JP3436891B2 - 導波路型グレーティングフィルタ - Google Patents
導波路型グレーティングフィルタInfo
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- JP3436891B2 JP3436891B2 JP3640699A JP3640699A JP3436891B2 JP 3436891 B2 JP3436891 B2 JP 3436891B2 JP 3640699 A JP3640699 A JP 3640699A JP 3640699 A JP3640699 A JP 3640699A JP 3436891 B2 JP3436891 B2 JP 3436891B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体導波型光フィ
ルタに関し、特に導波路型グレーティングフィルタに関
する。
ルタに関し、特に導波路型グレーティングフィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＷＤＭ（波長分割多重方式）ネットワー
ク技術の進展とともにコンパクトで高性能な光フィルタ
に対する需要が増している。従来、光フィルタとして半
導体アレイ導波路格子が良く用いられているが、２ｍｍ
×２ｍｍ以上の大きさとなってしまうという問題があ
る。一方、直線導波路に断面の実効屈折率が変化するよ
うな摂動を与える構造を作り込む直線導波路型グレーテ
ィングフィルタは、コンパクトで高性能な光フィルタと
なるが、ＴＥモードの光に対する応答とＴＭモードの光
に対する応答とが異なっており、光ファイバを通過した
後の光に対して使用することが出来なかった。
ク技術の進展とともにコンパクトで高性能な光フィルタ
に対する需要が増している。従来、光フィルタとして半
導体アレイ導波路格子が良く用いられているが、２ｍｍ
×２ｍｍ以上の大きさとなってしまうという問題があ
る。一方、直線導波路に断面の実効屈折率が変化するよ
うな摂動を与える構造を作り込む直線導波路型グレーテ
ィングフィルタは、コンパクトで高性能な光フィルタと
なるが、ＴＥモードの光に対する応答とＴＭモードの光
に対する応答とが異なっており、光ファイバを通過した
後の光に対して使用することが出来なかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、導波路型グレーティングフィルタにおいて、ＴＥモ
ードの光に対する応答とＴＭモードの光に対する応答と
を同一にするという課題を解決しようとするものであ
る。
は、導波路型グレーティングフィルタにおいて、ＴＥモ
ードの光に対する応答とＴＭモードの光に対する応答と
を同一にするという課題を解決しようとするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、半導体基板上に形成され、下部
クラッド層・コア層・上部クラッド層からなるストライ
プ構造を有し、光軸に沿って該ストライプの幅が変化
し、該ストライプ幅の広い部分をフィルタの高実効屈折
率領域とし、該ストライプ幅の狭い部分をフィルタの低
実効屈折率領域とする導波路型グレーティングフィルタ
であって、前記ストライプ構造の光軸に垂直な断面にお
けるＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率
が各断面において等しくなるように、前記ストライプ幅
を変化させていることを特徴とする。
め、請求項１の発明は、半導体基板上に形成され、下部
クラッド層・コア層・上部クラッド層からなるストライ
プ構造を有し、光軸に沿って該ストライプの幅が変化
し、該ストライプ幅の広い部分をフィルタの高実効屈折
率領域とし、該ストライプ幅の狭い部分をフィルタの低
実効屈折率領域とする導波路型グレーティングフィルタ
であって、前記ストライプ構造の光軸に垂直な断面にお
けるＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率
が各断面において等しくなるように、前記ストライプ幅
を変化させていることを特徴とする。
【０００５】ここで、前記ストライプ幅が狭い部分にお
いて、前記上部クラッド層の厚さが部分的に薄いことを
特徴とすることができる。
いて、前記上部クラッド層の厚さが部分的に薄いことを
特徴とすることができる。
【０００６】上記目的を達成するため、請求項３の発明
は、半導体基板上に形成され、下部クラッド層・コア層
・上部クラッド層からなるストライプ構造が光軸に沿っ
て間欠的に縦続接統した直線導波路型グレーティングフ
ィルタであって、前記ストライプ構造の光軸に垂直な断
面におけるＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効
屈折率とが各断面において等しくなるように該ストライ
プの幅が設定されることを特微とする。
は、半導体基板上に形成され、下部クラッド層・コア層
・上部クラッド層からなるストライプ構造が光軸に沿っ
て間欠的に縦続接統した直線導波路型グレーティングフ
ィルタであって、前記ストライプ構造の光軸に垂直な断
面におけるＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効
屈折率とが各断面において等しくなるように該ストライ
プの幅が設定されることを特微とする。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【作用】本発明では、上記構成のように、低屈折率領城
の光軸に垂直な断面は、その断面構造を有する導波路の
ＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率が同
一であり、高屈折率領域の光軸に垂直な断面は、その断
面構造を有する導波路のＴＥモードの実効屈折率とＴＭ
