JP3415539B2 - ウェハ処理装置及び方法 - Google Patents

ウェハ処理装置及び方法

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JP3415539B2 JP2000021199A JP2000021199A JP3415539B2 JP 3415539 B2 JP3415539 B2 JP 3415539B2 JP 2000021199 A JP2000021199 A JP 2000021199A JP 2000021199 A JP2000021199 A JP 2000021199A JP 3415539 B2 JP3415539 B2 JP 3415539B2
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禎男 竹村
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハに対して、
薬液や純水などの処理液や処理ガスなどの処理流体を供
給して所定の処理を行うウェハ処理装置及び方法に関す
る。このような処理の例としては、エッチング処理、各
種洗浄処理、乾燥処理などがある。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェハ処理装置及び方法は種々の
構造のものが知られている。例えば、従来より、第1の
処理液が保持されている第1の処理槽内に多数のウェハ
を挿入して浸漬し、エッチングなどの所定の処理を行っ
たのち、一旦、上記ウェハを第1の処理槽内から取り出
し、次いで、第1の処理槽とは異なる第2処理槽内に挿
入して純水を供給して洗浄を行うように構成したものが
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、各処理が終了する毎に各処理槽からウェ
ハを取り出す必要が有り、取り出し作業が煩雑であると
ともに、エッチングなどの工程では、エッチング処理槽
から次の槽までウェハを移動させる間でもエッチング処
理が進んでしまうといった問題があった。
【0004】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、処理槽を変えることなく同一の処理
槽で複数の処理を行うことができて処理効率を高めるこ
とができるウェハ処理装置及び方法を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【0006】本発明の第1態様によれば、処理液で処理
すべき複数のウェハの隣接するウェハ間の隙間が上記ウ
ェハの毛細管現象により上記処理液が引き込まれる程度
の間隔をあけて上記複数のウェハが保持された状態で上
記ウェハを自転させる回転体と、上記回転体を収納する
処理槽と、上記ウェハに対して上記処理液を供給する処
理液供給部材とを備え、上記回転体により上記ウェハを
自転させながら、上記処理液供給部材より上記処理液を
上記ウェハに供給し、上記処理液が上記複数のウェハの
上記隣接するウェハ間の上記隙間に毛細管現象により入
り込み、上記ウェハの表面に広がって上記ウェハの表面
張力により保持されて、保持された上記処理液により上
記ウェハの表面が処理されるとともに、上記ウェハの自
転により上記処理液に作用している遠心力により上記処
理液が上記ウェハの表面から排出されるようにしたこと
を特徴とするウェハ処理装置を提供する。
【0007】本発明の第2態様によれば、上記複数のウ
ェハの隣接するウェハ間の上記隙間が、上記処理液が毛
細管現象により入り込む程度の間隔をあけて、上記複数
のウェハをウェハ用キャリアケースに収納保持し、か
つ、上記ウェハ用キャリアケースを上記回転体に着脱可
能に固定させるようにした第1の態様に記載のウェハ処
理装置を提供する。
【0008】本発明の第3態様によれば、上記ウェハ間
の隙間の間隔は、上記処理液の分子の大きさより大きい
寸法である第1又は2の態様に記載のウェハ処理装置を
提供する。
【0009】本発明の第4態様によれば、上記処理液供
給部材は、上記処理液を上記ウェハに供給する複数のノ
ズルを有し、上記処理液供給部材が上下方向沿いに配置
されるとき、上記上下方向沿いに配置される上記ノズル
のピッチは上側が下側に比べて狭い間隔となっている第
1〜3のいずれかの態様に記載のウェハ処理装置を提供
する。
【0010】本発明の第5態様によれば、上記処理液供
給部材は、上記処理液を上記ウェハに供給する複数のノ
ズルを有し、上記処理液供給部材が上下方向沿いに配置
されるとき、上記上下方向沿いに配置される上記ノズル
のピッチは等間隔である第1〜3のいずれかの態様に記
載のウェハ処理装置を提供する。
【0011】本発明の第6態様によれば、上記ウェハが
自転して上記処理液供給部材により上記ウェハに対して
上記処理液を供給する領域に到ると、上記ウェハの毛細
管現象により、上記隣接するウェハ間の上記隙間内に上
記処理液が引き込まれ、上記ウェハの表面に広がって上
記ウェハの表面張力により保持されて、保持された上記
処理液により上記ウェハの表面が処理されるとともに、
上記ウェハがさらに自転して上記処理液供給部材により
上記ウェハに対して上記処理液が供給されない領域に到
ると、上記ウェハの自転により上記処理液に作用してい
る遠心力により上記処理液が上記ウェハの表面から排出
されるようにした第1〜5のいずれかの態様に記載のウ
ェハ処理装置を提供する。
【0012】本発明の第7態様によれば、上記回転体
は、上記処理液による上記ウェハの処理工程の最初の段
階では低速回転で回転したのち、上記処理工程の最終段
階では、上記低速よりも速い高速で回転して上記処理液
を振り切るようにした第1〜6のいずれかの態様に記載
のウェハ処理装置を提供する。
【0013】本発明の第8態様によれば、上記処理液と
して所定の薬液処理を行うための薬液を使用して上記ウ
ェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速回
転させて、上記薬液により各ウェハの各表面を薬液処理
し、上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記
薬液を振り切り、上記薬液に代えて、純水を上記処理液
として使用して上記ウェハに供給し、上記回転体ととも
に上記ウェハを低速回転させて、上記純水により各ウェ
ハの各表面を洗浄処理し、上記ウェハを上記低速より速
い高速回転させて上記純水を振り切り、上記回転体とと
もに上記ウェハを高速回転させて、ウェハ乾燥用ガスに
より上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を行うようにした
第1〜6のいずれかの態様に記載のウェハ処理装置を提
供する。
【0014】本発明の第9態様によれば、上記純水を振
り切ったのち、上記乾燥用ガスによる乾燥を行う前に、
再び、純水を上記処理液として使用して上記ウェハに供
給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速回転させ
て、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄処理し、上
記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水を
振り切るようにした第8の態様に記載のウェハ処理装置
を提供する。
【0015】本発明の第10態様によれば、上記処理液
として所定の第1薬液処理を行うための第1薬液を使用
して上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェ
ハを低速回転させて、上記第1薬液により各ウェハの各
表面を薬液処理し、上記ウェハを上記低速より速い高速
回転させて上記第1薬液を振り切り、上記第1薬液に代
えて、純水を上記処理液として使用して上記ウェハに供
給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速回転させ
て、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄処理し、上
記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水を
振り切り、上記処理液として所定の第2薬液処理を行う
ための第2薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回
転体とともに上記ウェハを低速回転させて、上記第2薬
液により各ウェハの各表面を薬液処理し、上記ウェハを
上記低速より速い高速回転させて上記第2薬液を振り切
り、上記第2薬液に代えて、純水を上記処理液として使
用して上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウ
ェハを低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表
面を洗浄処理し、上記ウェハを上記低速より速い高速回
転させて上記純水を振り切り、上記回転体とともに上記
ウェハを高速回転させて、乾燥用ガスにより上記ウェハ
を乾燥させる乾燥処理を行うようにした第1〜6のいず
れかの態様に記載のウェハ処理装置を提供する。
【0016】本発明の第11態様によれば、回転体によ
り保持された複数のウェハを上記回転体とともに自転さ
せながら、上記処理液を上記ウェハに供給し、上記ウェ
ハの毛細管現象により、上記隣接するウェハ間の上記隙
間内に上記処理液が引き込まれ、上記ウェハの表面に広
がって上記ウェハの表面張力により保持されて、保持さ
れた上記処理液により上記ウェハの表面が処理されると
ともに、上記ウェハの自転により上記処理液に作用して
いる遠心力により上記処理液が上記ウェハの表面から排
出されるようにしたことを特徴とするウェハ処理方法を
提供する。
【0017】本発明の第12態様によれば、上記複数の
ウェハの隣接するウェハ間の上記隙間が上記ウェハの毛
細管現象により上記処理液が上記ウェハの表面に入り込
む程度の間隔をあけて、上記複数のウェハをウェハ用キ
ャリアケースに収納保持し、かつ、上記ウェハ用キャリ
アケースを上記回転体に着脱可能に固定させるようにし
た第11の態様に記載のウェハ処理方法を提供する。
【0018】本発明の第13態様によれば、上記ウェハ
間の隙間の間隔は、上記処理液の分子の大きさより大き
い寸法である第11又は12の態様に記載のウェハ処理
方法を提供する。
【0019】本発明の第14態様によれば、上記ウェハ
が自転して上記処理液供給部材により上記ウェハに対し
て上記処理液を供給する領域に到ると、上記ウェハの毛
細管現象により、上記隣接するウェハ間の上記隙間内に
上記処理液が引き込まれ、上記ウェハの表面に広がって
上記ウェハの表面張力により保持されて、保持された上
記処理液により上記ウェハの表面が処理されるととも
に、上記ウェハがさらに自転して上記処理液供給部材に
より上記ウェハに対して上記処理液が供給されない領域
に到ると、上記ウェハの自転により上記処理液に作用し
ている遠心力により上記処理液が上記ウェハの表面から
排出されるようにした第11〜13のいずれかの態様に
記載のウェハ処理方法を提供する。
【0020】本発明の第15態様によれば、上記回転体
は、上記処理液による上記ウェハの処理工程の最初の段
階では低速回転で回転したのち、上記処理工程の最終段
階では、上記低速よりも速い高速で回転して上記処理液
を振り切るようにした第11〜14のいずれかの態様に
記載のウェハ処理方法を提供する。
【0021】本発明の第16態様によれば、上記処理液
として所定の薬液処理を行うための薬液を使用して上記
ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速
回転させて、上記薬液により各ウェハの各表面を薬液処
理し、上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上
記薬液を振り切り、上記薬液に代えて、純水を上記処理
液として使用して上記ウェハに供給し、上記回転体とと
もに上記ウェハを低速回転させて、上記純水により各ウ
ェハの各表面を洗浄処理し、上記ウェハを上記低速より
速い高速回転させて上記純水を振り切り、上記回転体と
ともに上記ウェハを高速回転させて、ウェハ乾燥用ガス
により上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を行うようにし
た第11〜15のいずれかの態様に記載のウェハ処理方
法を提供する。
【0022】本発明の第17態様によれば、上記純水を
振り切ったのち、上記乾燥用ガスによる乾燥を行う前
に、再び、純水を上記処理液として使用して上記ウェハ
に供給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速回転さ
せて、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄処理し、
上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
を振り切るようにした第11〜16のいずれかの態様に
記載のウェハ処理方法を提供する。
【0023】本発明の第18態様によれば、上記処理液
として所定の第1薬液処理を行うための第1薬液を使用
して上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェ
ハを低速回転させて、上記第1薬液により各ウェハの各
表面を薬液処理し、上記ウェハを上記低速より速い高速
回転させて上記第1薬液を振り切り、上記第1薬液に代
えて、純水を上記処理液として使用して上記ウェハに供
給し、上記回転体とともに上記ウェハを低速回転させ
て、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄処理し、上
記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水を
振り切り、上記処理液として所定の第2薬液処理を行う
ための第2薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回
転体とともに上記ウェハを低速回転させて、上記第2薬
液により各ウェハの各表面を薬液処理し、上記ウェハを
上記低速より速い高速回転させて上記第2薬液を振り切
り、上記第2薬液に代えて、純水を上記処理液として使
用して上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウ
ェハを低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表
面を洗浄処理し、上記ウェハを上記低速より速い高速回
転させて上記純水を振り切り、上記回転体とともに上記
ウェハを高速回転させて、乾燥用ガスにより上記ウェハ
を乾燥させる乾燥処理を行うようにした第11〜16の
いずれかの態様に記載のウェハ処理方法を提供する。
【0024】本発明の第19態様によれば、上記処理液
を上記ウェハに複数のノズルにより供給し、上記ノズル
が上下方向沿いに配置されるとき、上記上下方向沿いに
配置される上記ノズルのピッチは上側が下側に比べて狭
い間隔となっている第11〜18のいずれかの態様に記
載のウェハ処理方法を提供する。
【0025】本発明の第20態様によれば、上記処理液
を上記ウェハに複数のノズルにより供給し、上記ノズル
が上下方向沿いに配置されるとき、上記上下方向沿いに
配置される上記ノズルのピッチは等間隔である第11〜
19のいずれかの態様に記載のウェハ処理方法を提供す
る。
【0026】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0027】本発明の第1の実施形態にかかるウェハ処
理方法を実施することができるウェハ処理装置は、図1
及び図2に示すように、回転体2と、処理槽1と、2つ
の処理液供給部材5,5とより大略構成されている。こ
れらの回転体2と処理槽1と2つの処理液供給部材5,
5は、薬液や純水などの処理液や処理ガスなどの処理流
体で腐食しない例えばフッソ樹脂製より構成されてい
る。
【0028】上記回転体2は、図1及び図2に示すよう
に、大略円筒体より構成され、処理液で処理すべき複数
のウェハ4,・・・,4、例えば、50枚のウェハ4,・・・,4
を、毛細管現象により上記処理液が上記ウェハ4の隙間
内に入り込む程度の間隔の隙間をあけて重ねるようにし
て保持しかつ一体的に大略円筒体とともに回転可能とな
っている。通常は、回転体2にウェハ4,・・・,4を直接
収納保持するのではなく、複数枚例えば50枚のウェハ
4,・・・,4をウェハ用キャリアケース3に収納保持した
状態で、ウェハ用キャリアケース3を回転体2に回転体
2の径方向に移動不可にかつ回転体2の中心軸方向(例
えば、図1では上方向)沿いには取り出し可能に固定す
ることにより、50枚のウェハ4,・・・,4を回転体2に
保持するようにしている。回転体2の上端縁には例えば
フッソ樹脂製の補強枠11が嵌合されて、回転体2を補
強するようにしている。なお、回転体2の内側の底面上
にウェハ用キャリアケース3を固定するとき、回転体2
の内側の底面より少し(例えば4mm程度)だけウェハ
用キャリアケース3の底面が上側に位置するように、支
柱29,29などで支えるようにすれば、回転体2内に
処理液が溜まったときに溜まった処理液がウェハ用キャ
リアケース3内のウェハ4,・・・,4に接触してウェハ4,
・・・,4に悪影響が出ることが確実に防止できて好まし
い。
【0029】このように、ウェハ用キャリアケース3を
