JP3433376B2 - 信号伝達回路 - Google Patents

信号伝達回路

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JP3433376B2
JP3433376B2 JP2002102796A JP2002102796A JP3433376B2 JP 3433376 B2 JP3433376 B2 JP 3433376B2 JP 2002102796 A JP2002102796 A JP 2002102796A JP 2002102796 A JP2002102796 A JP 2002102796A JP 3433376 B2 JP3433376 B2 JP 3433376B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は信号伝達回路に係り、更
に詳しくは入出力を共有する端子を備えた中間増幅器の
正帰還により信号を増幅し伝達する信号伝達回路に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、汎用ロジックとしては、TTLロ
ジックが主流であったが、近年、TTLロジックに代わ
るものとして、CMOSロジックが主流になりつつあ
る。かかるCMOSロジックには、標準CMOSロジッ
ク(チップサイズが約20mmで伝播遅延時間が約80
ns)、高速CMOSロジック(同チップサイズで伝播
遅延時間が約15ns)、新高速CMOSロジック(同
チップサイズで伝播遅延時間が約8ns)及びアドバン
スト高速CMOSロジック(同チップサイズで伝播遅延
時間が約4ns)がある。
【0003】ところで、従来のLSIチップ内のCMO
Sロジック回路相互間の信号伝達回路としては、インバ
ータをドライバ回路及びレシーバ回路として用いる回路
がある。この従来の信号伝達回路の例としては、図10
〜図13に示すものがある。図10はインバータ52を
用いたドライバ回路50とインバータ53を用いたレシ
ーバ回路51とを配線200で接続し、ドライバ回路5
0から配線200を介してレシーバ回路51へ信号を伝
達し、いわゆる、信号のなまりを低減している。図11
〜図13では、信号伝達距離が長くなって配線200の
寄生抵抗、容量等により時定数(RC)が大きくなり、
信号伝達時間が長くなるとき、信号伝達時間の遅延に応
じてインバータ54(図11)、インバータ55,56
(図12)及びインバータ57〜59(図13)をそれ
ぞれドライバ回路50とレシーバ回路51との間に直列
に接続して、信号の伝達時間の遅延を改善している。こ
れらインバータ54〜59はそれぞれ中間増幅器として
機能する。
【0004】図14は先の図10〜図13に示す従来の
信号伝達回路の消費電力と配線長の関係を示す特性図で
ある。この図において、中間増幅器としてのインバータ
を用いない曲線0C(図10の信号伝達回路の特性を示
すグラフ)は、LSIチップ内の配線長さ20x100
0μm(2cm)で約1.05mWの消費電力になる。
ここで、信号のサイクルタイムは60ns、配線容量は
0.25FF/1μm、配線抵抗は0.1Ω/sqr.
である。また、中間増幅器としてインバータ54を用い
た曲線2C(図11の信号伝達回路の特性を示すグラ
フ)は、配線長さ20x1000μmで約1.1mWの
消費電力になり、中間増幅器としてインバータ55,5
6を用いた曲線3C(図12の信号伝達回路の特性を示
すグラフ)は、配線長さ20x1000μmで約1.1
5mWの消費電力になり、中間増幅器としてインバータ
57〜59を用いた曲線4C(図13の信号伝達回路の
特性を示すグラフ)は、配線長さ20x1000μmで
約1.2mWの消費電力になる。すなわち、従来の信号
伝達回路では、配線長が同じ2cmのとき、配線200
(図10〜13)の間に中間増幅器としてのインバータ
54〜59を順次接続するほど、信号伝達回路の消費電
力が多くなり、図10の中間増幅器としてのインバータ
を設けない信号伝達回路と3個の中間増幅器としてのイ
ンバータを設けた図13の信号伝達回路を比較したと
き、図10の信号伝達回路では消費電力が約1.05m
Wであるのに対し、図13の信号伝達回路では消費電力
が1.2mWに増加する。
【0005】図15は配線の長さと信号伝達の遅延との