モードの実効屈折率が同一であるように、導波路型グレ
ーティングフィルタの材料、構造、寸法を設定する、特
にその断面構造を設定するので、光軸に垂直なすべての
断面において、その断面構造のＴＥモードとＴＭモード
への応答が同一化され、その結果、ＴＥモードの光に対
する応答とＴＭモードの光に対する応答が同一な導波路
型グレーティングフィルタが得られる。
の光軸に垂直な断面は、その断面構造を有する導波路の
ＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率が同
一であり、高屈折率領域の光軸に垂直な断面は、その断
面構造を有する導波路のＴＥモードの実効屈折率とＴＭ
モードの実効屈折率が同一であるように、導波路型グレ
ーティングフィルタの材料、構造、寸法を設定する、特
にその断面構造を設定するので、光軸に垂直なすべての
断面において、その断面構造のＴＥモードとＴＭモード
への応答が同一化され、その結果、ＴＥモードの光に対
する応答とＴＭモードの光に対する応答が同一な導波路
型グレーティングフィルタが得られる。
【００１７】以下の本発明の実施形態において、本発明
の作用を、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層か
らなる３層ストライプ構造を少なくとも有する導波路型
グレーティングフィルタを例に、具体的に説明する。
の作用を、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層か
らなる３層ストライプ構造を少なくとも有する導波路型
グレーティングフィルタを例に、具体的に説明する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１９】（第１の実施形態）下部クラッド層、コア
層、上部クラッド層からなる３層構造を含む導波路構造
においては、導波路幅を広げるに従い断面の実効屈折率
が単調に増加すること、また、導波路幅を適切な範囲で
選択することによりＴＥモードの実効屈折率とＴＭモー
ドの実効屈折率が等しくなることはすでに報告されてい
る（M.Kohtoku,H.Sanjo,S.Oku,Y.Kadota,and Y.Yoshiku
ni, “Polarization-independent InP arrayed wavegui
de grating filter using deep ridge waveguide struc
ture, ”inCLEO/Pcific Rim 97,Chiba,Japan,paper FN
4,pp.284-285,(1997))。
層、上部クラッド層からなる３層構造を含む導波路構造
においては、導波路幅を広げるに従い断面の実効屈折率
が単調に増加すること、また、導波路幅を適切な範囲で
選択することによりＴＥモードの実効屈折率とＴＭモー
ドの実効屈折率が等しくなることはすでに報告されてい
る（M.Kohtoku,H.Sanjo,S.Oku,Y.Kadota,and Y.Yoshiku
ni, “Polarization-independent InP arrayed wavegui
de grating filter using deep ridge waveguide struc
ture, ”inCLEO/Pcific Rim 97,Chiba,Japan,paper FN
4,pp.284-285,(1997))。
【００２０】本発明の第１の実施形態では、上記報告を
参照し、導波路型グレーティングフィルタの材料、構
造、寸法を設定する。
参照し、導波路型グレーティングフィルタの材料、構
造、寸法を設定する。
【００２１】図１は本実施形態の直線導波路型グレーテ
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。図２
および図３はその直線導波路型グレーティングフィルタ
の断面構成を模式的に示すもので、図２は導波路幅が広
い部分の導波路断面構造を示し、図３は導波路幅が狭い
部分の導波路断面構造を示す。半導体層構造は、どちら
の部分についても同一である。
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。図２
および図３はその直線導波路型グレーティングフィルタ
の断面構成を模式的に示すもので、図２は導波路幅が広
い部分の導波路断面構造を示し、図３は導波路幅が狭い
部分の導波路断面構造を示す。半導体層構造は、どちら
の部分についても同一である。
【００２２】ここで、１はＩｎＰ上部クラッド層（厚さ
１．９５μｍ）、２はＩｎＧａＡｓＰコア層（ＩｎＰ基
板格子整合、吸収端波長１．０５μｍ対応組成、厚さ
０．５μｍ）、３はＩｎＰ下部クラッド層（厚さ１．５
μｍ）、および４はノンドープＩｎＰ基板である。
１．９５μｍ）、２はＩｎＧａＡｓＰコア層（ＩｎＰ基
板格子整合、吸収端波長１．０５μｍ対応組成、厚さ
０．５μｍ）、３はＩｎＰ下部クラッド層（厚さ１．５
μｍ）、および４はノンドープＩｎＰ基板である。
【００２３】本実施形態においては、図１に示すよう
に、ノンドープＩｎＰ基板４上に形成された半導体直線
導波路において、光軸に沿って、導波路幅が広い部分と
導波路幅が狭い部分とが交互に製作され、グレーティン
グを形成している。
に、ノンドープＩｎＰ基板４上に形成された半導体直線
導波路において、光軸に沿って、導波路幅が広い部分と
導波路幅が狭い部分とが交互に製作され、グレーティン
グを形成している。
【００２４】図２に示す幅が広い断面を有する部分は、
ＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対しても、実効屈
折率が高く、グレーティングの山に相当する。図３に示
す幅が狭い部分は、ＴＥモードに対しても、ＴＭモード
に対しても、実効屈折率が低く、グレーティングの谷に
相当する。
ＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対しても、実効屈
折率が高く、グレーティングの山に相当する。図３に示
す幅が狭い部分は、ＴＥモードに対しても、ＴＭモード
に対しても、実効屈折率が低く、グレーティングの谷に
相当する。
【００２５】図２の幅が広い部分のストライプ幅ａは
３．２μｍであり、実効屈折率はＴＥモードに対して
も、ＴＭモードに対しても、３．１８７である。図３の
幅が狭い部分のストライプ幅ｂは２．５μｍであり、実
効屈折率はＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対して
も、３．１８２である。グレーティングの長さは５００
μｍである。
３．２μｍであり、実効屈折率はＴＥモードに対して
も、ＴＭモードに対しても、３．１８７である。図３の
幅が狭い部分のストライプ幅ｂは２．５μｍであり、実
効屈折率はＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対して
も、３．１８２である。グレーティングの長さは５００
μｍである。
【００２６】本発明の第１の実施形態によるグレーティ
ングの反射率の波長依存性を図４のグラフに示す。反射
スペクトルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモ
ードに対しても同一であり、図４においては重なってい
る。即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対す
る応答は相等しいことが確認できる。
ングの反射率の波長依存性を図４のグラフに示す。反射
スペクトルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモ
ードに対しても同一であり、図４においては重なってい
る。即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対す
る応答は相等しいことが確認できる。
【００２７】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態を図５〜図８を参照して説明する。
態を図５〜図８を参照して説明する。
【００２８】図５は本実施形態の直線導波路型グレーテ
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。本実
施形態においては、図５に示すように、ノンドープＩｎ
Ｐ基板４上に形成された半導体直線導波路において、光
軸に沿って、幅が広い部分と幅が狭く上部のクラッドが
掘り込まれた部分とが交互に製作され、グレーティング
を形成している。
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。本実
施形態においては、図５に示すように、ノンドープＩｎ
Ｐ基板４上に形成された半導体直線導波路において、光
軸に沿って、幅が広い部分と幅が狭く上部のクラッドが
掘り込まれた部分とが交互に製作され、グレーティング
を形成している。
【００２９】図６および図７は、図５の直線導波路型グ
レーティングフィルタの断面構成を模式的に示すもの
で、図６は導波路幅が広い部分の導波路断面構造を示
し、図７は導波路幅が狭い部分の導波路断面構造を示
す。
レーティングフィルタの断面構成を模式的に示すもの
で、図６は導波路幅が広い部分の導波路断面構造を示
し、図７は導波路幅が狭い部分の導波路断面構造を示
す。
【００３０】基本的な半導体層構造は、どちらの部分に
ついても同一で、１はＩｎＰ上部クラッド層（厚さ１．
９５μｍ）、２はＩｎＧａＡｓＰコア層（ＩｎＰ基板格
子整合、吸収端波長１．０５μｍに対応組成、厚さ０．
５μｍ）、３はＩｎＰ下部クラッド層（厚さ１．５μ
ｍ）、４はノンドープＩｎＰ基板である。
ついても同一で、１はＩｎＰ上部クラッド層（厚さ１．
９５μｍ）、２はＩｎＧａＡｓＰコア層（ＩｎＰ基板格
子整合、吸収端波長１．０５μｍに対応組成、厚さ０．
５μｍ）、３はＩｎＰ下部クラッド層（厚さ１．５μ
ｍ）、４はノンドープＩｎＰ基板である。
【００３１】図６に示す幅が広い断面を有する部分は、
ＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対しても、実効屈
折率が高く、グレーティングの山に相当する。図７に示
す幅が狭い部分は、ＴＥモードに対しても、ＴＭモード
に対しても、実効屈折率が低く、グレーティングの谷に
相当する。また、幅が狭い部分は、ＩｎＰ上部クラッド
層１の上部の中央部が幅０．６μｍ、深さ１．４５μｍ
に掘り込まれた方形の開口穴５に形成されている。
ＴＥモードに対しても、ＴＭモードに対しても、実効屈
折率が高く、グレーティングの山に相当する。図７に示
す幅が狭い部分は、ＴＥモードに対しても、ＴＭモード
に対しても、実効屈折率が低く、グレーティングの谷に
相当する。また、幅が狭い部分は、ＩｎＰ上部クラッド
層１の上部の中央部が幅０．６μｍ、深さ１．４５μｍ
に掘り込まれた方形の開口穴５に形成されている。
【００３２】図５の本実施形態の直線導波路型グレーテ
ィングフィルタは、図６に示すように、幅が広い部分の
導波路幅は３．２μｍであり、実効屈折率はＴＥモード
に対しても、ＴＭモードに対しても、３．１８７であ
る。また、図７に示すように、幅が狭い部分の導波路幅
は２．３μｍであり、実効屈折率はＴＥモードに対して
も、ＴＭモードに対しても、３．１７６である。本実施
形態では、幅の狭い部分の中央部を掘り込んだ為に、前
述の第１の実施形態よりも低い実効屈折率を得て、か
つ、ＴＥモードとＴＭモードの実効屈折率を同一とする
ことが可能となっている。グレーティングの長さは３０
０μｍとした。
ィングフィルタは、図６に示すように、幅が広い部分の
導波路幅は３．２μｍであり、実効屈折率はＴＥモード
に対しても、ＴＭモードに対しても、３．１８７であ
る。また、図７に示すように、幅が狭い部分の導波路幅
