JP3464473B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JP3464473B2 JP3464473B2 JP2002175100A JP2002175100A JP3464473B2 JP 3464473 B2 JP3464473 B2 JP 3464473B2 JP 2002175100 A JP2002175100 A JP 2002175100A JP 2002175100 A JP2002175100 A JP 2002175100A JP 3464473 B2 JP3464473 B2 JP 3464473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent conductive
- color filter
- substrate
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーフィルタ上
に形成された透明導電層のパターニング加工をレーザー
光によって行うものであり、カラー液晶ディスプレイの
分野に広く使われる。
に形成された透明導電層のパターニング加工をレーザー
光によって行うものであり、カラー液晶ディスプレイの
分野に広く使われる。
【０００２】
【従来の技術】カラー液晶ディスプレイは、軽量、小
型、低消費電力の薄型ディスプレイとして、現在のＣＲ
Ｔを用いたテレビジョン等の表示装置に取って変わろう
としている。現在、ＴＮ（ツイステッド ネマチック）
液晶、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマチック）液晶
に技術が発達し、ワードプロセッサー、投影機、液晶テ
レビの分野にわたって広く使われている。
型、低消費電力の薄型ディスプレイとして、現在のＣＲ
Ｔを用いたテレビジョン等の表示装置に取って変わろう
としている。現在、ＴＮ（ツイステッド ネマチック）
液晶、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマチック）液晶
に技術が発達し、ワードプロセッサー、投影機、液晶テ
レビの分野にわたって広く使われている。
【０００３】しかしながら、これらのカラー液晶ディス
プレイに使うカラーフィルタは種々の原因により歩留り
が低く、たいへん高価なものとなっている。例えば、単
純マトリクス型液晶ディスプレイでは、カラーフィルタ
と対応して電極を細線に加工する必要があり、加工が困
難である。従って、歩留の高いカラーフィルタの作製法
が要求されている。
プレイに使うカラーフィルタは種々の原因により歩留り
が低く、たいへん高価なものとなっている。例えば、単
純マトリクス型液晶ディスプレイでは、カラーフィルタ
と対応して電極を細線に加工する必要があり、加工が困
難である。従って、歩留の高いカラーフィルタの作製法
が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】カラー液晶で使用され
る従来のカラーフィルタ基板は図３に示すとおり、ガラ
ス基板上（１）上に、赤色層（２−１）、緑色層（２−
２）、青色層（２−３）およびブラックマトリクス（２
−４）よりなるカラーフィルター層（２）を形成後、平
坦化層（３）、透明導電層（５）を積層した構造をして
いる。透明導電層（５）は、フォトリソグラフィーによ
りパターニング加工され、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）各
色にあたる電極を形成する。
る従来のカラーフィルタ基板は図３に示すとおり、ガラ
ス基板上（１）上に、赤色層（２−１）、緑色層（２−
２）、青色層（２−３）およびブラックマトリクス（２
−４）よりなるカラーフィルター層（２）を形成後、平
坦化層（３）、透明導電層（５）を積層した構造をして
いる。透明導電層（５）は、フォトリソグラフィーによ
りパターニング加工され、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）各
色にあたる電極を形成する。
【０００５】上記方法により作製された基板は、塗布方
法、膜厚の関係から、平坦化層を均一に形成することは
難しい。そのため、この平坦化層（３）の上の透明導電
層（５）をフォトリソグラフィーにてパターニングする
場合、カラーフィルター上の凹凸でレジストに照射され
る紫外線の強度が均一にならずに、加工エッジ部がシャ
ープな直線にならないことが生じる。その程度がひどい
とディスプレイとしたときに横ショートが発生したり、
それを考慮して十分なエッチングを施すと、駆動電極部
が減少するため、配線抵抗の増加、開口率の低下、カラ
ーフィルターで期待していた画素部より電極面積の方が
小さくなるために起こる色抜け等が発生し、歩留りを低
下させる原因となっていた。
法、膜厚の関係から、平坦化層を均一に形成することは
