JP3462215B2 - プラズマアーク製粉方法及びその装置 - Google Patents

プラズマアーク製粉方法及びその装置

Info

Publication number
JP3462215B2
JP3462215B2 JP50921996A JP50921996A JP3462215B2 JP 3462215 B2 JP3462215 B2 JP 3462215B2 JP 50921996 A JP50921996 A JP 50921996A JP 50921996 A JP50921996 A JP 50921996A JP 3462215 B2 JP3462215 B2 JP 3462215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
reactant
plasma chamber
plasma arc
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP50921996A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09505268A (ja
Inventor
スロール、ベルナール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH
Original Assignee
WC Heraus GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH filed Critical WC Heraus GmbH
Publication of JPH09505268A publication Critical patent/JPH09505268A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3462215B2 publication Critical patent/JP3462215B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00—Compounds of tin
    • C01G19/02—Oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は少なくとも２個の反応剤をプラズマアーク中
で反応させることによって粉末を連続的に製造する方法
に関し、詳しくは、第１と第２との反応剤を第１と第２
との電極間に印加した電圧で維持されるプラズマアーク
に補給し、その際、少なくとも一方の反応剤は導電性で
ありかつ第１の電極として用いられる製法に関する。
さらに本発明は少なくとも第１の反応剤と第２の反応
剤とをプラズマアーク中で反応させることによって粉末
を連続的に製造する装置に関し、補給開口部に対向する
通路に向って先細りとなる内壁を有するプラズマチャン
バの補給開口部に少なくとも第１の反応剤を補給する補
給装置と、プラズマアークをプラズマチャンバ中で維持
するためジェネレータと連結する少なくとも２個の電極
とを有し、その際、該第１の電極が該第１反応剤によっ
て形成されている装置に関する。
このプラズマは例えば3000℃の超高温で得られる複雑
な媒体である。プラズマは極めて反応性であるため化学
反応を高速度で進行させる。プラズマは高周波放電やマ
イクロウエーブ放電時の直流放電による気体のイオン化
によって生じる。例えば、最新の利用方法としては、鉄
鉱石（酸化物）と石炭とをプラズマ炉中に注入する鉄鉱
石の還元や、さまざまな金属酸化物Cr2O3、SiO2、CaO、
MgOなどの注入による還元などがある。
プラズマアーク法はとりわけ1500℃以上の高温度の冶
金で使われる。この方法では大量の電気エネルギーが消
費される。この方法では電極を必要とし、電極は使うに
つれて消耗して廃棄物となりその限りで環境を汚染す
る。
たしかに電極の無い誘導プラズマも作製することはで
きるが電力が弱く、このことはフランス教育研究大学制
度担当省の資料「工業用プラズマ」（フランス資料第10
号、1986−）に記載されている。
このような分野に関する方法・装置はスイス特許公報
CH281749号で公知である。該公報中にはハロゲン化金属
の製法が記載され、それによると当該金属の鉱石と炭素
とからなる混合物の陽極を作製し、この陽極と炭素製陰
極との間にアークをハロゲンを含む雰囲気中で生じさせ
てハロゲン化金属を形成する。
この場合には陽極が消費される。陽極材料が不均一で
あればこのプラズマは不均一に焼尽する。そのため電極
の製造コストは高価につく。
この種に適した装置は英国特許公報GB959、027号で公
知である。該公報記載のプラズマ放射装置ではプラズマ
チャンバと電極として接続した金属製針金をプラズマチ
ャンバ中に補給する補給装置とを備えている。この補給
装置はその下側にプラズマチャンバの補給装置の方向に
上に向って開いた内部空間と共軸に延在する針金用吐出