回転体2に回転体2の径方向に移動不可に固定するた
め、回転体2は、円筒体本体2aの内部に、ウェハ用キ
ャリアケース3を支持する複数の支持部2b,2c,2
dを内向きに突出形成している。すなわち、支持部は、
ウェハ用キャリアケース3の底部の両側部3b,3bを
支持して径方向の移動を規制する一対の底部支持部2
b,2bと、ウェハ用キャリアケース3の両側部3c,
3cをそれぞれ支持して径方向の移動を規制する側部支
持部2c,2cと、ウェハ用キャリアケース3の上部の
両縁部3d,3dを支持して径方向の移動を規制する縁
部支持部2d,2dとを備えている。特に、各底部支持
部2b、各側部支持部2c、各縁部支持部2dは、それ
ぞれ、ウェハ用キャリアケース3の屈曲した2面に接触
するように、所定角度で連結された2つの係合面より構
成されて、回転体2の径方向沿いの、特に図2の上下方
向沿いの、ウェハ用キャリアケース3の移動を規制する
ようにしている。また、ウェハ用キャリアケース3に収
納されたウェハ4に対向する回転体2の内面には、ウェ
ハ支持部2xを円筒体本体2aの内部に突出させて、ウ
ェハ用キャリアケース3のウェハ4,・・・,4に接触可
能として、ウェハ用キャリアケース3からウェハ4,・・
・,4が回転体2の回転中に飛び出さないようにしてい
る。各支持部2b,2c,2d,2xは図2の紙面貫通
方向に延びる長い柱状の突起であり、隣接支持部間は開
口2gが形成されていて、回転体2の回転中に処理液や
処理ガスなどの処理流体が回転体2の円筒体本体2a内
に入り込み、かつ、ウェハ用キャリアケース3の側部や
底部などの開口3g,・・・,3gからさらにウェハ用キ
ャリアケース3内に入り込んでウェハ4,・・・,4まで
供給されるようにしている。なお、ウェハ支持部2xの
先端の各ウェハ4に接触可能な部分は、湾曲部分とし
て、ウェハ4に損傷を与えないようにするのが好まし
い。
【0030】これらの支持部2b,2c,2d,2x
は、必要に応じて、適宜、一体化して支持部2b,2
c,2d,2xの個数を減らしたり、逆に、さらに細か
く分割して、支持部2b,2c,2d,2xの個数を増
やすようにしてもよい。ただし、ウェハ4,・・・,4に
対して処理流体を効率良く供給する観点から言えば、上
記支持部2b,2c,2d,2xの個数はできる限り少
なくし、かつ、各支持部2b,2c,2d,2xも周方
向沿いにできる限り幅狭なものとして、処理流体のウェ
ハ4,・・・,4への供給を妨げないようにするのが好ま
しい。
【0031】また、ウェハ4,・・・,4を安定して回転
させるとともに処理液がウェハ表面に均一に行き渡らせ
る観点から、回転体2の回転中心Xと各ウェハ4の中心
とは一致させてるのが好ましい。
【0032】なお、この実施形態では、各ウェハ4の処
理すべき面を片面とし、その処理すべき面を全て上側に
位置させた状態でウェハ用キャリアケース3内に収納保
持する。ただし、ウェハ用キャリアケース3の最上位置
には,図6に示すように、ウェハ4と同じ形状でかつ同
じ大きさのウェハダミー4Xを配置し、ウェハダミー4
Xとその直ぐ下のウェハ4との隙間を他のウェハ4,4
間の隙間と同一寸法にして、毛細管現象が他のウェハ
4,4間と同様に作用するようにする。この結果、最上
位のウェハ4の上面も他のウェハ4,・・・,4の各上面
と同様に処理液をウェハ4の毛細管現象を利用してウェ
ハダミー4Xとウェハ4との間及び隣接ウェハ4,4間
に引き込み、かつ、ウェハ上面全面に処理液が行き渡
り、ウェハ4の表面に広がってウェハ4の表面張力によ
り保持されるようにしている。
【0033】上記処理槽1は、上記回転体2を収納する
大略円筒体より構成しており、処理槽1の中心軸と回転
体2の中心軸とが一致するように配置され、その中心軸
回りに、処理槽1に対して回転体2のみが回転する。ま
た、処理槽1の上部開口には、図5(B)に示すよう
に、処理中は蓋26が被せられて処理液が処理槽1外に
飛び散らないようにするのが好ましい。なお、処理槽1
の平面形状としては、回転体2と同様な円形ではなく、
矩形にしてもよいが、各種処理液を使用後、純水などで
処理槽1の内面も洗浄することを考慮すれば、円形とす
るのが好ましい。
【0034】上記回転体2は、モータ15の駆動により
回転軸6を介して回転される。回転速度は、例えば低
速、高速、超高速回転の3種類の速度で回転させるのが
好ましい。一例としては、低速は60〜200rpmの
うちの任意の値の回転数、高速は200rpmを越えて
1000rpmまでのうちの任意の値の回転数、超高速
は1000rpmを越える任意の値の回転数とする。
【0035】また、回転体2の下部には凹凸部8を形成
するとともに、処理槽1の底部内面には凹凸部8に隙間
を介して係合する凹凸部9を形成して、凹凸部8と凹凸
部9とによりラビリンス機構7を構成し、このラビリン
ス機構7により、処理槽1の底部内面に溜まった処理液
が回転体2の回転軸6側に流れ込むのを防止するように
している。なお、10は排出管であり、処理槽1の底部
内面に溜まった処理液を処理槽1外に排出させるための
ものである。
【0036】上記処理液供給部材5は、上記処理槽1に
備えられ、上記回転体2の上記ウェハ4,・・・,4に対し
て上記処理液を供給する。一例として、所定角度、例え
ば、90度から120度の範囲の任意の角度離して2つ
の処理液供給部材5,5を配置して、それぞれの処理液
供給部材5からウェハ4,・・・,4に向けて処理液を供給
する。供給形態としては、例えば純水などは液体のまま
噴射させるように供給するほか、各種薬液などは適宜窒
素ガスなどと同時的に供給してミスト状に噴霧するよう
にして供給する。
【0037】以下、これを詳しく説明する。
【0038】図3及び図4に示すように、各処理液供給
部材5には、多数の薬液用ノズル5i,・・・,5iと多
数の純水用ノズル5g,・・・,5gとを配置し、薬液用
ノズル5i,・・・,5iから薬液をウェハ4,・・・,4にミ
スト状態すなわち噴霧状態で供給可能とする一方、純水
用ノズル5g,・・・,5gから純水をウェハ4,・・・,4に
噴射状態で供給可能とする。
【0039】各処理液供給部材5には、その長手方向沿
いに延びてかつ薬液が供給される薬液供給部5aが形成
され、さらに、各処理液供給部材5の長手方向とは直交
する方向沿いでかつ薬液供給部5aからウェハ側に向っ
て多数の薬液供給通路5b,・・・,5bが所定間隔で形
成されている。また、各処理液供給部材5には、その長
手方向沿いに延びてかつ窒素ガスが供給される窒素ガス
供給部5cが形成され、さらに、各処理液供給部材5の
長手方向とは直交する方向沿いでかつ窒素ガス供給部5
cからウェハ側に向って多数の窒素ガス供給通路5d,
・・・,5dが所定間隔でかつ薬液供給通路5b,・・・,5
bに一対一に対応して形成されている。よって、各薬液
供給通路5bの開口と各窒素ガス供給通路5dの開口と
が接近して配置されて薬液用ノズル5iを形成し、各薬
液供給通路5bの開口から薬液がウェハ4に向けて噴射
されると同時的に各窒素ガス供給通路5dの開口から窒
素ガスがウェハ4又は複数のウェハ4,4に向けて噴射
される結果として、窒素ガスで薬液がミスト状になって
ウェハ4又は複数のウェハ4,4に向けて噴霧されるこ
とになる。このとき、この噴霧角度は、図2に一点鎖線
12で示すような薬液噴霧範囲を形成し、例えば60度
〜120度の範囲中の任意の角度とする。また、薬液噴
霧速度は、例えば、2〜25m/secのうちの任意の
値とする。
【0040】一方、各処理液供給部材5には、その長手
方向沿いに延びてかつ純水が供給される純水供給部5e
が形成され、さらに、各処理液供給部材5の長手方向と
は直交する方向沿いでかつ純水供給部5eからウェハ側
に向って多数の純水供給通路5f,・・・,5fが所定間
隔で形成され、各純水供給通路5fの先端には純水用ノ
ズル5gが配置されている。よって、各純水用ノズル5
gから純水が薬液噴霧範囲12より狭い図2に一点鎖線
12で示すような純水噴射範囲13内で純水をウェハ4
又は複数のウェハ4,4に向けて噴射する。各純水供給
通路5f及び純水用ノズル5gの間隔は、薬液用ノズル
5iの配置間隔と特に一致させる必要はない。
【0041】各処理液供給部材5を上下方向沿いに配置
するとき、薬液用ノズル5iの配置領域14での薬液用
ノズル5iの配置ピッチは、図7(A)に示すように等
間隔に配置する(図7(A)では薬液用ノズル5iの代
わりに代表的に薬液供給通路5bで示す。)ものに限ら
ず、図7(B)に示すように各処理液供給部材5の上端
から下端に向うに従い、徐々に大きくなるようにしても
よい。このように配置ピッチを徐々に大きくなるように
する利点は、各薬液用ノズル5iから噴霧されるミスト
状の薬液は、重力の影響を受けて下方に向おうとするた
め、各処理液供給部材5の上端側では、薬液用ノズル5
iの配置ピッチを小さくして、より多くのミストをウェ
ハ4,・・・,4に対して噴霧できるようにする一方、各
