JP3434704B2 - Conductive element array sheet manufacturing equipment - Google Patents
Conductive element array sheet manufacturing equipmentInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体パッ
ケージにおいて半導体素子や回路基板の電極上にバンプ
を形成するための導電性要素配列シートおよびその製造
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive element array sheet for forming bumps on electrodes of a semiconductor element or a circuit board in a semiconductor package, for example, and a manufacturing apparatus therefor.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体パッケージにおいて、例え
ば半導体素子は樹脂等により封止され、この封止樹脂の
側面から外側に向かって金属板状の外部端子であるリー
ドフレームが延び、各リードフレームは回路基板の対応
する電極に電気的に接続される。このようなリードフレ
ームを用いた半導体パッケージは、外部端子数の増加に
伴い大型化するため、小型化の要求に対応できない。そ
こで近年ではリードフレームの代わりに、外部端子とし
て封止樹脂の底面に半田による突起電極、即ちバンプを
形成するBGA(Ball Grid Array )方式が提案され、
外部端子数の増加と小型化との要求に対処している。ま
た、回路基板および半導体素子にそれぞれバンプを形成
し、バンプをそれぞれ対応づけて半田付けすることによ
り、半導体素子を直接回路基板に接着する、即ち実装す
るフリップチップ方式も提案されている。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor package, for example, a semiconductor element is sealed with a resin or the like, and a lead frame, which is a metal plate-shaped external terminal, extends outward from the side surface of the sealing resin. It is electrically connected to the corresponding electrode of the circuit board. A semiconductor package using such a lead frame becomes larger with an increase in the number of external terminals, and thus cannot meet the demand for downsizing. Therefore, in recent years, in place of the lead frame, a BGA (Ball Grid Array) method has been proposed in which protruding electrodes, that is, bumps, are formed on the bottom surface of the sealing resin as external terminals by soldering,
We are responding to the demand for an increase in the number of external terminals and miniaturization. Further, a flip chip method has also been proposed in which bumps are formed on a circuit board and a semiconductor element, respectively, and the bumps are associated with each other and soldered, so that the semiconductor element is directly bonded to the circuit board, that is, mounted.
【0003】このようなバンプは、例えば半田ボール等
の導電性要素を半導体素子表面に設けられた多数の電極
上にそれぞれ配列させ、これらの導電性要素を電極に加
熱融着させることにより得られる。導電性要素を電極上
に配列させるために、例えば予め別の基板上に配列させ
た導電性要素を、半導体素子の電極に転写する、あるい
は電極パターンに対応した穴を有するマスクを半導体素
子に被せて、その上から蒔かれた導電性要素を刷毛等に
よって各穴に挿入する、即ちスクイーズすることが行わ
れる。Such a bump is obtained by arranging conductive elements such as solder balls on a large number of electrodes provided on the surface of a semiconductor element, and heating and fusing these conductive elements to the electrodes. . In order to arrange the conductive elements on the electrodes, for example, the conductive elements previously arranged on another substrate are transferred to the electrodes of the semiconductor element, or the semiconductor element is covered with a mask having holes corresponding to the electrode patterns. Then, the conductive element that is sown from above is inserted into each hole by a brush or the like, that is, squeezed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
導電性要素の配列には次のような問題点がある。前者の
ように転写により配列させる場合、転写時において導電
性要素の位置ずれまたは落下が生じる他、転写用の基板
が反りまたは変形を有していると転写が正確に行われな
いことがある。また、導電性要素は基板への加圧によっ
て押圧され、これにより基板から半導体素子へ転写され
るため、導電性要素の変形は避けられない。半導体素子
表面からの導電性要素の高さが不均一であると、回路基
板へ接着しない導電性要素が生じる恐れがある。このた
め半導体パッケージ製造後に、半導体素子の全電極が回
路基板の対応する電極に接続されたかどうかを検査する
工程と、接続不良の電極を修復する工程が必要となり、
生産効率が悪いことが問題である。However, the arrangement of the conductive elements as described above has the following problems. When the elements are arranged by transfer as in the former case, the conductive elements may be displaced or dropped at the time of transfer, and if the transfer substrate has a warp or deformation, the transfer may not be performed accurately. Further, the conductive element is pressed by the pressure applied to the substrate, and thereby transferred from the substrate to the semiconductor element, so that the deformation of the conductive element is unavoidable. An uneven height of the conductive element from the surface of the semiconductor element may result in the conductive element not adhering to the circuit board. For this reason, after the semiconductor package is manufactured, a step of inspecting whether all the electrodes of the semiconductor element are connected to the corresponding electrodes of the circuit board and a step of repairing the electrode with a poor connection are required,
The problem is poor production efficiency.
【0005】後者のように穴を有するマスクを用いて配
列させる場合、前者のように導電性要素の位置ずれ、落
下および変形は防止されるが、半導体素子をスクイーズ
する工程と、導電性要素が確実に全穴に入ったかどうか
を確認する工程とが必要であり、この場合も生産効率が
悪いことが問題となる。When the masks having holes are arranged like the latter, the conductive elements are prevented from being displaced, dropped and deformed as in the former, but the step of squeezing the semiconductor element and the conductive elements are A process for surely checking whether all the holes have been filled is necessary, and in this case also, there is a problem that production efficiency is poor.
【0006】本発明はこの様な点に鑑みてなされ、導電
性要素配列シートを用いることにより、導電性要素を半
導体素子や回路基板の電極へ容易かつ高精度に配列さ
せ、半導体パッケージの生産性を向上させることが目的
である。The present invention has been made in view of the above circumstances, and by using the conductive element array sheet, the conductive elements can be easily and highly accurately arrayed on the electrodes of the semiconductor element or the circuit board to improve the productivity of the semiconductor package. Is to improve.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の導電性要素配列
シート製造装置は、所定のパターンに従って導電性要素
を転写板の一方の面に配列させる配列手段と、熱可塑性
樹脂を主成分とする絶縁層を備えたシートを製造するシ
ート製造手段と、絶縁層の一方の面を転写板の導電性要
素が設けられた面に対向させ、絶縁層の転写板に対向す
る面あるいは転写板に対向する面とは反対側の面の、少
なくとも一方の面側から加熱加圧することにより、導電
性要素の一部を絶縁層に密着固定させる加熱加圧手段と
を備えることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION Conductive element array of the present invention.
