JP3436525B2 - Multilayer substrate, electronic component, and method of manufacturing multilayer substrate - Google Patents

Multilayer substrate, electronic component, and method of manufacturing multilayer substrate

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JP3436525B2 JP2000356813A JP2000356813A JP3436525B2 JP 3436525 B2 JP3436525 B2 JP 3436525B2 JP 2000356813 A JP2000356813 A JP 2000356813A JP 2000356813 A JP2000356813 A JP 2000356813A JP 3436525 B2 JP3436525 B2 JP 3436525B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器用の樹脂
または樹脂に機能粉末を混合した複合材料製の多層基板
と、それを用いた電子部品と多層基板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer substrate made of a resin for electronic equipment or a composite material obtained by mixing a resin with a functional powder, an electronic component using the multilayer substrate, and a method for manufacturing the multilayer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の樹脂製または前記複合材料製基板
は、樹脂の誘電率が低いため、高い容量のコンデンサを
構成することはほとんど不可能であった。高容量のコン
デンサを構成する手段として、セラミックコンデンサ内
蔵多層基板の例が特開平8−32197号公報に開示さ
れている。該公報に記載のものは、穴をあけたプリプレ
グの穴の部分に高誘電率のセラミックチップを内蔵し、
両面に銅箔を貼り付け、熱プレスし、エッチングにより
パターニングしてコア基板を形成する。そしてそのコア
基板にプリプレグを一体化し、多層基板を構成する。
2. Description of the Related Art In conventional resin or composite material substrates, it is almost impossible to form a high-capacity capacitor because the resin has a low dielectric constant. An example of a multilayer substrate with a built-in ceramic capacitor is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-32197 as means for forming a high-capacity capacitor. The one described in the publication incorporates a high-dielectric-constant ceramic chip in the hole portion of a prepreg having a hole,
Copper foil is attached to both surfaces, hot pressed, and patterned by etching to form a core substrate. Then, the prepreg is integrated with the core substrate to form a multilayer substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記従来のセラミック
コンデンサ内蔵の樹脂製または複合材料製多層基板は、
セラミック誘電体と銅箔との十分な密着がとれないた
め、両者間に空気の隙間ができ、電気的接続が悪く、容
量が安定せずに品質のばらつきが大きいという問題点が
ある。また、基板にリフローにより半田付けする際に、
前記隙間の空気が膨張することにより剥離や破裂が生じ
るおそれがあり、信頼性が低下するという問題点があ
る。
The conventional multilayer substrate made of resin or composite material with a built-in ceramic capacitor is
Since the ceramic dielectric and the copper foil cannot be sufficiently adhered to each other, there is a problem that an air gap is formed between them and the electrical connection is poor, the capacitance is not stable, and the quality is largely varied. Also, when soldering to the board by reflow,
There is a risk that peeling or rupture may occur due to the expansion of the air in the gap, resulting in a decrease in reliability.

【0004】本発明は、上記問題点に鑑み、セラミック
チップと銅箔とが密着して両者間での空気の残留やこれ
に伴う品質のばらつきおよびリフロー時の銅箔の剥離、
破裂のおそれがなく、信頼性が高い多層基板とそれを用
いた電子部品と多層基板の製造方法を提供することを目
的とする。
In view of the above problems, the present invention provides a method in which a ceramic chip and a copper foil are in close contact with each other so that air remains between them and variations in quality associated therewith and peeling of the copper foil during reflow,
It is an object of the present invention to provide a highly reliable multilayer substrate that is free from the risk of bursting, an electronic component using the multilayer substrate, and a method for manufacturing a multilayer substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1の多層基板は、
穴をあけたプリプレグにセラミックチップを埋め込み、
セラミックチップの上下に、該セラミックチップの位置
に対応する部分に数箇所の穴をあけた銅箔を重ねて熱プ
レスにより一体化かつ銅箔をパターニングしたコア基板
と、前記コア基板の上下に重ねたプリプレグを熱プレス
により一体化した層を上下にそれぞれ1層以上有するこ
とを特徴とする。
A multi-layer substrate according to claim 1 is
Embed a ceramic chip in the prepreg with holes,
Position of the ceramic chip above and below the ceramic chip
The core substrate in which copper foils with several holes are punched in the portion corresponding to and are integrated by hot pressing and the copper foil is patterned, and the layer in which the prepregs stacked above and below the core substrate are integrated by hot pressing are formed. It is characterized by having one or more layers above and below.

【0006】請求項2の多層基板は、穴をあけたプリプ
レグに上下面に電極を施したセラミックチップを埋め込
み、該セラミックチップの上下に、該セラミックチップ
の位置に対応する部分に数箇所の穴をあけた銅箔を重ね
て熱プレスにより一体化し、かつ銅箔上および前記電極
の前記穴による露出部にめっきを施し、かつ銅箔とめっ
き膜をパターニングしたコア基板と、前記コア基板の両
面に重ねたプリプレグを熱プレスにより一体化した層を
上下にそれぞれ。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a multilayer substrate in which a ceramic chip having electrodes on upper and lower surfaces is embedded in a prepreg having holes, and the ceramic chip is provided above and below the ceramic chip.
The copper foil with several holes drilled in the part corresponding to the position is integrated by hot pressing, and plating is performed on the copper foil and the exposed portion of the hole of the electrode, and the copper foil and the plated film are formed. Layers in which a patterned core substrate and prepregs laminated on both surfaces of the core substrate are integrated by hot pressing are respectively provided on the upper and lower sides.

【0007】請求項3の多層基板は、請求項1または2
の多層基板において、前記セラミックチップの一部また
は全部が高誘電率セラミックからなり、該高誘電率セラ
ミックに多層のコンデンサ電極を内蔵したことを特徴と
する。
The multilayer substrate according to claim 3 is the same as claim 1 or 2
In the multi-layer substrate, part or all of the ceramic chip made of a high dielectric constant ceramic, characterized in that a built-in multilayer capacitor electrode to the high dielectric constant canceller <br/> Mick.

