JP3431736B2 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、共振器型弾性表面
波フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、弾性表面波装置は弾性表面波
（Surface Acoustic Wave 、以下、ＳＡＷという）を励
振するためのすだれ状トランスデューサ（Interdigital
Trancducer 、以下、ＩＤＴという）を有している。そ
の、そのＩＤＴを加工することにより、弾性表面波装置
にいろいろな特性及び機能を持たせることができる。従
来、弾性表面波装置といえば主にＳＡＷフィルタを指す
ことが多く、そのＳＡＷフィルタの中では多電極型ＳＡ
Ｗフィルタが主役であった。しかるに、近年、多電極型
ＳＡＷフィルタの他に、共振器型ＳＡＷフィルタの研究
開発も盛んになり、ＳＡＷフィルタと言えば必ずしも多
電極型ＳＡＷフィルタを意味しなくなってきている。本
発明はその共振器型ＳＡＷフィルタに関するものであ
る。共振器型ＳＡＷフィルタは、古典的な電気フィルタ
の設計方法に基づくＳＡＷ共振子を用いて構成されるフ
ィルタである。ＳＡＷ共振子の本体はＩＤＴであり、場
合によっては、左右に反射器を有してる。反射器もＩＤ
Ｔと同様にすだれ状の電極指で構成され、その全電極指
は電気的に短絡されている場合もあれば、開放されてい
る場合もある。反射器は主にＩＤＴから左右に漏洩する
ＳＡＷを音響的に反射するための装置であるので、全電
極指の電気的短絡または開放とほとんど無関係である。
ＳＡＷフィルタのインピーダンス特性はＬＣ共振器のイ
ンピーダンス特性にきわめて類似している。そのため、
電気フィルタの設計方法が適用できるわけである。

【０００３】図２は、従来のＳＡＷ共振子を示す平面図
である。例えば水晶基板、ＬｉＴａ０₃ 基板、或いはＬ
ｉＮｂ０₃ 基板のような圧電基板１に対して、一般的な
半導体の製造プロセス技術の例えばリフトオフ（Lift-O
ff）技術等が用いられて、ＩＤＴ２と反射器３とが形成
されている。ＩＤＴ２では、入力端子４に接続されたす
だれ状の電極指と出力端子５に接続された電極指とが交
互に配置されている。ＩＤＴ２と反射器３は、一般的に
ＡｌまたはＡｌを主材料とする合金でできている。反射
器３が不要の場合には、これは除かれる。図３（１），
（２），（３）は、図２中の反射器を説明する図であ
り、同図（１）は略図、同図（２）は全電極指が電気的
に短絡された反射器、及び同図（３）が全電極指が開放
された反射器をそれぞれ示している。反射器の電極指の
本数は、５０〜１００本程度が適当である。図２中の反
射器は、一般的に図３（２）もしくは図３（３）の形態
をとっている。また、反射器３は、所望のインピーダン
スを得るために、ＩＤＴ２の一番外側の電極指から励振
するＳＡＷの４分の１波長の距離の前後に配置されるの
が一般的である。反射器３は、ＩＤＴ２と同じ製造工程
で同時に作製されるので、その膜厚及び材質はＩＤＴ２
と同じである。目安としての膜厚は、数百オングストロ
ームから数千オングストロームまでであり、材質は純Ａ
ｌまたはＡｌを主材料とする合金が使用される。また、
場合によっては、純Ａｕ、純Ｔｉまたはこれらの金属を
主材料とする合金が用いられる場合もある。以上のよう
な構成のＳＡＷ共振子はＬＣ共振器とよく似たリアクタ
ンス特性を示すため、その等価回路をＬＣ共振器で近似
的に表すことが多い。

