JP3420476B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- Japan
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- semiconductor element
- package
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージに関し、より詳
細には、半導体素子がペルチェ素子とともに収容される
半導体素子収納用パッケージに関するものである。
するための半導体素子収納用パッケージに関し、より詳
細には、半導体素子がペルチェ素子とともに収容される
半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光半導体素子や固体撮像素子等の半導体
素子は、近時、作動時に多量の熱を発し、該熱によって
誤動作するのを有効に防止し、所定の性能を発揮させる
ために冷却する必要が生じてきた。そのため、半導体素
子は該半導体素子を冷却するためのペルチェ素子上に搭
載した状態で半導体素子収納用パッケージに収容される
ようになってきた。
素子は、近時、作動時に多量の熱を発し、該熱によって
誤動作するのを有効に防止し、所定の性能を発揮させる
ために冷却する必要が生じてきた。そのため、半導体素
子は該半導体素子を冷却するためのペルチェ素子上に搭
載した状態で半導体素子収納用パッケージに収容される
ようになってきた。
【０００３】このようにペルチェ素子に搭載された半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージは、一般
に図３及び図４に示すように、銅や銅−タングステン合
金等の良熱伝導材料から成り、上面中央部に半導体素子
１４がペルチェ素子１５を介して載置される載置部１１
a を有する略平板状の基体１１と、該基体１１の上面外
周部に前記載置部１１a を囲繞するようにして接合さ
れ、内周側に棚部１２aを有する酸化アルミニウム質焼
結体等のセラミックから成るセラミック枠体１２と、金
属やセラミック、ガラス等から成る蓋体１３とから主に
構成されている。
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージは、一般
に図３及び図４に示すように、銅や銅−タングステン合
金等の良熱伝導材料から成り、上面中央部に半導体素子
１４がペルチェ素子１５を介して載置される載置部１１
a を有する略平板状の基体１１と、該基体１１の上面外
周部に前記載置部１１a を囲繞するようにして接合さ
れ、内周側に棚部１２aを有する酸化アルミニウム質焼
結体等のセラミックから成るセラミック枠体１２と、金
属やセラミック、ガラス等から成る蓋体１３とから主に
構成されている。
【０００４】なお、前記セラミック枠体１２の棚部１２
a 上面には、半導体素子１４の電極がボンディングワイ
ヤ１８を介して接続されるメタライズボンディングパッ
ド１６とペルチェ素子１５のリード１９が半田付けされ
るメタライズ半田パッド１７とが被着形成されており、
メタライズボンディングパッド１６及びメタライズ半田
パッド１７はそれぞれ、セラミック枠体１２に設けられ
た内部メタライズ配線導体（不図示）を介して外部に電
気的に導出されている。
a 上面には、半導体素子１４の電極がボンディングワイ
ヤ１８を介して接続されるメタライズボンディングパッ
ド１６とペルチェ素子１５のリード１９が半田付けされ
るメタライズ半田パッド１７とが被着形成されており、
メタライズボンディングパッド１６及びメタライズ半田
パッド１７はそれぞれ、セラミック枠体１２に設けられ
た内部メタライズ配線導体（不図示）を介して外部に電
気的に導出されている。
【０００５】またこの半導体素子収納用パッケージは、
基体１１の載置部１１a にペルチェ素子１５に搭載され
た半導体素子１４を載置固定し、半導体素子１４の各電
極をボンディングワイヤ１８を介してメタライズボンデ
ィングパッド１６に接続するとともにペルチェ素子１５
のリード１９をメタライズ半田パッド１７に半田付け
し、最後にセラミック枠体１２の上面に蓋体１３を接合
し、基体１１とセラミック枠体１２と蓋体１３とから成
る容器内部に半導体素子１４及びペルチェ素子１５を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
基体１１の載置部１１a にペルチェ素子１５に搭載され
た半導体素子１４を載置固定し、半導体素子１４の各電
極をボンディングワイヤ１８を介してメタライズボンデ
ィングパッド１６に接続するとともにペルチェ素子１５
のリード１９をメタライズ半田パッド１７に半田付け
し、最後にセラミック枠体１２の上面に蓋体１３を接合
し、基体１１とセラミック枠体１２と蓋体１３とから成
る容器内部に半導体素子１４及びペルチェ素子１５を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
【０００６】更に、前記ペルチェ素子１５のリード１９
をメタライズ半田パッド１７に半田付けする際には、半
田の加熱手段として半田ゴテが一般に用いられている。
をメタライズ半田パッド１７に半田付けする際には、半
田の加熱手段として半田ゴテが一般に用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体素子収納用パッケージによれば、酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックから成るセラミック枠体の熱伝
導率が約２０W ／m ・Ｋであり、熱を伝え易いことから
セラミック枠体に形成されているメタライズ半田付けパ
ッド１７にペルチェ素子１５のリード１９を半田付けす
る際、半田ゴテの熱がメタライズ半田パッド１７を介し
てセラミック枠体に伝達吸収され、その結果、メタライ
ズ半田パッド１７とペルチェ素子１５のリード１９との
半田付け部が半田付けに必要な高温となるのに時間を要
し、半田付けの作業性が極めて悪いという欠点を有して
いた。
導体素子収納用パッケージによれば、酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックから成るセラミック枠体の熱伝
導率が約２０W ／m ・Ｋであり、熱を伝え易いことから
セラミック枠体に形成されているメタライズ半田付けパ
ッド１７にペルチェ素子１５のリード１９を半田付けす
る際、半田ゴテの熱がメタライズ半田パッド１７を介し
てセラミック枠体に伝達吸収され、その結果、メタライ
ズ半田パッド１７とペルチェ素子１５のリード１９との
半田付け部が半田付けに必要な高温となるのに時間を要
し、半田付けの作業性が極めて悪いという欠点を有して
いた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子が
ペルチェ素子を介して載置される載置部を有する基体
と、前記基体の上面に前記載置部を囲繞するようにして
接合され、半導体素子の電極がボンディングワイヤを介
して接続されるメタライズボンディングパッド及びペル
チェ素子のリードが半田付けされるメタライズ半田パッ
ドを有するセラミック枠体と、蓋体とから成る半導体素
子収納用パッケージにおいて、前記セラミック枠体はメ
タライズ半田パッド周辺で、ペルチェ素子のリードが半
田付けされる領域に凹部が形成されていることを特徴と
するものである。
ペルチェ素子を介して載置される載置部を有する基体
と、前記基体の上面に前記載置部を囲繞するようにして
接合され、半導体素子の電極がボンディングワイヤを介
して接続されるメタライズボンディングパッド及びペル
チェ素子のリードが半田付けされるメタライズ半田パッ
ドを有するセラミック枠体と、蓋体とから成る半導体素
子収納用パッケージにおいて、前記セラミック枠体はメ
タライズ半田パッド周辺で、ペルチェ素子のリードが半
田付けされる領域に凹部が形成されていることを特徴と
するものである。
【０００９】また本発明は、前記凹部の深さが０．５mm
以上であることを特徴とするものである。
以上であることを特徴とするものである。
【００１０】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、セラミック枠体のメタライズ半田パッド周辺で、
ペルチェ素子のリードが半田付けされる領域に深さが
０．５mm以上の凹部を形成したことからメタライズ半田
パッドにペルチェ素子のリードを半田付けする際に、半
田ゴテの熱がメタライズ半田パッドの周囲に位置するセ
ラミック枠体に伝達吸収されるのが効果的に防止され、
その結果、メタライズ半田パッドとペルチェ素子のリー
ドとの半田付け部が短時間で半田付けに必要な高温とな
り、半田付けの作業性が極めて良好となる。
れば、セラミック枠体のメタライズ半田パッド周辺で、
ペルチェ素子のリードが半田付けされる領域に深さが
０．５mm以上の凹部を形成したことからメタライズ半田
パッドにペルチェ素子のリードを半田付けする際に、半
田ゴテの熱がメタライズ半田パッドの周囲に位置するセ
ラミック枠体に伝達吸収されるのが効果的に防止され、
その結果、メタライズ半田パッドとペルチェ素子のリー
ドとの半田付け部が短時間で半田付けに必要な高温とな
り、半田付けの作業性が極めて良好となる。
【００１１】が有効に防止される。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の半導体素子収納用パ
ッケージの実施形態の一例を示す断面図、図２は図１に
示す半導体素子収納用パッケージの蓋体を除く上面図で
あり、１は基体、２はセラミック枠体、３は蓋体であ
る。
詳細に説明する。図１は、本発明の半導体素子収納用パ
ッケージの実施形態の一例を示す断面図、図２は図１に
示す半導体素子収納用パッケージの蓋体を除く上面図で
あり、１は基体、２はセラミック枠体、３は蓋体であ
る。
【００１３】前記基体１は、例えば、銅や銅−タングス
テン合金等の良熱伝導材料から成り、その上面の中央部
に半導体素子4 が載置される載置部１a を有しており、
該載置部１a に半導体素子4 が間にペルチェ素子５を挟
んで搭載される。
テン合金等の良熱伝導材料から成り、その上面の中央部
に半導体素子4 が載置される載置部１a を有しており、
該載置部１a に半導体素子4 が間にペルチェ素子５を挟
んで搭載される。
【００１４】前記基体1 は例えば、銅から成る場合、銅
のインゴット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、
従来周知の金属加工法を施すことによって所定の板状に
形成される。
のインゴット( 塊) に圧延加工法や打ち抜き加工法等、
従来周知の金属加工法を施すことによって所定の板状に
形成される。
【００１５】また前記基体１はその上面外周部に酸化ア
ルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体等のセラミック材料か
ら成るセラミック枠体２が載置部１a を囲繞するように
して取着接合されている。
ルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体等のセラミック材料か
ら成るセラミック枠体２が載置部１a を囲繞するように
して取着接合されている。
【００１６】前記セラミック枠体２は、例えば、酸化ア
ルミニウム質焼結体で形成されている場合、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
し、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等
のシート成形法を採用することによって所定厚みのセラ
ミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに所定の打ち抜
き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１６００
℃）で焼成することによって製作される。
ルミニウム質焼結体で形成されている場合、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
し、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等
のシート成形法を採用することによって所定厚みのセラ
ミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに所定の打ち抜
き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１６００
℃）で焼成することによって製作される。
【００１７】前記セラミック枠体２はまた、その内周側
に棚部２a が形成されており、該棚部２a には、タング
ステン、モリブデン等の金属粉末焼結体から成るメタラ
イズボンディングパッド６とメタライズ半田パッド７が
各々、被着形成されている。
に棚部２a が形成されており、該棚部２a には、タング
ステン、モリブデン等の金属粉末焼結体から成るメタラ
イズボンディングパッド６とメタライズ半田パッド７が
各々、被着形成されている。
【００１８】前記メタライズボンディングパッド６及び
メタライズ半田パッド７は半導体素子4 及びペルチェ素
子５の各電極を外部電気回路に接続する作用をなし、メ
タライズボンディングパッド６には半導体素子４の各電
極がボンディングワイヤ８を介して、またメタライズ半
田パッド７にはペルチェ素子５のリード９が半田付けさ
れる。
メタライズ半田パッド７は半導体素子4 及びペルチェ素
子５の各電極を外部電気回路に接続する作用をなし、メ
タライズボンディングパッド６には半導体素子４の各電
極がボンディングワイヤ８を介して、またメタライズ半
田パッド７にはペルチェ素子５のリード９が半田付けさ
れる。
【００１９】前記メタライズボンディングパッド６及び
メタライズ半田パッド７は、タングステン等の金属粉末
に有機溶剤、溶媒を添加混合して金属ペーストを得、次
にこの金属ペーストをセラミック枠体２となるセラミッ
クグリーンシートに予めスクリーン印刷法等により所定
パターンに印刷塗布しておくことによってセラミック枠
体２の所定位置に所定形成に形成される。
メタライズ半田パッド７は、タングステン等の金属粉末
に有機溶剤、溶媒を添加混合して金属ペーストを得、次
にこの金属ペーストをセラミック枠体２となるセラミッ
クグリーンシートに予めスクリーン印刷法等により所定
パターンに印刷塗布しておくことによってセラミック枠
体２の所定位置に所定形成に形成される。
【００２０】なお、前記メタライズボンディングパッド
６及びメタライズ半田パッド７は、それぞれ図示しない
セラミック枠体２の内部に形成されている内部メタライ
ズ配線導体を介して外部に電気的に導出されている。
６及びメタライズ半田パッド７は、それぞれ図示しない
セラミック枠体２の内部に形成されている内部メタライ
ズ配線導体を介して外部に電気的に導出されている。
【００２１】また前記メタライズボンディングパッド６
及びメタライズ半田パッド７は、その表面にニッケル、
金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材濡れ性が良い金属を
めっき法により１乃至２０μｍの厚みに被着させておく
とメタライズボンディングパッド６及びメタライズ半田
パッド７の酸化腐蝕を有効に防止することができるとと
もにメタライズボンディングパッド６に対するボンディ
ングワイヤ８を介しての半導体素子４の各電極の接続、
及びメタライズ半田パッド７に対するリード９を介して
のペルチェ素子５の各電極の接続を良好となすことがで
きる。従って、前記メタライズボンディングパッド６及
びメタライズ半田パッド７は、その表面にニッケル、金
等の良導電性で耐蝕性及びロウ材濡れ性が良い金属をめ
っき法により１乃至２０μｍの厚みに被着させておくこ
とが好ましい。
及びメタライズ半田パッド７は、その表面にニッケル、
金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材濡れ性が良い金属を
めっき法により１乃至２０μｍの厚みに被着させておく
とメタライズボンディングパッド６及びメタライズ半田
パッド７の酸化腐蝕を有効に防止することができるとと
もにメタライズボンディングパッド６に対するボンディ
ングワイヤ８を介しての半導体素子４の各電極の接続、
及びメタライズ半田パッド７に対するリード９を介して
のペルチェ素子５の各電極の接続を良好となすことがで
きる。従って、前記メタライズボンディングパッド６及
びメタライズ半田パッド７は、その表面にニッケル、金
等の良導電性で耐蝕性及びロウ材濡れ性が良い金属をめ
っき法により１乃至２０μｍの厚みに被着させておくこ
とが好ましい。
【００２２】更に、前記セラミック枠体２は、メタライ
ズ半田パッド７の周囲で、ペルチェ素子５のリード９が
半田付けされる領域に凹部２b が形成されている。
ズ半田パッド７の周囲で、ペルチェ素子５のリード９が
半田付けされる領域に凹部２b が形成されている。
【００２３】前記凹部２b はメタライズ半田パッド７に
印加される熱がメタライズ半田パッド７の周囲に位置す
るセラミック枠体２に伝達吸収されるのを効果的に防止
する作用をなし、これによってメタライズ半田パッド７
にペルチェ素子５のリード９を半田付けする際、半田ゴ
テの熱は前記凹部２b によってメタライズ半田パッド７
の周囲に位置するセラミック枠体２に伝達吸収されるこ
とは少なく、メタライズ半田パッド７の位置に蓄積さ
れ、メタライズ半田パッド７の温度を短時間にして半田
付けに必要な高温となし、半田付け作業の作業性を極め
て良好なものとなすことができる。
印加される熱がメタライズ半田パッド７の周囲に位置す
るセラミック枠体２に伝達吸収されるのを効果的に防止
する作用をなし、これによってメタライズ半田パッド７
にペルチェ素子５のリード９を半田付けする際、半田ゴ
テの熱は前記凹部２b によってメタライズ半田パッド７
の周囲に位置するセラミック枠体２に伝達吸収されるこ
とは少なく、メタライズ半田パッド７の位置に蓄積さ
れ、メタライズ半田パッド７の温度を短時間にして半田
付けに必要な高温となし、半田付け作業の作業性を極め
て良好なものとなすことができる。
【００２４】なお、前記メタライズ半田パッド７の周囲
に形成される凹部２b は、その深さが０．５mm未満であ
るとメタライズ半田パッド７に印加される熱がセラミッ
ク枠体２に伝達吸収され、メタライズ半田パッド７に効
率良く蓄積させることが困難となる。従って、前記メタ
ライズ半田パッド７の周囲に形成される凹部２b は、そ
の深さを０．５mm以上としておくことが好ましい。
に形成される凹部２b は、その深さが０．５mm未満であ
るとメタライズ半田パッド７に印加される熱がセラミッ
ク枠体２に伝達吸収され、メタライズ半田パッド７に効
率良く蓄積させることが困難となる。従って、前記メタ
ライズ半田パッド７の周囲に形成される凹部２b は、そ
の深さを０．５mm以上としておくことが好ましい。
【００２５】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体１の搭載部１a上に、半導体素子４
を間にペルチェ素子５を挟んで載置固定し、半導体素子
４の電極をボンディングワイヤ８を介してメタライズボ
ンディングパッド６に接続するとともにペルチェ素子５
のリード９をメタライズ半田パッド７に半田付けし、し
かる後、セラミック枠体２の上面に蓋体３を接合させ、
基体１とセラミック枠体２と蓋体３とから成る容器内部
に半導体素子４を気密に収容することによって製品とし
ての半導体装置となる。
ージによれば、基体１の搭載部１a上に、半導体素子４
を間にペルチェ素子５を挟んで載置固定し、半導体素子
４の電極をボンディングワイヤ８を介してメタライズボ
ンディングパッド６に接続するとともにペルチェ素子５
のリード９をメタライズ半田パッド７に半田付けし、し
かる後、セラミック枠体２の上面に蓋体３を接合させ、
基体１とセラミック枠体２と蓋体３とから成る容器内部
に半導体素子４を気密に収容することによって製品とし
ての半導体装置となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、セラミック枠体のメタライズ半田パッド周辺
で、ペルチェ素子のリードが半田付けされる領域に深さ
が０．５mm以上の凹部を形成したことからメタライズ半
田パッドにペルチェ素子のリードを半田付けする際に、
半田ゴテの熱がメタライズ半田パッドの周囲に位置する
セラミック枠体に伝達吸収されるのが効果的に防止さ
れ、その結果、メタライズ半田パッドとペルチェ素子の
リードとの半田付け部が短時間で半田付けに必要な高温
となり、半田付けの作業性が極めて良好となる。
よれば、セラミック枠体のメタライズ半田パッド周辺
で、ペルチェ素子のリードが半田付けされる領域に深さ
が０．５mm以上の凹部を形成したことからメタライズ半
田パッドにペルチェ素子のリードを半田付けする際に、
半田ゴテの熱がメタライズ半田パッドの周囲に位置する
セラミック枠体に伝達吸収されるのが効果的に防止さ
れ、その結果、メタライズ半田パッドとペルチェ素子の
リードとの半田付け部が短時間で半田付けに必要な高温
となり、半田付けの作業性が極めて良好となる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施形
態の一例を示す断面図である。
態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの蓋体
を除いた上面図である。
を除いた上面図である。
【図３】従来の半導体素子収納用パッケージを示す断面
図である。
図である。
【図４】図３に示す半導体素子収納用パッケージの蓋体
を除いた上面図である。
を除いた上面図である。
１・・・・基体
１ａ・・・載置部
２・・・・セラミック枠体
２ｂ・・・凹部
３・・・・蓋体
４・・・・半導体素子
５・・・・ペルチェ素子
６・・・・メタライズボンディングパッド
７・・・・メタライズ半田パッド
８・・・・ボンディングワイヤ
９・・・・ペルチェ素子のリード
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子がペルチェ素子を介して載置さ
れる載置部を有する基体と、前記基体の上面に前記載置
部を囲繞するようにして接合され、半導体素子の電極が
ボンディングワイヤを介して接続されるメタライズボン
ディングパッド及びペルチェ素子のリードが半田付けさ
れるメタライズ半田パッドを有するセラミック枠体と、
蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記セラミック枠体はメタライズ半田パッド周辺で、ペ
ルチェ素子のリードが半田付けされる領域に凹部が形成
されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケー
ジ。 - 【請求項２】前記凹部の深さが０．５mm以上であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体素子収納用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22229497A JP3420476B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22229497A JP3420476B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167995A JPH1167995A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3420476B2 true JP3420476B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=16780120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22229497A Expired - Fee Related JP3420476B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3420476B2 (ja) |
-
1997
- 1997-08-19 JP JP22229497A patent/JP3420476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167995A (ja) | 1999-03-09 |
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