【0008】請求項4の多層基板は、請求項1または2
の多層基板において、前記セラミックチップは、一部ま
たは全部が磁性体セラミックからなり、該磁性体セラミ
ックにインダクタを内蔵したことを特徴とする。
A multilayer substrate according to claim 4 is the multilayer substrate according to claim 1 or 2.
In the multi-layer substrate, the ceramic chip is partially or entirely made of a magnetic ceramic, and an inductor is built in the magnetic ceramic.

【0009】請求項5の多層基板は、請求項1から4ま
でのいずれかの多層基板において、前記セラミックチッ
プに、コンデンサとインダクタとを内蔵したことを特徴
とする。
A multilayer substrate according to a fifth aspect is the multilayer substrate according to any one of the first to fourth aspects, characterized in that the capacitor and the inductor are built in the ceramic chip.

【0010】請求項6の多層基板は、請求項1から5ま
でのいずれかの多層基板において、前記セラミックチッ
プの表面に厚膜抵抗を形成したことを特徴とする。
A multilayer substrate according to a sixth aspect is the multilayer substrate according to any one of the first to fifth aspects, wherein a thick film resistor is formed on a surface of the ceramic chip.

【0011】請求項7の多層基板は、請求項1から6ま
でのいずれかの多層基板において、前記多層基板は、前
記セラミックチップ以外に、プリプレグ数枚分に連続し
て形成した穴に埋め込んだ磁性セラミックコアを有し、
該コアの周囲にヘリカル状またはスパイラル状に形成さ
れたインダクタ用配線を有することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the multi-layer substrate according to any one of the first to sixth aspects, the multi-layer substrate is embedded in a hole continuously formed by several prepregs in addition to the ceramic chip. Has a magnetic ceramic core,
It is characterized in that it has an inductor wiring formed in a helical shape or a spiral shape around the core.

【0012】請求項8の電子部品は、請求項1から6ま
でのいずれかの多層基板を有することを特徴とする。
An electronic component according to an eighth aspect is characterized by including the multilayer substrate according to any one of the first to sixth aspects.

【0013】請求項9の多層基板の製造方法は、穴をあ
けたプリプレグにセラミックチップを埋め込み、前記セ
ラミックチップの上下に、該セラミックチップの位置に
対応する部分に数箇所の穴をあけた銅箔を重ねて熱プレ
スにより一体化し、前記銅箔をパターニングしてコア基
板を作製し、前記コア基板の両面にプリプレグを熱プレ
スにより一体化する工程を1回以上繰り返すことを特徴
とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer substrate, wherein a ceramic chip is embedded in a prepreg having a hole, and the ceramic chip is provided above and below the ceramic chip at positions of the ceramic chip.
Steps of stacking copper foils having holes at several positions on the corresponding portions and integrating them by hot pressing, patterning the copper foils to produce a core substrate, and integrating prepregs on both surfaces of the core substrate by hot pressing Is repeated once or more.

【0014】請求項10の多層基板の製造方法は、穴を
あけたプリプレグに上下面に電極を施したセラミックチ
ップを埋め込み、前記セラミックチップの上下に、該セ
ラミックチップの位置に対応する部分に数箇所の穴をあ
けた銅箔を重ねて熱プレスにより一体化し、前記銅箔上
および前記電極の前記穴による露出部にめっきを施し、
かつ銅箔とめっき膜をパターニングしてコア基板を作製
し、前記コア基板の両面にプリプレグを配して熱プレス
により一体化する工程を1回以上繰り返すことを特徴と
する。
[0014] a method for manufacturing a multilayer substrate according to claim 10, embedding the ceramic chip subjected to electrodes on the upper and lower surfaces in the prepreg with a hole, on and below the ceramic chip, 該Se
Laminated copper foil with several holes perforated in a portion corresponding to the position of the lamic chip and integrated by hot pressing, and plating on the copper foil and the exposed portion of the hole of the electrode,
In addition, the step of patterning the copper foil and the plating film to produce a core substrate, placing prepregs on both surfaces of the core substrate, and integrating them by hot pressing is repeated one or more times.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1(A)は本発明の多層基板あ
るいは電子部品の一実施の形態を示す断面図、図1
(B)はその層構成を示す斜視図である。1aはコア基
板となるプリプレグである。該プリプレグ1aはセラミ
ックチップ2を埋め込む穴3を有する。本実施の形態の
セラミックチップ2は高誘電率のセラミックであって、
両側に被着する銅箔4と共にコンデンサを構成するもの
である。銅箔4には複数個の穴4aを有する。1b〜1
eはプリプレグ1aの上下面に順次重ねられるプリプレ
グである。5は重ねられて一体化されたものに貫通して
設けられ、内部に導体をめっきしたスルーホールであ
り、内部の導体間あるいは表裏面間の銅箔でなる導体パ
ターンを接続するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1A is a sectional view showing an embodiment of a multi-layer substrate or electronic component of the present invention.
(B) is a perspective view showing the layer structure. 1a is a prepreg serving as a core substrate. The prepreg 1a has a hole 3 in which a ceramic chip 2 is embedded. The ceramic chip 2 of the present embodiment is a high dielectric constant ceramic,
A capacitor is constructed with the copper foils 4 adhered on both sides. The copper foil 4 has a plurality of holes 4a. 1b-1
e is a prepreg which is sequentially stacked on the upper and lower surfaces of the prepreg 1a. Reference numeral 5 is a through hole that is provided so as to penetrate through the one that is overlapped and integrated, and is used to connect a conductor pattern made of copper foil between conductors inside or between front and back surfaces inside.