【０００４】図４（１），（２）は、図２の等価回路と
リアクタンス特性を示す図であり、同図（１）が等価回
路、同図（２）がリアクタンス特性をそれぞれ示してい
る。等価回路は、端子間に直列に接続されたインダクタ
１０とキャパシタ１１と抵抗１２と、それらと並列に接
続されたキャパシタ１３とで表される。この等価回路を
有したＳＡＷ共振子のリアクタンス特性は、図４（２）
が示す共振周波数Ｆｒと反共振周波数Ｆａとを持ってい
る。このようなリアクタンス特性の素子で電気フィルタ
を設計する方法は、古くから知られている。共振子でフ
ィルタを構成するにあたって、はしご型回路がフィルタ
の基本回路となる。 図５は、一段はしご型回路を示す
回路図である。はしご型回路には、二通りの構成が考え
られる。図５（ａ）の回路と図５（ｂ）の回路は対称で
あり、（ａ）の左の端子からみたインピーダンスは
（ｂ）の右の端子からみたインピーダンスに等しく、
（ａ）の右の端子からみたインピーダンスは（ｂ）の左
の端子からみたインピーダンスに等しい。共振子でフィ
ルタを構成するとき、はしご型回路間のインピーダンス
を考えながら（ａ）または（ｂ）の回路を選択する。図
中の２１は並列アーム（アームは英語のａｒｍからきた
外来語）共振子で、２２は直列アーム共振子である。並
列アーム共振子２１の反共振周波数と直列アーム共振子
２２の共振周波数が非常に接近または一致すれば、系全
体の入力端子と出力端子における整合状態がきわめて良
好な帯域フィルタの特性が得られる。

【０００５】図６は、図５の１段はしご型回路の伝送特
性を説明する図である。図６中の３１は、図５の並列ア
ーム共振子２１と直列アーム共振子２２のリアクタンス
特性を示している。ここで、各曲線Ｘp ，Ｘs は、各共
振子２１，２２のリアクタンス特性である。共振周波数
と反共振周波数は図６に示されている通りである。結果
的に、図５に示されるｌ段はしご型回路の挿入損失特性
は、図６の３２の特性のようになる。この挿入損失は、
帯域フィルタの伝送特性であり、はしご型回路の段数を
増やすことにより、通過帯域の左右の減衰量が増加す
る。その段数はフィルタの特性の条件によって決まる。
しかし、はしご型フィルタの段数が増加すると、共振子
の数もこれに比例して増加する。

【０００６】図７は、４段はしご型回路で構成される共
振器型フィルタを示す回路図である。この共振器型フィ
ルタは、図５に示された各１段はしご型回路４１，４
２，４３，４４が、４個縦続接続されたものである。各
１段はしご型回路４１〜４４は、並列アーム共振子４１
ａ〜４４ａと、直列アーム共振子４１ｂ〜４４ｂをそれ
ぞれ有している。ただし、各段の間の相互反射を考慮し
て、接続するときにインピーダンスの等しい端子同士が
接続されている。結果的に、直列アームにおいては２組
の２個直列接続ＳＡＷ共振子系、並列アームにおいてｌ
組の２個並列接続ＳＡＷ共振子系ができる。各段に２個
の共振子があるので合計８個のＳＡＷ共振子が必要にな
ってくる。ところが、一般的に直列に接続する２個のＳ
ＡＷ共振子または並列に接続する２個のＳＡＷ共振子
は、１個のＳＡＷ共振子に合成することが可能である。
この合成共振子は２個の共振子系とほぼ同じインピーダ
ンス特性を持っていることが特徴である。例えば、ｌ段
目回路４１の共振子４１ｂ及び２段目回路４２の共振子
４２ａと、３段目回路４３の共振子４３ｂ及び４段目回
路４４の共振子４４ａとは、それぞれ直列に接続し、２
段目回路４２の共振子４２ｂと３段目回路４３の共振子
４３ａは並列に接続する。