関係を示す図であり、図10〜図13のシミュレーショ
ン結果を表す。この図15において、縦軸は遅延で、横
軸は配線距離を示すものである。例えば、LSIチップ
内の配線距離が20x1000μm(2cm)のとき、
中間増幅器としてのインバータを用いない曲線0C(図
10の信号伝達回路の特性を示すグラフ)で遅延がほぼ
5.5ns、中間増幅器としてインバータ54を用いた
曲線2C(図11の信号伝達回路の特性を示すグラフ)
で遅延がほぼ5ns、中間増幅器としてインバータ5
5,56を用いた曲線3C(図12の信号伝達回路の特
性を示すグラフ)、中間増幅器としてインバータ57〜
59を用いた曲線4C(図13の信号伝達回路の特性を
示すグラフ)でほぼ4.5nsになる。従って、従来の
信号伝達回路では、配線長が同じ2cmのとき、配線20
0(図10〜13)の間に中間増幅器としてインバータ
54〜59を順次接続するほど、遅延時間が短くなり、
図10の信号伝達回路と図13の信号伝達回路とを比較
したとき、図10の中間増幅器としてのインバータのな
い信号伝達回路では遅延が約5.5nsであるのに対し
て図13の中間増幅器としてのインバータを3個接続し
た信号伝達回路では遅延が4.5nsと短くなってい
る。以上述べたように、上記従来例は、信号伝達の遅延
を短くしようとして中間増幅器としてのインバータの数
を増加させると、消費電力が増大するという二律背反の
問題がある。しかも、中間増幅器としてのインバータの
数が少ない場合でも依然として電力消費が多い。また、
中間増幅器としてのインバータの数を増加させても信号
伝達の遅延の向上には制限がある。
【0006】図16と図17はインバータ回路を用いた
信号伝達回路の上記問題を改善するための他の従来の信
号伝達回路の具体的回路例を示すものである(例えば、
NIKKEI MICRODEVICES ,July 、1991、PP87−8
8、または、「Circuit techniques For a wide word
I/O Path64Meg DRAM、K. Komatsuzaki、et. al. VL
SI symposium 1991 、pp133−134)。図16
の信号伝達回路では、ドライバ回路60とレシーバ回路
路61は、プリチャージ回路62を介して接続されてい
る。ドライバ回路60はCMOSインバータ63,6
4、駆動用のp形MOSトランジスタ(以下、pMOS
Tという)65,67、駆動用のn形MOSトランジス
タ(以下、nMOSTという)66,68からなる。入
力端子INは、インバータ63の入力及びnMOST6
8のゲートに接続され、インバータ63の出力はpMO
ST65のゲートに接続されている。入力端子INに印
加された電圧がpMOST65のゲート及びnMOST
68のゲートにそれぞれゲート電圧として印加される。
また、反転入力端子N−INは、インバータ64の入力
及びnMOST66のゲートに接続され、インバータ6
4の出力はpMOST67のゲートに接続されている。
反転入力端子N−INに印加された電圧がpMOST6
7のゲート及びnMOST66のゲートにそれぞれゲー
ト電圧として印加される。
【0007】さらに、pMOST65のドレインにnM
OST66のドレインが接続され、第1のトランジスタ
対が形成されると共に、pMOST67のドレインにn
MOST68のドレインが接続され、第2のトランジス
タ対が形成される。
【0008】一方、レシーバ回路61は、nMOST7
1,72、pMOST73〜76、CMOSインバータ
77及び78からなり、nMOST71,72とpMO
ST73〜76がクロスカップリングされている。ま
た、CMOSインバータ77の入力側は、nMOST7
2のソース及びpMOST74のゲートに接続され、C
MOSインバータ78の入力側は、nMOST71のソ
ース及びpMOST75のゲートに接続されている。上
記プリチャージ回路62は、nMOST69,70から
なり、nMOST69のソースはドライバ回路のnMO
ST65のドレイン及びレシーバ回路61のnMOST
71のドレインと接続し、nMOST70のソースはp
MOST67のドレイン及びnMOST72のドレイン
と接続してある。また、nMOST69のゲートはnM
OST70のゲート及びイコライザ端子EQと接続し、
nMOST69のドレインはnMOST70のドレイン
及びVDD/2端子と接続してある。そして、本信号伝達
回路はLSIチップ内でアドレス回路等の数cm程度と配
線距離の長い信号回路に用いられ、VDD/2プリチャー
ジの作動で上記ドライバ回路60からプリチャージ回路
62を経てレシーバ回路61に信号を送り出し、レシー
バ回路61のnMOST71,72で、その回路しきい
値電圧Vthの差信号を求め、その差信号をCMOSイン
バータ77,78でCMOS電圧レベルに変換してい
る。これにより、信号伝達遅延を改善し、しかも消費電
力を少なくしている。
【0009】図17は、図16に示す信号伝達回路のド
ライバ回路とレシーバ回路との間に接続される中間増幅
回路を示す回路図である。この中間増幅回路は、差動信
号をCMOS信号に変換した後該CMOS信号を再び差
動信号に変換することにより上記差動信号を増幅する回
路であり、入力信号の差動信号をCMOS信号に変換す
るレシーバ回路79と、そのCMOS信号を差動信号に
変換するドライバ回路80から成る。レシーバ回路79
は、入力端子IN,反転入力端子N−IN、差動信号を
CMOS信号に変換するnMOST81,82、pMO
ST83〜86、CMOS信号を増幅するCMOSイン
バータ87及び88より構成される。そのnMOST8
1とnMOST82は、それぞれゲートとドレインをク
ロスして接続し、pMOST84,85のそれぞれのゲ
ートとソースをクロスして接続してある。そして、CM
OSインバータ87,88は、pMOST84,85の
それぞれのゲートと接続してある。また、ドライバ回路
80は、CMOSインバータ89,90、CMOS信号
を差動信号に変換するpMOST91,93、nMOS
T92,94、出力端子OUT及び反転出力端子N−O
UTから構成されている。そのCMOSインバータ8
9,90の出力側はpMOST91,93のゲートに接
続してあり、CMOSインバータ89,90の入力側は
nMOST94のゲート及びnMOST92のゲートに
接続してある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図10
〜図13に示す従来のCMOSインバータ回路を直列に
接続した信号伝達回路では、チップサイズの増大及び配
線の寄生容量と寄生抵抗にともない、伝送時間の遅延と
消費電力の増大が無視できなくなってきた。上記信号伝
達回路に代わる回路としては図16のような信号伝達回
路があり、本信号伝達回路はCMOSインバータ回路の
信号伝達回路に比べて速度で約10%、消費電力で30
〜40%ほど特性が向上している。ところが、図16の
信号伝達回路においては、例えば、LSIチップ内の信
号伝送距離が20mm程度以上もの長距離に達するとき
には、図10〜図13に示す信号伝達回路のように中間
増幅器を簡単に複数個、直列に接続することができない
という不具合があった。
【0011】また、図17のようにドライバ回路とレシ
ーバ回路を組み合わせた中間増幅回路では、入力側で差
動信号をCMOS信号に変換するだけでなく、出力側で
CMOS信号を差動信号に変換しなければならないため
に、速度特性が従来のCMOSインバータ回路を接続し
た信号伝達回路(図11〜図13)よりも低下する不具
合があった。
【0012】そこで、本発明の信号伝達回路は、信号伝
達距離を長くすることができ、高速かつ低電力で信号を
伝達することができることを目的とするものである。ま
た、本発明の目的は、入出力を共有する端子を備えた中
間増幅器の正帰還により信号を増幅しながら伝達できる
信号伝達回路を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の信号伝達回路は、論理信号とイネーブル信
号とを入力し、上記イネーブル信号が第1の論理レベル
にあるときに上記論理信号を差動信号に変換して一対の
出力端子に出力し、上記イネーブル信号が第2の論理レ
ベルにあるときに上記一対の出力端子をハイインピーダ
ンス状態とするドライバ回路と、上記一対の出力端子に
接続された一対の信号線を有する信号伝達線と、上記一
対の信号線を所定の電圧に平坦化するイコライザ回路
と、上記一対の信号線に接続された一対の入力端子を有
し、上記一対の入力端子に入力される差動信号を増幅し
て論理信号に変換するレシーバ回路と、上記一対の信号
線に接続された一対の信号端子と、上記一対の信号端子