【0016】前記プリプレグ1a〜1eにはエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ビニルベンジル樹脂、ビスマレイ
ミドリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アラ
ミドエポキシ樹脂等、一般的にプリント配線板に用いら
れる樹脂を用いることができる。またこれらの樹脂は、
ガラスクロス入りあるいはガラスクロスを有しないもの
を用いることができる。また、樹脂中に誘電体粉末や磁
性体粉末を含有させて誘電率あるいは透磁率を上げたも
のを用いることができる。またこれらの粉末としては、
金属粒子の表面に誘電体被膜または磁性体被膜を形成し
たものを用いることができる。
As the prepregs 1a to 1e, resins generally used for printed wiring boards such as epoxy resin, polyimide resin, vinylbenzyl resin, bismaleimide lyazine resin, polyphenylene ether resin, aramid epoxy resin can be used. . In addition, these resins are
It is possible to use a glass cloth with or without a glass cloth. Further, it is possible to use a resin in which a dielectric powder or a magnetic powder is contained to increase the dielectric constant or magnetic permeability. Moreover, as these powders,
A metal particle having a dielectric coating or a magnetic coating formed on the surface thereof can be used.

【0017】また、本実施の形態のセラミックチップと
しては、二酸化チタン系、チタン酸バリウム系、チタン
酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウ
ム系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系、
ジルコン酸鉛系等のセラミックスあるいはその他のセラ
ミックスが挙げられる。また、金属粒子の表面に誘電体
被膜を形成したものを用いることができる。
Further, the ceramic chip of the present embodiment includes titanium dioxide type, barium titanate type, lead titanate type, strontium titanate type, calcium titanate type, bismuth titanate type, magnesium titanate type,
Examples include lead zirconate-based ceramics and other ceramics. In addition, metal particles having a surface coated with a dielectric coating can be used.

【0018】この多層基板または電子部品は次のように
して製造される。まず、プリプレグ1aの一部に穴3を
あけ、その中にセラミックチップ2を入れる。次にその
上下のセラミックチップ2の位置に対応する部分に1個
または複数の穴4aをあけた銅箔4を重ね、これらを熱
プレスして、プリプレグ1aに銅箔を密着させると同時
にプリプレグ1aを硬化させてコア基板とする。
This multilayer substrate or electronic component is manufactured as follows. First, a hole 3 is made in a part of the prepreg 1a, and the ceramic chip 2 is put therein. Next, the copper foil 4 having one or a plurality of holes 4a formed on the upper and lower portions corresponding to the positions of the ceramic chips 2 is superposed, and these are hot-pressed to bring the copper foil into close contact with the prepreg 1a and at the same time the prepreg 1a. Is cured to form a core substrate.

【0019】その後、銅箔4をエッチング等によりパタ
ーニングして、セラミックチップ2の電極部分6とその
周辺から引き出された引きだし部7とを形成する。引き
だし部7は同層の他の素子に接続されるかまたは他の層
の素子にスルーホールを介して接続されるかもしくは表
面や裏面の配線パターンや端子電極に接続される。
After that, the copper foil 4 is patterned by etching or the like to form the electrode portion 6 of the ceramic chip 2 and the lead-out portion 7 pulled out from the periphery thereof. The lead-out portion 7 is connected to another element in the same layer, connected to an element in another layer through a through hole, or connected to a wiring pattern on the front surface or the back surface or a terminal electrode.

【0020】次にこのような構成されたセラミックチッ
プ2内蔵のコア基板の上下にプリプレグ1b、1cを配
し、さらに熱プレスしてプリプレグの硬化とコア基板へ
の密着を行う。この2度目の熱プレスによって銅箔4に
あけられた穴4aを通してプリプレグ1b、1cとセラ
ミックチップ2との密着をとる。このようにすれば、銅
箔4とセラミックチップ2との密着も高めることができ
る。この場合、プリプレグ1b、1cにも銅箔を配し、
硬化後、エッチングによりパターニングする処理を行う
場合もある。
Next, the prepregs 1b and 1c are arranged on the upper and lower sides of the core substrate having the ceramic chip 2 built in such a structure, and further hot pressed to cure the prepreg and to adhere it to the core substrate. By this second heat pressing, the prepregs 1b and 1c and the ceramic chip 2 are brought into close contact with each other through the holes 4a formed in the copper foil 4. By doing so, the adhesion between the copper foil 4 and the ceramic chip 2 can be enhanced. In this case, copper foil is also placed on the prepregs 1b and 1c,
After curing, patterning may be performed by etching.

【0021】その後、さらにプリプレグ1d、1eを上
下に配し、必要に応じて銅箔を配して熱プレス、パター
ニングを行う。プリプレグの枚数は必要に応じて変更す
る。
Thereafter, the prepregs 1d and 1e are further arranged on the upper and lower sides, and if necessary, a copper foil is arranged, and hot pressing and patterning are performed. Change the number of prepregs as needed.

【0022】セラミックチップ2を入れた部分以外は通
常の多層基板と同じように扱うことができ、スルーホー
ル5をドリルやレーザによりあけた後、メッキを施し、
全体として回路を構成する。
Except for the portion where the ceramic chip 2 is inserted, it can be handled in the same manner as an ordinary multi-layer substrate. After the through hole 5 is opened by a drill or laser, plating is performed.
The circuit is constructed as a whole.

【0023】この多層基板は一般に多数個取りにより形
成され、前記セラミックチップ2を縦横に配置した樹脂
基板を縦横に切断して個々のチップとする。
This multi-layer substrate is generally formed by taking a large number of chips, and a resin substrate in which the ceramic chips 2 are arranged vertically and horizontally is cut into individual chips.

【0024】このように、樹脂製あるいは樹脂と機能粉
末(誘電体粉末または磁性体粉末)を混合した複合材料
製の積層体でなる多層基板を構成することにより、小型
で、柔軟性があり、加工性の良い多層基板が実現される
が、コア基板1aにセラミックチップ2を内蔵すること
により、基板材料よりはるかに高い誘電率のセラミック
スを用いたコンデンサを内蔵することができる。そして
この場合、プリプレグ1b、1cが穴4aを通してセラ
ミックチップ4に密着されるため、空気残留を防ぐこと
ができ、リフロー時の銅箔剥離や破裂等のおそれがな
く、信頼性の高い多層基板を提供することができる。
As described above, by constructing a multilayer substrate made of a laminate made of a resin or a composite material in which a resin and a functional powder (dielectric powder or magnetic powder) are mixed, it is small and flexible, Although a multi-layer substrate having good workability is realized, by incorporating the ceramic chip 2 in the core substrate 1a, it is possible to incorporate a capacitor using ceramics having a dielectric constant much higher than that of the substrate material. In this case, since the prepregs 1b and 1c are brought into close contact with the ceramic chip 4 through the holes 4a, residual air can be prevented, and there is no risk of copper foil peeling or rupture during reflow, and a highly reliable multilayer substrate can be obtained. Can be provided.