処理液供給部材5の下端側では、上端側からウェハ4,
・・・,4に向けて噴霧したミストの一部も重力により下
端側に降りてきて下端側のウェハ4,・・・,4に供給さ
れることになり、各処理液供給部材5の下端側では薬液
用ノズル5iの配置ピッチを大きくしても不都合はない
からである。
【0042】また、配置ビッチを徐々に大きくするよう
に加工するためには加工コストが大きくなるため、これ
を削減するため、図8(A)に示すように、薬液供給通
路5bの配置ピッチが各処理液供給部材5の上側の3分
の1の配置領域14−1では狭く、残りの3分の2の配
置領域14−2では広くするようにしてもよい。この場
合、一例として、上側の3分の1の配置領域14−1で
の配置ピッチを1mm間隔とした場合、残りの3分の2
の配置領域14−2での配置ピッチは2mm間隔とす
る。また、同様な目的で、図8(B)に示すように、上
記配置ピッチが3分の1毎に広くなっていくようにして
もよい。この場合、一例として、上側の3分の1の配置
領域14−3での配置ピッチを2.5mm間隔、次の3
分の1の配置領域14−4での配置ピッチを3.5mm
間隔、残りの3分の1の配置領域14−5での配置ピッ
チを5mm間隔とする。
【0043】より具体的な例として、4インチから12
インチ程度までのウェハ4に対応させる場合、ウェハ4
のウェハ用キャリアケース3内での収納ピッチを0.0
1〜6.5mmのうちの任意の値とする。特に、収納ピ
ッチが5〜6.5mmのうちの任意の値のとき、薬液用
ノズル5iの配置ピッチが等ピッチのときには2.5〜
5mmのうちの任意の値とする。ピッチ間隔を変えると
きには、各処理液供給部材5の上側の3分の1の配置領
域14−1での配置ピッチを2mm間隔とした場合、残
りの3分の2の配置領域14−2での配置ピッチは4m
m間隔とする。また、さらに細かくピッチを変えるとき
には、各処理液供給部材5の上側の3分の1の配置領域
14−3での配置ピッチを1.5〜2.5mmのうちの
任意の値の間隔、次の3分の1の配置領域14−4での
配置ピッチを2.6mm〜3.5mmのうちの任意の値
の間隔、残りの3分の1の配置領域14−5での配置ピ
ッチを4.5mm〜6.5mmのうちの任意の値の間隔
とする。
【0044】なお、処理液供給部材5の個数は、少なく
とも1個必要であり、好ましくは、効率良く処理液又は
処理ガスをウェハ4,c,4に供給するため、2個配置
する。
【0045】上記構成によれば、上記回転体2にウェハ
用キャリアケース3とともに保持された上記ウェハ4,・
・・,4を上記回転体2とともに回転して各ウェハ4をそ
の中心軸回りに一斉に自転させながら、上記処理液供給
部材5,5より上記処理液を上記ウェハ4,・・・,4に向
けて供給する。すると、上記ウェハ4,・・・,4が回転し
て、上記処理液供給部材5,5より上記処理液が供給さ
れる処理液供給領域に到ると、上記複数のウェハ4,・・
・,4の隣接したウェハ4,4間の隙間及び最上位のウェ
ハ4とその上のウェハダミー4Xとの間の隙間におい
て、処理液供給部材5,5より供給された上記処理液が
毛細管現象により上記それぞれの隙間内に引き込まれ
て、上記処理液が各ウェハ4の表面全体に行き渡り、各
ウェハ4の上面の表面張力により一時的に保持されて、
保持された上記処理液により上記各ウェハ4の表面全体
が処理される。
【0046】上記ウェハ4,・・・,4がさらに回転して、
上記処理液供給部材5,5より上記処理液が供給されな
い処理液排出領域に到ると、処理液の供給量がほぼゼロ
となる一方、各ウェハ4上の処理液には、上記ウェハ
4,・・・,4の自転により遠心力が作用し続けているた
め、ウェハ4,4間の隙間及び最上位のウェハ4とその
上のウェハダミー4Xとの間の隙間に入り込んだ処理液
が各ウェハ4の上面の表面張力に打ち勝ってすぐに外側
に流れ出て振り切られる。
【0047】そして、上記ウェハ4,・・・,4がさらに回
転して、上記処理液供給部材5,5より上記処理液が供
給される処理液供給領域に再び到ると、上記複数のウェ
ハ4,・・・,4の隣接したウェハ4,4間の隙間及び最上
位のウェハ4とその上のウェハダミー4Xとの間の隙間
において、処理液供給部材5,5より供給された上記処
理液が毛細管現象により上記それぞれの隙間内に引き込
まれて、上記処理液が各ウェハ4の表面全体に行き渡
り、各ウェハ4に作用する遠心力に抗して各ウェハ4の
上面の表面張力により一時的に保持されて、保持された
上記処理液により上記各ウェハ4の表面全体が処理され
る。
【0048】よって、このように、上記ウェハ4,・・・,
4が回転して、上記処理液供給部材5,5より上記処理
液が供給される処理液供給領域と上記処理液供給部材
5,5より上記処理液が供給されない処理液排出領域と
に交互に入ることにより、処理液供給領域では、処理液
は、隣接したウェハ4,4間の隙間及び最上位のウェハ
4とその上のウェハダミー4Xとの間の隙間内に毛細管
現象により引き込まれる一方、処理液排出領域では、各
ウェハ4の上面の表面張力に打ち勝って処理液が遠心力
で上記各隙間から排出されるようになり、新しい処理液
が常時各ウェハ4の表面上を行き来することになり、効
率良く処理を行うことができる。
【0049】ここで、上記ウェハ処理方法のうちの一例
としてのウェハ洗浄方法を以下に示す。
【0050】ウェハの洗浄除去対象物がパーティクルの
とき、処理液としてAPMを使用するAPM洗浄、又
は、処理液としてTMAHを使用するTMAH洗浄のよ
うな洗浄方法が行われる。
【0051】ウェハの洗浄除去対象物が金属のとき、処
理液としてSPMを使用するSPM洗浄、又は、処理液
としてHPMを使用するHPM洗浄のような洗浄方法が
行われる。
【0052】ウェハの洗浄除去対象物が有機物のとき、
処理液としてSPMを使用するSPM洗浄、処理液とし
て03水を使用する03水洗浄、又は、処理液としてH2
SO4/03を使用するH2SO4/03洗浄のような洗浄
方法が行われる。
【0053】ウェハの洗浄除去対象物がレジスト残渣の
とき、処理液としてAPMを使用するAPM洗浄、処理
液としてSPMを使用するSPM洗浄、又は、処理液と
して有機溶剤を使用する有機溶剤洗浄のような洗浄方法
が行われる。
【0054】ウェハの洗浄除去対象物が自然酸化膜のと
き、処理液としてDHFを使用するDHF洗浄、又は、
処理液としてBHFを使用するBHF洗浄のような洗浄
方法が行われる。
【0055】ここで、APMとは、NH4OH、H
22、H2Oの混合液を意味する。TMAHとは、(C
34NOH、H22の混合液を意味する。SPMと
は、H2SO4、H22、H22の混合液を意味する。H
PMとは、HCl;H22、H2Oの混合液を意味す
る。DHFとは、HF;H2Oの混合液を意味する。B
HFとは、NH4F;HF、H2Oの混合液を意味する。
【0056】上記した洗浄方法で使用する処理液(以
下、この洗浄方法の説明では単に薬液という。)を使用
するウェハ洗浄方法の具体的な工程としては、以下のよ
うなものである。
【0057】ウェハ4,・・・,4の洗浄を行う場合、ウ
ェハ4,・・・,4に薬液を供給して低速(例えば200
rpm程度)で回転させ、最終的に瞬間的に(例えば1
〜2秒程度)高速(例えば700〜800rpm程度の
うちの任意の値の回転数)で回転させて液切りを行う。
【0058】次いで、ウェハ4,・・・,4に純水を供給
して低速(例えば200rpm程度)で回転させ、最終
的に瞬間的に(例えば1〜2秒程度)高速(例えば70
0〜800rpm程度のうちの任意の値の回転数)で回
転させて液切りを行う。この純水での低速及び高速回転
工程を3〜10回程度のうちの任意の回転数繰り返す。
【0059】次いで、加熱された乾燥用ガス例えば窒素
ガスを供給して高速(例えば1000〜2000rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させてウェハ4,・・
・,4を乾燥させる。
【0060】上記処理方法のより具体的な例としては、
以下のようなものである。
【0061】ウェハの自然酸化膜を除去する場合、ウェ
ハにDHFを供給して低速(例えば200rpm程度)
で回転させ、最終的に瞬間的に(例えば1〜2秒程度)
高速(例えば700〜800rpm程度のうちの任意の
回転数)で回転させて液切りを行う。
【0062】次いで、ウェハに純水を供給して低速(例
えば200rpm程度)で回転させ、最終的に瞬間的に
(例えば1〜2秒程度)高速(例えば700〜800r
pm程度のうちの任意の回転数)で回転させて液切りを
行う。この純水での低速及び高速回転工程を3〜10回
程度繰り返す。
【0063】次いで、窒素ガスを供給して高速(例えば
1000〜2000rpm程度のうちの任意の回転数)
で回転させてウェハを乾燥させる。
【0064】また、別の洗浄方法の例として、複数の薬