口を備えている。プラズマチャンバの内部空間は吐出ノ
ズルの方向へ下に向って円錐状に狭まっている。
この公知の装置ではプラズマチャンバ内に生じるプラ
ズマが充分安定化し得ないことが分っている。
したがって本発明は、一方では少なくとも２個の反応
剤をプラズマアーク中で反応させることによって連続的
かつ再現性のある簡単かつ低価格な製粉法を提供し、か
つ均一なプラズマを保証しそれゆえに再現可能な結果を
保証する該製粉法のための装置を提供することにある。
該製法に関し本課題は本発明により第１の反応剤をプ
ラズマアークに流体状として補給することによって解決
する。
この第１の反応剤は例えば融成物、液体、懸濁液、分
散、ゲルあるいは粉雪状の粉末の形態で存在してもよ
い。第１の反応剤を含む固体電極を作製する必要はな
い。したがって誘導プラズマの場合に観察されるように
損耗による廃物化現象や汚染を心配する必要はない。例
えば第１の反応剤を含む材料の流れをプラズマアークに
上から補給することによって、重力を利用して反応剤自
体の重量に基づきプラズマアークに第１の反応剤を補給
することができる。流体状の第１の反応剤をプラズマア
ークへ補給することによって、当該流れ内部の反応剤の
均一分布も容易に得られる。
第２の反応剤は同様に流体状で、例えば気体として、
プラズマアークに補給してよい。そうすることで特に安
定かつ均一なプラズマが得られる。
第１の反応剤は電極としては負電位と接続するのが望
ましい。
プラズマアークのエネルギー補給と安定化のため、プ
ラズマアークは反応剤から作製される化合物の自由生成
エンタルピーにプラズマアークの熱損失を加えた値に該
当するエネルギーを有するのが望ましい。
特に安定なプラズマは、プラズマアークが断面で放物
線型をした内部空間を有するプラズマチャンバ内で維持
され、この内部空間が第１の反応剤のための補給開口部
と該補給開口部に対向する通路とを備えている場合に得
られる。この通路を介してプラズマアーク中で形成した
反応生成物がプラズマチャンバから排出される。この内
部空間はほぼ放物面体の形をしている。
この際、特に有効と認められるのは、プラズマチャン
バに少なくとも第１の反応剤が噴流状で補給され、その
際、プラズマチャンバの放物線型内部空間の長軸が該噴
流と共軸に延在することと、プラズマチャンバの内部空
間の直径が補給開口部の領域では平均イオン化距離より
大きいことと、該通路が平均イオン化距離より小さい直
径を有することである。
プラズマアークは一方の放物線の中心で発火する。放
物線の中心はプラズマチャンバの通路にもっとも近接し
て所在する方の放物線の中心である。このようにして特
に安定なプラズマが得られる。
とりわけ安定なプラズマは、プラズマチャンバの通路
に混合管を用いてその排出開口部で負圧を維持しながら
外に向けて伸張する場合に得られる。その際、この混合
管はいわゆる「ベンチュリノズル」として作用する。
この負圧は該混合管に接続した超音波ノズルによって
維持されるのが望ましい。
この製法は、第１の反応剤がプラズマアークに粉末状
で補給され、電圧を維持するジェネレータへの電気的連
結がキャリアガスのイオン化によって形成される場合の
反応に関して有効であることも認められている。
第１の反応剤として本発明による製法では例えば次の
金属が対象になる： Pb、Sn、Bi、Ga、Cu、In、Ag、Zn。
第２の反応剤として例えば次の気体が対象になる： O2、空気、Cl2、N2、あるいは例えばメタンのような
炭素含有気体。
とりわけ有効な製法は、第１の反応剤としてインジウ
ムと錫との融成物を、第２の反応剤として酸化ガスを投
入する製法である。
装置に関しては当初に挙げた装置から出発して上述の
課題が本発明により、該補給装置が第１の反応剤の受け
入れ容器を含み、プラズマチャンバの補給開口部に向い
合う該容器の下側に排出口を備えることによって解決す
る。
第１の反応剤を受け入れる容器は排出口を備え、該排
出口を介して該反応剤をプラズマアークへ流体状に補給
することができる。このことで本発明による製法を実施
することができ、その効果は上述の通りである。
プラズマチャンバの内部空間が断面でほぼ放物線型を
なす好ましい実施形によって、位置決めやその幾何学的
形状に関しても、そのエネルギーに関してもとくに安定
したプラズマアークを生成することが可能である。例え
ば上領域と下領域とで不連続であることを除けばこの内
部空間は放物面体である。
該装置の有効な実施形は他の請求項で提示される。以
下で本発明による実施例を特許図面を用いて詳説する。
図面では詳細を模式図で示す。
図１はプラズマアークにより鉱石を還元する原理を示
す。
図２はプラズマアーク中に粉末を注入する原理を示
す。
図３は誘導プラズマの原理を示す。
図４は本発明による装置の実施例の全体の俯観図であ
る。
図５は図４に示したプラズマチャンバの拡大図であ
る。
図６は図５で示したプラズマチャンバのイオン化距離
を説明するための断面図である。
図７は本発明による装置のプラズマチャンバの別の実
