JP3445047B2 - 照明装置及びそれを用いた観察装置 - Google Patents
照明装置及びそれを用いた観察装置Info
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- JP3445047B2 JP3445047B2 JP01838596A JP1838596A JP3445047B2 JP 3445047 B2 JP3445047 B2 JP 3445047B2 JP 01838596 A JP01838596 A JP 01838596A JP 1838596 A JP1838596 A JP 1838596A JP 3445047 B2 JP3445047 B2 JP 3445047B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は照明装置及びそれを
用いた観察装置に関し、特にレチクル（マスク）面上に
形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微細な電子回路パター
ンを投影レンズ系（投影光学系）によりウエハ面上に投
影し露光するときに、レチクル面上やウエハ面上の状態
（アライメントマーク）を観察し、これによりレチクル
とウエハとの位置合わせを行い、高集積度の半導体デバ
イスを製造する投影露光装置に好適なものである。
用いた観察装置に関し、特にレチクル（マスク）面上に
形成されているＩＣ，ＬＳＩ等の微細な電子回路パター
ンを投影レンズ系（投影光学系）によりウエハ面上に投
影し露光するときに、レチクル面上やウエハ面上の状態
（アライメントマーク）を観察し、これによりレチクル
とウエハとの位置合わせを行い、高集積度の半導体デバ
イスを製造する投影露光装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体素子製造用の縮小投影型
の露光装置では、第１物体としてのレチクルの回路パタ
ーンを投影レンズ系により第２物体としてのウエハ上に
投影し、露光する。このとき投影露光に先立って観察装
置（検出手段）を用いてウエハ面を観察することにより
ウエハ上のアライメントマークを検出し、この検出結果
に基づいてレチクルとウエハとの位置整合、所謂アライ
メントを行っている。このときのアライメント精度は観
察装置の光学性能に大きく依存している。この為、観察
装置の性能は露光装置において重要な要素となってい
る。
の露光装置では、第１物体としてのレチクルの回路パタ
ーンを投影レンズ系により第２物体としてのウエハ上に
投影し、露光する。このとき投影露光に先立って観察装
置（検出手段）を用いてウエハ面を観察することにより
ウエハ上のアライメントマークを検出し、この検出結果
に基づいてレチクルとウエハとの位置整合、所謂アライ
メントを行っている。このときのアライメント精度は観
察装置の光学性能に大きく依存している。この為、観察
装置の性能は露光装置において重要な要素となってい
る。
【０００３】従来より露光装置では、ウエハ面上の位置
情報を得るためのウエハアライメントマーク（ウエハマ
ーク）の観察方式として種々な方式が用いられている。
情報を得るためのウエハアライメントマーク（ウエハマ
ーク）の観察方式として種々な方式が用いられている。
【０００４】例えば本出願人は特開平３−６１８０２号
公報で非露光光を用い、かつ投影レンズ系を通す方式、
所謂非露光光ＴＴＬ方式を利用してアライメントを行っ
た観察装置を提案している。
公報で非露光光を用い、かつ投影レンズ系を通す方式、
所謂非露光光ＴＴＬ方式を利用してアライメントを行っ
た観察装置を提案している。
【０００５】同公報ではウエハ面上のアライメントマー
ク（ウエハマーク）の光学像をＣＣＤカメラ等の撮像素
子上に結像し、該撮像素子から得られる画像情報を処理
してウエハマークの位置を検出している。
ク（ウエハマーク）の光学像をＣＣＤカメラ等の撮像素
子上に結像し、該撮像素子から得られる画像情報を処理
してウエハマークの位置を検出している。
【０００６】又、本出願人は特開昭６２−２３２５０４
号公報においてウエハマークの光学像をＣＣＤカメラで
結像し、該ＣＣＤカメラで得た画像情報を２値化し、そ
の２値化画像中の特定画像パターンの位置座標をテンプ
レートを用いたテンプレートマッチング処理を行うこと
によりウエハマークの位置を検出し、レチクルとウエハ
とのアライメントを行った位置検出装置を提案してい
る。
号公報においてウエハマークの光学像をＣＣＤカメラで
結像し、該ＣＣＤカメラで得た画像情報を２値化し、そ
の２値化画像中の特定画像パターンの位置座標をテンプ
レートを用いたテンプレートマッチング処理を行うこと
によりウエハマークの位置を検出し、レチクルとウエハ
とのアライメントを行った位置検出装置を提案してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】マスク（レチクル）と
ウエハとの位置合わせをレチクルとウエハ面上に設けた
パターン（アライメントパターン）を撮像素子面上に形
成して観察して行うにはレチクルとウエハ面上を良好な
る状態で観察することのできる観察系が重要な要素とな
ってくる。
ウエハとの位置合わせをレチクルとウエハ面上に設けた
パターン（アライメントパターン）を撮像素子面上に形
成して観察して行うにはレチクルとウエハ面上を良好な
る状態で観察することのできる観察系が重要な要素とな
ってくる。
【０００８】従来よりマスク（レチクル）やウエハ面等
の物体面上を観察する為に物体面を照明する照明系とし
ては光源からの光束をファイバーやオプティカルロッド
等を用いて所定位置に導光して、その後、コンデンサー
レンズ等の光学系で集光して物体面を均一照明するよう
にしている。
の物体面上を観察する為に物体面を照明する照明系とし
ては光源からの光束をファイバーやオプティカルロッド
等を用いて所定位置に導光して、その後、コンデンサー
レンズ等の光学系で集光して物体面を均一照明するよう
にしている。
【０００９】一般にファイバーとレンズ系等を組み合わ
せた光学系を用いると物体面を比較的、均一な状態で照
明することができる。しかしながらファイバーやオプテ
ィカルロッド自体に不均一性や照度むらを生じる、光学
的な欠陥があったり、照明系の各要素を適切に構成しな
いと物体面を均一に照明することが難しくなってくる。
せた光学系を用いると物体面を比較的、均一な状態で照
明することができる。しかしながらファイバーやオプテ
ィカルロッド自体に不均一性や照度むらを生じる、光学
的な欠陥があったり、照明系の各要素を適切に構成しな
いと物体面を均一に照明することが難しくなってくる。
【００１０】本発明は、レチクルやウエハ等の物体面
（被観察面）上に設けたパターン（アライメントパター
ン）を適切に設定した照明装置により均一なる照度で照
明し、該物体面上のパターンを撮像素子等の所定面上に
高精度に形成し、該パターンの位置情報を高精度に観察
及び検出することによりレチクルとウエハとの位置合わ
せを高精度に行い、高集積度の半導体デバイスを容易に
製造することができる照明装置及びそれを用いた観察装
置の提供を目的とする。
（被観察面）上に設けたパターン（アライメントパター
ン）を適切に設定した照明装置により均一なる照度で照
明し、該物体面上のパターンを撮像素子等の所定面上に
高精度に形成し、該パターンの位置情報を高精度に観察
及び検出することによりレチクルとウエハとの位置合わ
せを高精度に行い、高集積度の半導体デバイスを容易に
製造することができる照明装置及びそれを用いた観察装
置の提供を目的とする。
【００１１】特に照明装置を構成する光ファイバー等の
光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合わ
せることにより、ファイバーの出射端面上における強度
分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相当
する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観察
面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパタ
ーンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観察
装置の提供を目的とする。
光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合わ
せることにより、ファイバーの出射端面上における強度
分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相当
する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観察
面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパタ
ーンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観察
装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明の照明装
置は光源手段からの光束で物体面を照明する照明光学系
を備えた照明装置であって、該照明光学系は、入射光を
拡散射出させる第１の光拡散素子、入射面から入射した
該第１の光拡散素子からの光束を出射面に導光すると共
に、該出射面が前記物体面に対する瞳面に配置されたオ
プティカルロッド、そして該オプティカルロッドの出射
面又はそれに共役な面に配置し、該オプティカルロッド
からの光束を拡散射出させる第２の光拡散素子とが該光
源手段側から順に設けられた光拡散手段と、該光拡散手
段からの光束の拡がり角より小さい角度の光束を取り込
む開口数を有した光学部材とを有することを特徴として
いる。
置は光源手段からの光束で物体面を照明する照明光学系
を備えた照明装置であって、該照明光学系は、入射光を
拡散射出させる第１の光拡散素子、入射面から入射した
該第１の光拡散素子からの光束を出射面に導光すると共
に、該出射面が前記物体面に対する瞳面に配置されたオ
プティカルロッド、そして該オプティカルロッドの出射
面又はそれに共役な面に配置し、該オプティカルロッド
からの光束を拡散射出させる第２の光拡散素子とが該光
源手段側から順に設けられた光拡散手段と、該光拡散手
段からの光束の拡がり角より小さい角度の光束を取り込
む開口数を有した光学部材とを有することを特徴として
いる。
【００１３】請求項２の発明は請求項１の発明において
前記光学部材は前記開口数を制限する絞りを有している
ことを特徴としている。 請求項３の発明は請求項１の発
明において前記第１，第２の光拡散素子は等方散乱する
拡散板又は拡散角を制御したホログラムより成っている
ことを特徴としている。
前記光学部材は前記開口数を制限する絞りを有している
ことを特徴としている。 請求項３の発明は請求項１の発
明において前記第１，第２の光拡散素子は等方散乱する
拡散板又は拡散角を制御したホログラムより成っている
ことを特徴としている。
【００１４】請求項４の発明の照明装置は光源手段から
の光束で物体面を照明する照明光学系を備えた照明装置
であって、該照明光学系は、所定の屈折力を有した光学
素子、入射面から入射した該光学素子からの光束を出射
面に導光すると共に、該出射面が前記物体面に対する瞳
面に配置されたオプティカルロッド、そして該オプティ
カルロッドの出射面又はそれに共役な面に配置し、該オ
プティカルロッドからの光束を拡散射出させる光拡散素
子とが該光源手段側から順に設けられた光拡散手段と、
該光拡散手段からの光束の拡がり角より小さい角度の光
束を取り込む開口数を有した光学部材とを有することを
特徴としている。
の光束で物体面を照明する照明光学系を備えた照明装置
であって、該照明光学系は、所定の屈折力を有した光学
素子、入射面から入射した該光学素子からの光束を出射
面に導光すると共に、該出射面が前記物体面に対する瞳
面に配置されたオプティカルロッド、そして該オプティ
カルロッドの出射面又はそれに共役な面に配置し、該オ
プティカルロッドからの光束を拡散射出させる光拡散素
子とが該光源手段側から順に設けられた光拡散手段と、
該光拡散手段からの光束の拡がり角より小さい角度の光
束を取り込む開口数を有した光学部材とを有することを
特徴としている。
【００１５】請求項５の発明は請求項４の発明において
前記光学部材は前記開口数を制限する絞りを有している
ことを特徴としている。
前記光学部材は前記開口数を制限する絞りを有している
ことを特徴としている。
【００１６】請求項６の発明の観察装置は請求項１〜５
の何れか１項記載の照明装置で物体面を照明し、該物体
面を観察光学系で所定面上に形成して観察していること
を特徴としている。
の何れか１項記載の照明装置で物体面を照明し、該物体
面を観察光学系で所定面上に形成して観察していること
を特徴としている。
【００１７】請求項７の発明の投影露光装置は、露光光