は２．３μｍであり、実効屈折率はＴＥモードに対して
も、ＴＭモードに対しても、３．１７６である。本実施
形態では、幅の狭い部分の中央部を掘り込んだ為に、前
述の第１の実施形態よりも低い実効屈折率を得て、か
つ、ＴＥモードとＴＭモードの実効屈折率を同一とする
ことが可能となっている。グレーティングの長さは３０
０μｍとした。
【００３３】本発明の第２の実施形態のグレーティング
の反射率の波長依存性を図８のグラフに示す。反射スペ
クトルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモード
に対しても同一であり、図８においては重なっている。
即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対する応
答は相等しいことが確認できる。本実施形態は、前述の
第１の実施形態と比べ、導波路断面構造が複雑である
が、グレーティングの山と谷の実効屈折率差を多く取れ
ている為に、グレーティング長が小さくても、より広い
波長範囲にわたって、高い反射率を得ることができる。
の反射率の波長依存性を図８のグラフに示す。反射スペ
クトルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモード
に対しても同一であり、図８においては重なっている。
即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対する応
答は相等しいことが確認できる。本実施形態は、前述の
第１の実施形態と比べ、導波路断面構造が複雑である
が、グレーティングの山と谷の実効屈折率差を多く取れ
ている為に、グレーティング長が小さくても、より広い
波長範囲にわたって、高い反射率を得ることができる。
【００３４】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態を図９〜図１１を参照して説明する。
態を図９〜図１１を参照して説明する。
【００３５】図９は本実施形態の直線導波路型グレーテ
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。本実
施形態においては、ノンドープＩｎＰ基板上に形成され
た半導体直線導波路において、光軸に沿って、半導体層
構造を含む導波路構造の部分と導波路構造が存在しない
部分とが交互に製作されて、グレーティングを形成して
いる。すなわち、低屈折率領域部分は導波路構造が存在
しない自由空間となっている。
ィングフィルタの全体の外観構成を模式的に示す。本実
施形態においては、ノンドープＩｎＰ基板上に形成され
た半導体直線導波路において、光軸に沿って、半導体層
構造を含む導波路構造の部分と導波路構造が存在しない
部分とが交互に製作されて、グレーティングを形成して
いる。すなわち、低屈折率領域部分は導波路構造が存在
しない自由空間となっている。
【００３６】図１０はその半導体層構造を有する部分の
断面構造を示す。この半導体層構造において、１はＩｎ
Ｐ上部クラッド層（厚さ１．９５μｍ）、２はＩｎＧａ
ＡｓＰコア層（ＩｎＰ基板格子整合、吸収端波長１．０
５μｍに対応組成、厚さ０．５μｍ）、３はＩｎＰ下部
クラッド層（厚さ１．５μｍ）、および４はノンドープ
ＩｎＰ基板である。
断面構造を示す。この半導体層構造において、１はＩｎ
Ｐ上部クラッド層（厚さ１．９５μｍ）、２はＩｎＧａ
ＡｓＰコア層（ＩｎＰ基板格子整合、吸収端波長１．０
５μｍに対応組成、厚さ０．５μｍ）、３はＩｎＰ下部
クラッド層（厚さ１．５μｍ）、および４はノンドープ
ＩｎＰ基板である。
【００３７】図９の本実施形態の直線導波路型グレーテ
ィングフィルタは、図１０に示すように、その導波路の
幅は２．７μｍであり、その断面のＴＥモードに対する
屈折率とＴＭモードに対する屈折率は同一であって、そ
れぞれ３．１８４となっている。導波路構造が存在しな
い部分の実効屈折率は、ＴＥモードについてもＴＭモー
ドについても等しく１．０である。
ィングフィルタは、図１０に示すように、その導波路の
幅は２．７μｍであり、その断面のＴＥモードに対する
屈折率とＴＭモードに対する屈折率は同一であって、そ
れぞれ３．１８４となっている。導波路構造が存在しな
い部分の実効屈折率は、ＴＥモードについてもＴＭモー
ドについても等しく１．０である。
【００３８】半導体層構造が存在する部分の長さが０．
２３０μｍであり、半導体層構造が存在しない部分の長
さが０．０２５６μｍであって、両者の繰り返し構造が
３０個存在する場合の本実施形態のグレーティングの反
射率の波長依存性を図１１のグラフに示す。反射スペク
トルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモードに
対しても同一であり、図１１においては重なっている。
即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対する応
答は相等しいことが確認できる。
２３０μｍであり、半導体層構造が存在しない部分の長
さが０．０２５６μｍであって、両者の繰り返し構造が
３０個存在する場合の本実施形態のグレーティングの反
射率の波長依存性を図１１のグラフに示す。反射スペク
トルを示す曲線はＴＥモードに対しても、ＴＥモードに
対しても同一であり、図１１においては重なっている。
即ち、ＴＥモードに対する応答とＴＭモードに対する応
答は相等しいことが確認できる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光軸に垂直なすべての断面において、その断面構造のＴ
ＥモードとＴＭモードへの応答が同一化され、その結
果、ＴＥモードの光に対する応答とＴＭモードの光に対
する応答が同一な導波路型グレーティングフィルタを得
ることができる。
光軸に垂直なすべての断面において、その断面構造のＴ
ＥモードとＴＭモードへの応答が同一化され、その結
