JP3435650B1 - ６角形状隔壁リブセル構造のｐｄｐ - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 ＡＣ型ＰＤＰにおいて、隣接する上下セルの
電荷移動をできるだけ抑制しながら、その上下セル間に
ある電極間の距離を短く設定して、発光効率を高めるＰ
ＤＰを提供するのがその目的である。 【解決手段】 従来の一般的な背面パネルのストライプ
形態の背面隔壁リブに対して、その背面隔壁リブの両側
面から突出する隔壁リブを設けてその先端を接続して突
起隔壁リブを備え、各セルを背面隔壁リブと突起隔壁リ
ブを左右、上下で囲み、ほぼ６角形状のＨＥＸＡＧＯＮ
形態セル構造を形成し、左右に加えて上下セルの電荷移
動を防止し、これにより非放電領域の面積を減少させて
発光効率を向上させる構成のＰＤＰとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型プラズマデ
ィスプレーパネル（ＰＤＰ）に係り、特に、背面パネル
に背面隔壁リブに加えて背面隔壁リブの側壁両側へ３角
状に突出する壁リブを接続させた突起隔壁リブを形成さ
せ、ＰＤＰの各放電セルの周囲をそれらの隔壁リブで構
成し、ほぼ６角形状のセル構造とし、左右セルへの誤放
電防止に加えて上下セルへの誤放電防止機能のあるＰＤ
Ｐに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰは前面パネルと背面パネルの２枚
の板状ガラスを張合わせ、多くの微小空間であるセル構
造を形成させ、封入したガスを放電させ、ガス放電によ
り発生した紫外線がそのセル内の蛍光体を励起させ、可
視光を得て、表示動作させる自発光型ディスプレイであ
る。その中の従来の一般的なＡＣ型ＰＤＰの構成につい
て、図４、図５により以下に説明する。

【０００３】図４（ａ）、（ｂ）にはその背面パネル
２′と前面パネル１′をそれぞれ示す。

【０００４】図５（ｂ）は前記背面パネル２′上側に前
記前面パネル１′を搭載し、それぞれの電極を直交する
ように対向させ組立てた状態の電極構成の断面図を示
す。

【０００５】その断面図は後述する前面パネルと１′の
第１の金属電極１１に沿って、その電極線位置でパネル
面に垂直に切断した組立断面図である。また、図５
（ｃ）は図５（ｂ）のＸ−Ｘ断面を示す。

【０００６】図５（ａ）は組立られたＰＤＰの平面図で
あり、背面パネル２′側の電極配置と前面パネル１′側
の電極配置とが直交した状態を示している。但し、前面
パネル１′のガラス基板１０を取除いた状態を図示して
ある。

【０００７】以下、詳細に、図４、５の示す電極構造を
説明する。前面パネル１′は、そのガラス基板１０上に
一方向（図では水平方向）に延びたＩＴＯ膜などの第１
の透明電極１３′及びその上の一端側にバス電極線とな
るスキャン用第１の金属電極（Ａｇ）１１を積層した第
１の複合電極１５と、その第１の複合電極１５に並行す
る第２の透明電極１３″及びその上にバス電極線として
放電維持のサステン用第２の金属電極を積層した第２の
複合電極１６とにより構成される複数の複合電極対が、
その対の第１及び第２の透明電極１３′、１３″間で所
定の放電間隙長を離して対向配置され、それらの電極対
の各中心位置を第１の所定ピッチ間隔長Ｐ１で配列され
るバス電極構成である。

【０００８】さらに、それらのバス電極対１５、１６を
覆うようにして透明な誘電体層１４が形成され、その上
に薄い保護膜（ＭｇＯ）１７が形成される。（図４には
図示されていないが、図５（ｂ）、（ｃ）の断面図に図
示されている。）

【０００９】なお、バス電極対１５、１６と、それに隣
接するバス電極対１５、１６との間にはブラックストラ
イプの領域１９がある。（図４（ｂ）及び図５（ｃ）に
図示されている。）

【００１０】一方、背面パネル２′は、そのガラス基板
２０上に前記方向に直行する垂直方向に延びる複数のデ
ータ用第３背面電極２１の中心位置が第２の所定ピッチ
間隔Ｐ２で配列され、それらを覆うようにして白色誘電
体層２３が形成され、その上に第３の背面金属電極２１
の中間部に沿って背面隔壁リブ２２を形成させ、その背
面隔壁リブ２２の底面にある白色誘電体層２３を覆うよ
うにして蛍光体（Ｒ、Ｂ、Ｇ）２４が形成される。