【０００７】図８は、共振子合成後の４段はしご型フィ
ルタを示す回路図である。それぞれの共振子系を合成す
ると、図７の４段はしご型フィルタの構成は、図８の構
成になる。即ち、図７に示される共振器型フィルタで
は、合計８個の共振子が必要であったが、共振子合成を
行なうことによって５個の共振子５１，５２，５３，５
４，５５で、図７と同じ伝送特性およびインピーダンス
特性を有する共振器型フィルタが得られる。なお、図８
で並列アームに配置される共振子５１と共振子５５は、
図７の各共振子４１ａ，４４ｂと同じであり、合成され
ない共振子である。直列アームの共振子５２は２個の共
振子４ｌｂ，４２ａの合成共振子、直列アームに配置さ
れた共振子５４は２個の共振子４３ｂ，４４ａの合成共
振子、及び並列アームに配置された共振子５３は２個の
共振子４２ｂ，４３ａの合成共振子である。図７を構成
する各共振子をＳＡＷ共振子でそれぞれ構成する場合、
その合成方法は次の図９に示されているようになる。

【０００８】図９は、ＳＡＷ共振子の合成を説明する図
である。図９（１）は従来の単体のＳＡＷ共振子で、こ
こでは反射器を省略するが、反射器があっても差しつか
えない。また、ここではＳＡＷ共振子のＩＤＴ合成を説
明するためなので、圧電基板を図示していないが、すべ
てのＳＡＷ共振子は圧電基板上に作製されている。同図
中のＷは対向する電極指の交差長である。また、λは励
振するＳＡＷの波長であり、電極指幅の４倍に等しい。
２個のＳＡＷ共振子を合成するとき、例えば、図９の
（２）に示すように、２個の直列接続ＳＡＷ共振子を１
個のＳＡＷ共振子に合成すると、後者の交差長は前者の
単体の交差長の半分になる。図９（３）のように、２個
の並列接続ＳＡＷ共振子を１個のＳＡＷ共振子に合成す
ると、後者の交差長は前者の単体の交差長Ｗの２倍にな
る。それぞれの場合の合成後のＳＡＷ共振子のインピー
ダンス特性は、合成前の直列接続ＳＡＷ共振子系または
並列接続ＳＡＷ共振子系のインピーダンス特性とほぼ同
じである。ただし、直列接続ＳＡＷ共振子系の場合では
合成後のＳＡＷの励振領域は面積的に合成前の４分のｌ
になるのに対し、並列接続ＳＡＷ共振子の場合では合成
後のＳＡＷの励振領域は面積的に合成前と同じである。
このようにして共振器型フィルタの共振子が合成されて
いく。例えば、４段はしご型回路で構成される共振器型
ＳＡＷフィルタの場合では８個のＳＡＷ共振子を必要と
するところ、５個のＳＡＷ共振子で同じ伝送特性とイン
ピーダンス特性を有する共振器型ＳＡＷフィルタの構成
が可能である。即ち、用いられるＳＡＷ共振子の数は、
ほぼ段数と同じとなる。また、減衰量はほぼ段数に比例
して増加するので、所望のフィルタの特性が決まれば、
その段数もほぼ決まる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＡＷ共振子を用いた共振器型ＳＡＷフィルタでは、次
のような課題があった。ＳＡＷ共振子の数を減らす目的
で、一般的に直列接続する２個の共振子および並列に接
続する２個の共振子は、それぞれｌ個の合成共振子に合
成される。それら各合成共振子のインピーダンス特性
は、２個の直列接続の共振子および２個の並列共振子と
それぞれほぼ同じである。図９の（２）において、直列
接続の２個のＳＡＷ共振子を合成した後得たＳＡＷ共振
子の交差長は、合成前の単体ＳＡＷ共振子の交差長の半
分になる。図９の（３）において、並列接続の２個のＳ
ＡＷ共振子を合成した後得たＳＡＷ共振子の交差長は、
合成前の単体ＳＡＷ共振子の交差長の２倍になる。

