JP3430124B2 - 半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法 - Google Patents
半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JP3430124B2 JP3430124B2 JP2000166189A JP2000166189A JP3430124B2 JP 3430124 B2 JP3430124 B2 JP 3430124B2 JP 2000166189 A JP2000166189 A JP 2000166189A JP 2000166189 A JP2000166189 A JP 2000166189A JP 3430124 B2 JP3430124 B2 JP 3430124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- axis direction
- gate
- scanning
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
ゲート部位処理装置及び処理方法に関し、特に、リード
フレームに接続している半導体パッケージからゲート対
応部分と半導体パッケージに付随しているリード部位に
付着している樹脂ばりを切除する半導体製造装置のゲー
ト部位処理装置及び処理方法に関する。
ゲート部位処理装置及び処理方法に関し、特に、リード
フレームに接続している半導体パッケージからゲート対
応部分と半導体パッケージに付随しているリード部位に
付着している樹脂ばりを切除する半導体製造装置のゲー
ト部位処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は、帯状に一連続に延び
るリードフレームに多数の半導体部品を射出成形により
樹脂封止して半導体パッケージとして組立て、成形によ
り生じるゲート部分と、ランナー部分、リード部位に付
着する樹脂バリとを切断・除去する工程を含んでいる。
図６は、リードフレーム１０１の概略の形状とリードフ
レーム面に組み付けられている多数の半導体パッケージ
１０２の配置を示している。図７（ａ），（ｂ）は、主
として上側半分に関して、１つの半導体パッケージ１０
２に付着するゲート部分と、ランナー部分、リード部位
に付着している樹脂バリを示している。半導体パッケー
ジ１０２は、リードフレーム１０１に形成される穴１０
３の周囲を短絡するリードフレームの一部分として、内
側から外側に延びるリード部位１０４を備えている。半
導体パッケージ１０２を形成する際に、トランスファー
モールド（射出成形機）の型部材のゲート、ランナーに
形成されるゲート対応部分１０５と、ゲートに接続する
ランナーに形成されるランナー対応部分１０６が成形後
に残存する。ゲート対応部分１０５は、半導体パッケー
ジ１０２の厚さ方向に中央に位置する中央部位の片側に
付着している。樹脂バリ１０９は、リード部位１０４の
周囲面にリード部位１０４の厚さに等しい厚さで成形後
に残存している。
るリードフレームに多数の半導体部品を射出成形により
樹脂封止して半導体パッケージとして組立て、成形によ
り生じるゲート部分と、ランナー部分、リード部位に付
着する樹脂バリとを切断・除去する工程を含んでいる。
図６は、リードフレーム１０１の概略の形状とリードフ
レーム面に組み付けられている多数の半導体パッケージ
１０２の配置を示している。図７（ａ），（ｂ）は、主
として上側半分に関して、１つの半導体パッケージ１０
２に付着するゲート部分と、ランナー部分、リード部位
に付着している樹脂バリを示している。半導体パッケー
ジ１０２は、リードフレーム１０１に形成される穴１０
３の周囲を短絡するリードフレームの一部分として、内
側から外側に延びるリード部位１０４を備えている。半
導体パッケージ１０２を形成する際に、トランスファー
モールド（射出成形機）の型部材のゲート、ランナーに
形成されるゲート対応部分１０５と、ゲートに接続する
ランナーに形成されるランナー対応部分１０６が成形後
に残存する。ゲート対応部分１０５は、半導体パッケー
ジ１０２の厚さ方向に中央に位置する中央部位の片側に
付着している。樹脂バリ１０９は、リード部位１０４の
周囲面にリード部位１０４の厚さに等しい厚さで成形後
に残存している。
【０００３】図８は、ゲート対応部分１０５とランナー
対応部分１０６を切断・除去する切断金型１０７を示し
ている。図９に示されるように、リードフレーム１０１
と同体に一連に流れる半導体パッケージの１つは、特定
位置で切断金型１０７のパンチ１０８とダイ１１０とに
より切断される。その切断は、パンチ１０８がゲート対
応部分１０５とランナー対応部分１０６を同体的に一方
向に押し付けることにより実行されている。樹脂バリ１
０９の除去は、次の工程で、研磨材と水とを混合した液
体を高圧にして半導体パッケージの全体に吹き付けて抜
き落とすことにより実行されている。
対応部分１０６を切断・除去する切断金型１０７を示し
ている。図９に示されるように、リードフレーム１０１
と同体に一連に流れる半導体パッケージの１つは、特定
位置で切断金型１０７のパンチ１０８とダイ１１０とに
より切断される。その切断は、パンチ１０８がゲート対
応部分１０５とランナー対応部分１０６を同体的に一方
向に押し付けることにより実行されている。樹脂バリ１
０９の除去は、次の工程で、研磨材と水とを混合した液
体を高圧にして半導体パッケージの全体に吹き付けて抜
き落とすことにより実行されている。
【０００４】半導体パッケージの薄型化・小型化が更に
進められ、樹脂としては高充填性樹脂が用いられる。高
充填性樹脂を用いるだけでは、封入不良（未充填、ボイ
ドの発生）を防止することが困難であり、ゲートの厚さ
としてはある程度以上の厚さが与えられる必要がある。
パッケージが薄型化・小型化されてパッケージ厚さに対