で照明されたレチクルに形成されたパターンをウエハ面
上に投影露光する投影光学系を有する投影露光装置にお
いて、前記投影露光装置は前記レチクル又は前記ウエハ
の位置を観察する観察装置を有し、前記観察装置は照明
光学系と観察光学系とを有し、光源手段からの光束によ
り前記照明光学系と前記投影光学系とを介して前記レチ
クル又は前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記ウ
エハに形成されたアライメントパターンを前記投影光学
系と前記観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前記
照明光学系は、前記光源手段からの光束を拡散射出させ
る第１の光拡散素子、入射面から入射した前記第１の光
拡散素子からの光束を出射面に導光すると共に、前記出
射面が前記投影光学系の瞳面に配置されたオプティカル
ロッド、そして前記オプティカルロッドの出射面又はそ
れに共役な面に配置し、前記オプティカルロッドからの
光束を拡散射出させる第２の光拡散素子とが前記光源手
段側から順に設けられた光拡散手段と、前記光拡散手段
からの光束の拡がり角より小さい角度の光束を取り込む
開口数を有した光学部材とを有することを特徴としてい
る。請求項８の発明の投影露光装置は、露光光で照明さ
れたレチクルに形成されたパターンをウエハ面上に投影
露光する投影光学系を有する投影露光装置において、前
記投影露光装置は前記レチクル又は前記ウエハの位置を
観察する観察装置を有し、前記観察装置は照明光学系と
観察光学系とを有し、光源手段からの光束により前記照
明光学系と前記投影光学系とを介して前記レチクル又は
前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記ウエハに形
成されたアライメントパターンを前記投影光学系と前記
観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前記照明光学
系は、所定の屈折力を有した光学素子、入射面から入射
した前記所定の屈折力を有した光学素子からの光束を出
射面に導光すると共に、前記出射面が前記投影光学系の
瞳面に配置されたオプティカルロッド、そして前記オプ
ティカルロッドの出射面又はそれに共役な面に配置し、
前記オプティカルロッドからの光束を拡散射出させる光
拡散素子とが前記光源手段側から順に設けられた光拡散
手段と、前記光拡散手段からの光束の拡がり角より小さ
い角度の光束を取り込む開口数を有した光学部材とを有
することを特徴している。
で照明されたレチクルに形成されたパターンをウエハ面
上に投影露光する投影光学系を有する投影露光装置にお
いて、前記投影露光装置は前記レチクル又は前記ウエハ
の位置を観察する観察装置を有し、前記観察装置は照明
光学系と観察光学系とを有し、光源手段からの光束によ
り前記照明光学系と前記投影光学系とを介して前記レチ
クル又は前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記ウ
エハに形成されたアライメントパターンを前記投影光学
系と前記観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前記
照明光学系は、前記光源手段からの光束を拡散射出させ
る第１の光拡散素子、入射面から入射した前記第１の光
拡散素子からの光束を出射面に導光すると共に、前記出
射面が前記投影光学系の瞳面に配置されたオプティカル
ロッド、そして前記オプティカルロッドの出射面又はそ
れに共役な面に配置し、前記オプティカルロッドからの
光束を拡散射出させる第２の光拡散素子とが前記光源手
段側から順に設けられた光拡散手段と、前記光拡散手段
からの光束の拡がり角より小さい角度の光束を取り込む
開口数を有した光学部材とを有することを特徴としてい
る。請求項８の発明の投影露光装置は、露光光で照明さ
れたレチクルに形成されたパターンをウエハ面上に投影
露光する投影光学系を有する投影露光装置において、前
記投影露光装置は前記レチクル又は前記ウエハの位置を
観察する観察装置を有し、前記観察装置は照明光学系と
観察光学系とを有し、光源手段からの光束により前記照
明光学系と前記投影光学系とを介して前記レチクル又は
前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記ウエハに形
成されたアライメントパターンを前記投影光学系と前記
観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前記照明光学
系は、所定の屈折力を有した光学素子、入射面から入射
した前記所定の屈折力を有した光学素子からの光束を出
射面に導光すると共に、前記出射面が前記投影光学系の
瞳面に配置されたオプティカルロッド、そして前記オプ
ティカルロッドの出射面又はそれに共役な面に配置し、
前記オプティカルロッドからの光束を拡散射出させる光
拡散素子とが前記光源手段側から順に設けられた光拡散
手段と、前記光拡散手段からの光束の拡がり角より小さ
い角度の光束を取り込む開口数を有した光学部材とを有
することを特徴している。
【００１８】請求項９の発明の半導体デバイスの製造方
法は、請求項７又は８に記載の投影露光装置で前記レチ
クルと前記ウエハとの位置合わせを行った後に、前記露
光光で照明したレチクル面上のパターンを前記投影光学
系により前記ウエハ面上に投影露光し、前記ウエハを現
像処理工程を介して半導体デバイスを製造するようにし
ていることを特徴としている。
法は、請求項７又は８に記載の投影露光装置で前記レチ
クルと前記ウエハとの位置合わせを行った後に、前記露
光光で照明したレチクル面上のパターンを前記投影光学
系により前記ウエハ面上に投影露光し、前記ウエハを現
像処理工程を介して半導体デバイスを製造するようにし
ていることを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の照明装置及びそれ
を用いた観察装置の実施形態１の要部概略図、図２は図
１の一部分の説明図である。まず本実施形態の各要素を
光束の進行順に説明する。
を用いた観察装置の実施形態１の要部概略図、図２は図
１の一部分の説明図である。まず本実施形態の各要素を
光束の進行順に説明する。
【００２０】図中１１は光源手段（光源）であり、レー
ザーあるいはハロゲンランプ等から成っている。光源１
１から出射した光束は、光学系１２を通り所定のビーム
系に整形され光ファイバーバンドル１３の入射面１３ａ