【００１０】合成ＳＡＷ共振子に高周波電力を入力する
と各々の電極指間にＳＡＷが励振する。図９の（３）で
は、単体同志で比較すると、合成ＳＡＷ共振子の交差長
は、合成前の単体ＳＡＷ共振子より２倍長いため、明ら
かに合成ＳＡＷ共振子において励振したＳＡＷのエネル
ギー密度は、同じ電力を印加したとすると、合成前の単
体ＳＡＷ共振子の場合と比べて半分になり、単体ＳＡＷ
共振子より電力的に２倍強くなるわけである。しかし、
図９の（２）では、交差長が単体ＳＡＷ共振子の半分し
かなく、明らかに、励振したＳＡＷのエネルギー密度は
合成前の単体ＳＡＷ共振子の場合と比べて２倍になり、
合成前の単体ＳＡＷ共振子より電力的に、２倍破壊され
やすくなるのである。

【００１１】実際に、図８に示すように共振器型ＳＡＷ
フィルタを構成し、通電実験を行なったところ、高電力
による破壊はほとんど直列アームの合成共振子５２また
は５４で発生した。これは、直列の２個のＳＡＷ共振子
を合成したことによって、合成ＳＡＷ共振子５２または
５４には、合成前の単体のＳＡＷ共振子の電力が印加さ
れるため、ＳＡＷのエネルギー密度は、合成前の単体の
ＳＡＷ共振子に比べて４倍高くなる。このことが、原因
であると推定できる。本発明は以上のような欠点を除去
し、高耐電力の共振器型ＳＡＷフィルタを提供すること
を課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第１の発明は、直列アーム共振子及
び並列アーム共振子からなるはしご型回路が複数段、縦
続接続されて構成される共振器型ＳＡＷフィルタの回路
において、前記各段の隣接する直列アーム共振子同士が
合成されると共に、前記各段の隣接する並列アーム共振
子同士が合成されて形成されるＳＡＷフィルタであっ
て、前記各並列アーム共振子及び前記各直列アーム共振
子を次のように形成している。即ち、前記各並列アーム
共振子は、ＳＡＷ共振子で構成して圧電基板上に形成
し、前記各直列アーム共振子は、ＳＡＷ共振子で構成す
るときと同一のインピーダンス特性を持ち、且つ該ＳＡ
Ｗ共振子よりも耐電力特性に優れたＬＣ共振子により構
成して前記圧電基板上に形成している。 第２の発明で
は、前記各並列アーム共振子は、ＳＡＷ共振子で構成し
て圧電基板上に形成し、前記各直列アーム共振子は、Ｓ
ＡＷ共振子で構成するときと同一のインピーダンス特性
を持ち、且つ該ＳＡＷ共振子よりも耐電力特性に優れた
ＬＣ共振子、水晶共振子または圧電共振子により構成し
て前記圧電基板の外部に形成している。 第１及び第２の
発明によれば、以上のように共振器型ＳＡＷフィルタを
構成したので、合成後の並列アーム共振子はＳＡＷ共振
子で形成され、直列アーム共振子は、合成ＳＡＷ共振子
の代わりに、これよりも耐電力特性に優れた共振子で構
成される。そのため、合成後の共振器型ＳＡＷフィルタ
において、従来の課題となっていた直列アーム共振子で
の電力破壊が防止される。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
共振器型ＳＡＷフィルタの回路図である。従来の課題で
説明したように、共振器型ＳＡＷフィルタの直列アーム
における直列接続の２個のＳＡＷ共振子を合成してｌ個
のＳＡＷ共振子にすることによって、フィルタの直列ア
ームのＳＡＷ共振子で電力破壊が起こっていた。本実施
形態の共振器型ＳＡＷフィルタでは、その直列アームを
形成する合成ＳＡＷ共振子の代わりに、高電力に強い共
振子の例えばＬＣ共振子等を使用している。このＳＡＷ
フィルタは、入力端子対６１ａ，６１ｂと出力端子対６
２ａ，６２ｂ間に順に接続された、並列アームのＳＡＷ
共振子６３と、直列アームのＬＣ共振子６４と、並列ア
ームのＳＡＷ共振子６５と、直列アームのＬＣ共振子６
６と、並列アームのＳＡＷ共振子６７とを、備えてい
る。各ＬＣ共振子６４，６６は、例えば各ＳＡＷ共振子
６３，６５，６７と共に同一の圧電基板に形成されてい
る。

