JP3441170B2 - Wiring board - Google Patents

Wiring board

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JP3441170B2
JP3441170B2 JP16205094A JP16205094A JP3441170B2 JP 3441170 B2 JP3441170 B2 JP 3441170B2 JP 16205094 A JP16205094 A JP 16205094A JP 16205094 A JP16205094 A JP 16205094A JP 3441170 B2 JP3441170 B2 JP 3441170B2
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external lead
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semiconductor element
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ひとみ 今村
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子が収容搭載さ
れる半導体素子収納用パッケージや混成集積回路装置等
に使用される配線基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board used for a semiconductor element housing package in which semiconductor elements are housed and mounted, a hybrid integrated circuit device or the like.

【0002】[0002]

【従来技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基板
は、一般にアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成り、その上面の略中央部に半導体素子を載置するため
の載置部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の半導体素
子載置部周辺から外周部にかけて導出されたタングステ
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成る
メタライズ配線層と、椀状の蓋体とから構成されてお
り、絶縁基体の半導体素子載置部に半導体素子をガラ
ス、樹脂等の接着剤を介して接着固定するとともに半導
体素子の各電極をメタライズ配線層にボンディングワイ
ヤを介して電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の
上面に椀状の蓋体を内部に半導体素子を収容するように
して接合させ、半導体素子を絶縁基体と蓋体とから成る
容器内部に気密に収容することによって最終製品として
の半導体装置となる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a wiring board, for example, a wiring board used for a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, is generally made of an electrically insulating material such as alumina ceramics, and the semiconductor element is mounted on a substantially central portion of its upper surface. An insulating substrate having a mounting portion for mounting, a metallized wiring layer made of a refractory metal powder of tungsten, molybdenum, manganese, etc. derived from the periphery of the semiconductor element mounting portion of the insulating substrate to the outer periphery, and a bowl shape The semiconductor element is adhered and fixed to the semiconductor element mounting portion of the insulating substrate with an adhesive such as glass or resin, and each electrode of the semiconductor element is bonded to the metallized wiring layer with a bonding wire. Then, a bowl-shaped lid is joined to the upper surface of the insulating base so as to accommodate the semiconductor element therein, A semiconductor device as a final product by accommodating hermetically a child to the container interior made of an insulating base and the lid.

【0003】尚、前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板は、絶縁基体に設けた各メタライズ配
線層のうち絶縁基体の外周部に導出する部位にメタライ
ズパッドが設けられており、該メタライズパッドには銀
ロウ等のロウ材を介して鉄ーニッケルーコバルト合金や
鉄ーニッケル合金等から成る外部リード端子がロウ付け
取着され、外部リード端子を外部電気回路に接続させる
ことによって半導体素子の各電極はメタライズ配線層、
ボンディングワイヤ及び外部リード端子を介して外部電
気回路に電気的に接続されることとなる。
In the wiring board used for the package for housing the semiconductor element, a metallized pad is provided at a portion of each metallized wiring layer provided on the insulating substrate, the portion being led to the outer peripheral portion of the insulating substrate. External lead terminals made of iron-nickel-cobalt alloy, iron-nickel alloy, etc. are brazed and attached to the pads via a brazing material such as silver braze, and the external lead terminals are connected to an external electric circuit to connect the semiconductor element. Each electrode is a metallized wiring layer,
It will be electrically connected to the external electric circuit via the bonding wire and the external lead terminal.

【0004】また前記メタライズ配線層を有する絶縁基
体は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム
等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を
添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のド
クターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形
技術を採用してアルミナセラミックスのグリーンシート
(生シート)を得を、次に前記グリーンシートにタング
ステン、モリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機バ
インダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記グリーンシ
ートを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成するこ
とによって製作される。
Further, the insulating substrate having the metallized wiring layer is formed into a sludge by adding a suitable organic binder, a plasticizer and a solvent to a raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide or magnesium oxide and mixing them together. A green sheet (green sheet) of alumina ceramics is obtained by using tape forming technology such as the doctor blade method and calendar roll method, and then the green sheet is an organic binder suitable for refractory metal powder such as tungsten and molybdenum. A metal paste obtained by adding and mixing a plasticizer and a solvent is applied in a predetermined pattern by printing, and finally the green sheet is baked at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere.