難しい。そのため、この平坦化層（３）の上の透明導電
層（５）をフォトリソグラフィーにてパターニングする
場合、カラーフィルター上の凹凸でレジストに照射され
る紫外線の強度が均一にならずに、加工エッジ部がシャ
ープな直線にならないことが生じる。その程度がひどい
とディスプレイとしたときに横ショートが発生したり、
それを考慮して十分なエッチングを施すと、駆動電極部
が減少するため、配線抵抗の増加、開口率の低下、カラ
ーフィルターで期待していた画素部より電極面積の方が
小さくなるために起こる色抜け等が発生し、歩留りを低
下させる原因となっていた。
【０００６】さらに平坦化層はポリイミド等の樹脂が使
用されることから、樹脂と透明導電層材料たとえばＩＴ
Ｏ（酸化インジュームスズ）では応力差が大きく密着性
が悪いため、レジストを用いたパターニングの場合、現
像、エッチング、剥離の各工程で樹脂−電極間に溶液が
残りやすく、透明導電層がはがれやすかった。そのた
め、きれいなパターンは得られないなどの問題があっ
た。
用されることから、樹脂と透明導電層材料たとえばＩＴ
Ｏ（酸化インジュームスズ）では応力差が大きく密着性
が悪いため、レジストを用いたパターニングの場合、現
像、エッチング、剥離の各工程で樹脂−電極間に溶液が
残りやすく、透明導電層がはがれやすかった。そのた
め、きれいなパターンは得られないなどの問題があっ
た。
【０００７】カラーフィルタ基板の横ショート、開口
率、解像度等を満足させるには、被照射面の高さ方向の
凹凸の大きさよりも長い焦点深度をもつレーザーによる
加工が有効とされているが、平坦化層が透明導電層加工
時に、同時に加工されて深い溝を作ってしまう欠点があ
った。
率、解像度等を満足させるには、被照射面の高さ方向の
凹凸の大きさよりも長い焦点深度をもつレーザーによる
加工が有効とされているが、平坦化層が透明導電層加工
時に、同時に加工されて深い溝を作ってしまう欠点があ
った。
【０００８】これは、透明導電層より平坦化層の方がレ
ーザー光を吸収しやすく、かつ、融点、沸点も低いこと
に起因しており、その後工程で、これらの層の上に形成
される配向膜の厚さに大きなバラツキをもたらし、かつ
透明導電層の有無による段差が大きくなるため、ディス
クリネーション等の配向欠陥の原因となっていた。
ーザー光を吸収しやすく、かつ、融点、沸点も低いこと
に起因しており、その後工程で、これらの層の上に形成
される配向膜の厚さに大きなバラツキをもたらし、かつ
透明導電層の有無による段差が大きくなるため、ディス
クリネーション等の配向欠陥の原因となっていた。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明は上記問題発生の
メカニズムを究明した結果に基づくものであり、図１に
示すように、透光性基板（１）上に、ＲＧＢ−ＢＬのカ
ラーフィルタ層（２）、その層上にフィルター上面を平
坦化する樹脂よりなる平坦化層（３）、その平坦化層上
にレーザー光に対する保護層（４）、更にこの保護層上
に透明導電層（５）を設けたものである。
メカニズムを究明した結果に基づくものであり、図１に
示すように、透光性基板（１）上に、ＲＧＢ−ＢＬのカ
ラーフィルタ層（２）、その層上にフィルター上面を平
坦化する樹脂よりなる平坦化層（３）、その平坦化層上
にレーザー光に対する保護層（４）、更にこの保護層上
に透明導電層（５）を設けたものである。
【００１０】また本発明は、透光性基板（１）上に、Ｒ
ＧＢ−ＢＬのカラーフィルタ層（２）を形成し、その層
上に、フィルターを平坦化する樹脂よりなる平坦化層
（３）を形成し、その平坦化層上にレーザー光に対する
保護層（４）を形成し、更にこの保護層上に透明導電層
（５）を設けたのち、レーザー光を照射して部分的に透
明導電層（５）を除去し、かつ保護層で不所望の溝の形
成を防止するものである。
ＧＢ−ＢＬのカラーフィルタ層（２）を形成し、その層
上に、フィルターを平坦化する樹脂よりなる平坦化層
（３）を形成し、その平坦化層上にレーザー光に対する
保護層（４）を形成し、更にこの保護層上に透明導電層
（５）を設けたのち、レーザー光を照射して部分的に透
明導電層（５）を除去し、かつ保護層で不所望の溝の形
成を防止するものである。
【００１１】１００〜４００ｎｍの波長を有する紫外光
レーザー、例えばＫｒＦエキシマレーザーを用いる透明
導電層の加工は、レーザー光を、加工される透明導電膜
に照射し、前記透明導電膜に吸収するエネルギーにより
該導電層を液化、気化させるという工程となる。これ
が、一瞬のうちに行われているため、加工される透明導
電層の下地となる層は、透明導電層より高い耐熱性を有
する物質であることが望まれる。
レーザー、例えばＫｒＦエキシマレーザーを用いる透明
導電層の加工は、レーザー光を、加工される透明導電膜
に照射し、前記透明導電膜に吸収するエネルギーにより
該導電層を液化、気化させるという工程となる。これ