施例を示す。
図１にはプラズマアークにより鉱石を還元する原理を
明示する。バーナー１と電極２とはジェネレータ３が生
成した直流を供給される。プラズマ化ガス４はバーナー
に補給され、その間に外部のガス７は補給あるいは排出
される。
酸化物５またはその構成要素はプラズマアーク９へホ
ッパー８で補給する。プラズマアーク９内で生成する粉
末状化合物は槽６内に受容する。
図２にはプラズマアーク中で粉末を製造する在来の別
法を明示するが、この場合、吐出粉末10は霧化器11によ
ってバーナー13の炎11中に注入される。このようにして
製造した粉末があまり均一にならないことは図から明ら
かである。
図３には誘導プラズマの原理を明示する。石英管14内
にガス15を導入して高周波コイル19内部で高速度の高エ
ネルギー噴流16によりイオン化し、こうしてプラズマ17
を生成して所望の反応生成物18を得る。
図４には本発明による製法を１例を用いて明示する。
液状金属20は坩堝21内に所在する。溶融金属20の内部に
は高温度でも安定な導電性サーメット製棒24を設け、電
圧供給源26と連結してある。溶融金属20はこうして装置
の負に帯電した電極を形成する。
坩堝21には較正済のセラミックスノズル22を設けてあ
り、そこから溶融金属20を噴流23の形で送出する。負に
帯電した噴流23はプラズマチャンバ28の補給開口部37を
介し電圧供給源26の反対極と連結して逆に帯電した電極
25の傍を走り過ぎる。プラズマチャンバ28は電極25内部
に形成してある。プラズマチャンバ28内には別の反応剤
も導入され、あるいはさらに別の複数の反応剤も導入し
て、プラズマアーク内部の溶融金属20と所望の粉末を得
るため反応させる。この製法は、例えば高周波電流を用
いてプラズマを発生させる他の公知の装置と製法を使う
ためにも好適であることは自明である。
本発明の独自性は、プラズマがその構造から離れるこ
となく安定した位置に閉じ込められている点にある。例
えば図２で示したような公知の製法では、そのとき原料
が固体、顆粒状、粉末状の別なくイオン化ガスすなわち
プラズマの噴流内部に分布して、高速度でバーナーから
吐き出される。原料のプラズマへの導入時間も滞留時間
も短時間であるから仕上りは運に任せることになる。
それに反して本発明による製法では、原料からなる噴
流23は例えば図４による装置で図示したように、放物面
体によって形成したプラズマチャンバ28内に導入され
る。このチャンバ28は所定の圧力または所定のプラズマ
ガスに最適な形状を有する。このプラズマチャンバ28は
下に向い外に向って円錐状に開いた内部空間を含む混合
ノズル27に繋がる。噴流23とチャンバ28の内壁との間の
距離は当初の段階ではゆっくりと変化し、噴流23の経過
に従い下に進むにつれて次第に急激に減少する。図５で
示したチャンバ28の内部空間のもっとも所望の形状は計
算によって求めて実験で確認したものである。それは原
料の噴流23と共軸に設けた放物線に関する。
図５では、例えばジェネレータ26の負極と連結し非導
電性セラミックスノズル29から流出する噴流23が注目に
値する。プラズマチャンバ30は補給開口部37を有し、該
開口部を介して噴流23がプラズマチャンバ30中に流入す
る。さらに、プラズマチャンバ30に第２の反応剤が例え
ば別の（図面には例示されていない）プラズマチャンバ
30の側壁内の開口部を介して、あるいは補給開口部中に
突出したノズルを介して、補給される。図５では、放物
線型プラズマチャンバ30上にプラズマチャンバ内部の噴
流の推移がｙ軸に相当するようなxy座標系を設ける。中
心Ｆと準線Ｄとで特徴付けられる放物線はｘ軸とｙ軸と
に関して次の方程式を有する、すなわち： （Ｐ） ｙ＝ax2 ここにａは定数である。
本発明によるプラズマチャンバ30の放物線型内壁は数
値制御（CN）または成型工具で製造可能である。
連続噴流の場合には、ニュートンの法則によってその
速度と粘性とに基づき長さY1上に保たれたままであり、
イオン化距離がプラズマチャンバ30内部のガスと圧力と
に依存してLiの値を取ると仮定すれば、セラミックスノ
ズル29の領域での噴流23とこの領域でのプラズマチャン
バ30の内壁との間の距離Ｌは少なくとも2Liあれば充分
であることが証明できる。
Ｌ≧2Li ２次曲線であり点“A"と２重点“B"とによって次の公式 （Ｐ） ｙ＝ax2 で定義される放物線を特徴付けるにはこれで充分であ
る。したがって“a"は定数であり、その算定は当業者に
とって前述の内容から自明であるということから出発す
ることとする。
図６は、プラズマチャンバ30のこのような放物線型内
壁ができるだけ安定なプラズマチャンバを提供すること
を明示している。事実、Ｐの点Ｍ（x,y）とその接線は
Ｐの微分方程式を提供する。
P:y ＝ax2 T:y'＝2ax＋ｂ ここに y ＝axm2 イオン化距離Liは放物線への法線ＮのＭにおける長さHM
マイナス噴流の半径に相当し、該半径は例えば一定値