してゲート厚の割合が大きくなれば、公知の切断方法の
押し切りは、図１０に示されるように、パッケージのリ
ード部位１０４の側面位置で欠け１１１が生じる恐れが
あり、歩留まりの低下を招く危惧がある。一方で、樹脂
バリ１０９の公知の除去方法は、薄型化・小型化が進む
につれて間隔が狭くなるリードの間に研磨材が詰まって
しまう問題点を有し、リード部位の一部分を金型で切断
してパッケージを個片化する次の工程で、切断用金型が
樹脂バリを巻き込み金型に損傷を与える問題点を抱えて
いる。
進められ、樹脂としては高充填性樹脂が用いられる。高
充填性樹脂を用いるだけでは、封入不良（未充填、ボイ
ドの発生）を防止することが困難であり、ゲートの厚さ
としてはある程度以上の厚さが与えられる必要がある。
パッケージが薄型化・小型化されてパッケージ厚さに対
してゲート厚の割合が大きくなれば、公知の切断方法の
押し切りは、図１０に示されるように、パッケージのリ
ード部位１０４の側面位置で欠け１１１が生じる恐れが
あり、歩留まりの低下を招く危惧がある。一方で、樹脂
バリ１０９の公知の除去方法は、薄型化・小型化が進む
につれて間隔が狭くなるリードの間に研磨材が詰まって
しまう問題点を有し、リード部位の一部分を金型で切断
してパッケージを個片化する次の工程で、切断用金型が
樹脂バリを巻き込み金型に損傷を与える問題点を抱えて
いる。
【０００５】このような問題点を解決しようとする技術
が、特開平７−２０１８９８号で知られている。この技
術は、ゲート対応部分にレーザーを照射して、そのゲー
ト対応部分をパッケージ本体部分から分離切断し、又
は、そのゲート対応部分にノッチを形成して金型による
押し切りを適正にしている。このようなレーザー技術を
用いることは、既述の問題点を解決する方向を示唆して
いるが、波長、強度が多様であるレーザーの種類によっ
ては、その切断とノッチの生成は不適正になったり、レ
ーザーの照射の仕方如何ではその切断とノッチの生成が
不適正になったりする。レーザーの具体的な使用形態が
確立されることが望まれる。
が、特開平７−２０１８９８号で知られている。この技
術は、ゲート対応部分にレーザーを照射して、そのゲー
ト対応部分をパッケージ本体部分から分離切断し、又
は、そのゲート対応部分にノッチを形成して金型による
押し切りを適正にしている。このようなレーザー技術を
用いることは、既述の問題点を解決する方向を示唆して
いるが、波長、強度が多様であるレーザーの種類によっ
ては、その切断とノッチの生成は不適正になったり、レ
ーザーの照射の仕方如何ではその切断とノッチの生成が
不適正になったりする。レーザーの具体的な使用形態が
確立されることが望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ゲー
ト切断の適正化のためにレーザーの具体的適用技術を確
立することができる半導体製造装置のゲート部位処理装
置及び処理方法を提供することにある。
ト切断の適正化のためにレーザーの具体的適用技術を確
立することができる半導体製造装置のゲート部位処理装
置及び処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数・形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数・形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。
【０００８】本発明による半導体製造装置のゲート部位
処理装置は、リードフレーム（２）を移送する搬送ライ
ンに沿って配置されるレーザービーム走査ユニット
（１）と、切断機（１４）とを含み、レーザービーム走
査ユニット（１）は、レーザービーム（１１）を２次元
的に走査するオプティカルスキャナユニット（５）と、
レーザービーム（１１）を集光するレンズユニット
（４）とを備え、切断機（１４）は、レーザービーム
（１１）により半導体パッケージ本体（２２）から切断
され又はほとんど切断されたゲート対応部分（２３）を
機械的に押し切るパンチ（１６）を備えている。
処理装置は、リードフレーム（２）を移送する搬送ライ
ンに沿って配置されるレーザービーム走査ユニット
（１）と、切断機（１４）とを含み、レーザービーム走
査ユニット（１）は、レーザービーム（１１）を２次元
的に走査するオプティカルスキャナユニット（５）と、
レーザービーム（１１）を集光するレンズユニット
（４）とを備え、切断機（１４）は、レーザービーム
（１１）により半導体パッケージ本体（２２）から切断
され又はほとんど切断されたゲート対応部分（２３）を
機械的に押し切るパンチ（１６）を備えている。
【０００９】レーザービームの走査により、半導体パッ
ケージ本体（２２）とゲート対応部分（２３）が一定方
向に連続的に切断され、ゲート対応部分（２３）は半導
体パッケージ本体（２２）から完全に、又は、ほとんど
完全に、切断され、後の工程の押し切りの際に、その押
し切り・抜き落としの作用力が半導体パッケージ本体に
ほとんど又は完全に作用せず、半導体パッケージ本体の
局所的欠け、損傷が生じない。
ケージ本体（２２）とゲート対応部分（２３）が一定方
向に連続的に切断され、ゲート対応部分（２３）は半導
体パッケージ本体（２２）から完全に、又は、ほとんど
完全に、切断され、後の工程の押し切りの際に、その押
し切り・抜き落としの作用力が半導体パッケージ本体に
ほとんど又は完全に作用せず、半導体パッケージ本体の
局所的欠け、損傷が生じない。
【００１０】レーザービームは、樹脂切断に好適なＹＡ
Ｇレーザービームであることが望ましい。オプティカル
スキャナユニット（５）は、レーザービーム（１１）の
集光点をＸ軸方向に走査する第１走査ユニット（９）
と、レーザービーム（１１）の集光点をＸ軸方向に概ね
直交するＹ軸方向に走査する第２走査ユニット（７）と
を備え、Ｙ軸方向に走査されるレーザービーム（１１）