【００１１】第１及び第２の複合電極対１５、１６と、
第３の背面金属電極２１との間には放電ガス空間を介し
てそれらの電極群が直交するように対向して配置され
て、複数のセル構成を形成し、第１の複合電極１５と第
３の電極２１により第１の複合電極１５が逐次スキャン
した行の発光させるべきセルを帯電させるアドレッシン
グを順次行を選択して行うと共に、第２の複合電極１６
によってそのセル面放電発光を維持するいわゆる３電極
面放電機構である。

【００１２】図５（ａ）は、その面放電発光のセルの放
電領域Ａと、それらセル間のブラックストライプ１９領
域を含む非放電領域Ｂについて示したものである。

【００１３】図５（ａ）において、Ｗは背面隔壁２２間
の間隙長である。Ｌは第１及び第２金属電極１１，１２
間の垂直方向のセル発光部の放電電極間隙長である。ま
た、Ｍは、第１及び第２の複合電極１５、１６対のセル
と隣接する複合電極１５、１６対のセルとの間であるセ
ル間の非放電領域の垂直方向の長さである。このセル間
には通常ブラックストライプ領域１９がある。

【００１４】従ってセルの放電領域Ａは面積Ｌ×Ｗであ
り、セル間の非放電領域Ｂは面積Ｍ×Ｗである。

【００１５】従来の通常の背面隔壁形態のＡＣ型ＰＤＰ
では上下セルへの誤放電を防止するためのＬ／Ｍは１程
度に設定されていた。すなわち、発光効率に関係する面
積比Ａ／（Ａ＋Ｂ）は５０％程度であった。尚、以上の
ようなＰＤＰに関しては、例えば、特開平６−２６７７
４２号公報などに数多く公開されている。

【００１６】以上のような従来の一般的なＡＣ型ＰＤＰ
は以下に示す問題点があった。すなわち、背面隔壁リブ
２２により放電時、セルの左右方向に越えて行く電荷を
遮断して誤放電が起きることを防止している。しかしこ
のような構造は上下セル間の電荷移動を防止する隔壁が
ないために上下セル間の電荷移動はバス電極間、つま
り、隣接セル間の距離を大きくして誤放電現象を防止し
ている。

【００１７】このような従来のストライプ形態の隔壁構
造は上側セルと下側セルの区分を隔壁でなく電極間の距
離で電荷移動を抑制するために、前述したようにセル放
電領域Ａと、隣接セル間の非放電領域Ｂにわけられるよ
うになり、可視光線はセル放電領域Ａからのみ得ること
になり、発光効率は、Ａ／（Ａ＋Ｂ）の比で低下する。

【００１８】そこで、可能な限り各セルの放電領域Ａの
面積Ｌ×Ｗを広くし隣接セル間の非放電領域Ｂの面積Ｍ
×Ｗを狭くして発光効率を向上させるようにするが、次
第に上下セル間が狭くなり誤放電が起こり不安定となる
画質の鮮明度が低下する。

【００１９】従来の背面隔壁リブのみのストライプ形態
のＰＤＰにおいては、実用となるＡ／（Ａ＋Ｂ）の値は
５０％程度であり、それ以上は約６０％程度までが限度
であった。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した問題
点に鑑みてなされたものであり、隣接する上下セルの電
荷移動をできるだけ抑制しながら、その上下セル間にあ
る電極間の距離を短く設定して、前記発光効率を高める
ＰＤＰを提供するのがその目的である。

【００２１】これを実現させるために従来の一般的な背
面パネル１′のストライプ隔壁形態に対して、さらにそ
の隔壁リブ２２に垂直に突出した突起隔壁リブを設け、
左右セル間の電荷移動の抑制に加えて上下セル間の電荷
移動を抑制するようにして各セル毎に周囲を隔壁リブで
取り巻かれるようにするものである。

【００２２】以上のようにして、放電時における上下セ
ル間の電荷移動を最大限に抑制できると共に、上下セル
間のバス電極間の距離を従来より大幅に減らすことがで
きる。