が、一瞬のうちに行われているため、加工される透明導
電層の下地となる層は、透明導電層より高い耐熱性を有
する物質であることが望まれる。
【００１２】また、光を利用した加工であるために、単
に温度の問題だけではなく光の吸収性も問題となる。下
地となる層のレーザー光の波長の吸収率が大きいと、透
明導電層加工後にレーザー光によって、下地の層が加工
されてしまう。そのため、当該レーザー光の波長に対し
て、吸収率が小さく、反射率が大きい物質であることが
望まれる。
に温度の問題だけではなく光の吸収性も問題となる。下
地となる層のレーザー光の波長の吸収率が大きいと、透
明導電層加工後にレーザー光によって、下地の層が加工
されてしまう。そのため、当該レーザー光の波長に対し
て、吸収率が小さく、反射率が大きい物質であることが
望まれる。
【００１３】平坦化層の素材としては、ポリイミド、ナ
イロン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂等、比較
的厚く塗れる樹脂が使用される。
イロン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂等、比較
的厚く塗れる樹脂が使用される。
【００１４】保護層には、融点が１０００℃以上である
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5，ＷＯ2 等の無機酸
化膜か、紫外光レーザーを反射しやすく吸収しにくいＭ
ｇＦ 2 ，ＣａＦ2 等の膜を使用するが、透明導電層より
も高い耐熱性するものや使用するレーザー光を吸収しに
くいものであれば、ここに上げた材料に限らない。
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5，ＷＯ2 等の無機酸
化膜か、紫外光レーザーを反射しやすく吸収しにくいＭ
ｇＦ 2 ，ＣａＦ2 等の膜を使用するが、透明導電層より
も高い耐熱性するものや使用するレーザー光を吸収しに
くいものであれば、ここに上げた材料に限らない。
【００１５】また、有機膜（平坦化層）上に無機膜（保
護層）を形成するため、そのままでは相互の膜どうしの
高い密着性は得にくい。そこで密着性向上のため、平坦
化層に物理的処理を施し、膜特に表面を活性化状態に
し、その上に無機膜を形成すると、無機膜の密着性は向
上する。物理的処理すなわに活性化処理としてはプラズ
マ処理、紫外線処理、コロナ放電等がある。この他の手
法でも効果が同じであれば、ここに上げた方法に限らな
い。
護層）を形成するため、そのままでは相互の膜どうしの
高い密着性は得にくい。そこで密着性向上のため、平坦
化層に物理的処理を施し、膜特に表面を活性化状態に
し、その上に無機膜を形成すると、無機膜の密着性は向
上する。物理的処理すなわに活性化処理としてはプラズ
マ処理、紫外線処理、コロナ放電等がある。この他の手
法でも効果が同じであれば、ここに上げた方法に限らな
い。
【００１６】透明導電層は、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ
等の材料で構成されるが、最終的に透明導電層となるも
のであれば、任意に選択使用できる。
等の材料で構成されるが、最終的に透明導電層となるも
のであれば、任意に選択使用できる。
【００１７】上記本発明によれば、レーザー照射をし、
透明導電層の加工を行う際に、保護層が、レーザー光に
よる平坦化層への不所望の溝の形成を防止し透明導電層
のみが加工される。
透明導電層の加工を行う際に、保護層が、レーザー光に
よる平坦化層への不所望の溝の形成を防止し透明導電層
のみが加工される。
【００１８】更に、レーザー加工による残渣が残り易
い、高融点、沸点の透明導電層に対しては、レーザー加
工を平坦化層に対して比較的選択性のある保護層付近に
とどめておき、酸処理にて、図２に示すように保護層
（４）と残渣を同時に取り除き、横ショートを防ぐこと
ができる。
い、高融点、沸点の透明導電層に対しては、レーザー加
工を平坦化層に対して比較的選択性のある保護層付近に
とどめておき、酸処理にて、図２に示すように保護層
（４）と残渣を同時に取り除き、横ショートを防ぐこと
ができる。
【００１９】〔実施例１〕図１に示す透光性基板（１）
上に、顔料をポリイミドに分散させた樹脂を用いたカラ
ーフィルタ赤色層（２−１）を形成後フォトリソグラフ
ィーでパターンを形成した。同様に、カラーフィルタ緑
色層（２−２）、青色層（２−３）を順次形成し、さら
にブラックマトリクス（２−４）を同様の方法で形成
し、カラーフィルタ層（２）を積層した。平坦化層
（３）としてポリイミドをスピンコート法で４μｍの厚
さで塗布し、保護層（４）としてＳｉＯ2 膜をスパッタ
法で０．１６μｍ積層し、透明導電層（５）としてＩＴ
Ｏ膜をスパッタ法で０．２０μｍ積層し、表１層構造１
に示す構成の基板を得た。