【0005】更に、前記メタライズ配線層に設けたメタ
ライズパッドへの外部リード端子のロウ付けは、一端が
フレームに所定間隔で接合された各外部リード端子の他
端をメタライズパッド上に、間に銀ロウ等のロウ材を挟
んで載置し、しかる後、前記ロウ材を約850 ℃の温度に
加熱させロウ材を溶融させることによって行われる。
Further, the external lead terminals are brazed to the metallized pads provided on the metallized wiring layer by connecting the other end of each external lead terminal, one end of which is joined to the frame at a predetermined interval, onto the metallized pad with silver between them. It is carried out by placing a brazing material such as wax between them, and then heating the brazing material to a temperature of about 850 ° C. to melt the brazing material.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
半導体素子は高集積化、高密度化が急激に進んで電極の
数が数百にも増大し、これに伴って絶縁基体に設けるメ
タライズ配線層の数も数百になるとともにメタライズ配
線層に形成されるメタライズパッドの幅が約0.25mm以
下、隣接するメタライズパッド間の間隔が約0.35mm以下
になってきたこと、タングステン、モリブデン等の金属
ペーストを所定パターンに印刷塗布したアルミナセラミ
ックスのグリーンシートを焼成してメタライズ配線層を
有する絶縁基体を得る際、グリーンシートの不均一な収
縮に起因してメタライズ配線層及び該メタライズ配線層
に形成されるメタライズパッドの隣接間隔にばらつきが
発生してしまうこと等から、各外部リード端子を各メタ
ライズパッドにロウ付け取着する際、絶縁基体の外周部
に位置するメタライズパッド上に一端がフレームに所定
間隔で接合された各外部リード端子の他端を、間に銀ロ
ウ等のロウ材を挟んで載置させると、各外部リード端子
の他端が各メタライズパッド上に正確に載置されず、そ
の結果、各外部リード端子をメタライズパッドに強固に
ロウ付け取着させることができなかったり、外部リード
端子が隣接するメタライズパッド間を電気的に短絡さ
せ、配線基板としての機能を喪失させるという欠点を有
していた。
However, in recent years,
The number of electrodes in the semiconductor element has increased to several hundreds due to the rapid increase in the degree of integration and density, and along with this, the number of metallized wiring layers provided on the insulating substrate has also grown to several hundred and formed on the metallized wiring layers. The width of the metallized pad is about 0.25 mm or less, the distance between adjacent metallized pads is about 0.35 mm or less, and a green sheet of alumina ceramics with a metal paste such as tungsten or molybdenum printed and applied in a predetermined pattern is applied. When an insulating substrate having a metallized wiring layer is obtained by firing, unevenness in shrinkage of the green sheet causes variations in the spacing between the metallized wiring layer and the metallized pads formed on the metallized wiring layer. For example, when brazing and attaching each external lead terminal to each metallized pad, the metallized pad located on the outer peripheral portion of the insulating substrate is attached. When the other end of each external lead terminal, one end of which is joined to the frame at a predetermined interval, is placed with a brazing material such as silver solder interposed therebetween, the other end of each external lead terminal is placed on each metallized pad. As a result, the external lead terminals cannot be firmly brazed and attached to the metallized pads, or the metallized pads adjacent to the external lead terminals are electrically short-circuited. It had the drawback of losing its function as.