The sheet manufacturing apparatus uses conductive elements according to a predetermined pattern.
Aligning means for arranging the transfer plate on one side of the transfer plate and the thermoplastic
A system for manufacturing a sheet with an insulating layer composed mainly of resin.
Of the transfer plate and one side of the insulating layer.
Face the surface on which the element is provided and face the transfer plate of the insulating layer.
Surface or the surface opposite to the surface facing the transfer plate.
Conductive by heating and pressurizing from one side even if not
And pressurizing means for closely fixing a part of the elastic element to the insulating layer
Characterized in that it comprises a.
【0008】[0008]
【0009】[0009]
【0010】[0010]
【0011】[0011]
【0012】[0012]
【0013】[0013]
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【0016】導電性要素配列シート製造装置において、
シート製造手段が、シートの絶縁層の一方の面に金属箔
を密着させてもよく、この場合加熱加圧手段は、絶縁層
の金属箔の設けられていない面を導電性要素に対向さ
せ、金属箔の絶縁層に密着する面とは反対側の面あるい
は絶縁層の金属箔の設けられていない面の少なくとも一
方の面側から加熱加圧を行う。In the conductive element array sheet manufacturing apparatus,
The sheet manufacturing means may adhere a metal foil to one surface of the insulating layer of the sheet, in which case the heating and pressing means makes the surface of the insulating layer on which the metal foil is not provided face the conductive element, Heating and pressurization is performed from at least one surface side of the surface of the metal foil opposite to the surface in close contact with the insulating layer or the surface of the insulating layer on which the metal foil is not provided.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明による導電性要素配
列シートおよび導電性要素配列シート製造装置の実施形
態について添付図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a conductive element array sheet and a conductive element array sheet manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0018】図1には、第1実施形態である導電性要素
配列シートの断面図が示される。導電性要素配列シート
10は、熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層からなるシ
ート12と、このシート12に密着固定された導電性要
素14とを備える。各導電性要素14はシート12の上
面12uに上方から押下され、約下半分がシート12の
変形と共に埋め込まれる。各導電性要素14の約上半分
はシート12の上面12uから突出する。FIG. 1 shows a sectional view of the conductive element array sheet of the first embodiment. The electrically conductive element array sheet 10 includes a sheet 12 made of an insulating layer containing a thermoplastic resin as a main component, and an electrically conductive element 14 closely fixed to the sheet 12. Each conductive element 14 is pressed onto the upper surface 12u of the sheet 12 from above, and about the lower half is embedded together with the deformation of the sheet 12. About the upper half of each conductive element 14 projects from the upper surface 12u of the sheet 12.
【0019】熱可塑性樹脂はシリコーン(オルガノポリ
シロキサン類の総称)で変性されたポリイミドであり、
このシリコーン変性ポリイミドに熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂を混合することによりシート12が得られ
る。The thermoplastic resin is a polyimide modified by silicone (general term for organopolysiloxanes),
The sheet 12 is obtained by mixing an epoxy resin, which is a thermosetting resin, with this silicone-modified polyimide.
【0020】熱可塑性樹脂はシリコーン変性ポリイミド
に限定されず、他にポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系
樹脂、アクリル系樹脂、合成ゴム系樹脂等、熱軟化性の
樹脂であればよい。また第1実施形態では、熱可塑性樹
脂に熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を添加している
が、熱可塑性樹脂のみでシート12を形成してもよい。
あるいは熱硬化性樹脂の他、必要に応じてさらに着色
料、無機充填剤、各種カップリング剤を添加してもよ
い。The thermoplastic resin is not limited to the silicone-modified polyimide, but other polyimide-based resins, polyamide-based resins, polyester-based resins, fluorine-based resins, silicone-based resins, acrylic-based resins, synthetic rubber-based resins, etc. Any resin may be used. Further, in the first embodiment, the epoxy resin, which is a thermosetting resin, is added to the thermoplastic resin, but the sheet 12 may be formed of only the thermoplastic resin.
Alternatively, in addition to the thermosetting resin, a colorant, an inorganic filler, and various coupling agents may be added if necessary.
【0021】導電性要素14は、例えば錫40%、鉛6
0%からなる半田ボールである。導電性要素14の材料
として、その材料の融点(半田の場合は共晶点に相当す
る)がシート12中の熱可塑性樹脂のガラス転移温度よ
りも高いものが選択される。これにより、導電性要素1
4を変形させることなく熱可塑性樹脂を熱軟化させ、シ
ート12に埋込むことができる。The conductive element 14 may be, for example, 40% tin, 6 lead.
It is a solder ball consisting of 0%. A material having a melting point (corresponding to a eutectic point in the case of solder) of the conductive element 14 is higher than the glass transition temperature of the thermoplastic resin in the sheet 12 is selected. Thereby, the conductive element 1
The thermoplastic resin can be heat-softened and embedded in the sheet 12 without deforming 4.
【0022】導電性要素14の形状はボール状、即ち真
球に限定されることはなく、円柱等の多面体でもよい。
また導電性要素14の材料は半田に限定されず、他に
金、銀、銅等の金属の単体、あるいはこれら金属の合金
でもよい。さらに、ポリマー粒子に金属メッキを施した
ものや、メタルコアメッキ、即ち金属粒子に別の金属メ
ッキを施したものでもよい。金属メッキに用いられる金
属は主に金であるが、他に銀、銅、半田、およびこれら
の合金を金属メッキに用いてもよい。The shape of the conductive element 14 is not limited to a ball shape, that is, a true sphere, but may be a polyhedron such as a cylinder.