上に、顔料をポリイミドに分散させた樹脂を用いたカラ
ーフィルタ赤色層（２−１）を形成後フォトリソグラフ
ィーでパターンを形成した。同様に、カラーフィルタ緑
色層（２−２）、青色層（２−３）を順次形成し、さら
にブラックマトリクス（２−４）を同様の方法で形成
し、カラーフィルタ層（２）を積層した。平坦化層
（３）としてポリイミドをスピンコート法で４μｍの厚
さで塗布し、保護層（４）としてＳｉＯ2 膜をスパッタ
法で０．１６μｍ積層し、透明導電層（５）としてＩＴ
Ｏ膜をスパッタ法で０．２０μｍ積層し、表１層構造１
に示す構成の基板を得た。
【表１】
【００２０】また比較例として、保護層を設けない、表
１の層構造４に示す構成の基板を作製した。この２つの
基板を洗浄し、直線状のレーザースクライブ加工を行っ
た。レーザー加工は、波長２４８ｎｍ、パワー密度３０
０ｍＪ／ｃｍ2 のＫｒＦエキシマレーザー光を用いて、
１つの直線につき１ショット照射した。
１の層構造４に示す構成の基板を作製した。この２つの
基板を洗浄し、直線状のレーザースクライブ加工を行っ
た。レーザー加工は、波長２４８ｎｍ、パワー密度３０
０ｍＪ／ｃｍ2 のＫｒＦエキシマレーザー光を用いて、
１つの直線につき１ショット照射した。
【００２１】この際のレーザー光は光学系にて幅１０μ
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ光照射で長さ３０
０ｍｍの加工をしている。
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ光照射で長さ３０
０ｍｍの加工をしている。
【００２２】その結果を以下に示す。表２の層構造１が
保護層を設けた基板、表２の層構造４が保護層を設けな
かった基板の、レーザースクライブ加工断面の凹凸の様
子を、段差測定機、断面ＳＥＭで測定した結果である。
保護層を設けない基板は、図４に示すように、ポリイミ
ド層（３）に深く切れ込んで２μｍ以上となりブラック
のカラーフィルターにも達するほどであった。
保護層を設けた基板、表２の層構造４が保護層を設けな
かった基板の、レーザースクライブ加工断面の凹凸の様
子を、段差測定機、断面ＳＥＭで測定した結果である。
保護層を設けない基板は、図４に示すように、ポリイミ
ド層（３）に深く切れ込んで２μｍ以上となりブラック
のカラーフィルターにも達するほどであった。
【表２】
【００２３】保護層を設けた基板は、図１に示すとお
り、ＩＴＯ膜厚分の０．２０μｍの段差で溝が止まっ
た。また、絶縁抵抗値も１×１０11Ω以上と、十分な値
となった。
り、ＩＴＯ膜厚分の０．２０μｍの段差で溝が止まっ
た。また、絶縁抵抗値も１×１０11Ω以上と、十分な値
となった。
【００２４】この基板を用いてディスプレイを作製した
結果、保護層を設けない基板で作製したものは、ディス
クリネーション等の発生により不良となったが、保護層
を設けた基板で作製したものは、画素内に欠陥がなく良
好な特性を示した。又、保護層にＡｌ2 Ｏ3 、ＷＯ2 、
ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を設けたものも同等の結果が得られ
た。
結果、保護層を設けない基板で作製したものは、ディス
クリネーション等の発生により不良となったが、保護層
を設けた基板で作製したものは、画素内に欠陥がなく良
好な特性を示した。又、保護層にＡｌ2 Ｏ3 、ＷＯ2 、
ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 を設けたものも同等の結果が得られ
た。
【００２５】〔実施例２〕カラーフィルタ層を通常の方
法で作製し、平坦化層としてポリイミドをスピンコート
法で４μｍの厚さで塗布した。保護層はＲＦスパッタ法
でタンタル膜を０．１０μｍ積層後、陽極酸化法により
透明な酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）にして用いた。透明導電層
はスパッタ法でＩＴＯ膜を０．２０μｍ積層し、表１の
層構造３に示す構成の基板を得た。
法で作製し、平坦化層としてポリイミドをスピンコート
法で４μｍの厚さで塗布した。保護層はＲＦスパッタ法
でタンタル膜を０．１０μｍ積層後、陽極酸化法により
透明な酸化膜（Ｔａ2 Ｏ5 ）にして用いた。透明導電層
はスパッタ法でＩＴＯ膜を０．２０μｍ積層し、表１の
層構造３に示す構成の基板を得た。
【００２６】また比較例として、保護層にポリフッ化ビ
ニリデン（以下 ｐ−ＶＤＦ）をスピンコートによって
０．４μｍ設けた、表１の層構造５に示す構成の基板を
作製した。この２つの基板を洗浄し、直線状のレーザー
スクライブ加工を行った。レーザー加工は、波長１９３
ｎｍ、パワー密度１５０ｍＪ／ｃｍ2 のＡｒＦエキシマ
レーザー光を用いて、１つの直線につき、２ショット照
射した。
ニリデン（以下 ｐ−ＶＤＦ）をスピンコートによって