に入射する。
ザーあるいはハロゲンランプ等から成っている。光源１
１から出射した光束は、光学系１２を通り所定のビーム
系に整形され光ファイバーバンドル１３の入射面１３ａ
に入射する。
【００２１】光ファイバーバンドル１３に入射した光束
は光ファイバーバンドル１３内を透過し、図２に示すよ
うに光ファイバーバンドル１３の出射端１３ｂより射出
し、その後、出射端１３ｂの直後に取り付けられている
拡散板（第１の光拡散素子）１４、オプティカルロッド
（光導光素子）１５を経て拡散板（第２の光拡散素子）
１６の出射面１６ｂから出射する。このとき拡散板１６
の出射面１６ｂは後述する投影光学系２の瞳面上に形成
するように各要素を設定している。
は光ファイバーバンドル１３内を透過し、図２に示すよ
うに光ファイバーバンドル１３の出射端１３ｂより射出
し、その後、出射端１３ｂの直後に取り付けられている
拡散板（第１の光拡散素子）１４、オプティカルロッド
（光導光素子）１５を経て拡散板（第２の光拡散素子）
１６の出射面１６ｂから出射する。このとき拡散板１６
の出射面１６ｂは後述する投影光学系２の瞳面上に形成
するように各要素を設定している。
【００２２】尚、拡散板１６の位置はオプティカルロッ
ド１５の出射面１５ｂ近傍又はそれと光学的に共役な面
であればどこでも良い。例えば図７に示すようにコンデ
ンサーレンズ１７が２つのレンズ群１７ａ，１７ｂより
成り、このうちレンズ群１７ｂによるオプティカルロッ
ド１５の出射面１５ｂの結像位置（共役面）に拡散板１
６を配置しても良い。
ド１５の出射面１５ｂ近傍又はそれと光学的に共役な面
であればどこでも良い。例えば図７に示すようにコンデ
ンサーレンズ１７が２つのレンズ群１７ａ，１７ｂより
成り、このうちレンズ群１７ｂによるオプティカルロッ
ド１５の出射面１５ｂの結像位置（共役面）に拡散板１
６を配置しても良い。
【００２３】拡散板１６からの光束は、コンデンサーレ
ンズ（光学部材）１７を経て、被観察面１の照明範囲を
決定する視野絞り１８上に集光する。この視野絞り１８
の位置は、後述する被観察面１と撮像素子６の光電変換
面６ａと共役な位置にある。
ンズ（光学部材）１７を経て、被観察面１の照明範囲を
決定する視野絞り１８上に集光する。この視野絞り１８
の位置は、後述する被観察面１と撮像素子６の光電変換
面６ａと共役な位置にある。
【００２４】本実施形態ではコンデンサーレンズ（光学
部材）１７と視野絞り１８の開口径を適切に設定して拡
散板１６からの光束の拡がり角θ１より小さい角度θ２
の光束をコンデンサーレンズ１７により取り込むように
している。これにより後述するように観察面１を均一に
照明している。
部材）１７と視野絞り１８の開口径を適切に設定して拡
散板１６からの光束の拡がり角θ１より小さい角度θ２
の光束をコンデンサーレンズ１７により取り込むように
している。これにより後述するように観察面１を均一に
照明している。
【００２５】視野絞り１８を通過した光束はリレーレン
ズ１９を通り、偏光ビームスプリッター４に入射する。
偏光ビームスプリッター４に入射した光束のうち、Ｓ偏
光成分の光束が反射される。偏光ビームスプリッター４
を透過したＰ偏光成分の光束は、不図示の吸収材により
迷光等にならないように処理している。
ズ１９を通り、偏光ビームスプリッター４に入射する。
偏光ビームスプリッター４に入射した光束のうち、Ｓ偏
光成分の光束が反射される。偏光ビームスプリッター４
を透過したＰ偏光成分の光束は、不図示の吸収材により
迷光等にならないように処理している。
【００２６】偏光ビームスプリッター４で反射した光束
はλ／４板３を透過することにより円偏光になり、対物
レンズ（投影光学系）２を通過後、被観察面１を照射す
る。
はλ／４板３を透過することにより円偏光になり、対物
レンズ（投影光学系）２を通過後、被観察面１を照射す
る。
【００２７】被観察面１から反射した光は、対物レンズ
２を透過後、再びλ／４板３に入射する。λ／４板３に
入射した光は、円偏光から偏光ビームスプリッター４に
対してＰ偏光成分の直線偏光になり、そのまま偏光ビー
ムスプリッター４を通過する。その後、光束はリレーレ
ンズ５をとおり撮像素子６の光電変換面６ａに被観察面
１の像を結像する。
２を透過後、再びλ／４板３に入射する。λ／４板３に
入射した光は、円偏光から偏光ビームスプリッター４に
対してＰ偏光成分の直線偏光になり、そのまま偏光ビー
ムスプリッター４を通過する。その後、光束はリレーレ
ンズ５をとおり撮像素子６の光電変換面６ａに被観察面
１の像を結像する。
【００２８】本実施形態では以上のようにして光源手段
１１からの光束で照明系（１２〜１９）を介して被観察
面１を均一に照明し、被観察面１上のパターンを観察光
学系（４〜５）により撮像素子６上に形成している。そ
して撮像素子６からの画像情報を用いて観察面上のパタ
ーンの位置検出を行っている。
１１からの光束で照明系（１２〜１９）を介して被観察
面１を均一に照明し、被観察面１上のパターンを観察光
学系（４〜５）により撮像素子６上に形成している。そ
して撮像素子６からの画像情報を用いて観察面上のパタ
ーンの位置検出を行っている。
【００２９】本実施形態の観察装置を用いて被観察面１
の像観察を行なう場合、図２に示すように拡散板１４に
より光ファイバーバンドル１３の出射端１３ｂの強度分
布むらが存在してもオプティカルロッド１５の入射端１
５ａの各点から出た光束が出射端１５ｂにおいて所定の
拡がりになる。特にレーザー光のように拡がり角をあま
り持たない光においても、拡散板１６の出射端１６ｂで
は、確実に所定の大きさに広げられている。
の像観察を行なう場合、図２に示すように拡散板１４に
より光ファイバーバンドル１３の出射端１３ｂの強度分
布むらが存在してもオプティカルロッド１５の入射端１
５ａの各点から出た光束が出射端１５ｂにおいて所定の
拡がりになる。特にレーザー光のように拡がり角をあま
り持たない光においても、拡散板１６の出射端１６ｂで
は、確実に所定の大きさに広げられている。
【００３０】本実施形態では拡散板１６からの光束の拡
がり角θ１より小さい角度θ２の光束をコンデンサーレ
ンズ１７で取り込むようにしており、これにより光ファ
イバーバンドル１３の出射端面１３ｂの強度分布の影響
が大幅に緩和している。即ち、図２に示すように拡散板
１６の出射面１６ｂにおける強度分布むら及び配光特性
むらを大幅に軽減させている。
がり角θ１より小さい角度θ２の光束をコンデンサーレ
ンズ１７で取り込むようにしており、これにより光ファ
イバーバンドル１３の出射端面１３ｂの強度分布の影響
が大幅に緩和している。即ち、図２に示すように拡散板
１６の出射面１６ｂにおける強度分布むら及び配光特性
むらを大幅に軽減させている。
【００３１】本実施形態ではこのような構成により被観
察面１を均一に照明している。本実施形態において被観
察面１に、例えば図３（Ａ）に示すようなパターンが存
在していると、撮像素子６では図３（Ｂ）に示すような
良好なる観察波形が得られる。これにより被観察面１上
のパターンの位置情報を高精度に検出しており、例えば
被観察面としてウエハ等を用いたときはその面上に設け
たウエハマークの位置検出を高精度に行い、レチクルと
の位置合わせを高精度に行うのを容易にしている。
察面１を均一に照明している。本実施形態において被観
察面１に、例えば図３（Ａ）に示すようなパターンが存
在していると、撮像素子６では図３（Ｂ）に示すような
良好なる観察波形が得られる。これにより被観察面１上
のパターンの位置情報を高精度に検出しており、例えば
被観察面としてウエハ等を用いたときはその面上に設け
たウエハマークの位置検出を高精度に行い、レチクルと
の位置合わせを高精度に行うのを容易にしている。
【００３２】本実施形態１において図１に示す観察装置
を投影光学系２によりレチクル面上のパターンをウエハ
面上に投影露光する半導体デバイスの製造用の投影露光
装置として用いるときは被観察面１にウエハを設け、投
影光学系２に対してウエハと共役位置にレチクルを配置
する。
を投影光学系２によりレチクル面上のパターンをウエハ
面上に投影露光する半導体デバイスの製造用の投影露光
装置として用いるときは被観察面１にウエハを設け、投
影光学系２に対してウエハと共役位置にレチクルを配置
する。
【００３３】そして光源手段１１からの光束で各要素１
２〜１９等を有する照明系を介して該レチクル面又は該
ウエハ面を照明し、該レチクル面又はウエハ面のパター
ンを観察する観察系（４，５，６）を利用して該レチク
ルとウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明し
たレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光するようにしている。
２〜１９等を有する照明系を介して該レチクル面又は該
ウエハ面を照明し、該レチクル面又はウエハ面のパター
ンを観察する観察系（４，５，６）を利用して該レチク
ルとウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明し
たレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光するようにしている。
【００３４】そして、投影露光したウエハを公知の現像
処理工程を介してこれにより半導体デバイスを製造して
いる。
処理工程を介してこれにより半導体デバイスを製造して
いる。
【００３５】図４〜図６は各々本発明の照明装置の実施
形態２，３，４の一部分の要部概略図である。図４の実
施形態２は図１の実施形態１に比べてオプティカルロッ
ド１５と光ファイバーバンドル１３との間に拡散板１４
の代わりに正のパワーを持った光学系２１を配置してい
る点が異なっており、その他の構成は同じである。
形態２，３，４の一部分の要部概略図である。図４の実
施形態２は図１の実施形態１に比べてオプティカルロッ
ド１５と光ファイバーバンドル１３との間に拡散板１４
の代わりに正のパワーを持った光学系２１を配置してい
る点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００３６】本実施形態では光学系２１により光ファイ
バーバンドル１３の出射端面１３ｂと拡散板１６は像と
瞳の関係になっている。即ち出射端面１３ｂと視野絞り
１８とは共役になっている。これにより拡散板１６の出
射端面１６ｂは、光ファイバーバンドル１３の出射端面
１３ｂの強度分布むらが、まったく無い状態になる。一
方、上記のようにすると光ファイバーバンドル１３の出
射端面１３ｂが像面となり、被観察面１と共役な関係に
なる。
バーバンドル１３の出射端面１３ｂと拡散板１６は像と
瞳の関係になっている。即ち出射端面１３ｂと視野絞り
１８とは共役になっている。これにより拡散板１６の出
射端面１６ｂは、光ファイバーバンドル１３の出射端面
１３ｂの強度分布むらが、まったく無い状態になる。一
方、上記のようにすると光ファイバーバンドル１３の出
射端面１３ｂが像面となり、被観察面１と共役な関係に
なる。
【００３７】本実施形態では拡散板１６が途中配置され
ているため、光ファイバーバンドル１３の出射端面上の
強度分布むらは、ほとんど伝送されない。
ているため、光ファイバーバンドル１３の出射端面上の
強度分布むらは、ほとんど伝送されない。
【００３８】これにより、拡散板１６の出射面１６ｂに
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図３（Ａ）に示すように被観察面１を均一に照明し
ている。観察光学系が無収差であるならば実施形態１と
同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図３（Ａ）に示すように被観察面１を均一に照明し
ている。観察光学系が無収差であるならば実施形態１と
同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
【００３９】図５の実施形態３は図１の実施形態１に比
べてオプティカルロッド１５とファイバーバンドル１３
の間に拡散板１４の代わりに負のパワーを持った光学系
２２を配置している点が異なっており、その他の構成は
同じである。
べてオプティカルロッド１５とファイバーバンドル１３
の間に拡散板１４の代わりに負のパワーを持った光学系
２２を配置している点が異なっており、その他の構成は
同じである。
【００４０】本実施形態では拡がり角の小さい光束が光
ファイバーバンドル１３の出射面１３ｂから出射されて
いても、光学系２２で光束の角度を広げている。これに
より拡散板１６の出射端面１６ｂは光ファイバーバンド
ル１３の出射端面１３ｂの強度分布むらが大幅に軽減さ
れている。
ファイバーバンドル１３の出射面１３ｂから出射されて
いても、光学系２２で光束の角度を広げている。これに
より拡散板１６の出射端面１６ｂは光ファイバーバンド
ル１３の出射端面１３ｂの強度分布むらが大幅に軽減さ
れている。
【００４１】本実施形態ではオプティカルロッド１５の
長さをＬ、光学系２２の焦点距離をｆとしたとき ｆ≦Ｌ ‥‥（１） となるようにしている。
長さをＬ、光学系２２の焦点距離をｆとしたとき ｆ≦Ｌ ‥‥（１） となるようにしている。
【００４２】これにより、拡散板１６の出射面１６ｂに
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図３（Ａ）に示すように被観察面を均一に照明して
いる。観察光学系が無収差であるならば、実施形態１と
同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図３（Ａ）に示すように被観察面を均一に照明して
いる。観察光学系が無収差であるならば、実施形態１と
同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
【００４３】図６の実施形態４は図１の実施形態１に比
べてオプティカルロッド１５と拡散板１４との間に更に
拡散板１４′とオプティカルロッド１５′を配置してい
る点が異なっており、この他の構成は同じである。
べてオプティカルロッド１５と拡散板１４との間に更に
拡散板１４′とオプティカルロッド１５′を配置してい
る点が異なっており、この他の構成は同じである。
【００４４】本実施形態では説明を簡単にする為、オプ
ティカルロッドを２本、拡散板を全体として３枚用いた
構成を示しているが、必要に応じて組み合わせの構成を
増やしても良い。
ティカルロッドを２本、拡散板を全体として３枚用いた
構成を示しているが、必要に応じて組み合わせの構成を
増やしても良い。
【００４５】オプティカルロッドと拡散板１６の構成を
多段化することにより、強度分布及び配光特性は、より
均一化し、拡散板１６の出射端面１６ｂでは、光ファイ
バーバンドル１３の出射端面１３ｂの強度分布むらを大
幅に軽減している。これにより拡散板１６の出射面１６
ｂにおける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減
させ、図３（Ａ）に示すように被観察面１を均一に照明
している。観察光学系が無収差であるならば、実施形態
１と同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波
形を得ることができる。
多段化することにより、強度分布及び配光特性は、より
均一化し、拡散板１６の出射端面１６ｂでは、光ファイ
バーバンドル１３の出射端面１３ｂの強度分布むらを大
幅に軽減している。これにより拡散板１６の出射面１６
ｂにおける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減
させ、図３（Ａ）に示すように被観察面１を均一に照明
している。観察光学系が無収差であるならば、実施形態
１と同様に図３（Ｂ）に示すように対称な良好な観察波
形を得ることができる。
【００４６】
【００４７】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
イスの製造方法の実施例を説明する。
【００４８】図８は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
【００４９】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００５０】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００５１】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００５２】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５３】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【００５４】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００５５】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５６】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、
（イ）レチクルやウエハ等の物体面（被観察面）上に設
けたパターン（アライメントパターン）を適切に設定し
た照明装置により均一なる照度で照明し、該物体面上の
パターンを撮像素子等の所定面上に高精度に形成し、該
パターンの位置情報を高精度に観察及び検出することに
よりレチクルとウエハとの位置合わせを高精度に行い、
高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る照明装置及びそれを用いた観察装置を達成することが
できる。
けたパターン（アライメントパターン）を適切に設定し
た照明装置により均一なる照度で照明し、該物体面上の
パターンを撮像素子等の所定面上に高精度に形成し、該
パターンの位置情報を高精度に観察及び検出することに
よりレチクルとウエハとの位置合わせを高精度に行い、
高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る照明装置及びそれを用いた観察装置を達成することが
できる。
【００５８】（ロ）照明装置を構成する光ファイバー等
の光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合
わせることにより、ファイバーの出射端面上における強
度分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相
当する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観
察面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパ
ターンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観
察装置を達成することができる。
の光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合
わせることにより、ファイバーの出射端面上における強
度分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相
当する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観
察面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパ
ターンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観
察装置を達成することができる。
【００５９】（ハ）ファイバーバンドルの出射端とオプ
ティカルロッドの間に拡散板、あるいはパワーを持った
光学素子を設けることにより、拡がり角が小さい光束の
場合でもオプティカルロッドの入射端の各点から出た光
が出射端において所定の拡がりになるため、ファイバー
バンドルの出射端面における強度分布むら、及び配光特
性むらは、出射端である拡散板に光束が行き着く前に、
均一化される。
ティカルロッドの間に拡散板、あるいはパワーを持った
光学素子を設けることにより、拡がり角が小さい光束の
場合でもオプティカルロッドの入射端の各点から出た光
が出射端において所定の拡がりになるため、ファイバー
バンドルの出射端面における強度分布むら、及び配光特
性むらは、出射端である拡散板に光束が行き着く前に、
均一化される。
【００６０】これにより、ファイバーの出射端面上にお
ける強度分布むら、及び配光特性むらが、瞳面に相当す
る拡散板の出射面上において大幅に軽減され、被観察面
における均一な照明が達成でき、高精度なパターンを可
能としている。
ける強度分布むら、及び配光特性むらが、瞳面に相当す
る拡散板の出射面上において大幅に軽減され、被観察面
における均一な照明が達成でき、高精度なパターンを可
能としている。
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】図１の一部分の拡大説明図
【図３】図１の観察面上の照明分布と観察波形の説明図
【図４】本発明の実施形態２の一部分の要部概略図
【図５】本発明の実施形態３の一部分の要部概略図
【図６】本発明の実施形態４の一部分の要部概略図
【図７】図１の一部分の他の実施形態の説明図
【図８】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
ャート
【図９】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
ャート
１ 観察面（ウエハ）
２ 投影光学系
３ λ／４板
４ 偏光ビームスプリッター
６ 撮像素子
１１ 光源手段
１２ 光学系
１３ 光ファイバーバンドル（光導光素子）
１４ 第１の光拡散素子（拡散板）
１５ オプティカルロッド
１６ 第２の光拡散素子（拡散板）
１７ 光学部材（コンデンサーレンズ）
１８ 開口絞り
１９ リレーレンズ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−34918（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−321022（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−252030（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−274137（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−264429（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (9)
- 【請求項１】 光源手段からの光束で物体面を照明する
照明光学系を備えた照明装置であって、該照明光学系
は、入射光を拡散射出させる第１の光拡散素子、入射面
から入射した該第１の光拡散素子からの光束を出射面に
導光すると共に、該出射面が前記物体面に対する瞳面に
配置されたオプティカルロッド、そして該オプティカル
ロッドの出射面又はそれに共役な面に配置し、該オプテ
ィカルロッドからの光束を拡散射出させる第２の光拡散
素子とが該光源手段側から順に設けられた光拡散手段
と、該光拡散手段からの光束の拡がり角より小さい角度
の光束を取り込む開口数を有した光学部材とを有するこ
とを特徴とする照明装置。 - 【請求項２】 前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していることを特徴とする請求項１の照明装置。 - 【請求項３】 前記第１，第２の光拡散素子は等方散乱
する拡散板又は拡散角を制御したホログラムより成って
いることを特徴とする請求項１の照明装置。 - 【請求項４】 光源手段からの光束で物体面を照明する
照明光学系を備えた照明装置であって、該照明光学系
は、所定の屈折力を有した光学素子、入射面から入射し
た該光学素子からの光束を出射面に導光すると共に、該
出射面が前記物体面に対する瞳面に配置されたオプティ
カルロッド、そして該オプティカルロッドの出射面又は
それに共役な面に配置し、該オプティカルロッドからの
光束を拡散射出させる光拡散素子とが該光源手段側から
順に設けられた光拡散手段と、該光拡散手段からの光束
の拡がり角より小さい角度の光束を取り込む開口数を有
した光学部材とを有することを特徴とする照明装置。 - 【請求項５】 前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していることを特徴とする請求項４の照明装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５の何れか１項記載の照明装
置で物体面を照明し、該物体面を観察光学系で所定面上
に形成して観察していることを特徴とする観察装置。 - 【請求項７】 露光光で照明されたレチクルに形成され
たパターンをウエハ面上に投影露光する投影光学系を有
する投影露光装置において、前記レチクル又は前記ウエ
ハの位置を観察する観察装置を有し、前記観察装置は照
明光学系と観 察光学系とを有し、光源手段からの光束に
より前記照明光学系と前記投影光学系とを介して前記レ
チクル又は前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記
ウエハに形成されたアライメントパターンを前記投影光
学系と前記観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前
記照明光学系は、前記光源手段からの光束を拡散射出さ
せる第１の光拡散素子、入射面から入射した前記第１の
光拡散素子からの光束を出射面に導光すると共に、前記
出射面が前記投影光学系の瞳面に配置されたオプティカ
ルロッド、そして前記オプティカルロッドの出射面又は