１、２、３、4mmを意味する。法線Ｎの方程式はＴの方
程式から導出される。
N:y＝−（1/2a）ｘ＋ｃ ここに ｙ＝axm2 ｙ＝axm2＝−（1/2a）xm＋ｃ ｃ＝axm2＋（1/2a）xm ところが、xm＝（ym/a）1/2 c＝ａ（ym/a）−1/2a（ym/a）1/2 c＝ym−（1/2a3/2）ym N:y＝−（1/2a）ｘ＋ym−kym 計算しようとしているのはプラズマチャンバに補給され
る噴流に関するHM方向のプラズマチャンバ内のイオン化
距離である。
HM2＝（ｙ−ym）２＋（ｘ−xm）２ ＝［（ym/a）1/2−Ｏ］２＋［ym2−（−2a3/2ｂ1/2）］２ ＝ym/a＋ym4＋（2a3/2）2ym＋2ym22a3/2ym1/2 ＝ym4＋4a3/2＋ｙ3/2＋（2a3＋1/a）ym ここで公式L2＝ym4＋aym3/2＋bym を参照している。この計算は図５と図６とで明示した内
容を立証している。その意味するところは、プラズマチ
ャンバ30の内壁は、（点Ａに隣接する）セラミックスノ
ズル29から噴流23を吐出する近傍では実際に噴流23と平
行に延在しており、従って極めて急速に噴流23に近接
し、結局点Ｂで示したように噴流23と接触するに至ると
いうことなのである。
図７はプラズマが点Ｃで落ち着いていることを示して
いるが、この点Ｃは放物線の中心Ｆに重ね合わすことが
望ましい。ここではプラズマは安定して振舞い、プラズ
マチャンバ30の内壁からイオン化距離Liに在る。この動
作点がとりわけ安定しているのは電極距離が上では緩慢
に下では急速に狭隘化しているからである。
図７によるプラズマチャンバ30は2Liに相当する上部
直径を有する。このプラズマはLiに等しいプラズマチャ
ンバ30の内壁への距離を伴いＣに落ち着く。プラズマチ
ャンバ30はその下部には長さLiより小さい直径を有する
通路31を備えている。プラズマガス、実施例ではそれに
空気を用いているが、の注入は方向矢印32で表わされ
る。通路31は外に向って円錐状に開く形状を有する。そ
の吐出開口部33の領域では共軸ノズル34を用いて補助ガ
スが供給され、吐出開口部33の領域に負圧が生じるよう
にしている。この軸方向にノズル34はその際ベンチュリ
ノズル型の超音波ノズルとして形成されている。プラズ
マアークは図７では参照数字36で表わされている。
通路31をこのように具体化することにより、通路は、
内腔を図７では参照数字35で表わしている円錐状混合管
の形式で伸張される。したがって、通路31はベンチュリ
ノズルを持つことになり、そのため高い流速と低い圧力
とを伴う領域と関連することになる。この混合管35は一
般に７度〜14度の範囲の小さな円錐角を有する。
製粉する粉末の化学量論的組成はガスの量を変化させ
ることで任意に決定できる。望ましい製法では、酸化イ
ンジウムの割合が90重量％で酸化錫の割合が10重量％の
酸化インジウムと酸化錫との混晶粉末を作製する。化学
量論的取扱い以下の酸素含有量を持つ混晶粉末を作製す
るため、プラズマには低く押えた空気流を供給して、プ
ラズマアーク内の溶融金属が所望の化学量論的取扱い以
下の酸素と反応させるようにする。
本発明による装置は粉末でも顆粒でも供給することが
できる。
本発明を工業的に応用した実例では酸化鉛PbOの連続
生産がある。1000kgの酸化物を製造するため928kgの鉛
と72kgすなわち101m3の酸素を用いなければならない。
さらに96kcal/mol（PbOのモル量＝224g）つまり約430,0
00kcalが供給されなければならない。液状Pbは底部にセ
ラミックスノズルを備えた坩堝から吐出させる。鉛は直
径4mmのノズル孔を介して1000kg/hの収量で流れる。酸
化に必要なO2の流れは黒鉛製の放物線型プラズマチャン
バに導入される。例えばプラズマチャンバの上部は60mm
の直径、下部は12mmの直径である。
金属流とプラズマチャンバとの間の電圧は、プラズマ
が軸上の安定な点に落ち着くように調節される。プラズ
マ中の気泡はベンチュリノズルによって吸引され、その
結果酸化物粉末は下に向って投射される。こうして製造
した粉末はよく微粉化され粉体寸法の分布も狭くなって
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−175537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−11299（ＪＰ，Ａ) 特表 平９−502920（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01B 13/14 - 13/36 B01J 19/08 C01G 15/00 C01G 19/00,19/02 C01G 21/06

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも２個の反応剤をプラズマアーク
    中で反応させることによって粉末を連続的に製造する方