０．４μｍ設けた、表１の層構造５に示す構成の基板を
作製した。この２つの基板を洗浄し、直線状のレーザー
スクライブ加工を行った。レーザー加工は、波長１９３
ｎｍ、パワー密度１５０ｍＪ／ｃｍ2 のＡｒＦエキシマ
レーザー光を用いて、１つの直線につき、２ショット照
射した。
【００２７】この際のレーザー光は光学系にて、幅５μ
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ加工（２ショッ
ト）で長さ３００ｍｍの加工をしている。
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ加工（２ショッ
ト）で長さ３００ｍｍの加工をしている。
【００２８】その結果を以下に示す。表２の層構造３が
保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板、表２の層構造５が保
護層にフッ化ビニリデンを設けた基板の、レーザースク
ライブ加工断面の凹凸の様子を、段差測定機、断面ＳＥ
Ｍで測定した結果である。
保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板、表２の層構造５が保
護層にフッ化ビニリデンを設けた基板の、レーザースク
ライブ加工断面の凹凸の様子を、段差測定機、断面ＳＥ
Ｍで測定した結果である。
【００２９】保護層にｐ−ＶＤＦを設けた基板は、図５
に示すとおり、ポリイミド層に深く切れ込んで１μｍ以
上となりブラックのカラーフィルターにも達するほどで
あった。保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板は、図１に示
すように、ＩＴＯ膜厚分の０．２０μｍの段差でぴたり
と溝が止まっている。また、絶縁抵抗値も１×１０11Ω
以上と、十分な値となった。
に示すとおり、ポリイミド層に深く切れ込んで１μｍ以
上となりブラックのカラーフィルターにも達するほどで
あった。保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板は、図１に示
すように、ＩＴＯ膜厚分の０．２０μｍの段差でぴたり
と溝が止まっている。また、絶縁抵抗値も１×１０11Ω
以上と、十分な値となった。
【００３０】この基板を用いてディスプレイを作製した
結果、保護層にフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）を設けた基
板で作製したものは、ディスクリネーション等の発生に
より不良となったが、保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板
で作製したものは、画素内に欠陥がなく良好な特性を示
した。
結果、保護層にフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）を設けた基
板で作製したものは、ディスクリネーション等の発生に
より不良となったが、保護層にＴａ2 Ｏ5 を設けた基板
で作製したものは、画素内に欠陥がなく良好な特性を示
した。
【００３１】〔実施例３〕カラーフィルタ層を通常の方
法で作製し、平坦化層としてポリイミドをスピンコート
法で４μｍの厚さで塗布し、高圧水銀ランプ、２０ｍＷ
／ｃｍ2 、２ｍｉｎ、の紫外線（ＵＶ）照射処理により
平坦化層表面の活性化処理を行い、保護層としてＳｉＯ
2 膜をスピンコート法で０．１０μｍ積層し、透明導電
層としてＺｎＯ膜をスパッタ法で０．１７μｍ積層し、
表１の層構造２に示す構成の基板を得た。
法で作製し、平坦化層としてポリイミドをスピンコート
法で４μｍの厚さで塗布し、高圧水銀ランプ、２０ｍＷ
／ｃｍ2 、２ｍｉｎ、の紫外線（ＵＶ）照射処理により
平坦化層表面の活性化処理を行い、保護層としてＳｉＯ
2 膜をスピンコート法で０．１０μｍ積層し、透明導電
層としてＺｎＯ膜をスパッタ法で０．１７μｍ積層し、
表１の層構造２に示す構成の基板を得た。
【００３２】また比較例として、平坦化層の活性化処理
を行わない、表１の層構造６に示す構成の基板を作製し
た。
を行わない、表１の層構造６に示す構成の基板を作製し
た。
【００３３】この２つの基板を洗浄し、直線状のレーザ
ースクライブ加工を行った。レーザー加工は、波長２４
８ｎｍ、パワー密度３００ｍＪ／ｃｍ2 のＫｒＦエキシ
マレーザー光を用いて、１つの直線につき、１ショット
照射した。
ースクライブ加工を行った。レーザー加工は、波長２４
８ｎｍ、パワー密度３００ｍＪ／ｃｍ2 のＫｒＦエキシ
マレーザー光を用いて、１つの直線につき、１ショット
照射した。
【００３４】この際のレーザー光は光学系にて幅１０μ
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ光照射で長さ３０
０ｍｍの加工をしている。
ｍ、長さ３００ｍｍ、焦点深度は０．２ｍｍでありカラ