The material of the conductive element 14 is not limited to solder, but may be a simple substance of metal such as gold, silver, copper or an alloy of these metals. Further, the polymer particles may be plated with metal, or the metal core may be plated, that is, the metal particles may be plated with another metal. The metal used for metal plating is mainly gold, but silver, copper, solder, and alloys thereof may be used for metal plating.
【0023】図2は、図1に示す導電性要素配列シート
を製造するための導電性要素配列シート製造装置の構成
を簡略化して示すブロック図である。図3〜図5は導電
性要素配列シート製造装置における製造工程を模式的に
示す断面図である。導電性要素配列シート製造装置は、
シート製造装置22、導電性要素配列装置24、加熱加
圧装置26、および搬送装置28とを備える。FIG. 2 is a block diagram showing a simplified structure of a conductive element array sheet manufacturing apparatus for manufacturing the conductive element array sheet shown in FIG. 3 to 5 are cross-sectional views schematically showing manufacturing steps in the conductive element array sheet manufacturing apparatus. The conductive element array sheet manufacturing apparatus is
A sheet manufacturing apparatus 22, a conductive element arraying apparatus 24, a heating / pressurizing apparatus 26, and a conveying apparatus 28 are provided.
【0024】シート製造装置22において、液状の熱可
塑性樹脂は必要に応じて他の成分が添加され、所定の厚
みThを有するシート状に成型され、さらに所定の大き
さに切断される。これによりシート12(図3)が得ら
れる。シート12はベルトコンベア等の搬送装置28に
よりシート製造装置22から加熱加圧装置26へ搬送さ
れる。In the sheet manufacturing apparatus 22, the liquid thermoplastic resin is added with other components as required, molded into a sheet having a predetermined thickness Th, and further cut into a predetermined size. This gives the sheet 12 (FIG. 3). The sheet 12 is conveyed from the sheet manufacturing apparatus 22 to the heating / pressurizing apparatus 26 by a conveyor 28 such as a belt conveyor.
【0025】一方、導電性要素配列装置24において、
所定のパターンに従って凹部が形成された転写板242
(図4)上に導電性要素14が配列させられる。転写板
242は例えば金属板であり、この転写板242の一方
の表面、即ち上面242uにはレーザ等により半球形状
の凹部242aが形成される。転写板242は支持手段
244により水平に支持され、このとき凹部242aが
形成された上面242uが上方に向けられる。支持手段
244は転写板242を微少振動させることができる。On the other hand, in the conductive element array device 24,
Transfer plate 242 having recesses formed according to a predetermined pattern
The conductive elements 14 are arranged on top (FIG. 4). The transfer plate 242 is, for example, a metal plate, and a hemispherical recess 242a is formed by a laser or the like on one surface of the transfer plate 242, that is, the upper surface 242u. The transfer plate 242 is horizontally supported by the supporting means 244, and at this time, the upper surface 242u in which the concave portion 242a is formed is directed upward. The supporting means 244 can slightly vibrate the transfer plate 242.
【0026】水平に保持された転写板242の上面24
2uには、少なくとも凹部の数より多い導電性要素14
が蒔かれ、その後転写板242は微少振動させられる。
これにより転写板242の上面242u上の導電性要素
14は、凹部242aに一部が収容されることにより位
置決めされるか、あるいは上面242uから転がり落ち
る。このようにして、凹部242aの位置に対応して導
電性要素14が配列される。導電性要素14が配列され
た転写板242は、シート12と同様、搬送装置28に
より加熱加圧装置26へ搬送される。The upper surface 24 of the transfer plate 242 held horizontally
2u has at least more conductive elements 14 than the number of recesses.
And then the transfer plate 242 is slightly vibrated.
As a result, the conductive element 14 on the upper surface 242u of the transfer plate 242 is positioned by being partially accommodated in the recess 242a, or rolls off the upper surface 242u. In this way, the conductive elements 14 are arranged corresponding to the positions of the recesses 242a. The transfer plate 242 on which the conductive elements 14 are arranged is transported to the heating / pressurizing device 26 by the transport device 28, similarly to the sheet 12.
【0027】加熱加圧装置26は、例えば任意の温度に
設定可能な板状のヒートブロック262と、被加熱部材
を支持し、このヒートブロック262とにより被加熱部
材を挟む冷却台264とを備える。ヒートブロック26
2の表面は、テフロンコート等が施され、これにより加
熱加圧時に樹脂であるシート12がヒートブロック26
2の表面に密着することが防止される。なお、ヒートブ
ロック262と冷却台264との位置を互いに入れ替え
てもよい。The heating / pressurizing device 26 is provided with, for example, a plate-shaped heat block 262 capable of setting an arbitrary temperature, and a cooling table 264 that supports the member to be heated and sandwiches the member to be heated by the heat block 262. . Heat block 26
The surface of 2 is coated with Teflon, etc., so that the sheet 12 made of resin is heated by the heat block 26 when heated and pressed.
Adhesion to the surface of No. 2 is prevented. The positions of the heat block 262 and the cooling table 264 may be replaced with each other.
【0028】転写板242は冷却台264の所定位置に
水平に搭載される。シート12は、図3の状態から反転
させた状態、即ち上面12uが転写板242の上面24
2aに対向するように下方に向けられた状態で、転写板
242の上方に搬送される。シート12は、転写板24
2に対して位置決めされた後、転写板242上に重ねら
れる。The transfer plate 242 is horizontally mounted at a predetermined position on the cooling table 264. The sheet 12 is reversed from the state of FIG. 3, that is, the upper surface 12u is the upper surface 24 of the transfer plate 242.
The sheet is conveyed above the transfer plate 242 while being directed downward so as to face 2a. The sheet 12 is a transfer plate 24.
After being positioned with respect to No. 2, they are stacked on the transfer plate 242.
【0029】ヒートブロック262によって、シート1
2のさらに上方から、シート12を転写板242側(図
の白抜き矢印の方向)へ加圧すると共に、シート12を
加熱することによりシート12中の熱可塑性樹脂を熱軟
化させ、これにより導電性要素14がシート12中に埋
め込まれる。以上の工程により図1に示す導電性要素配
列シート10が得られる。The sheet 1 is heated by the heat block 262.