【００２３】従って、単位面積当たりの可視光線が従来
より多くなり発光効率を向上させる構成となる。

【００２４】また、従来のストライプ形態の隔壁リブ２
２に対して、本発明のセル毎に周囲を取り巻くように突
起隔壁リブを加えることによりセル間の非放電領域Ｂを
減少させ、セルの放電領域Ａをその分増加させ、蛍光体
２４の塗布面積が増加し、単位セルあたりの可視光線の
発光面積の増加により輝度を向上させることができる。

【００２５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の６角形状隔壁リブセル構造のＰＤＰは、水
平方向に延びる第１の透明電極及びその上にバス電極線
としてスキャン用第１金属電極を積層した第１の複合電
極と、その第１の複合電極に並行する第２の透明電極及
びその上にバス電極線として放電維持のサステン用第２
の金属電極を積層した第２の複合電極とにより構成され
る複数の複合電極対が、その対の第１及び第２の透明電
極間で所定の放電間隙長を離して対抗配置され、その電
極対の各中心位置を第１の所定ピッチ間隔で配列される
バス電極構成の前面パネルと、垂直方向に延びる複数の
データ用第３背面金属電極の中心位置が第２の所定ピッ
チ間隔で配置され、それぞれの電極間に背面隔壁リブを
配設する電極構成の背面パネルとを放電ガス空間を挟ん
で対向させる封合によりセル群構造を形成させ、第１及
び第３の電極により前記セルのアドレッシングを行い、
第１及び第２の電極よりその選択されたセル群の放電を
維持するようにしたＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記背面パ
ネルの第２の所定ピッチで配置された背面隔壁リブ群
は、その両側面から第１の所定ピッチ毎にそれぞれ左右
双方向へ３角形状に突出する突起壁リブとそれら突起壁
リブ先端が対向隣接する背面隔壁リブの、突起リブ先端
に接続される突起隔壁リブによる構造に形成され、その
各セルはそれぞれ水平方向は背面隔壁リブにより、且つ
垂直方向は突起隔壁リブによりほぼ６角形状隔壁リブで
周囲を取巻くＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造を備え、前記
突起隔壁リブにより上下方向の電荷移動を抑制できるの
で、前記前面パネルにおける前記複合電極対は、その隣
接する複合電極対との対間隙長を短く形成させ複合電極
対の第１及び第２の金属電極の間隙巾Ｌと、背面隔壁間
隙巾Ｗとの積であるセル放電領域Ａと、第２の金属電極
とそれに隣接するセルの第１の金属電極との間の間隙巾
Ｍと背面隔壁間隙巾Ｗとの積であるセル間非放電領域Ｂ
との比Ａ／Ｂを増加させ発光効率を向上できることを特
徴とする。

【００２６】また、前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の
形成に際しては、前記突起隔壁リブの壁巾は、前記背面
隔壁リブの壁巾の５０〜６０％の構造に形成し、その焼
成工程時に、焼成温度５５０℃で１０分間焼成し、焼成
後は壁巾の狭い突起隔壁リブの高さが、背面隔壁リブの
高さより３〜５μｍ低くなるようにして、次の排気工程
及びガス投入工程の際のガス分子の円滑な通路となるこ
とを特徴とする。

【００２７】また、前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の
形成に際しては、その構造をサンドブラスト加工工程に
より形成し、その突起隔壁リブの高さと、背面隔壁リブ
の高さに差異ができるようにすることを特徴とする。

【００２８】また、前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の
形成に際して、前記背面隔壁リブより左右双方向へ３角
形状に突出する突起壁リブのほぼ菱形上の中心にホール
部を設け、そのホール部周囲リブの壁巾が背面隔壁リブ
の壁巾とほぼ同一線巾の構造に形成し、その構造により
焼成工程後ホール部周囲リブと背面隔壁リブの高さが同
じ高さに保つことを特徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
図に基づいて説明する。

【００３０】本発明の６角形状のＨＥＸＡＧＯＮ形態の
背面パネル２ガラス基板２０に形成された隔壁リブセル
構造を図１に示し、そのＨＥＸＡＧＯＮ形態背面パネル
２と図４の前面パネル１′のガラス基板１０の電極部が
直交するように対向し封合させた構造の一実施の形態の
ＰＤＰを図２に示す。