に現れる差動信号を正帰還動作により増幅して上記一対
の信号端子を駆動する増幅回路と、プリチャージ信号に
応じて上記増幅回路を非活性状態とするためのスイッチ
回路とを有する中間増幅回路とを有する。更に、上記レ
シーバ回路は、電源電圧供給端子と一方の入力端子との
間に直列に接続された第1および第2のトランジスタ
と、電源電圧供給端子と他方の入力端子との間に直列に
接続された第3および第4のトランジスタとを有し、上
記第1のトランジスタのゲートが上記第3および第4の
トランジスタの接続点に接続されており、上記第2のト
ランジスタのゲートが他方の入力端子に接続されてお
り、上記第3のトランジスタのゲートが上記第1および
第2のトランジスタの接続点に接続されており、上記第
4のトランジスタのゲートが上記一方の入力端子に接続
されている。
【0014】
【作用】本発明の信号伝達回路は、ドライバ回路と、レ
シーバ回路と、イコライザ回路と、中間増幅回路とで構
成され、信号伝達前に前記イコライザ回路が前記ドライ
バ回路と前記レシーバ回路との間の配線を平坦化し、前
記ドライバ回路は入力するレベル信号を差動信号に変換
し、前記中間増幅回路は前記ドライバ回路から出力され
た差動信号を正帰還により増幅して前記レシーバ回路に
伝達し、前記レシーバ回路は入力する差動信号をレベル
信号に変換する。
【0015】
【実施例】本発明の実施例を図に基づいて説明する。図
1は本発明の一実施例の信号伝達回路を示す回路図、図
2は本発明の一実施例の信号伝達回路の要部である中間
増幅回路を示す回路図、図3は本発明の一実施例の中間
増幅回路の各接点における信号波形を示す図、図4〜図
7は信号伝達回路の接続形態を示す回路図である。これ
らの図において、Aは信号伝達距離が非常に長い場合、
例えば配線長が2cm以上において適用する信号伝達回路
で、この信号伝達回路Aはそれぞれ同じ回路構成の複数
の中間増幅回路1,1A,1B、ドライバ回路2、イコ
ライザ回路3及びレシーバ回路4から構成される。
【0016】この中間増幅回路1では、図1に示すよう
にイコライザ回路3の接続端3aとレシーバ回路4の入
力端子4aを接続する正ラインLINEをI01接続点
で入出力兼用端子1aと接続すると共に、イコライザ回
路3の出力端子3bとレシーバ回路4の入力端子4bを
接続する反転ラインN−LINE(ここでN−は負側を
示すものである。)をI02接続点で入出力兼用端子1
bと接続してある。この中間増幅回路1は複数個、図1
ではイコライザ回路3とレシーバ回路4との間に3個
1,1A,1Bが接続してある。
【0017】図2は第1の中間増幅回路1の具体的構成
を示す回路図である。この図2の中間増幅回路1は、入
出力兼用端子1a,1b、駆動用のpMOST5,7と
nMOST6,8、プリチャージ用のpMOST9〜1
2とnMOST13〜16及びスイッチング用のnMO
ST17,18とpMOST19,20とから構成され
ている。
【0018】入出力兼用端子1aと接続するのは、pM
OST5のドレイン、nMOST6のドレイン、nMO
ST18のソース及びpMOST20のソースである。
pMOST5のゲートには、pMOST9,10のドレ
イン、pMOST11のゲート及びnMOST17のド
レインが接続してある。またnMOST6のゲートに
は、pMOST19のドレイン、nMOST15のゲー
ト、nMOST13,14のドレインが接続してある。
【0019】さらに、上記pMOST7のゲートには、
pMOST11,12のドレイン、pMOST10のゲ
ート及びnMOST18のドレインが接続してあり、n
MOST8のゲートには、pMOST20のドレイン、
nMOST14のゲート、nMOST15,16のドレ
インが接続してある。また出力端子1bと接続するの
は、pMOST7のドレイン及びnMOST8のドレイ
ンである。
【0020】この中間増幅回路1で初期プリチャージ状
態にあるときには、pMOST5,7、nMOST6及
び8はすべてオフ(非導通状態)にある。このときに
は、I01接続点とI02接続点の電圧は中間電圧であ
るVDD/2になりpMOST10のゲート接続点N1,
pMOST11のゲート接続点N2はハイレベル(以下
「Hレベル」という。)になり、nMOST15のゲー
ト接続点N3,nMOST14のゲート接続点N4はロ