【0025】図2(A)は本発明の他の実施の形態であ
り、前記セラミックチップ2として、図2(B)に示す
ように、上下面に電極8を被着したものを用いると共
に、銅箔4上と、穴4aにより露出した電極8の部分に
金属めっき膜9を被着したものである。金属めっき膜9
は、穴4aの形状にそって、電極8の露出部については
凹状に形成される。
FIG. 2 (A) shows another embodiment of the present invention. As the ceramic chip 2, as shown in FIG. 2 (B), one having electrodes 8 attached to the upper and lower surfaces thereof is used, and A metal plating film 9 is deposited on the copper foil 4 and the portions of the electrodes 8 exposed by the holes 4a. Metal plating film 9
Shows the exposed portion of the electrode 8 along the shape of the hole 4a.
It is formed in a concave shape.

【0026】この多層基板は、図2(C)に示すよう
に、図1の実施の形態と同様に、穴3をあけたプリプレ
グ1に、電極8を上下面に設けたセラミックチップ2を
嵌め、穴4aの部分が電極8上に位置するようにして銅
箔4を上下に重ねて熱プレスすることにより、銅箔4を
プリプレグ1aに被着しかつプリプレグ1aを硬化して
コア基板を作製する。次に上下面にめっきを施すことに
より、銅箔4上と、銅箔4の穴4aによる電極8の露出
部分がめっき膜9で電気的に接続されることにより、電
気的接続がより確実に行われる。そして、このめっき膜
9と銅箔4とをエッチングにより前記同様にパターニン
グする。その後は前記実施の形態と同様の工程によりプ
リプレグ1b〜1eを一体化する。またスルーホール5
の形成、めっきを行う。
As shown in FIG. 2C, in this multilayer substrate, a ceramic chip 2 having electrodes 8 provided on the upper and lower surfaces is fitted to a prepreg 1 having holes 3 as in the embodiment shown in FIG. , The copper foil 4 is vertically stacked and hot-pressed so that the hole 4a is located on the electrode 8 to adhere the copper foil 4 to the prepreg 1a and cure the prepreg 1a to produce a core substrate. To do. Next, by plating the upper and lower surfaces, the copper film 4 and the exposed portion of the electrode 8 due to the hole 4a of the copper foil 4 are electrically connected by the plating film 9, so that the electrical connection is more reliable. Done. Then, the plating film 9 and the copper foil 4 are patterned by etching in the same manner as described above. After that, the prepregs 1b to 1e are integrated by the same steps as those in the above embodiment. Through hole 5
Formation and plating.

【0027】このように、セラミックチップ2に電極8
を設けておき、銅箔4上と穴4aの部分の電極8上に一
連にめっき膜9が形成されることにより、電気的にも確
実な接続がなされる。また、このめっき膜9は銅箔4を
電極8面に固定する役目も果たし、安定して高容量を得
ることが可能となる。
In this way, the electrodes 8 are attached to the ceramic chip 2.
Is provided and the plating film 9 is formed in series on the copper foil 4 and the electrode 8 in the portion of the hole 4a, so that a reliable electrical connection is made. Further, the plating film 9 also serves to fix the copper foil 4 to the surface of the electrode 8, and it is possible to stably obtain a high capacity.

【0028】図2(D)は図2(A)の他の実施の形態
を示す断面図である。これは前記セラミックチップ2の
代わりに、セラミックチップ2Aの内部に、積層状にコ
ンデンサ電極10、11を配し、これらをそれぞれビア
ホール12、13で接続すると共に、上面電極8Aまた
は下面電極8Bに接続したものである。他の構成、製造
方法は図2(A)に示したものと同様である。
FIG. 2D is a sectional view showing another embodiment of FIG. 2A. Instead of the ceramic chip 2, the capacitor electrodes 10 and 11 are arranged in a laminated manner inside the ceramic chip 2A, and these are connected by via holes 12 and 13, respectively, and connected to the upper surface electrode 8A or the lower surface electrode 8B. It was done. The other structure and manufacturing method are the same as those shown in FIG.

【0029】このように、セラミックチップとして積層
状にコンデンサ電極10、11を形成することにより、
より大きな容量を得ることができる。
By thus forming the capacitor electrodes 10 and 11 as a ceramic chip in a laminated form,
A larger capacity can be obtained.

【0030】図3(A)は本発明の他の実施の形態を示
す断面図であり、セラミックチップ2Bの内部に、コン
デンサ14およびインダクタ15を構成したものであ
る。この場合、コンデンサ14には高誘電率材料を用
い、インダクタ15を構成するセラミックにはMn−Z
n系フェライトやNi−Zn系フェライト等の磁性材料
を用いており、内部導体との一体焼成によって構成され
ている。内部のコンデンサ電極やインダクタ導体はビア
ホール16、17によって接続され、かつ表裏面の電極
8A、8Bに接続されている。他の構成は前記図2の場
合と同じである。
FIG. 3A is a sectional view showing another embodiment of the present invention, in which a capacitor 14 and an inductor 15 are formed inside a ceramic chip 2B. In this case, a high dielectric constant material is used for the capacitor 14, and Mn-Z is used for the ceramic forming the inductor 15.
A magnetic material such as n-type ferrite or Ni-Zn-type ferrite is used, and is formed by integral firing with the internal conductor. Internal capacitor electrodes and inductor conductors are connected by via holes 16 and 17, and are also connected to electrodes 8A and 8B on the front and back surfaces. Other configurations are the same as in the case of FIG.