【００１４】図１のフィルタは、図７の４段はしご型フ
ィルタの共振子を合成した図８のフィルタに対応するも
のであり、ＳＡＷ共振子６３は合成の行われないＳＡＷ
共振子５１、ＳＡＷ共振子６５は合成されたＳＡＷ共振
子５３、及びＳＡＷ共振子６７は合成の行われないＳＡ
Ｗ共振子５５にそれぞれ該当する。また、各ＬＣ共振子
６４，６６は、図７のＳＡＷ共振子５２，５４にそれぞ
れ該当する。各ＬＣ共振子６４，６６は同じ構成で同じ
特性を有するものである。ＬＣ共振子６４は、直列に接
続されたインダクタ６４−１とキャパシタ６４−２と、
それらに対して並列に接続されたキャパシタ６４−３と
で、構成されている。また、ＬＣ共振子６６は、直列に
接続されたインダクタ６６−１とキャパシタ６６−２
と、それらに対して並列に接続されたキャパシタ６６−
３とで構成されている。ＬＣ共振子はＳＡＷ共振子に比
べて高電力に強く、しかも、大きさはＳＡＷ共振子に対
して数倍大きい程度であり、共振器型ＳＡＷフィルタの
小型化の妨げにはならない。

【００１５】各インダクタ６４−１，６６−１は、渦巻
き型でも直線型でもどちらで形成してもよい。キャパシ
タ６４−２，６６−２，６４−３，６６−３は、誘電体
を挟むサンドイッチ型または電極指の広いＳＡＷ共振子
のＩＤＴ型でもよい。但し、直列アームの合成ＳＡＷ共
振子と同じインピーダンス特性を、各ＬＣ共振子６４，
６６に持たせるために、各インダクタ６４−１，６６−
１のインダクタンスＬと、キャパシタ６４−２，６６−
２のキャパシタンスｃと、各キャパシタ６４−３，６６
−３のキャパシタンスＣ_o とは、独立に評価してから構
成する必要がある。例えば、ＬｉＴａＯ₃ 板を圧電基板
とする中心周波数８３５ＭＨｚの共振器型ＳＡＷフィル
タの場合では、共振子のトランスデューサ及び反射器の
電極指幅は約ｌ．ｌ５μｍ、各ＳＡＷ共振子６３，６７
における電極指の交差長とその対数はそれぞれ約７０μ
ｍと７０対程度、ＳＡＷ共振子６５の交差長と対数はそ
れぞれ約９０μｍと１００対程度である。各ＬＣ共振子
６４，６６を従来のようにＳＡＷ共振子で構成した場
合、その交差長と対数はそれぞれ約５５μｍと１１０対
程度であるが、各ＬＣ共振子６４，６６で構成して同じ
インピーダンス特性を得るためには、インダクタンスＬ
を約１０ｎＨ、キャパシタンスＣ₀ を約１２２ｐＦ、及
びキャパシタンスｃを約３．７３ｐＦにしなければなら
ない。