【0007】また絶縁基体を構成するアルミナセラミッ
クスと外部リード端子を構成する鉄−ニッケル−コバル
ト合金や鉄−ニッケル合金は室温から約350 ℃までの間
は両者の熱膨張係数は近似するものの約350 ℃を越える
と鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケルの熱膨張
係数がアルミナセラミックスに比して大きくなり、その
結果、絶縁基体の外周部に形成されたメタライズパッド
に外部リード端子を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け
取着する際、ロウ材を約850 ℃の温度に加熱すると外部
リード端子が絶縁基体に比べ大きく熱膨張して絶縁基体
の外周部に形成したメタライズパッドと外部リード端子
との間に位置ズレが発生し、これによって所定のメタラ
イズパッドに所定の外部リード端子を正確、且つ強固に
ロウ付け取着することができないという欠点も有してい
た。
Further, although the alumina ceramics constituting the insulating substrate and the iron-nickel-cobalt alloy or the iron-nickel alloy constituting the external lead terminals have a thermal expansion coefficient of approximately 350 from room temperature to approximately 350.degree. When the temperature exceeds ℃, the coefficient of thermal expansion of iron-nickel-cobalt alloy or iron-nickel becomes larger than that of alumina ceramics. If the brazing material is heated to a temperature of about 850 ° C during brazing and mounting via the brazing material, the external lead terminals expand more thermally than the insulating base material and the metallized pad formed on the outer peripheral part of the insulating base material and the external lead. Misalignment occurs between the terminals and the metallized pads, so that the external lead terminals can be brazed and attached accurately and firmly. Drawback that can not be had.

【0008】[0008]

【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は外部リード端子のメタライズパッドへの
取着を正確、且つ強固とした配線基板を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above-mentioned drawbacks, and an object of the present invention is to provide a wiring board in which external lead terminals are accurately and firmly attached to metallized pads.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、上
面外周部に2列に千鳥状に配列された複数個のメタライ
ズパッドを有する絶縁基体と、前記各メタライズパッド
に融点が400℃以下のロウ材を介してロウ付けされる複
数個の外部リード端子と、前記外部リード端子のロウ付
け部を被覆するモールド樹脂材とから成り、前記メタラ
イズパッドおよび前記外部リード端子は、いずれか一方
に金メッキが、他方に錫メッキが施されているととも
に、前記金メッキおよび前記錫メッキを加熱することに
より前記メタライズパッドと前記外部リード端子との間
に金−錫共晶ロウを形成することによって、前記メタラ
イズパッドに前記外部リード端子がロウ付けされている
ことを特徴とするものである。
A wiring board of the present invention comprises an insulating substrate having a plurality of metallized pads arranged in a staggered pattern in two rows on the outer peripheral surface of an upper surface, and a melting point of each metallized pad of 400 ° C. or less. A plurality of external lead terminals to be brazed via the brazing material, and a mold resin material covering the brazing part of the external lead terminals, wherein the metallized pad and the external lead terminals are provided on either side. The gold plating is tin-plated on the other side, and by heating the gold plating and the tin plating to form a gold-tin eutectic solder between the metallized pad and the external lead terminal, The external lead terminal is brazed to the metallized pad.

【0010】また本発明の配線基板は、前記モールド樹
脂材としてエポキシ樹脂もしくはポリイミド樹脂を使用
することを特徴とするものである。
The wiring board of the present invention is characterized in that an epoxy resin or a polyimide resin is used as the mold resin material.

【0011】[0011]

【作用】本発明の配線基板は、外部リード端子がロウ付
け取着されるメタライズパッドを絶縁基体の外周部に2
列に千鳥状に配列させたことから各メタライズパッドの
幅及び隣接間隔を広いものとなすことができ、その結
果、グリーンシートの不均一な収縮に起因してメタライ
ズパッドの位置に多少のばらつきが発生したとしても所
定のメタライズパッドに所定の外部リード端子を正確、
且つ確実にロウ付け取着することができる。
In the wiring board of the present invention, the metallized pad to which the external lead terminal is brazed and attached is provided on the outer peripheral portion of the insulating substrate.
Since the metallized pads are arranged in rows in a zigzag manner, the width of each metallized pad and the distance between adjacent metallized pads can be widened. As a result, there is some variation in the position of the metallized pads due to uneven contraction of the green sheet. Even if it occurs, accurately connect the predetermined external lead terminal to the predetermined metallized pad,
In addition, the brazing can be surely performed.