【００３１】図１はそのＰＤＰの背面パネル２のガラス
基板２０に形成された背面隔壁リブ２２及びその背面隔
壁側面からほぼ３角状に突出して、その先端を接続した
突起隔壁リブから周囲を囲まれたほぼ６角形状のＨＥＸ
ＡＧＯＮ形態隔壁を示す。

【００３２】ここで、Ｈ−１は上下（或は垂直方向）隣
接セル誤放電防止隔壁、Ｈ−３は左右（或は水平方向）
隣接セル誤放電防止隔壁（背面隔壁リブ２２の一部分に
相当）、Ｈ−２はそれら誤放電防止隔壁Ｈ−１，Ｈ−３
によって周囲が囲まれた放電セルであり、ＨＥＸＡＧＯ
Ｎ形態のほぼ６角形状を示す。Ｈ−４は背面隔壁リブ２
２に、第１の所定ピッチＰ１毎に設けられたホール部で
あり、その位置からリブ２２の両側に前述した３角状に
突出して、両側からの壁を接続して突起隔壁リブＨ−１
が形成されている。

【００３３】そのホール部Ｈ−４はその周囲の壁の巾
（厚さ）をほぼ同一となるように穴を形成して、焼成工
程による焼成後のホール部Ｈ−４周囲の隔壁リブＨ−５
の高さを背面隔壁リブ２２（或はＨ−３）の高さと同一
に保つようにする役割をする。

【００３４】図１のＨＥＸＡＧＯＮ形態の隔壁は、さら
に以下のような構成が含まれている。この詳細を次に説
明する。

【００３５】すなわち、図１に示す背面パネル２と、図
４に示す従来の前面パネル１′とをそれらの電極部が直
交するように対向し封合させた構造の本発明の一実施の
形態であるＰＤＰ（図２にその際の放電セル構造の斜視
図を示す）において、その放電セルＨ−２のＨＥＸＡＧ
ＯＮ形態隔壁が周囲全部が隔壁リブで囲まれるため、排
気工程で排気が不充分となり、また、放電ガスをパネル
に供給するとき、円滑な供給ができない恐れがある。

【００３６】そこで、図１の上下セル誤放電防止隔壁Ｈ
−１（突起隔壁リブ）の壁の高さを、左右セル誤放電防
止隔壁Ｈ−３（背面隔壁リブ２２の一部）の壁の高さよ
り約３〜５μｍ程度低くなるようにする。

【００３７】焼成工程で隔壁材料が収縮するので、収縮
率が一定であることを判定して隔壁の巾によって収縮す
る量を調節する。

【００３８】すなわち、隔壁Ｈ−１の隔壁巾が隔壁Ｈ−
３の隔壁巾の５０〜６０％に焼成工程前に形成するよう
にする。以下に示す実験結果により、５０〜６０％の範
囲より以下の場合は隔壁Ｈ−１の焼成後の壁の高さは不
均一となり部分的に切れる場合がある。５０〜６０％の
範囲以上の場合は壁Ｈ−１の高さは壁Ｈ−３の高さとほ
とんど変わらない。

【００３９】 （Ｈ−３とＨ−１の隔壁巾の差が焼成後に壁の高さへの影響実験結果例） Ｈ−３の Ｈ−１の 結果（高さ） 隔壁巾（μｍ） 隔壁巾（μｍ） ８０ ＜４０ △（Ｈ−１の部分切れが多い） ８０ ５０ 〇（４〜５μｍＨ−１が小さい） ８０ ６０ △（高さの差がない）

【００４０】さらに、焼成温度によっても隔壁の形態が
変るので、背面隔壁リブ２２、Ｈ−３の壁巾の５０〜６
０％の突起隔壁リブＨ−１の壁巾に形成した条件におい
て５１０℃／１０分、５５０℃／１０分、５８０℃／１
０分の焼成工程の実験結果を下記に示す。

【００４１】図１のＨ−３とＨ−１の壁の高さの差異
は、５８０℃／１０分の場合は８〜１０μｍ以上の差異
があり、５１０℃／１０分の場合はほとんど差異がな
く、収縮もほとんど発生しない。５５０℃／１０分の場
合は３〜５μｍの差異があり、最も良好な結果を得た。