は、ゲート対応部分（２３）を切断し、Ｘ軸方向に走査
されるレーザービーム（１１）は、半導体パッケージ本
体（２２）から露出するリード部位（４３，４４）に付
着する樹脂ばり（３１）を除去する。ゲート対応部分
（２３）と樹脂ばり（３１）とがほとんど同時的に処理
される。
Ｇレーザービームであることが望ましい。オプティカル
スキャナユニット（５）は、レーザービーム（１１）の
集光点をＸ軸方向に走査する第１走査ユニット（９）
と、レーザービーム（１１）の集光点をＸ軸方向に概ね
直交するＹ軸方向に走査する第２走査ユニット（７）と
を備え、Ｙ軸方向に走査されるレーザービーム（１１）
は、ゲート対応部分（２３）を切断し、Ｘ軸方向に走査
されるレーザービーム（１１）は、半導体パッケージ本
体（２２）から露出するリード部位（４３，４４）に付
着する樹脂ばり（３１）を除去する。ゲート対応部分
（２３）と樹脂ばり（３１）とがほとんど同時的に処理
される。
【００１１】Ｘ軸方向に走査されるレーザービーム（１
１）の走査線（４１）は、Ｘ軸方向に向く２本の走査線
と、２本の走査線を接続しＹ軸方向に向く微小走査線か
ら形成されている。このような２本の走査線での走査に
より、必要な幅を持つ領域の中の樹脂ばり（３１）をほ
とんど同時的に切除処理する。ＹＡＧレーザーは、パワ
ーが大きく収束性がよいので、このような処理の工程は
ほとんど一瞬に高精度に終了する。
１）の走査線（４１）は、Ｘ軸方向に向く２本の走査線
と、２本の走査線を接続しＹ軸方向に向く微小走査線か
ら形成されている。このような２本の走査線での走査に
より、必要な幅を持つ領域の中の樹脂ばり（３１）をほ
とんど同時的に切除処理する。ＹＡＧレーザーは、パワ
ーが大きく収束性がよいので、このような処理の工程は
ほとんど一瞬に高精度に終了する。
【００１２】ゲート対応部分（２３）と半導体パッケー
ジ本体（２２）の境界線であり切断による切断線と、そ
の切断線と反対の側にある半導体パッケージ（２２）の
端面との間の距離（Ｗ）を撮影する画像に基づいて計算
し、その距離（Ｗ）が設定範囲の中にあるかどうかを判
定する画像検査装置（１９）が更に設けられている。高
速処理工程と高速検査工程は、ほとんど同時的に実行さ
れ得る。画像検査装置は、撮像面に画素番地を有するＣ
ＣＤカメラを備えていることが好ましい。ＣＣＤカメラ
は、１次元的撮像面を持てばよい。
ジ本体（２２）の境界線であり切断による切断線と、そ
の切断線と反対の側にある半導体パッケージ（２２）の
端面との間の距離（Ｗ）を撮影する画像に基づいて計算
し、その距離（Ｗ）が設定範囲の中にあるかどうかを判
定する画像検査装置（１９）が更に設けられている。高
速処理工程と高速検査工程は、ほとんど同時的に実行さ
れ得る。画像検査装置は、撮像面に画素番地を有するＣ
ＣＤカメラを備えていることが好ましい。ＣＣＤカメラ
は、１次元的撮像面を持てばよい。
【００１３】本発明による半導体製造装置のゲート部位
処理方法は、レーザービーム（１１）の照射点をＸ軸方
向に走査すること、レーザービーム（１１）の照射点を
Ｙ軸方向に走査すること、リードフレーム（２）に接続
している半導体パッケージ本体（２２）のゲート対応部
分（２３）をＹ軸方向に走査されるレーザービーム（１
１）により切断すること、リードフレーム（２）に接続
しているリード部位（４３，４４）に付着している樹脂
バリ（３１）をＸ軸方向に走査されるレーザービーム
（１１）により除去すること、切断することにより切断
されリードフレーム（２）に接続しているゲート対応部
（２３）を金型（１４）により押し切ることとを含んで
いる。
処理方法は、レーザービーム（１１）の照射点をＸ軸方
向に走査すること、レーザービーム（１１）の照射点を
Ｙ軸方向に走査すること、リードフレーム（２）に接続
している半導体パッケージ本体（２２）のゲート対応部
分（２３）をＹ軸方向に走査されるレーザービーム（１
１）により切断すること、リードフレーム（２）に接続
しているリード部位（４３，４４）に付着している樹脂
バリ（３１）をＸ軸方向に走査されるレーザービーム
（１１）により除去すること、切断することにより切断
されリードフレーム（２）に接続しているゲート対応部
（２３）を金型（１４）により押し切ることとを含んで
いる。
【００１４】レーザービームによる高位置精度・高速の
切断の後の機械的切断は、その押し切りの作用力が半導
体パッケージ本体に伝達しない。
切断の後の機械的切断は、その押し切りの作用力が半導
体パッケージ本体に伝達しない。
【００１５】
【発明の実施の形態】図に一致対応して、本発明による
半導体製造装置のゲート部位処理装置の実施の形態は、
レーザービーム走査ユニットとともに切断金型が設けら
れている。そのレーザー走査ユニット１は、図１に示さ
れるように、リードフレーム２の連続流れ方向を形成す
る搬送路の上方側に設置されている。レーザー走査ユニ
ット１は、図２に示されるように、レーザー発振器３
と、レーザー集光用レンズユニット４と、オプティカル
スキャナユニット５とを備えている。実験結果は、レー
ザーとしてはＹＡＧレーザーが最も好ましいことを教え
ている。
半導体製造装置のゲート部位処理装置の実施の形態は、
レーザービーム走査ユニットとともに切断金型が設けら
れている。そのレーザー走査ユニット１は、図１に示さ
れるように、リードフレーム２の連続流れ方向を形成す
る搬送路の上方側に設置されている。レーザー走査ユニ
ット１は、図２に示されるように、レーザー発振器３
と、レーザー集光用レンズユニット４と、オプティカル
スキャナユニット５とを備えている。実験結果は、レー
ザーとしてはＹＡＧレーザーが最も好ましいことを教え
ている。
【００１６】レーザー集光用レンズユニット４は、図示
されない複数のレンズの組からなる組レンズであり、焦
点調整機能を有している。オプティカルスキャナユニッ
ト５は、第１サーボモータ６により第１回転角度が制御