【0012】また本発明の配線基板は、絶縁基体に設け
たメタライズパッドへの外部リード端子のロウ付けが、
絶縁基体と外部リード端子の熱膨張係数が近似する400
℃以下の温度で行われることからロウ付け時、外部リー
ド端子とメタライズパッドとの間に位置ズレを発生する
ことは殆どなく、その結果、所定のメタライズパッドに
所定の外部リード端子を正確にロウ付け取着することが
できる。
In the wiring board of the present invention, the brazing of the external lead terminals to the metallized pads provided on the insulating base is
The thermal expansion coefficient of the insulating base and the external lead terminal is close to 400
Since it is performed at a temperature of ℃ or less, there is almost no positional deviation between the external lead terminal and the metallized pad during brazing, and as a result, the predetermined external lead terminal is accurately soldered to the predetermined metallized pad. Can be attached.

【0013】更に本発明の配線基板は、外部リード端子
のロウ付け部をモールド樹脂材で被覆したことから外部
リード端子のロウ付け強度が若干弱いとしてもその強度
はモールド樹脂材の被覆により補強されて強くなり、そ
の結果、外部リード端子をメタライズパッドに強固に取
着させることが可能となる。
Further, in the wiring board of the present invention, since the brazing portion of the external lead terminal is covered with the molding resin material, even if the brazing strength of the external lead terminal is slightly weak, the strength is reinforced by the coating of the molding resin material. As a result, the external lead terminals can be firmly attached to the metallized pad.

【0014】[0014]

【実施例】本発明の配線基板一実施例を添付の図面を基
に詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a wiring board of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1及び図2は本発明の配線基板を半導体
素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した
場合の一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は外部リード
端子である。
FIGS. 1 and 2 show an embodiment in which the wiring board of the present invention is applied to a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, wherein 1 is an insulating base and 2 is an external lead terminal.

【0016】前記絶縁基体1 はアルミナセラミックス等
の電気絶縁材料より成る略四角形の平板であり、その中
央部には半導体素子3 を載置するための載置部1aを有
し、該載置部1aには半導体素子3 が接着剤を介して取着
固定される。
The insulating substrate 1 is a substantially rectangular flat plate made of an electrically insulating material such as alumina ceramics, and has a mounting portion 1a for mounting the semiconductor element 3 in the center thereof, and the mounting portion 1a The semiconductor element 3 is attached and fixed to 1a via an adhesive.

【0017】前記絶縁基体1 は例えばアルミナセラミッ
クスから成る場合、アルミナ、シリカ、カルシア、マグ
ネシア等の原料粉末に適当なバインダー、可塑剤、溶剤
等を添加混合して泥漿状となし、これを従来周知のドク
ターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形技
術を採用してシート状としてセラミックのグリーンシー
トを得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに打
ち抜き、切断加工を施すとともに必要に応じ上下に複数
枚積層し、最後に前記セラミックグリーンシートを還元
雰囲気中約1600℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
When the insulating substrate 1 is made of, for example, alumina ceramics, a raw material powder such as alumina, silica, calcia, magnesia, etc. is mixed with an appropriate binder, a plasticizer, a solvent, etc. to form a slurry. Using a sheet forming technique such as the doctor blade method or calender roll method, a ceramic green sheet is obtained as a sheet, and then the ceramic green sheet is punched and cut, and a plurality of layers are laminated on top and bottom as necessary. Then, finally, the ceramic green sheet is manufactured by firing at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere.