液を使用して洗浄を行う場合、上記処理液として所定の
第1薬液処理を行うための第1薬液を使用して上記ウェ
ハ4,・・・,4に供給し、上記回転体2とともに上記ウ
ェハ4,・・・,4を低速(例えば200rpm程度)で
回転させて、上記第1薬液により各ウェハ4の各上面を
薬液処理する。
【0065】次いで、上記ウェハ4,・・・,4を上記低
速より速い高速回転、すなわち、瞬間的に(例えば1〜
2秒程度)高速(例えば700〜800rpm程度のう
ちの任意の回転数)で回転させて上記第1薬液を振り切
る。
【0066】次いで、上記第1薬液に代えて、純水を上
記処理液として使用して上記ウェハ4,・・・,4に供給
し、上記回転体2とともに上記ウェハ4,・・・,4を低
速(例えば200rpm程度)で回転させて、上記純水
により各ウェハ4の各上面を洗浄処理する。
【0067】次いで、上記ウェハ4,・・・,4を上記低
速より速い高速回転、すなちわ、最終的に瞬間的に(例
えば1〜2秒程度)高速(例えば700〜800rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させて上記純水を振
り切る。
【0068】次いで、上記処理液として所定の第2薬液
処理を行うための第2薬液を使用して上記ウェハ4,・・
・,4に供給し、上記回転体2とともに上記ウェハ4,・
・・,4を低速(例えば200rpm程度)で回転させ
て、上記第2薬液により各ウェハ4の各上面を薬液処理
する。
【0069】次いで、上記ウェハ4,・・・,4を上記低
速より速い高速回転、すなちわ、最終的に瞬間的に(例
えば1〜2秒程度)高速(例えば700〜800rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させて上記第2薬液
を振り切る。
【0070】次いで、上記第2薬液に代えて、純水を上
記処理液として使用して上記ウェハ4,・・・,4に供給
し、上記回転体2とともに上記ウェハ4,・・・,4を低
速(例えば200rpm程度)で回転させて、上記純水
により各ウェハ4の各上面を洗浄処理する。
【0071】次いで、上記ウェハ4,・・・,4を上記低
速より速い高速回転、すなちわ、最終的に瞬間的に(例
えば1〜2秒程度)高速(例えば700〜800rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させて上記純水を振
り切る。
【0072】次いで、上記回転体2とともに上記ウェハ
4,・・・,4を高速(例えば1000〜2000rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させて、例えば窒素
ガスなどの加熱された乾燥用ガスにより上記ウェハ4,
・・・,4を乾燥させる乾燥処理を行う。
【0073】また、上記ウェハ処理方法のうちの他の例
としてのウェハエッチング方法を以下に示す。
【0074】まず、ウェハエッチング方法で使用する処
理液としてのエッチング液をウェハ上に形成されている
膜の膜材質との関係で以下に示す。
【0075】ウェハ上に形成されている膜の膜材質が酸
化膜(SiO2)のとき、処理液として、DHF、又
は、BHFのエッチング液が使用される。
【0076】ウェハ上に形成されている膜の膜材質が窒
化膜(Si34)のとき、処理液として、H3PO4のエ
ッチング液が使用される。
【0077】ウェハ上に形成されている膜の膜材質がシ
リコン(poly−Si)のとき、処理液として、HF
/HNO3、又は、KOHのエッチング液が使用され
る。
【0078】ウェハ上に形成されている膜の膜材質がア
ルミニウムのとき、処理液として、混酸のエッチング液
が使用される。
【0079】さらに、上記したエッチング方法で使用す
るエッチング液(以下、このエッチング方法の説明では
単に薬液という。)を使用するウェハエッチング方法の
具体的な工程としては、以下のようなものである。
【0080】ウェハ4,・・・,4のエッチングを行う場
合、ウェハ4,・・・,4に薬液を供給して低速(例えば
200rpm程度)で回転させ、最終的に瞬間的に(例
えば1〜2秒程度)高速(例えば700〜800rpm
程度のうちの任意の回転数)で回転させて液切りを行
う。
【0081】次いで、ウェハ4,・・・,4に純水を供給
して低速(例えば200rpm程度)で回転させ、最終
的に瞬間的に(例えば1〜2秒程度)高速(例えば70
0〜800rpm程度のうちの任意の回転数)で回転さ
せて液切りを行う。この純水での低速及び高速回転工程
を3〜10回程度繰り返す。
【0082】次いで、加熱された窒素ガスを供給して高
速(例えば1000〜2000rpm程度のうちの任意
の回転数)で回転させてウェハ4,・・・,4を乾燥させ
る。
【0083】上記ウェハのエッチング方法のより具体的
な例としては、以下のようなものである。
【0084】ウェハのエッチング(酸化膜)を行う場
合、ウェハにBHFを供給して低速(例えば200rp
m程度)で回転させ、最終的に瞬間的に(例えば1〜2
秒程度)高速(例えば700〜800rpm程度のうち
の任意の回転数)で回転させて液切りを行う。
【0085】次いで、ウェハに純水を供給して低速(例
えば200rpm程度のうちの任意の回転数)で回転さ
せ、最終的に瞬間的に(例えば1〜2秒程度)高速(例
えば700〜800rpm程度のうちの任意の回転数)
で回転させて液切りを行う。この純水での低速及び高速
回転工程を3〜10回程度繰り返す。
【0086】次いで、加熱された窒素ガスを供給して高
速(例えば1000〜2000rpm程度のうちの任意
の回転数)で回転させてウェハを乾燥させる。
【0087】上記第1実施形態によれば、隣接するウェ
ハ4,4間の隙間及び最上位のウェハ4とその上のウェ
ハダミー4Xとの間の隙間を小さくして毛細管現象によ
り、その隙間内に処理液を引き込むことにより、各ウェ
ハ4の表面全体に処理液を行き渡らせ、各ウェハ4に作
用する遠心力に抗して各ウェハ4の上面の表面張力によ
り処理液が一時的に保持されて、保持された上記処理液
による所定の処理が行われとともに、ウェハ4,・・・,4
が自転していることにより、各ウェハ4の表面に行き渡
った処理液が表面張力に打ち勝って直ぐに遠心力により
外向きに流し出し、新たな処理液を毛細管現象を利用し
て再び供給されるようにしているため、処理液が各ウェ
ハ4の上面で停滞することなく、常に新しい処理液に各
ウェハ4の表面がさらされることになり、所定の処理を
効率良く行うことができる。
【0088】また、処理液としては、隣接するウェハ
4,4間の隙間及び最上位のウェハ4とその上のウェハ
ダミー4Xとの間の隙間に連続的にミスト状に供給され
る分又は噴射させるように供給される分だけでよく、従
来のように処理槽に大量の処理液を滞留させる必要がな
いので、処理液の消費量を大幅に削減することができ
る。例えば、従来、処理槽に満たされた20〜25リッ
トルの処理液を、入れ替えすることなく、50枚の直径
150mmのウェハをそれぞれ収納した10個のウェハ
用キャリアケースに対して使用するとき、1個のウェハ
用キャリアケース当たり2リットルの処理液を使用する
ことになるのに対して、この実施形態の処理装置では、
1個のウェハ用キャリアケース当たり1リットルの処理
液を使用すれば十分である。よって、消費量を半減させ
ることができる。
【0089】また、加熱された窒素ガスを供給しながら
ウェハ4,・・・,4を超高速回転させて瞬時に乾燥させ
る場合には、ウォーターマークを防止させることができ
る。
【0090】また、各ウェハ4が自転しているため、各
ウェハ4に供給された薬液や純水などの処理液が各ウェ
ハ4の表面に均一に行き渡らせることができ、処理液に
よりムラ無く各ウェハ4の表面を処理することができ
る。
【0091】また、1つの処理槽1内で薬液による薬液
処理、純水などによる洗浄処理、及び、乾燥処理などの
ように複数の処理を行うことができるため、処理効率を
大幅に高めることができるとともに、従来のように、処
理毎に処理槽から別の処理槽にウェハを搬送する必要が
なくなり、ウェハの表面にパーティクルの付着や薬液に
よる搬送時の局部的な薬液処理の進行に伴い処理が不均
一になるなどの悪影響がウェハに生じるのを効果的に防
止できる。
【0092】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【0093】例えば、2つの処理液供給部材5,5を配
置しかつ回転体2の回転方向が例えば図2に示すように
反時計方向の場合、両者の処理液供給部材5,5から供
給される薬液のミストの噴霧速度又は純水の噴射速度を
同一にする場合の他、左側の処理液供給部材5から供給
される薬液のミストの噴霧速度又は純水の噴射速度を右
側の処理液供給部材5から供給される薬液のミストの噴
霧速度又は純水の噴射速度よりも弱くすれば、左側の処
理液供給部材5から供給される薬液又は純水をウェハ間
