JP3424429B2 - 光走査装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光走査装置に係
り、より詳しくは、光源から発光された光ビームを偏向
して感光体を走査する光走査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、光走査装置に用いられるポリ
ゴンミラーより前の領域に配置された光学系には、アン
ダーフィルド光学系とオーバーフィルド光学系とがあ
る。アンダーフィルド光学系は複数の反射面を備えたポ
リゴンミラーに入射するレーザービームの走査方向の径
よりポリゴンミラーの各反射面の走査方向の長さが長く
なっており、レーザービームは１つの反射面の一部に入
射する。これに対し、オーバーフィルド光学系はポリゴ
ンミラーに入射するレーザービームの走査方向の径より
ポリゴンミラーの各反射面の走査方向の長さが短くなっ
ており、レーザービームは複数の反射面に同時に入射す
る。

【０００３】アンダーフィルド光学系とオーバーフィル
ド光学系とを比較すると、オーバーフィルド光学系で
は、感光体に所定の大きさのスポットを生ずさせるのに
必要な反射面の走査方向の長さを大幅に小さくすること
ができ、同じ直径のポリゴンミラーに、アンダーフィル
ド系より多くの反射面を備えることが可能となる。よっ
て、ポリゴンミラーをアンダーフィルド光学系より比較
的低速で回転させると共に消費電力の少ないポリゴンミ
ラー駆動装置が使える等の利点がある。

【０００４】しかし、オーバーフィルド光学系では、前
述したように、入射したレーザービームの光束の一部を
反射することから、図７（ａ）に示すように、反射面に
入射するレーザービームの光量は反射面の光軸に直交す
る方向の長さに比例し、あるタイミングで位置２２Ｎ₁
に、また、あるタイミングで位置２２Ｎ₂ に位置してい
る１つの反射面への各々の入射光量の比は、Ｈ₁ ：Ｈ₂
（Ｈ₂ ＝Ｈ₁ ・ＣＯＳθ）となる。即ち、入射光の光軸
に対するポリゴンミラーの走査角度θが大きくなるに伴
い、図７（ｂ）に示すように、反射面に入射される光量
が減少し、図９（ａ）に示すように、感光体上の画像領
域の開始点から中央ＣＯＳ（Center OfScan）に向かっ
て除々に増加すると共に中央ＣＯＳから画像領域の終了
点に向かって除々に減少する。

【０００５】また、反射面に入射するレーザービームの
光量分布Ｂは一様な分布でなく、図８に示すように、光
軸Ｃを中心としてガウス分布となる。よって、あるタイ
ミングで位置２２Ｎ₃ に、また、あるタイミングで位置
２２Ｎ₃ に位置している１つの反射面の各々は、ガウス
分布の各々異なる領域の部分を切り出すため、切り出す
位置により光量が変化する。

【０００６】このように、入射光の光軸に対するポリゴ
ンミラーの走査角度θが大きくなるに伴いＦナンバーが
大きくなると共に、反射面に入射するレーザービームの
光量分布がガウス分布となるため、所謂正面入射、即
ち、感光体の中央ＣＯＳ、該中央ＣＯＳにレーザービー
ムが入射する反射面の入射点、及びこのときのレーザー
ビームの光軸が同一平面内にある場合、回転する反射面
によりレーザービームを偏向させて感光体を走査する場
合、感光体の１つの走査線の入射光量は、図９（ａ）に
示すように、感光体上の画像領域の開始点から中央ＣＯ
Ｓに向かって除々に増加すると共に中央ＣＯＳから画像
領域の終了点に向かって除々に減少する。よって、感光
体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って画質に
悪影響を与える程ばらつく。なお、所謂サイド入射、即
ち、感光体の中央ＣＯＳ、該中央ＣＯＳにレーザービー
ムが入射する反射面の入射点、及びこのときのレーザー
ビームの光軸が同一平面内にない場合も、感光体の１つ
の走査線の入射光量は画質に悪影響を与える程ばらつ
く。

【０００７】従って、オーバーフィルド光学系では、ア
ンダーフィルドの光学系よりも感光体の１つの走査線の
入射光量が走査方向に渡って画質に悪影響を与える程ば
らつく度合いが強い。

【０００８】この問題を解決するため、特願平６−３０
７８４６号公報では、ポリゴンミラーより前の領域に、
感光体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って略
一定となるようにレーザービームを減光する補正用のフ
イルターを挿入する方法が提案されている。これによ
り、ポリゴンミラーの走査角度に対応する感光体の１つ
の走査線の入射光量のばらつきを簡易に補正することが
できる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特願平
６−３０７８４６号公報に記載されている方法によれ
ば、ポリゴンミラーより前の領域に補正用のフイルター
を挿入することから、補正用のフィルターによりレーザ
ービームが減光され、感光体に入射する光量が小さくな
るので、光源に大きい電流を供給しなければならず、効
率が悪い。

【００１０】また、ポリゴンミラーの走査角度に対応す
る感光体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って
細かくばらついている場合には、レーザービームの透過
光量が当該細かくばらついている位置に対応して変化す
るように補正用のフィルターを形成しならず、よって、
容易に補正用のフィルターを生産することができない。

【００１１】本発明は、上記事実に鑑み成されたもの
で、簡易な構成で感光体の１つの走査線の入射光量を略
一定にすることの可能な光走査装置を提供することを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため請求
項１記載の発明は、供給された電流量に応じた光量の光
ビームを発光する少なくとも１つの光源と、前記光源か
ら発光された光ビームを偏向して感光体を走査する走査
手段と、前記感光体の前記走査手段により走査されかつ
入射光量が特異な予め定められた特異部位の前後の領域
で前記感光体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡
って略一定となるように変化する電流を前記光源に供給
する供給手段と、を備えた光走査装置であって、前記供
給手段を、前記特異部位でレベルが反転する信号又は前
記特異部位の前後の領域でデューティー比が異なる信号
を出力する信号出力手段と、前記信号出力手段から入力
した信号を積分する積分回路と、含んで構成したことを
特徴とする。

【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記供給手段から前記光源に供給する電流
量を前記感光体の感度に応じて変更する変更手段を更に
備えたことを特徴とする。

【００１４】

【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２に記載の発明において、前記走査手段を、光ビーム
を反射して偏向すると共に前記光ビームの走査方向の径
より前記走査方向の長さが各々短い複数の反射面を備え
たポリゴンミラーと、前記ポリゴンミラーにより偏向さ
れた光ビームを感光体上でスポット光にする光学系と、
により構成したことを特徴とする。

【００１６】ここで、請求項１記載の発明に係る少なく
とも１つの光源からは、供給された電流量に応じた光量
の光ビームが発光される。走査手段は、光源から発光さ
れた光ビームを偏向して感光体を走査する。

【００１７】そして、供給手段は、感光体の前記走査手
段により走査されかつ入射光量が特異な予め定められた
特異部位の前後の領域で感光体の１つの走査線の入射光
量が走査方向に渡って略一定となるように変化する電流
を光源に供給する。

【００１８】ここで、入射光量が特異な予め定められた
特異部位は、例えば、感光体の１つの走査線の入射光量
が最大又は最少の部位である。

【００１９】このように、特異部位が感光体の１つの走
査線の入射光量が最大の場合、供給手段は、当該特異部
位より前の領域で大きさが除々に減少すると共に当該特
異部位より後の領域で大きさが除々に増加する電流を光
源に供給する。

【００２０】また、特異部位が感光体の１つの走査線の
入射光量が最少の場合、供給手段は、当該特異部位より
前の領域で大きさが除々に増加すると共に当該特異部位
より後の領域で大きさが除々に減少する電流を光源に供
給する。

【００２１】このように、入射光量が特異な予め定めら
れた特異部位の前後の領域で感光体の１つの走査線の入
射光量が走査方向に渡って略一定となるように変化する
電流を光源に供給することから、補正用のフィルター等
の新たな部品がなくとも感光体の１つの走査線の入射光
量を略一定にすることができる。

【００２２】更に、請求項１記載の発明に係る信号出力
手段は、特異部位でレベルが反転する信号又は該特異部
位の前後の領域でデューティー比が異なる信号を出力す
る。積分回路は、信号出力手段から入力した信号を積分
する。

【００２３】このように、積分回路は特異部位でレベル
が反転する信号又は該特異部位の前後の領域でデューテ
ィー比が異なる信号を積分することから、積分回路は、
光源に供給する電流を入射光量が特異な予め定められた
特異部位の前後の領域で感光体の１つの走査線の入射光
量が走査方向に渡って略一定となるように変化させる電
圧を、光源に供給する電流を制御する電流制御部に印加
することができる。よって、電流制御部からは、入射光
量が特異な予め定められた特異部位の前後の領域で感光
体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って略一定
となるように変化する電流を光源に供給する。

【００２４】ここで、電流制御部は、画像信号出力手段
から出力された画像信号に応じて量を変更する第１の電
流を光源に供給する第１の電流供給部及び光源に供給し
ても光ビームが発光しない第２の電流を光源に供給する
第２の電流供給部の少なくとも一方としてもよい。

【００２５】以上説明した請求項１記載の発明に、請求
項２記載の発明のように、変更手段を更に備え、該変更
手段により供給手段から光源に供給する電流量を感光体
の感度に応じて変更するようにしてもよい。

【００２６】また、請求項１又は請求項２に記載の発明
に係る走査手段を、請求項３記載の発明のように、光ビ
ームを反射して偏向すると共に前記光ビームの走査方向
の径より前記走査方向の長さが各々短い複数の反射面を
備えたポリゴンミラーと、前記ポリゴンミラーにより偏
向された光ビームを感光体上でスポット光にする光学系
と、により構成するようにしてもよい。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照して詳細に説明する。本形態に係る光走査
装置は、図１に示すように、レーザービームを発光する
半導体レーザ１２、半導体レーザ１２から発光されたレ
ーザビームを反射してポリゴンミラー２２に入射させる
反射ミラー１８、及びポリゴンミラー２２から反射した
レーザービームにより走査される感光体２６を備えてい
る。なお、感光体２６は、図示しない搬送手段により副
走査方向に搬送される。

【００２８】また、半導体レーザ１２及び反射ミラー１
８間、ポリゴンミラー２２及び感光体２６間には、それ
ぞれ、半導体レーザ１２から発光されたレーザビームを
主走査方向に略平行光にするコリメーターレンズ１４及
びｆ・θレンズ２０が配置されている。

【００２９】更に、半導体レーザ１２及び反射ミラー１
８間、ポリゴンミラー２２及び感光体２６間には、それ
ぞれ、半導体レーザ１２から発光されたレーザビームを
副走査方向にのみ集光するシリンダレンズ１６及びシリ
ンダミラー２４が配置されている。

【００３０】一方、感光体２６上の画像領域の開始点
（又は画像領域の終了点でもよい）近傍（画像領域外）
に対応する光軸上の位置には、反射ミラー１９が配置さ
れている。反射ミラー１９から反射したレーザービーム
の光軸には、光学系１７及びＳＯＳ（Start Of Scan ）
センサ１５が配置されている。なお、ＳＯＳセンサ１５
は、反射ミラー１９から反射したレーザービームが入射
すると、感光体を走査するタイミングをとるためのタイ
ミング信号（以下、ＳＯＳ信号という）を出力する。

【００３１】次に、本形態の制御系を説明する。本制御
系は、図２に示すように、図示しない筺体内に半導体レ
ーザ１２と共に半導体レーザ１２の近傍に配置されかつ
半導体レーザ１２から発光したレーザービームを受光す
るフォトダイオード２８を備えている。フォトダイオー
ド２８には、フォトダイオード２８から、該フォトダイ
オード２８が受光したレーザービームの光量に対応する
電圧（以下、モニタ電圧という）が非反転端子３０₊ に
印加されると共に基準電圧ＶＲＥＦが反転端子３０_- に
印加されるコンパレータ３０が接続されている。

【００３２】コンパレータ３０の出力端子３０_O には、
モニタ電圧と基準電圧ＶＲＥＦとが等しくなるように半
導体レーザ１２に供給するための初期設定駆動電流制御
電圧Ｖ₀ を制御するサンプルホールド制御部３２が接続
されている。

【００３３】サンプルホールド制御部３２には、サンプ
ルホールド制御部３２から印加された初期設定駆動電流
制御電圧Ｖ₀ を後述する補正データにより補正する補正
回路３４が接続されている。補正回路３４には、該補正
回路３４からの電圧に対応して半導体レーザ１２に供給
する駆動電流を、図示しない画像信号出力手段から出力
された画像信号（ＤＡＴＡ）に応じて量を変更（オン／
オフ）するＳＷ電流制御部３６が接続されている。これ
により、画像信号（ＤＡＴＡ）に応じてオン／オフされ
た駆動電流が半導体レーザ１２に供給される。

【００３４】一方、半導体レーザ１２には、印加された
ＢＩＡＳ電圧に対応するレーザ発振開始電流以下の一定
なＢＩＡＳ電流を半導体レーザ１２に供給するＢＩＡＳ
電流制御部３８が接続されている。

【００３５】このように半導体レーザ１２には、ＳＷ電
流制御部３６からの画像信号（ＤＡＴＡ）に応じてオン
／オフされた駆動電流とＢＩＡＳ電流制御部３８からの
ＢＩＡＳ電流とが加算された電流が供給される。

【００３６】次に、補正回路３４を図３を参照して詳細
に説明する。補正回路３４は、図示しないタイミング信
号出力手段に抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂ の少なくとも一方を介して
接続された積分回路４０を備えている。積分回路４０に
は、サンプルホールド制御部３２及びＳＷ電流制御部３
６に接続された加算回路４４が接続されている。

【００３７】積分回路４０は、タイミング信号出力手段
から抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂ の少なくとも一方を介して、図４
（ｂ）に示すように画像領域の開始点からハイレベルに
立ち上がりかつ中央ＣＯＳでローレベルに立ち下がる電
圧波形の補正クロック信号が入力される反転端子４
２_- 、及びアースされた非反転端子４２₊ を備えたオペ
アンプ４２を備えている。

【００３８】抵抗Ｒ₁ の両端にはスイッチＳＷ₁ が接続
され、抵抗Ｒ₂ の両端にはスイッチＳＷ₂ が接続されて
いる。スイッチＳＷ₁ 、ＳＷ₂ は、タイミング信号出力
手段からの補正ゲイン切換信号が入力されるとオン状
態、オフ状態が切り換わる。

【００３９】オペアンプ４２の出力端子４２_O は抵抗Ｒ
₄ を介して加算回路４４に接続されていると共に並列に
接続された抵抗Ｒ₃ 、コンデンサＣ₁ 、及びスイッチＳ
Ｗ₃を介して反転端子４２_- に接続されている。なお、
スイッチＳＷ₃ には、ＳＯＳ信号が入力され、これによ
り、一旦、所定時間オン状態となる。

【００４０】加算回路４４は、オペアンプ４２の出力端
子４２_O に抵抗Ｒ₄ を介して接続されていると共に抵抗
Ｒ₅ を介してサンプルホールド制御部３２が接続された
非反転端子４６₊ を備えたオペアンプ４６を備えてい
る。オペアンプ４６の出力端子４６_O はＳＷ電流制御部
３６に接続されていると共に抵抗Ｒ₆ の一端に接続さ
れ、抵抗Ｒ₆ の他端は反転端子４６_- に接続されている
と共にアースされている。

【００４１】なお、本形態では、抵抗Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、
Ｒ₆ 、Ｒ₇ の抵抗値を同じ（Ｒ₄ ＝Ｒ₅＝Ｒ₆ ＝Ｒ₇ ）
にしており、積分回路４０の出力電圧とサンプルホール
ド制御部３２の出力電圧の和の電圧がＳＷ電流制御部３
６に印加される。

【００４２】次に、本実施の形態の作用を説明する。前
述したように、半導体レーザ１２にはＳＷ電流制御部３
６からの画像信号（ＤＡＴＡ）に応じてオン／オフされ
た駆動電流とＢＩＡＳ電流制御部３８からのＢＩＡＳ電
流とが加算された電流が供給される。このように電流が
供給されると半導体レーザ１２は供給された電流量に応
じた光量のレーザービームを発光する。半導体レーザ１
２から発光されたレーザービームは、コリメーターレン
ズ１４に入射して、主走査方向に略平行光になると共
に、更にシリンダレンズ１６に入射して、副走査方向に
のみ集光する。このように、主走査方向に略平行光にな
ると共に副走査方向にのみ集光されたレーザービーム
は、反射ミラー１８により偏向して比較的低速回転して
いるポリゴンミラー２２の複数の反射面に同時に入射す
る。

【００４３】ポリゴンミラー２２に入射したレーザービ
ームは、反射面で偏向してｆ・θレンズ２０に入射し、
ｆ・θレンズ２０により主走査方向に更に集光されると
共に主走査方向に一定の走査速度で移動（偏向）しなが
らシリンダミラー２４に入射する。シリンダミラー２４
よりレーザービームは、副走査方向にのみ更に集光され
て感光体にスポット光として結像される。

【００４４】ここで、ポリゴンミラー２２により感光体
２６を主走査したレーザービームは、画像領域の開始点
に到達する前に反射ミラー１９から反射して、光学系１
７を介してＳＯＳセンサ１５に入射する。レーザービー
ムが入射したＳＯＳセンサ１５は、ＳＯＳ信号を、図４
（ａ）に示すタイミングで図示しないタイミング信号出
力及びスイッチＳＷ₃ に出力する。

【００４５】ＳＯＳ信号を入力したタイミング信号出力
手段は、ＳＯＳ信号を入力したタイミングに基づいて、
図示しない画像信号出力手段に信号出力命令を出力する
と共に、図４（ｂ）に示す電圧波形の補正クロック信号
を抵抗Ｒ₂ 、Ｒ₁ の少なくとも一方を介してオペアンプ
４２に出力する。

【００４６】前述したように、非反転端子４２₊ がアー
スされているオペアンプ４２は、反転端子４２_- を介し
て入力した画像領域の開始点からハイレベルに立ち上が
りかつ中央ＣＯＳでローレベルに立ち下がる電圧波形の
補正クロック信号を積分し、また、ＳＯＳ信号を入力し
たスイッチＳＷ₃ は一旦、所定時間オン状態となってリ
セットされることから、このオペアンプ４２により生成
される補正データは、図４（ｃ）に示すように、画像領
域両端部（画像領域の開始点、画像領域の終了点）で値
が０、画像領域の開始点から中央ＣＯＳまで除々に小さ
くなり、中央ＣＯＳから今度は除々に大きくなる。よっ
て、補正データは０以下の値となる。

【００４７】なお、補正データのゲインは、抵抗Ｒ₁ 、
Ｒ₂ の接続状態と抵抗Ｒ₃ とにより定まり、表１に示す
通りである。但し、Ｒ₁ ＝Ｒ、Ｒ₂ ＝２Ｒとする。

【００４８】

【表１】

【００４９】例えば、ゲインがＧ₁ （＝１）の場合に
は、オペアンプ４２から出力される補正データは図４
（ｃ）の点線で示す波形ｈ₁ となり、また、補正ゲイン
がＧ₂ （＝１／２）の場合には、オペアンプ４２から出
力される補正データは図４（ｃ）の実線で示す波形ｈ₂
となる。

【００５０】ここで、抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ によって如
何なるゲインにするかは次のように定めている。即ち、
感光体２６の１つの走査線の入射光量を予め測定して、
感光体２６の１つの走査線の入射光量分布を検出し、検
出した入射光量分布に基づいて、感光体のレーザービー
ムの入射光量が図９（ｂ）に示すように主走査方向に略
一定となる積分回路４０のゲインを求めて抵抗値を設定
する。

【００５１】また、スイッチＳＷ₁ 、ＳＷ₂ のオン、オ
フによりゲインを調整できるようにしたのは、感光体の
感度により必要とする感光体の１つの走査線の入射光量
が変化することに対応するためである。

【００５２】そして、補正データは、サンプルホールド
制御部３２から印加された初期設定駆動電流制御電圧Ｖ
₀ と加算されてオペアンプ４４の非反転端子４６₊ に印
加される。前述したように、本形態では、Ｒ₄ ＝Ｒ₅ ＝
Ｒ₆ ＝Ｒ₇ としているので、オペアンプ４４は、図４
（ｄ）、図４（ｅ）に示すようなＳＷ電流制御信号
（）をＳＷ電流制御部３６に出力する。なお、補正ゲ
インがＧ₁ （＝１）の場合にはＳＷ電流制御信号が、
補正ゲインがＧ₂ （＝１／２）の場合にはＳＷ電流制御
信号が、ＳＷ電流制御部３６に入力される。また、前
述したように、補正データ（図４（ｃ）参照）は、画像
領域両端部で値が０、画像領域の開始点から中央ＣＯＳ
まで除々に小さくなり、中央ＣＯＳから今度は除々に大
きくなるので、ＳＷ電流制御信号（）は、画像領域
両端部でＶ₀ （の場合）、２Ｖ₀ （の場合）とな
り、両端部以外の画像領域ではＶ₀ （の場合）、２Ｖ
₀ （の場合）から補正データを減算した値となる。

【００５３】タイミング信号出力手段から出力された信
号出力命令により画像信号出力手段は画像信号（ＤＡＴ
Ａ）をＳＷ電流制御部３６に出力し、ＳＷ電流制御部３
６は、画像信号（ＤＡＴＡ）に基づいて画像領域で画像
が形成されるように、ＳＷ電流制御信号（）をオ
ン、オフする。そして、半導体レーザ１２には、ＳＷ電
流制御部３６から、ＳＷ電流制御信号（）に対応し
た電流とＢＩＡＳ電流とが加算されて供給される。

【００５４】ここで、ＳＷ電流制御部３６から半導体レ
ーザ１２に供給される電流は、図４（ｄ）、図４（ｅ）
に示すＳＷ電流制御信号、に対応するので、同様
に、中央ＣＯＳより前の領域で大きさが除々に減少する
と共に中央ＣＯＳより後の領域で大きさが除々に増加す
る。

【００５５】従って、従来、図６（ａ）に示すように、
画像領域の開始点から中央ＣＯＳに向かって除々に増加
すると共に中央ＣＯＳから画像領域の終了点に向かって
除々に減少していた感光体に入射する光量が、図６
（ｂ）に示すように、感光体の１つの走査線の入射光量
が主走査方向に略一定となる。

【００５６】以上説明したように本形態によれば、感光
体の中央より前の領域で大きさが除々に減少すると共に
感光体の中央より後の領域で大きさが除々に増加する電
流を半導体レーザに供給することから、簡易な構成で感
光体の走査方向の各位置の入射光量を略一定にすること
ができ、適正画像を形成することができる。

【００５７】また、本形態では、電流制御により感光体
の走査方向の各位置の入射光量を略一定にすることがで
きるので、補正用のフィルターにようにレーザービーム
を減光しないので、ロスがなく、効率がよい。

【００５８】以上説明した第１の実施の形態では特異部
位が感光体の中央でかつ入射光量が多い１点の場合を例
にとり説明したが、本発明はこれに限定されるものでな
く、入射光量が多い位置が感光体の中央より前の領域で
も後の領域の場合にも適用できる。更に、入射光量が多
い位置が複数存在する場合にも適用できる。なお、この
場合には、入射光量が多い位置に対応してレベルが反転
する補正クロック信号を発振するようにすればよい。

【００５９】また、前述した第１の実施の形態では、感
光体の入射光量が高い位置を境に補正クロック信号をハ
イレベルからローレベルに反転するようにしているが、
本発明はこれに限定されるものでなく、感光体の入射光
量が高い位置を境に補正クロック信号をローレベルから
ハイレベルに反転するようにしてもよい。なお、この場
合、補正クロック信号を発振する発振器と積分回路との
間に補正クロック信号のレベルを反転する反転器を追加
するようにすればよい。

【００６０】更に、前述した第１の実施の形態では、特
異部位が他の領域より入射光量の多い場合を例にとり説
明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、特異
部位が他の領域より入射光量の少ない場合にも適用でき
る。

【００６１】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。本形態は、第１の実施の形態の構成と同様の構成を
有する部分があるので、同一部分には同一の符号を付し
てその説明を省略し、異なる部分のみ説明する。なお、
本形態は、中央ＣＯＳを含む一定領域（特異部位）の入
射光量が他の領域より多くなっている感光体の走査線の
入射光量を補正するものである。

【００６２】本形態の補正回路４３は、図５に示すよう
に、前述したタイミング信号出力手段に抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂
を介して接続されたローパスフィルタ４１を備えてい
る。ローパスフィルタ４１には、サンプルホールド制御
部３２及びＳＷ電流制御部３６に接続された減算回路４
５が接続されている。

【００６３】ローパスフィルタ４１は、タイミング信号
出力手段から抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂ を介して、図６（ｂ）に示
すように中央ＣＯＳを含む一定領域内のみで発振する補
正クロック信号を入力する非反転端子４３₊ を備えたオ
ペアンプ４３を備えている。オペアンプ４３の出力端子
４３_O は、抵抗Ｒ₄ を介して減算回路４５に接続されて
いる。また、オペアンプ４３の反転端子４３_- は、コン
デンサＣ₁ を介して抵抗Ｒ₁ と抵抗Ｒ₂ との間に接続さ
れていると共に出力端子４３_O に接続されている。な
お、補正クロック信号の周波数がローパススィルタ４１
のしゃ断周波数より十分高くなるように、抵抗値、コン
デンサの静電容量が定められている。

【００６４】減算回路４５は、オペアンプ４３の出力端
子４３_O に抵抗Ｒ₄ を介して接続された反転端子４
７_- 、及びサンプルホールド制御部３２に抵抗Ｒ₅ を介
して接続された非反転端子４７₊ を備えたオペアンプ４
７を備えている。

【００６５】オペアンプ４７の出力端子４７_O はＳＷ電
流制御部３６に接続されていると共に抵抗Ｒ₃ を介して
反転端子４７_- に接続されている。非反転端子４７₊ と
抵抗Ｒ₅ との間には抵抗Ｒ₆ の一端が接続され、抵抗Ｒ
₆ の他端はアースされている。

【００６６】次に、本形態の作用を説明する。なお、本
形態の作用は、前述した第１の実施の形態の作用と同一
の作用部分があるので、その説明を省略し、異なる作用
部分のみ説明する。

【００６７】前述したように、レーザービームが入射し
たＳＯＳセンサ１５は、ＳＯＳ信号を、タイミング信号
出力手段に出力し、これによりタイミング信号出力手段
は、図６（ｂ）に示すように中央ＣＯＳを含む一定領域
内のみ補正クロックを発振することにより、抵抗Ｒ₁ 、
Ｒ₂ を介してオペアンプ４３に出力する。

【００６８】ここで、オペアンプ４３は、コンデンサＣ
₁ とコンデンサＣ₂ の電圧の差を積分するが、補正クロ
ック信号が中央ＣＯＳを含む一定領域内のみ発振され、
これをプラス単位４３₊ から入力し、前述したように、
補正クロック信号の周波数がローパススィルタ４１のし
ゃ断周波数より十分高くされていることから、図６
（ｃ）に示すように、中央ＣＯＳを含む一定領域内のみ
立ち上がった補正データを減算回路４５に出力する。

【００６９】なお、この補正データは、補正クロック信
号のデューティ比を変化させることにより、変化させる
ことができる。即ち、図６（ｅ）に示すように、補正ク
ロック信号のオン時間を、中央ＣＯＳに向かって除々に
大きくすると共に中央ＣＯＳから除々に小さくすると、
補正データは、図６（ｆ）に示すように、複数段階に変
化させることができる。

【００７０】減算回路４５は、サンプルホールド制御部
３２からの初期設定駆動電流制御電圧Ｖ₀ からこの補正
データを減算する。これにより、オペアンプ４４から
は、図６（ｄ）、図６（ｇ）に示すようなＳＷ電流制御
信号、がＳＷ電流制御部３６に入力される。即ち、
ＳＷ電流制御信号は、画像領域両端部を含みかつ上記一
定領域を含まない画像領域で初期設定駆動電流制御電圧
Ｖ₀ 、上記一定領域で初期設定駆動電流制御電圧Ｖ₀ か
ら補正データを減算した値の大きさの波形となる（図６
（ｄ）、図６（ｇ）参照）。

【００７１】よって、半導体レーザ１２には、ＳＷ電流
制御部３６から、図６（ｄ）、図６（ｇ）に示す電圧に
対応した電流とＢＩＡＳ電流とが加算された加算電流が
供給される。

【００７２】ここで、ＳＷ電流制御部３６から半導体レ
ーザ１２に供給される電流は、図６（ｄ）、図６（ｇ）
に示すＳＷ電流制御信号、に対応するので、感光体
２６の１つの走査線の内、中央ＣＯＳを含む一定領域の
みが他の領域より大きさが小さくなる。よって、中央Ｃ
ＯＳを含む一定領域の入射光量が他の領域より大きくな
っていた感光体の１つの走査線の入射光量が、略一定と
なる。

【００７３】以上説明した第２の実施の形態では、特異
部位が感光体の中央を含む一定領域でかつ入射光量が多
い場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定され
るものでなく、特異部位が感光体の中央を含む一定領域
でかつ入射光量が少ない場合や特異部位が感光体の中央
を含まない定領域でかつ入射光量が多い又は低い場合に
も適用できる。

【００７４】また、前述した第１及び第２の実施の形態
では、図２に示すように、補正回路３４を、サンプルホ
ールド制御部３２とＳＷ電流制御部３６との間に挿入し
て、画像信号に応じてオン／オフする駆動電流を補正し
ているが、本発明はこれに限定されるものでなく、ＢＩ
ＡＳ電流のみを補正するようにしてもよく、また、画像
信号に応じてオン／オフする駆動電流及びＢＩＡＳ電流
を補正するようにしてもよい。なお、ＢＩＡＳ電流を補
正するためには、ＢＩＡＳ電流制御部３８にＢＩＡＳ電
圧を印加するＢＩＡＳ電圧印加手段とＢＩＡＳ電流制御
部３８との間に補正回路３４を挿入すればよい。このよ
うに、既存の装置に補正回路を追加するのみで感光体の
１つの走査線の入射光量を走査方向に渡って略一定にす
ることができるので、既存の装置を取り替えなくとも当
該光走査装置を適正画像を形成することのできる光走査
装置に変更することができる。

【００７５】更に、前述した第１及び第２の実施の形態
では、補正回路を用いて、特異部位の前後の領域で感光
体の１つの走査線の入射光量が略一定となる電流を半導
体レーザに供給しているが、本発明はこれに限定される
ものでなく、画像信号に応じてオン／オフする駆動電流
及びＢＩＡＳ電流の少なくとも一方の大きさを変化させ
る可変抵抗を用いて特異部位の前後の領域で感光体の１
つの走査線の入射光量が略一定となる電流を半導体レー
ザに供給するようにしてもよい。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、入射光量
が特異な予め定められた特異部位の前後の領域で感光体
の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って略一定と
なるように変化する電流を光源に供給することから、補
正用のフィルター等の新たな部品がなくとも感光体の１
つの走査線の入射光量を略一定にすることができる、こ
れにより適正画像を形成することができる、という効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の概略ブロック図である。

【図２】本形態の制御系を示したブロック図である。

【図３】本形態の補正回路の詳細を示した電気回路であ
る。

【図４】本実施の形態のタイミングチャートである。

【図５】第２の形態の補正回路の詳細を示した電気回路
である。

【図６】本実施の形態のタイミングチャートである。

【図７】ポリゴンミラーの反射面に入射されるレーザー
ビームの光量の分布を示した図である。

【図８】ポリゴンミラーの反射面に入射されるレーザー
ビームの光量の他の分布を示した図である。

【図９】感光体に入射するレーザービームの光量の走査
方向の分布を示した線図である。

【符号の説明】

１２ 半導体レーザ ２２ ボリゴンミラー ２６ 感光体 ３４ 補正回路

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 供給された電流量に応じた光量の光ビー
   ムを発光する少なくとも１つの光源と、 前記光源から発光された光ビームを偏向して感光体を走
   査する走査手段と、 前記感光体の前記走査手段により走査されかつ入射光量
   が特異な予め定められた特異部位の前後の領域で前記感
   光体の１つの走査線の入射光量が走査方向に渡って略一
   定となるように変化する電流を前記光源に供給する供給
   手段と、 を備えた光走査装置であって、 前記供給手段を、 前記特異部位でレベルが反転する信号又は前記特異部位
   の前後の領域でデューティー比が異なる信号を出力する
   信号出力手段と、 前記信号出力手段から入力した信号を積分する積分回路
   と、 含んで構成したことを特徴とする光走査装置。
2. 【請求項２】 前記供給手段から前記光源に供給する電
   流量を前記感光体の感度に応じて変更する変更手段を更
   に備えたこと特徴とする請求項１記載の光走査装置。
3. 【請求項３】 前記走査手段を、 光ビームを反射して偏向すると共に前記光ビームの走査
   方向の径より前記走査方向の長さが各々短い複数の反射
   面を備えたポリゴンミラーと、 前記ポリゴンミラーにより偏向された光ビームを感光体
   上でスポット光にする光学系と、 により構成したことを特徴とする請求項１又は請求項２
   に記載の光走査装置。