JP3427524B2 - 電子線縮小転写装置 - Google Patents
電子線縮小転写装置Info
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- JP3427524B2 JP3427524B2 JP31197594A JP31197594A JP3427524B2 JP 3427524 B2 JP3427524 B2 JP 3427524B2 JP 31197594 A JP31197594 A JP 31197594A JP 31197594 A JP31197594 A JP 31197594A JP 3427524 B2 JP3427524 B2 JP 3427524B2
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- electron beam
- crossover
- mask
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクを通過した電子
線を一対の投影レンズによりターゲットの所定位置に集
束してマスクのパターン像をターゲットに縮小転写する
電子線縮小転写装置に関する。
線を一対の投影レンズによりターゲットの所定位置に集
束してマスクのパターン像をターゲットに縮小転写する
電子線縮小転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の装置では、マスクとターゲ
ットとの間隔をＬ、マスクからターゲットへのパターン
の縮小率を１／ｎ、マスクからターゲット側へＬ・ｎ／
（ｎ＋１）だけ離れた点を電子線のクロスオーバとした
とき、マスクとクロスオーバとの間を二等分する位置と
マスク側の投影レンズの中心位置とを一致させ、クロス
オーバとターゲットとの間を二等分する位置とターゲッ
ト側の投影レンズの中心位置とを一致させると低収差に
なると言われていた。これに対して特開平５−１６００
１２号公報には、上記のレンズ位置よりもマスク側投影
レンズをｎ・ε（但しεは正の定数）だけマスク側に、
ターゲット側投影レンズをεだけターゲット側に変位さ
せる構成が開示されている。
ットとの間隔をＬ、マスクからターゲットへのパターン
の縮小率を１／ｎ、マスクからターゲット側へＬ・ｎ／
（ｎ＋１）だけ離れた点を電子線のクロスオーバとした
とき、マスクとクロスオーバとの間を二等分する位置と
マスク側の投影レンズの中心位置とを一致させ、クロス
オーバとターゲットとの間を二等分する位置とターゲッ
ト側の投影レンズの中心位置とを一致させると低収差に
なると言われていた。これに対して特開平５−１６００
１２号公報には、上記のレンズ位置よりもマスク側投影
レンズをｎ・ε（但しεは正の定数）だけマスク側に、
ターゲット側投影レンズをεだけターゲット側に変位さ
せる構成が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電子線縮小転写装置に
おいて、電子銃が放出する電子線にエネルギー拡りがあ
る場合、倍率と回転の色収差（transverse chromatic a
berration）が発生する。この色収差は実数部と虚数部
とが存在し、前者が倍率の色収差、後者が回転の色収差
と呼ばれる。これらの色収差は光学系の視野の大きさの
約３乗に比例する。また、光学系の主視野を多数の副視
野に分割し、一つの副視野を一回の転写範囲としてパタ
ーンを分割転写するいわゆる視野分割を行なっても上記
の色収差は補正できない。従って光学系の主視野を大き
くするとき特に上記の色収差は問題となる。なお、本明
細書では、視野分割を行なうときの分割前の視野を主視
野、分割された一つ一つの小領域を副視野と呼ぶ。
おいて、電子銃が放出する電子線にエネルギー拡りがあ
る場合、倍率と回転の色収差（transverse chromatic a
berration）が発生する。この色収差は実数部と虚数部
とが存在し、前者が倍率の色収差、後者が回転の色収差
と呼ばれる。これらの色収差は光学系の視野の大きさの
約３乗に比例する。また、光学系の主視野を多数の副視
野に分割し、一つの副視野を一回の転写範囲としてパタ
ーンを分割転写するいわゆる視野分割を行なっても上記