【００４２】 （Ｈ−３とＨ−１の隔壁の高さと焼成温度との関係を示す実験結果例） 焼成温度 Ｈ−３とＨ−１の高さの差 結果 ５１０℃／１０分 １μｍ＞ △ ５５０℃／１０分 ３〜５μｍ 〇 ５８０℃／１０分 ８μｍ＜ ×

【００４３】以上の結果により、背面隔壁リブ２２、Ｈ
−３の壁巾の５０〜６０％の突起隔壁リブＨ−１の壁巾
に形成した条件で焼成温度５５０℃／１０分とすれば、
焼成後のＨ−１の壁の高さが、Ｈ−３の壁の高さより３
〜５μｍ低くなり排気工程、ガス投入工程の際のガス分
子の円滑な通路となる。

【００４４】次に、図１のホール部Ｈ−４の周囲隔壁Ｈ
−５の隔壁の巾が前述したようにできるだけ隔壁Ｈ−３
の隔壁の巾と同じに焼成工程前に形成する。この部分に
ホール部Ｈ−４を形成しないときには焼成後のホール部
Ｈ−４周囲隔壁Ｈ−５の高さが隔壁Ｈ−３より高くなる
現象が発生する。従って、隔壁Ｈ−５と隔壁Ｈ−３は同
一の壁巾にする必要性がある。そのためにホール部Ｈ−
４を必要とする。すなわち、背面隔壁リブ２２の両側面
から３角形状に突出して広い面積の隔壁リブを形成する
が、その中心部分に穴のホール部Ｈ−４を設け、その周
囲の隔壁Ｈ−５の壁巾を隔壁Ｈ−３とほぼ同一に形成す
る。

【００４５】またこのような構造により、サンドブラス
ト工程加工時に中心部分も研磨され壁巾同一が維持され
る。尚、放電セルＨ−２はその研磨はホワイトバックが
完全に表れるようにするが、ホール部Ｈ−４の研磨はホ
ワイトバックが表れなくともよい。

【００４６】従ってサンドブラストの加工工程は放電セ
ルＨ−２の形成が完全になる時を基準としてよい。

【００４７】 （ホール部Ｈ−４に関する焼成工程後の実験結果例） ホール部Ｈ−４の形態 焼成温度 Ｈ−３とＨ−５の高さの偏差 穴がない形態 ５８０℃ ×（高さの偏差非常に激しい） 穴がある形態 ５８０℃ △（１０μｍ以内の高さの偏差） 穴がある形態 ５５０℃ 〇（１〜２μｍ以内の高さの偏差） なお、本発明の突起隔壁リブ構造により、ホワイトバッ
ク表面とのせっしょく面積が従来のストライプ形態に比
較して数倍に広くなるので接着力が増加し、実験結果で
も、その剥離過程で隔壁がレジストと共に落ち出す減少
が殆ど発生しなくなる。

【００４８】次に、図２のような本発明の背面パネル２
のガラス基板２０と図４の従来からある一般的な前面パ
ネル１′のガラス基板１０のそれぞれの電極部（第１、
第２の複合電極１５，１６と第３の背面金属電極２１）
が直交するように対向し、放電ガスを封入して背面パネ
ルと前面パネルを封合させた本発明の一実施の形態の構
成のＡＣ型ＰＤＰと従来の一般的な構成のＡＣ型ＰＤＰ
について、セルの放電領域Ａと非放電領域Ｂの面積を比
較する説明図を図３に示す。

【００４９】ここで、Ａ、Ｂ、Ｌ、Ｍ、Ｗ、Ｐ１につい
ては従来のＡＣ型ＰＤＰにおいて説明した符号と同一で
ある。

【００５０】図３に示すように、本発明の実施例（ａ）
と従来例（ｂ）とをＷ及びＰ１を一定にして、Ａ、Ｂ領
域を比較している。従来例（ｂ）ではＬ／Ｍの比はほと
んど同程度すなわちＡ／Ｂの比は１或は１を少し超える
程度に設計せざるを得なかった。１を少し越えると上下
隣接セルを放電ガスが移動して誤放電が発生しやすくな
る。

