JP3419526B2 - 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 - Google Patents
磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置Info
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Description
ヘッド)の読出し信号に生ずるベースシフトの検査装置
に関する。 【0002】 【従来の技術】磁気ディスクに対するデータの書込み/
読出し用の磁気ヘッドには、磁気抵抗効果を利用したM
Rヘッドが開発されて使用されている。磁気抵抗効果
は、磁界の変化に対応して抵抗値が変化するもので、M
Rヘッドに一定電圧を加圧してディスクのトラックを走
査すると、これに記録されている正または負の磁極に従
って、読出し信号の電流または電圧が変化して記録デー
タが読出しされるものである。 【0003】上記のMRヘッドには、磁気抵抗効果の非
直線性などに起因して、その読出し信号波形がベースに
対して部分的にシフトする性質があり、これを図3によ
り説明する。図3(a) は、ディスクのトラックに記録さ
れたデータ符号の例を示し、NおよびSの磁極のビット
bが間隔T0 で順次に列をなしているものとする。(b)
は、このビット列をMRヘッドにより読出した、正側の
パルス(+p)と負側のパルス(−p)の波形の例を示
し、両パルスはビットbに対応したピークを有する。た
だし、+pには電圧0のベースに対して、電圧+VS だ
け上方にシフトした平坦な部分+Bが、また−pには電
圧−VS だけ下方にシフトした平坦な部分−Bがそれぞ
れ生じて変歪している。+Bと−Bはベースシフトとよ
ばれ、これが過大であると、それぞれのピークの検出に
支障するので、これらの大きさを測定してMRヘッドの
良否が検査されている。 【0004】図4は、上記のベースシフトに対する従来
の測定方法を示し、+pと−pの波形を、適当な時間間
隔δtでサンプリングし、サンプリングされた各波高値
hをメモリに記憶する。データ処理により波高値hが連
続して平坦な部分を求めることにより、各シフト電圧+
VS または−VS がえられる。一方、+p,−pのピー
ク電圧+Vmax,−Vmax を求めて、シフト電圧+VS,−
VS との比(%値)を算出し、これらを基準値に比較し
てMRヘッドの良否が判定されている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来のシフト
電圧の測定方法は、原理的にはもちろん正しいが、しか
しデータ処理がやや面倒でかなりの時間を要する。ま
た、パルス列の各パルスのシフト電圧は、かならずしも
一定値でないため、できるだけ多数のパルスに対するシ
フト電圧を測定して良否を判定することが必要であり、
このために測定とデータ処理の時間はますます長くな
る。この発明は上記に鑑みててなされたもので、複数の
パルスのベースシフト量を迅速に測定してMRヘッドの
良否を検査できる、ベースシフト検査装置を提供するこ
とを目的とする。 【0006】 【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成したベースシフト検査装置であって、テストディス
クに記録された "1" と "−1" が連続したテスト符号
を、MRヘッドにより読出し、読出されたパルス列を、
コンパレータにより可変の正および負の閾値電圧に比較
して、各パルスの正側および負側のパルス幅を検出す
る。マイクロプロセッサの制御により、可変の各閾値電
圧の絶対値をそれぞれ漸次減少して、各パルス幅が急激
に増加するパルス幅増加点をそれぞれ検出し、各増加点
における正または負の閾値電圧を、パルスの正側または
負側のシフト電圧とする。各パルスのそれぞれのピーク
電圧に対する各シフト電圧の%値を算出してメモリに記
憶し、マイクロプロセッサにより、複数のパルスの各%
値、または算出したその平均値を基準値と比較し、MR
ヘッドの良否を判定するものである。 【0007】 【作用】上記のベースシフト検査装置においては、MR
ヘッドによりテストディスクのテスト符号を読出すと、
+pと−pのパルスが連続したパルス列がえられる。パ
ルス列は、コンパレータにより可変の正および負の閾値
電圧に比較されて、各パルスの正側および負側のパルス
幅が検出され、マイクロプロセッサの制御により、可変
の各閾値電圧の絶対値をそれぞれ漸次減少すると、各パ
ルス幅が急激に増加するパルス幅増加点があるので、こ
の増加点をそれぞれ検出し、各増加点における正または
負の閾値電圧が、パルスの正側または負側のシフト電圧
とされる。各パルスのそれぞれのピーク電圧に対する各
シフト電圧の%値が算出されてメモリに記憶され、マイ
クロプロセッサにより、複数のパルスの各%値、または
その平均値が基準値と比較されてMRヘッドの良否が判
定される。上記の閾値電圧を変化する方法は、図4で説
明した各パルスの波形のサンプリングとその処理による
方法に比較して、シフト電圧を迅速に測定することがで
きる。 【0008】 【実施例】図1および図2は、この発明の一実施例を示
し、図1はベースシフト検査装置4のブロック構成図、
図2は可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の説明
図である。 【0009】図1において、テストディスク1には "
1" と "−1" が連続したテスト符号が記録されてお
り、テストディスク1はスピンドル2に装着されてθ回
転し、MRヘッド3によりテスト符号が読出される。検
査装置4は、正側のパルス測定部41と、負側のパルス測
定部42、共通の可変閾値電圧発生回路43、 マイクロプロ
セッサ(MPU)44、メモリ(MEM)45、および出力
器46とにより構成される。正側のパルス測定部41は、ピ
ークホールド回路411 と、コンパレータ412 、増加点検
出回路413 、+シフト電圧検出回路414 、%算出器415
、およびA/D変換器416 よりなる。負側のパルス測
定部42も同様である。可変閾値電圧発生回路43はMPU
44により制御され、可変の閾値電圧+SV と−SV を出
力して各コンパレータ412,423 に供給する。 【0010】以下、図2を併用して上記の検査装置4の
各部の動作を説明する。MRヘッド3により読出された
パルス列は各コンパレータ412,422 に入力し、適当な閾
値電圧+SV,−SV に比較されて、図2に示すように、
パルス+pと−pのそれぞれのパルス幅wが検出され
る。両パルスの処理は同様であるので、パルス+pにつ
いて述べると、MPU44の制御により、閾値電圧+SV
を+SV′に減少すると、パルス幅はwからw′に少し
増加する。さらに+SV″に減少すると、これらは+p
のシフト電圧+VS より小さいので、パルス幅はw′か
らw″に急激に大きくなる。増加点検出回路413 は、コ
ンパレータ412 が出力するパルスの幅を監視し、これが
急激に増加した時点を検出して、幅増加信号を+シフト
電圧検出回路414 に出力する。+シフト電圧検出回路41
4 においては、この増加時点における閾値電圧+SV″
を、+pのシフト電圧+VS として、%算出回路415 に
出力する。一方、MRヘッド3よりのパルス列は、ピー
クホールド回路411 に入力して、+pのピーク電圧+V
max が検出されてホールドされており、上記の増加信号
が入力すると、その時点におけるピーク電圧+Vmax が
%算出回路415 に対して出力され、これに対するシフト
電圧+VS の比の%値が算出され、さらにA/D変換器
416 によりデジタル化され、MPU44によりMEM45に
記憶される。パルス−pも上記と同様に処理されて、そ
のピーク電圧−Vmax に対するシフト電圧−VS の%値
が算出され、デジタル化されてMEM45に記憶される。
上記の方法により、パルス列の複数のパルスのベースシ
フト量の%値がそれぞれ算出されて、MEM45に逐次に
記憶され、これらはMPU45に読出されて基準値と比較
され、または各%値の平均値が算出されて基準値と比較
されてMRヘッドの良否が判定され、判定結果が出力器
46に出力される。 【0011】 【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明のベース
シフト検査装置においては、MRヘッドにより読出され
たパルス列の、各パルスの正側または負側のシフト電圧
が迅速に測定され、それぞれのピーク電圧に対する%
値、またはその平均値が基準値と比較されて、MRヘッ
ドの良否が正しく判定されるもので、従来の各パルスの
波形のサンプリングとその処理による方法に比較して、
MRヘッドのベースシフトの検査が迅速になされる効果
には、大きいものがある。
査装置4のブロック構成図である。 【図2】 可変閾値電圧によるシフト電圧の測定原理の
説明図である。 【図3】 MRヘッドの読出し信号に生ずるベースシフ
トの説明図である。 【図4】 従来のベースシフトの測定方法の説明図であ
る。 【符号の説明】 1…テストディスク、2…スピンドル、3…MRヘッ
ド、4…この発明のベースシフト検査装置、41…正側の
パルス測定部、411 …+ピークホールド回路、412 …コ
ンパレータ 413 …増加点検出回路、 414 …+シフト電圧検出回
路、415 …%算出回路、416 …A/D変換器、42…負側
のパルス測定部、421 …−ピークホールド回路、422 …
コンパレータ 423 …増加点検出回路、424 …−シフト電圧検出回路、
425 …%算出回路、426 …A/D変換器、43…可変閾値
電圧発生回路、44…マイクロプロセッサ(MPU)、45
…メモリ(MEM)、46…出力器、+p…正側パルス,
−p…負側パルス、+B,−B…ベースシフト、+VS,
−VS …シフト電圧 h…パルスの波高値、+Vmax,−
Vmax …ピーク電圧、+SV,−SV …可変閾値。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 磁気抵抗素子ヘッドの読出し信号のベー
スシフトの検査において、テストディスクに記録された
"1" と "−1" が連続したテスト符号を、該磁気抵抗
素子ヘッドにより読出し、該読出されたパルス列をコン
パレータにより可変の正および負の閾値電圧に比較し
て、該各パルスの正側および負側のパルス幅を検出し、
マイクロプロセッサの制御により、該可変の各閾値電圧
の絶対値をそれぞれ漸次減少して、該各パルス幅が急激
に増加するパルス幅増加点をそれぞれ検出し、該各増加
点における該正または負の閾値電圧を、前記パルスの正
側または負側のシフト電圧とし、該各パルスのそれぞれ
のピーク電圧に対する該各シフト電圧の%値を算出して
メモリに記憶し、前記マイクロプロセッサにより、複数
の前記パルスの該各%値、または算出したその平均値を
基準値と比較し、前記磁気抵抗素子ヘッドの良否を判定
することを特徴とする、磁気抵抗素子ヘッドのベースシ
フト検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34855693A JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34855693A JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192232A JPH07192232A (ja) | 1995-07-28 |
JP3419526B2 true JP3419526B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=18397821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34855693A Expired - Lifetime JP3419526B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気抵抗素子ヘッドのベースシフト検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3419526B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34855693A patent/JP3419526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07192232A (ja) | 1995-07-28 |
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