に毛細管現象で引き込むのを開始させるようにし、次い
で、右側の処理液供給部材5から供給される薬液又は純
水から十分な量を大きな速度で供給することにより、ウ
ェハ間に十分に薬液又は純水を行き渡らせるようにする
こともできる。
【0094】また、上記回転体2は、処理槽1に対し
て、中心軸が互に一致せず異なっていてもよいととも
に、中心軸同士が平行な状態のものに限るものではな
い。すなわち、本発明の第2の実施形態にかかるウェハ
処理方法を実施することができるウェハ処理装置とし
て、図9に示すように、処理槽1の中心軸に対して回転
体2内に支持されたウェハ用キャリアケース3の中心軸
が、所定角度例えば45度から90度の範囲の任意の角
度で傾斜した傾斜状態で回転体2とともにウェハ用キャ
リアケース3が回転するようにしてもよい。この場合、
回転体2に対してウェハ用キャリアケース3を傾斜させ
て固定するため、回転体2の底部に支持体21を介して
ウェハ用キャリアケース3を載置できるようにしてい
る。
【0095】また、図10に示すように、本発明の第3
の実施形態にかかるウェハ処理方法を実施することがで
きるウェハ処理装置として、回転体2のウェハ支持部2
xの周方向沿いの幅をできる限り小さくして板状のウェ
ハ支持部2yとした例を示す。この実施形態でも、ウェ
ハ支持部2yの先端の各ウェハ4に接触可能な部分は、
湾曲部分として、ウェハ4に損傷を与えないようにする
のが好ましい。このように板状のウェハ支持部2yとし
て円筒体本体2aの内部に突出させて、ウェハ用キャリ
アケース3のウェハ4,・・・,4に接触可能とし、ウェ
ハ用キャリアケース3からウェハ4,・・・,4が回転体
2の回転中に飛び出さないようにしている。このように
すれば、板状のウェハ支持部2yの両側の開口2g−
1,2g−1を図2の第1実施形態の開口2gより大き
くすることができ、薬液や純水などの処理液や処理ガス
をウェハ用キャリアケース3内のウェハ4,・・・,4ま
でより円滑に供給させることができる。
【0096】さらに、図11に示すように、本発明の第
4の実施形態にかかるウェハ処理方法を実施することが
できるウェハ処理装置として、回転体2のウェハ支持部
2xを一対の縁部支持部2d,2dに合体させて、一対
のウェハ支持兼縁部支持部2z,2zとした例を示す。
この実施形態でも、ウェハ支持部2zの先端の各ウェハ
4に接触可能な部分は、湾曲部分として、ウェハ4に損
傷を与えないようにするのが好ましい。このようにウェ
ハ支持兼縁部支持部2z,2zとして円筒体本体2aの
内部に突出させて、ウェハ用キャリアケース3のウェハ
4,・・・,4に接触可能とし、ウェハ用キャリアケース
3からウェハ4,・・・,4が回転体2の回転中に飛び出
さないようにするとともに、ウェハ用キャリアケース3
の上部の両縁部3d,3dを支持して径方向の移動を規
制するようにしている。このようにすれば、ウェハ4,
・・・,4に対向するウェハ支持部2x,2yを無くすこ
とができて、図2の第1及び第2実施形態の開口2g及
び2g−1より大きな1つの開口2g−2を形成するこ
とができ、薬液や純水などの処理液や処理ガスをウェハ
用キャリアケース3内のウェハ4,・・・,4までより円
滑に供給させることができる。
【0097】また、上記処理方法において、例えば、薬
液として酸を使用したのち、純水洗浄工程を経て、次に
アルカリ性薬液を使用する場合、又は、その逆の場合、
先の酸性薬液又はアルカリ性薬液が処理槽1の蓋26の
内面などに残っていると、後でし様するアルカリ性薬液
又は酸性薬液との間で予期しない反応が生じる恐れがあ
る。こりれを防止するため、純水洗浄工程において、図
5(A),(B)に示すように、処理槽1の上部内壁に
設けた一対の純水供給部25,25のノズル25a,2
5aから十分な量の純水を供給して、処理槽1の蓋26
の内面及び処理槽1内を十分に洗浄できるようにしても
よい。
【0098】また、処理液供給部材5は処理槽の内面付
近に配置するものに限らず、以下に示すように、中心付
近に配置するようにしてもよい。図12及び図13は、
それぞれ、本発明の第5の実施形態にかかるウェハ処理
方法を実施することができるウェハ処理装置の平面図及
び一部断面図である。図12及び図13において、31
は処理槽1に相当する処理槽、32はウェハ自転用回転
軸、35は処理液供給部材5に相当する処理液供給部
材、36は回転板、37は回転軸、38はモータ、39
は蓋26に相当する蓋である。処理槽31内の回転板3
6上には、処理槽31の中心軸に対して2つの回転体
2,2が180度離して配置され、かつ、処理槽31の
中心軸付近には、上方より下向きに処理液供給部材35
が配置されている。各回転体2はその中心軸回りに回転
軸32を介してモータ(図示せず)により互に独立して
自転する。図12では、左側の回転体2は時計方向に回
転し、右側の回転体2は反時計方向に回転する。各回転
体2内には、第1実施形態と同様にウェハ用キャリアケ
ース3に多数のウェハ4,・・・,4が収納保持されてい
る。また、処理槽31内の回転板36も処理槽31の中
心軸回りに回転軸37を介してモータ38により回転す
る。よって、各回転体2内のウェハ用キャリアケース3
に保持されたウェハ4,・・・,4は自転しつつ、処理槽3
1の中心軸の回りに回転することになる。従って、この
ような構成によれば、処理槽31の中心部分に配置され
た処理液供給部材35から処理液が処理槽31の中心部
分からその径方向外向きに噴霧又は噴射され、処理液供
給部材35の回りを自転しつつ公転するウェハ4,・・・,
4に供給される。
【0099】このような実施形態の装置においては、複
数のウェハ用キャリアケース3,3に保持されたウェハ
4,・・・,4を同時に同一の処理液で処理することがで
き、処理効率をより一層向上させることができる。な
お、処理槽31内に配置されるウェハ用キャリアケース
3の個数は2個に限らず任意の数でよい。
【0100】また、上記各実施形態において、上記処理
液が上記ウェハの表面から排出されるとき、さらに、効
率良く排出させるため、積極的に吸引させるようにして
もよい。
【0101】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。
【0102】
【発明の効果】本発明によれば、隣接するウェハ間の隙
間を小さくして毛細管現象により、その隙間内に処理液
を引き込むことにより、各ウェハの表面全体に処理液を
行き渡らせ、各ウェハに作用する遠心力に抗して各ウェ
ハの上面の表面張力により一時的に保持されて、保持さ
れた上記処理液による所定の処理が行われとともに、ウ
ェハ自体が自転していることにより、各ウェハの表面に
行き渡った処理液が表面張力に打ち勝って直ぐに遠心力
により外向きに流し出し、新たな処理液を毛細管現象を
利用して再び供給されるようにしているため、処理液が
各ウェハの上面で停滞することなく、常に新しい処理液
に各ウェハの表面がさらされることになり、所定の処理
を効率良く行うことができる。
【0103】また、処理液としては、隣接するウェハ間
の隙間に連続的にミスト状に供給される分又は噴射させ
るように供給される分だけでよく、従来のように処理槽
に大量の処理液を滞留させる必要がないので、処理液の
消費量を大幅に削減することができる。
【0104】また、本発明によれば、例えば加熱された
窒素ガスを供給しながらウェハを超高速回転させて瞬時
に乾燥させる場合には、ウォーターマークを防止させる
ことができる。
【0105】また、本発明によれば、各ウェハが自転し
ているため、各ウェハに供給された薬液や純水などの処
理液が各ウェハの表面に均一に行き渡らせることがで
き、処理液によりムラ無く各ウェハの表面を処理するこ
とができる。
【0106】また、1つの処理槽内で薬液による薬液処
理、純水などによる洗浄処理、及び、乾燥処理などのよ
うに複数の処理を行うことができるため、処理効率を大
幅に高めることができるとともに、従来のように、処理
毎に処理槽から別の処理槽にウェハを搬送する必要がな
くなり、ウェハの表面にパーティクルの付着や薬液によ
る搬送時の局部的な薬液処理の進行に伴い処理が不均一
になるなどの悪影響がウェハに生じるのを効果的に防止
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態にかかるウェハ処理
方法を実施することができるウェハ処理装置の一部断面
図である。なお、ウェハ用キャリアケース3は右半分が
断面図、左半分が平面図となっている。
【図2】 図1のウェハ処理装置の平面図である。
【図3】 (A),(B)はそれぞれ図1のウェハ処理
装置の処理液供給部材の処理液供給部及び純水供給部の
縦断面図である。なお、薬液供給通路の配置ピッチが判
別しにくくなるため、薬液供給通路付近の断面ハッチン
グは一部省略している。
【図4】 図1のウェハ処理装置の処理液供給部材の横
断面図である。