【００１６】本実施形態では、各インダクタ６４−１，
６６−１を線幅１５０μｍ程度、巻数７〜１０程度の平
面渦巻き型インダクタでそれぞれ構成している。キャパ
シタ６４−２，６６−２とキャパシタ６４−３，６６−
３とはすだれ状型で、従来のＳＡＷ共振子と同じ構成で
ある。しかしながら、その線幅は７Ｏμｍ前後としてい
るので１０ＭＨｚ以上のＳＡＷを励振しないから、それ
らは８００ＭＨｚ帯ではキャパシタとしてしか働かな
い。また、キャパシタ６４−３，６６−３の交差長と対
数はそれぞれ１５０μｍ程度と１５対程度で、キャパシ
タ６４−２，６６−２の交差長と対数はそれぞれ４５０
μｍ程度と３対程度である。各インダクタ６４−１，６
６−１と各キャパシタ６４−２，６６−２とキャパシタ
６４−３，６６−３とは、すべて高電力に強い単―素子
なので、このように構成した図１の共振器型ＳＡＷフィ
ルタは従来のものと比べて３〜４倍程度形状的に大きく
なるものの、数十倍以上高耐電力なものとなる。なお、
各素子値から、各インダクタ６４−１，６６−１と各キ
ャパシタ６４−２，６６−２とキャパシタ６４−３，６
６−３とは、容易に入手可能な単―素子なので、それら
ＬＣ共振子６４，６６を、圧電基板に対して外付けのＬ
Ｃ共振器で構成してもよい。例えば、各インダクタ６４
−１，６６−１はコイル断面積が約ｌｍｍ² 程度で巻数
が２〜３のインダクタで構成し、各キャパシタ６４−
２，６６−２と各キャパシタ６４−３，６６−３は、寸
法が０．５×１×２ｍｍ³ のセラミックキャパシタで構
成してもよい。

【００１７】次に、図１の共振器型ＳＡＷフィルタの動
作を説明する。図１の動作原理は従来のものとまったく
同じである。入力端子対６１ａ，６１ｂから高周波信号
が入力されると各ＬＣ共振子６４，６６において、従来
のようにＳＡＷに変換されずに、次の（１），（２）式
で表わされる各ＬＣ共振子６４，６６の共振周波数Ｆｒ
と反共振周波数Ｆａ間付近の周波数の信号だけが容易に
通過する。これ以外の周波数帯域の信号は反射され、入
力端子対６１ａ，６１ｂに戻される。

【数１】 このとき、ＳＡＷ共振子６３，６５，６７で、ある程度
のＳＡＷが励振されるが、各ＬＣ共振子６４，６６のよ
うに主流電力は通過しないので、まず電力による破壊の
可能性は、ほとんどない。各ＳＡＷ共振子６３，６５，
６７の共振周波数をｆｒ（＝２Ｆｒ−Ｆａ）と反共振周
波数をｆａ（＝Ｆｒ）とすると、図６の説明から明かな
ように、それらＳＡＷ共振子６３，６５，６７の影響で
共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａ間付近の周波数の信
号だけが容易に通過し、これ以外の周波数帯域の信号
は、反射されて入力端子対６１ａ，６１ｂに戻される。
ＳＡＷフィルタにおける各素子がこのように機能する
と、結局、ＳＡＷ共振子の共振周波数ｆｒからＬＣ共振
子の反共振周波数Ｆａまでを帯域とする帯域フィルタに
なる。そして、通過可能な周波数の信号だけが、出力端
子対６２ａ，６２ｂに到達し、出力信号として抽出され
る。ここで、例えば周波数ＦｒとＦａはそれぞれ８３
６．５ＭＨｚと８４９ＭＨｚで、ｆｒは８２４ＭＨｚで
ある。