【0031】このような構成とすることにより、セラミ
ックチップ2B内に高容量のコンデンサ14と高インダ
クタンスのインダクタ15を内蔵することができる。
With such a structure, the high capacity capacitor 14 and the high inductance inductor 15 can be built in the ceramic chip 2B.

【0032】図3(B)は本発明の他の実施の形態を示
す断面図であり、内部にコンデンサ14、インダクタ1
5を積層構造で内蔵セラミックチップ2Cの表面に、配
線パターン8Cを形成し、配線パターン8C間に厚膜抵
抗19を設けたものである。この場合、セラミックチッ
プの接続用の表面導体は、厚膜抵抗19を形成した面と
は反対側の面(下面)に分けて形成する。すなわち下面
に電極8D、8Eが形成され、これらにそれぞれ銅箔
4、4でなる配線パターンが接続される。内部コンデン
サ電極と上部配線または下部電極8Dは、ビアホール2
0、21により接続される。これにより、セラミックベ
ースのLCR回路が構成される。
FIG. 3B is a sectional view showing another embodiment of the present invention, in which a capacitor 14 and an inductor 1 are provided inside.
5 has a laminated structure, a wiring pattern 8C is formed on the surface of the built-in ceramic chip 2C, and a thick film resistor 19 is provided between the wiring patterns 8C. In this case, the surface conductor for connecting the ceramic chip is separately formed on the surface (lower surface) opposite to the surface on which the thick film resistor 19 is formed. That is, electrodes 8D and 8E are formed on the lower surface, and wiring patterns made of copper foils 4 and 4 are connected to these, respectively. The internal capacitor electrode and the upper wiring or the lower electrode 8D are connected to the via hole 2
They are connected by 0 and 21. This constitutes a ceramic-based LCR circuit.

【0033】図4(A)は本発明の他の実施の形態を示
す断面図であり、図4(B)はその等価回路図であり、
ローパスフィルタを構成するものである。すなわち入力
端子22と出力端子23との間に、互いに直列に接続し
たインダクタL1、L2を設け、各インダクタL1、L
2に並列にコンデンサC2、C4を接続し、入力端子2
2、出力端子23とグランドとの間にそれぞれコンデン
サC1、C5を設け、インダクタL1、L2の接続点と
グランドとの間にコンデンサC3を設けたものである。
FIG. 4A is a sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an equivalent circuit diagram thereof.
It constitutes a low-pass filter. That is, the inductors L1 and L2 connected in series are provided between the input terminal 22 and the output terminal 23, and the inductors L1 and L2 are connected to each other.
Connect capacitors C2 and C4 in parallel to 2 and input terminal 2
2. The capacitors C1 and C5 are provided between the output terminal 23 and the ground, and the capacitor C3 is provided between the connection point of the inductors L1 and L2 and the ground.

【0034】前記コンデンサC2、C4は比較的高容量
のコンデンサを構成するもので、前記図2(D)に示し
た構造のコンデンサ内蔵のセラミックチップ2Aが採用
される。前記コンデンサC1、C3、C5は比較的低容
量のコンデンサを構成するもので、プリプレグでなる誘
電体層を挟む電極25、26により構成される。
The capacitors C2 and C4 constitute a capacitor having a relatively high capacity, and the ceramic chip 2A having a built-in capacitor having the structure shown in FIG. 2D is adopted. The capacitors C1, C3, C5 constitute a capacitor having a relatively low capacity, and are constituted by electrodes 25, 26 sandwiching a dielectric layer made of prepreg.

【0035】また、インダクタL1、L2は、高いイン
ダクタンス値を必要とするので、図4(C)に示すよう
に、複数のプリプレグ1f〜1iにそれぞれ成された導
体(この導体はスパイラル状に形成してもよい)の隣接
する層のものどうしをビアホール30によって接続する
ことにより、ヘリカル状にコイル28を形成し、コイル
28で囲まれた部分に穴27をあけ、その穴27に磁性
コア29を入れたものを、前記コンデンサC1〜C5を
内蔵した積層体上に重ね、さらにその上にプリプレグ1
jを重ねて熱プレスにより一体化したものである。
Further, since the inductors L1 and L2 require a high inductance value, as shown in FIG. 4C, the inductors L1 and L2 are respectively connected to the plurality of prepregs 1f to 1i.
Adjacent to body (this conductor may be formed in a spiral)
The layers of the layers to be connected are connected by the via holes 30.
As a result, a coil 28 is formed in a helical shape, a hole 27 is formed in a portion surrounded by the coil 28, and a magnetic core 29 is put in the hole 27, which is then placed on a laminated body containing the capacitors C1 to C5. Overlap and then prepreg 1 on top
j are overlapped and integrated by hot pressing.

【0036】このような構成とすることによって、より
小型で柔軟性があり、加工性の良い樹脂または樹脂を用
いた複合材料を用いて、基板内に高容量のコンデンサお
よびインダクタンス値とQ値の高いインダクタを内蔵す
ることができる。また、プリプレグで電極間を構成する
コンデンサと共にローパスフィルタを構成することによ
り、高機能のローパスフィルタを構成することができ、
かつフィルタ特性の選択の自由度が拡大する。
With such a structure, a high-capacity capacitor and an inductance value and a Q value are provided in the substrate by using a resin or a composite material using a resin which is smaller and more flexible and has good workability. A high inductor can be built in. In addition, a high-performance low-pass filter can be configured by configuring the low-pass filter together with the capacitor that configures the electrodes with the prepreg,
In addition, the degree of freedom in selecting filter characteristics is expanded.