【0018】また前記絶縁基体1 には、載置部1a周辺か
ら外周部にかけてタングステン、モリブデン等の高融点
金属から成る多数のメタライズ配線層4 が被着形成され
ており、該メタライズ配線層4 の載置部1a周辺部位には
半導体素子3 の電極と電気的に接続されるボンディング
ワイヤー5 が接続され、メタライズ配線層4 の絶縁基体
1 外周部位には外部リード端子2 がロウ付けされる。
A large number of metallized wiring layers 4 made of a refractory metal such as tungsten or molybdenum are deposited on the insulating substrate 1 from the periphery of the mounting portion 1a to the outer peripheral portion thereof. A bonding wire 5 electrically connected to the electrode of the semiconductor element 3 is connected to the peripheral portion of the mounting portion 1a, and an insulating substrate of the metallized wiring layer 4 is formed.
1 External lead terminals 2 are brazed to the outer periphery.

【0019】前記メタライズ配線層4 は、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属粉末に適当なバインダ
ー、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートに従来周知のスクリー
ン印刷法等の厚膜手法を採用して印刷塗布しておくこと
によって絶縁基体1 の搭載部1a周辺から外周部にかけて
所定パターンに被着形成される。
For the metallized wiring layer 4, the insulating substrate 1 is a metal paste obtained by adding and mixing a high melting point metal powder such as tungsten and molybdenum with an appropriate binder and solvent.
By applying a thick film method such as a conventionally known screen printing method to the ceramic green sheet to be printed and applied, a predetermined pattern is formed from the periphery of the mounting portion 1a of the insulating substrate 1 to the outer peripheral portion.

【0020】前記メタライズ配線層4 はまた絶縁基体1
の外周部位にメタライズパッド4aが形成してあり、該メ
タライズパッド4aには外部リード端子2 が金−錫ロウ
材、錫−鉛半田等の融点が400 ℃以下の低融点ロウ材7
を介して接合され、これによってメタライズ配線層4 と
外部リード端子2 は電気的に接続されている。
The metallized wiring layer 4 is also an insulating substrate 1.
A metallized pad 4a is formed on the outer peripheral portion of the metallized pad 4a.
And the metallized wiring layer 4 and the external lead terminal 2 are electrically connected to each other.

【0021】前記絶縁基体1 の外周部位に形成されたメ
タライズパッド4aは、図2に示すように絶縁基体1 の外
周縁に沿って2列に千鳥状に配列されており、これよっ
て各メタライズパッド4aの幅及び隣接間隔は広いものと
なり、セラミックグリーンシートを焼成して絶縁基体1
となす際にセラミックグリーンシートの不均一な収縮に
起因してメタライズパッド4aの位置に多少のばらつきが
発生したとしても各メタライズパッド4aに所定の外部リ
ード端子2 を正確、且つ確実にロウ付け取着することが
可能となる。
The metallized pads 4a formed on the outer peripheral portion of the insulating base 1 are arranged in two rows in a zigzag pattern along the outer peripheral edge of the insulating base 1 as shown in FIG. The width of 4a and the adjacent space are wide, and the ceramic green sheet is fired to form the insulating substrate 1.
Even if there is some variation in the position of the metallized pad 4a due to uneven contraction of the ceramic green sheet, the predetermined external lead terminals 2 should be brazed to each metallized pad 4a accurately and surely. It becomes possible to wear.

【0022】尚、前記メタライズパッド4aはメタライズ
配線層4 と同様、タングステン、モリブデン等の高融点
金属粉末から成り、絶縁基体1 にメタライズ配線層4 を
形成する際に同時に絶縁基体1 の外周部位にメタライズ
配線層4 と電気的接続をもって形成される。
Like the metallized wiring layer 4, the metallized pad 4a is made of a refractory metal powder such as tungsten or molybdenum. It is formed so as to be electrically connected to the metallized wiring layer 4.

【0023】また前記メタライズパッド4aには外部リー
ド端子2 がロウ付けされており、該外部リード端子2 は
鉄−ニッケル合金や鉄−コバルト−ニッケル合金の金属
から成り、絶縁基体1 に載置される半導体素子3 を外部
電気回路に電気的に接続する作用を為す。
An external lead terminal 2 is brazed to the metallized pad 4a. The external lead terminal 2 is made of a metal of iron-nickel alloy or iron-cobalt-nickel alloy, and is placed on the insulating substrate 1. It serves to electrically connect the semiconductor element 3 to an external electric circuit.