    法であって、第１及び第２の反応剤を第１及び第２の電
    極間に印加した電圧で維持されるプラズマアークに補給
    し、その際、少なくとも一方の反応剤は導電性でありか
    つ第１の電極として用いられる前記方法において、 第１の反応剤（20）のための補給開口部（37）とこの補
    給開口部（37）に対向する通路（31）とが設けられたほ
    ぼ放物線型の内壁（30）を備えるプラズマチャンバ（2
    8;30）中にプラズマアーク（36）を維持し、 第１の反応剤（20）を溶融し、 溶融された第１の反応剤（20）をその収容容器（21）の
    吐出口（22）からプラズマアーク（36）中に噴流（23）
    の形で補給することを特徴とする製粉方法。
  2. 【請求項２】第１の反応剤（20）が負電位を有する電極
    として接続されていることを特徴とする請求項１の方
    法。
  3. 【請求項３】プラズマアーク（36）が、製造すべき粉末
    の自由生成エンタルピーにプラズマアーク（36）中の熱
    損失を加えた値に対応するエネルギーを含んでいること
    を特徴とする請求項１または２の方法。
  4. 【請求項４】プラズマチャンバ（28）に少なくとも第１
    の反応剤（20）が噴流（23）の形で補給され、その際、
    プラズマチャンバ（28）の放物線型内壁（30）の長軸が
    噴流（23）と共軸に延在し、プラズマチャンバ内壁（3
    0）の補給開口部（37）領域での直径がプラズマアーク
    （36）内の平均イオン化距離より大きく、通路（31）が
    プラズマアーク（36）の平均イオン化距離より小さい直
    径を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの
    方法。
  5. 【請求項５】プラズマアーク（36）が放物線の一方の中
    心（Ｆ）で発火することを特徴とする請求項１〜４のい
    ずれかの方法。
  6. 【請求項６】プラズマチャンバ（28）の通路（31）が外
    へ向う混合管（35）で伸張され、該混合管（35）の吐出
    開口部（33）では負圧が保たれていることを特徴とする
    請求項１〜５のいずれかの方法。
  7. 【請求項７】該負圧が混合管（35）に接続した超音波ノ
    ズル（34）によって維持されていることを特徴とする請
    求項６の方法。
  8. 【請求項８】該第１反応剤として錫とインジウムとの融
    成物（20）を、第２反応剤として酸素を含むガスを投入
    することを特徴とする請求項１〜７のいずれかの方法。
  9. 【請求項９】少なくとも２個の反応剤をプラズマアーク
    中で反応させることによって粉末を連続的に製造する装
    置であって、補給開口部に対向する通路に向って先細り
    となる内壁を有するプラズマチャンバの補給開口部に少
    なくとも第１の反応剤を補給する補給装置と、プラズマ
    アークをプラズマチャンバ中で維持するためジェネレー
    タと連結する少なくとも２個の電極とを有し、その際、
    該第１の電極が該第１反応剤によって形成されている前
    記装置において、プラズマチャンバ（28）がほぼ放物線
    形をなす断面の内壁（30）を有し、前記補給装置が第１
    反応剤（20）を受け入れる容器（21）を含み、該容器は
    プラズマチャンバ（28）の補給開口部（37）に向かう該
    容器の下側に吐出口（22）を備えていることを特徴とす
    る製粉装置。
  10. 【請求項１０】プラズマチャンバ（28）の補給開口部
    （37）と通路（31）との間に想定される連結線が該放物
    線の長軸とほぼ共軸に延在し、プラズマチャンバ（28）
    の補給開口部（37）領域での上部直径が平均イオン化距
    離Liより大きく、通路（31）が平均イオン化距離Liより
    小さい直径を有することを特徴とする請求項９の装置。
  11. 【請求項１１】プラズマチャンバ（28）の通路（31）
    が、外へ向う混合管（35）で伸張され、混合管（35）の
    内部断面はプラズマチャンバ（28）からその吐出開口部
    （33）に向って円錐状に広がっていることを特徴とする
    請求項９または10の装置。
  12. 【請求項１２】混合管（35）に超音波ノズル（34）が接
    続されていることを特徴とする請求項11の装置。
JP50921996A 1994-09-07 1995-09-07 プラズマアーク製粉方法及びその装置 Expired - Fee Related JP3462215B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR94/10874 1994-09-07