【００１８】以上のように、本実施形態では、共振器型
ＳＡＷフィルタにおいて、高電力に弱い直列アームのＳ
ＡＷ共振子を、そのＳＡＷ共振子と同じインピーダンス
特性を有するＬＣ共振子６４，６６に変更して構成して
いる。ＬＣ共振子は高耐電力であり、直列アームでの電
力破壊が防止される。そのため、このＳＡＷフィルタ
は、自動車電話或いは携帯電話等において送信フィルタ
として用いられている高電力に強いセラミックスフィル
タの代わりに、使用可能になる。また、共通のアンテナ
で送受信を行うために通信機器に設けられ、高耐電力の
ＳＡＷフィルタを必要とするＳＡＷ共用器も、本実施形
態のＳＡＷフィルタを用いることで実現できる。なお、
本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形が可能
である。例えば、上記実施形態では、４段はしご回路に
基づいたＳＡＷフィルタを説明しているが、はしご回路
の段数に制限はない。また、直列アームをＳＡＷ共振子
６３，６５，６７と同一基板に形成されたＬＣ共振子６
４，６６で構成しているが、外付けのＬＣ共振子、水晶
共振子、または圧電共振子等で直列アームを構成しても
よい。

【００１９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１及び第
２の発明によれば、共振器型ＳＡＷフィルタにおいて、
合成後の高電力に弱い直列アームのＳＡＷ共振子を、そ
のＳＡＷ共振子と同一のインピーダンス特性を有し、耐
電力特性に優れたＬＣ共振子、水晶共振子または圧電共
振子に変更して構成している。そのため、合成後の直列
アームにおける耐高電力性が確保され、電力破壊から解
放される。よって、高電力用に適した共振器型ＳＡＷフ
ィルタが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示す共振器型ＳＡＷフィル
タの回路図である。

【図２】従来のＳＡＷ共振子を示す平面図である。

【図３】図２中の反射器を説明する図である。

【図４】図２の等価回路とリアクタンス特性を示す図で
ある。

【図５】１段はしご型回路を示す回路図である。

【図６】図５の１段はしご型回路の伝送特性を説明する
図である。

【図７】４段はしご型回路で構成される共振器型フィル
タを示す回路図である。

【図８】共振子合成後の４段はしご型フィルタを示す回
路図である。

【図９】ＳＡＷ共振子の合成を説明する図である。

【符号の説明】 ６１ａ，６１ｂ 入力端子対 ６２ａ，６２ｂ 出力端子対 ６３，６５，６７ ＳＡＷ共振子（並列アーム） ６４，６６ ＬＣ共振子（直列アーム）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−327399（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−276046（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350390（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−15276（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−6111（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−92147（ＪＰ，Ａ) 実開 昭50−136341（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/145

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直列アーム共振子及び並列アーム共振子
   からなるはしご型回路が複数段、縦続接続されて構成さ
   れる共振器型弾性表面波フィルタの回路において、前記
   各段の隣接する直列アーム共振子同士が合成されると共
   に、前記各段の隣接する並列アーム共振子同士が合成さ
   れて形成される弾性表面波フィルタであって、 前記各並列アーム共振子は、弾性表面波共振子で構成し
   て圧電基板上に形成し、 前記各直列アーム共振子は、弾性表面波共振子で構成す
   るときと同一のインピーダンス特性を持ち、且つ該弾性
   表面波共振子よりも耐電力特性に優れたＬＣ共振子によ
   り構成して前記圧電基板上に形成したことを特徴とする
   弾性表面波フィルタ。
2. 【請求項２】 直列アーム共振子及び並列アーム共振
   子からなるはしご型回路が複数段、縦続接続されて構成
   される共振器型弾性表面波フィルタの回路において、前
   記各段の隣接する直列アーム共振子同士が合成されると
   共に、前記各段の隣接する並列アーム共振子同士が合成
   されて形成される弾性表面波フィルタであって、 前記各並列アーム共振子は、弾性表面波共振子で構成し
   て圧電基板上に形成し、 前記各直列アーム共振子は、弾性表面波共振子で構成す
   るときと同一のインピーダンス特性を持ち、且つ該弾性
   表面波共振子よりも耐電力特性に優れたＬＣ共振子、水
   晶共振子または圧電共振子により構成して前記圧電基板
   の外部に形成したことを特徴とする弾性表面波フィル
   タ。