【0024】更に前記メタライズパッド4aへの外部リー
ド端子2のロウ付けは融点が400℃以下の低融点ロウ材に
よって行われ、具体的にはメタライズパッド4a及び外部
リードピン2の何れか一方に金メッキを、他方に錫メッ
キを施した後、メタライズパッド4aの上に外部リード端
子2を載置当接させ、次にこれを約350℃の温度に加熱
し、メタライズパッド4aと外部リード端子2との間に金
−錫共晶ロウを形成することによって行われる。これに
より、メタライズパッド4aと外部リード端子2とをロウ
付けするロウ材7として融点が400℃以下の低融点ロウ材
を使用することからロウ付け時、絶縁基体1と外部リー
ド端子2の熱膨張係数は近似し、外部リード端子2とメタ
ライズパッド4aとの間に位置ズレを発生することは殆ど
なく、その結果、所定のメタライズパッド4aに所定の外
部リード端子2を正確にロウ付け取着することができ
る。
Further, the external lead terminals 2 are brazed to the metallized pads 4a by a low melting point brazing material having a melting point of 400 ° C. or less. Specifically, one of the metallized pads 4a and the external lead pins 2 is plated with gold. , After the other is tin-plated, the external lead terminal 2 is placed on and abutted on the metallized pad 4a, and then this is heated to a temperature of about 350 ° C. to separate the metallized pad 4a and the external lead terminal 2 from each other. This is done by forming a gold-tin eutectic braze in between. As a result, since the low melting point brazing material having a melting point of 400 ° C. or less is used as the brazing material 7 for brazing the metallized pad 4a and the external lead terminal 2, the thermal expansion of the insulating substrate 1 and the external lead terminal 2 is made during brazing. The coefficients are close to each other, and there is almost no positional deviation between the external lead terminal 2 and the metallized pad 4a. As a result, the predetermined external lead terminal 2 is accurately brazed and attached to the predetermined metallized pad 4a. be able to.

【0025】前記メタライズパッド4aにロウ材7 を介し
てロウ付け取着した外部リード端子2 はそのロウ付け部
が絶縁基体1 の半導体素子載置部1aを除く表面に取着さ
せたモールド樹脂材8 によって被覆されている。
The external lead terminal 2 brazed and attached to the metallized pad 4a via the brazing material 7 has the brazing portion attached to the surface of the insulating substrate 1 excluding the semiconductor element mounting portion 1a. Covered by 8.

【0026】前記モールド樹脂材8 は外部リード端子2
のメタライズパッド4aへのロウ付け強度を補強する作用
を為し、これによって外部リード端子2 はメタライズパ
ッド4aに極めて強固に取着されることとなる。
The mold resin material 8 is the external lead terminal 2
It acts to reinforce the brazing strength to the metallized pad 4a, whereby the external lead terminal 2 is extremely firmly attached to the metallized pad 4a.

【0027】前記モールド樹脂材8はまた絶縁基体1の半
導体素子載置部1aを除く表面に取着されていることから
半導体素子3を収容する凹部を形成する作用も為し、モ
ールド樹脂材8の上面で半導体素子3を収容する凹部を塞
ぐように蓋体9を接着剤を介して接着させれば半導体素
子3は凹部内に気密に封止されることとなる。
Since the molding resin material 8 is attached to the surface of the insulating substrate 1 excluding the semiconductor element mounting portion 1a, it also functions to form a recess for accommodating the semiconductor element 3, and thus the molding resin material 8 If the lid 9 is adhered via an adhesive so as to close the concave portion for housing the semiconductor element 3 on the upper surface of the semiconductor element 3, the semiconductor element 3 is hermetically sealed in the concave portion.