の色収差は補正できない。従って光学系の主視野を大き
くするとき特に上記の色収差は問題となる。なお、本明
細書では、視野分割を行なうときの分割前の視野を主視
野、分割された一つ一つの小領域を副視野と呼ぶ。
【０００４】本発明の目的は、倍率と回転の色収差を小
さくできる電子線縮小転写装置を提供することにある。
さくできる電子線縮小転写装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】各請求項の発明を実施例
を示す図１に対応付けて説明する。但し、本発明は実施
例の態様に限定されるものではない。請求項１の発明
は、マスク１を通過した電子線を第１投影レンズ２およ
び第２投影レンズ３に順次導いてマスク１のパターン像
をターゲット４に縮小転写する電子線縮小転写装置に適
用される。そして、マスク１とターゲット４との間隔を
Ｌ、マスク１からターゲット４へのパターンの縮小率を
１／ｎ、正の定数をε、マスク１からターゲット４側へ
Ｌ・ｎ／（ｎ＋１）だけ離れた点を電子線光学系のクロ
スオーバ５としたとき、マスク１とクロスオーバ５との
間を二等分する位置Ｈ１に対して第１投影レンズ２の光
軸方向の中心位置Ｍ１をクロスオーバ５側へｎ・εだけ
変位させ、クロスオーバ５とターゲット４との間を二等
分する位置Ｈ２に対して第２投影レンズ３の光軸方向の
中心位置Ｍ２をクロスオーバ側へεだけ変位させること
により上述した目的を達成する。請求項２の発明は請求
項１の電子線縮小転写装置に適用され、第１投影レンズ
２および第２投影レンズ３のクロスオーバ５側のボーア
径Ｒ1c，Ｒ2cを、反対側のボーア径Ｒ1o，Ｒ2oの１／４
以下に設定した。請求項３の発明はマスク１を通過した
電子線を第１投影レンズ２および第２投影レンズ３に順
次導いてマスク１のパターン像をターゲット４に縮小転
写する電子線縮小転写装置に適用される。そして、第１
投影レンズ２および第２投影レンズ３のクロスオーバ５
側のボーア径Ｒ1c，Ｒ2cを、反対側のボーア径Ｒ1o，Ｒ
2oの１／４以下に設定して上述した目的を達成する。
を示す図１に対応付けて説明する。但し、本発明は実施
例の態様に限定されるものではない。請求項１の発明
は、マスク１を通過した電子線を第１投影レンズ２およ
び第２投影レンズ３に順次導いてマスク１のパターン像
をターゲット４に縮小転写する電子線縮小転写装置に適
用される。そして、マスク１とターゲット４との間隔を
Ｌ、マスク１からターゲット４へのパターンの縮小率を
１／ｎ、正の定数をε、マスク１からターゲット４側へ
Ｌ・ｎ／（ｎ＋１）だけ離れた点を電子線光学系のクロ
スオーバ５としたとき、マスク１とクロスオーバ５との
間を二等分する位置Ｈ１に対して第１投影レンズ２の光
軸方向の中心位置Ｍ１をクロスオーバ５側へｎ・εだけ
変位させ、クロスオーバ５とターゲット４との間を二等
分する位置Ｈ２に対して第２投影レンズ３の光軸方向の
中心位置Ｍ２をクロスオーバ側へεだけ変位させること
により上述した目的を達成する。請求項２の発明は請求
項１の電子線縮小転写装置に適用され、第１投影レンズ
２および第２投影レンズ３のクロスオーバ５側のボーア
径Ｒ1c，Ｒ2cを、反対側のボーア径Ｒ1o，Ｒ2oの１／４
以下に設定した。請求項３の発明はマスク１を通過した
電子線を第１投影レンズ２および第２投影レンズ３に順
次導いてマスク１のパターン像をターゲット４に縮小転
写する電子線縮小転写装置に適用される。そして、第１
投影レンズ２および第２投影レンズ３のクロスオーバ５
側のボーア径Ｒ1c，Ｒ2cを、反対側のボーア径Ｒ1o，Ｒ
2oの１／４以下に設定して上述した目的を達成する。
【０００６】
【作用】図２は、クロスオーバとターゲットとを二等分
する位置と第２投影レンズ（ターゲット側の投影レン
ズ）の中心位置との距離ΔＬと回転の色収差Δφとの関
係を発明者らが計算した結果を示す。横軸の距離ΔＬは
第２投影レンズがターゲットへ近付く方向が正、ターゲ
ットに近付く方向が負である。図において実線φ２はレ
ンズ磁場の光軸方向の分布とその一次微分とから計算し
た近軸軌道に関する色収差を示す。すなわち、実線φ２
は、近軸軌道でビームエネルギーを僅かに変化させた場
合の像点での軌道のずれから収差係数を求め、その値に
