JP3442834B2 - 周波数変換装置 - Google Patents
周波数変換装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
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Description
を周波数f2 の発振器信号を用いて中間周波数信号f3
へ変換する周波数変換装置に関する。
般に入力信号は発振器信号を用いて非直線特性を持つ回
路を介して、混合した結果として特に所望の中間周波数
信号が得られるように制御される。
変調強度が高くしかも電力消費量が低い冒頭で述べた種
類の周波数変換装置を提供することにある。
め、本発明によれば、周波数f 1 の入力信号を周波数f 2 の
発振器信号を用いて中間周波数信号f 3 へ変換する周波数
変換装置であって、信号案内路へ並列にスイッチ素子が
接続され、このスイッチ素子は発振器周波数f2の制御
源により高抵抗状態および低抵抗状態に切換えられ、信
号案内路の信号供給路には周波数f1を通過させて周波
数f3を阻止する特性を有する周波数選択回路が配置さ
れ、信号案内路の信号送出路には周波数f3を通過させ
て周波数f1を阻止する特性を有する別の周波数選択回
路が配置されている周波数変換装置において、制御源は
局部発振器駆動増幅器と制限・調節回路とを含み、ダイ
オード装置と抵抗とからなる制限・調節回路は局部発振
器駆動増幅器により増幅された局部発振器信号を制限
し、その際抵抗に生じた電圧が別の抵抗を介して局部発
振器駆動増幅器の入力を調整し、局部発振器信号の広い
レベル範囲にわたってスイッチ素子の入力が最適に駆動
され、同時に周波数変換装置の電流消費量が最小とな
る。
されている。
体の非常に大きな相互変調強度が得られる点にある。入
力信号端子および中間周波数信号端子は低抵抗(50Ω
〜100Ω)で非対称である。他の利点は例えば300
mWと言うように装置の電力消費量が低い点である。さ
らに、約2.5V〜7Vの許容し得る大きな駆動電圧範
囲が得られ、しかも最適な駆動のために許容し得る大き
なL.O.(Local Oscillator=局部
発振器)レベル範囲が得られる。別の利点は装置の高い
安定性が得られる点、すなわち振動が生じない点であ
る。受動形スイッチ混合段は混合損失が少ない点で好適
である。装置は非常に高い混合効率を有する。その混合
原理は低周波数範囲から高GHz範囲までの周波数に適
用可能である。混合器は低ノイズである。混合器は入力
端及び/又は出力端に増幅器、伝送インピーダンス増幅
器を問題なくしかも反作用少なく接続することができ
る。
に説明する。
示されている。この図1においては、入力信号つまり周
波数f1の供給された有効信号に周波数f2の発振器信号
が混合されて、中間周波数と称される所望の周波数f3
=|f1+f2|またはf3=|f1−f2|が生成される。周
波数は周波数帯であってもよい。スイッチ素子S(特に
電界効果トランジスタ、しかしながら例えばダイオード
等でもよい)は信号案内路へ並列に、発振器周波数f2
の制御源と高抵抗状態および低抵抗状態に切り換えられ
る。信号案内路の信号供給部および信号送出部にはそれ
ぞれ以下の特性を有する周波数選択回路F1およびF2が
配置されている。即ち信号供給路においては周波数f1
を通過させ、周波数f3を阻止し、信号送出路において
は周波数f3を通過させ周波数f1を阻止する特性を有す
る。目的に適うようにフィルタとして形成された周波数
選択回路F1、F2における周波数阻止は、スイッチ素子
Sに対する方向へ高抵抗状態で反射することにより行わ
れ、図1には反転矢印で示されている。
は、混合器と、制御形L.O.駆動増幅器と、中間周波
数増幅器とを含んでおり、これらは特に半導体基板内に
モノリシックに集積されている。回路は例えば約1.2
GHzの高周波信号RFを混合増幅率G>10db、混
合ノイズF(SSB)<8dbおよびPin=2×(−
15)dBmで相互変調強度dIM>60dBcにて2
00MHz以下のIFつまり中間周波数状態へ周波数変
換するために設計されている。供給されたL.O.レベ
ルはこの回路の場合には機能が著しく妨害されないよう
に−10dBm〜+13dBmである(200倍)。電
力消費量はUB =5Vの供給電圧の場合約300mWで
ある。駆動電圧UB はこの回路の場合には2.5V〜7
Vの大きな範囲で変動することが出来る。この混合器の
達成可能な相互変調間隔は消費形電子製品用の従来公知
のMMIC混合器の場合よりも100〜1000倍改善
される。
る)混合器トランジスタQ2と周波数フィルタとから構
成されている。信号供給路としてのRF路には高域フィ
ルタC3が配置され、帯域消去フィルタとしての信号送
出路つまりIF路にはインダクタンスL1とコンデンサ
C4とが配置されている。ダイオードD1は流れ方向へ
の極めて大きい電流密度から電界効果トランジスタ(混
合器トランジスタQ2)のゲートを保護する。
率を大きなゲート幅によって達成しているトランジスタ
Q1から構成されている。増幅されたL.O.信号はコ
ンデンサC2を介して混合器トランジスタQ2のゲート
を制御する(スイッチ駆動)。
る容量性負荷の総和は、ケース端子のインダクタンスを
考慮した外部インダクタンスLによって補償される。ア
ースMに任意に接続可能なコンデンサC1は外部インダ
クタンスLを小さくするために使われている。
2、R1から構成されている制限・調節回路は、一方で
はトランジスタQ1によって増幅されたL.O.信号を
制限する。つまりそれにより抵抗R2に生じた負の電圧
が抵抗R1を介してトランジスタQ1のゲートを制御
し、広いL.O.レベル範囲にわたって混合器トランジ
スタQ2のゲートが最適に駆動されかつ同時に回路全体
の電流消費量が最小になる。
よび出力端を低抵抗に保つ(75Ω〜100Ω)ため
に、抵抗R3によって抵抗負帰還結合されたトランジス
タQ3から構成されている。集積形DC個別コンデンサ
C5は任意の外部コンデンサによって拡大することがで
き、これによってIF増幅器の低抵抗入力端を低周波数
へ拡張することができる。
図である。
回路図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 周波数f1の入力信号を周波数f2の発振器
信号を用いて中間周波数信号f3へ変換する周波数変換装
置であって、信号案内路へ並列にスイッチ素子(S)が
接続され、このスイッチ素子(S)は発振器周波数f2
の制御源により高抵抗状態および低抵抗状態に切換えら
れ、信号案内路の信号供給路には周波数f1を通過させ
て周波数f3を阻止する特性を有する周波数選択回路
(F1)が配置され、信号案内路の信号送出路には周波
数f3を通過させて周波数f1を阻止する特性を有する別
の周波数選択回路(F2)が配置されている周波数変換
装置において、制御源は局部発振器駆動増幅器(Q1)
と制限・調節回路(D2、D3、D4、R1、R2)と
を含み、ダイオード装置(D2、D3、D4)と抵抗
(R1、R2)とからなる制限・調節回路は局部発振器
駆動増幅器(Q1)により増幅された局部発振器信号を
制限し、その際抵抗(R2)に生じた電圧が抵抗(R
1)を介して局部発振器駆動増幅器(Q1)の入力を調
整し、局部発振器信号の広いレベル範囲にわたってスイ
ッチ素子(S)の入力が最適に駆動され、同時に周波数
変換装置の電流消費量が最小となることを特徴とする周
波数変換装置。 - 【請求項2】 スイッチ素子(S)は電界効果トランジ
スタであることを特徴とする請求項1記載の周波数変換
装置。 - 【請求項3】 混合器および中間周波数増幅器を含むこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の周波数変換装置。 - 【請求項4】 混合器は受動形混合器トランジスタ(Q
2)と周波数フィルタ(F1、F2)とから構成されるこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載
の周波数変換装置。 - 【請求項5】 信号供給路に配置された周波数フィルタ
(F1)は高域フィルタ(C3)であり、信号送出路に
配置された周波数フィルタ(F2)は周波数f1用の帯域
消去フィルタ(L1、C4)であることを特徴とする請
求項4記載の周波数変換装置。 - 【請求項6】 中間周波数増幅器は抵抗負帰還結合され
たトランジスタ(Q3)から構成されることを特徴とす
る請求項1ないし3のいずれか1つに記載の周波数変換
装置。 - 【請求項7】 少なくとも一部分が半導体基板上にモノ
リシックに集積されていることを特徴とする請求項1な
いし6のいずれか1つに記載の周波数変換装置。
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