ーフィルターの凹凸である５００ｎｍより十分に大きい
形状に加工されている。１度のレーザ光照射で長さ３０
０ｍｍの加工をしている。
【００３５】表２の層構造２が平坦化層に紫外線による
活性化処理を行った基板、表２の層構造６が平坦化層に
活性化処理を行わなかった基板の、レーザースクライブ
加工断面の凹凸の様子を、段差測定機、断面ＳＥＭでみ
た結果である。断面形状は、図１に示したように、どち
らも保護層上で溝が止まっており、満足のいくものであ
るが、絶縁抵抗値において、１×１０8 Ωと十分な値が
得られていない。これは、溝中にＺｎＯの残渣が残った
結果であった。
活性化処理を行った基板、表２の層構造６が平坦化層に
活性化処理を行わなかった基板の、レーザースクライブ
加工断面の凹凸の様子を、段差測定機、断面ＳＥＭでみ
た結果である。断面形状は、図１に示したように、どち
らも保護層上で溝が止まっており、満足のいくものであ
るが、絶縁抵抗値において、１×１０8 Ωと十分な値が
得られていない。これは、溝中にＺｎＯの残渣が残った
結果であった。
【００３６】そこで、ＨＦによる保護層の酸処理を行
い、残渣の除去を行った。ＨＦは、水で１０倍に希釈
し、１０秒間基板を浸した。
い、残渣の除去を行った。ＨＦは、水で１０倍に希釈
し、１０秒間基板を浸した。
【００３７】表２の層構造２１が平坦化層に紫外線によ
る活性化処理を行った基板、表２の層構造６１が平坦化
層に活性化処理を行わなかった基板の、レーザースクラ
イブ加工、酸処理後の断面の凹凸の様子を、段差測定
機、断面ＳＥＭで測定した結果である。
る活性化処理を行った基板、表２の層構造６１が平坦化
層に活性化処理を行わなかった基板の、レーザースクラ
イブ加工、酸処理後の断面の凹凸の様子を、段差測定
機、断面ＳＥＭで測定した結果である。
【００３８】平坦化層にＵＶ処理を行った基板では、図
２に示すとおり、ＳｉＯ2 が溝形状にそってきれいに除
去されたが、平坦化層にＵＶ処理を行わなかった基板で
は、図６に示すとおり、溝幅が広がった。
２に示すとおり、ＳｉＯ2 が溝形状にそってきれいに除
去されたが、平坦化層にＵＶ処理を行わなかった基板で
は、図６に示すとおり、溝幅が広がった。
【００３９】この基板を用いてディスプレイを作製した
結果、平坦化層に活性化処理を行わなかった基板で作製
したものは、白抜け等の発生により不良となったが、平
坦化層に活性化処理を行った基板で作製したものは、画
素内に欠陥がなく良好な特性を示した。また平坦化層の
活性化処理として、紫外線照射処理の他に、プラズマ処
理、又は、コロナ放電を行なっても同等の効果が得られ
た。
結果、平坦化層に活性化処理を行わなかった基板で作製
したものは、白抜け等の発生により不良となったが、平
坦化層に活性化処理を行った基板で作製したものは、画
素内に欠陥がなく良好な特性を示した。また平坦化層の
活性化処理として、紫外線照射処理の他に、プラズマ処
理、又は、コロナ放電を行なっても同等の効果が得られ
た。
【００４０】尚、本発明で得られたカラーフィルターを
用いて作製した、ディスプレイの構成を示すと以下のと
おりである。 配向膜厚 ５０ｎｍ ラビング ２４０゜ セル厚 ５．５μｍ 液晶 メルク社製ＺＬＩ−２２９３ カイラル材 Ｓ−８１１添加 デューティ比 １：２４０ コントラスト比 ２０ 画素数 ６４０×３×４８０＝９２１６００ｐｉｘｅｌｓ フロント偏光板下に補償板を２枚入れて、白黒モードにした。 フルカラー１６階調
用いて作製した、ディスプレイの構成を示すと以下のと
おりである。 配向膜厚 ５０ｎｍ ラビング ２４０゜ セル厚 ５．５μｍ 液晶 メルク社製ＺＬＩ−２２９３ カイラル材 Ｓ−８１１添加 デューティ比 １：２４０ コントラスト比 ２０ 画素数 ６４０×３×４８０＝９２１６００ｐｉｘｅｌｓ フロント偏光板下に補償板を２枚入れて、白黒モードにした。 フルカラー１６階調
【００４１】
【発明の効果】本発明により、レーザーを照射するに際
し基板に予めレーザ保護層を形成することで、カラーフ
ィルタ基板のレーザ加工による作製を容易にし、高開口
率、高歩留りを実現できた。また、カラーディスプレイ
製造工程での不良発生の低減を促し、工業上有益な効果
を得ることができた。
し基板に予めレーザ保護層を形成することで、カラーフ
ィルタ基板のレーザ加工による作製を容易にし、高開口
率、高歩留りを実現できた。また、カラーディスプレイ
製造工程での不良発生の低減を促し、工業上有益な効果
を得ることができた。
【図１】 本発明で得られたカラーフィルタ基板の断面
概略図。
概略図。
【図２】 本発明で得られたカラーフィルタ基板の断面
概略図。
概略図。
【図３】 従来例に於けるカラーフィルタ基板の断面概
略図。
略図。
【図４】 比較例に於けるカラーフィルタ基板の断面概
略図。
略図。
【図５】 比較例に於けるカラーフィルタ基板の断面概
略図。
略図。
【図６】 比較例に於けるカラーフィルタ基板の断面概
略図。
略図。