視野の大きさを掛け算して得た値である。この図から判
るように、電子線がすべて近軸軌道と見做せるときは、
ΔＬ＝２ｍｍ、すなわち第２投影レンズの中心位置をク
ロスオーバとターゲットとを二等分する位置よりもター
ゲット側へ２ｍｍ接近させたときに収差が最小になる。
従って、第１投影レンズに関しては縮小率１／ｎの逆数
ｎを乗算して、マスクとクロスオーバとを二等分する位
置よりも第１投影レンズの中心位置をマスク側へ２ｎだ
け接近させれば良いことになる。
する位置と第２投影レンズ（ターゲット側の投影レン
ズ）の中心位置との距離ΔＬと回転の色収差Δφとの関
係を発明者らが計算した結果を示す。横軸の距離ΔＬは
第２投影レンズがターゲットへ近付く方向が正、ターゲ
ットに近付く方向が負である。図において実線φ２はレ
ンズ磁場の光軸方向の分布とその一次微分とから計算し
た近軸軌道に関する色収差を示す。すなわち、実線φ２
は、近軸軌道でビームエネルギーを僅かに変化させた場
合の像点での軌道のずれから収差係数を求め、その値に
視野の大きさを掛け算して得た値である。この図から判
るように、電子線がすべて近軸軌道と見做せるときは、
ΔＬ＝２ｍｍ、すなわち第２投影レンズの中心位置をク
ロスオーバとターゲットとを二等分する位置よりもター
ゲット側へ２ｍｍ接近させたときに収差が最小になる。
従って、第１投影レンズに関しては縮小率１／ｎの逆数
ｎを乗算して、マスクとクロスオーバとを二等分する位
置よりも第１投影レンズの中心位置をマスク側へ２ｎだ
け接近させれば良いことになる。
【０００７】ところが、電子線縮小転写装置における視
野（特に視野分割を行なう場合の主視野）の周縁部に導
かれる電子線は電子線光学系の光軸から大きく離れてお
り、近軸軌道と見做すことはできない。そこで、実際の
電子線の軌道で色収差を計算したところ図２の実線φ１
の結果が得られた。この結果から明らかなように、電子
線縮小転写装置では、第２投影レンズの中心位置を、ク
ロスオーバとターゲットとの間を二等分する位置よりも
クロスオーバ側に接近させるほど色収差が小さくなる。
従って、第１投影レンズの中心位置もマスクとクロスオ
ーバとの間を二等分する位置よりもクロスオーバ側に接
近させた方が色収差を小さくできる。そして、第２投影
レンズをクロスオーバ側へε（＞０）だけ移動させると
き、マスク〜ターゲット間のパターン縮小率１／ｎに対
して第１投影レンズはクロスオーバ側へｎ・εだけ移動
させる。以上の要件を具備した請求項１，２の発明によ
れば、第１投影レンズおよび第２投影レンズを光軸方向
に最適な位置に配置して色収差を低減できる。
野（特に視野分割を行なう場合の主視野）の周縁部に導
かれる電子線は電子線光学系の光軸から大きく離れてお
り、近軸軌道と見做すことはできない。そこで、実際の
電子線の軌道で色収差を計算したところ図２の実線φ１
の結果が得られた。この結果から明らかなように、電子
線縮小転写装置では、第２投影レンズの中心位置を、ク
ロスオーバとターゲットとの間を二等分する位置よりも
クロスオーバ側に接近させるほど色収差が小さくなる。
従って、第１投影レンズの中心位置もマスクとクロスオ
ーバとの間を二等分する位置よりもクロスオーバ側に接
近させた方が色収差を小さくできる。そして、第２投影
レンズをクロスオーバ側へε（＞０）だけ移動させると
き、マスク〜ターゲット間のパターン縮小率１／ｎに対
して第１投影レンズはクロスオーバ側へｎ・εだけ移動
させる。以上の要件を具備した請求項１，２の発明によ
れば、第１投影レンズおよび第２投影レンズを光軸方向
に最適な位置に配置して色収差を低減できる。
【０００８】次に、投影レンズのクロスオーバ側のボー
ア径Ｒbcと反対側（物点側）のボーア径Ｒboとの比、Ｒ
bc／Ｒboと色収差Δφとの関係について発明者らが計算
したところ、図３に実線φ３で示す結果が得られた。こ
の結果から、クロスオーバ側のボーア径Ｒbcを反対側の
ボーア径Ｒboの１／４以下に設定すると色収差が最も小
さくなることが判明した。以上の要件を具備した請求項
２，３の発明によれば、第１投影レンズおよび第２投影
レンズのボーア径を最適に設定して色収差を低減でき
る。なお、倍率の色収差は回転の色収差Δφの１／２〜
１／３以下で、図２および図３に示した色収差の変化と
同一傾向で変化するから、回転の色収差に関する上記の
検討結果を倍率の色収差にもそのまま当てはめることが
できる。
ア径Ｒbcと反対側（物点側）のボーア径Ｒboとの比、Ｒ
bc／Ｒboと色収差Δφとの関係について発明者らが計算
したところ、図３に実線φ３で示す結果が得られた。こ
の結果から、クロスオーバ側のボーア径Ｒbcを反対側の
ボーア径Ｒboの１／４以下に設定すると色収差が最も小
さくなることが判明した。以上の要件を具備した請求項
２，３の発明によれば、第１投影レンズおよび第２投影
レンズのボーア径を最適に設定して色収差を低減でき
る。なお、倍率の色収差は回転の色収差Δφの１／２〜
１／３以下で、図２および図３に示した色収差の変化と
同一傾向で変化するから、回転の色収差に関する上記の
検討結果を倍率の色収差にもそのまま当てはめることが
できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る電子線縮小転写
装置の対称磁気ダブレット光学系を示し、１はマスク、
２は電磁式の第１投影レンズ、３は電磁式の第２投影レ
ンズ、４はターゲット、５はクロスオーバである。マス
ク１の上方には不図示の電子銃、コンデンサレンズ、副
視野選択用の偏向器が配置され、これらの構成によりマ
スク１上に設定された多数の副視野の一つに選択的に電
子線が照射される。マスク１を通過した電子線は第１投
影レンズ２によりクロスオーバ５に集束され、クロスオ
ーバ５から発散した電子線は第２投影レンズ３によりタ
ーゲット４上に集束される。これによりマスク１の副視
野のパターン像がターゲット４に所定の縮小率１／ｎで
転写される。縮小率１／ｎは適当に定めてよいが、本実
施例では縮小率１／４を想定している。なおＡＸは光学
系の光軸である。
装置の対称磁気ダブレット光学系を示し、１はマスク、
２は電磁式の第１投影レンズ、３は電磁式の第２投影レ
ンズ、４はターゲット、５はクロスオーバである。マス
ク１の上方には不図示の電子銃、コンデンサレンズ、副
視野選択用の偏向器が配置され、これらの構成によりマ
スク１上に設定された多数の副視野の一つに選択的に電
子線が照射される。マスク１を通過した電子線は第１投
影レンズ２によりクロスオーバ５に集束され、クロスオ
ーバ５から発散した電子線は第２投影レンズ３によりタ
ーゲット４上に集束される。これによりマスク１の副視
野のパターン像がターゲット４に所定の縮小率１／ｎで
転写される。縮小率１／ｎは適当に定めてよいが、本実
施例では縮小率１／４を想定している。なおＡＸは光学
系の光軸である。
【００１０】クロスオーバ５は、マスク１とターゲット
４との間を上記の縮小率１／ｎの比で内分した位置にあ
る。すなわち、マスク１〜ターゲット４の距離をＬ、マ
スク１〜クロスオーバ５の距離をＳとしたとき、
４との間を上記の縮小率１／ｎの比で内分した位置にあ
る。すなわち、マスク１〜ターゲット４の距離をＬ、マ
スク１〜クロスオーバ５の距離をＳとしたとき、
【数１】Ｓ＝Ｌ・ｎ／（ｎ＋１） ……（１）
が成立する。上述したように本実施例ではｎ＝４である
から、結局、Ｓ＝４Ｌ／５である。
から、結局、Ｓ＝４Ｌ／５である。
【００１１】第１投影レンズ２の中心位置（磁極２ａ，
２ｂの間を二等分する位置）Ｍ１は、マスク１とクロス
オーバ５との間を二等分する位置Ｈ１よりもクロスオー
バ５側へ変位し、第２投影レンズ３の中心位置（磁極３
ａ，３ｂの間を二等分する位置）Ｍ２は、クロスオーバ
５とターゲット４との間を二等分する位置Ｈ２よりもク
ロスオーバ５側へ変位している。第２投影レンズ３の変
位量をε（＞０）としたとき、第１投影レンズ２の変位
量は縮小比１／４の逆数倍、すなわち４εに設定されて
いる。第１投影レンズ２のクロスオーバ５側の磁極２ｂ
のボーア径Ｒ1cは、反対側の磁極２ａのボーア径Ｒ1oの
１／４に、第２投影レンズ３のクロスオーバ５側の磁極
３ａのボーア径Ｒ2cは、反対側の磁極３ｂのボーア径Ｒ
2oの１／４にそれぞれ設定されている。
２ｂの間を二等分する位置）Ｍ１は、マスク１とクロス
オーバ５との間を二等分する位置Ｈ１よりもクロスオー
バ５側へ変位し、第２投影レンズ３の中心位置（磁極３
ａ，３ｂの間を二等分する位置）Ｍ２は、クロスオーバ
５とターゲット４との間を二等分する位置Ｈ２よりもク
ロスオーバ５側へ変位している。第２投影レンズ３の変
位量をε（＞０）としたとき、第１投影レンズ２の変位
量は縮小比１／４の逆数倍、すなわち４εに設定されて
いる。第１投影レンズ２のクロスオーバ５側の磁極２ｂ
のボーア径Ｒ1cは、反対側の磁極２ａのボーア径Ｒ1oの
１／４に、第２投影レンズ３のクロスオーバ５側の磁極
３ａのボーア径Ｒ2cは、反対側の磁極３ｂのボーア径Ｒ
2oの１／４にそれぞれ設定されている。
【００１２】以上の構成において、ε＝８ｍｍ、Ｒ1c＝
２０ｍｍ、Ｒ1o＝８０ｍｍ、Ｒ2c＝５ｍｍ、Ｒ2o＝２０
ｍｍにそれぞれ設定し、ターゲット４上での主視野寸法
を２０ｍｍ角として色収差を計算したところ、回転の色
収差を２ｎｍ／ｅＶ以下に低減できることが確認され
た。また、電子銃の放出するエネルギーの拡りが５ｅＶ
あっても、回転の色収差によるビーム分解能の劣化が１
０ｎｍ以下に抑えられることも確認された。従って、本
実施例によれば短辺寸法が２０ｍｍまでの半導体素子の
パターンを主視野のつなぎなしで高精度に転写できる。
２０ｍｍ、Ｒ1o＝８０ｍｍ、Ｒ2c＝５ｍｍ、Ｒ2o＝２０
ｍｍにそれぞれ設定し、ターゲット４上での主視野寸法
を２０ｍｍ角として色収差を計算したところ、回転の色
収差を２ｎｍ／ｅＶ以下に低減できることが確認され
た。また、電子銃の放出するエネルギーの拡りが５ｅＶ
あっても、回転の色収差によるビーム分解能の劣化が１
０ｎｍ以下に抑えられることも確認された。従って、本
実施例によれば短辺寸法が２０ｍｍまでの半導体素子の
パターンを主視野のつなぎなしで高精度に転写できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１投影レンズおよび第２投影レンズを実際の電子線の
軌道を考慮した光軸方向の最適位置に配置し、また各投
影レンズのボーア径を最適に設定して倍率および回転の
色収差を十分に小さくできる。従って、電子銃から放出
される電子線のエネルギーに拡りがあってもビーム分解
能の劣化が抑えられ、転写精度を維持しつつ光学系の視
野を拡大して高スループットで転写を行なえる。また、
比較的大きいエネルギー幅を持った電子銃でも色収差を
問題とせずに使用できる。
第１投影レンズおよび第２投影レンズを実際の電子線の
軌道を考慮した光軸方向の最適位置に配置し、また各投
影レンズのボーア径を最適に設定して倍率および回転の
色収差を十分に小さくできる。従って、電子銃から放出
される電子線のエネルギーに拡りがあってもビーム分解
能の劣化が抑えられ、転写精度を維持しつつ光学系の視
野を拡大して高スループットで転写を行なえる。また、
比較的大きいエネルギー幅を持った電子銃でも色収差を
問題とせずに使用できる。
【図１】本発明の実施例に係る電子線縮小転写装置の対
称磁気ダブレット光学系を示す図。
称磁気ダブレット光学系を示す図。
【図２】クロスオーバとターゲットとを二等分する位置
とターゲット側の第２投影レンズの中心位置との距離Δ
Ｌと回転の色収差Δφとの関係を示す図。
とターゲット側の第２投影レンズの中心位置との距離Δ
Ｌと回転の色収差Δφとの関係を示す図。
【図３】投影レンズのクロスオーバ側のボーア径Ｒbcと
反対側のボーア径Ｒboとの比（Ｒbc／Ｒbo）と色収差Δ
φとの関係を示す図。
反対側のボーア径Ｒboとの比（Ｒbc／Ｒbo）と色収差Δ
φとの関係を示す図。
１ マスク
２ 第１投影レンズ
３ 第２投影レンズ
４ ターゲット
５ クロスオーバ
Ｈ１ マスク〜クロスオーバ間を二等分する位置
Ｈ２ クロスオーバ〜ターゲット間を二等分する位置
Ｍ１ 第１投影レンズの中心位置
Ｍ２ 第２投影レンズの中心位置
Claims (3)
- 【請求項１】 マスクを通過した電子線を第１投影レン
ズおよび第２投影レンズに順次導いて前記マスクのパタ
ーン像をターゲットに縮小転写する電子線縮小転写装置
において、 前記マスクと前記ターゲットとの間隔をＬ、前記マスク
から前記ターゲットへのパターンの縮小率を１／ｎ、正
の定数をε、前記マスクから前記ターゲット側へＬ・ｎ
／（ｎ＋１）だけ離れた点を電子線光学系のクロスオー
バとしたとき、 前記マスクと前記クロスオーバとの間を二等分する位置
に対して前記第１投影レンズの光軸方向の中心位置が前
記クロスオーバ側へｎ・εだけ変位し、 前記クロスオーバと前記ターゲットとの間を二等分する
位置に対して前記第２投影レンズの光軸方向の中心位置
が前記クロスオーバ側へεだけ変位していることを特徴
とする電子線縮小転写装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子線縮小転写装置にお
いて、 前記第１投影レンズおよび前記第２投影レンズの前記ク
ロスオーバ側のボーア径が、反対側のボーア径の１／４
以下に設定されていることを特徴とする電子線縮小転写
装置。 - 【請求項３】 マスクを通過した電子線を第１投影レン
ズおよび第２投影レンズに順次導いて前記マスクのパタ
ーン像をターゲットに縮小転写する電子線縮小転写装置
において、 前記第１投影レンズおよび前記第２投影レンズのクロス
オーバ側のボーア径が、反対側のボーア径の１／４以下
に設定されていることを特徴とする電子線縮小転写装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31197594A JP3427524B2 (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 電子線縮小転写装置 |
| US08/548,616 US5689117A (en) | 1994-11-22 | 1995-10-26 | Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus |
| US08/871,939 US5773837A (en) | 1994-11-22 | 1997-06-10 | Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus |
| US08/871,971 US5773838A (en) | 1994-11-22 | 1997-06-10 | Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus |
| US08/871,966 US5831274A (en) | 1994-11-22 | 1997-06-10 | Apparatus for image transfer with charged particle beam, and deflector and mask used with such apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31197594A JP3427524B2 (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 電子線縮小転写装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167557A JPH08167557A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3427524B2 true JP3427524B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=18023696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31197594A Expired - Fee Related JP3427524B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-12-15 | 電子線縮小転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3427524B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP31197594A patent/JP3427524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08167557A (ja) | 1996-06-25 |
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