【００５１】一方、本発明の実施例ではＬ／Ｍの比が数
倍程度に設計しても上下隣接セルとの誤放電を防止でき
る。

【００５２】よって、Ａ／Ｂの比は数倍程度が可能とな
り、発行効率Ａ／（Ａ＋Ｂ）は向上させることができ
る。

【００５３】尚、図３では、Ｗの背面隔壁リブ間の長さ
をＰ１の第１の所定ピッチと同じような寸法にして説明
してあるが、Ｗの長さは金属電極２１が配置される第２
の所定ピッチＰ２に定まるものであり、そのＷの長さに
より放電セルＨ−３の周囲隔壁の形状はほぼ６角形状に
なったり、ほぼ４角形状となったりする。図３の場合は
Ｗの長さが比較的長いのでほぼ４角形状となる。

【００５４】

【発明の効果】本発明の６角形状隔壁リブセル構造のＰ
ＤＰは以下に示す効果を奏する。

【００５５】上下隣接セル間の電荷の移動を抑制する突
起隔壁リブを背面隔壁リブ間に設けたＨＥＸＡＧＯＮ形
態による隔壁リブで周囲を囲むセル構造として、電荷移
動防止のために必要であった非放電領域を必要最小限に
減らして発光効率を従来より大幅に向上させることがで
きる。

【００５６】ＨＥＸＡＧＯＮ形態の隔壁の囲まれたセル
全体へ蛍光体が塗布できるので、セル全体から可視光線
が出てくるようにできるので、輝度が従来の一般的なＰ
ＤＰの約２０％程度向上できる。

【００５７】従来のサンドブラスト工程で隔壁を形成す
る時、従来のストライプ形態の背面隔壁を使用する場
合、剥離過程で隔壁がレジストと共に落ちだす現象が多
く発生した。これは生産収率を低下させる大きな原因の
一つとなっていた。また、これを防止するため、ストラ
イプ形態隔壁ではホワイトバック表面と隔壁の接触面積
を広くして、接着力を増加させる構造を用いた。しかし
接触面積を広くするためには背面隔壁の巾を広くしなけ
ればならないので、これは放電セル面積を狭くすること
になり、それは発光効率を減少させることになる。

【００５８】本発明では突起隔壁リブにより発光効率を
減少させずに、その突起隔壁リブにより接触面積が従来
のストライプ形態に比較して数倍に広くなるので接着力
が増加して生産収率が大きく向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の背面パネルガラス基板に形成された背
面隔壁リブ及び突起隔壁リブからなるＨＥＸＡＧＯＮ形
態の構成図である。

【図２】本発明の背面パネルと一般的な前面パネルの電
極部が直交するように対向し封合させた構成の一実施の
形態のＰＤＰセル構造斜視図である。

【図３】本発明のＰＤＰと従来のＰＤＰにおけるセルの
放電領域とセル間非放電領域の面積比の比較説明図であ
る。

【図４】従来のＡＣ型ＰＤＰの構成図である。

【図５】（ａ）は組立てられたＰＤＰの平面図であり、
（ｂ）はその断面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＸ−Ｘの
断面図である。

【符号の説明】

１、１′ 前面パネル ２、２′ 背面パネル １０ 前面パネルのガラス基板 １１、１１′ スキャン用第１の金属電極 １２、１２′ サステン用第２の金属電極 １３′、１３″ それぞれ第１、第２の透明電極（ＩＴ
Ｏ） １４ 誘電体層 １５ １１と１３からなる第１の複合電極 １６ １２と１３からなる第２の複合電極 １７ 保護膜（ＭｇＯ） １９ ブラックストライプ領域 ２０ 背面パネルのガラス基板 ２１ データ用第３の背面金属電極 ２２ 背面隔壁リブ ２３ 誘電体層 ２４ 蛍光体（Ｒ、Ｂ、Ｇ） Ｈ−１ 上下隣接セル誤放電防止隔壁（背面隔壁リブ
２２の両側面から突出した壁に接した突起隔壁リブ） Ｈ−２ 放電セル（ＨＥＸＡＧＯＮ形態の隔壁リブに
より囲まれる） Ｈ−３ 左右隣接セル誤放電防止隔壁（背面隔壁リブ
２２の一部に相当） Ｈ−４ ホール部（周囲リブ壁巾をほぼ同一にするた
めの穴） Ｈ−５ ホール部周囲の隔壁リブ Ａ セルの放電領域 Ｂ 隣接セル間の非放電領域 Ｌ 第１及び第２金属電極間のセル放電電極間隙長 Ｍ 第１及び第２複合電極対と隣接する電極対間のセ
ル間隙長 Ｐ１ 第１及び第２の複合電極対の中心間隔長、第１
の所定ピッチ Ｐ２ 第３背面金属電極中心間隔長、第２の所定ピッ
チ Ｗ 背面隔壁側面間隔長