FR9410874A FR2724123A1 (fr) 1994-09-07 1994-09-07 Dispositif permettant la stabilisation d'une reaction chimique continue entre plusieurs corps dans un plasma
PCT/EP1995/003513 WO1996007475A1 (de) 1994-09-07 1995-09-07 Verfahren für die herstellung eines pulvers in einem plasmalichtbogen und vorrichtung für die durchführung des verfahrens

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09505268A JPH09505268A (ja) 1997-05-27
JP3462215B2 true JP3462215B2 (ja) 2003-11-05

Family

ID=9466868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50921996A Expired - Fee Related JP3462215B2 (ja) 1994-09-07 1995-09-07 プラズマアーク製粉方法及びその装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5723027A (ja)
EP (1) EP0726806B1 (ja)
JP (1) JP3462215B2 (ja)
KR (1) KR100300885B1 (ja)
CN (1) CN1135190A (ja)
DE (1) DE59506276D1 (ja)
FR (1) FR2724123A1 (ja)
WO (1) WO1996007475A1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19721649C2 (de) * 1997-05-23 2003-02-20 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines Mischkristallpulvers mit geringem spezifischen elektrischen Widerstand
WO2000005017A1 (en) * 1998-07-21 2000-02-03 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method and apparatus for producing material vapour
JP2003522299A (ja) * 2000-02-10 2003-07-22 テトロニクス リミテッド 微細粉末を製造するためのプラズマアーク反応器
TW561085B (en) * 2001-10-29 2003-11-11 Phild Co Ltd Method and device for producing metal powder
FR2839506B1 (fr) * 2002-05-10 2005-06-10 Michelle Paparone Serole Oxyde mixte d'indium etain dit ito a grande conductivite electrique a nanostructure
US6955745B1 (en) * 2002-08-01 2005-10-18 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method of spark-processing silicon and resulting materials
EP2138458A1 (en) * 2004-04-19 2009-12-30 SDC Materials, LLC High throughput discovery of materials through vapor phase synthesis
EP2153157A4 (en) 2007-05-11 2014-02-26 Sdcmaterials Inc WATER COOLING SYSTEM AND HEAT TRANSFER SYSTEM
US7582265B2 (en) * 2007-06-28 2009-09-01 Plasma Waste Recycling, Inc. Gas conduit for plasma gasification reactors
US8481449B1 (en) 2007-10-15 2013-07-09 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play oxide catalysts
EP2396456B1 (en) * 2009-02-08 2018-05-30 AP Solutions, Inc. Plasma source and method for removing materials from substrates utilizing pressure waves