【0037】図5(A)は本発明の他の実施の形態を示
す断面図であり、コア基板となるプリプレグ1mにガラ
スクロス入りのプリプレグを用い、該プリプレグにコン
デンサを内蔵したセラミックチップ2Aを埋め込み、前
記のように銅箔4、めっき9を施したものを硬化して得
たコア基板の上下にガラスクロスの無い複数枚のプリプ
レグ1n〜1rを銅箔でなる導体パターン31と共にビ
ルドアップ法によって構成したものである。
FIG. 5A is a sectional view showing another embodiment of the present invention, in which a prepreg 1m serving as a core substrate is a prepreg containing glass cloth, and a ceramic chip 2A having a built-in capacitor is provided in the prepreg. A plurality of prepregs 1n to 1r having no glass cloth on the top and bottom of a core substrate obtained by embedding and curing the copper foil 4 and the plating 9 as described above are built up with a conductor pattern 31 made of copper foil. It is composed by.

【0038】このような構成とすることにより、薄型で
高密度の多層基板を構成することができる。
With such a structure, it is possible to form a thin and high-density multilayer substrate.

【0039】図5(B)は本発明の他の実施の形態を示
す断面図、図5(C)はその等価回路図である。本実施
の形態は、電子部品として電圧制御発振器を構成したも
のである。この実施の形態は、電圧制御発振器を構成す
るコンデンサC1〜C9のうち、容量の高いコンデンサ
をコア基板1a内に埋設したセラミックチップ2E、2
Fとして内蔵させ、他のコンデンサは内蔵電極32によ
って構成し、共振器を構成するストリップラインLとな
る内蔵導体33等の他の構成部分は前記の通りである。
可変容量ダイオードDやトランジスタQ1、Q2等の電
子部品34は積層体の表面に搭載したものである。
FIG. 5B is a sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5C is an equivalent circuit diagram thereof. In this embodiment, a voltage controlled oscillator is configured as an electronic component. In this embodiment, among the capacitors C1 to C9 forming the voltage controlled oscillator, a ceramic chip 2E or 2C in which a high-capacity capacitor is embedded in the core substrate 1a.
Other components such as the built-in conductor F, the other capacitors are formed by the built-in electrodes 32, and the built-in conductor 33 and the like serving as the stripline L forming the resonator are as described above.
The electronic components 34 such as the variable capacitance diode D and the transistors Q1 and Q2 are mounted on the surface of the laminated body.

【0040】このように構成することにより、従来多層
基板に内蔵できなかった容量の高いコンデンサも内蔵す
ることができるので、より小型の電圧制御発振器を得る
ことができる。
With this structure, a capacitor having a high capacity, which cannot be built in the conventional multi-layer substrate, can be built in, so that a smaller voltage controlled oscillator can be obtained.

【0041】本発明は、多層基板に内蔵するセラミック
チップが、図5(D)に示すように、フェライトのよう
な磁性セラミック35にコイル36を積層焼結構造で内
蔵し、該コイル36の両端を電極37に接続したインダ
クタである場合にも適用できる。また、セラミックチッ
プを内蔵してコア基板化するプリプレグは、複数枚のプ
リプレグを重ねて穴あけしたものであってもよい。
According to the present invention, as shown in FIG. 5D, the ceramic chip built in the multi-layer substrate has a coil 36 built in a magnetic ceramic 35 such as ferrite in a laminated sintered structure, and both ends of the coil 36 are laminated. It is also applicable to the case where the inductor is connected to the electrode 37. Further, the prepreg for incorporating a ceramic chip into a core substrate may be a prepreg in which a plurality of prepregs are stacked and punched.

【0042】[0042]

【発明の効果】請求項1、9によれば、小型で柔軟性が
あり、加工性の良い樹脂または樹脂に機能粉末を混合し
た複合材料を用いた多層基板内に、セラミックチップを
内層する場合、セラミックチップに接続される銅箔をセ
ラミックチップに密着させることができ、これにより両
者間での空気の残留を防ぐことができ、リフロー時の銅
箔剥離や破裂等のおそれがなく、信頼性の高い多層基板
を提供することができる。
According to the first and ninth aspects of the present invention, a ceramic chip is provided as an inner layer in a multi-layer substrate made of a resin which is small and flexible and has good workability, or a composite material in which a functional powder is mixed with a resin. , The copper foil connected to the ceramic chip can be adhered to the ceramic chip, which prevents air from remaining between the two, and there is no risk of copper foil peeling or rupturing during reflow, and reliability is improved. It is possible to provide a multi-layer substrate having high efficiency.

【0043】請求項2、10によれば、セラミックチッ
プに電極を設けておき、銅箔上と穴の部分の電極上に一
連にめっき膜が形成されることにより、電気的にも確実
な接続がなされ、かつこのめっき膜は銅箔を電極面に固
定する役目も果たすので、請求項1、9と同様の効果を
あげることができる。
According to claims 2 and 10, electrodes are provided on the ceramic chip, and a plating film is formed in series on the copper foil and the electrodes in the holes, so that a reliable electrical connection is achieved. In addition, since this plating film also serves to fix the copper foil to the electrode surface, the same effects as those of claims 1 and 9 can be obtained.

【0044】請求項3によれば、セラミックチップの一
部または全部が高誘電体セラミックからなり、該高誘電
率セラミックに多層のコンデンサ電極を内蔵したので、
より高容量のコンデンサを内蔵した信頼性の高い多層基
板を提供することができる。
According to the third aspect, a part or all of the ceramic chip is made of a high-dielectric ceramic, and the high-dielectric-constant ceramic has a built-in multilayer capacitor electrode.
It is possible to provide a highly reliable multilayer substrate with a built-in capacitor of higher capacity.

【0045】請求項4によれば、セラミックチップは、
一部または全部が磁性体セラミックからなり、該磁性体
セラミックにインダクタを内蔵したので、高いQ値と高
いインダクタンスのインダクタを内蔵した信頼性の高い
多層基板を提供することができる。
According to claim 4, the ceramic chip is
Since a part or the whole is made of magnetic ceramic and the inductor is built in the magnetic ceramic, it is possible to provide a highly reliable multilayer substrate in which the inductor having a high Q value and a high inductance is built.