果、ＴＥモードの光に対する応答とＴＭモードの光に対
する応答が同一な導波路型グレーティングフィルタを得
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態における導波路型グレ
ーティングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図
である。
ーティングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図
である。
【図２】本発明の第１の実施形態において、幅が広い部
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態において、幅が狭い部
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における反射率の波長
依存性を示す特性図である。
依存性を示す特性図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の導波路型グレーティ
ングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図であ
る。
ングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施形態において、幅が広い部
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
分の導波路の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態において、幅が狭く上
部クラッドが掘り込まれた部分の導波路断面構造を模式
的に示す断面図である。
部クラッドが掘り込まれた部分の導波路断面構造を模式
的に示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における反射率の波長
依存性を示す特性図である。
依存性を示す特性図である。
【図９】本発明の第３の実施形態の導波路型グレーティ
ングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図であ
る。
ングフィルタの全体の構成を模式的に示す斜視図であ
る。
【図１０】本発明の第３の実施形態において、半導体層
構造が存在する部分の導波路の断面構造を模式的に示す
断面図である。
構造が存在する部分の導波路の断面構造を模式的に示す
断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における反射率の波
長依存性を示す特性図である。
長依存性を示す特性図である。
１ ＩｎＰ上部クラッド層
２ ＩｎＧａＡｓＰコア層
３ ＩｎＰ下部クラッド層
４ ノンドープＩｎＰ基板
５ 開口穴
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 神徳 正樹
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 ルイ ウェイン
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 硴塚 孝明
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 関 俊司
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−115725（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−127347（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−2734（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−271842（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 6/122
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、下部クラッド
層・コア層・上部クラッド層からなるストライプ構造を
有し、光軸に沿って該ストライプの幅が変化し、該スト
ライプ幅の広い部分をフィルタの高実効屈折率領域と
し、該ストライプ幅の狭い部分をフィルタの低実効屈折
率領域とする導波路型グレーティングフィルタであっ
て、前記ストライプ構造の光軸に垂直な断面におけるＴ
Ｅモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率が各断
面において等しくなるように、前記ストライプ幅を変化
させていることを特徴とする導波路型グレーティングフ
ィルタ。 - 【請求項２】 前記ストライプ幅が狭い部分において、
前記上部クラッド層の厚さが部分的に薄いことを特徴と
する請求項１に記載の導波路型グレーティングフィル
タ。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成され、下部クラッド
層・コア層・上部クラッド層からなるストライプ構造が
光軸に沿って間欠的に縦続接統した直線導波路型グレー
ティングフィルタであって、前記ストライプ構造の光軸
に垂直な断面におけるＴＥモードの実効屈折率とＴＭモ
ードの実効屈折率とが各断面において等しくなるように
該ストライプの幅が設定されることを特微とする導波路
型グレーティングフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3640699A JP3436891B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 導波路型グレーティングフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3640699A JP3436891B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 導波路型グレーティングフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235125A JP2000235125A (ja) | 2000-08-29 |
| JP3436891B2 true JP3436891B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=12468967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3640699A Expired - Fee Related JP3436891B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 導波路型グレーティングフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3436891B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003062883A2 (en) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Cornell Research Foundation, Inc. | High-index contrast waveguide coupler |
| US7519257B2 (en) | 2004-11-24 | 2009-04-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Waveguide structure for guiding light in low-index material |
| CN101952753B (zh) | 2008-02-29 | 2013-02-06 | 株式会社藤仓 | 光波导元件、波长色散补偿元件及其设计方法、滤光器及其设计方法、以及光谐振器及其设计方法 |
| CN101952755B (zh) | 2008-02-29 | 2014-11-05 | 株式会社藤仓 | 基板型光波导元件、波长色散补偿元件、光滤波器、光共振器以及它们的设计方法 |
| JP4603090B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2010-12-22 | 株式会社フジクラ | 基板型光導波路素子、波長分散補償素子およびその設計方法、光フィルタおよびその設計方法、ならびに光共振器およびその設計方法 |
| CN101960346B (zh) | 2008-02-29 | 2013-03-27 | 株式会社藤仓 | 基板型光波导元件、波长色散补偿元件、光滤波器、光谐振器、及它们的设计方法 |
| SG177642A1 (en) * | 2009-08-25 | 2012-02-28 | Fujikura Ltd | Manufacturing method of planar optical waveguide device with grating structure |
| US8227178B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-07-24 | Fujikura Ltd. | Manufacturing method of planar optical waveguide device with grating structure |
| JP4820917B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-11-24 | 株式会社フジクラ | グレーティング構造を有する基板型光導波路デバイスの製造方法 |
| US8404133B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-03-26 | Fujikura Ltd. | Manufacturing method of planar optical waveguide device with grating structure |
| CN102495449B (zh) * | 2011-12-07 | 2013-09-11 | 中国科学院半导体研究所 | 可调谐载流子诱导波导光栅 |
| JP5880087B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-03-08 | 沖電気工業株式会社 | グレーティング素子及び光素子 |
| JP5880209B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-03-08 | 沖電気工業株式会社 | 光素子 |
| JP6460637B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-01-30 | 富士通株式会社 | 半導体光導波路装置 |
| JP6019150B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-11-02 | 沖電気工業株式会社 | 光波長フィルタ |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP3640699A patent/JP3436891B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000235125A (ja) | 2000-08-29 |
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