ーレベル(以下「Lレベル」という。)になる。これは
初期プリチャージ状態においては、PC端子Hレベル、
N−PC端子がLレベルにあるからである。
【0021】また、この中間増幅回路1がドライブ状態
にあるときには、I01接続点とI02接続点の電圧レ
ベルは電源電圧VDDの中間電圧であるVDD/2からそれ
ぞれHレベルとLレベルに分かれ始まる。このときの特
性は図3のD点である。ここで、交差接続したトランジ
スタ対のnMOST17とpMOST19及びnMOS
T18とpMOST20の実効しきい値はそれぞれのト
ランジスタのしきい値電圧VT ひとつ分になる。そのた
め、I01接続点がHレベル、I02接続点がLレベル
に分かれたとすると、I01接続点とI02接続点がト
ランジスタのしきい値電圧1個分1VT分かれたところ
で、N2接続点はHレベルからLレベルに、N4接続点
はLレベルからHレベルになる。
【0022】このときには、pMOST5とnMOST
8がそれぞれオン(導通状態)になる。そして、Hレベ
ルになりかけたI01接続点をさらに強くHレベルにド
ライブし、またLレベルになりかけたI02接続点をさ
らに強くHレベルにドライブすると、I01接続点とI
02接続点に正帰還がかかるので、中間増幅回路1とし
て動作することができるようになる。
【0023】すなわち、この中間増幅回路1では、信号
伝達領域における信号波形が図3の特性図に示すよう
に、中間電圧レベルで二つに分かれ(図3のD点)、一
方(図3のD1点)が急峻に立ち上がり、他方(図3の
D2点)が急峻に立ち下がるようにトランジスタの不飽
和領域で高速に動作する。その結果、従来の中間増幅回
路を接続していない信号伝達回路の同特性(図3の曲線
C1,C2)と比較して8〜10ns程度信号の立ち上
がり(立ち下がり)を速くしながら増幅することができ
る。従って、入出力を共有する端子を備えた中間増幅回
路の正帰還により信号を増幅し、高速かつ低電力で信号
を伝達することが可能になる。
【0024】次に、上記ドライバ回路2、イコライザ回
路3及びレシーバ回路4の構成について図1に基づいて
説明する。ドライバ回路2は、入力端子IN、イネーブ
ル信号が印加するEN端子、NANDゲート22,2
3、CMOSインバータ21,24,25、pMOST
26,28、nMOST27及び29から構成される。
その入力端子INは、CMOSインバータ21を経てN
ANDゲート22の一方の入力端子と接続すると共に、
NANDゲート23の一方の入力端子と接続してある。
また、イネーブルEN端子は、NANDゲート22,2
3の他方の入力端子と接続してある。このドライバ回路
2では、初期プリチャージ状態でイネーブルEN端子は
Lレベルであり、NANDゲート22,23の出力側の
N1接続点、N2接続点はHレベルになる。
【0025】一方、イコライザ回路3は、バランス信号
を印加するBLR接点、プリチャージ(以下、PC)接
点及びnMOST30〜32から構成される。そのBL
R接点は、nMOST30のドレイン及びnMOST3
1のドレインに接続されていて、初期プリチャージ状態
でBLR接点はVdd/2の電源電圧になる。また、PC
接点はnMOST31、nMOST31及びnMOST
32のそれぞれのゲートに接続され、初期プリチャージ
状態でPC接点はHレベル、ドライブ状態でPC接点が
HレベルからLレベルになり、プリチャージ状態でLレ
ベルからHレベルになる。
【0026】そして、前記ドライバ回路2のpMOST
26のドレインにはイコライザ回路3のnMOST3
0,32のソースが接続され、ドライバ回路2のpMO
ST28のドレインにはイコライザ回路3のnMOST
31のソース及びnMOST32のドレインが接続され
ている。このイコライザ回路3により2つのドライバ回
路出力は平坦化される。
【0027】一方、レシーバ回路4は、出力端子OU
T、反転出力端子N−OUT、プリチャージ信号を印加
するPC端子、反転PC端子N−PC、nMOST33
〜35、CMOSインバータ36,37、pMOST3
8〜40及びPMOST41から構成されるものであ
る。このレシーバ回路4では、正ラインの接続点I01
を端子4aと接続し、反転ラインの接続点I02を接点
4bと接続してある。このレシーバ回路4の端子4aに
は、nMOST33のソース、nMOST34のドレイ
ン及びnMOST35のゲートが接続してある。
【0028】また、レシーバ回路4の端子4bには、n
MOST33のドレイン、nMOST34のゲート及び
nMOST35のドレインが接続してある。そして、n
MOST34のソースにはCMOSインバータ36、p
MOST38,39のドレイン及びpMOST40のゲ
ートが接続され、nMOST35のソースには、CMO
Sインバータ37、pMOST39のゲート及びpMO
ST40,41のドレインが接続してある。そのCMO
Sインバータ36の出力側は、反転出力端子N−OUT
に接続し、CMOSインバータ37の出力側は、出力端
子OUTに接続してある。また、PC端子はnMOST
33のゲートに接続してあり、反転PC端子N−PC
は、pMOST38,41のゲートに接続してある。こ
のレシーバ回路4では、初期プリチャージ状態でN3接
続点及びN4接続点がHレベルになり、PC端子がHレ
ベル、反転PC端子N−PCがLレベルになり、出力端
子OUT及びN−OUTがLレベルになる。
【0029】そして、ドライブ状態では、PC端子がH
レベルからLレベルになり、反転PC端子N−PCがL
レベルからHレベルになり信号伝達回路Aのプリチャー
ジ回路状態を解除する。その結果として、I01接続
点,I02接続点、N3接続点及びN4接続点はフロー
ティング状態におかれる。
【0030】ここで、イネーブルEN端子がLレベルか
らHレベルになり、入力IN端子がHレベルになると、
N1接続点はLレベルになり、N2接続点はHレベルの
ままの状態を維持するので、LINEのI01接続点が
中間電圧Vdd/2よりHレベルに、反転LINEのI0
2接続点は中間電圧Vdd/2からLレベルにドライブし
てレシーバ回路4に信号ガ伝達される。その結果、上記
レシーバ回路4では、N4接続点がLレベル、出力端子
OUTがHレベルになり、信号伝達が完了する。
【0031】図4〜図7は本発明の信号伝達回路の接続
形態の回路構成を示す図である。図4の回路構成は、入
力端子INに接続したドライバ回路2と出力端子OUT
に接続したレシーバ回路4との間の正ラインLINEの
I01接続点、反転ラインN−LINEのI02接続点
の間に中間増幅回路1を接続しない場合を示すもので、
本実施例とは関係がないが、説明の都合上記載したもの
である。図5の回路構成は、ドライバ回路2とレシーバ
回路4との間の正ラインのI01接続点と反転ラインの
102接続点との間に上記中間増幅回路1を1段接続し
た場合を示すものである。図6の回路構成は、ドライバ
回路2とレシーバ回路4との間の正ラインのI01接続
点、反転ラインのI02接続点間に中間増幅回路1を2
段接続し、信号伝達の遅延を改善させた場合を示すもの
である。図7はドライバ回路2とレシーバ回路4との間
の正ラインのI01接続点、反転ラインのI102接続
点間に中間増幅回路1を3段接続し、信号伝達の遅延を
さらに改善させた場合を示すものである。
【0032】図8は図4〜図7のシミュレーション回路
構成における配線距離と信号伝達回路の消費電力との関
係を示す図である。図8の縦軸は消費電力(mW)を示
すもので、横軸は配線距離(x1000μm)を示すも
のである。この図8において、曲線0Nが中間増幅回路
が設けられていない図4の回路構成における配線距離と
信号伝達回路の消費電力との関係を示すものである。曲
線2Nが中間増幅回路が1段設けられている図5の回路
構成における配線距離と信号伝達回路の消費電力との関
係を示すものである。曲線3Nが中間増幅回路が2段設
けられている図6の回路構成における配線距離と信号伝
達回路の消費電力との関係を示すものである。曲線4N
が中間増幅回路が3段設けられている図7の回路構成に
おける配線距離と信号伝達回路の消費電力との関係を示
すものである。
【0033】この図8と、図10〜図13に示した従来
のCMOSインバータを直列に接続した信号伝達回路に
おける消費電力(mW)と配線距離(x1000μm)
との関係を示す図14を比較してみると、配線距離が2
0(x1000μm)のとき、図8においては中間増幅
回路1を1台接続した曲線2Nでほぼ0,75mW(従
来の曲線2Cで1.1mW)であり、従来例に比べて約
0.35mWの消費電力を節約することができる。中間
増幅回路1を2台接続した曲線3Nではほぼ0,9mW
(従来の曲線3Cで1.15mW)であり、従来例に比