From above the sheet 2, the sheet 12 is pressed toward the transfer plate 242 (in the direction of the outlined arrow in the figure), and the sheet 12 is heated to soften the thermoplastic resin in the sheet 12 and thereby to reduce the conductivity. The element 14 is embedded in the sheet 12. Through the above steps, the conductive element array sheet 10 shown in FIG. 1 is obtained.
【0030】ヒートブロック262の加圧加熱により、
導電性要素14はシート12に強固に密着固定させられ
るので、転写板242上において遊嵌していた導電性要
素14の位置が安定し、導電性要素14の配列位置は高
精度に保たれる。また、ヒートブロック262の加熱温
度は、シート12中の熱可塑性樹脂のガラス転移温度よ
り高く、かつ導電性要素14の軟化・変形・変質を生じ
させない温度、例えば半田の融点である共晶点より低い
温度に設定される。従って、シート12が軟化して変形
するので導電性要素14は変形することがない。またシ
ート12の上面12uからの各導電性要素14の突出量
を略均一にできる。By heating under pressure of the heat block 262,
Since the conductive element 14 is firmly and closely fixed to the sheet 12, the position of the conductive element 14 loosely fitted on the transfer plate 242 is stable, and the arrangement position of the conductive elements 14 is maintained with high accuracy. . The heating temperature of the heat block 262 is higher than the glass transition temperature of the thermoplastic resin in the sheet 12 and is a temperature at which the conductive element 14 is not softened / deformed / altered, for example, from the eutectic point which is the melting point of solder. Set to low temperature. Therefore, since the sheet 12 is softened and deformed, the conductive element 14 is not deformed. Further, the amount of protrusion of each conductive element 14 from the upper surface 12u of the sheet 12 can be made substantially uniform.
【0031】図6および図7を参照して、図1に示す導
電性要素配列シート10を用いた半導体パッケージの製
造について説明する。図6は導電性要素配列シート10
の導電性要素14を半導体素子50に転写する工程を模
式的に示す図であり、図7はバンプである導電性要素1
4を介して半導体素子50と回路基板70とを接続した
半導体パッケージを示す図である。Manufacturing of a semiconductor package using the conductive element array sheet 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 shows a conductive element array sheet 10
9 is a diagram schematically showing a step of transferring the conductive element 14 of FIG. 1 to the semiconductor element 50, and FIG.
4 is a diagram showing a semiconductor package in which a semiconductor element 50 and a circuit board 70 are connected via a connector 4.
【0032】まず、半導体素子50に導電性要素配列シ
ート10の導電性要素14が転写される。導電性要素配
列シート10は冷却台264の所定位置に載置され、そ
の上方には半導体素子50は図示しない支持手段により
所定の距離離れた位置に支持される。半導体素子50の
下面50bには所定のパターンに従った電極52が形成
される。導電性要素配列シート10は上述の処理により
形成されるが、このとき導電性要素14は電極52に対
応した位置に配列される。First, the conductive element 14 of the conductive element array sheet 10 is transferred to the semiconductor element 50. The conductive element array sheet 10 is placed at a predetermined position on the cooling table 264, and the semiconductor element 50 is supported above it at a predetermined distance by a supporting means (not shown). An electrode 52 having a predetermined pattern is formed on the lower surface 50b of the semiconductor element 50. The conductive element array sheet 10 is formed by the above-described process, but at this time, the conductive elements 14 are arrayed at positions corresponding to the electrodes 52.
【0033】即ち、図示しないカメラ等により半導体素
子50が導電性要素配列シート10に対して位置決めさ
れ、このとき各電極52はそれぞれ対応する導電性要素
14と対向する。半導体素子50は位置決めが行われた
後、導電性要素配列シート10上に重ねられる。That is, the semiconductor element 50 is positioned with respect to the conductive element array sheet 10 by a camera (not shown) or the like, and at this time, each electrode 52 faces the corresponding conductive element 14. After the semiconductor element 50 is positioned, it is stacked on the conductive element array sheet 10.
【0034】半導体素子50が導電性要素配列シート1
0に載置された後、半導体素子50がヒートブロック2
62により加熱加圧される。なお加熱は公知のIRリフ
ロー装置(構成の説明は省略する)によって行ってもよ
い。このとき、ヒートブロック262の加熱温度は導電
性要素14の融点より高く設定される。従って、加熱加
圧により導電性要素14は電極52に融着する。また、
ヒートブロック262の加熱温度は熱可塑性樹脂のガラ
ス転移温度より高いため、シート12は、常温で反って
いたり変形していても、加熱加圧時には軟化する。従っ
て、導電性要素14は転写時に略同一平面上にあり、転
写が常に正確に行われる。この加熱加圧処理の後、シー
ト12は半導体素子50から引剥がすことにより除去さ
れる。即ち、導電性要素14のみが半導体素子50に転
写される。The semiconductor element 50 is a conductive element array sheet 1
After the semiconductor element 50 is mounted on the heat block 2
It is heated and pressurized by 62. The heating may be performed by a known IR reflow device (the description of the structure is omitted). At this time, the heating temperature of the heat block 262 is set higher than the melting point of the conductive element 14. Therefore, the conductive element 14 is fused to the electrode 52 by heat and pressure. Also,
Since the heating temperature of the heat block 262 is higher than the glass transition temperature of the thermoplastic resin, even if the sheet 12 is warped or deformed at room temperature, it softens during heating and pressing. Therefore, the conductive elements 14 are substantially in the same plane at the time of transfer, and transfer is always performed accurately. After this heat and pressure treatment, the sheet 12 is removed by peeling it from the semiconductor element 50. That is, only the conductive element 14 is transferred to the semiconductor element 50.