１ 透光性基板
２ カラーフィルタ層
３ 平坦化層
４ レーザー保護層
５ 透明導電層
Claims (9)
- 【請求項１】カラーフィルタ基板を有する表示装置であ
って、 前記カラーフィルタ基板は、基板の上方に、カラーフィ
ルタ層、平坦化層、保護層、透明導電層を順次積層した
後、該透明導電層をレーザー光を用いてパターニングす
ることによって作製され、 前記保護層は、前記透明導電層よりレーザー光を吸収し
にくく、かつ反射率が大きい材料からなることを特徴と
する表示装置。 - 【請求項２】カラーフィルタ基板を有する表示装置であ
って、 前記カラーフィルタ基板は、基板の上方に、カラーフィ
ルタ層、平坦化層、保護層、透明導電層を順次積層した
後、該透明導電層をレーザー光を用いてパターニングす
ることによって作製され、 前記保護層は、Ｔａ 2 Ｏ 5 、ＷＯ 2 、ＭｇＦ 2 、ＣａＦ 2 の
いずれか一つを含むことを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】カラーフィルタ基板を有する表示装置であ
って、 前記カラーフィルタ基板は、基板の上方に、カラーフィ
ルタ層、平坦化層、保護層、透明導電層を順次積層した
後、該透明導電層をレーザー光を用いたパターニングに
より、溝を介して複数に分割することによって作製さ
れ、 前記保護層は、前記透明導電層よりレーザー光を吸収し
にくく、かつ反射率が大きい材料からなり、 前記溝中には、前記透明導電層を構成する材料の残渣が
存在していないことを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】カラーフィルタ基板を有する表示装置であ
って、 前記カラーフィルタ基板は、基板の上方に、カラーフィ
ルタ層、平坦化層、保護層、透明導電層を順次積層した
後、該透明導電層をレーザー光を用いたパターニングに
より、溝を介して複数に分割することによって作製さ
れ、 前記保護層は、前記透明導電層より耐熱性が高い材料か
らなり、 前記溝中には、前記透明導電層を構成する材料の残渣が
存在していないことを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】カラーフィルタ基板を有する表示装置であ
って、 前記カラーフィルタ基板は、基板の上方に、カラーフィ
ルタ層、平坦化層、保護層、透明導電層を順次積層した
後、該透明導電層をレーザー光を用いたパターニングに
より、溝を介して複数に分割することによって作製さ
れ、 前記保護層は、ＳｉＯ 2 、Ａｌ 2 Ｏ 3 、Ｔａ 2 Ｏ 5 、ＷＯ 2 、
ＭｇＦ 2 、ＣａＦ 2 のいずれか一つを含み、 前記溝中には、前記透明導電層を構成する材料の残渣が
存在していないことを特徴とする表示装置。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記平坦化層は、ポリイミド、ナイロン、ポリビニルア
ルコール、又はアクリル樹脂のいずれか一つを含むこと
を特徴とする表示装置。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記平坦化層の表面は、活性化処理がなされていること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記平坦化層は、スピンコート法によって塗布形成され
たことを特徴とする表示装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は、透光性基板であることを特徴とする表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002175100A JP3464473B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002175100A JP3464473B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9260593A Division JP3345089B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | カラーフィルタ基板の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003035908A JP2003035908A (ja) | 2003-02-07 |
| JP3464473B2 true JP3464473B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=19195201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002175100A Expired - Fee Related JP3464473B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464473B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268473A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 中継基板用部材の製造方法 |