べて約0.25mWの消費電力を節約することができ
る。また、中間増幅回路1を3台接続した曲線4Nでは
ほぼ0,9mW(従来の曲線4Cで1.2mW)であ
り、従来例に比べて約0.3mWの消費電力を節約する
ことができる。従って、このように本発明を用いるとC
MOSインバータを用いた信号伝達回路と比較して消費
電力を0.25〜0.3mW節約することが可能にな
る。
【0034】図9は図4〜図7のシミュレーション回路
構成図における配線距離と遅延との関係を示す図であ
る。図9の縦軸は遅延(ns)を示すもので、横軸は配
線距離(x1000μm)を示すものである。この図9
において、曲線0Nが中間増幅回路1を接続しない図4
の回路構成における配線距離と信号伝達回路の遅延(n
s)との関係を示すものである。曲線2Nが、中間増幅
回路1を1台接続した図5の回路構成における配線距離
と信号伝達回路の遅延との関係を示すものである。曲線
3Nが、中間増幅回路1を2段接続した図6の回路構成
における配線距離と信号伝達回路の遅延との関係を示す
ものである。曲線4Nが、中間増幅回路1を3台接続し
た図7の回路構成における配線距離と信号伝達回路の遅
延との関係を示すものである。
【0035】この図9と、図10〜図13に示した従来
のCMOSインバータを直列に接続した信号伝達回路に
おける遅延(ns)と配線距離(x1000μm)との
関係を示す図15を比較してみると、配線距離が20
(x1000μm)cmのとき、中間増幅回路1を1台
接続した曲線2Nでほぼ4.5ns(従来の曲線2Cで
5ns)であり、従来例に比べて約0.5ns遅延を短
くすることができる。中間増幅回路1を2台接続した曲
線3Nではほぼ4.3ns(従来の曲線3Cで4.8n
s)であり、従来例に比べて約0.5ns遅延を短くす
ることができる。また、中間増幅回路1を3台接続した
曲線4Nではほぼ4,3ns(従来の曲線3Cで4.8
ns)であり、従来例に比べて約0.5ns遅延を短く
することができる。従って、このように本発明を用いる
とCMOSインバータを用いた信号伝達回路と比較して
遅延をほぼ0.5ns短くすることが可能になる。
【0036】上記実施例では、入出力を共有する端子を
備えた中間増幅回路の正帰還により信号を増幅しながら
伝達することにより、高速かつ低電力で信号を伝達する
ことができる各種のCMOSのLSIを提供することが
可能になる。また、本実施例の中間増幅回路では、ゲー
ト制御用のクロック信号発生回路やゲート制御回路を不
用とすることができるので、回路構成を平易にするこが
できる。
【0037】なお、上記実施例では、各種のCMOSの
LSIに適用することができることを説明したが、本発
明の趣旨を逸脱しない範囲であればこれらのもの以外の
ものにも適用することができることはいうまでもない。
【0038】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、入出力を
共有する端子を備えた中間増幅回路の正帰還により信号
を増幅して伝達でき、高速かつ低電力で信号を伝達する
ことができる。従って、高速かつ低電力で信号を伝達す
ることができる各種のCMOSのLSIを提供すること
が可能になる。また、本発明の中間増幅回路はゲート制
御用のクロック信号発生回路やゲート制御回路が不用で
あるので、回路構成が平易である、遅延が小さいなどの
優れた作用効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の信号伝達回路を示す回路図
である。
【図2】本発明の一実施例の信号伝達回路の要部である
中間増幅回路を示す回路図である。
【図3】本発明の一実施例の中間増幅回路の各接点にお
ける信号波形を示す図である。
【図4】本発明の一実施例の信号伝達回路の接続形態を
示す回路図である。
【図5】本発明の一実施例の信号伝達回路の接続形態を
示す回路図である。
【図6】本発明の一実施例の信号伝達回路の接続形態を
示す回路図である。
【図7】本発明の一実施例の信号伝達回路の接続形態を
示す回路図である。
【図8】図4〜図7のシミュレーション回路構成図にお
ける配線距離と信号伝達回路の消費電力との関係を示す
図である。
【図9】図4〜図7のシミュレーション回路構成図にお
ける配線距離と信号伝達回路の遅延との関係を示す図で