【0028】尚、前記モールド樹脂材8 はエポキシ樹脂
やポリイミド樹脂等から成り、例えば、メタライズパッ
ド4aに外部リード端子2 をロウ付けした絶縁基板1 を所
定の型内に装填するとともに型内に液状のエポキシ樹脂
を滴下し、しかる後、エポキシ樹脂を熱硬化させること
によって所定位置に取着される。
The mold resin material 8 is made of epoxy resin, polyimide resin, or the like. For example, an insulating substrate 1 in which external lead terminals 2 are brazed to a metallized pad 4a is loaded into a predetermined mold and a liquid is injected into the mold. Then, the epoxy resin is dropped, and then the epoxy resin is heat-cured to attach the epoxy resin at a predetermined position.

【0029】また前記モールド樹脂材8 はエポキシ樹脂
やポリイミド樹脂で形成しておくと、該エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂は絶縁基体1を構成するアルミナセラミ
ックスに対し極めて接合性が良く、絶縁基体1 に強固に
接合すると同時に外部リード端子2 のロウ付け部を強く
補強する。従って、前記モールド樹脂材8 はエポキシ樹
脂やポリイミド樹脂で形成しておくことが好ましい。
If the molding resin material 8 is made of epoxy resin or polyimide resin, the epoxy resin,
The polyimide resin has a very good bondability to the alumina ceramics forming the insulating base 1, and firmly bonds to the insulating base 1 and at the same time strongly reinforces the brazing portion of the external lead terminal 2. Therefore, it is preferable that the mold resin material 8 is formed of epoxy resin or polyimide resin.

【0030】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体1 の載置部1aに半導体素子3 を樹脂等の接着剤を介
して取着固定するとともに該半導体素子3 の各電極をボ
ンディングワイヤー5 を介してメタライズ配線層4 に電
気的に接続し、最後に被覆材8 の上面に蓋体9 を樹脂等
の封止材を介して接合させることにより製品としての半
導体装置となる。
Thus, according to the wiring board of the present invention, the semiconductor element 3 is attached and fixed to the mounting portion 1a of the insulating substrate 1 via an adhesive such as resin, and each electrode of the semiconductor element 3 is bonded with the bonding wire 5 It is electrically connected to the metallized wiring layer 4 via the above, and finally the lid 9 is joined to the upper surface of the covering material 8 via a sealing material such as resin to obtain a semiconductor device as a product.

【0031】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば外部リード端子2 の先端
部を屈曲させておくと2 列に千鳥状に配列したメタライ
ズパッド4aに外部リード端子2 をロウ付けする際、外部
リード端子2 が他のメタライズパッド4aに接触して電気
的短絡を生じるのを有効に防止することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the tip of the external lead terminal 2 can be bent. When the external lead terminals 2 are brazed to the metallized pads 4a arranged in a zigzag in two rows, it effectively prevents the external lead terminals 2 from contacting another metallized pad 4a and causing an electrical short circuit. be able to.

【0032】また、上述の実施例では半導体素子3 を蓋
体9 で封止したが、これを半導体素子3 が収容された凹
部内にエポキシ等の樹脂を充填することによって半導体
素子3 を封止しても良い。
Although the semiconductor element 3 is sealed with the lid 9 in the above-mentioned embodiment, the semiconductor element 3 is sealed by filling a resin such as epoxy into the recess in which the semiconductor element 3 is accommodated. You may.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の配線基板は、外部リード端子が
ロウ付け取着されるメタライズパッドを絶縁基体の外周
部に2列に千鳥状に配列させたことから各メタライズパ
ッドの幅及び隣接間隔を広いものとなすことができ、そ
の結果、グリーンシートの不均一な収縮に起因してメタ
ライズパッドの位置に多少のばらつきが発生したとして
も所定のメタライズパッドに所定の外部リード端子を正
確、且つ確実にロウ付け取着することができる。
In the wiring board of the present invention, the metallized pads to which the external lead terminals are brazed and attached are arranged in two rows in a zigzag pattern on the outer peripheral portion of the insulating substrate. As a result, even if there is some variation in the position of the metallized pad due to the non-uniform contraction of the green sheet, the predetermined external lead terminals can be accurately and accurately connected to the predetermined metallized pad. It can be securely brazed and attached.