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 11/02

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水平方向に延びる第１の透明電極及びそ
   の上にバス電極線としてスキャン用第１金属電極を積層
   した第１の複合電極と、その第１の複合電極に並行する
   第２の透明電極及びその上にバス電極線として放電維持
   のサステン用第２の金属電極を積層した第２の複合電極
   とにより構成される複数の複合電極対が、その対の第１
   及び第２の透明電極間で所定の放電間隙長を離して対抗
   配置され、その電極対の各中心位置を第１の所定ピッチ
   間隔で配列されるバス電極構成の前面パネルと、 垂直方向に延びる複数のデータ用第３背面金属電極の中
   心位置が第２の所定ピッチ間隔で配置され、それぞれの
   電極間に背面隔壁リブを配設する電極構成の背面パネル
   とを放電ガス空間を挟んで対向させる封合によりセル群
   構造を形成させ、第１及び第３の電極により前記セルの
   アドレッシングを行い、第１及び第２の電極よりその選
   択されたセル群の放電を維持するようにしたＡＣ型ＰＤ
   Ｐにおいて、 前記背面パネルの第２の所定ピッチで配置された背面隔
   壁リブ群は、その両側面から第１の所定ピッチ毎にそれ
   ぞれ左右双方向へ３角形状に突出する突起壁リブとそれ
   ら突起壁リブ先端が対向隣接する背面隔壁リブの、突起
   リブ先端に接続される突起隔壁リブによる構造に形成さ
   れ、その各セルはそれぞれ水平方向は背面隔壁リブによ
   り、且つ垂直方向は突起隔壁リブによりほぼ６角形状隔
   壁リブで周囲を取巻くＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造を備
   え、 前記突起隔壁リブにより上下方向の電荷移動を抑制でき
   るので、前記前面パネルにおける前記複合電極対は、そ
   の隣接する複合電極対との対間隙長を短く形成させ複合
   電極対の第１及び第２の金属電極の間隙巾Ｌと、背面隔
   壁間隙巾Ｗとの積であるセル放電領域Ａと、第２の金属
   電極とそれに隣接するセルの第１の金属電極との間の間
   隙巾Ｍと背面隔壁間隙巾Ｗとの積であるセル間非放電領
   域Ｂとの比Ａ／Ｂを増加させ発光効率を向上できること
   を特徴とする６角形状隔壁リブセル構造のＰＤＰ。
2. 【請求項２】 前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の形成
   に際しては、前記突起隔壁リブの壁巾は、前記背面隔壁
   リブの壁巾の５０〜６０％の構造に形成し、その焼成工
   程時に、焼成温度５５０℃で１０分間焼成し、焼成後は
   壁巾の狭い突起隔壁リブの高さが、背面隔壁リブの高さ
   より３〜５μｍ低くなるようにして、次の排気工程及び
   ガス投入工程の際のガス分子の円滑な通路となることを
   特徴とする請求項１記載の６角形状隔壁リブセル構造の
   ＰＤＰ。
3. 【請求項３】 前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の形成
   に際しては、その構造をサンドブラスト加工工程により
   形成し、その突起隔壁リブの高さと、背面隔壁リブの高
   さに差異ができるようにすることを特徴とする請求項１
   記載の６角形状隔壁リブセル構造のＰＤＰ。
4. 【請求項４】 前記ＨＥＸＡＧＯＮ形態セル構造の形成
   に際して、前記背面隔壁リブより左右双方向へ３角形状
   に突出する突起壁リブのほぼ菱形上の中心にホール部を
   設け、そのホール部周囲リブの壁巾が背面隔壁リブの壁
   巾とほぼ同一線巾の構造に形成し、その構造により焼成
   工程後ホール部周囲リブと背面隔壁リブの高さが同じ高
   さに保つことを特徴とする請求項１記載の６角形状隔壁
   リブセル構造のＰＤＰ。