ある。
【図10】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路の例を示す回路図である。
【図11】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路の例を示す回路図である。
【図12】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路の例を示す回路図である。
【図13】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路の例を示す回路図である。
【図14】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路において、図10〜図13のインバータ接続数に対
応した信号伝達回路の消費電力と配線長の関係を示す図
である。
【図15】従来のCMOSインバータを用いた信号伝達
回路において、図10〜図13のインバータ接続数に対
応した信号伝達回路の遅延と配線距離の関係を示す図で
ある。
【図16】従来の差動信号による信号伝達回路の具体的
回路例を示す図である。
【図17】従来の差動信号による信号伝達回路に用いる
中間増幅回路の具体的回路例を示す図である。
【符号の説明】
1 中間増幅回路 2 ドライバ回路 3 イコライザ回路 4 レシーバ回路 5 駆動用トランジタ 6 駆動用トランジタ 7 駆動用トランジタ 8 駆動用トランジタ 9 プリチャージ用のトランジスタ 10 プリチャージ用のトランジスタ 11 プリチャージ用のトランジスタ 12 プリチャージ用のトランジスタ 13 プリチャージ用のトランジスタ 14 プリチャージ用のトランジスタ 15 プリチャージ用のトランジスタ 16 プリチャージ用のトランジスタ 17 トランジスタ 18 トランジスタ 19 トランジスタ 20 トランジスタ 21 CMOSインバータ 22 NAND回路 23 NAND回路 24 CMOSインバータ 25 CMOSインバータ 36 CMOSインバータ 37 CMOSインバータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 19/0175 G06F 3/00 H03F 1/34

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】論理信号とイネーブル信号とを入力し、上
    記イネーブル信号が第1の論理レベルにあるときに上記
    論理信号を差動信号に変換して一対の出力端子に出力
    し、上記イネーブル信号が第2の論理レベルにあるとき
    に上記一対の出力端子をハイインピーダンス状態とする
    ドライバ回路と、 上記一対の出力端子に接続された一対の信号線を有する
    信号伝達線と、 上記一対の信号線を所定の電圧に平坦化するイコライザ
    回路と、 上記一対の信号線に接続された一対の入力端子を有し、
    上記一対の入力端子に入力される差動信号を増幅して論
    理信号に変換するレシーバ回路と、 上記一対の信号線に接続された一対の信号端子と、上記
    一対の信号端子に現れる差動信号を正帰還動作により増
    幅して上記一対の信号端子を駆動する増幅回路と、プリ
    チャージ信号に応じて上記増幅回路を非活性状態とする
    ためのスイッチ回路とを有する中間増幅回路と、 を有する信号伝達回路。
  2. 【請求項2】上記レシーバ回路は、 電源電圧供給端子と一方の入力端子との間に直列に接続
    された第1および第2のトランジスタと、 電源電圧供給端子と他方の入力端子との間に直列に接続
    された第3および第4のトランジスタとを有し、 上記第1のトランジスタのゲートが上記第3および第4
    のトランジスタの接続点に接続されており、上記第2の
    トランジスタのゲートが他方の入力端子に接続されてお
    り、上記第3のトランジスタのゲートが上記第1および
    第2のトランジスタの接続点に接続されており、上記第
    4のトランジスタのゲートが上記一方の入力端子に接続
    されている、 請求項1に記載の信号伝達回路。
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