【0034】また本発明の配線基板は、絶縁基体に設け
たメタライズパッドへの外部リード端子のロウ付けが、
絶縁基体と外部リード端子の熱膨張係数が近似する400
℃以下の温度で行われることからロウ付け時、外部リー
ド端子とメタライズパッドとの間に位置ズレを発生する
ことは殆どなく、その結果、所定のメタライズパッドに
所定の外部リード端子を正確にロウ付け取着することが
できる。
In the wiring board of the present invention, the external lead terminals are brazed to the metallized pads provided on the insulating substrate.
The thermal expansion coefficient of the insulating base and the external lead terminal is close to 400
Since it is performed at a temperature of ℃ or less, there is almost no positional deviation between the external lead terminal and the metallized pad during brazing, and as a result, the predetermined external lead terminal is accurately soldered to the predetermined metallized pad. Can be attached.

【0035】更に本発明の配線基板は、外部リード端子
のロウ付け部をモールド樹脂材で被覆したことから外部
リード端子のロウ付け強度が若干弱いとしてもその強度
はモールド樹脂材の被覆により補強されて強くなり、そ
の結果、外部リード端子をメタライズパッドに強固に取
着させることが可能となる。
Further, in the wiring board of the present invention, since the brazing portion of the external lead terminal is covered with the molding resin material, even if the brazing strength of the external lead terminal is slightly weak, the strength is reinforced by the coating of the molding resin material. As a result, the external lead terminals can be firmly attached to the metallized pad.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導
体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示
す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example in which a wiring board of the present invention is applied to a semiconductor element housing package that houses a semiconductor element.

【図2】図1の絶縁基体の一部拡大平面図である。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the insulating base of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・絶縁基体 2・・・・・外部リード端子 3・・・・・半導体素子 4・・・・・メタライズ配線層 4a・・・・メタライズパッド 7・・・・・ロウ材 8・・・・・モールド樹脂材 1 ... Insulating substrate 2 ... External lead terminal 3 ... Semiconductor element 4 ... Metallized wiring layer 4a ... Metallized pad 7 ... brazing material 8 Mold resin material

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 上面外周部に2列に千鳥状に配列された
複数個のメタライズパッドを有する絶縁基体と、前記各
メタライズパッドに融点が400℃以下のロウ材を介し
てロウ付けされる複数個の外部リード端子と、前記外部
リード端子のロウ付け部を被覆するモールド樹脂材とか
ら成り、前記メタライズパッドおよび前記外部リード端
子は、いずれか一方に金メッキが、他方に錫メッキが施
されているとともに、前記金メッキおよび前記錫メッキ
を加熱することにより前記メタライズパッドと前記外部
リード端子との間に金−錫共晶ロウを形成することによ
って、前記メタライズパッドに前記外部リード端子がロ
ウ付けされていることを特徴とする配線基板。
1. An insulating substrate having a plurality of metallized pads arranged in a zigzag pattern in two rows on the outer periphery of an upper surface, and a plurality of metallized pads which are brazed to each of the metallized pads through a brazing material having a melting point of 400 ° C. or less. number of the external lead terminals, Ri consists a molding resin material covering the brazing portion of the external lead terminals, wherein the metallization pad and the outer lead ends
The child is gold-plated on one side and tin-plated on the other.
In addition, the gold plating and the tin plating
By heating the metallized pad and the external
By forming a gold-tin eutectic solder with the lead terminals
The external lead terminals on the metallized pad.
Wiring board characterized in that it is U with.
【請求項2】 前記モールド樹脂材がエポキシ樹脂もし
くはポリイミド樹脂である請求項1に記載の配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the mold resin material is an epoxy resin or a polyimide resin.
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