DE112010001371A5 (de) 2009-03-27 2012-08-30 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Herstellung von Fasern aus Platin oder Palladium oder Legierungen auf Platin- oder Palladiumbasis und von Vliesen oder Netzen daraus
US9119309B1 (en) 2009-12-15 2015-08-25 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying
US20110143930A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 SDCmaterials, Inc. Tunable size of nano-active material on nano-support
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9149797B2 (en) * 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
CA2845129A1 (en) 2011-08-19 2013-02-28 SDCmaterials, Inc. Coated substrates for use in catalysis and catalytic converters and methods of coating substrates with washcoat compositions
KR101307155B1 (ko) 2011-11-17 2013-09-10 주식회사 포스코 몰드플럭스 주입장치
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
CN105592921A (zh) 2013-07-25 2016-05-18 Sdc材料公司 用于催化转化器的洗涂层和经涂覆基底及其制造和使用方法
CA2926135A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 SDCmaterials, Inc. Compositions of lean nox trap
KR20160074566A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 에스디씨머티리얼스, 인코포레이티드 대형 디젤 연소 엔진용 촉매 디자인
EP3119500A4 (en) 2014-03-21 2017-12-13 SDC Materials, Inc. Compositions for passive nox adsorption (pna) systems
JP2021045730A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱ケミカルエンジニアリング株式会社 反応生成物製造装置及び反応生成物製造方法
CN113479929B (zh) * 2021-08-11 2022-06-21 芜湖映日科技股份有限公司 一种高纯纳米氧化铟的制备方法
CN115072766A (zh) * 2022-08-08 2022-09-20 湖南工业大学 一种高温溅射法制备高纯氧化铟的设备
CN116177593B (zh) * 2022-09-08 2024-03-29 昆明理工大学 一种微米级二氧化锡粉末的制备系统与制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR378483A (fr) * 1906-06-18 1907-10-05 Sebastian Ziani De Ferranti Perfectionnements aux fours électriques
DE661185C (de) * 1936-02-01 1938-06-13 Bernhard Berghaus Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von metallischen UEberzuegen aus mittels eines Lichtbogens in einer Kammer verdampften Metallen
CH281749A (de) * 1941-06-26 1952-03-31 Electronic Reduction Corp Verfahren zur Herstellung von Metallhalogeniden aus hitzebeständigen Mineralien dieser Metalle.