【図5】 (A),(B)はそれぞれ図1のウェハ処理
装置において、処理槽の蓋の内面などを洗浄する純水供
給部を備えたウェハ処理装置の平面図及び一部断面側面
図である。
【図6】 図1のウェハ処理装置によるウェハ処理にお
いて隣接するウェハとウェハダミーとの間及び隣接ウェ
ハ間にそれぞれ薬液が毛細管現象により入り込む状態を
説明するための説明図である。
【図7】 (A),(B)はそれぞれ図1のウェハ処理
装置の処理液供給部材の薬液供給通路の配置ピッチが等
間隔の処理液供給部材の縦断面図と上記配置ピッチが連
続的に広くなる処理液供給部材の縦断面図である。な
お、薬液供給通路の配置ピッチが判別しにくくなるた
め、薬液供給通路付近の断面ハッチングは一部省略して
いる。
【図8】 (A),(B)はそれぞれ図1のウェハ処理
装置の処理液供給部材の薬液供給通路の配置ピッチが上
側の3分の1では狭く残りの3分の2では広くした処理
液供給部材の縦断面図と上記配置ピッチが3分の1毎に
広くなっていく処理液供給部材の縦断面図である。な
お、薬液供給通路の配置ピッチが判別しにくくなるた
め、薬液供給通路付近の断面ハッチングは一部省略して
いる。
【図9】 本発明の第2の実施形態にかかるウェハ処理
方法を実施することができるウェハ処理装置の一部断面
図である。
【図10】 本発明の第3の実施形態にかかるウェハ処
理方法を実施することができるウェハ処理装置の一部断
面図である。
【図11】 本発明の第4の実施形態にかかるウェハ処
理方法を実施することができるウェハ処理装置の一部断
面図である。
【図12】 本発明の第5の実施形態にかかるウェハ処
理方法を実施することができるウェハ処理装置の平面図
である。
【図13】 本発明の第5の実施形態にかかるウェハ処
理方法を実施することができるウェハ処理装置の一部断
面図である。
【符号の説明】
1・・・処理槽、2・・・回転体、2a・・・円筒体本体、2b・・・
底部支持部、2c・・・側部支持部、2d・・・縁部支持部、2
g,2g−1,2g−2・・・開口、2x,2y・・・ウェハ
支持部、2z・・・ウェハ支持兼縁部支持部、3・・・ウェハ
用キャリアケース、3b・・・ウェハ用キャリアケースの底
部の側部、3c・・・ウェハ用キャリアケースの側部、3d・
・・ウェハ用キャリアケースの上部の縁部、3g・・・開
口、4・・・ウェハ、5・・・処理液供給部材、5a・・・薬液供
給部、5b・・・薬液供給通路、5c・・・窒素ガス供給部、5
d・・・窒素ガス供給通路、5e・・・純水供給部、5f・・・純水
供給通路、5g・・・純水用ノズル、5h・・・本体、5i・・・
薬液用ノズル、6・・・回転軸、7・・・ラビリンス機構、8
・・・回転体下部凹凸部、9・・・処理槽底部凹凸部、10・・
・排出管、11・・・補強枠、12・・・薬液噴霧範囲、13・
・・純水噴射範囲、14・・・薬液用ノズルの配置領域、1
5・・・モータ、21・・・支持体、25・・・純水供給部、2
5a・・・ノズル、26・・・蓋、29・・・支柱、31・・・処理
槽、32・・・ウェハ自転用回転軸、35・・・処理液供給部
材、36・・・回転板、37・・・回転軸、38・・・モータ、
39・・・蓋。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−161683(JP,A) 特開 平9−171989(JP,A) 特開 平8−78368(JP,A) 特開 平3−159239(JP,A) 実開 昭61−1841(JP,U) 実開 昭56−149446(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304,21/306,21/308

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液で処理すべき複数のウェハ(4)
    の隣接するウェハ間の隙間が上記ウェハの毛細管現象に
    より上記処理液が引き込まれる程度の間隔をあけて上記
    複数のウェハが保持された状態で上記ウェハを自転させ
    る回転体(2)と、 上記回転体を収納する処理槽(1)と、 上記ウェハに対して上記処理液を供給する処理液供給部
    材(5)とを備え、 上記回転体により上記ウェハを自転させながら、上記処
    理液供給部材より上記処理液を上記ウェハに供給し、上
    記処理液が上記複数のウェハの上記隣接するウェハ間の
    上記隙間に毛細管現象により入り込み、上記ウェハの表
    面に広がって上記ウェハの表面張力により保持されて、
    保持された上記処理液により上記ウェハの表面が処理さ
    れるとともに、上記ウェハの自転により上記処理液に作
    用している遠心力により上記処理液が上記ウェハの表面
    から排出されるようにしたことを特徴とするウェハ処理
    装置。
  2. 【請求項2】 上記複数のウェハ(4)の隣接するウェ
    ハ間の上記隙間が、上記処理液が毛細管現象により入り
    込む程度の間隔をあけて、上記複数のウェハをウェハ用
    キャリアケース(3)に収納保持し、かつ、上記ウェハ
    用キャリアケースを上記回転体に着脱可能に固定させる
    ようにした請求項1に記載のウェハ処理装置。
  3. 【請求項3】 上記ウェハ間の隙間の間隔は、上記処理
    液の分子の大きさより大きい寸法である請求項1又は2
    に記載のウェハ処理装置。
  4. 【請求項4】 上記処理液供給部材は、上記処理液を上
    記ウェハに供給する複数のノズルを有し、上記処理液供
    給部材が上下方向沿いに配置されるとき、上記上下方向
    沿いに配置される上記ノズルのピッチは上側が下側に比
    べて狭い間隔となっている請求項1〜3のいずれかに記
    載のウェハ処理装置。
  5. 【請求項5】 上記処理液供給部材は、上記処理液を上
    記ウェハに供給する複数のノズルを有し、上記処理液供
    給部材が上下方向沿いに配置されるとき、上記上下方向
    沿いに配置される上記ノズルのピッチは等間隔である請
    求項1〜3のいずれかに記載のウェハ処理装置。
  6. 【請求項6】 上記ウェハが自転して上記処理液供給部
    材により上記ウェハに対して上記処理液を供給する領域
    に到ると、上記ウェハの毛細管現象により、上記隣接す
    るウェハ間の上記隙間内に上記処理液が引き込まれ、上
    記ウェハの表面に広がって上記ウェハの表面張力により
    保持されて、保持された上記処理液により上記ウェハの
    表面が処理されるとともに、上記ウェハがさらに自転し
    て上記処理液供給部材により上記ウェハに対して上記処
    理液が供給されない領域に到ると、上記ウェハの自転に
    より上記処理液に作用している遠心力により上記処理液
    が上記ウェハの表面から排出されるようにした請求項1
    〜5のいずれかに記載のウェハ処理装置。
  7. 【請求項7】 上記回転体は、上記処理液による上記ウ
    ェハの処理工程の最初の段階では低速回転で回転したの
    ち、上記処理工程の最終段階では、上記低速よりも速い
    高速で回転して上記処理液を振り切るようにした請求項
    1〜6のいずれかに記載のウェハ処理装置。
  8. 【請求項8】 上記処理液として所定の薬液処理を行う
    ための薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回転体
    とともに上記ウェハを低速回転させて、上記薬液により
    各ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記薬液
    を振り切り、 上記薬液に代えて、純水を上記処理液として使用して上
    記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハを低
    速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄
    処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記回転体とともに上記ウェハを高速回転させて、ウェ
    ハ乾燥用ガスにより上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を
    行うようにした請求項1〜6のいずれかに記載のウェハ
    処理装置。
  9. 【請求項9】 上記純水を振り切ったのち、上記乾燥用
    ガスによる乾燥を行う前に、再び、純水を上記処理液と
    して使用して上記ウェハに供給し、上記回転体とともに
    上記ウェハを低速回転させて、上記純水により各ウェハ
    の各表面を洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切るようにした請求項8に記載のウェハ処理装
    置。
  10. 【請求項10】 上記処理液として所定の第1薬液処理
    を行うための第1薬液を使用して上記ウェハに供給し、
    上記回転体とともに上記ウェハを低速回転させて、上記
    第1薬液により各ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記第1
    薬液を振り切り、 上記第1薬液に代えて、純水を上記処理液として使用し
    て上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハ
    を低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を
    洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記処理液として所定の第2薬液処理を行うための第2
    薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回転体ととも
    に上記ウェハを低速回転させて、上記第2薬液により各
    ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記第2
    薬液を振り切り、 上記第2薬液に代えて、純水を上記処理液として使用し
    て上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハ
    を低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を
    洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記回転体とともに上記ウェハを高速回転させて、乾燥
    用ガスにより上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を行うよ
    うにした請求項1〜6のいずれかに記載のウェハ処理装
    置。
  11. 【請求項11】 回転体(2)により保持された複数の
    ウェハ(4)を上記回転体とともに自転させながら、上
    記処理液を上記ウェハに供給し、上記ウェハの毛細管現
    象により、上記隣接するウェハ間の上記隙間内に上記処
    理液が引き込まれ、上記ウェハの表面に広がって上記ウ
    ェハの表面張力により保持されて、保持された上記処理
    液により上記ウェハの表面が処理されるとともに、上記
    ウェハの自転により上記処理液に作用している遠心力に
    より上記処理液が上記ウェハの表面から排出されるよう
    にしたことを特徴とするウェハ処理方法。
  12. 【請求項12】 上記複数のウェハ(4)の隣接するウ
    ェハ間の上記隙間が上記ウェハの毛細管現象により上記
    処理液が上記ウェハの表面に入り込む程度の間隔をあけ
    て、上記複数のウェハをウェハ用キャリアケース(3)
    に収納保持し、かつ、上記ウェハ用キャリアケースを上
    記回転体に着脱可能に固定させるようにした請求項11
    に記載のウェハ処理方法。
  13. 【請求項13】 上記ウェハ間の隙間の間隔は、上記処
    理液の分子の大きさより大きい寸法である請求項11又
    は12に記載のウェハ処理方法。
  14. 【請求項14】 上記ウェハが自転して上記処理液供給
    部材により上記ウェハに対して上記処理液を供給する領
    域に到ると、上記ウェハの毛細管現象により、上記隣接
    するウェハ間の上記隙間内に上記処理液が引き込まれ、
    上記ウェハの表面に広がって上記ウェハの表面張力によ
    り保持されて、保持された上記処理液により上記ウェハ
    の表面が処理されるとともに、上記ウェハがさらに自転
    して上記処理液供給部材により上記ウェハに対して上記
    処理液が供給されない領域に到ると、上記ウェハの自転
    により上記処理液に作用している遠心力により上記処理
    液が上記ウェハの表面から排出されるようにした請求項
    11〜13のいずれかに記載のウェハ処理方法。
  15. 【請求項15】 上記回転体は、上記処理液による上記
    ウェハの処理工程の最初の段階では低速回転で回転した
    のち、上記処理工程の最終段階では、上記低速よりも速
    い高速で回転して上記処理液を振り切るようにした請求
    項11〜14のいずれかに記載のウェハ処理方法。
  16. 【請求項16】 上記処理液として所定の薬液処理を行
    うための薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回転
    体とともに上記ウェハを低速回転させて、上記薬液によ
    り各ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記薬液
    を振り切り、 上記薬液に代えて、純水を上記処理液として使用して上
    記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハを低
    速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を洗浄
    処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記回転体とともに上記ウェハを高速回転させて、ウェ
    ハ乾燥用ガスにより上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を
    行うようにした請求項11〜15のいずれかに記載のウ
    ェハ処理方法。
  17. 【請求項17】 上記純水を振り切ったのち、上記乾燥
    用ガスによる乾燥を行う前に、再び、純水を上記処理液
    として使用して上記ウェハに供給し、上記回転体ととも
    に上記ウェハを低速回転させて、上記純水により各ウェ
    ハの各表面を洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切るようにした請求項11〜16のいずれかに記
    載のウェハ処理方法。
  18. 【請求項18】 上記処理液として所定の第1薬液処理
    を行うための第1薬液を使用して上記ウェハに供給し、
    上記回転体とともに上記ウェハを低速回転させて、上記
    第1薬液により各ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記第1
    薬液を振り切り、 上記第1薬液に代えて、純水を上記処理液として使用し
    て上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハ
    を低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を
    洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記処理液として所定の第2薬液処理を行うための第2
    薬液を使用して上記ウェハに供給し、上記回転体ととも
    に上記ウェハを低速回転させて、上記第2薬液により各
    ウェハの各表面を薬液処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記第2
    薬液を振り切り、 上記第2薬液に代えて、純水を上記処理液として使用し
    て上記ウェハに供給し、上記回転体とともに上記ウェハ
    を低速回転させて、上記純水により各ウェハの各表面を
    洗浄処理し、 上記ウェハを上記低速より速い高速回転させて上記純水
    を振り切り、 上記回転体とともに上記ウェハを高速回転させて、乾燥
    用ガスにより上記ウェハを乾燥させる乾燥処理を行うよ
    うにした請求項11〜16のいずれかに記載のウェハ処
    理方法。
  19. 【請求項19】 上記処理液を上記ウェハに複数のノズ
    ルにより供給し、上記ノズルが上下方向沿いに配置され
    るとき、上記上下方向沿いに配置される上記ノズルのピ
    ッチは上側が下側に比べて狭い間隔となっている請求項
    11〜18のいずれかに記載のウェハ処理方法。
  20. 【請求項20】 上記処理液を上記ウェハに複数のノズ
    ルにより供給し、上記ノズルが上下方向沿いに配置され
    るとき、上記上下方向沿いに配置される上記ノズルのピ
    ッチは等間隔である請求項11〜19のいずれかに記載
    のウェハ処理方法。
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