| CN110120623B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-06-08 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 密封件及发光装置 |
-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002175100A patent/JP3464473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003035908A (ja) | 2003-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3345089B2 (ja) | カラーフィルタ基板の作製方法 | |
| EP0762184B1 (en) | Transmission type liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| US5986738A (en) | Transmission type liquid crystal display device and the method for fabricating the same | |
| TWI387799B (zh) | 透射與反射型液晶顯示器、製造一相位延遲元件之法、製造一基板之方法、基板、用於一液晶顯示器裝置之相位延遲元件及液晶顯示器裝置 | |
| JP5531702B2 (ja) | 遮光膜付ガラス基板および液晶表示装置 | |
| JP5015434B2 (ja) | 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法 | |
| TWI432796B (zh) | 液晶顯示器之彩色濾光片基板及其製造方法 | |
| JP5898492B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| EP0788013B1 (en) | Electrode substrate for liquid crystal device and process for producing the same | |
| CN1485664A (zh) | 显示板及其用于该显示板制备的多层极板 | |
| EP1183570A1 (en) | Ablation enhancement layer | |
| JP2008046306A (ja) | 表示素子用基板とその製造方法、及び液晶表示素子 | |
| TWI312088B (en) | Liquid crystal display device and optical laminate | |
| JP3464473B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2002196344A (ja) | 液晶表示装置の製造方法とレーザ成膜方法およびレーザ成膜装置 | |
| JP2006189860A (ja) | 横電界方式液晶表示装置の製造方法および配向膜形成方法 | |
| JP4220254B2 (ja) | ディスプレイパネル用の電極の作製方法 | |
| KR100325119B1 (ko) | 칼라필터기판의제조방법 | |
| JP3093976B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0743716A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4844000B2 (ja) | カラーフィルタ基板の製造方法 | |
| US20030214624A1 (en) | Liquid crystal display device and optical laminate | |
| US20230236457A1 (en) | Methods for manufacturing a liquid crystal device comprising an interstitial substrate | |
| JP3242017B2 (ja) | 電極基板、その製造方法、該電極基板を用いた液晶素子、及びその製造方法 | |
| JP4311925B2 (ja) | 拡散反射板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |