガラス転移点を有する正孔輸送材を含む正孔輸
送層を形成する正孔輸送層形成工程と、前記正孔輸送層
を前記正孔輸送材のガラス転移温度で加熱処理する加熱
処理工程と、前記加熱処理された正孔輸送層上に発光材
を含む発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層
上に第２の電極を形成する第２の電極形成工程とを有す
る有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 基板を用意する工程と、前記基板上に第
１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の
電極上にガラス転移点を有する正孔輸送材であるアミン
化合物を含む正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程
と、前記アミン化合物のガラス転移温度−２０℃以上ガ
ラス転移温度＋２０℃以下の範囲内で前記正孔輸送層を
加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理された正孔
輸送層上に発光材を含む発光層を形成する発光層形成工
程と、前記発光層上に第２の電極を形成する第２の電極
形成工程とを有する有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 少なくとも正孔輸送層形成工程と発光層
形成工程は、真空雰囲気中での蒸着工程によりなされ、
前記第１の電極と第２の電極は互いに対向し、前記第１
の電極と基板は透明である請求項１または２記載の有機
電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07352496A JP3473258B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07352496A JP3473258B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266070A JPH09266070A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3473258B2 true JP3473258B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=13520721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07352496A Expired - Lifetime JP3473258B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473258B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670450B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices |
| JP5332396B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2013-11-06 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07352496A patent/JP3473258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09266070A (ja) | 1997-10-07 |
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