DE916288C (de) * 1950-09-22 1955-12-01 Johannes Wotschke Dr Ing Verfahren und Vorrichtung zur physikalischen oder/und chemischen Umwandlung von schwer vergasbaren Metallen, deren Oxyden oder aehnlichen Stoffen
NL197081A (ja) * 1954-05-11
GB959027A (en) * 1959-09-14 1964-05-27 British Oxygen Co Ltd Apparatus and process for spraying molten metal
US3101308A (en) * 1960-10-11 1963-08-20 Sheer Korman Associates Process for reduction of ores to metals, alloys, interstitial and intermetallic compounds
FR1560417A (ja) * 1968-01-08 1969-03-21
US3708409A (en) * 1969-05-22 1973-01-02 Ionarc Smelters Ltd Chemical process in high enthalpy thermal environment and apparatus therefor
JPS62111373A (ja) * 1985-11-11 1987-05-22 Ricoh Co Ltd バ−コ−ドシンボルマ−キング材料
FR2603209A1 (fr) * 1986-08-28 1988-03-04 Serole Bernard Tuyere de reaction chimique continue.
US4801435A (en) * 1986-09-08 1989-01-31 Plasma Holdings N.V. Hybrid plasma reactor
US5196102A (en) * 1991-08-08 1993-03-23 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method and apparatus for applying a compound of a metal and a gas onto a surface
US5562809A (en) * 1993-01-22 1996-10-08 Plasma Plus Method for making hydrogen saturated metal compounds

Also Published As

Publication number Publication date
WO1996007475A1 (de) 1996-03-14
EP0726806A1 (de) 1996-08-21
US5723027A (en) 1998-03-03
FR2724123B1 (ja) 1997-02-21
JPH09505268A (ja) 1997-05-27
KR100300885B1 (ko) 2002-04-24
KR960705623A (ko) 1996-11-08
FR2724123A1 (fr) 1996-03-08
CN1135190A (zh) 1996-11-06
DE59506276D1 (de) 1999-07-29
EP0726806B1 (de) 1999-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3462215B2 (ja) プラズマアーク製粉方法及びその装置
US4612045A (en) Method for making aluminum nitride powder
US4801435A (en) Hybrid plasma reactor
JP6495323B2 (ja) デュアルソースサイクロンプラズマ反応器を用いたガラスバッチ処理方法及び装置
US20030231992A1 (en) Process for preparing nanostructured materials of controlled surface chemistry
EP0071351A1 (en) A transferred-arc plasma reactor for chemical and metallurgical applications
US3658673A (en) Process for carrying out chemical reactions
US5046144A (en) Method and furnace for the preparation of a melt for mineral wool production
EP0887133B1 (en) Process for the production of metal powder and equipment therefor
US3475158A (en) Production of particulate,non-pyrophoric metals and product
JPS6158524B2 (ja)
EP0131160A2 (en) Non plugging falling film plasma reactor
TWI552958B (zh) 矽精製方法及矽精製裝置
JP2002220601A (ja) Ｄｃ熱プラズマ処理による低酸素球状金属粉末の製造方法
US3734761A (en) Process for producing titanium dioxide product containing aluminum oxide
EP1204591B1 (en) Production of silica particles
US4234334A (en) Arc control in plasma arc reactors
Steffens et al. Recent developments in single-wire vacuum arc spraying
JP2621443B2 (ja) 金属珪素の製造方法
SU1406440A1 (ru) Устройство дл непрерывной плавки тонкоизмельченной сырьевой смеси
US3104165A (en) Process for producing ultrafine metal particles
Petit et al. EVAPQRATEON QE ‘LEAD AND ZINC TN A PLASMA FERNACE FQR FERRGSELECQN DUST TREATMENT AT A LABQMTORY SCALE
MXPA01012631A (es) Proceso para la recuperacion de cloro a partir de cloruros de hierro.
JPS63250401A (ja) 球状金属粉末の製造方法
US4880605A (en) Gas dispersion shroud for high temperature processing of powders

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees