JP3441192B2 - Metal package for electronic components - Google Patents

Metal package for electronic components

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JP3441192B2 JP25917294A JP25917294A JP3441192B2 JP 3441192 B2 JP3441192 B2 JP 3441192B2 JP 25917294 A JP25917294 A JP 25917294A JP 25917294 A JP25917294 A JP 25917294A JP 3441192 B2 JP3441192 B2 JP 3441192B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の電子
部品を収容するための鉄合金、銅合金等の金属からなる
電子部品用メタルパッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal package for electronic parts, which is made of metal such as iron alloy and copper alloy for housing electronic parts such as semiconductor chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電子部品用メタルパッケージで
は、メタルパッケージ内部に収容された半導体チップと
メタルパッケージ外部に配置された電子部品やメタルパ
ッケージ実装用基板の配線回路とを電気的に接続するた
めの、次のような接続手段が備えられている。
2. Description of the Related Art In a conventional metal package for electronic parts, a semiconductor chip housed inside the metal package is electrically connected to an electronic part arranged outside the metal package or a wiring circuit of a metal package mounting substrate. The following connection means are provided.

【0003】即ち、図8に示したように、メタルパッケ
ージ10の側壁に開口された方形状の穴12に断面が凸
状をしたセラミック端子20が気密に嵌着されている。
That is, as shown in FIG. 8, a ceramic terminal 20 having a convex cross section is hermetically fitted in a rectangular hole 12 formed in a side wall of a metal package 10.

【0004】又は、図9に示したように、メタルパッケ
ージ10の側壁に開口された円形状の穴12に金属製の
外部リード30が挿通されて、その穴12に挿通された
外部リード30部分が穴12に誘電体のガラス40を介
して気密に封着されている。そして、穴12に挿通され
た外部リード30の封着部分が同軸線路構造に形成され
ている。
Alternatively, as shown in FIG. 9, an external lead 30 made of metal is inserted into a circular hole 12 formed in a side wall of the metal package 10, and the external lead 30 portion inserted into the hole 12 is inserted. Is hermetically sealed in the hole 12 through a glass 40 made of a dielectric material. The sealed portion of the external lead 30 inserted into the hole 12 is formed in the coaxial line structure.

【0005】これらの接続手段が備えられた電子部品用
メタルパッケージにおいては、図8又は図9に示したよ
うに、メタルパッケージ10内底部に銅合金、窒化アル
ミニウム等からなるサブマウント55を介して搭載され
た半導体チップ50の電極がセラミック端子20に備え
られた接続線路22内端又はメタルパッケージ10内方
に突出した外部リード30内端にワイヤ60を介して接
続されると共に、メタルパッケージ10外部に配置され
た電子部品(図示せず)の接続端子やメタルパッケージ
実装用基板(図示せず)の配線回路の一部がセラミック
端子の接続線路22外端に接続された外部リード30外
端又はメタルパッケージ10外方に突出した外部リード
30外端に接続されて、メタルパッケージ10内部の半
導体チップ50がメタルパッケージ10外部の電子部品
やメタルパッケージ実装用基板の配線回路に電気的に接
続されている。
In the metal package for electronic parts provided with these connecting means, as shown in FIG. 8 or 9, a submount 55 made of copper alloy, aluminum nitride or the like is provided on the inner bottom of the metal package 10. The electrode of the mounted semiconductor chip 50 is connected to the inner end of the connection line 22 provided on the ceramic terminal 20 or the inner end of the external lead 30 protruding inward of the metal package 10 via a wire 60, and the outside of the metal package 10 is connected. A part of the wiring terminal of the electronic component (not shown) and the wiring circuit of the metal package mounting board (not shown) arranged in the outer terminal of the external lead 30 connected to the outer end of the connecting line 22 of the ceramic terminal or The semiconductor chip 50 inside the metal package 10 is connected to the outer ends of the external leads 30 protruding outside the metal package 10. And it is electrically connected to the barrel package 10 outside the electronic component and the printed circuit board for metal packaging.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8に
示した電子部品用メタルパッケージにあっては、セラミ
ック端子20嵌着用の穴12をメタルパッケージ10の
側壁にセラミック端子20の外径寸法に合わせて精度良
く開口して、その穴12にセラミック端子20をろう付
け等により隙間なく気密に嵌着しなければならず、その
穴12の開口作業に多大な手数を要した。それと共に、
セラミック端子20嵌着用の穴12のコーナー部をセラ
ミック端子20のL字状に尖った隅部の形状に合わせて
鋭くL字状に形成しなければならず、その穴12のコー
ナー部の形成作業に多大な手数を要した。
However, in the metal package for electronic parts shown in FIG. 8, the hole 12 for fitting the ceramic terminal 20 is formed on the side wall of the metal package 10 according to the outer diameter dimension of the ceramic terminal 20. Therefore, it is necessary to open the hole 12 with high accuracy and to tightly fit the ceramic terminal 20 into the hole 12 by brazing or the like, which requires a great deal of work for opening the hole 12. Along with that
The corner portion of the hole 12 for fitting the ceramic terminal 20 must be formed into a sharp L-shape in accordance with the shape of the L-shaped sharp corner portion of the ceramic terminal 20, and the work of forming the corner portion of the hole 12 It took a lot of work.

【0007】また、図9に示した電子部品用メタルパッ
ケージにあっては、メタルパッケージ10の側壁に小ピ
ッチで並べて開口した複数個の円形状の穴12に複数本
の外部リード30を誘電体のガラス40を介してそれぞ
れ封着して、それらの穴12に挿通した同軸線路構造を
した外部リード30の封着部分の特性インピーダンスを
それぞれ50Ω等にマッチングさせようとした場合に、
外部リード30挿通用の穴12の径をガラス40の誘電
率εに合わせて大きく形成しなければならず、その穴1
2がそれに隣合う外部リード30挿通用の穴12の一部
に重なり合ってしまった。そして、穴12に挿通した外
部リード30の封着部分の特性インピーダンスを50Ω
等にマッチングさせることができなかった。
Further, in the metal package for electronic parts shown in FIG. 9, a plurality of external leads 30 are formed in a plurality of circular holes 12 formed in the side wall of the metal package 10 and arranged side by side at a small pitch. In the case where it is attempted to match the characteristic impedances of the sealed portions of the external leads 30 having the coaxial line structure, which are respectively sealed through the glass 40 of FIG.
The diameter of the hole 12 for inserting the external lead 30 must be formed to be large according to the dielectric constant ε of the glass 40.
2 overlapped with a part of the hole 12 for inserting the external lead 30 adjacent to it. Then, the characteristic impedance of the sealed portion of the external lead 30 inserted into the hole 12 is set to 50Ω.
Etc. could not be matched.

【0008】それと共に、メタルパッケージ10内方に
長く突出した外部リード30内端の特性インピーダンス
を50Ω等にマッチングさせることができなかった。そ
して、その外部リード30内端に高周波信号を伝送損失
少なく伝えることができなかった。
At the same time, it was not possible to match the characteristic impedance of the inner end of the external lead 30 that protrudes inwardly of the metal package 10 to 50Ω or the like. Then, the high frequency signal could not be transmitted to the inner end of the external lead 30 with a small transmission loss.

【0009】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、メタルパッケージ内部に収容された半導体チ
ップをメタルパッケージ外部に配置された電子部品やメ
タルパッケージ実装用基板の配線回路に電気的に接続す
るための接続手段を簡易化して、その接続手段をメタル
パッケージの側壁に容易に装着できるようにした電子部
品用メタルパッケージ(以下、メタルパッケージとい
う)を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above problems, and an electric circuit is provided in a wiring circuit of an electronic component or a metal package mounting substrate in which a semiconductor chip housed inside the metal package is arranged outside the metal package. It is an object of the present invention to provide a metal package for electronic parts (hereinafter referred to as a metal package) in which the connecting means for connecting to the above is simplified and the connecting means can be easily attached to the side wall of the metal package.

【0010】それと共に、接続手段に備えられた接続線
路の特性インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って
所定値にマッチングさせることのできるメタルパッケー
ジを提供することをもう一つの目的としている。
At the same time, another object is to provide a metal package capable of matching the characteristic impedance of the connecting line provided in the connecting means to a predetermined value over substantially the entire length of the connecting line.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1のメタルパッケージは、接続線路が備
えられた絶縁基板の一方の端部がメタルパッケージの側
壁に開口された穴に挿入されると共に、前記絶縁基板の
他方の端部がメタルパッケージ内方に突出された状態
で、前記絶縁基板がメタルパッケージに接合され、か
つ、前記穴がメタルパッケージ外方から絶縁材からなる
蓋体で気密に覆われると共に、該蓋体に外部リードが気
密に挿通されて、その外部リード内端が前記接続線路に
電気的に接続されたことを特徴としている。
To achieve the above object, the first metal package of the present invention has a hole in which one end of an insulating substrate provided with a connection line is opened in a side wall of the metal package. Is inserted into the metal package while the other end of the insulating substrate is projected into the metal package, and the hole is made of an insulating material from the outside of the metal package. It is characterized in that the cover is airtightly covered, the outer lead is airtightly inserted through the cover, and the inner end of the outer lead is electrically connected to the connection line.

【0012】本発明の第2のメタルパッケージは、接続
線路が備えられた絶縁基板の一方の端部がメタルパッケ
ージの側壁に開口された穴に挿入されると共に、前記絶
縁基板の他方の端部がメタルパッケージ内方に突出され
た状態で、前記絶縁基板がメタルパッケージに接合さ
れ、かつ、前記穴がメタルパッケージ外方から金属から
なる蓋体で気密に覆われると共に、該蓋体に外部リード
が蓋体に対して電気的絶縁性を持たせて気密に挿通され
て、その外部リード内端が前記接続線路に電気的に接続
されたことを特徴としている。
In a second metal package of the present invention, one end of an insulating substrate provided with a connecting line is inserted into a hole opened in a side wall of the metal package, and the other end of the insulating substrate is inserted. The insulating substrate is joined to the metal package, and the hole is airtightly covered with a lid made of metal from the outside of the metal package, and the external lead is attached to the lid. Is hermetically inserted into the lid with electrical insulation, and the inner ends of the external leads are electrically connected to the connection line.

【0013】本発明の第1又は第2のメタルパッケージ
おいては、穴に挿入された絶縁基板の一方の端部に接続
線路の外部リードとの接続部が延設されて、その接続部
に外部リード内端が電気的に接続された構成とすること
を好適としている。
In the first or second metal package of the present invention, the connecting portion of the connecting line to the external lead is extended at one end of the insulating substrate inserted into the hole, and the connecting portion is connected to the connecting portion. It is preferable that the inner ends of the outer leads are electrically connected.

【0014】それと共に、メタルパッケージ内方に突出
された絶縁基板の他方の端部に接続線路の電子部品との
接続部が延設された構成とすることを好適としている。
At the same time, it is preferable that the other end of the insulating substrate protruding inward of the metal package is provided with a connecting portion for connecting the electronic component of the connecting line.

【0015】本発明の第1又は第2のメタルパッケージ
においては、絶縁基板がセラミックからなり、接続線路
がメタライズからなることを好適としている。
In the first or second metal package of the present invention, it is preferable that the insulating substrate is made of ceramic and the connection line is made of metallized.

【0016】本発明の第1又は第2のメタルパッケージ
においては、接続線路をマイクロストリップ線路構造に
形成するためのグランド層が絶縁基板に備えられた構成
とすることを好適とし、グランド層がメタライズからな
ることを好適としている。
In the first or second metal package of the present invention, it is preferable that the insulating layer is provided with a ground layer for forming the connection line in the microstrip line structure, and the ground layer is metallized. It is preferable to consist of

【0017】本発明の第1のメタルパッケージにおいて
は、蓋体がセラミックからなり、その蓋体に備えられた
メタライズ層を介して外部リードが蓋体に気密にろう付
け接合された構成とすることを好適としている。
In the first metal package of the present invention, the lid body is made of ceramic, and the external leads are hermetically brazed to the lid body via the metallization layer provided on the lid body. Is preferred.

【0018】本発明の第2のメタルパッケージにおいて
は、外部リードが金属からなる蓋体にガラスを介して気
密に封着された構成とすることを好適としている。
In the second metal package of the present invention, it is preferable that the external lead is hermetically sealed to the lid body made of metal via glass.

【0019】[0019]

【作用】本発明の第1又は第2のメタルパッケージにお
いては、メタルパッケージ内部に収容された電子部品の
電極を絶縁基板に備えられた接続線路の電子部品との接
続部にワイヤ等で接続すると共に、メタルパッケージ外
部に配置された電子部品の接続端子やメタルパッケージ
実装用基板の配線回路の一部を外部リード外端に接続し
て、メタルパッケージ内部の電子部品とメタルパッケー
ジ外部の電子部品やメタルパッケージ実装用基板の配線
回路とを接続線路と外部リードとを介して電気的に接続
できる。
In the first or second metal package of the present invention, the electrode of the electronic component housed inside the metal package is connected to the connection portion of the connection line provided on the insulating substrate with the electronic component by a wire or the like. At the same time, the connection terminals of the electronic components placed outside the metal package and a part of the wiring circuit of the metal package mounting board are connected to the outer ends of the external leads to connect the electronic components inside the metal package and the electronic components outside the metal package. The wiring circuit of the metal package mounting board can be electrically connected via the connection line and the external lead.

【0020】また、メタルパッケージの側壁に開口され
た穴をメタルパッケージ外方から蓋体で気密に覆うよう
にしているため、メタルパッケージの側壁に接続手段を
メタルパッケージの気密性を損なわぬようにして装着す
る際に、絶縁基板の一方の端部を挿入可能な穴であっ
て、その基板の一方の端部の外径寸法より大き目の穴を
メタルパッケージの側壁に開口するだけで良く、接続手
段装着用の穴をメタルパッケージの側壁に開口する作業
の大幅な簡易化、容易化が図れる。
Further, since the hole opened in the side wall of the metal package is airtightly covered with the lid from the outside of the metal package, the connecting means is provided on the side wall of the metal package so as not to impair the airtightness of the metal package. Connection, one end of the insulating substrate can be inserted, and a hole larger than the outer diameter of one end of the substrate can be opened in the side wall of the metal package. It is possible to greatly simplify and facilitate the work of opening the means mounting hole on the side wall of the metal package.

【0021】また、穴に挿入された絶縁基板の一方の端
部に接続線路の外部リードとの接続部が延設されて、そ
の接続部に外部リード内端が電気的に接続された本発明
の第1又は第2のメタルパッケージにあっては、接続線
路の外部リードとの接続部を蓋体に近づけて、その蓋体
内側に突出した外部リード内端であって、接続線路の外
部リードとの接続部に電気的に接続する外部リード内端
を短尺化できる。そして、その外部リード内端の高周波
特性を向上させることができる。
Further, according to the present invention, a connecting portion of the connecting line to the external lead is extended to one end of the insulating substrate inserted into the hole, and the inner end of the external lead is electrically connected to the connecting portion. In the first or second metal package, the connecting portion of the connection line to the external lead is brought closer to the lid body, and is the inner end of the outer lead projecting inside the lid body, and the outer lead of the connection line. The inner end of the external lead electrically connected to the connection portion can be shortened. Then, the high frequency characteristics of the inner ends of the external leads can be improved.

【0022】また、メタルパッケージ内方に突出された
絶縁基板の他方の端部に接続線路の電子部品との接続部
が延設された本発明の第1又は第2のメタルパッケージ
にあっては、接続線路の電子部品との接続部をメタルパ
ッケージ内部に収容された電子部品に近づけて、その電
子部品の電極を接続線路の電子部品との接続部にワイヤ
等で距離短く電気的に接続できる。そして、その電子部
品の電極と接続線路の電子部品との接続部を電気的に接
続するワイヤ等の高周波特性を向上させることができ
る。それと共に、メタルパッケージの側壁内方の広く開
口された空間部分に接続線路の電子部品との接続部を配
置して、その接続部にワイヤ等を容易かつ的確に電気的
に接続できる。
Further, in the first or second metal package of the present invention in which the connecting portion for connecting the electronic component of the connecting line is extended to the other end portion of the insulating substrate protruding inward of the metal package. , The connection portion of the connection line with the electronic component can be brought close to the electronic component housed inside the metal package, and the electrode of the electronic component can be electrically connected to the connection portion of the connection line with the electronic component with a wire or the like for a short distance. . Then, it is possible to improve high-frequency characteristics of a wire or the like that electrically connects a connecting portion between the electrode of the electronic component and the electronic component of the connection line. At the same time, a connection portion of the connection line with the electronic component can be arranged in a wide open space inside the side wall of the metal package, and a wire or the like can be electrically connected to the connection portion easily and accurately.

【0023】また、接続線路をマイクロストリップ線路
構造に形成するためのグランド層が絶縁基板に備えられ
た本発明の第1又は第2のメタルパッケージにあって
は、接続線路の幅やその厚さを調整したり、接続線路と
グランド層との距離を調整したりして、接続線路の特性
インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って所定値に
マッチングさせることができる。
Further, in the first or second metal package of the present invention in which the insulating substrate is provided with the ground layer for forming the connection line in the microstrip line structure, the width and the thickness of the connection line. Can be adjusted or the distance between the connection line and the ground layer can be adjusted to match the characteristic impedance of the connection line with a predetermined value over substantially the entire length of the connection line.

【0024】また、セラミック等の絶縁材からなる蓋体
に外部リードが気密に挿通された本発明の第1のメタル
パッケージにあっては、外部リードが蓋体を介してメタ
ルパッケージに電気的に短絡したり、外部リードが同じ
蓋体に気密に挿通された他の外部リードに電気的に短絡
したりするのを絶縁材からなる蓋体により防ぐことがで
きる。
Further, in the first metal package of the present invention in which the outer leads are hermetically inserted in the lid body made of an insulating material such as ceramic, the outer leads are electrically connected to the metal package through the lid body. The cover made of an insulating material can prevent a short circuit and an external lead from being electrically short-circuited with another external lead that is hermetically inserted in the same cover.

【0025】また、外部リードが金属からなる蓋体にガ
ラスを介して気密に封着された本発明の第2のメタルパ
ッケージにあっては、外部リードが金属からなる蓋体を
介してメタルパッケージに電気的に短絡したり、外部リ
ードが同じ金属からなる蓋体に気密に挿通された他の外
部リードに電気的に短絡したりするのを絶縁材のガラス
により防ぐことができる。
Further, in the second metal package of the present invention in which the outer leads are hermetically sealed to the lid body made of metal via the glass, the metal package is provided with the outer leads made of the metal body. The glass of the insulating material can prevent electrical short-circuiting, and electrical short-circuiting with other external leads that are hermetically inserted in the lid made of the same metal.

【0026】[0026]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図1ないし図4は本発明の第1のメタルパッケージ
の好適な実施例を示し、図1はその一部正面断面図、図
2はその一部平面図、図3はその一部分解構造説明図、
図4はその一部斜視図である。以下に、このメタルパッ
ケージを説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1 to 4 show a preferred embodiment of the first metal package of the present invention, FIG. 1 is a partial front sectional view thereof, FIG. 2 is a partial plan view thereof, and FIG. 3 is a partially exploded structure explanatory view thereof. ,
FIG. 4 is a partial perspective view thereof. The metal package will be described below.

【0027】図において、70は、帯板状をしたセラミ
ックからなる絶縁基板である。絶縁基板70には、メタ
ライズからなる細帯状の接続線路72が絶縁基板70上
面を横断して備えられている。そして、絶縁基板の一方
の端部70a上面に延設された接続線路72部分が、接
続線路の外部リードとの接続部74を構成している。そ
れと共に、絶縁基板の他方の端部70b上面に延設され
た接続線路72部分が、接続線路の電子部品との接続部
76を構成している。接続線路72は、絶縁基板70上
面に所定ピッチで複数本横に並べて備えられている。
In the figure, 70 is an insulating substrate made of a strip-shaped ceramic. On the insulating substrate 70, a strip-shaped connecting line 72 made of metallized is provided across the upper surface of the insulating substrate 70. The connecting line 72 portion extended to the upper surface of the one end 70a of the insulating substrate constitutes a connecting portion 74 with the external lead of the connecting line. At the same time, the connecting line 72 portion extending on the upper surface of the other end 70b of the insulating substrate constitutes a connecting portion 76 of the connecting line with the electronic component. A plurality of connection lines 72 are provided side by side on the upper surface of the insulating substrate 70 at a predetermined pitch.

【0028】鉄合金、銅合金等の金属からなるメタルパ
ッケージ10の側壁には、穴12が開口されている。穴
12は、図3に示したように、横に長い長穴状をしてい
る。穴12のコーナー部は、加工し易いように円弧状に
形成されている。穴12は、絶縁基板の一方の端部70
aを余裕を持って挿入可能なように、その基板の一方の
端部70aの外径寸法より大き目に形成されている。
A hole 12 is opened in the side wall of the metal package 10 made of a metal such as an iron alloy or a copper alloy. As shown in FIG. 3, the hole 12 has a horizontally elongated slot shape. The corner portion of the hole 12 is formed in an arc shape for easy processing. The hole 12 is formed at one end 70 of the insulating substrate.
It is formed larger than the outer diameter dimension of one end 70a of the substrate so that a can be inserted with a margin.

【0029】絶縁基板70は、その一方の端部70aが
メタルパッケージ10の側壁に開口された穴12に挿入
されると共に、その他方の端部70bがメタルパッケー
ジ10内方に突出された状態で、メタルパッケージ10
に接合されている。具体的には、絶縁基板の一方の端部
70aが穴12に挿入されて、その基板の一方の端部7
0aが、絶縁基板70下面に備えられた金属めっきが施
された後述のメタライズからなるグランド層80を介し
て、穴12の下部内壁にろう付け接合されている。それ
と共に、絶縁基板の他方の端部70bが、メタルパッケ
ージ10内方に突出されている。絶縁基板70上面と穴
12の上部内壁との間には、空隙32が設けられて、接
続線路72がメタルパッケージ10に電気的に接触する
のが防止されている。
The insulating substrate 70 has one end 70a inserted into the hole 12 formed in the side wall of the metal package 10 and the other end 70b protruding inward of the metal package 10. , Metal package 10
Is joined to. Specifically, one end 70a of the insulating substrate is inserted into the hole 12 and one end 7a of the substrate is inserted.
0a is brazed to the lower inner wall of the hole 12 through a metal-plated ground layer 80, which will be described later, provided on the lower surface of the insulating substrate 70. At the same time, the other end 70b of the insulating substrate is projected inward of the metal package 10. A gap 32 is provided between the upper surface of the insulating substrate 70 and the upper inner wall of the hole 12 to prevent the connection line 72 from electrically contacting the metal package 10.

【0030】穴12は、メタルパッケージ10外方から
蓋体90で気密に覆われている。蓋体90は、絶縁材の
セラミックで形成されていて、板状をしている。蓋体9
0は、その内側周縁部に備えられた金属めっきが施され
たメタライズ層92を介して、穴12周囲のメタルパッ
ケージ10外側面部分に気密にろう付け接合されてい
る。
The hole 12 is airtightly covered with a lid 90 from the outside of the metal package 10. The lid 90 is made of insulating ceramic and has a plate shape. Lid 9
0 is hermetically brazed to the outer surface of the metal package 10 around the hole 12 through a metallized metallized layer 92 provided on the inner peripheral edge thereof.

【0031】蓋体90には、鉄―ニッケル合金又は鉄―
ニッケル―コバルト合金等の金属からなる外部リード3
0が気密に挿通されて、外部リード30内端がメタルパ
ッケージ10に開口された穴12に突入されている。具
体的には、図3と図4に示したように、蓋体90に挿通
孔94が所定ピッチで複数個横に並べて開口されて、そ
れらの挿通孔94に外部リード30がそれぞれ挿通され
ている。挿通孔94内周面とそれに連なる蓋体90外側
面部分には、金属めっきが施されたメタライズ層96が
連続して備えられている。そして、そのメタライズ層9
6を介して挿通孔94に挿通された外部リード30部分
が蓋体90に気密にろう付け接合されている。そして、
外部リード30が蓋体90を介してメタルパッケージ1
0に電気的に短絡したり、外部リード30が同じ蓋体9
0に気密に挿通された他の外部リード30に電気的に短
絡したりするのが、絶縁材のセラミックからなる蓋体9
0により防止されている。
The lid 90 is made of iron-nickel alloy or iron-
External lead 3 made of metal such as nickel-cobalt alloy
0 is airtightly inserted, and the inner end of the outer lead 30 is projected into the hole 12 opened in the metal package 10. Specifically, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of insertion holes 94 are opened side by side in the lid 90 at a predetermined pitch, and the external leads 30 are inserted into the insertion holes 94, respectively. There is. A metallized layer 96 plated with metal is continuously provided on the inner peripheral surface of the insertion hole 94 and the outer peripheral surface portion of the lid 90 continuous with the inner peripheral surface. And the metallized layer 9
The portion of the external lead 30 inserted through the insertion hole 94 through 6 is airtightly brazed to the lid 90. And
The external lead 30 has the metal package 1 via the lid 90.
0 and the external lead 30 is the same as the lid 9
It is the lid 9 made of ceramic of an insulating material that electrically short-circuits to the other external lead 30 that is hermetically inserted in 0.
Prevented by 0.

【0032】穴12に突入された外部リード30内端
は、穴12に挿入された絶縁基板の一方の端部70a上
面に延設された接続線路の外部リードとの接続部74に
ろう付け等により電気的に接続されている。
The inner ends of the outer leads 30 protruding into the holes 12 are brazed to the connecting portions 74 of the connecting lines extending on the upper surface of one end 70a of the insulating substrate inserted into the holes 12 with the outer leads. Are electrically connected by.

【0033】加えて、図のメタルパッケージにおいて
は、接続線路72をマイクロストリップ線路構造に形成
するためのグランド層80が絶縁基板70に備えられて
いる。具体的には、絶縁基板70下面にメタライズから
なるグランド層80が備えられている。そして、接続線
路72の幅とその厚さが調整されたり、絶縁基板70の
厚さが調整されて、接続線路72とグランド層80との
距離が調整されたりして、接続線路72の特性インピー
ダンスが接続線路72のほぼ全長に亙って50Ω等にマ
ッチングされている。
In addition, in the illustrated metal package, the insulating substrate 70 is provided with the ground layer 80 for forming the connection line 72 in the microstrip line structure. Specifically, a ground layer 80 made of metallization is provided on the lower surface of the insulating substrate 70. The width and thickness of the connection line 72 are adjusted, the thickness of the insulating substrate 70 is adjusted, and the distance between the connection line 72 and the ground layer 80 is adjusted. Is matched with 50Ω or the like over substantially the entire length of the connection line 72.

【0034】図1ないし図4に示した第1のメタルパッ
ケージは、以上のように構成されていて、このメタルパ
ッケージにおいては、図2に示したように、メタルパッ
ケージ10内部に収容された半導体チップ等の電子部品
50の電極をメタルパッケージ10内方に突出された絶
縁基板の他方の端部70b上面に延設された接続線路の
電子部品との接続部76にワイヤ60等を介して電気的
に接続すると共に、メタルパッケージ10外部に配置さ
れた電子部品(図示せず)の接続端子やメタルパッケー
ジ実装用基板(図示せず)の配線回路の一部に外部リー
ド30外端を電気的に接続して、メタルパッケージ10
内部の電子部品50とメタルパッケージ10外部の電子
部品やメタルパッケージ実装用基板の配線回路とを接続
線路72と外部リード30とを介して電気的に接続でき
る。そして、その特性インピーダンスが50Ω等にマッ
チングされた接続線路72に高周波信号を伝送損失少な
く伝えることができる。
The first metal package shown in FIGS. 1 to 4 is constructed as described above. In this metal package, as shown in FIG. 2, the semiconductor package housed inside the metal package 10 is used. The electrode of the electronic component 50 such as a chip is electrically connected to the connecting portion 76 of the connecting line extending to the upper surface of the other end 70b of the insulating substrate protruding inward of the metal package 10 with the electronic component via the wire 60 or the like. The external leads 30 are electrically connected to a connection terminal of an electronic component (not shown) disposed outside the metal package 10 or a part of a wiring circuit of a metal package mounting substrate (not shown). Connect to the metal package 10
The electronic component 50 inside and the electronic component outside the metal package 10 or the wiring circuit of the metal package mounting substrate can be electrically connected via the connection line 72 and the external lead 30. Then, the high frequency signal can be transmitted to the connection line 72 whose characteristic impedance is matched to 50Ω or the like with a small transmission loss.

【0035】図5は本発明の第1のメタルパッケージの
他の好適な実施例を示し、詳しくはその一部平面図であ
る。以下に、このメタルパッケージを説明する。
FIG. 5 shows another preferred embodiment of the first metal package of the present invention, more specifically a partial plan view thereof. The metal package will be described below.

【0036】図のメタルパッケージでは、絶縁基板の一
方の端部70aの両側が、L字状に抉り取られて、その
絶縁基板の一方の端部70aの横幅が、その他の絶縁基
板70の横幅に比べて、狭められている。そして、その
絶縁基板の一方の端部70aがメタルパッケージ10の
側壁に開口された穴12に余裕を持って挿入されてい
る。
In the illustrated metal package, both ends of one end 70a of the insulating substrate are hollowed out in an L shape so that the width of one end 70a of the insulating substrate is equal to the width of the other insulating substrate 70. It is narrower than. Then, one end 70a of the insulating substrate is inserted with a margin into the hole 12 opened in the side wall of the metal package 10.

【0037】絶縁基板の一方の端部70a両側のL字状
に抉り取られた階段面70cには、金属めっきが施され
たメタライズ層98が備えられて、そのメタライズ層9
8を介して絶縁基板の一方の端部70a両側の階段面7
0cがメタルパッケージ10内側面にろう付け接合され
ている。そして、絶縁基板70がメタルパッケージ10
に接合されている。
A metallized layer 98 plated with metal is provided on the stepped surface 70c, which is carved into the L shape on both sides of one end 70a of the insulating substrate, and the metallized layer 9 is provided.
Step surface 7 on both sides of one end 70a of the insulating substrate
0c is brazed to the inner surface of the metal package 10. The insulating substrate 70 is the metal package 10.
Is joined to.

【0038】その他は、前述図1ないし図4に示した第
1のメタルパッケージと同様に構成されていて、その作
用も、前述図1ないし図4に示した第1のメタルパッケ
ージと同様である。
Others are the same as those of the first metal package shown in FIGS. 1 to 4, and the operation is the same as that of the first metal package shown in FIGS. 1 to 4. .

【0039】図6は本発明の第2のメタルパッケージの
好適な実施例を示し、詳しくはその一部正面断面図であ
る。以下に、このメタルパッケージを説明する。
FIG. 6 shows a preferred embodiment of the second metal package of the present invention, more specifically a partial front sectional view thereof. The metal package will be described below.

【0040】図のメタルパッケージでは、蓋体90が鉄
又は鉄合金等の金属で形成されていて、板状をしてい
る。蓋体90は、穴12周囲のメタルパッケージ10外
側面部分に直接にろう付け、溶接等により気密に接合さ
れている。
In the illustrated metal package, the lid 90 is made of metal such as iron or iron alloy and has a plate shape. The lid body 90 is brazed directly to the outer surface portion of the metal package 10 around the hole 12 and is hermetically joined by welding or the like.

【0041】蓋体90には、外部リード30が電気的絶
縁性を持たせて気密に挿通されている。具体的には、蓋
体90に挿通孔94が所定ピッチで複数個横に並べて開
口されて、それらの挿通孔94に外部リード30がそれ
ぞれ挿通されている。挿通孔94に挿通された外部リー
ド30部分は、蓋体90にホウケイ酸ガラス等のガラス
40を介して気密に封着されている。そして、挿通孔9
4に挿通された外部リード30の封着部分が同軸線路構
造に形成されている。それと共に、外部リード30が金
属からなる蓋体90を介してメタルパッケージ10に電
気的に短絡したり、外部リード30が同じ蓋体90に気
密に挿通された他の外部リード30に電気的に短絡した
りするのが絶縁材のガラス40により防止されている。
The external lead 30 is hermetically inserted through the lid 90 so as to have electrical insulation. Specifically, a plurality of insertion holes 94 are opened side by side in the lid 90 at a predetermined pitch, and the external leads 30 are inserted into the insertion holes 94, respectively. The portion of the external lead 30 inserted through the insertion hole 94 is hermetically sealed to the lid 90 via the glass 40 such as borosilicate glass. And the insertion hole 9
The sealed portion of the outer lead 30 which is inserted through 4 is formed in a coaxial line structure. At the same time, the external lead 30 is electrically short-circuited to the metal package 10 via the lid 90 made of metal, or the external lead 30 is electrically connected to another external lead 30 hermetically inserted in the same lid 90. The short circuit or the like is prevented by the glass 40 of the insulating material.

【0042】外部リード30内端は、外部リード30を
蓋体90にガラス40を介して封着する際に蓋体90等
に加える温度より低い温度で接続線路の外部リードとの
接続部74にはんだ付け等により電気的に接続されてい
る。そして、外部リード30内端を接続線路の外部リー
ドとの接続部74に接続した際に、蓋体90にガラス4
0を介して封着された外部リード30部分の気密性が損
なわれるのが防止されている。
The inner end of the outer lead 30 is connected to the outer lead connecting portion 74 of the connection line at a temperature lower than the temperature applied to the lid 90 or the like when the outer lead 30 is sealed to the lid 90 via the glass 40. It is electrically connected by soldering or the like. Then, when the inner end of the external lead 30 is connected to the connecting portion 74 of the connecting line with the external lead, the glass 4 is put on the lid 90.
It is prevented that the airtightness of the portion of the outer lead 30 which is sealed by the seal 0 is impaired.

【0043】その他は、前述図1ないし図4又は図5に
示した第1のメタルパッケージと同様に構成されてい
て、その作用も、前述図1ないし図4又は図5に示した
第1のメタルパッケージと同様である。
Others are the same as those of the first metal package shown in FIG. 1 to FIG. 4 or FIG. 5, and the operation thereof is the same as that of the first metal package shown in FIG. 1 to FIG. 4 or FIG. Similar to metal package.

【0044】なお、図1ないし図4、図5又は図6に示
した第1又は第2のメタルパッケージにおいて、外部リ
ード30や接続線路72に低周波信号や電源電流を伝え
る場合であって、外部リード30の高周波特性を考慮す
る必要のない場合には、接続線路の外部リードとの接続
部74を、穴12に挿入された絶縁基板の一方の端部7
0a上面に延設せずに、絶縁基板70上面中途部に配置
して、その外部リードとの接続部74に穴12内を貫通
させてメタルパッケージ10内方に突出させた外部リー
ド30内端を電気的に接続しても良い。
In the first or second metal package shown in FIG. 1 to FIG. 4, FIG. 5 or FIG. 6, a case where a low frequency signal or a power supply current is transmitted to the external lead 30 or the connection line 72, When it is not necessary to consider the high frequency characteristics of the external lead 30, the connecting portion 74 of the connecting line with the external lead is provided at one end 7 of the insulating substrate inserted in the hole 12.
0a inner end of the external lead 30 which is disposed in the middle of the upper surface of the insulating substrate 70 and does not extend to the upper surface of the insulating substrate 70, and penetrates the inside of the hole 12 through the connecting portion 74 with the external lead and projects inward of the metal package 10. May be electrically connected.

【0045】それと共に、外部リード30や接続線路7
2に低周波信号や電源電流を伝える場合であって、メタ
ルパッケージ10内部に収容された電子部品50の電極
と接続線路の電子部品との接続部76を電気的に接続す
るワイヤ60等の高周波特性を考慮する必要のない場合
には、接続線路の電子部品との接続部76を、メタルパ
ッケージ10内方に突出された絶縁基板の他方の端部7
0b上面に延設せずに、絶縁基板70上面中途部に配置
して、その接続線路の電子部品との接続部76にメタル
パッケージ10内部に収容された電子部品50の電極を
ワイヤ60等で距離長く電気的に接続しても良い。
At the same time, the external lead 30 and the connecting line 7
2 is a case of transmitting a low frequency signal or a power supply current, and a high frequency wave such as a wire 60 that electrically connects the connection portion 76 between the electrode of the electronic component 50 housed inside the metal package 10 and the electronic component of the connection line. When it is not necessary to consider the characteristics, the connection portion 76 of the connection line with the electronic component is provided with the other end portion 7 of the insulating substrate protruding inward of the metal package 10.
0b is not extended to the upper surface of the insulating substrate 70, but is disposed in the middle of the upper surface of the insulating substrate 70, and the electrode of the electronic component 50 housed inside the metal package 10 is connected to the electronic component of the connection line by the wire 60 or the like. It may be electrically connected for a long distance.

【0046】また、図1ないし図4、図5又は図6に示
した第1又は第2のメタルパッケージにおいて、接続線
路72に低周波信号や電源電流を伝える場合であって、
接続線路72の特性インピーダンスを50Ω等にマッチ
ングさせる必要のない場合には、接続線路72をマイク
ロストリップ線路構造に形成するためのグランド層80
を絶縁基板70に備えずとも良い。そして、絶縁基板7
0をメタルパッケージ10に接着剤等を用いて接合して
も良い。
Further, in the case of transmitting a low frequency signal or a power supply current to the connection line 72 in the first or second metal package shown in FIGS. 1 to 4, 5 or 6,
When it is not necessary to match the characteristic impedance of the connection line 72 to 50Ω or the like, the ground layer 80 for forming the connection line 72 in the microstrip line structure.
The insulating substrate 70 may not be provided. And the insulating substrate 7
0 may be bonded to the metal package 10 using an adhesive or the like.

【0047】また、上記のように、接続線路72の特性
インピーダンスを50Ω等にマッチングさせる必要のな
い場合にも、絶縁基板70下面にメタライズからなるグ
ランド層80を備えて、そのグランド層80を介して絶
縁基板70をメタルパッケージ10にろう付け接合して
も良いが、そうした場合には、接続線路72の幅やその
厚さを調整したり、絶縁基板70の厚さを調整して、接
続線路72とグランド層80との距離を調整したりし
て、接続線路72の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせずとも良いことは言うまでもない。
Further, as described above, even when it is not necessary to match the characteristic impedance of the connection line 72 to 50Ω or the like, the ground layer 80 made of metallization is provided on the lower surface of the insulating substrate 70, and the ground layer 80 is interposed therebetween. The insulating substrate 70 may be brazed and joined to the metal package 10, but in such a case, the width and thickness of the connecting line 72 may be adjusted, or the thickness of the insulating substrate 70 may be adjusted to connect the connecting line 72. It goes without saying that the characteristic impedance of the connection line 72 need not be matched to 50Ω or the like by adjusting the distance between the 72 and the ground layer 80.

【0048】また、蓋体90を、メタルパッケージ10
外側面に気密に接合するのには、ろう付け接合等に代え
て接着剤を用いても良い。
The lid 90 is attached to the metal package 10.
An adhesive may be used instead of brazing or the like for airtightly joining the outer surface.

【0049】また、図7に示したように、絶縁基板70
を絶縁層を複数積層してなる多層構造に形成して、絶縁
基板70a表面に備える必要のある接続線路の外部リー
ドとの接続部74と接続線路の電子部品との接続部76
とを除いた、接続線路72の中途部を絶縁基板70の絶
縁層間に備えたメタライズ線路72aと絶縁基板70の
絶縁層に上下に貫通させて備えたメタライズが充填され
たビア72bとを一連に接続して形成して、接続線路7
2の中途部を絶縁基板70内部に配置しても良く、そう
した場合には、メタライズ線路72aの幅とその厚さを
調整したり、メタライズ線路72aとグランド層80と
の距離を調整したりすることにより、絶縁基板70内部
に配置されたメタライズ線路72aの特性インピーダン
スを50Ω等にマッチングさせることができる。
Further, as shown in FIG. 7, the insulating substrate 70
Is formed into a multi-layered structure in which a plurality of insulating layers are laminated, and a connection portion 74 with an external lead of a connection line and a connection portion 76 with an electronic component of the connection line, which must be provided on the surface of the insulating substrate 70a.
The metallized line 72a provided with the middle part of the connection line 72 except for and between the insulating layers of the insulating substrate 70, and the via 72b filled with the metallized layer which vertically penetrates the insulating layer of the insulating substrate 70 are filled. Connect and form the connection line 7
2 may be disposed inside the insulating substrate 70. In such a case, the width and thickness of the metallized line 72a may be adjusted, or the distance between the metallized line 72a and the ground layer 80 may be adjusted. As a result, the characteristic impedance of the metallized line 72a arranged inside the insulating substrate 70 can be matched to 50Ω or the like.

【0050】また、上記のように、絶縁基板70を多層
構造に形成した場合には、接続線路72をマイクロスト
リップ線路構造に形成するためのグランド層80は、絶
縁基板70の絶縁層間に備えても良い。
When the insulating substrate 70 is formed in a multilayer structure as described above, the ground layer 80 for forming the connection line 72 in the microstrip line structure is provided between the insulating layers of the insulating substrate 70. Is also good.

【0051】また、図5に示したような、第1又は第2
のメタルパッケージにおいては、絶縁基板の一方の端部
70a両側のL字状に抉り取られた階段面70cを、メ
タルパッケージ10内側面に接着剤等を用いて直接に接
合しても良い。
Further, as shown in FIG. 5, the first or second
In the above metal package, the L-shaped stepped surfaces 70c on both sides of the one end 70a of the insulating substrate may be directly bonded to the inner surface of the metal package 10 using an adhesive or the like.

【0052】また、本発明の第1又は第2のメタルパッ
ケージにおいては、接続線路72を絶縁基板70に、複
数本でなく、一本のみ備えても良く、そのようにして
も、図1ないし図4、図5又は図6に示した第1又は第
2のメタルパッケージと同様な作用を有するメタルパッ
ケージを構成できる。
In the first or second metal package of the present invention, the connecting line 72 may be provided on the insulating substrate 70 instead of a plurality of lines, and only one line may be provided. A metal package having the same action as the first or second metal package shown in FIG. 4, FIG. 5 or FIG. 6 can be constructed.

【0053】また、本発明の第1又は第2のメタルパッ
ケージにおいては、絶縁基板70を合成樹脂で形成した
り、その合成樹脂からなる絶縁基板70に備えられた銅
等の金属箔をエッチング加工等して絶縁基板70に接続
線路72を備えたりしても良く、そのようにしても、図
1ないし図4、図5又は図6に示した第1又は第2のメ
タルパッケージと同様な作用を有するメタルパッケージ
を構成できる。
In the first or second metal package of the present invention, the insulating substrate 70 is made of synthetic resin, or the metal foil such as copper provided on the insulating substrate 70 made of the synthetic resin is etched. For example, the insulating substrate 70 may be provided with the connection line 72, and even in that case, the same operation as that of the first or second metal package shown in FIGS. 1 to 4, 5 or 6 is performed. A metal package having

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1又は
第2のメタルパッケージによれば、絶縁基板に備えられ
た接続線路と外部リードとを介して、メタルパッケージ
内部に収容された半導体チップ等の電子部品とメタルパ
ッケージ外部に配置された電子部品やメタルパッケージ
実装用基板の配線回路とを電気的に接続できる。
As described above, according to the first or second metal package of the present invention, the semiconductor housed inside the metal package via the connection line and the external lead provided on the insulating substrate. It is possible to electrically connect an electronic component such as a chip to an electronic component arranged outside the metal package or a wiring circuit of a metal package mounting substrate.

【0055】また、接続手段をメタルパッケージに装着
する際に、メタルパッケージの側壁に絶縁基板の一方の
端部の外径寸法より大き目の穴を開口して、その穴に絶
縁基板の一方の端部を挿入するだけで良く、しかも、パ
ッケージの側壁に開口する穴のコーナー部をL字状に形
成する必要がなくなって、メタルパッケージの側壁に接
続手段装着用の穴を開口する作業の大幅な簡易化、容易
化が図れる。
When the connecting means is attached to the metal package, a hole larger than the outer diameter of one end of the insulating substrate is opened in the side wall of the metal package, and the one end of the insulating substrate is inserted into the hole. However, it is not necessary to form the corner portion of the hole that opens in the side wall of the package into an L-shape, and the work of opening the hole for mounting the connecting means in the side wall of the metal package is not required. It can be simplified and facilitated.

【0056】さらに、接続線路をマイクロストリップ線
路構造に形成するためのグランド層が絶縁基板に備えら
れた本発明の第1又は第2のメタルパッケージによれ
ば、接続線路の幅やその厚さを調整したり、接続線路と
グランド層との距離を調整したりして、接続線路の特性
インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って所定値に
マッチングさせることができる。そして、その接続線路
に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることがで
きる。
Further, according to the first or second metal package of the present invention in which the insulating substrate is provided with the ground layer for forming the connection line in the microstrip line structure, the width and thickness of the connection line can be reduced. By adjusting or adjusting the distance between the connection line and the ground layer, the characteristic impedance of the connection line can be matched to a predetermined value over substantially the entire length of the connection line. Then, the high-frequency signal can be efficiently transmitted to the connection line with little transmission loss.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1のメタルパッケージの一部正面断
面図である。
FIG. 1 is a partial front sectional view of a first metal package of the present invention.

【図2】本発明の第1のメタルパッケージの一部平面図
である。
FIG. 2 is a partial plan view of the first metal package of the present invention.

【図3】本発明の第1のメタルパッケージの一部分解説
明図である。
FIG. 3 is a partially exploded explanatory view of the first metal package of the present invention.

【図4】本発明の第1のメタルパッケージの一部斜視図
である。
FIG. 4 is a partial perspective view of the first metal package of the present invention.

【図5】本発明の第1のメタルパッケージの一部平面図
である。
FIG. 5 is a partial plan view of the first metal package of the present invention.

【図6】本発明の第2のメタルパッケージの一部正面断
面図である。
FIG. 6 is a partial front sectional view of a second metal package of the present invention.

【図7】本発明の第1又は第2のメタルパッケージの絶
縁基板の拡大正面断面図である。
FIG. 7 is an enlarged front sectional view of an insulating substrate of the first or second metal package of the present invention.

【図8】従来のメタルパッケージの一部正面断面図であ
る。
FIG. 8 is a partial front sectional view of a conventional metal package.

【図9】従来のメタルパッケージの一部正面断面図であ
る。
FIG. 9 is a partial front sectional view of a conventional metal package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 メタルパッケージ 12 穴 20 セラミック端子 30 外部リード 40 ガラス 50 半導体チップ等の電子部品 55 サブマウント 60 ワイヤ 70 絶縁基板 70a 絶縁基板の一方の端部 70b 絶縁基板の他方の端部 70c 階段面 72 接続線路 72a メタライズ線路 72b ビア 74 接続線路の外部リードとの接続部 76 接続線路の電子部品との接続部 80 グランド層 90 蓋体 92、96、98 メタライズ層 94 挿通孔 10 metal package 12 holes 20 ceramic terminals 30 external leads 40 glass 50 Electronic components such as semiconductor chips 55 submount 60 wires 70 Insulation board 70a One end of insulating substrate 70b The other end of the insulating substrate 70c Stairs 72 Connection line 72a Metallized track 72b via 74 Connection part with external lead of connection line 76 Connection part with electronic parts of connection line 80 ground layer 90 Lid 92, 96, 98 Metallized layer 94 insertion hole

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 接続線路が備えられた絶縁基板の一方の
端部がメタルパッケージの側壁に開口された穴延在
されると共に、前記絶縁基板の他方の端部がメタルパッ
ケージ内方に突出された状態で、前記絶縁基板がメタ
ルパッケージに接合され、かつ、前記穴がメタルパッケ
ージの側壁の外側面に接合されたセラミックからなる蓋
体によりメタルパッケージ外方から気密に覆われ、さ
らに、該蓋体に外部リードが挿通されて、該外部リード
が、蓋体に備えられたメタライズ層を介して、蓋体に気
密にろう付けされると共に、該外部リード内端が前記
接続線路に電気的に接続されたことを特徴とする電子部
品用メタルパッケージ。
1. A one end of the insulating substrate provided connection line is together with the extending <br/> into a hole opened in the side wall of the metal packaging, the other end of the insulating substrate is a metal in a state of being protruded inwardly of the package, the insulating substrate is joined to the metal package, and the hole is a metal package
Lid made of ceramic bonded to the outer surface of the side wall of the cage
Covered with outside people or we airtight metal package by the body, it is
Luo, the external leads are passed inserted in said top, said external lead
However, the lid does not touch the metallization layer provided on the lid.
Closely with brazed, electronic component metal packaging for the inner end of said outer leads, characterized in that it is electrically connected to the connecting line.
【請求項2】 接続線路が備えられた絶縁基板の一方の
端部がメタルパッケージの側壁に開口された穴延在
されると共に、前記絶縁基板の他方の端部がメタルパッ
ケージ内方に突出された状態で、前記絶縁基板がメタ
ルパッケージに接合され、かつ、前記穴がメタルパッケ
ージの側壁の外側面に接合された金属からなる蓋体によ
メタルパッケージ外方から気密に覆われ、さらに
該蓋体に外部リードが挿通されて、該外部リードが金属
からなる蓋体にガラスを介して気密に封着されると共
に、該外部リード内端が前記接続線路に電気的に接続
されたことを特徴とする電子部品用メタルパッケージ。
Wherein one end portion of the insulating substrate provided connection line is together with the extending <br/> into a hole opened in the side wall of the metal packaging, the other end of the insulating substrate is a metal in a state of being protruded inwardly of the package, the insulating substrate is joined to the metal package, and the hole is a metal package
The metal lid joined to the outer surface of the side wall of the
Ri is covered by the outside people or we airtight metal package, further,
Lid body outer leads threaded through interpolation, the external lead metal
When it is hermetically sealed to the lid made of glass through glass,
The electronic component metal packaging for, characterized in that the inner end of said outer leads are electrically connected to the connecting line.
【請求項3】 穴延在された絶縁基板の一方の端部
に接続線路の外部リードとの接続部が延設されて、その
接続部に外部リード内端が電気的に接続された請求項
1又は2記載の電子部品用メタルパッケージ。
3. A connecting portion between the external lead connection line to one end of the insulating substrate, which is extending into the hole is extended, the inner end of the outer leads are electrically connected to the connecting portion The metal package for electronic parts according to claim 1 or 2.
【請求項4】 メタルパッケージ内方に突出された絶
縁基板の他方の端部に接続線路の電子部品との接続部が
延設された請求項1、2又は3のいずれか一つに記載の
電子部品用メタルパッケージ。
4. according to any one of the connecting portions of claims 1, 2 or 3 are extended and connected line electronic components to the other end portion of the insulating substrate which is projected inwardly of metal packaging Metal package for electronic components.
【請求項5】 絶縁基板がセラミックからなり、接続線
路がメタライズからなる請求項1、2、3又は4のいず
れか一つに記載の電子部品用メタルパッケージ。
Wherein the insulating substrate is a ceramic, claims 1, 2, 3 or 4 noise connection line is made of metallized
The metal package for electronic parts described in one of them .
【請求項6】 絶縁基板に接続線路をマイクロストリッ
プ線路構造に形成するためのグランド層が備えられた請
求項1、2、3、4又は5のいずれか一つに記載の電子
部品用メタルパッケージ。
6. The metal electronic component according to any one of claims 1, 2, 3, 4 or 5 in which the ground layer is gills Bei for forming a connection line to the insulating substrate to the microstrip line structure package.
【請求項7】 グランド層がメタライズからなる請求項
6記載の電子部品用メタルパッケージ。
7. The metal package for electronic parts according to claim 6, wherein the ground layer is formed by metallization.
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