【0046】請求項5によれば、セラミックチップに、
コンデンサとインダクタとを内蔵したので、セラミック
チップ内に高容量のコンデンサと高インダクタンスのイ
ンダクタを内蔵した信頼性の高い多層基板を提供するこ
とができる。
According to claim 5, the ceramic chip is
Since the capacitor and the inductor are built in, it is possible to provide a highly reliable multilayer substrate in which the high capacity capacitor and the high inductance inductor are built in the ceramic chip.

【0047】請求項6によれば、セラミックチップの表
面に厚膜抵抗を形成したので、抵抗を含め、さらに高容
量のコンデンサまたは/および高インダクタンスのイン
ダクタを内蔵した信頼性の高い多層基板を提供すること
ができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the thick film resistor is formed on the surface of the ceramic chip, a highly reliable multilayer substrate including a resistor and a high capacity capacitor or / and a high inductance inductor is provided. can do.

【0048】請求項7によれば、前記セラミックチップ
以外に、プリプレグ数枚分に連続して形成した穴に埋め
込んだ磁性セラミックコアを有し、該コアの周囲のプリ
プレグ数枚分に形成された導体の隣接するものどうしを
ビアホールによって接続することにより形成されたコイ
を有するので、高インダクタンス値と高Q値のインダ
クタンスを多層基板に内蔵させることができる。
According to a seventh aspect, in addition to the ceramic chip, a magnetic ceramic core embedded in a hole continuously formed for several prepregs is provided, and a prepreg around the core is provided.
Connect adjacent conductors formed on several prepregs.
Carp formed by connecting via holes
Because it has a le, it can be built in inductance of the high inductance value and a high Q value in the multilayer substrate.

【0049】請求項8の多層基板は、請求項1から7の
いずれかの多層基板を用いて電子部品を構成したので、
各請求項記載の効果をあげることができる。
Since the multilayer substrate according to claim 8 constitutes an electronic component using the multilayer substrate according to any one of claims 1 to 7,
The effects described in each claim can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)は本発明の多層基板あるいは電子部品の
一実施の形態を示す断面図、(B)はその層構成を示す
斜視図である。
FIG. 1A is a sectional view showing an embodiment of a multilayer substrate or an electronic component of the present invention, and FIG. 1B is a perspective view showing the layer structure thereof.

【図2】(A)は本発明の他の実施の形態を示す断面
図、(B)はその内蔵セラミックチップを示す斜視図、
(C)はその積層工程を説明する図、(D)は本発明の
他の実施の形態を示す断面図である。
2A is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention, FIG. 2B is a perspective view showing a built-in ceramic chip thereof, FIG.
(C) is a figure explaining the lamination process, (D) is sectional drawing which shows other embodiment of this invention.

【図3】(A)、(B)はそれぞれ本発明の他の実施の
形態を示す断面図である。
3A and 3B are cross-sectional views showing another embodiment of the present invention.

【図4】(A)は本発明の他の実施の形態を示す断面
図、(B)はその等価回路図、(C)はその内蔵インダ
クタの構造を示す斜視図である。
4A is a sectional view showing another embodiment of the present invention, FIG. 4B is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 4C is a perspective view showing the structure of the built-in inductor.

【図5】(A)は本発明の他の実施の形態を示す断面
図、(B)は本発明の他の実施の形態を示す断面図、
(C)はその等価回路図、(D)は本発明において内蔵
するセラミックチップの他の例を示す断面図である。
5A is a sectional view showing another embodiment of the present invention, FIG. 5B is a sectional view showing another embodiment of the present invention, FIG.
(C) is an equivalent circuit diagram thereof, and (D) is a sectional view showing another example of the ceramic chip incorporated in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1r:プリプレグ、2、2A〜2F:セラミック
チップ、3:穴、4:銅箔、4a:穴、5:スルーホー
ル、6:電極部分、7:引きだし部、8、8A、8B、
8D、8E:電極、8C:配線パターン、9:めっき
膜、10、11:コンデンサ電極、12、13:ビアホ
ール、14:コンデンサ、15:インダクタ、16、1
7:ビアホール、19:厚膜抵抗、20、21:ビアホ
ール、22:入力端子、23:出力端子、25、26:
電極、27:穴、28:コイル、29:コア、30:ス
ルーホール、31:導体パターン、32:内蔵電極、3
3:内蔵導体、34:電子部品、35:磁性セラミッ
ク、36:コイル、37:電極、C1〜C9:コンデン
サ、D:可変容量ダイオード、L1、L2:インダク
タ、Q1、Q2:トランジスタ
1a to 1r: prepreg, 2, 2A to 2F: ceramic chip, 3: hole, 4: copper foil, 4a: hole, 5: through hole, 6: electrode portion, 7: lead portion, 8, 8A, 8B,
8D, 8E: electrode, 8C: wiring pattern, 9: plating film, 10 and 11: capacitor electrode, 12 and 13: via hole, 14: capacitor, 15: inductor, 16 and 1
7: via hole, 19: thick film resistor, 20, 21: via hole, 22: input terminal, 23: output terminal, 25, 26:
Electrode, 27: hole, 28: coil, 29: core, 30: through hole, 31: conductor pattern, 32: built-in electrode, 3
3: Built-in conductor, 34: Electronic component, 35: Magnetic ceramic, 36: Coil, 37: Electrode, C1 to C9: Capacitor, D: Variable capacitance diode, L1, L2: Inductor, Q1, Q2: Transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−32197(JP,A) 特開2000−299241(JP,A) 特開 平11−354924(JP,A) 特開 平11−55058(JP,A) 特開 平5−21930(JP,A) 特開 平8−88455(JP,A) 実開 平5−48379(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 H01F 17/00 H01G 4/30 H01G 4/40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-8-32197 (JP, A) JP-A-2000-299241 (JP, A) JP-A-11-354924 (JP, A) JP-A-11-55058 (JP, A) JP 5-21930 (JP, A) JP 8-88455 (JP, A) Actual development 5-48379 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7) , DB name) H05K 3/46 H01F 17/00 H01G 4/30 H01G 4/40

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】穴をあけたプリプレグにセラミックチップ
を埋め込み、該セラミックチップの上下に、該セラミッ
クチップの位置に対応する部分に数箇所の穴をあけた銅
箔を重ねて熱プレスにより一体化かつ銅箔をパターニン
グしたコア基板と、 前記コア基板の上下に重ねたプリプレグを熱プレスによ
り一体化した層を上下にそれぞれ1層以上有することを
特徴とする多層基板。
1. A buried ceramic chip in the prepreg with a hole, the upper and lower of the ceramic chip, the ceramic
A core board in which copper foils with several holes are placed in the part corresponding to the position of the chip and integrated by heat pressing and the copper foil is patterned, and the prepregs that are stacked above and below the core board are integrated by heat pressing. A multilayer substrate having one or more layers above and below.
【請求項2】穴をあけたプリプレグに上下面に電極を施
したセラミックチップを埋め込み、該セラミックチップ
の上下に、該セラミックチップの位置に対応する部分に
数箇所の穴をあけた銅箔を重ねて熱プレスにより一体化
し、かつ銅箔上および前記電極の前記穴による露出部に
めっきを施し、かつ銅箔とめっき膜をパターニングした
コア基板と、 前記コア基板の両面に重ねたプリプレグを熱プレスによ
り一体化した層を上下にそれぞれ1層以上有することを
特徴とする多層基板。
2. A prepreg having holes formed therein is embedded with ceramic chips having upper and lower surfaces provided with electrodes, and is provided above and below the ceramic chips at portions corresponding to the positions of the ceramic chips.
A copper substrate having several holes perforated is integrated by hot pressing, and plating is performed on the copper foil and an exposed portion of the electrode due to the holes, and a core substrate in which a copper foil and a plating film are patterned, and A multi-layer substrate having one or more layers each of which has a prepreg laminated on both sides of a core substrate and is integrated by hot pressing.
【請求項3】請求項1または2の多層基板において、 前記セラミックチップの一部または全部が高誘電率セラ
ミックからなり、該高誘電率セラミックに多層のコンデ
ンサ電極を内蔵したことを特徴とする多層基板。
3. A multi-layer substrate according to claim 1 or 2, that some or all of the ceramic chip made of a high dielectric constant Sera <br/> Mick, with built-in multi-layer capacitor electrode to the high dielectric constant ceramic Multilayer substrate characterized by.
【請求項4】請求項1または2の多層基板において、 前記セラミックチップは、一部または全部が磁性体セラ
ミックからなり、該磁性体セラミックにインダクタを内
蔵したことを特徴とする多層基板。
4. The multilayer substrate according to claim 1, wherein a part or all of the ceramic chip is made of magnetic ceramic, and an inductor is built in the magnetic ceramic.
【請求項5】請求項1から4までのいずれかの多層基板
において、 前記セラミックチップに、コンデンサとインダクタとを
内蔵したことを特徴とする多層基板。
5. The multilayer board according to any one of claims 1 to 4, wherein a capacitor and an inductor are built in the ceramic chip.
【請求項6】請求項1から5までのいずれかの多層基板
において、 前記セラミックチップの表面に厚膜抵抗を形成したこと
を特徴とする多層基板。
6. The multilayer board according to claim 1, wherein a thick film resistor is formed on a surface of the ceramic chip.
【請求項7】請求項1から6までのいずれかの多層基板
において、 前記多層基板は、前記セラミックチップ以外に、プリプ
レグ数枚分に連続して形成した穴に埋め込んだ磁性セラ
ミックコアを有し、該コアの周囲のプリプレグ数枚分に
形成した導体をビアホールによって接続することにより
形成されたコイルを有することを特徴とする多層基板。
7. The multilayer substrate according to claim 1, wherein the multilayer substrate has, in addition to the ceramic chip, a magnetic ceramic core embedded in a hole continuously formed for several prepregs. , Several prepregs around the core
A multilayer substrate having a coil formed by connecting the formed conductors with via holes .
【請求項8】請求項1から7までのいずれかの多層基板
を有することを特徴とする電子部品。
8. An electronic component comprising the multilayer substrate according to claim 1.
【請求項9】穴をあけたプリプレグにセラミックチップ
を埋め込み、 前記セラミックチップの上下に、該セラミックチップの
位置に対応する部分に数箇所の穴をあけた銅箔を重ねて
熱プレスにより一体化し、 前記銅箔をパターニングしてコア基板を作製し、 前記コア基板の両面にプリプレグを熱プレスにより一体
化する工程を1回以上繰り返すことを特徴とする多層基
板の製造方法。
9. A ceramic chip is embedded in a prepreg having a hole, and the ceramic chip is provided above and below the ceramic chip.
Copper foil with several holes drilled in the part corresponding to the position is integrated by hot pressing, the copper foil is patterned to produce a core substrate, and prepregs are integrated on both sides of the core substrate by hot pressing. A method of manufacturing a multilayer substrate, wherein the step of repeating is repeated one or more times.
【請求項10】穴をあけたプリプレグに上下面に電極を
施したセラミックチップを埋め込み、 前記セラミックチップの上下に、該セラミックチップの
位置に対応する部分に数箇所の穴をあけた銅箔を重ねて
熱プレスにより一体化し、 前記銅箔上および前記電極の前記穴による露出部にめっ
きを施し、かつ銅箔とめっき膜をパターニングしてコア
基板を作製し、 前記コア基板の両面にプリプレグを配して熱プレスによ
り一体化する工程を1回以上繰り返すことを特徴とする
多層基板の製造方法。
10. A prepreg having holes formed therein is embedded with ceramic chips having upper and lower surfaces provided with electrodes, and the ceramic chips are provided above and below the ceramic chips.
Copper foil with several holes drilled in the part corresponding to the position is integrated by hot pressing, plating is performed on the copper foil and the exposed part of the hole of the electrode, and the copper foil and the plating film are patterned. The method for producing a multi-layer substrate is characterized in that the step of producing a core substrate, arranging prepregs on both surfaces of the core substrate and integrating them by hot pressing is repeated one or more times.
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