それに共役な面に配置し、前記オプティカルロッドから
の光束を拡散射出させる第２の光拡散素子とが前記光源
手段側から順に設けられた光拡散手段と、前記光拡散手
段からの光束の拡がり角より小さい角度の光束を取り込
む開口数を有した光学部材とを有することを特徴とする
投影露光装置。 - 【請求項８】 露光光で照明されたレチクルに形成され
たパターンをウエハ面上に投影露光する投影光学系を有
する投影露光装置において、前記レチクル又は前記ウエ
ハの位置を観察する観察装置を有し、前記観察装置は照
明光学系と観察光学系とを有し、光源手段からの光束に
より前記照明光学系と前記投影光学系とを介して前記レ
チクル又は前記ウエハを照明し、前記レチクル又は前記
ウエハに形成されたアライメントパターンを前記投影光
学系と前記観察光学系を介して撮像素子上に結像し、前
記照明光学系は、所定の屈折力を有した光学素子、入射
面から入射した前記所定の屈折力を有した光学素子から
の光束を出射面に導光すると共に、前記出射面が前記投
影光学系の瞳面に配置されたオプティカルロッド、そし
て前記オプティカルロッドの出射面又はそれに共役な面
に配置し、前記オプティカルロッドからの光束を拡散射
出させる光拡散素子とが前記光源手段側から順に設けら
れた光拡散手段と、前記光拡散手段からの光束の拡がり
角より小さい角度の光束を取り込む開口数を有した光学
部材とを有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項９】請求項７又は８に記載の投影露光装置で前
記レチクルと前記ウエハとの位置合わせを行った後に、
前記露光光で照明したレチクル面上のパターンを前記投
影光学系により前記ウエハ面上に投影露光し、前記ウエ
ハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造するよ
うにしていることを特徴とする半導体 デバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01838596A JP3445047B2 (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 照明装置及びそれを用いた観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01838596A JP3445047B2 (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 照明装置及びそれを用いた観察装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190967A JPH09190967A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3445047B2 true JP3445047B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=11970259
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01838596A Expired - Lifetime JP3445047B2 (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 照明装置及びそれを用いた観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445047B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018189482A1 (fr) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | Xyzed | Projecteur de grande puissance a source lumiere laser deportee |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002292820A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の検査装置及び平版印刷版の検査方法 |
| JP4963925B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-06-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源装置及び映像表示装置 |
| JP6210526B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2017-10-11 | ギガフォトン株式会社 | 波長検出器、波長較正システム |
| JP6381346B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 光源装置、照明装置、露光装置、および物品の製造方法 |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP01838596A patent/JP3445047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018189482A1 (fr) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | Xyzed | Projecteur de grande puissance a source lumiere laser deportee |
| FR3065344A1 (fr) * | 2017-04-14 | 2018-10-19 | Xyzed | Projecteur de grande puissance a source lumiere laser deportee |
| US10901307B2 (en) | 2017-04-14 | 2021-01-26 | Xyzed | High-power projector with offset laser source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09190967A (ja) | 1997-07-22 |
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