【0035】半導体素子50を導電性要素14を介して
回路基板70へ接続する装置として、公知のフリップチ
ップマウンタ(図示せず)が用いられる。フリップチッ
プマウンタにより、導電性要素14を備えた半導体素子
50が回路基板70へ位置決めされ、その後半導体素子
50の電極52と回路基板70の電極72とが導電性要
素14を介して接続される。A known flip chip mounter (not shown) is used as a device for connecting the semiconductor element 50 to the circuit board 70 through the conductive element 14. The flip chip mounter positions the semiconductor element 50 having the conductive element 14 on the circuit board 70, and then the electrode 52 of the semiconductor element 50 and the electrode 72 of the circuit board 70 are connected via the conductive element 14.
【0036】この導電性要素付き半導体素子50の下面
50bは、回路基板70の電極72が形成された面70
uに対向させられ、電極52と対応する電極72とが一
致するように、半導体素子50は回路基板70に対して
位置決めされた後、回路基板70に重ねられる。なお回
路基板70の電極72は、半導体素子50の電極パター
ンに対応して形成される。その後、図7に示すように、
半導体素子50は回路基板70に向かってヒートブロッ
ク262により加熱加圧され、あるいはIRリフロー装
置によって加熱され、これにより導電性要素14が電極
72へ融着する。なお、冷却台264の代わりにヒート
ブロックを設け、上方および下方の両側から加圧加熱を
行ってもよい。The lower surface 50b of the semiconductor element with conductive element 50 is a surface 70 of the circuit board 70 on which the electrodes 72 are formed.
The semiconductor element 50 is positioned with respect to the circuit board 70 so that the electrode 52 is opposed to u and the corresponding electrode 72 is aligned with the electrode 72, and then the semiconductor element 50 is stacked on the circuit board 70. The electrodes 72 of the circuit board 70 are formed corresponding to the electrode pattern of the semiconductor element 50. Then, as shown in FIG.
The semiconductor element 50 is heated and pressed by the heat block 262 toward the circuit board 70, or is heated by the IR reflow device, so that the conductive element 14 is fused to the electrode 72. A heat block may be provided instead of the cooling table 264, and pressure heating may be performed from both upper and lower sides.
【0037】以上の処理により図7に示す半導体パッケ
ージが得られる。半導体素子50の電極52と回路基板
70の電極72とは、導電性要素14により接続され
る、即ち半田付けされる。導電性要素14は半導体パッ
ケージにおける半導体素子50と回路基板70とのバン
プの役割を果たす。By the above processing, the semiconductor package shown in FIG. 7 is obtained. The electrode 52 of the semiconductor element 50 and the electrode 72 of the circuit board 70 are connected by the conductive element 14, that is, soldered. The conductive element 14 serves as a bump between the semiconductor element 50 and the circuit board 70 in the semiconductor package.
【0038】以上のように、第1実施形態では、熱可塑
性樹脂を含むシート12に導電性要素14を所定のパタ
ーンに従って密着固定するため、半導体素子50への導
電性要素14の転写する際に導電性要素が位置ずれを起
こしたり、落下することがない。またシート12は、常
温で反っていたり変形していても、転写時には熱により
軟化するので、転写が常に正確に行われる。このように
第1実施形態によると、半導体パッケージのバンプ形成
を容易かつ高精度に行うことを可能にする導電性要素配
列シートが得られる。As described above, in the first embodiment, the conductive element 14 is adhered and fixed to the sheet 12 containing the thermoplastic resin in accordance with the predetermined pattern. Therefore, when the conductive element 14 is transferred to the semiconductor element 50. The conductive element will not be displaced or fall. Further, even if the sheet 12 is warped or deformed at room temperature, it is softened by heat during transfer, so that transfer is always performed accurately. As described above, according to the first embodiment, it is possible to obtain the conductive element array sheet that enables the bump formation of the semiconductor package to be performed easily and highly accurately.
【0039】図8および図9を参照して本発明の第2実
施形態について説明する。第2実施形態において、導電
性要素配列シート110は、シート112の下面112
bに金属箔116が設けられていること以外は、第1実
施形態と同様の構成および製造工程であり、同じ構成お
よび製造工程の説明は省略する。導電性要素配列シート
10と同様の構成は、符号に100が加算されて示され
る。A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the conductive element array sheet 110 includes the lower surface 112 of the sheet 112.
The configuration and the manufacturing process are the same as those of the first embodiment except that the metal foil 116 is provided on b, and the description of the same configuration and the manufacturing process is omitted. The configuration similar to the conductive element array sheet 10 is shown by adding 100 to the reference numeral.
【0040】シート製造装置において、金属箔116の
一方の面には熱可塑性樹脂の溶液が塗布された後乾燥さ
せられ、これにより金属箔付きのシート112が得られ
る。熱可塑性樹脂の溶液を金属箔に塗布する装置とし
て、公知のバーコータ、ドクターブレード、スピンコー
ティング等が使用される。これらの装置については説明
を省略する。In the sheet manufacturing apparatus, a thermoplastic resin solution is applied to one surface of the metal foil 116 and then dried, whereby a sheet 112 with the metal foil is obtained. A known bar coater, doctor blade, spin coating or the like is used as a device for applying the solution of the thermoplastic resin to the metal foil. A description of these devices will be omitted.
【0041】金属箔116として、例えば銅箔、ニッケ
ル箔、ステンレス箔、チタン箔、アルミ箔が用いられ
る。シート112において、絶縁性樹脂層に金属箔11
6を密着させることにより、加熱冷却時に絶縁性樹脂が
膨張収縮することが軽減され、またシート112が補強
される。As the metal foil 116, for example, copper foil, nickel foil, stainless steel foil, titanium foil, aluminum foil is used. In the sheet 112, the metal foil 11 is formed on the insulating resin layer.
By closely adhering 6, the expansion and contraction of the insulating resin during heating and cooling is reduced, and the sheet 112 is reinforced.
【0042】図9に示すように、加熱加圧装置におい
て、金属箔116がヒートブロック262に対向するよ
うに、シート112は転写板242上に載置され、加熱
加圧される。この場合、金属箔116がヒートブロック
262に接するので、ヒートブロック262にテフロン
コート等の熱可塑性樹脂の接着を防止する構成を設けな
くてもよい。なお、ヒートブロック262を転写板24
2の下面側に設け、加圧加熱を下方、即ち転写板242
に対向する絶縁性樹脂層側から行ってもよい。As shown in FIG. 9, in the heating / pressurizing device, the sheet 112 is placed on the transfer plate 242 so that the metal foil 116 faces the heat block 262, and is heated and pressed. In this case, since the metal foil 116 is in contact with the heat block 262, it is not necessary to provide the heat block 262 with a structure for preventing adhesion of the thermoplastic resin such as Teflon coat. The heat block 262 is attached to the transfer plate 24.
2 is provided on the lower surface side and pressure heating is performed downward, that is, the transfer plate 242.
It may be performed from the side of the insulating resin layer facing the.
【0043】第2実施形態においても、シート112に
導電性要素114を密着固定するため、半導体素子への
導電性要素114の転写する際の導電性要素の位置ずれ
および落下が防止される。またシート112は、常温で
反っていたり変形していても、転写時には熱により軟化
するので、転写が常に正確に行われる。従って第1実施
形態と同様、第2実施形態の導電性要素配列シートによ
っても、半導体パッケージのバンプ形成を容易かつ高精
度に行うことができる。さらに、金属箔116を設ける
ことにより、シ−ト112の強度が向上し、膨張収縮に
よる変形が軽減される。Also in the second embodiment, since the conductive element 114 is closely fixed to the sheet 112, displacement and drop of the conductive element at the time of transferring the conductive element 114 to the semiconductor element can be prevented. Further, even if the sheet 112 is warped or deformed at room temperature, it is softened by heat during transfer, so that transfer is always performed accurately. Therefore, similarly to the first embodiment, the bumps of the semiconductor package can be easily and highly accurately formed by the conductive element array sheet of the second embodiment. Furthermore, by providing the metal foil 116, the strength of the sheet 112 is improved and deformation due to expansion and contraction is reduced.
【0044】[0044]
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明する。以
下に示す表1、表2、および表3は実施例1〜3におい
て用いられたシート、転写板、および導電性要素の構成
をそれぞれ示す。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples. Tables 1, 2, and 3 shown below show the configurations of the sheet, transfer plate, and conductive element used in Examples 1 to 3, respectively.
【0045】[0045]
【表1】 [Table 1]
【0046】[0046]
【表2】 [Table 2]
【0047】[0047]
【表3】 [Table 3]
【0048】〔実施例1〕表1に示す実施例シート1が
シートとして、表2に示す転写板1が導電性要素とし
て、また表3に示す実施例要素1が導電性要素として用
いられ、導電性要素配列シートが製造された。実施例シ
ート1に用いられる樹脂Aは、ガラス転移温度が145
℃の熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂と、エポキ
シ樹脂との混合樹脂である。この樹脂Aの溶液から厚み
100μmの実施例シート1が得られた。エッチングに
より、金属板の一方の面に直径200μmの、深さ50
μmの凹部が、500μmの間隔で格子状に形成され、
これにより転写板1が得られたExample 1 The example sheet 1 shown in Table 1 was used as a sheet, the transfer plate 1 shown in Table 2 was used as a conductive element, and the example element 1 shown in Table 3 was used as a conductive element. A conductive element array sheet was manufactured. Resin A used in Example Sheet 1 has a glass transition temperature of 145
It is a mixed resin of a thermoplastic silicone-modified polyimide resin at ℃ and an epoxy resin. From the resin A solution, Example sheet 1 having a thickness of 100 μm was obtained. By etching, one surface of the metal plate has a diameter of 200 μm and a depth of 50.
The recesses of μm are formed in a grid pattern at intervals of 500 μm,
Thereby, the transfer plate 1 was obtained.
【0049】実施例要素1として、共晶点183℃の半
田(錫40%、鉛60%)から形成された、直径150
μmの半田ボール(千住金属工業株式会社製)が用いら
れた。この実施例要素1が転写板1上に蒔かれ、振動に
より各々の凹部に実施例要素1が配列された。Example Element 1 has a diameter of 150 formed from solder (tin 40%, lead 60%) having a eutectic point of 183 ° C.
A μm solder ball (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) was used. This Example element 1 was sown on the transfer plate 1, and the Example element 1 was arranged in each recess by vibration.
【0050】実施例要素1が配列された転写板1は冷却
板に載置され、その上に実施例シート1が重ねられた。
ヒートブロックにより加熱加圧されることにより、実施
例要素1が実施例シート1に密着固定された。ヒートブ
ロックの加熱温度は160℃、加圧圧力は121半田ボ
ール当たり1〜5kgfであった。The transfer plate 1 on which the example elements 1 were arranged was placed on the cooling plate, and the example sheet 1 was superposed thereon.
The example element 1 was tightly fixed to the example sheet 1 by being heated and pressed by the heat block. The heating temperature of the heat block was 160 ° C., and the pressing pressure was 1 to 5 kgf per 121 solder balls.
【0051】顕微鏡による観察と、公知の非接触測定装
置により、実施例要素1が実施例シート1の厚み方向に
おいて直径の約6割が実施例シート1中に密着固定され
たことが確認された。Observation with a microscope and a known non-contact measuring device confirmed that about 60% of the diameter of Example element 1 in the thickness direction of Example sheet 1 was tightly fixed in Example sheet 1. .
【0052】〔実施例2〕表1に示す実施例シート2、
表2に示す転写板2、および表3に示す実施例要素2が
用いられ、導電性要素配列シートが製造された。実施例
シート2に用いられる樹脂Bは、ガラス転移温度が12
0℃の熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂のみであ
り、金属箔Cは厚み50μmのステンレス箔である。こ
の金属箔Cに樹脂Bの溶液が塗布され、乾燥されること
により、熱可塑性樹脂層の厚みが75μmの実施例シー
ト2が得られた。転写板2および実施例要素2は、それ
ぞれ転写板1および実施例要素1と同一であり、ここで
は説明を省略する。Example 2 Example sheet 2 shown in Table 1,
The transfer plate 2 shown in Table 2 and the example element 2 shown in Table 3 were used to produce a conductive element array sheet. Resin B used in Example sheet 2 has a glass transition temperature of 12
Only the thermoplastic silicone-modified polyimide resin at 0 ° C. is used, and the metal foil C is a stainless steel foil having a thickness of 50 μm. A solution of resin B was applied to this metal foil C and dried to obtain Example sheet 2 having a thermoplastic resin layer thickness of 75 μm. The transfer plate 2 and the example element 2 are the same as the transfer plate 1 and the example element 1, respectively, and the description thereof is omitted here.
【0053】実施例要素2の実施例シート2上への転写
は、実施例1の場合と同様の手法で行われた。ただし、
転写板2の下方には冷却台の代わりにヒートブロックが
設けられ、実施例シート2および転写板2は2つのヒー
トブロックに挟まれて加熱加圧された。The transfer of Example Element 2 onto Example Sheet 2 was carried out in the same manner as in Example 1. However,
A heat block was provided below the transfer plate 2 instead of the cooling table, and the example sheet 2 and the transfer plate 2 were sandwiched between two heat blocks and heated and pressed.
【0054】実施例1と同様の測定により、実施例要素
2は実施例シート2中に密着固定され、かつ実施例シー
ト2の厚み方向において実施例要素2の直径の約4割が
実施例シート2へ埋め込まれていたことが確認された。By the same measurement as in Example 1, the Example element 2 was closely fixed in the Example sheet 2, and about 40% of the diameter of the Example element 2 in the thickness direction of the Example sheet 2 was about the Example sheet. It was confirmed that it was embedded in 2.
【0055】〔実施例3〕実施例シート3(表1)、転
写板3(表2)、および実施例要素3(表2)が用いら
れ、導電性要素配列シートが製造された。実施例シート
3は実施例シート2と同じ材質および厚みである。転写
板3は、金属板の一方の表面に直径180μm、深さ5
0μmの円柱状の凹部が形成されることにより得られ
る。実施例要素3は直径150μm、高さ100μmの
円筒形状を呈しており、実施例2と同様の手法で、転写
板3に配列され、さらに実施例シート3へ転写された。Example 3 A conductive element array sheet was produced using Example sheet 3 (Table 1), transfer plate 3 (Table 2), and Example element 3 (Table 2). The example sheet 3 has the same material and thickness as the example sheet 2. The transfer plate 3 has a diameter of 180 μm and a depth of 5 on one surface of the metal plate.
It is obtained by forming a cylindrical recess of 0 μm. The example element 3 has a cylindrical shape with a diameter of 150 μm and a height of 100 μm, was arranged on the transfer plate 3 and transferred to the example sheet 3 in the same manner as in the example 2.
【0056】実施例1、2と同様の測定により、実施例
要素3は実施例シート3中に密着固定され、かつ実施例
シート3の厚み方向において実施例要素3の高さの約4
〜5割が実施例シート3へ埋め込まれていたことが確認
された。By the same measurement as in Examples 1 and 2, the Example element 3 was closely fixed in the Example sheet 3, and the height of the Example element 3 was about 4 in the thickness direction of the Example sheet 3.
It was confirmed that about 50% was embedded in Example sheet 3.
【0057】〔実施例4〕実施例1において得られた導
電性要素配列シート、半導体素子および回路基板を用い
て、半導体パッケージを製造した。ただし、転写板の凹
部は格子状ではなく、半導体素子の電極パターンに対応
して形成された。回路基板の電極も半導体素子の電極パ
ターンに対応して形成された。冷却板の上には導電性要
素配列シートが載置され、その上に半導体素子が重ねら
れて、加圧加熱された。このとき凹部上の導電性要素
は、対応する半導体素子の電極に対向していた。シート
は加熱加圧後除去された。全ての導電性要素が半導体素
子の電極に転写され、これにより半導体素子のバンプが
得られた。Example 4 A semiconductor package was manufactured using the conductive element array sheet, semiconductor element and circuit board obtained in Example 1. However, the recesses of the transfer plate were not formed in a grid pattern, but were formed corresponding to the electrode pattern of the semiconductor element. The electrodes of the circuit board were also formed corresponding to the electrode pattern of the semiconductor element. A conductive element array sheet was placed on the cooling plate, a semiconductor element was placed thereon, and heated under pressure. At this time, the conductive element on the recess was opposed to the electrode of the corresponding semiconductor element. The sheet was removed after heating and pressing. All the conductive elements were transferred to the electrodes of the semiconductor device, which resulted in bumps of the semiconductor device.
【0058】上記のようにして得られた、導電性要素付
き半導体素子が、公知のフリップチップマウンタを用い
て、回路基板上に実装され、これにより半導体パッケー
ジが製造された。The semiconductor element with a conductive element obtained as described above was mounted on a circuit board using a known flip chip mounter, and a semiconductor package was manufactured by this.
【0059】この半導体パッケージにおいて、公知の検
査法により、半導体素子の電極全てが回路基板の対応す
る電極と、電気的に接続されていることが確認された。In this semiconductor package, it was confirmed by a known inspection method that all the electrodes of the semiconductor element were electrically connected to the corresponding electrodes of the circuit board.
【0060】以上のように、実施例1〜3のいずれにお
いても、導電性要素がシートに良好に接着することが確
認された。導電性要素の形状は真球でも円柱でもよい。
ただし、この場合転写板の凹部の形状が対応した形状、
即ち半球または円筒であることが好ましい。また実施例
4において、実施例1で得られた導電性要素配列シート
を用いると、半導体パッケージのバンプ形成が容易かつ
高精度に行うことができた。As described above, it was confirmed that the conductive element adhered well to the sheet in any of Examples 1 to 3. The shape of the conductive element may be a sphere or a cylinder.
However, in this case, the shape of the concave portion of the transfer plate corresponds,
That is, it is preferably a hemisphere or a cylinder. Further, in Example 4, when the conductive element array sheet obtained in Example 1 was used, bump formation of the semiconductor package could be performed easily and with high accuracy.
【0061】[0061]
【発明の効果】本発明の導電性要素配列シートによれ
ば、半導体素子および回路基板のバンプ形成が容易かつ
高精度に行え、半導体パッケージの生産性が向上する。According to the conductive element array sheet of the present invention, the bumps of the semiconductor element and the circuit board can be formed easily and with high accuracy, and the productivity of the semiconductor package is improved.
【図1】本発明の第1実施形態である導電性要素配列シ
ートを示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a conductive element array sheet according to a first embodiment of the present invention.
【図2】導電性要素配列シート製造装置の構成を示すブ
ロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a conductive element array sheet manufacturing apparatus.
【図3】シートを示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a sheet.
【図4】導電性要素が配列された転写板を示す図であ
る。FIG. 4 is a view showing a transfer plate on which conductive elements are arranged.
【図5】導電性要素をシートに転写する工程を模式的に
示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a step of transferring a conductive element to a sheet.
【図6】導電性要素を半導体素子に転写する工程を模式
的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing a step of transferring a conductive element to a semiconductor element.
【図7】導電性要素付きの半導体素子を回路基板に転写
する工程を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a step of transferring a semiconductor element with a conductive element onto a circuit board.
【図8】本発明の第2実施形態である導電性要素配列シ
ートを示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conductive element array sheet according to a second embodiment of the present invention.
【図9】導電性要素をシートに転写する工程を模式的に
示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing a step of transferring a conductive element to a sheet.
10 導電性要素配列シート 12 シート 14 導電性要素 22 シート製造装置 24 導電性要素配列装置 26 加熱加圧装置 50 半導体素子 52、72 電極 70 回路基板 242 転写板 244 保持手段 262 ヒートブロック 264 冷却台 10 Conductive element array sheet 12 sheets 14 Conductive element 22 Sheet manufacturing equipment 24 Conductive element arrangement device 26 Heating and pressurizing device 50 Semiconductor element 52, 72 electrodes 70 circuit board 242 Transfer plate 244 holding means 262 heat block 264 cooling table
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 信明 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 仙波 直治 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−74846(JP,A) 特開 平8−309522(JP,A) 特開 平9−64521(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 H01L 21/60 H05K 3/34 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Nobuaki Takahashi 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Electric Co., Ltd. (72) Naoji Senba 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC (56) References JP-A-5-74846 (JP, A) JP-A-8-309522 (JP, A) JP-A-9-64521 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/12 H01L 21/60 H05K 3/34
Claims (2)
写板の一方の面に配列させる配列手段と、 熱可塑性樹脂を主成分とする絶縁層を備えたシートを製
造するシート製造手段と、 前記絶縁層の一方の面を前記転写板の導電性要素が設け
られた面に対向させ、前記絶縁層の前記転写板に対向す
る面、あるいは前記転写板に対向する面とは反対側の面
の少なくともどちらか一方の面側から加熱加圧すること
により、前記導電性要素の一部を前記絶縁層に密着固定
させる加熱加圧手段とを備えることを特徴とする導電性
要素配列シート製造装置。 1. Rolling conductive elements according to a predetermined pattern.
A sheet having an arranging means arranged on one surface of the copying plate and an insulating layer containing a thermoplastic resin as a main component is manufactured.
And a conductive element of the transfer plate is provided on one surface of the insulating layer.
The transfer surface of the insulating layer and the transfer plate of the insulating layer.
Surface or the surface opposite to the surface facing the transfer plate
Heating and pressurizing from at least one side of
Adheres and fixes a part of the conductive element to the insulating layer
And a heating and pressurizing means for controlling the conductivity.
Element array sheet manufacturing equipment.
記絶縁層の一方の面に金属箔を密着させ、 前記加熱加圧手段が、前記絶縁層の金属箔の設けられて
いない面を前記導電性要素に対向させ、前記金属箔の前
記絶縁層に密着する面とは反対側の面あるいは前記絶縁
層の金属箔の設けられていない面の少なくともどちらか
一方の面側から、加熱加圧を行うことを特徴とする請求
項1に記載の導電性要素配列シート製造装置。 2. The sheet manufacturing means is provided in front of the sheet.
The metal foil is adhered to one surface of the insulating layer, and the heating and pressurizing means is provided on the metal foil of the insulating layer.
The front side of the metal foil with the side not facing the conductive element.
The surface opposite to the surface that adheres to the insulation layer or the insulation
At least one of the layers of the layer without the metal foil
Claim that heat and pressure are applied from one surface side
Item 1. The electroconductive element array sheet manufacturing apparatus according to Item 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12326998A JP3434704B2 (en) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | Conductive element array sheet manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12326998A JP3434704B2 (en) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | Conductive element array sheet manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11317469A JPH11317469A (en) | 1999-11-16 |
JP3434704B2 true JP3434704B2 (en) | 2003-08-11 |
Family
ID=14856391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12326998A Expired - Fee Related JP3434704B2 (en) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | Conductive element array sheet manufacturing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3434704B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100462558B1 (en) * | 2002-03-05 | 2004-12-17 | 황상연 | Ball grid array method of a printed circuit board and a semiconductor wafer |
JP3980386B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-09-26 | 富士通株式会社 | Heating method and heating apparatus for stacked parts |
JP4663609B2 (en) * | 2006-09-25 | 2011-04-06 | 富士通株式会社 | Heating method and heating apparatus for stacked parts |
JP4977715B2 (en) * | 2006-12-01 | 2012-07-18 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | Concave and convex pattern forming method |
WO2009054236A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Toray Industries, Inc. | Planar antenna and method for manufacturing the same |
-
1998
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11317469A (en) | 1999-11-16 |
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