される第１回転ミラー７と、第２サーボモータ８により
第２回転角度が制御される第２回転ミラー９とから構成
されている。第１回転ミラー７の反射面は第１サーボモ
ータ６の回転軸の第１回転軸心線を含む面に平行であ
り、第２サーボモータ８の反射面は第２回転ミラー９の
回転軸の第２回転軸心線を含む面に平行である。
されない複数のレンズの組からなる組レンズであり、焦
点調整機能を有している。オプティカルスキャナユニッ
ト５は、第１サーボモータ６により第１回転角度が制御
される第１回転ミラー７と、第２サーボモータ８により
第２回転角度が制御される第２回転ミラー９とから構成
されている。第１回転ミラー７の反射面は第１サーボモ
ータ６の回転軸の第１回転軸心線を含む面に平行であ
り、第２サーボモータ８の反射面は第２回転ミラー９の
回転軸の第２回転軸心線を含む面に平行である。
【００１７】その第１回転軸心線は、その第２回転軸心
線に直交している。第１回転ミラー７は、レーザービー
ムを第１平面内で走査し、第１平面内で走査されたレー
ザービームを第１平面に直交する第２平面内で走査す
る。レーザービーム１１は、照射対象有効領域面１２に
対して２次元的に位置制御されて照射対象有効領域面１
２上で集光する。その集光点は、ＸＹ平面で任意の２次
元連続曲線を描くことができる。最終的な集光平面の位
置を調整するために、コリメータ１３が付加されること
は好ましい。このようなオプティカルスキャナユニット
は、高精度のものが市販されていて公知である。ＹＡＧ
レーザー発振器３も、色々な出力パワーのものが市販さ
れていて公知である。
線に直交している。第１回転ミラー７は、レーザービー
ムを第１平面内で走査し、第１平面内で走査されたレー
ザービームを第１平面に直交する第２平面内で走査す
る。レーザービーム１１は、照射対象有効領域面１２に
対して２次元的に位置制御されて照射対象有効領域面１
２上で集光する。その集光点は、ＸＹ平面で任意の２次
元連続曲線を描くことができる。最終的な集光平面の位
置を調整するために、コリメータ１３が付加されること
は好ましい。このようなオプティカルスキャナユニット
は、高精度のものが市販されていて公知である。ＹＡＧ
レーザー発振器３も、色々な出力パワーのものが市販さ
れていて公知である。
【００１８】レーザー走査ユニット１が設置されている
位置より後流側に、図１に示されるように、押し切りパ
ンチング用の金型切断機１４が設置されている。このよ
うな金型切断機は、従来技術のそれがそのままに適用さ
れ得る。金型切断機１４は、図３に示されるように、ダ
イ１５とパンチ１６を備えている。
位置より後流側に、図１に示されるように、押し切りパ
ンチング用の金型切断機１４が設置されている。このよ
うな金型切断機は、従来技術のそれがそのままに適用さ
れ得る。金型切断機１４は、図３に示されるように、ダ
イ１５とパンチ１６を備えている。
【００１９】金型切断機１４よりも後流側に、画像検査
装置１７が配置されている。画像検査装置１７は、画像
のパタン認識を実行して、特に、長さの適正・不適正を
判断することができる。画像検査装置１７は、画像を取
り込むＣＣＤカメラ１８と、画像のパターンと長さを解
析する図形解析装置１９とから構成されている。
装置１７が配置されている。画像検査装置１７は、画像
のパタン認識を実行して、特に、長さの適正・不適正を
判断することができる。画像検査装置１７は、画像を取
り込むＣＣＤカメラ１８と、画像のパターンと長さを解
析する図形解析装置１９とから構成されている。
【００２０】半導体パッケージ２１は、図３（ａ）に示
されるように、搬送路の搬送面上で一方向に搬送され
る。半導体パッケージ２１は、パッケージ本体２２と、
パッケージ本体２２に同体化されているゲート対応部分
２３と、ゲート対応部分２３に一体に接続するランナー
対応部分２４とから形成されている。リード部位２５の
一部分は、パッケージ本体２２から外側に露出してい
る。
されるように、搬送路の搬送面上で一方向に搬送され
る。半導体パッケージ２１は、パッケージ本体２２と、
パッケージ本体２２に同体化されているゲート対応部分
２３と、ゲート対応部分２３に一体に接続するランナー
対応部分２４とから形成されている。リード部位２５の
一部分は、パッケージ本体２２から外側に露出してい
る。
【００２１】レーザー照射位置で、半導体パッケージ２
１はリードフレーム２と同体に停止する。リードフレー
ム２の上面は、図２に示される照射対象有効領域面１２
に概ね一致している。レーザービーム１１の光軸線２６
は、照射対象領域で概ね、ゲート対応部分２３の上面に
直交している。レーザービーム１１の先端点である照射
点は、光軸線２６に直交する平面内で、ゲート対応部分
２３が向く方向に直交するＹ軸方向（搬送方向に直交。
図２参照）に走査される。そのＹ軸方向に向くＹ軸方向
走査線２７は、図４に示されている。走査線２７は、ゲ
ート対応部分２３とパッケージ本体２２との境界線に位
置し、又は、その境界線の近傍にある。
１はリードフレーム２と同体に停止する。リードフレー
ム２の上面は、図２に示される照射対象有効領域面１２
に概ね一致している。レーザービーム１１の光軸線２６
は、照射対象領域で概ね、ゲート対応部分２３の上面に
直交している。レーザービーム１１の先端点である照射
点は、光軸線２６に直交する平面内で、ゲート対応部分
２３が向く方向に直交するＹ軸方向（搬送方向に直交。
図２参照）に走査される。そのＹ軸方向に向くＹ軸方向
走査線２７は、図４に示されている。走査線２７は、ゲ
ート対応部分２３とパッケージ本体２２との境界線に位
置し、又は、その境界線の近傍にある。
【００２２】レーザー照射を受けたゲート対応部分２３
は、図３（ｂ）に示されるように、完全にパッケージ本
体２２から分離される。又は、レーザー照射を受けたゲ
ート対応部分２３はほとんどパッケージ本体２２から切
断されている。ランナー対応部分２４はリードフレーム
２に付着しており、ゲート対応部分２３はランナー対応
部分２４を介してリードフレーム２に付着している。
は、図３（ｂ）に示されるように、完全にパッケージ本
体２２から分離される。又は、レーザー照射を受けたゲ
ート対応部分２３はほとんどパッケージ本体２２から切
断されている。ランナー対応部分２４はリードフレーム
２に付着しており、ゲート対応部分２３はランナー対応
部分２４を介してリードフレーム２に付着している。
【００２３】このように未切断状態のゲート対応部分２
３とランナー対応部分２４の一体物は、図３（ｃ）に示
されるように、パンチ１６により押し切られて抜き落と
される。この押し切りの作用がゲート対応部分２３に働
いている間、その押し切り力はパッケージ本体２２に全
く作用せず、又は、ほとんど作用しない。このため、そ
の押し切り力は、ゲート対応部分２３を介してパッケー
ジ本体２２に伝達されないし、樹脂バリ３１（図４参
照、図７の樹脂ばり１０９に相当）を介してリード部位
３２（図７のリード部位１０４に相当）に伝達されな
い。
３とランナー対応部分２４の一体物は、図３（ｃ）に示
されるように、パンチ１６により押し切られて抜き落と
される。この押し切りの作用がゲート対応部分２３に働
いている間、その押し切り力はパッケージ本体２２に全
く作用せず、又は、ほとんど作用しない。このため、そ
の押し切り力は、ゲート対応部分２３を介してパッケー
ジ本体２２に伝達されないし、樹脂バリ３１（図４参
照、図７の樹脂ばり１０９に相当）を介してリード部位
３２（図７のリード部位１０４に相当）に伝達されな
い。
【００２４】Ｙ軸方向走査線２７での往復の走査が終了
すれば、レーザービーム１１の走査は、Ｘ軸方向走査線
での走査に移行する。Ｘ軸方向走査線は、第１往復複数
Ｘ軸方向走査線４１と第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２
とから構成されている。第１往復複数Ｘ軸方向走査線４
１は、一方側リード部位４３（図７の一方側リード部位
１０４に相当）がある側のパッケージ本体２２の面に近
接する領域にあり、第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２
は、他方側リード部位４４（図７の他方側リード部位１
０４に相当）がある側のパッケージ本体２２の面に近接
する領域にある。
すれば、レーザービーム１１の走査は、Ｘ軸方向走査線
での走査に移行する。Ｘ軸方向走査線は、第１往復複数
Ｘ軸方向走査線４１と第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２
とから構成されている。第１往復複数Ｘ軸方向走査線４
１は、一方側リード部位４３（図７の一方側リード部位
１０４に相当）がある側のパッケージ本体２２の面に近
接する領域にあり、第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２
は、他方側リード部位４４（図７の他方側リード部位１
０４に相当）がある側のパッケージ本体２２の面に近接
する領域にある。
【００２５】第１往復複数Ｘ軸方向走査線４１の２本
は、互いに近接して平行である。第２往復複数Ｘ軸方向
走査線４２の２本は、互いに近接して平行である。第１
往復複数Ｘ軸方向走査線４１の２本は、第１Ｙ軸方向微
小走査線４５により接続している（図は都合上離して示
している）。第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２の２本
は、第２Ｙ軸方向微小走査線４６により接続している。
このような走査線上の走査により、図５に示されるよう
に、一方側リード部位４３と他方側リード部位４４とに
それぞれの矩形領域で付着している樹脂ばり３１が焼き
切れて除去される。
は、互いに近接して平行である。第２往復複数Ｘ軸方向
走査線４２の２本は、互いに近接して平行である。第１
往復複数Ｘ軸方向走査線４１の２本は、第１Ｙ軸方向微
小走査線４５により接続している（図は都合上離して示
している）。第２往復複数Ｘ軸方向走査線４２の２本
は、第２Ｙ軸方向微小走査線４６により接続している。
このような走査線上の走査により、図５に示されるよう
に、一方側リード部位４３と他方側リード部位４４とに
それぞれの矩形領域で付着している樹脂ばり３１が焼き
切れて除去される。
【００２６】このようにゲート対応部分２３と樹脂バリ
３１とが除去されたパッケージ本体２２は、リードフレ
ーム２と同体に、ＣＣＤカメラ１８の下方に移送され
る。図形解析装置１９は、Ｙ軸方向走査線２７に一致す
るゲート対応部分切断線とこの切断線と反対側のパッケ
ージ本体２２の端面との間の距離Ｗ（図３（ｄ））を計
算する。その距離Ｗが設定範囲を越える場合に、図形解
析装置１９はエラーを表示し、オペレータに知らせるエ
ラー発生告知をオペレータに対して実行する。
３１とが除去されたパッケージ本体２２は、リードフレ
ーム２と同体に、ＣＣＤカメラ１８の下方に移送され
る。図形解析装置１９は、Ｙ軸方向走査線２７に一致す
るゲート対応部分切断線とこの切断線と反対側のパッケ
ージ本体２２の端面との間の距離Ｗ（図３（ｄ））を計
算する。その距離Ｗが設定範囲を越える場合に、図形解
析装置１９はエラーを表示し、オペレータに知らせるエ
ラー発生告知をオペレータに対して実行する。
【００２７】このような一連の動作が、各半導体パッケ
ージ２１について繰り返されて実行される。ゲート切断
を行うオプティカルスキャナユニット５が、樹脂バリの
除去にも用いられ、実質的に１つの工程で、ゲート対応
部分２３と樹脂バリ３１との除去がリード部位の欠けを
招く作用力をかけずに実行され、歩留まりが向上する。
ージ２１について繰り返されて実行される。ゲート切断
を行うオプティカルスキャナユニット５が、樹脂バリの
除去にも用いられ、実質的に１つの工程で、ゲート対応
部分２３と樹脂バリ３１との除去がリード部位の欠けを
招く作用力をかけずに実行され、歩留まりが向上する。
【００２８】
【発明の効果】本発明による半導体製造装置のゲート部
位処理装置及び処理方法は、実質的零作用力でゲート対
応部分を除去することができ、更に、ゲートに付着する
樹脂部分とリードに付着する樹脂部分を実質的に１つの
工程で高速に除去することができ、歩留まりを向上させ
る。
位処理装置及び処理方法は、実質的零作用力でゲート対
応部分を除去することができ、更に、ゲートに付着する
樹脂部分とリードに付着する樹脂部分を実質的に１つの
工程で高速に除去することができ、歩留まりを向上させ
る。
【図１】図１は、本発明による半導体製造装置のゲート
部位処理装置の実施の形態を示す斜軸投影図である。
部位処理装置の実施の形態を示す斜軸投影図である。
【図２】図２は、光学的走査ユニットを示す射軸投影図
である。
である。
【図３】図３（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、工程
の作用をそれぞれに示し、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）
は断面図で、図３（ｄ）は平面図である。
の作用をそれぞれに示し、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）
は断面図で、図３（ｄ）は平面図である。
【図４】図４は、切断作用を示す平面図である。
【図５】図５は、切断結果を示す平面図である。
【図６】図６は、公知のリードフレームを示す射軸投影
図である。
図である。
【図７】図７（ａ），（ｂ）は、公知の半導体パッケー
ジをそれぞれに示す平面図と正面断面図である。
ジをそれぞれに示す平面図と正面断面図である。
【図８】図８は、公知の切断機を示す射軸投影図であ
る。
る。
【図９】図９は、公知の切断方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は、公知の他の切断方法を示す断面図
である。
である。
１…レーザービーム走査ユニット
２…リードフレーム
４…レンズユニット
５…オプティカルスキャナユニット
７…第２走査ユニット
９…第１走査ユニット
１１…レーザービーム
１４…金型（切断機）
１６…パンチ
１９…画像検査装置
２２…半導体パッケージ本体
２３…ゲート対応部分
３１…樹脂ばり
４１…走査線
４３，４４…リード部位
Ｗ…距離
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
B21D 28/00
B23K 26/00
B23K 26/00 320
B23K 101:40
Claims (7)
- 【請求項１】リードフレームを移送する搬送ラインに沿
って配置されるレーザービーム走査ユニットと、 切断機とを含み、 前記レーザービーム走査ユニットは、レーザービームを
２次元的に走査するオプティカルスキャナユニットと、 前記レーザービームを集光するレンズユニットとを備
え、 前記切断機は、 前記レーザービームにより半導体パッケージ本体から切
断され又はほとんど切断されたゲート対応部分を機械的
に押し切るパンチを備え、 前記オプティカルスキャナユニットは、 前記レーザービームの集光点をＸ軸方向に走査する第１
走査ユニットと、 前記レーザービームの集光点を前記Ｘ軸方向に概ね直交
するＹ軸方向に走査する第２走査ユニットとを備え、 前記Ｙ軸方向に走査される前記レーザービームは、前記
ゲート対応部分を切断し、 前記Ｘ軸方向に走査される前記レーザービームは、前記
半導体パッケージ本体から露出するリード部位に付着す
る樹脂ばりを除去する 半導体製造装置のゲート部位処理
装置。 - 【請求項２】前記レーザービームは、ＹＡＧレーザービ
ームである請求項１の半導体製造装置のゲート部位処理
装置。 - 【請求項３】前記Ｘ軸方向に走査される前記レーザービ
ームの走査線は、 前記Ｘ軸方向に向く２本の走査線と、 前記２本の走査線を接続し前記Ｙ軸方向に向く微小走査
線とを含む請求項１の半導体製造装置のゲート部位処理
装置。 - 【請求項４】前記ゲート対応部分と前記半導体パッケー
ジ本体の境界線であり前記切断による切断線と、前記切
断線と反対の側にある前記半導体パッケージの端面との
間の距離を撮影する画像に基づいて計算し、前記距離が
設定範囲の中にあるかどうかを判定する画像検査装置を
更に含む請求項１の半導体製造装置のゲート部位処理装
置。 - 【請求項５】前記画像検査装置は、撮像面に画素番地を
有するＣＣＤカメラを備えている請求項４の半導体製造
装置のゲート部位処理装置。 - 【請求項６】レーザービームの照射点をＸ軸方向に走査
すること、 前記レーザービームの照射点をＹ軸方向に走査するこ
と、 リードフレームに接続している半導体パッケージ本体の
ゲート対応部分を前記Ｙ軸方向に走査される前記レーザ
ービームにより切断すること、 前記リードフレームに接続しているリード部位に付着し
ている樹脂バリを前記Ｘ軸方向に走査される前記レーザ
ービームにより除去すること、 前記切断することにより切断され前記リードフレームに
接続している前記ゲート対応部を金型により押し切るこ
ととを含む半導体製造装置のゲート部位処理方法。 - 【請求項７】前記レーザービームは、ＹＡＧレーザーで
ある請求項６の半導体製造装置のゲート部位処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166189A JP3430124B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法 |
| US09/870,218 US6528757B2 (en) | 2000-06-02 | 2001-05-30 | Apparatus processing a gate portion in a semiconductor manufacturing apparatus, which remove a gate correspondence portion from a semiconductor package connected to a lead frame, and a resin burr deposited on a lead portion associated with the semiconductor package |
| KR1020010030732A KR20010110173A (ko) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | 리드 프레임에 연결된 반도체 패키지로부터 게이트대응부, 및 반도체 패키지와 관련된 리드부에 퇴적된 수지버를 제거하는 반도체 제조 장치의 게이트부 처리 장치 |
| SG200103261-4A SG132490A1 (en) | 2000-06-02 | 2001-06-01 | An abstract processing a gate portion in a semiconductor manufacturing apparatus, which removes a gate correspondence portion from a semiconductor package connected to a lead frame, and a resin burr deposited on a lead portion associated with the semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166189A JP3430124B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345334A JP2001345334A (ja) | 2001-12-14 |
| JP3430124B2 true JP3430124B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=18669547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000166189A Expired - Fee Related JP3430124B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6528757B2 (ja) |
| JP (1) | JP3430124B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010110173A (ja) |
| SG (1) | SG132490A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390728B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2003-07-12 | 성우전자 주식회사 | 리드프레임 리워크방법 |
| CN104972226A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-14 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种双头激光加工装置及加工方法 |
| DE102015223775A1 (de) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Herstellen eines Verbindungselements, Verbindungselement und Sensoranordnung |
| DE102018123363B4 (de) * | 2018-09-24 | 2021-01-07 | Bystronic Laser Ag | Verfahren zur Kollisionsvermeidung und Laserbearbeitungsmaschine |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4744838A (en) * | 1986-07-10 | 1988-05-17 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method of continuously processing amorphous metal punchings |
| US4859806A (en) * | 1988-05-17 | 1989-08-22 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Discretionary interconnect |
| JP3088117B2 (ja) * | 1991-02-21 | 2000-09-18 | エヌイーシーレーザ・オートメーション株式会社 | レーザ加工装置 |
| US5208979A (en) * | 1991-09-19 | 1993-05-11 | Howard Schmidt | Prefracture laser formation of a stress riser groove |
| JPH07201898A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Towa Kk | ゲート処理方法及び装置 |
| JP3429126B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2003-07-22 | 日本碍子株式会社 | 微細貫通孔を有するセラミック部材の製造方法 |
| US6006981A (en) * | 1996-11-19 | 1999-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Wirefilm bonding for electronic component interconnection |
| US6355505B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
| JP2000021220A (ja) | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Chatani Sangyo Kk | 導光板の製造方法及び導光板 |
| US6388231B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-05-14 | Xerox Corporation | Systems and methods for controlling depths of a laser cut |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000166189A patent/JP3430124B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-30 US US09/870,218 patent/US6528757B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-01 KR KR1020010030732A patent/KR20010110173A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-06-01 SG SG200103261-4A patent/SG132490A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG132490A1 (en) | 2007-06-28 |
| US6528757B2 (en) | 2003-03-04 |
| KR20010110173A (ko) | 2001-12-12 |
| JP2001345334A (ja) | 2001-12-14 |
| US20010049161A1 (en) | 2001-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9054179B2 (en) | Wafer processing method | |
| US9269624B2 (en) | Wafer processing method | |
| US7915140B2 (en) | Fabrication method for device having die attach film on the back side thereof | |
| US6841482B2 (en) | Laser machining of semiconductor materials | |
| US7858497B2 (en) | Stacked device manufacturing method | |
| US20140206177A1 (en) | Wafer processing method | |
| JP2005209719A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
| JP5721377B2 (ja) | 分割方法 | |
| US9698301B2 (en) | Wafer processing method | |
| US10943801B2 (en) | Laser processing method | |
| US9087914B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR102367001B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP3430124B2 (ja) | 半導体製造装置のゲート部位処理装置及び処理方法 | |
| JP2006289388A (ja) | レーザー加工装置 | |
| US6753500B2 (en) | Method and apparatus for cutting a substrate using laser irradiation | |
| JP5946307B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| CN108453370B (zh) | 被加工物的加工方法 | |
| JPH112510A (ja) | 切削溝深さの検出方法 | |
| JP2002141253A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04157761A (ja) | タイバー切断方法 | |
| KR102635396B1 (ko) | 반도체 완전 절단을 위한 레이저빔 조사 장치 및 그 동작 방법 | |
| JP2019054188A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP7418139B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JPH1140523A (ja) | 基板切断装置および基板切断方法 | |
| JP7420508B2 (ja) | レーザー加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030414 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |